JP2002302762A - Ito sputtering target - Google Patents

Ito sputtering target

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JP2002302762A
JP2002302762A JP2001105643A JP2001105643A JP2002302762A JP 2002302762 A JP2002302762 A JP 2002302762A JP 2001105643 A JP2001105643 A JP 2001105643A JP 2001105643 A JP2001105643 A JP 2001105643A JP 2002302762 A JP2002302762 A JP 2002302762A
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Japan
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erosion
target
ito
sputtering
erosion portion
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JP2001105643A
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Japanese (ja)
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Kentaro Uchiumi
健太郎 内海
Satoshi Kurosawa
聡 黒澤
Hirokuni Hoshino
浩邦 星野
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Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
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Publication date
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ITO(indium-tin-oxide) target which reduces the amount of particles caused by nodules generated on an erosion part in accordance with the increase of the cumulative use time of the target and the amount of particles caused by yellow powders deposited on a nonerosion part. SOLUTION: In the ITO sputtering target substantially consisting of indium, tin and oxygen, the non erosion part is made thinner than the erosion part to project the erosion part. Further, a shape obtained by connecting the plane including the erosion part and the plane including the nonerosion part by an obtuse-angled slant is formed. The surface roughness (Ra) of the erosion part is controlled to <=0.1 μm, and the Ra of the nonerosion part and slant part obtained by connecting the erosion part and the nonerosion part is controlled to >=1.0 μm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性薄膜製
造の際に使用されるITOスパッタリングターゲットに
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ITO sputtering target used for producing a transparent conductive thin film.

【0002】[0002]

【従来の技術】透明導電膜であるITO(Indium
Tin Oxide)薄膜の製造方法は、スプレー熱
分解法、CVD法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸着
法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別すること
ができる。なかでもITOターゲットを用いたスパッタ
リング法は、大面積化が容易で、得られる膜の抵抗値お
よび透過率の経時変化が少なく、また、成膜条件のコン
トロールが容易であるため、様々な分野で使用されてい
る。
2. Description of the Related Art ITO (Indium) is a transparent conductive film.
The manufacturing method of a Tin Oxide thin film can be roughly classified into a chemical film forming method such as a spray pyrolysis method and a CVD method, and a physical film forming method such as an electron beam evaporation method and a sputtering method. In particular, the sputtering method using an ITO target is easy to increase the area, has little change over time in the resistance value and transmittance of the obtained film, and is easy to control the film forming conditions. It is used.

【0003】特に、スパッタリングターゲットの背後に
磁石を配置し、ターゲット表面に磁界を存在させること
によりプラズマを収束させるようにしたDCマグネトロ
ンスパッタリング法は、製膜速度が高いという特徴を有
するため量産装置で多く採用されている。
In particular, the DC magnetron sputtering method in which a magnet is arranged behind a sputtering target and a magnetic field is present on the surface of the target to converge plasma is characterized by a high film-forming speed, and is used in a mass production apparatus. Many are adopted.

【0004】このようなITO薄膜は、高導電性、高透
過率といった特徴を有し、更に微細加工も容易に行える
ことから、フラットパネルディスプレイ用表示電極、太
陽電池用窓材、帯電防止膜等の広範囲な分野に渡って用
いられている。特に液晶表示装置を始めとしたフラット
パネルディスプレイ分野では近年大型化および高精細化
が進んでおり、その表示用電極であるITO薄膜に対し
て低パーティクル化の要求が高まっている。
[0004] Such an ITO thin film has features such as high conductivity and high transmittance, and can be easily subjected to fine processing, so that it can be used for display electrodes for flat panel displays, window materials for solar cells, antistatic films, and the like. Is used in a wide range of fields. In particular, in the field of flat panel displays such as liquid crystal display devices, in recent years, the size and definition have been advanced, and there has been an increasing demand for reducing the particle size of the ITO thin film, which is the display electrode.

【0005】パーティクルの発生原因としては、エロー
ジョン部に形成されるノジュール起因のものと、ターゲ
ットの非エロージョン部分に堆積する黄色粉末とに起因
するものが挙げられる。
[0005] Particles are generated due to nodules formed in the erosion portion and yellow powder deposited on the non-erosion portion of the target.

【0006】ノジュールとは、ITOターゲットをアル
ゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中で連続してス
パッタリングした場合、積算スパッタリング時間の増加
と共にターゲット表面発生する黒色の付着物である。イ
ンジウムの低級酸化物と考えられているこの黒色の付着
物は、ターゲットのエロージョン部に析出するため、ス
パッタリング時の異常放電の原因となりやすく、またそ
れ自身が異物(パーティクル)の発生源となることが知
られている。
[0006] Nodules are black deposits generated on the surface of an ITO target as the cumulative sputtering time increases when the ITO target is continuously sputtered in a mixed gas atmosphere of argon gas and oxygen gas. This black deposit, which is considered to be a lower oxide of indium, precipitates on the erosion part of the target and is likely to cause abnormal discharge during sputtering, and itself may be a source of foreign matter (particles). It has been known.

【0007】一方、ターゲット表面の非エロージョン部
に堆積する黄色の粉末は、スパッタリング時間の増加に
ともなって堆積量が増加し、ある程度以上の厚さに達す
るとターゲット表面より剥がれ、真空中を浮遊し基板表
面に付着するようになる。この黄色粉末は、エロージョ
ン部より叩き出されたターゲット物質が、対向する基板
に到達する前に、真空チャンバー内のガス粒子(アルゴ
ン、酸素等)と衝突することによって向きを変え、ター
ゲット表面の非エロージョン部に堆積すると考えられて
いる。この黄色粉末が基板に付着すると、液晶表示装置
などの表示品位を低下させ、不良の原因となり、製品の
製造歩留まりを著しく低下させる。
On the other hand, the amount of the yellow powder deposited on the non-erosion portion of the target surface increases as the sputtering time increases, and when it reaches a certain thickness or more, the yellow powder peels off from the target surface and floats in a vacuum. It will adhere to the substrate surface. The yellow powder changes its direction by colliding with gas particles (argon, oxygen, etc.) in the vacuum chamber before the target material beaten out from the erosion portion reaches the opposing substrate, thereby changing the target surface non-uniformity. It is believed that it accumulates on the erosion. When this yellow powder adheres to the substrate, it lowers the display quality of a liquid crystal display device or the like, causes defects, and significantly lowers the production yield of products.

