JP2002299978A - Structure of piezoelectric wafer, piezoelectric vibrating element and method of manufacturing piezoelectric device - Google Patents

Structure of piezoelectric wafer, piezoelectric vibrating element and method of manufacturing piezoelectric device

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JP2002299978A
JP2002299978A JP2001102300A JP2001102300A JP2002299978A JP 2002299978 A JP2002299978 A JP 2002299978A JP 2001102300 A JP2001102300 A JP 2001102300A JP 2001102300 A JP2001102300 A JP 2001102300A JP 2002299978 A JP2002299978 A JP 2002299978A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that the smaller piezoelectric vibrating elements are when the piezoelectric vibrating elements are subjected to batch processing production by cutting out the piezoelectric vibrating elements from a piezoelectric wafer of a large area, the more complicated the cutting out work from a wafer and picking up work after cutting out are. SOLUTION: In the structure of the piezoelectric wafer 11 provided with a configuration in which a plurality of piezoelectric vibrating elements 12 are connected, the piezoelectric wafer is provided with contour slits 20 subjected to penetration formation along the outer circumferential contour of each piece of the piezoelectric vibrating element, non-slit parts 21 respectively formed on two facing sides of the contour slits, and branch slits 22 respectively extending outward from a right place of one of two contour slit end parts facing each other across each no-slit part, and the two branch slits have positional relation of point symmetry to each other.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電振動素子をバ
ッチ処理により製造する際に使用する圧電ウェハの構
造、圧電振動素子及び圧電デバイスの製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a piezoelectric wafer used for manufacturing a piezoelectric vibrating element by batch processing, a piezoelectric vibrating element, and a method of manufacturing a piezoelectric device.

【0002】[0002]