【0008】ノジュール起因のパーティクルを低減させ
る手段としては、例えば、特開平05−148635号
公報には、ターゲットの密度とバルク抵抗率を一定範囲
内に収めるとともに被スパッタリング面の表面粗さ(R
a)を0.5μm以下にする方法が報告されている。し
かしながら、これらの方法は、ノジュール起因のパーテ
ィクル低減の効果はあったものの、黄色粉末起因のパー
ティクル低減に対しては、効果がなかった。
As means for reducing particles due to nodules, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 05-148635 discloses that the density and bulk resistivity of a target are kept within certain ranges, and the surface roughness (R
It has been reported that a) is reduced to 0.5 μm or less. However, these methods had an effect of reducing particles caused by nodules, but had no effect on particle reduction caused by yellow powder.

【0009】一方、黄色粉末起因のパーティクルを低減
させる手段としては、例えば、実開昭60−19336
4号公報のように、ターゲット表面を粗くして黄色粉末
の付着強度を高める方法が報告されている。しかし、こ
の場合、黄色粉末起因のパーティクル低減の効果はあっ
たものの、ノジュール起因のパーティクルに対しては、
効果が無かった。
On the other hand, as means for reducing particles caused by yellow powder, for example, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 60-19336
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4 (1999) -1999, a method of increasing the adhesion strength of a yellow powder by roughening the target surface has been reported. However, in this case, although there was an effect of reducing particles due to yellow powder, particles due to nodules were
There was no effect.

【0010】このようなことから、ノジュールと黄色粉
末の双方を起因とするパーティクルを同時に低減できる
ような新規ITOターゲットの開発が望まれていた。
[0010] For these reasons, there has been a demand for the development of a new ITO target capable of simultaneously reducing particles originating from both nodules and yellow powder.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、IT
Oターゲットの積算使用時間の増加に伴いエロージョン
部に発生するノジュールに起因するパーティクルおよび
非エロージョン部に堆積する黄色粉末に起因するパーテ
ィクルの発生量を低減することができるITOスパッタ
リングターゲットを提供することにある。
The problem to be solved by the present invention is that the IT
To provide an ITO sputtering target capable of reducing the amount of particles caused by nodules generated in the erosion part and the particles caused by yellow powder deposited in the non-erosion part due to an increase in the cumulative use time of the O target. is there.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記公知
技術に基づき、平行平板形状のターゲットに対して非エ
ロージョン部の表面粗さを粗くするとともにエロージョ
ン部の表面粗さを低下させ、ノジュールの発生状況およ
び黄色粉末の付着力を調べる実験を実施した。しかし、
再現性良くノジュール発生量を低減させるとともに黄色
粉末の付着力を増加させることはできなかった。
Means for Solving the Problems The present inventors have made the surface roughness of the non-erosion part and the surface roughness of the erosion part lower for a parallel plate-shaped target based on the above-mentioned known technique, An experiment was conducted to examine the occurrence of nodules and the adhesion of the yellow powder. But,
It was not possible to reduce the amount of nodules generated with good reproducibility and increase the adhesion of the yellow powder.

【0013】その原因は、以下に示す理由によるもので
ある。ターゲット表面のエロージョン領域を特定する
ことは困難である、同じ設計のカソードであっても、
その下に置かれる磁石の微妙な磁力の違いによりエロー
ジョン部が微妙に異なる、エロージョン部にわずかな
幅でも表面粗さの粗い領域を形成してしまうと、その部
分に多くのノジュールが発生する。そのため、同じサイ
ズのターゲットであってもカソード毎に領域を分けて設
計し、表面粗さを制御することが必要となり、とても工
業的に使用できる技術とはならなかった。
The reason is as follows. It is difficult to identify the erosion area on the target surface.
The erosion portion is slightly different due to a slight difference in magnetic force of a magnet placed thereunder. If a region with a small surface width is formed in the erosion portion with a rough surface, many nodules are generated in the portion. Therefore, even for targets of the same size, it is necessary to design the regions separately for each cathode and control the surface roughness, and this is not a very industrially usable technique.

【0014】そこで、本発明者らはターゲットの形状と
表面粗さについて様々な検討を行い、工業的に生産でき
る手法を用い、再現性良くノジュール発生量を低減でき
るとともに黄色粉末の付着力を増加させる方法に関して
鋭意検討を行った。
Therefore, the present inventors have conducted various studies on the shape and surface roughness of the target, and by using a method that can be industrially produced, can reduce the amount of nodules generated with good reproducibility and increase the adhesion of the yellow powder. We studied diligently on how to make it work.

【0015】その結果、非エロージョン部の厚さをエロ
ージョン部の厚さよりも薄くしてエロージョン部を突出
させるとともに、前記エロージョン部を含む平面と前記
非エロージョン部を含む平面とを鈍角な斜面で結んだ形
状のITOスパッタリングターゲットにおいて、突出さ
せたエロージョン部の表面粗さ(Ra)を0.1μm以
下とするとともに、非エロージョン部およびエロージョ
ン部と非エロージョン部を結んだ斜面の表面粗さ(R
a)を1.0μm以上とすることにより、ノジュールお
よび黄色粉末起因のパーティクルを低減できることを見
出し本発明を完成した。
As a result, the thickness of the non-erosion portion is made smaller than the thickness of the erosion portion so that the erosion portion protrudes, and the plane including the erosion section and the plane including the non-erosion section are connected by an obtuse slope. In an ITO sputtering target having an irregular shape, the surface roughness (Ra) of the protruded erosion portion is set to 0.1 μm or less, and the surface roughness (R) of a non-erosion portion and a slope connecting the erosion portion and the non-erosion portion is reduced.
By setting a) to be 1.0 μm or more, it has been found that particles due to nodules and yellow powder can be reduced, and the present invention has been completed.

【0016】即ち、本発明は、実質的にインジウム、ス
ズおよび酸素からなる焼結体を用いたITOスパッタリ
ングターゲットにおいて、非エロージョン部の厚さをエ
ロージョン部の厚さよりも薄くしてエロージョン部を突
出させるとともに、前記エロージョン部を含む平面と前
記非エロージョン部を含む平面とを鈍角な斜面で結んだ
形状とし、前記突出させたエロージョン部の表面粗さ
(Ra)を0.1μm以下、非エロージョン部およびエ
ロージョン部と非エロージョン部を結んだ斜面の表面粗
さ(Ra)を1.0μm以上としたことを特徴とするI
TOスパッタリングターゲットに関する。
That is, according to the present invention, in an ITO sputtering target using a sintered body substantially consisting of indium, tin and oxygen, the thickness of a non-erosion portion is made smaller than the thickness of an erosion portion to protrude the erosion portion. A flat surface including the erosion portion and a flat surface including the non-erosion portion are connected by an obtuse slope, and the surface roughness (Ra) of the protruded erosion portion is 0.1 μm or less, and the non-erosion portion is formed. And a surface roughness (Ra) of a slope connecting the erosion portion and the non-erosion portion is 1.0 μm or more.
It relates to a TO sputtering target.

【0017】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0018】本発明に使用されるITO焼結体は、特に
限定されるものではないが、例えば、以下のような方法
で製造することができる。
The ITO sintered body used in the present invention is not particularly limited, but can be produced, for example, by the following method.

【0019】原料粉末としては、酸化インジウム粉末と
酸化スズ粉末との混合粉末あるいは共沈法などにより得
られたITO粉末を使用することができる。使用する粉
末の平均粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上昇しな
い場合があるので、より焼結密度の高い焼結体を得るた
めには、使用する粉末の平均粒径は1.5μm以下であ
ることが望ましく、更に好ましくは0.1〜1.5μm
である。
As the raw material powder, a mixed powder of an indium oxide powder and a tin oxide powder or an ITO powder obtained by a coprecipitation method or the like can be used. If the average particle diameter of the powder used is large, the density after sintering may not be sufficiently increased. Therefore, in order to obtain a sintered body having a higher sintered density, the average particle diameter of the powder used is 1. 5 μm or less, more preferably 0.1 to 1.5 μm
It is.

【0020】また、混合粉末あるいはITO粉末中の酸
化スズ含有量は、スパッタリング法により薄膜を製造し
た際に比抵抗が低下する5〜25重量%(酸化物換算)
とすることが望ましい。
The tin oxide content in the mixed powder or the ITO powder is 5 to 25% by weight (in terms of oxide) at which the specific resistance decreases when a thin film is produced by a sputtering method.
It is desirable that

【0021】原料粉末として酸化インジウム粉末および
酸化スズ粉末を用いた場合には、最初に粉末の混合を行
う。粉末の混合は、例えばボールミルなどを用いて、湿
式あるいは乾式混合を行えばよい。
When indium oxide powder and tin oxide powder are used as the raw material powder, the powders are mixed first. The powder may be mixed by wet or dry mixing using, for example, a ball mill.

【0022】こうして得られた粉末をプレス法あるいは
鋳込法などの成形法により成形してITO成形体を製造
する。プレス成形により成形体を製造する場合には所定
の大きさの金型に混合粉末を充填した後、プレス機を用
いて100〜500kg/cm2の圧力でプレスを行い
成形体とする。この際、必要に応じてPVA等のバイン
ダーを添加しても良い。
The powder thus obtained is molded by a molding method such as a press method or a casting method to produce an ITO molded body. In the case of manufacturing a molded body by press molding, after filling the mixed powder into a mold having a predetermined size, the molded body is pressed by a press at a pressure of 100 to 500 kg / cm 2 . At this time, a binder such as PVA may be added as needed.

【0023】一方、鋳込法により成形体を製造する場合
には、原料粉末を水、バインダーおよび分散剤とともに
混合してスラリー化し、こうして得られた50〜500
0センチポイズの粘度を持つスラリーを所望形状の吸水
性のある多孔質成形型へ注入して成形体を作製する。
On the other hand, in the case of producing a molded body by the casting method, the raw material powder is mixed with water, a binder and a dispersant to form a slurry, and the thus obtained 50 to 500
A slurry having a viscosity of 0 centipoise is poured into a water-absorbing porous mold having a desired shape to produce a molded article.

【0024】本発明のターゲットの外観を図1に、この
外観をA−Aを含む平面で、図示されたターゲットに対
して垂直に切断した際の断面形状を図2に示す。本発明
のターゲットの断面形状としては、図2に示す他、図3
〜5に示すような中心部の焼結体を除去した環状のター
ゲットとしても本発明は有効である。また、1枚のバッ
キングプレートに接合される焼結体が1枚もので構成さ
れているものおよび複数の焼結体を1枚のバッキングプ
レートに接合した多分割ターゲットの双方に対して有効
である。
FIG. 1 shows the appearance of the target of the present invention, and FIG. 2 shows a cross-sectional shape of this target taken along a plane including AA and perpendicular to the illustrated target. The cross-sectional shape of the target of the present invention is shown in FIG.
The present invention is also effective for an annular target from which the central sintered body is removed as shown in FIGS. Further, the present invention is effective for both a single sintered body to be bonded to one backing plate and a multi-divided target in which a plurality of sintered bodies are bonded to one backing plate. .

【0025】成形方法として鋳込み法を用いると所望の
形状に成形体を作製することができ、後で加工工程を必
要としないため好ましい。
It is preferable to use a casting method as a molding method since a molded article can be formed into a desired shape and a later processing step is not required.

【0026】次に、こうして得られた成形体は、必要に
応じて冷間等方圧プレス(CIP)による処理を行う。
この際、CIPの圧力は十分な圧密効果を得るため1t
on/cm2以上、好ましくは2〜5ton/cm2であ
ることが望ましい。
Next, the thus obtained molded body is subjected to a treatment by a cold isostatic press (CIP) as required.
At this time, the pressure of the CIP is 1 ton in order to obtain a sufficient consolidation effect.
On / cm 2 or more, preferably 2 to 5 ton / cm 2 is desirable.