【従来の技術】水晶によって代表される圧電基板上に励
振電極等を形成した構造の圧電振動素子は、圧電振動
子、圧電発振器等の各種圧電デバイスに適用されてお
り、この圧電デバイスは、各種電子機器、とりわけ通信
機器においては不可欠の主要パーツとして使用されてい
る。各種電子機器の小型化に伴い、圧電デバイスについ
ても小型化が求められている。圧電振動素子の個片サイ
ズとして、例えば1.2mm程度の超小型サイズも実
用化されている。このような超小型サイズの圧電振動素
子を製造する方法としては、例えば図13に示すよう
に、大面積の水晶ウェハ1上に複数の水晶振動素子2を
フォトリソグラフィ技術等を用いて形成した後で、ダイ
シングソー等を用いて水晶振動素子の個片2aに切り分
ける方法が一般的である。その後、各個片2aを図示し
ないバキュームノズルにより一つずつ吸着した上で図示
しないパッケージ内に移載し、パッケージとの間に配線
を施した上で、圧電デバイスとしての特性(共振周波
数、温度特性等)を測定する。各個片の特性を測定した
結果、所定の特性を満たさない場合には、所定の特性と
なるように微調整を施した上で、パッケージを封止す
る、という手順がとられていた。しかし、微小サイズの
水晶振動素子の個片2aを一個ずつバキュームノズルに
よってピックアップしてパッケージ内に搭載する工程は
極めて煩雑であり、特に素子が超小型化すると、煩雑さ
が更に増大して生産性が低下し、コスト高となる。
2. Description of the Related Art Piezoelectric vibrating elements having a structure in which excitation electrodes and the like are formed on a piezoelectric substrate represented by quartz have been applied to various piezoelectric devices such as a piezoelectric vibrator and a piezoelectric oscillator. It is used as an indispensable main part in electronic equipment, especially communication equipment. With the miniaturization of various electronic devices, miniaturization of piezoelectric devices is also required. Ultra-small size, for example, about 1.2 mm square, has also been put to practical use as an individual piece size of the piezoelectric vibration element. As a method of manufacturing such an ultra-small size piezoelectric vibrating element, for example, as shown in FIG. 13, after forming a plurality of crystal vibrating elements 2 on a large-area quartz crystal wafer 1 using a photolithography technique or the like, In general, a method of using a dicing saw or the like to cut the individual pieces 2a of the crystal resonator element is used. Thereafter, the individual pieces 2a are sucked one by one by a vacuum nozzle (not shown), transferred to a package (not shown), and wired with the package, and then subjected to characteristics as a piezoelectric device (resonance frequency, temperature characteristics). Etc.). As a result of measuring the characteristics of each piece, if the predetermined characteristics are not satisfied, a procedure has been taken in which the package is sealed after fine adjustment is performed so as to obtain the predetermined characteristics. However, the process of picking up the individual pieces 2a of the micro-sized quartz-crystal vibrating elements one by one with a vacuum nozzle and mounting the pieces in a package is extremely complicated. And cost increases.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記に鑑みて
なされたものであり、圧電振動素子を大面積の圧電ウェ
ハから切り出すことによりバッチ処理生産する際に、圧
電振動素子が小型化すればするほど、ウェハからの切り
出し作業と、切り出し後のピックアップ作業が煩雑化す
るという不具合を解決することを可能にした圧電ウェハ
の構造、圧電振動素子及び圧電デバイスの製造方法を提
供することを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above, and it is desirable to reduce the size of the piezoelectric vibrating element in batch processing by cutting the piezoelectric vibrating element from a large-area piezoelectric wafer. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a piezoelectric wafer, a piezoelectric vibration element, and a piezoelectric device, which can solve a problem that a cutting operation from a wafer and a pickup operation after the cutting are complicated. I do.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の課題を解決する
ために、請求項1は、複数の圧電振動素子を連結した構
成を備えた圧電ウェハの構造において、前記圧電ウェハ
は、前記圧電振動素子の個片の外周輪郭に沿って貫通形
成した周回スリットと、該周回スリットの対向し合う2
つの辺上に夫々形成した非スリット部と、一方の非スリ
ット部を挟んで対向する2つの周回スリット端部の一方
の適所から外側へ向けて延設した分岐スリットと、他方
の非スリット部を挟んで対向する2つの周回スリット端
部の一方の適所から外側へ向けて延設した分岐スリット
と、を備え、前記2つの分岐スリットは、互いに点対称
の位置関係をなしていることを特徴とする。請求項2
は、圧電振動素子の個片の外周輪郭に沿って形成した周
回スリットと、該周回スリットの対向し合う2つの辺上
に夫々形成した非スリット部と、一方の非スリット部を
挟んで対向する2つの周回スリット端部の一方の適所か
ら外側へ向けて延設した分岐スリットと、他方の非スリ
ット部を挟んで対向する2つの周回スリット端部の一方
の適所から外側へ向けて延設した分岐スリットと、を備
え、前記2つの分岐スリットは、互いに点対称の位置関
係をなしている圧電ウェハであって、圧電ウェハから各
圧電振動素子を分離する際に、前記各非スリット部に反
対方向へのねじれ剪断力が発生して断裂するように構成
したことを特徴とする。請求項3は、前記圧電ウェハ上
において隣接し合う2つの圧電振動素子の周回スリット
を一部共用させたことを特徴とする。請求項4は、前記
圧電ウェハ上において隣接し合う複数の圧電振動素子間
に厚肉部を介在させたことを特徴とする。請求項5は、
各一本の前記分岐スリットと前記周回スリットの一部分
との間に前記非スリット部と連接する連接片を形成し、
前記圧電振動素子を圧電ウェハから分離する際に該非ス
リット部に反対方向へのねじれ剪断力が発生するように
構成したことを特徴とする。請求項6の発明は、前記分
岐スリットを2本ずつ形成することにより、前記非スリ
ット部と連接する連接片を形成したことを特徴とする。
請求項7の発明は、前記非スリット部を挟んで対向配置
された2つの周回スリット端部は、圧電振動素子の内側
へ向けて屈曲していることを特徴とする。請求項8の発
明は、複数の圧電振動素子を連結した構成を備えた圧電
ウェハから各圧電振動素子を分離する圧電振動素子の製
造方法であって、前記圧電ウェハは、前記各圧電振動素
子の個片の外周輪郭に沿って形成した周回スリットと、
該周回スリットの対向し合う2つの辺上に夫々対称位置
関係で形成した非スリット部と、一方の非スリット部を
挟んで対向する2つの周回スリット端部の一方の適所か
ら外側へ向けて延設した分岐スリットと、他方の非スリ
ット部を挟んで対向する2つの周回スリット端部の一方
の適所から外側へ向けて延設した分岐スリットと、を備
え、前記2つの分岐スリットは、互いに点対称の位置関
係をなしており、前記圧電ウェハの平板部上に導体膜
と、各導体膜を包囲する前記周回スリット、非スリット
部及び分岐スリットを形成する工程と、前記圧電ウェハ
を固定した状態で個々の圧電振動素子個片を吸着して圧
電ウェハ面と直交する方向へリフトすることにより前記
周回スリットに沿って圧電振動素子個片を分離する工程
と、を備えていることを特徴とする。請求項9の発明
は、複数の圧電振動素子を連結した構成を備えた圧電ウ
ェハから分離した圧電振動素子をパッケージ内に収容し
た圧電デバイスの製造方法であって、前記圧電ウェハ
は、前記各圧電振動素子の個片の外周輪郭に沿って形成
した周回スリットと、該周回スリットの対向し合う2つ
の辺上に夫々対称位置関係で形成した非スリット部と、
一方の非スリット部を挟んで対向する2つの周回スリッ
ト端部の一方の適所から外側へ向けて延設した分岐スリ
ットと、他方の非スリット部を挟んで対向する2つの周
回スリット端部の一方の適所から外側へ向けて延設した
分岐スリットと、を備え、前記2つの分岐スリットは、
互いに点対称の位置関係をなしており、前記圧電ウェハ
の平板部上に導体膜と、各導体膜を包囲する前記周回ス
リット、非スリット部及び分岐スリットを形成する工程
と、前記圧電ウェハを固定した状態で個々の圧電振動素
子個片を吸着して圧電ウェハ面と直交する方向へリフト
することにより前記周回スリットに沿って圧電振動素子
個片を分離する工程と、該分離した圧電振動素子個片を
パッケージ内に搭載する工程と、を備えていることを特
徴とする。請求項10の発明は、圧電基板と、該圧電基
板面に形成した励振用電極と、を備えた圧電振動素子で
あって、前記圧電基板周縁の対向し合う2つの位置に夫
々断裂部を備え、該各断裂部を除いた圧電基板の外周縁
はエッチング加工縁であることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric wafer having a structure in which a plurality of piezoelectric vibrating elements are connected to each other. A peripheral slit formed along the outer peripheral contour of the element piece;
A non-slit portion formed on each of the two sides, a branch slit extending outward from a suitable place in one of two peripheral slit ends facing one non-slit portion, and the other non-slit portion. And a branch slit extending outward from one of the two ends of the two circumferential slits opposed to each other, and the two branch slits have a point-symmetric positional relationship with each other. I do. Claim 2
Faces a peripheral slit formed along the outer peripheral contour of the individual piece of the piezoelectric vibrating element, a non-slit portion formed on two opposing sides of the peripheral slit, and one non-slit portion therebetween. A branch slit extending outward from one appropriate location of one of the two circular slit ends, and a branch slit extending outward from one appropriate location of the two peripheral slit ends facing each other across the other non-slit portion. And a branch slit, wherein the two branch slits are piezoelectric wafers having a point-symmetric positional relationship with each other, and when separating each piezoelectric vibration element from the piezoelectric wafer, the two slits are opposed to the non-slit portions. It is characterized in that a torsional shearing force in the direction is generated to cause a tear. According to a third aspect of the present invention, the peripheral slits of two adjacent piezoelectric vibrating elements on the piezoelectric wafer are partially shared. A fourth aspect of the present invention is characterized in that a thick portion is interposed between a plurality of adjacent piezoelectric vibration elements on the piezoelectric wafer. Claim 5
Forming a connecting piece connected to the non-slit portion between each one of the branch slits and a part of the orbital slit,
When the piezoelectric vibration element is separated from the piezoelectric wafer, the non-slit portion is configured to generate a torsional shearing force in an opposite direction. The invention according to claim 6 is characterized in that a connecting piece connected to the non-slit portion is formed by forming the branch slits two by two.
The invention according to claim 7 is characterized in that two orbiting slit ends, which are opposed to each other with the non-slit portion interposed therebetween, are bent inward of the piezoelectric vibration element. The invention according to claim 8 is a method for manufacturing a piezoelectric vibration element for separating each piezoelectric vibration element from a piezoelectric wafer having a configuration in which a plurality of piezoelectric vibration elements are connected, wherein the piezoelectric wafer includes a plurality of piezoelectric vibration elements. A circular slit formed along the outer peripheral contour of the piece,
A non-slit portion formed on each of two opposing sides of the orbiting slit in a symmetrical positional relationship, and one of two opposing orbiting slit ends opposed to each other with one non-slit portion extending outward from an appropriate position. Provided, and a branch slit extending outward from one appropriate position of one of two circumferential slit ends opposed to each other with the other non-slit portion interposed therebetween, and the two branch slits are point-to-point with each other. Forming a conductive film on the flat plate portion of the piezoelectric wafer and forming the orbital slit, the non-slit portion and the branch slit surrounding the conductive film, and a state in which the piezoelectric wafer is fixed. Separating the piezoelectric vibrating element pieces along the orbital slit by adsorbing the individual piezoelectric vibrating element pieces and lifting them in a direction perpendicular to the piezoelectric wafer surface. The features. The invention according to claim 9 is a method of manufacturing a piezoelectric device in which a piezoelectric vibration element separated from a piezoelectric wafer having a configuration in which a plurality of piezoelectric vibration elements are connected is housed in a package, wherein the piezoelectric wafer includes A circumferential slit formed along the outer peripheral contour of each of the vibrating elements, and a non-slit portion formed in a symmetrical positional relationship on two opposing sides of the circumferential slit,
One of two branch slit ends extending outward from one appropriate place of two orbiting slit ends opposed to each other with one non-slit portion interposed therebetween, and one of two orbital slit ends opposed to each other with the other non-slit portion interposed therebetween And a branch slit extending outward from an appropriate position of the two, the two branch slits,
Forming a conductor film on the flat plate portion of the piezoelectric wafer and forming the orbiting slits, non-slit portions and branch slits surrounding each conductor film, and fixing the piezoelectric wafer. Separating the piezoelectric vibrating element pieces along the orbital slits by adsorbing the individual piezoelectric vibrating element pieces and lifting the piezoelectric vibrating element pieces in a direction orthogonal to the surface of the piezoelectric wafer in a state where the piezoelectric vibrating element pieces are separated. Mounting the piece in a package. A tenth aspect of the present invention is a piezoelectric vibrating element including a piezoelectric substrate and an excitation electrode formed on the surface of the piezoelectric substrate, wherein the piezoelectric vibrating element includes tearing portions at two opposing positions on the periphery of the piezoelectric substrate. The outer peripheral edge of the piezoelectric substrate excluding the fractured portions is an etched edge.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施
の形態により詳細に説明する。図1(a)(b)及び
(c)は本発明の一実施形態に係る圧電ウェハの要部平
面図、及び製造された圧電振動素子の構成図であり、水
晶等の圧電材料から成る薄板である圧電ウェハ11は、
その面積内に複数の圧電振動素子12をバッチ処理によ
って形成した後で、個片に分割することによって、圧電
振動素子12を量産することができる。本発明の圧電ウ
ェハ11の特徴的な構成は、個々の圧電振動素子12を
構成する励振電極15、リード電極16等の導体膜を形
成する際に、これらの導体膜を包囲するように各圧電振
動素子12の外周輪郭線に沿って周回スリット20,非
スリット部21を形成し、更に周回スリット20の適所
から分岐スリット22を、夫々圧電ウェハ11上に形成
した点にある。即ち、図2に示すようにバキュームノズ
ル50によって圧電ウェハの一部を構成する圧電振動素
子12の中心部を吸着して上方にリフトした時に、非ス
リット部21が対向配置された分岐スリット22の作用
によって容易に直線状に切断されて、非スリット部21
を介して対向配置されている周回スリット20の2つの
端部20a同志が連通し、その結果周回スリット20の
形状に沿って圧電振動素子12が圧電ウェハ11から離
脱するように構成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings. 1 (a), 1 (b) and 1 (c) are a plan view of a main part of a piezoelectric wafer according to an embodiment of the present invention and a configuration diagram of a manufactured piezoelectric vibration element, and a thin plate made of a piezoelectric material such as quartz. The piezoelectric wafer 11 is
After a plurality of piezoelectric vibration elements 12 are formed within the area by batch processing, the piezoelectric vibration elements 12 can be mass-produced by dividing into individual pieces. The characteristic configuration of the piezoelectric wafer 11 of the present invention is such that when forming conductive films such as the excitation electrode 15 and the lead electrode 16 which constitute the individual piezoelectric vibrating elements 12, each piezoelectric film is surrounded so as to surround these conductive films. The point is that the orbiting slit 20 and the non-slit portion 21 are formed along the outer peripheral contour line of the vibration element 12, and the branch slit 22 is formed on the piezoelectric wafer 11 from an appropriate position of the orbiting slit 20. That is, as shown in FIG. 2, when the vacuum nozzle 50 sucks the central portion of the piezoelectric vibrating element 12 constituting a part of the piezoelectric wafer and lifts it upward, the non-slit portion 21 has the branch slit 22 opposed thereto. It is easily cut into a straight line by the action,
The two ends 20 a of the orbiting slit 20 opposed to each other are communicated with each other, and as a result, the piezoelectric vibration element 12 is separated from the piezoelectric wafer 11 along the shape of the orbiting slit 20.