【0027】成形をプレス法で行った場合には、ここで
所望の形状に加工する。焼結後に加工することも可能で
あるが、成形体の硬度は焼結体に比べて遙かに低く容易
に加工できるため、この段階で加工するのが好ましい
が、焼結後に行っても差し支えない。
When the molding is performed by the press method, it is processed into a desired shape here. Although it is possible to work after sintering, the hardness of the molded body is much lower than that of the sintered body and it can be easily worked. Therefore, it is preferable to work at this stage. Absent.

【0028】成形を鋳込法により行った場合には、CI
P後の成形体中に残存する水分およびバインダー等の有
機物を除去するため、300〜500℃の温度で5〜2
0時間程度の乾燥処理および脱バインダー処理を施すこ
とが好ましい。また、成形をプレス法により行った場合
でも、成型時にバインダーを使用したときには、同様の
脱バインダー処理を行うことが好ましい。
When molding is performed by the casting method, CI
In order to remove water and organic substances such as a binder remaining in the molded body after P, a temperature of 300 to 500 ° C. and a temperature of 5 to 2 are removed.
It is preferable to perform a drying treatment and a binder removal treatment for about 0 hours. Even when molding is performed by a press method, when a binder is used at the time of molding, it is preferable to perform the same binder removal treatment.

【0029】次に、このようにして得られた成形体の焼
成を行う。昇温速度については特に限定されないが、焼
結時間の短縮と割れ防止の観点から、10〜400℃/
時間とするのが好ましい。
Next, the thus obtained molded body is fired. The rate of temperature rise is not particularly limited, but from the viewpoint of shortening the sintering time and preventing cracking, it is 10 to 400 ° C. /
Preferably, it is time.

【0030】焼結温度は、1450℃以上1650℃未
満、好ましくは、1500〜1600℃とする。こうす
ることにより、高密度の焼結体を得ることが可能とな
る。
The sintering temperature is 1450 ° C. or more and less than 1650 ° C., preferably 1500 to 1600 ° C. By doing so, a high-density sintered body can be obtained.

【0031】焼結時間についても充分な密度上昇効果を
得るために5時間以上、好ましくは5〜30時間である
ことが望ましい。
It is desirable that the sintering time is 5 hours or more, preferably 5 to 30 hours, in order to obtain a sufficient density increasing effect.

【0032】焼結時の雰囲気は、酸素気流中とし、焼結
時に炉内に酸素を導入する際の酸素流量(L/min)
と成形体仕込量(kg)の比(仕込重量/酸素流量)
を、1.0以下とする。こうすることにより、高密度の
焼結体を得やすくなる。
The atmosphere during sintering is an oxygen gas flow, and the oxygen flow rate (L / min) when introducing oxygen into the furnace during sintering.
And the ratio of the charged amount (kg) of the compact (charged weight / oxygen flow rate)
Is set to 1.0 or less. This makes it easier to obtain a high-density sintered body.

【0033】焼結密度は高いほどノジュール低減効果が
得られるため、99.0%以上が好ましい。より好まし
くは99.5%以上で、特に好ましくは99.7%以上
である。
The higher the sintering density, the more nodule reduction effect can be obtained. It is more preferably at least 99.5%, particularly preferably at least 99.7%.

【0034】なお、本発明でいう相対密度(D)とは、
In23およびSnO2の真密度の相加平均から求めら
れる理論密度(d)に対する相対値を示している。相加
平均から求められる理論密度(d)とは、焼結体組成に
おいて、In23およびSnO2粉末の混合量(g)を
それぞれa、bとしたとき、In23およびSnO2
真密度7.18、6.95(g/cm3)を用いて、d
=(a+b)/((a/7.18)+(b/6.9
5))により求められる。そして、焼結体の測定密度を
d1とすると、その相対密度D(%)は式:D=(d1
/d)×100で求められる。
The relative density (D) referred to in the present invention is:
The relative values to the theoretical density (d) obtained from the arithmetic mean of the true densities of In 2 O 3 and SnO 2 are shown. The theoretical density determined from the arithmetic mean (d), in the sintered body composition, when In 2 O 3 and mixtures of SnO 2 powder (g) respectively were a, and b, In 2 O 3 and SnO 2 Using the true densities of 7.18 and 6.95 (g / cm 3 ), d
= (A + b) / ((a / 7.18) + (b / 6.9)
5)). Then, assuming that the measured density of the sintered body is d1, the relative density D (%) is represented by the formula: D = (d1
/ D) × 100.

【0035】次に、ITO焼結体のスパッタリング面
(エロージョン部、非エロージョン部共)に対してブラ
スト処理を行う。具体的な方法としては、例えば、ブラ
スト材を含む空気等の気体又は水等の液体を被処理面に
噴射することにより、ブラスト材を被処理面に高速で衝
突させることにより行う。
Next, blasting is performed on the sputtering surface (both erosion and non-erosion) of the ITO sintered body. As a specific method, for example, the method is performed by injecting a gas such as air containing blast material or a liquid such as water onto the surface to be processed, thereby causing the blast material to collide with the surface to be processed at high speed.

【0036】ブラスト材(ブラスト処理に用いられる粉
末)には、アルミナ、ガラス、ジルコニア、SiC等が
使用できるが、ジルコニアの個々の粒子を球状に形成し
た球状ジルコニア粉末は、ブラスト処理されるターゲッ
ト表面(被処理面)が汚染されにくく特に好ましい。
Alumina, glass, zirconia, SiC or the like can be used as the blast material (powder used for the blast treatment). Spherical zirconia powder in which individual particles of zirconia are formed into a spherical shape is used for the blasting target surface. It is particularly preferable that the (processed surface) is less likely to be contaminated.

【0037】ブラスト材の形状は、針状、粒状、球状等
が使用でき、その粒径は、10〜500μmが好まし
く、特に10〜200μmが好ましい。
The shape of the blast material can be needle-like, granular, spherical or the like, and the particle size is preferably from 10 to 500 μm, particularly preferably from 10 to 200 μm.

【0038】ブラスト材をターゲット表面に衝突させる
ために媒体として使用する空気等の流体に印加する圧力
(ブラスト圧力)は、1〜10kg/cm2程度が好ま
しく、特に2〜7kg/cm2が好ましく、更には3〜
5kg/cm2が好ましい。この圧力が高すぎると、タ
ーゲット表面への衝撃が強くなり、割れの原因となるば
かりか、大容量のコンプレッサーが必要となりコスト高
となることがある。
The pressure applied to the fluid such as air using a blast material as a medium in order to bombard the target surface (blasting pressure) is preferably about 1 to 10 kg / cm 2, in particular 2~7kg / cm 2 preferably , And 3 to
5 kg / cm 2 is preferred. If the pressure is too high, the impact on the target surface will be strong, causing not only cracks but also a large-capacity compressor, which may increase the cost.

【0039】ブラスト材を噴出するノズルとターゲット
表面の距離は、50〜300mm程度が好ましい。この
距離が近すぎる場合はブラスト処理が施される有効面積
が小さくなり効率的でない。反対に、この距離が大きす
ぎると圧力不足となりブラスト処理に長時間を要する。
The distance between the nozzle for jetting the blast material and the target surface is preferably about 50 to 300 mm. If this distance is too short, the effective area to be subjected to the blasting process becomes small, which is not efficient. On the other hand, if the distance is too large, the pressure becomes insufficient and the blasting process takes a long time.

【0040】ターゲット表面のブラスト処理時間は、ブ
ラスト圧力、ブラスト材の種類等にもよるが、0.05
〜1.0秒/cm2で処理することが好ましい。こうす
ることにより、ITO焼結体のスパッタリング面全体の
Raが1.0μm以上、Ryが8.0μm以上となる。
The blasting time of the target surface depends on the blast pressure, the type of the blasting material, and the like.
Preferably, the treatment is performed at about 1.0 second / cm 2 . By doing so, Ra on the entire sputtering surface of the ITO sintered body becomes 1.0 μm or more, and Ry becomes 8.0 μm or more.

【0041】次に、突出させたエロージョン部を平面研
削盤などを用いて加工し、表面粗さを低下させる。最初
に、#120程度の砥石を用いて一次研削した後、#4
00程度の砥石を用いて二次研削を行い、次いで#80
0程度の砥石を用いて研磨する。こうすることにより、
突出させたエロージョン部のRaを0.1μm以下とす
ることが可能となる。このままでも十分に本発明の効果
を得ることができるが、さらに番手の細かい砥石を用い
て加工するか、アルミナ製のスラリーを用いて加工する
等して、Ryを1.0μm以下とするとさらに好まし
い。
Next, the protruding erosion portion is processed using a surface grinder or the like to reduce the surface roughness. First, after primary grinding using a grindstone of about # 120,
Secondary grinding is performed using a grinding wheel of about 00, and then # 80
Polish with a grindstone of about 0. By doing this,
Ra of the protruding erosion portion can be set to 0.1 μm or less. Although the effect of the present invention can be sufficiently obtained as it is, it is more preferable that Ry is set to 1.0 μm or less by processing using a finer grindstone or processing using an alumina slurry. .

【0042】ターゲット形状をエロージョン部を突出さ
せた形状としたことにより、マグネットの細かな配置の
ずれや強さに影響されず、ノジュールの発生が抑制され
るとともに黄色粉末の付着力が強化されたITOターゲ
ット、即ちノジュール起因および黄色粉末起因のパーテ
ィクル双方の基板の付着を抑制できるITOターゲット
を工業的に製造することが可能となる。
By forming the target shape such that the erosion portion is protruded, the generation of nodules is suppressed and the adhesion of the yellow powder is strengthened without being affected by the small displacement and strength of the magnet. It is possible to industrially manufacture an ITO target, that is, an ITO target that can suppress the adhesion of both the nodule-based particles and the yellow powder-based particles to the substrate.

【0043】なお、本発明で言うRa、およびRyの定
義および測定方法は、JIS B0601−1994に
記載に従うものである、このようにして得られた、IT
O焼結体を無酸素銅等からなるバッキングプレート上に
インジウム半田等を用いて接合し容易にターゲット化す
ることができる。
The definition and measuring method of Ra and Ry according to the present invention are in accordance with JIS B0601-1994.
The O-sintered body can be easily bonded to a backing plate made of oxygen-free copper or the like by using indium solder or the like.

【0044】スパッタリングに際しては、スパッタリン
グガスとして、アルゴンなどの不活性ガスなどに必要に
応じて酸素ガスなどが加えられ、通常2〜10mTor
rにこれらのガス圧を制御しながら、行われる。スパッ
タリングのための電力印可方式としては、DC、RFあ
るいはこれらを組み合わせたものが使用可能である。
At the time of sputtering, an oxygen gas or the like is added as necessary to an inert gas such as argon as a sputtering gas, and usually 2 to 10 mTorr.
This is performed while controlling these gas pressures to r. As a power application method for sputtering, DC, RF, or a combination thereof can be used.

【0045】また、本発明によるスパッタリングターゲ
ットは、ITOに付加機能を持たせることを目的として
第3の元素を添加したターゲットにおいても有効であ
る。第3元素としては、例えば、Mg,Al,Si,T
i,Zn,Ga,Ge,Y,Zr,Nb,Hf,Ta等
を例示することができる。これら元素の添加量は、特に
限定されるものではないが、ITOの優れた電気光学的
特性を劣化させないため、(第3元素の酸化物の総和)
/(ITO+第3元素の酸化物の総和)/100で0%
を超え20%以下(重量比)とすることが好ましい。
The sputtering target according to the present invention is also effective for a target to which a third element is added for the purpose of imparting an additional function to ITO. As the third element, for example, Mg, Al, Si, T
i, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Hf, Ta and the like can be exemplified. The addition amount of these elements is not particularly limited. However, in order not to deteriorate the excellent electro-optical characteristics of ITO, (the total amount of oxides of the third element)
0% at // (ITO + sum of oxides of third elements) / 100
Over 20% (weight ratio).

【0046】[0046]

【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.