【0006】即ち、本実施形態の圧電ウェハ11は、バ
ッチ処理によって量産することを可能ならしめるため
に、図1(a)のように加工される。即ち、この圧電ウ
ェハ11は、圧電振動素子12の個片の外周輪郭線に沿
って一部非連続的に形成した周回スリット20と、該周
回スリット20の対向し合う2つの辺上に対称位置関係
で形成した非スリット部21と、2つの非スリット部2
1を挟んで夫々対向する2つの周回スリット端部20a
のうちの一方の端部20aに近い適所20a‘から外側
へ向けて夫々延設した分岐スリット22と、を備える。
この例では、各分岐スリット22は、圧電振動素子12
の中心点に対して点対称の位置関係をなしている。各分
岐スリット22と、近接する周回スリット20との間に
は、細幅の連接片23が形成されている。非スリット部
22と連設した連接片23は、周回スリット20によっ
て包囲された圧電振動素子12が圧電ウェハ11から脱
落することを阻止している。一方、周回スリット20の
対向し合う2つの辺上に点対象の位置関係で連接片23
を形成することによって、後述するように圧電振動素子
12を圧電ウェハからリフトする際に、非スリット部2
2内に、対向する両端部20a間を連結する直線的な切
れ目(断裂線)が形成され易くなる。なお、本実施形態
の圧電ウェハ11の構成を言い換えれば、圧電振動素子
12の外周輪郭線に沿って形成する周回スリット20
を、2つに分割された周回スリット部分20A、20B
から構成し、各周回スリット部分20A、20Bは所要
角度内側に屈曲した端部20aを有する。各周回スリッ
ト部分20A、20Bに設けた各端部20aは、非スリ
ット部22を介して対向している。各周回スリット部分
20A、20Bの4つの端部20aのうち、はす向かい
の位置関係にある2つの端部20aの適所(手前側位置
=屈曲部)20a‘からは、夫々外側へ向けて略く字型
の分岐スリット22が所要角度で引き出されている。各
分岐スリット22は、近接する周回スリット20との間
で細幅の連接片23を形成しており、連接片23は非ス
リット部21との連接部において幅が最小となってい
る。つまり、各周回スリット部分20A、20Bの各端
部20aは、内側へ向かって所要角度で屈曲した構成と
なっているため、隣接し合う2つの端部20aは、その
内側端部において最も近接した位置関係にある。なお、
対向配置された2つの分岐スリット22は、点対称な形
状、位置関係にあることが好ましいが、寸分たりとも相
違のない同一形状であることが必要なわけではなく、多
少の形状の違いは問題ない。要するに、分岐スリット2
2が存在しない場合には、圧電振動素子を吸着してリフ
トする際に、非スリット部21が理想通りに切断され
ず、周回スリット20の対向する2つの端部20aが励
振電極15等を横断、或いは縦断して延長された状態で
切断線が形成されて不良品となる不具合が発生する。こ
れに対して分岐スリット22を設けた場合には、圧電振
動素子12を吸着してリフトしたときに、非スリット部
23を挟んで対向配置された2つの端部20a間に理想
的な切断線が形成され易くなるのである。
That is, the piezoelectric wafer 11 of this embodiment is processed as shown in FIG. 1A in order to enable mass production by batch processing. In other words, the piezoelectric wafer 11 has a circumferential slit 20 formed partially discontinuously along the outer peripheral contour line of the individual piece of the piezoelectric vibrating element 12 and symmetrical positions on two opposing sides of the circumferential slit 20. A non-slit portion 21 formed in a relationship and two non-slit portions 2
Two circumferential slit ends 20a that face each other across 1
And branch slits 22 each extending outward from a suitable place 20a ′ near one end 20a of the two.
In this example, each branch slit 22 is connected to the piezoelectric vibrating element 12.
Has a point-symmetric positional relationship with respect to the center point of. A narrow connecting piece 23 is formed between each branch slit 22 and the adjacent circumferential slit 20. The connecting piece 23 connected to the non-slit portion 22 prevents the piezoelectric vibrating element 12 surrounded by the orbiting slit 20 from dropping off the piezoelectric wafer 11. On the other hand, the connecting piece 23 is placed on two opposing sides of the orbiting slit 20 in a point-symmetrical positional relationship.
When the piezoelectric vibration element 12 is lifted from the piezoelectric wafer as described later, the non-slit portion 2 is formed.
In 2, it is easy to form a linear cut (a tear line) connecting the opposing ends 20 a. In other words, in other words, the configuration of the piezoelectric wafer 11 of the present embodiment is different from the configuration of the orbiting slit 20 formed along the outer peripheral contour of the piezoelectric vibrating element 12.
Is divided into two orbiting slit portions 20A and 20B
, And each of the orbiting slit portions 20A and 20B has an end portion 20a bent inward by a required angle. Each end portion 20a provided in each of the orbiting slit portions 20A and 20B faces each other via the non-slit portion 22. Out of the four ends 20a of the orbiting slit portions 20A and 20B, the two ends 20a in a positional relationship opposite to each other are substantially outwardly directed from appropriate places (front side positions = bent parts) 20a '. A U-shaped branch slit 22 is drawn out at a required angle. Each of the branch slits 22 forms a narrow connecting piece 23 with the adjacent orbiting slit 20, and the connecting piece 23 has a minimum width at a connecting portion with the non-slit portion 21. That is, since each end 20a of each orbital slit portion 20A, 20B is bent inward at a required angle, two adjacent ends 20a are closest to each other at the inner end. In a positional relationship. In addition,
It is preferable that the two branch slits 22 arranged opposite to each other have a point-symmetrical shape and a positional relationship. However, it is not necessary that the two branch slits 22 have the same shape with no difference even if they are slightly different. Absent. In short, branch slit 2
When the piezoelectric element 2 does not exist, the non-slit portion 21 is not cut as desired when the piezoelectric vibrating element is sucked and lifted, and the two opposite ends 20a of the orbiting slit 20 cross the excitation electrode 15 and the like. Alternatively, there is a problem that a cutting line is formed in a state of being longitudinally extended and a defective product is formed. On the other hand, when the branch slit 22 is provided, when the piezoelectric vibrating element 12 is sucked and lifted, an ideal cutting line is provided between the two end portions 20a opposed to each other with the non-slit portion 23 interposed therebetween. Is easily formed.

【0007】図1(b)に示すように分離された圧電振
動素子12は、圧電基板12A上に励振電極15,リー
ド電極16を形成した構成を備えている。この圧電振動
素子12の特徴的な構成は、2つの対向する辺の適所、
この例では各辺の中心位置に夫々設けた断裂部12B
(非スリット部21に相当)だけを切断(断裂)により
形成し、他の外周縁はエッチング加工によって形成して
いる点にある。また、本発明の圧電ウェハ11上に形成
する圧電振動素子12の形状(圧電基板12Aの外形輪
郭)は、略矩形である必要はなく、種々の形状の圧電基
板12Aを備えた圧電振動素子を形成することができ
る。例えば図1(c)に示すように円形(楕円,長円な
どを含む)の外形輪郭を有した圧電基板12Aから成る
圧電振動素子12を形成することもできる。なお、各請
求項中において、「対向し合う2つの辺」とは、図1
(b)に示した如き矩形の圧電基板にあってはまさに対
向する辺のことであり、図1(c)に示した如き円形の
圧電基板にあっては、ほぼ180度間隔で対向し合う位
置を意味する。つまり、各請求項には、矩形の圧電基板
(周回スリット)のみならず、種々の外形輪郭形状を備
えた圧電基板(周回スリット)が含まれるものである。
As shown in FIG. 1B, the separated piezoelectric vibrating element 12 has a structure in which an excitation electrode 15 and a lead electrode 16 are formed on a piezoelectric substrate 12A. The characteristic configuration of the piezoelectric vibrating element 12 is as follows:
In this example, the tearing portions 12B respectively provided at the center positions of the respective sides
Only (corresponding to the non-slit portion 21) is formed by cutting (breaking), and the other outer peripheral edge is formed by etching. Further, the shape of the piezoelectric vibrating element 12 formed on the piezoelectric wafer 11 of the present invention (the outer contour of the piezoelectric substrate 12A) does not need to be substantially rectangular, and the piezoelectric vibrating element provided with the piezoelectric substrate 12A of various shapes may be used. Can be formed. For example, as shown in FIG. 1C, a piezoelectric vibration element 12 composed of a piezoelectric substrate 12A having a circular (including an ellipse, an ellipse, etc.) outer profile can be formed. In addition, in each claim, "two opposing sides" refer to FIG.
In the case of a rectangular piezoelectric substrate as shown in FIG. 1B, it is exactly the opposite side, and in the case of a circular piezoelectric substrate as shown in FIG. Means position. That is, each claim includes not only a rectangular piezoelectric substrate (circular slit) but also a piezoelectric substrate (circular slit) having various external contours.