【0047】(実施例1)平均粒径1.3μmの酸化イ
ンジウム粉末900gと平均粒径0.7μmの酸化スズ
粉末100gをポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボ
ールミルにより72時間混合し、混合粉末を製造した。
前記混合粉末のタップ密度を測定したところ2.0g/
cm3であった。
Example 1 900 g of indium oxide powder having an average particle diameter of 1.3 μm and 100 g of tin oxide powder having an average particle diameter of 0.7 μm were put in a polyethylene pot and mixed for 72 hours by a dry ball mill. Manufactured.
When the tap density of the mixed powder was measured, it was 2.0 g /
cm 3 .

【0048】次に上記混合粉末に分散剤、バインダーお
よびイオン交換水を加えてボールミル混合し、鋳込用ス
ラリーを作製した。続いてこのスラリーに消泡剤を添加
し、真空中で脱法処理を実施した。
Next, a dispersant, a binder, and ion-exchanged water were added to the mixed powder and mixed by a ball mill to prepare a casting slurry. Subsequently, an antifoaming agent was added to the slurry, and a degassing treatment was performed in a vacuum.

【0049】これを図4に示す形状を形成することので
きる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行い、ITO成形体
を得た。この成形体を乾燥後3ton/cm2の圧力で
CIP処理を施した。この後、成形体中に存在する分散
剤およびバインダーを除去するために、前記成形体を大
気焼成炉内に設置し、以下の条件で脱ワックス処理を実
施した。 (脱ワックス条件)脱ワックス温度:450℃、昇温速
度:5℃/Hr、保持時間:無し 次に、脱ワックス後の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に
設置して、以下の条件で焼結した。 (焼結条件)焼結温度:1500℃、昇温速度:25℃
/Hr、焼結時間:10時間、雰囲気:昇温時800℃
から降温時400℃まで純酸素ガスを炉内に、(仕込重
量/酸素流量)=0.8で導入 得られた焼結体サイズは、101.6×177.8mm
でエロージョン部の厚さ8mm、非エロージョン部の厚
さ6mmであった。この焼結体の密度をJISR163
4−1998に基づきアルキメデス法により測定した。
結果を表1に示す。
This was poured into a mold capable of forming the shape shown in FIG. 4 and cast-molded to obtain an ITO molded body. After drying, the compact was subjected to a CIP treatment at a pressure of 3 ton / cm 2 . Thereafter, in order to remove the dispersant and the binder present in the molded body, the molded body was placed in an air firing furnace, and dewaxing was performed under the following conditions. (Dewaxing conditions) Dewaxing temperature: 450 ° C, heating rate: 5 ° C / Hr, holding time: none Next, the compact after dewaxing was placed in a pure oxygen atmosphere sintering furnace, and the following conditions were applied. Sintered. (Sintering conditions) Sintering temperature: 1500 ° C, heating rate: 25 ° C
/ Hr, sintering time: 10 hours, atmosphere: 800 ° C. at elevated temperature
To a temperature of 400 ° C. when the temperature was lowered, and pure oxygen gas was introduced into the furnace at (charge weight / oxygen flow rate) = 0.8. The size of the obtained sintered body was 101.6 × 177.8 mm.
The thickness of the erosion portion was 8 mm, and the thickness of the non-erosion portion was 6 mm. The density of this sintered body is determined according to JISR163
It was measured by the Archimedes method based on 4-1998.
Table 1 shows the results.

【0050】次にこの焼結体のスパッタ面となる面の表
面をブラスト処理した。ブラスト圧力は4kg/c
2、ノズルとターゲット表面の距離は150mm、ブ
ラスト材は粒径が25〜106μmの範囲(平均粒径5
3μm)の球状ジルコニアビーズを使用、ブラスト処理
時間は80秒であった。ブラスト処理後にターゲットの
スパッタリング面(ブラスト処理面)のRaとRyを測
定した。結果を表1に示す。
Next, the surface of the sintered body to be the sputter surface was blasted. Blast pressure is 4kg / c
m 2 , the distance between the nozzle and the target surface is 150 mm, and the blast material has a particle size in the range of 25 to 106 μm (average particle size 5
3 μm) spherical zirconia beads were used, and the blasting time was 80 seconds. After the blast treatment, Ra and Ry of the sputtering surface (blast treatment surface) of the target were measured. Table 1 shows the results.

【0051】次に、平面研削盤を用いて突出した部分の
表面加工を行った。最初に#120の砥石を用い、#4
00、#800と順次砥石の番手を増加させた。研削後
の突出部のRaおよびRyを測定した。結果を表1に示
す。
Next, the surface of the protruding portion was processed using a surface grinder. First use # 120 whetstone, # 4
00, # 800 and the number of whetstones were sequentially increased. Ra and Ry of the protrusion after grinding were measured. Table 1 shows the results.

【0052】次に、この焼結体を無酸素銅からなるバッ
キングプレート上にインジウム半田を用いて接合しIT
Oターゲットを得た。
Next, this sintered body was joined on a backing plate made of oxygen-free copper using indium solder, and
An O target was obtained.

【0053】このターゲットを以下のスパッタリング条
件で、ターゲットライフエンドに近い60時間スパッタ
リングした。 (スパッタリング条件)DC電力:300w、スパッタ
ガス:Ar+O2、ガス圧:5mTorr、O2/Ar:
0.1% この後、装置内にSiウエハーを投入して再度上記条件
でウエハー上に150nmのITO膜を形成した後、ウ
エハー上に付着した1μm以上のパーティクル数をレー
ザーパーティクルカウンターを用いて測定した。結果を
表1に示す。僅かなパーティクルが付着したにすぎなか
った。
This target was sputtered under the following sputtering conditions for 60 hours near the target life end. (Sputtering conditions) DC power: 300 W, sputtering gas: Ar + O 2 , gas pressure: 5 mTorr, O 2 / Ar:
0.1% Thereafter, a Si wafer is put into the apparatus, an ITO film of 150 nm is formed on the wafer again under the above conditions, and the number of particles of 1 μm or more adhered on the wafer is measured using a laser particle counter. did. Table 1 shows the results. Only a few particles adhered.

【0054】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、ノジュール発生量は少なく、黄色粉末はターゲット
表面に強固に付着していた。
Observation of the target surface after use revealed that the amount of nodules generated was small and the yellow powder was firmly adhered to the target surface.