【0008】次に、図2は加工を完了した圧電ウェハ1
1中に含まれる圧電振動素子12をウェハ載置台51上
に固定した状態で、バキュームノズル50によって個々
の圧電振動素子12の中心部を吸着してリフトし、パッ
ケージ52の凹所内に搭載する場面を示している。図3
(a)(b)及び(c)は、バキュームノズルによる吸
着と、吸着後のリフト状態を示す斜視図、及び周回スリ
ットの要部拡大図である。まず、図2及び図3(a)に
示すように、バキュームノズル50を圧電ウェハ11上
の特定の圧電振動素子12の中心部に向けて下降させて
中心部を吸着する。続いて、図3(b)のようにバキュ
ームノズル50による吸着を継続した状態で、圧電振動
素子面と直交する方向へバキュームノズル50を上昇さ
せる。すると、対向配置された2つの非スリット部21
から夫々外側へ延びる連接片23が水晶振動素子12に
連られて同時に引き上げられる。この際、連接片23の
全長のうち、周回スリット20の2つの端部20a間に
介在する非スリット部21と連接している部分が最も幅
が狭くなっているため、図3(b)の状態よりも更に圧
電振動素子12を持ち上げると、この部分が点線Lで示
した線に沿って切断される。具体的には、2つの連接片
23は、互いに点対称形状であるために、圧電振動素子
12を上方に持ち上げた際に、夫々異なった方向へ向か
うねじれ方向へのトルクが両非スリット部21に同時に
集中して発生し、夫々異なった方向へ向かうねじれ方向
への剪断力によって点線Lに沿った切断が的確に行われ
る(図4参照)。仮に、図5に示したように、周回スリ
ット20だけを設け、分岐スリット22を形成しない場
合には、圧電振動素子12をバキュームノズルによって
持ち上げたときに、非スリット部21にねじれ方向への
トルクが発生しないので、充分な剪断力が発生せず、無
理に持ち上げて切断しようとすると、図3中に示した理
想的な切断線Lに沿った切断が行われず、圧電振動素子
の本体部分に切り込みが形成されて不良品となる虞が生
じる。
Next, FIG. 2 shows a processed piezoelectric wafer 1.
In a state in which the piezoelectric vibrating element 12 included in 1 is fixed on the wafer mounting table 51, the central part of each piezoelectric vibrating element 12 is sucked and lifted by the vacuum nozzle 50 and mounted in the recess of the package 52. Is shown. FIG.
(A) (b) and (c) are the perspective view which shows the suction state by a vacuum nozzle, the lift state after adsorption | suction, and the principal part enlarged view of a circumference slit. First, as shown in FIGS. 2 and 3A, the vacuum nozzle 50 is lowered toward the center of the specific piezoelectric vibration element 12 on the piezoelectric wafer 11 to suck the center. Subsequently, the vacuum nozzle 50 is raised in a direction orthogonal to the surface of the piezoelectric vibrating element while the suction by the vacuum nozzle 50 is continued as shown in FIG. Then, the two non-slit portions 21 opposed to each other are arranged.
The connecting pieces 23 extending outward from the respective elements are connected to the crystal vibrating element 12 and are simultaneously pulled up. At this time, of the entire length of the connecting piece 23, the portion connected to the non-slit portion 21 interposed between the two ends 20a of the orbiting slit 20 has the narrowest width, and therefore, the portion shown in FIG. When the piezoelectric vibrating element 12 is lifted further than the state, this portion is cut along the line indicated by the dotted line L. Specifically, since the two connecting pieces 23 are point-symmetrical to each other, when the piezoelectric vibrating element 12 is lifted upward, torques in the torsional directions toward different directions are generated by the two non-slit portions 21. At the same time, and the cutting along the dotted line L is accurately performed by the shearing force in the torsional direction toward each different direction (see FIG. 4). As shown in FIG. 5, when only the orbiting slit 20 is provided and the branch slit 22 is not formed, when the piezoelectric vibration element 12 is lifted by the vacuum nozzle, the torque in the torsion direction is applied to the non-slit portion 21. Does not occur, a sufficient shearing force is not generated, and if it is forcibly lifted and cut, the cutting is not performed along the ideal cutting line L shown in FIG. The notch is formed and there is a possibility that it becomes a defective product.

【0009】また、本実施形態では、連接片23の延び
る方向が点対称となっているために、圧電振動素子12
を圧電ウェハ11の面に対して直交する方向へ持ち上げ
た際に、非スリット部21にねじれ方向への剪断力が発
生したが、図6(a)のように連接片23の方向を同じ
方向にした場合(線対称とした場合)、矢印で示すよう
に各非スリット部21には同じ方向へのねじれが発生す
るので、図6(b)のように圧電振動素子12が全体と
して一方向(同図中左廻り)へ回転してしまい、非スリ
ット部21を切断するのに充分な剪断力が発生しにくく
なる。また、図1、図2,図3、図4に開示したよう
に、本発明では、圧電ウェハ11の平板部上に導体膜
(励振電極とリード)15,16を形成する工程と、各
導体膜を包囲する前記周回スリット20、非スリット部
21及び分岐スリット22を形成する工程と、圧電ウェ
ハを固定した状態で個々の圧電振動素子個片を吸着して
圧電ウェハ面と直交する方向へリフトすることにより周
回スリット20に沿って圧電振動素子個片を分離する工
程と、を実施することにより、図1(後述する図7、図
8、図9、図10、図12も含む)に示した如き構成の
圧電振動素子12を製造することができる。尚、スリッ
トを形成する際には、機械的な切削やレーザ加工を用い
てもよいが、バッチ処理を行う上では、エッチング加工
が最適である。更に、上記の工程によって分離された圧
電振動素子12を図2に示した如きパッケージ52内に
搭載し、配線後に密封する等の手順を経ることによっ
て、圧電デバイス(圧電振動子、圧電フィルタ、圧電発
振器、SAW等)を製造することができる。
In this embodiment, since the extending direction of the connecting piece 23 is point-symmetric, the piezoelectric vibrating element 12
Is lifted in a direction perpendicular to the surface of the piezoelectric wafer 11, a shearing force is generated in the non-slit portion 21 in the torsional direction. However, as shown in FIG. In this case, the non-slit portions 21 are twisted in the same direction as shown by the arrows, so that the piezoelectric vibrating element 12 is moved in one direction as a whole as shown in FIG. (To the left in the drawing), and it becomes difficult to generate a shearing force sufficient to cut the non-slit portion 21. In addition, as disclosed in FIGS. 1, 2, 3 and 4, in the present invention, a step of forming conductor films (excitation electrodes and leads) 15 and 16 on a flat plate portion of the piezoelectric wafer 11 and a step of forming each conductor Forming the orbiting slit 20, the non-slit portion 21, and the branch slit 22 surrounding the film; and adsorbing individual piezoelectric vibrating element pieces while the piezoelectric wafer is fixed, and lifting the piezoelectric vibrating element in a direction orthogonal to the surface of the piezoelectric wafer. 1 (including FIG. 7, FIG. 8, FIG. 9, FIG. 10, FIG. 12, which will be described later) by performing the step of separating the piezoelectric vibrating element pieces along the orbiting slit 20. The piezoelectric vibration element 12 having such a configuration can be manufactured. In forming the slits, mechanical cutting or laser processing may be used, but etching is most suitable for performing batch processing. Further, the piezoelectric vibrating element 12 separated by the above-described steps is mounted in a package 52 as shown in FIG. Oscillator, SAW, etc.).

【0010】次に、図7は本発明の変形実施形態であ
り、この実施形態の圧電ウェハ11は、周回スリット2
0の対向し合う2つの辺に夫々非スリット部21を形成
する際に、非スリット部21を挟んで対向する2つの端
部20aを内側へ向けて屈曲させていない。一方、分岐
スリット22を2本平行(平行でなくてもよい)に外側
へ延ばすことによって形成する連接片23を夫々点対称
となるように構成している。このため、圧電振動素子1
2を吸着して持ち上げたときに、各非スリット部21に
は反対方向へ向かうねじれ剪断力が発生し、前記実施形
態の場合と同様に理想的な切断線に沿った切離しが行わ
れ、圧電振動素子12を精度よく圧電ウェハ11から分
離することができる。次に、図8は本発明の変形例であ
る。即ち、周回スリット20上に形成する2つの非スリ
ット部21の位置は、図1等に示した対向し合う2つの
辺の中央部に限らず、2つの辺の中央部から偏位した位
置であってもよい。例えば、図8のように対角線に沿っ
て対向配置された2つの角隅部に非スリット部を配置し
てもよく、この場合にも圧電振動素子12を持ち上げる
だけで各非スリット部21に反対方向へ向かうねじれ剪
断力が発生して、非スリット部21が理想的な切断線
(端部20a間を結ぶ直線)に沿って切断される。
Next, FIG. 7 shows a modified embodiment of the present invention.
When the non-slit portions 21 are formed on the two opposing sides of 0, the two end portions 20a facing each other with the non-slit portion 21 interposed therebetween are not bent inward. On the other hand, the connecting pieces 23 formed by extending the two branch slits 22 in parallel (not necessarily parallel) to the outside are configured to be point-symmetric. For this reason, the piezoelectric vibrating element 1
When the non-slit portion 21 is sucked and lifted, a torsional shearing force is generated in each of the non-slit portions 21 in the opposite direction. The vibration element 12 can be separated from the piezoelectric wafer 11 with high accuracy. Next, FIG. 8 shows a modification of the present invention. That is, the position of the two non-slit portions 21 formed on the orbiting slit 20 is not limited to the center of the two opposing sides shown in FIG. There may be. For example, as shown in FIG. 8, non-slit portions may be arranged at two corners opposed to each other along a diagonal line. A non-slit portion 21 is cut along an ideal cutting line (a straight line connecting the end portions 20a) due to the generation of torsional shearing force in the direction.

【0011】次に、図9は本発明の変形実施形態の圧電
ウェハの構成図であり、この実施形態が前記実施形態と
異なる点は、横方向に隣接し合う圧電振動素子12同志
を共通の周回スリット部分20bを介して連接した構成
にある。このように構成すれば、一枚のウェハ上により
多くの圧電振動素子を配置することが可能となり生産性
を高めることができる。なお、上記各実施形態におい
て、非スリット部21の幅(端部20a間の間隔)が狭
すぎる場合には圧電振動素子12を持ち上げたときの切
断が容易となる一方で、圧電振動素子を分離する前の圧
電ウェハ11を取り扱う際に、圧電振動素子が落下、離
脱する虞が発生する。このため、非スリット部21の
幅、即ち対向し合う端部20a間の幅は、圧電ウェハ1
1の板厚の10倍以下、好ましくは8倍〜10倍の範囲
とする。次に、図10(a)は本発明の他の実施形態に
係る圧電ウェハの斜視図、(b)は要部拡大平面図であ
る。前記各実施形態に係る圧電ウェハが平板状であった
のに対して、本実施形態の圧電ウェハ11は、水晶振動
素子12に相当する位置に凹所30が形成されており、
凹所30の内底面30aを水晶振動素子12として活用
する。即ち、凹所30の内底面30aには、全面電極3
1を形成すると共に、その裏面には励振電極15,リー
ド電極16を形成する。また、凹所30の内底面30a
の外周縁、即ち厚肉部33の内壁裾部に沿った領域に
は、周回スリット20が非連続的に形成されている。周
回スリット20の対向し合う2つの辺には非スリット部
21が形成され、周回スリット20の両端部20aの適
所からは外側へ向けて分岐スリット22が引き出される
ことによって連接片23を形成している。各連接片23
の延びる方向は、各連接片が点対称となるように設定さ
れている。このように本実施形態では、平板状の凹所内
底面に形成した周回スリット20の外側に厚肉部33が
位置しているので、凹所内底面に相当する圧電振動素子
12の中心部をバキュームノズルによって吸着して持ち
上げる際に、周囲の厚肉部33が強固であるために、分
割し易くなる。
Next, FIG. 9 is a configuration diagram of a piezoelectric wafer according to a modified embodiment of the present invention. This embodiment is different from the above-described embodiment in that the piezoelectric vibrating elements 12 adjacent to each other in the horizontal direction are shared. It is configured to be connected via the circumferential slit portion 20b. With this configuration, it is possible to arrange more piezoelectric vibrating elements on one wafer, and it is possible to increase productivity. In each of the above embodiments, when the width of the non-slit portion 21 (the interval between the end portions 20a) is too small, the cutting when the piezoelectric vibration element 12 is lifted becomes easy, while the piezoelectric vibration element is separated. When the piezoelectric wafer 11 before handling is handled, there is a possibility that the piezoelectric vibrating element may drop or separate. For this reason, the width of the non-slit portion 21, that is, the width between the opposing ends 20a is not
The thickness is set to 10 times or less, preferably 8 times to 10 times the plate thickness of 1. Next, FIG. 10A is a perspective view of a piezoelectric wafer according to another embodiment of the present invention, and FIG. 10B is an enlarged plan view of a main part. In contrast to the piezoelectric wafer according to each of the above embodiments having a flat plate shape, the piezoelectric wafer 11 of the present embodiment has a recess 30 formed at a position corresponding to the quartz crystal vibrating element 12,
The inner bottom surface 30 a of the recess 30 is used as the quartz vibrating element 12. That is, the entire surface electrode 3 is provided on the inner bottom surface 30 a of the recess 30.
1 and an excitation electrode 15 and a lead electrode 16 are formed on the back surface. Also, the inner bottom surface 30a of the recess 30
A circumferential slit 20 is discontinuously formed in the outer peripheral edge of the thick portion 33, that is, in the region along the inner wall skirt of the thick portion 33. Non-slit portions 21 are formed on two opposing sides of the orbiting slit 20, and branching slits 22 are drawn outward from appropriate places at both ends 20 a of the orbiting slit 20 to form connecting pieces 23. I have. Each connecting piece 23
Is set such that each connecting piece is point-symmetric. As described above, in the present embodiment, since the thick portion 33 is located outside the orbiting slit 20 formed on the inner bottom surface of the flat recess, the center of the piezoelectric vibrating element 12 corresponding to the inner bottom surface of the recess is connected to the vacuum nozzle. When the material is sucked and lifted, the surrounding thick portion 33 is strong, so that it is easily divided.