【0055】(実施例2)実施例1と同様の方法でIT
O焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測定した結果
を表1に示す。この焼結体に対して実施例1と同じ方法
でブラスト処理を行った。処理面のRaおよびRyを表
1に示す。次に、突出したエロージョン部に対して実施
例1と同じ方法で表面研削を行った後、さらに#120
0の砥石を用いて研削を行った。研削後のRaおよびR
yを表1に示す。
(Embodiment 2) In the same manner as in Embodiment 1, the IT
An O-sinter was obtained. Table 1 shows the result of measuring the density of the obtained sintered body. A blast treatment was performed on this sintered body in the same manner as in Example 1. Table 1 shows Ra and Ry of the treated surface. Next, the protruding erosion portion was subjected to surface grinding in the same manner as in Example 1, and then # 120
Grinding was performed using a whetstone of 0. Ra and R after grinding
Table 1 shows y.

【0056】次に実施例1と同じ方法でターゲット化し
た後、実施例1と同じスパッタリングを実施した。結果
を表1に示す。僅かなパーティクルが付着したにすぎな
かった。
Next, after the target was formed in the same manner as in Example 1, the same sputtering as in Example 1 was performed. Table 1 shows the results. Only a few particles adhered.

【0057】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、ノジュール発生量は少なく、黄色粉末はターゲット
表面に強固に付着していた。
Observation of the target surface after use revealed that the amount of nodules generated was small and the yellow powder was firmly adhered to the target surface.

【0058】(比較例1)実施例1と同じ方法で鋳込み
用スラリーを作製し、平行平板型の成形体を形成するこ
とができる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行いITO成
形体を得た。この後、実施例1と同じ方法で乾燥、CI
P、脱ワックス、焼結を行い、101.6×177.8
mmで厚さ8mm焼結体を得た。得られた焼結体の密度
を測定結果を表1に示す。
(Comparative Example 1) A casting slurry was prepared in the same manner as in Example 1, and poured into a mold capable of forming a parallel plate-shaped molded body, and subjected to cast molding to obtain an ITO molded body. Thereafter, drying was performed in the same manner as in Example 1, and CI
P, dewaxing and sintering, 101.6 × 177.8
A sintered body having a thickness of 8 mm and a thickness of 8 mm was obtained. Table 1 shows the measurement results of the density of the obtained sintered body.

【0059】この焼結体に対して実施例1と同じ方法で
スパッタリング面のブラスト処理を行った。処理面のR
aおよびRyを表1に示す。
The sintered body was subjected to blasting of the sputtering surface in the same manner as in Example 1. R of processing surface
Table 1 shows a and Ry.

【0060】次に実施例1と同じ方法でターゲット化し
た後、実施例1と同じスパッタリングを実施した。結果
を表1に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
Next, after the target was formed in the same manner as in Example 1, the same sputtering as in Example 1 was performed. Table 1 shows the results. Many particles adhered to the substrate.

【0061】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、黄色粉末はターゲット表面に強固に付着していたも
のの、多量のノジュールが発生していた。
Observation of the target surface after use showed that a large amount of nodules was generated although the yellow powder was firmly attached to the target surface.

【0062】(比較例2)実施例1と同じ方法で鋳込み
用スラリーを作製し、平行平板型の成形体を形成するこ
とができる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行いITO成
形体を得た。この後、実施例1と同じ方法で乾燥、CI
P、脱ワックス、焼結を行い、101.6×177.8
で厚さ8mm焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測
定結果を表1に示す。
(Comparative Example 2) A casting slurry was prepared in the same manner as in Example 1, and poured into a mold capable of forming a parallel plate type molded body, and subjected to cast molding to obtain an ITO molded body. Thereafter, drying was performed in the same manner as in Example 1, and CI
P, dewaxing and sintering, 101.6 × 177.8
To obtain a sintered body having a thickness of 8 mm. Table 1 shows the measurement results of the density of the obtained sintered body.

【0063】この焼結体に対して平面研削盤を用いてス
パッタリング面の表面加工を行った。最初に#120の
砥石を用い、#400、#800と順次砥石の番手を増
加させた。研削後の突出部のRaおよびRyの測定結果
を表1に示す。
The sintered body was subjected to surface processing on a sputtering surface using a surface grinder. First, using # 120 whetstone, the number of whetstones was sequentially increased to # 400, # 800. Table 1 shows the measurement results of Ra and Ry of the protrusion after grinding.

【0064】次に実施例1と同じ方法でターゲット化し
た後、実施例1と同じスパッタリングを実施した。結果
を表1に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
Next, after the target was formed in the same manner as in Example 1, the same sputtering as in Example 1 was performed. Table 1 shows the results. Many particles adhered to the substrate.

【0065】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、ノジュール発生量は少なかったものの、黄色粉末の
一部がターゲット表面から剥離していた。
Observation of the target surface after use revealed that although nodule generation was small, a part of the yellow powder was peeled off from the target surface.

【0066】(比較例3)実施例1と同じ方法で鋳込み
用スラリーを作製し、平行平板型の成形体を形成するこ
とができる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行いITO成
形体を得た。この後、実施例1と同じ方法で乾燥、CI
P、脱ワックス、焼結を行い、101.6×177.8
で厚さ8mm焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測
定結果を表1に示す。
(Comparative Example 3) A casting slurry was prepared in the same manner as in Example 1, and poured into a mold capable of forming a parallel plate-shaped molded body, and subjected to cast molding to obtain an ITO molded body. Thereafter, drying was performed in the same manner as in Example 1, and CI
P, dewaxing and sintering, 101.6 × 177.8
To obtain a sintered body having a thickness of 8 mm. Table 1 shows the measurement results of the density of the obtained sintered body.

【0067】この焼結体に対して、平面研削盤を用いて
スパッタリング面の表面加工を行った。最初に#120
の砥石を用い、#400、#800と順次砥石の番手を
増加させた。研削後の突出部のRaおよびRyの測定結
果を表1に示す。
The sintered body was subjected to surface processing on the sputtering surface using a surface grinder. First # 120
, The number of the grinding stones was sequentially increased in the order of # 400 and # 800. Table 1 shows the measurement results of Ra and Ry of the protrusion after grinding.