【0012】図11は、このような構造の圧電ウェハを
製造する手順を示す工程図である。まず、図11(a)
の工程では、圧電ウェハ11の表面に配列された全ての
凹所30内に全面電極となる導体膜35(銀、或いはア
ルミニウム等)を成膜し、続いて(b)の工程では凹所
30の裏面側にフォトリソグラフィ技術を用いて励振電
極15等を形成する。続いて、(c)の工程では凹所の
裏面に対してフォトレジスト膜36を成膜し、(d)の
工程では図示しないマスクを用いて周回スリット20及
び分岐スリット22に相当する位置だけを露光して、感
光した部分を除去する。次いで,(e)の工程のように
フォトレジスト膜が除去された部分36aから露出した
ウェハ裏面をエッチングによって除去することによっ
て、内底面30aの周縁に周回スリット20及び分岐ス
リット22を貫通形成する。その後、フォトレジスト膜
36を除去することによって、図10に示した如き構成
を備えた圧電ウェハが完成する。この製造方法によれ
ば、図1、図7、図8等に示した圧電ウェハのみなら
ず、種々のタイプの圧電ウェハを凹所内に形成すること
ができ、圧電振動素子12を吸着してリフトしたときに
おける、非スリット部21の切断性も向上する。なお、
励振電極の個数、形状等の構成は、図示したものに限定
される訳ではなく、種々変更可能である。
FIG. 11 is a process chart showing a procedure for manufacturing a piezoelectric wafer having such a structure. First, FIG.
In the step (b), a conductor film 35 (silver, aluminum, or the like) serving as an entire surface electrode is formed in all the recesses 30 arranged on the surface of the piezoelectric wafer 11, and subsequently, in the step (b), the recesses 30 are formed. The excitation electrode 15 and the like are formed on the back side of the substrate by using photolithography technology. Subsequently, in the step (c), a photoresist film 36 is formed on the back surface of the recess, and in the step (d), only the positions corresponding to the circumferential slits 20 and the branch slits 22 are masked using a mask (not shown). Exposure removes the exposed portions. Next, as in the step (e), the orbiting slit 20 and the branch slit 22 are formed in the periphery of the inner bottom surface 30a by removing the wafer back surface exposed from the portion 36a from which the photoresist film has been removed by etching. Thereafter, by removing the photoresist film 36, a piezoelectric wafer having a configuration as shown in FIG. 10 is completed. According to this manufacturing method, not only the piezoelectric wafers shown in FIGS. 1, 7, 8 and the like, but also various types of piezoelectric wafers can be formed in the recesses. In this case, the cutability of the non-slit portion 21 is also improved. In addition,
The configuration such as the number and shape of the excitation electrodes is not limited to the illustrated one, but can be variously changed.

【0013】次に、図12は、上記各実施形態全てに適
用可能な変形例であり、圧電ウェハ11上に配置された
各圧電振動素子12の余白、具体的には周回スリット2
0の外側に位置するウェハ面に、2次元バーコード等か
ら成る情報記録部40を印刷等しておくようにしてい
る。即ち、この情報記録部40には、各圧電振動素子の
固有の特性(共振周波数、温度周波性特性等)を記録し
ておく。即ち、圧電ウェハ11上の各圧電振動素子12
の特性を個別に測定した後に、測定結果を記録した情報
記録部40を図示の位置に印刷等しておく。このように
一つの圧電ウェハ11上に配置された複数の圧電振動素
子毎の特性を直近に位置する情報記録部40に記録して
おくことにより、圧電ウェハ11から圧電振動素子12
を分離してパッケージ内に自動搭載する際に、図示しな
いリーダによって記録内容を読取り、読取った特性の違
い、良否、レベルに基づいて各圧電振動素子12を分
類,ランク付けして仕分けることができる。具体的に
は、例えば共振周波数や温度周波数特性についてのスペ
ック値からのずれの程度に応じて、ウェハから分離した
後の圧電振動素子を、分類、ランク付けして、仕分けし
ておくことにより、後工程における特性の微調整作業を
効率化することができる。
Next, FIG. 12 shows a modification applicable to all the above-described embodiments, and shows a blank of each piezoelectric vibrating element 12 arranged on the piezoelectric wafer 11, specifically, a circular slit 2.
The information recording unit 40 composed of a two-dimensional bar code or the like is printed on the wafer surface located outside the zero. That is, the information recording unit 40 records characteristics (resonance frequency, temperature frequency characteristic, etc.) unique to each piezoelectric vibration element. That is, each piezoelectric vibration element 12 on the piezoelectric wafer 11
After the characteristics are individually measured, the information recording unit 40 that records the measurement results is printed at the illustrated position. By recording the characteristics of each of the plurality of piezoelectric vibrating elements arranged on one piezoelectric wafer 11 in the information recording unit 40 located immediately adjacent to the piezoelectric wafer 11, the piezoelectric vibrating elements 12
When the components are separated and automatically mounted in a package, the recorded contents are read by a reader (not shown), and the respective piezoelectric vibrating elements 12 can be classified and ranked based on the difference in read characteristics, pass / fail, and level. . Specifically, for example, according to the degree of deviation from the specification value for the resonance frequency and temperature frequency characteristics, by separating and ranking the piezoelectric vibration elements after separation from the wafer, and by sorting, The efficiency of the fine adjustment of the characteristics in the post-process can be improved.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、圧電振動
素子を大面積の圧電ウェハから切り出すことによりバッ
チ処理生産する際に、圧電振動素子が小型化すればする
ほど、ウェハからの切り出し作業と、切り出し後のピッ
クアップ作業が煩雑化するという不具合を解決すること
ができる。
As described above, according to the present invention, when the piezoelectric vibrating element is cut from a large-sized piezoelectric wafer in batch processing and produced, the smaller the piezoelectric vibrating element is, the more the piezoelectric vibrating element is cut out from the wafer. It is possible to solve the problem that the work and the pick-up work after cutting out become complicated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は本発明の一実施形態に係る圧電ウェハ
の要部平面図、(b)及び(c)は完成した圧電振動素
子の一例の構成図。
FIG. 1A is a plan view of a main part of a piezoelectric wafer according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 1B and 1C are configuration diagrams of an example of a completed piezoelectric vibration element.

【図2】圧電ウェハ上から圧電振動素子を分離する装置
及び手順を示す図。
FIG. 2 is a view showing an apparatus and a procedure for separating a piezoelectric vibration element from a piezoelectric wafer.

【図3】(a)(b)及び(c)は本発明の圧電ウェハ
から圧電振動素子を分離する手順を示す図、及び要部の
拡大図。
FIGS. 3A, 3B, and 3C are diagrams showing a procedure for separating a piezoelectric vibration element from a piezoelectric wafer of the present invention, and an enlarged view of a main part.

【図4】(a)及び(b)は本発明の原理を説明する平
面図、及び正面図。
FIGS. 4A and 4B are a plan view and a front view illustrating the principle of the present invention.

【図5】比較例を示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing a comparative example.

【図6】(a)及び(b)は比較例を示す平面図、及び
正面図。
6A and 6B are a plan view and a front view showing a comparative example.