【0068】次に、比較例2で用いたスパッタリングを
終了したターゲットを元にエロージョン領域を判別し、
該エロージョン領域に相当する部分に対して比較例3で
制作中の焼結体にマスキング処理を施した。このマスキ
ング処理された焼結体に対して実施例1と同じ方法で、
スパッタリング面のブラスト処理を行った。マスキング
処理されていなかった面のRaおよびRyを表1に示
す。
Next, the erosion area was determined based on the target after the sputtering used in Comparative Example 2,
The portion corresponding to the erosion region was subjected to a masking process on the sintered body being manufactured in Comparative Example 3. In the same manner as in Example 1 for the masked sintered body,
A blast treatment was performed on the sputtering surface. Table 1 shows Ra and Ry of the surface not subjected to the masking treatment.

【0069】次に実施例1と同じ方法でターゲット化し
た後、実施例1と同じスパッタリングを実施した。結果
を表1に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
Next, after the target was formed in the same manner as in Example 1, the same sputtering as in Example 1 was performed. Table 1 shows the results. Many particles adhered to the substrate.

【0070】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、概ねノジュール発生量は少なく、黄色粉末はターゲ
ット表面に付着していた。しかし一部、エロージョン領
域にブラスト領域が施されてしまい、この部分で大量の
ノジュールが発生していた。また、ブラスト処理されて
いない非エロージョン領域が形成されており、この部分
では黄色粉末の剥離が観察された。
Observation of the target surface after use showed that the generation of nodules was generally small, and that the yellow powder had adhered to the target surface. However, a part of the erosion area was blasted, and a large amount of nodules was generated in this area. In addition, a non-erosion region not subjected to blasting was formed, and peeling of the yellow powder was observed in this portion.

【0071】(比較例4)実施例1と同様の方法でIT
O焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測定結果を表
1に示す。この焼結体に対して実施例1と同じ方法でブ
ラスト処理を行った。処理後のRaおよびRyを表1に
示す。
(Comparative Example 4) IT was performed in the same manner as in Example 1.
An O-sinter was obtained. Table 1 shows the measurement results of the density of the obtained sintered body. A blast treatment was performed on this sintered body in the same manner as in Example 1. Table 1 shows Ra and Ry after the treatment.

【0072】次に実施例1と同じ方法でターゲット化し
た後、実施例1と同じスパッタリングを実施した。結果
を表1に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
Next, after the target was formed in the same manner as in Example 1, the same sputtering as in Example 1 was performed. Table 1 shows the results. Many particles adhered to the substrate.

【0073】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、黄色粉末はターゲット表面に強固に付着していたも
のの、多量のノジュールが発生していた。
Observation of the target surface after use revealed that a large amount of nodules was generated although the yellow powder was firmly attached to the target surface.

【0074】[0074]

【表1】 [Table 1]

【発明の効果】本発明により、ノジュール起因および黄
色粉末起因双方のパーティクルを抑制できるITOスパ
ッタリングターゲットを工業的に生産することが可能と
なる。
According to the present invention, it is possible to industrially produce an ITO sputtering target capable of suppressing both nodule-based particles and yellow powder-based particles.

【0075】[0075]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明のITOスパッタリングターゲットの
外観を示す図である。
FIG. 1 is a view showing the appearance of an ITO sputtering target of the present invention.

【図2】 本発明のITOスパッタリングターゲットの
断面形状の一例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a cross-sectional shape of an ITO sputtering target of the present invention.

【図3】 本発明のITOスパッタリングターゲットの
断面形状の一例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a cross-sectional shape of an ITO sputtering target of the present invention.

【図4】 本発明のITOスパッタリングターゲットの
断面形状の一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a cross-sectional shape of an ITO sputtering target of the present invention.

【図5】 本発明のITOスパッタリングターゲットの
断面形状の一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a cross-sectional shape of an ITO sputtering target of the present invention.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなるITOスパッタリングターゲットにおいて、非エ
ロージョン部の厚さをエロージョン部の厚さよりも薄く
してエロージョン部を突出させるとともに前記エロージ
ョン部を含む平面と前記非エロージョン部を含む平面と
を鈍角な斜面で結んだ形状とし、前記突出させたエロー
ジョン部の表面粗さ(Ra)を0.1μm以下、非エロ
ージョン部およびエロージョン部と非エロージョン部を
結んだ斜面の表面粗さ(Ra)を1.0μm以上とした
ことを特徴とするITOスパッタリングターゲット。
1. An ITO sputtering target substantially consisting of indium, tin and oxygen, wherein a thickness of a non-erosion portion is made smaller than a thickness of an erosion portion so that the erosion portion protrudes, and a flat surface including the erosion portion is formed. The surface including the non-erosion portion is connected by an obtuse slope, the protruding erosion portion has a surface roughness (Ra) of 0.1 μm or less, the non-erosion portion and the slope connecting the erosion portion and the non-erosion portion. An ITO sputtering target, characterized by having a surface roughness (Ra) of 1.0 μm or more.
【請求項2】 ITO焼結体の相対密度が、99%以上
であることを特徴とする請求項1に記載のITOスパッ
タリングターゲット。
2. The ITO sputtering target according to claim 1, wherein the relative density of the ITO sintered body is 99% or more.
【請求項3】 突出させたエロージョン部の最大高さ
(Ry)が1.0μm以下であることを特徴とする請求
項1また請求項2に記載のITOスパッタリングターゲ
ット。
3. The ITO sputtering target according to claim 1, wherein a maximum height (Ry) of the protruding erosion portion is 1.0 μm or less.
【請求項4】 非エロージョン部とエロージョン部と非
エロージョン部を結ぶ斜面の最大高さ(Ry)が、8.
0μm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいず
れか1項に記載のITOスパッタリングターゲット。
4. The maximum height (Ry) of the slope connecting the non-erosion part, the erosion part and the non-erosion part is 8.
The ITO sputtering target according to claim 1, wherein the thickness is 0 μm or more.
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