【図7】本発明の他の実施形態に係る圧電ウェハの要部
構成図。
FIG. 7 is a main part configuration diagram of a piezoelectric wafer according to another embodiment of the present invention.

【図8】本発明の他の実施形態に係る圧電ウェハの要部
構成図。
FIG. 8 is a main part configuration diagram of a piezoelectric wafer according to another embodiment of the present invention.

【図9】本発明の他の実施形態に係る圧電ウェハの要部
構成図。
FIG. 9 is a main part configuration diagram of a piezoelectric wafer according to another embodiment of the present invention.

【図10】本発明の他の実施形態に係る圧電ウェハの要
部構成図。
FIG. 10 is a main part configuration diagram of a piezoelectric wafer according to another embodiment of the present invention.

【図11】(a)乃至(e)は図10に示した圧電ウェ
ハの製造手順を示す図。
FIGS. 11A to 11E are views showing a procedure for manufacturing the piezoelectric wafer shown in FIG. 10;

【図12】本発明の他の実施形態に係る圧電ウェハの要
部構成図。
FIG. 12 is a main part configuration diagram of a piezoelectric wafer according to another embodiment of the present invention.

【図13】従来例の構成説明図。FIG. 13 is a configuration explanatory view of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 圧電ウェハ、12 圧電振動素子、15 励振電
極、16 リード電極、20 周回スリット、20a
端部、21 非スリット部、22 分岐スリット、23
連接片、30 凹所、31 全面電極、40 情報記
録部、50 バキュームノズル、52 パッケージ。
Reference Signs List 11 piezoelectric wafer, 12 piezoelectric vibration element, 15 excitation electrode, 16 lead electrode, 20 orbital slit, 20a
End part, 21 non-slit part, 22 branch slit, 23
Connecting piece, 30 concave portion, 31 whole surface electrode, 40 information recording section, 50 vacuum nozzle, 52 package.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の圧電振動素子を連結した構成を備
えた圧電ウェハの構造において、 前記圧電ウェハは、 前記圧電振動素子の個片の外周輪郭に沿って貫通形成し
た周回スリットと、該周回スリットの対向し合う2つの
辺上に夫々形成した非スリット部と、一方の非スリット
部を挟んで対向する2つの周回スリット端部の一方の適
所から外側へ向けて延設した分岐スリットと、他方の非
スリット部を挟んで対向する2つの周回スリット端部の
一方の適所から外側へ向けて延設した分岐スリットと、
を備え、前記2つの分岐スリットは、互いに点対称の位
置関係をなしていることを特徴とする圧電ウェハの構
造。
1. A structure of a piezoelectric wafer having a configuration in which a plurality of piezoelectric vibrating elements are connected, wherein the piezoelectric wafer comprises: a circumferential slit formed through an outer peripheral contour of an individual piece of the piezoelectric vibrating element; A non-slit portion formed on each of the two opposing sides of the slit, and a branch slit extending outward from one appropriate place of one of two orbiting slit ends facing each other with one non-slit portion interposed therebetween, A branch slit extending outward from one of the two peripheral slit ends facing each other across the other non-slit part,
Wherein the two branch slits have a point-symmetric positional relationship with each other.
【請求項2】 圧電振動素子の個片の外周輪郭に沿って
形成した周回スリットと、該周回スリットの対向し合う
2つの辺上に夫々形成した非スリット部と、一方の非ス
リット部を挟んで対向する2つの周回スリット端部の一
方の適所から外側へ向けて延設した分岐スリットと、他
方の非スリット部を挟んで対向する2つの周回スリット
端部の一方の適所から外側へ向けて延設した分岐スリッ
トと、を備え、前記2つの分岐スリットは、互いに点対
称の位置関係をなしている圧電ウェハであって、 圧電ウェハから各圧電振動素子を分離する際に、前記各
非スリット部に反対方向へのねじれ剪断力が発生して断
裂するように構成したことを特徴とする圧電ウェハの構
造。
2. A circulating slit formed along an outer peripheral contour of an individual piece of a piezoelectric vibrating element, a non-slit portion formed on two opposing sides of the circulating slit, and one non-slit portion sandwiched therebetween. And a branch slit extending outward from one appropriate location of one of the two peripheral slit ends facing each other, and a branch slit extending from one appropriate location of the two peripheral slit ends facing each other across the other non-slit part. An extended branch slit, wherein the two branch slits are piezoelectric wafers having a point-symmetric positional relationship with each other, and when separating each piezoelectric vibration element from the piezoelectric wafer, the non-slits A structure of a piezoelectric wafer, wherein a torsional shearing force in an opposite direction is generated in the portion and the portion is torn.
【請求項3】 前記圧電ウェハ上において隣接し合う2
つの圧電振動素子の周回スリットを一部共用させたこと
を特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載の圧
電ウェハの構造。
3. The two adjacent piezoelectric wafers on the piezoelectric wafer.
The structure of the piezoelectric wafer according to claim 1, wherein a part of the orbiting slit of the two piezoelectric vibration elements is shared.
【請求項4】 前記圧電ウェハ上において隣接し合う複
数の圧電振動素子間に厚肉部を介在させたことを特徴と
する請求項1又は2のいずれか一項に記載の圧電ウェハ
の構造。
4. The structure of a piezoelectric wafer according to claim 1, wherein a thick portion is interposed between a plurality of adjacent piezoelectric vibrating elements on the piezoelectric wafer.
【請求項5】 各一本の前記分岐スリットと前記周回ス
リットの一部分との間に前記非スリット部と連接する連
接片を形成し、前記圧電振動素子を圧電ウェハから分離
する際に該非スリット部に反対方向へのねじれ剪断力が
発生するように構成したことを特徴とする請求項1、
2,3又は4のいずれか一項に記載の圧電ウェハの構
造。
5. A connecting piece connected to the non-slit portion is formed between each one of the branch slits and a part of the orbiting slit, and the non-slit portion is separated when the piezoelectric vibration element is separated from a piezoelectric wafer. Wherein a torsional shearing force is generated in the opposite direction to
5. The structure of the piezoelectric wafer according to any one of 2, 3, and 4.
【請求項6】 前記分岐スリットを2本ずつ形成するこ
とにより、前記非スリット部と連接する連接片を形成し
たことを特徴とする請求項1、2,3又は4のいずれか
一項に記載の圧電ウェハの構造。
6. The connecting piece according to claim 1, wherein a connecting piece connected to the non-slit portion is formed by forming the branch slits two by two. Structure of the piezoelectric wafer.
【請求項7】 前記非スリット部を挟んで対向配置され
た2つの周回スリット端部は、圧電振動素子の内側へ向
けて屈曲していることを特徴とする請求項1,2,3,
4、5又は6のいずれか一項に記載の圧電ウェハの構
造。
7. The piezoelectric device according to claim 1, wherein two orbiting slit ends opposed to each other with the non-slit portion interposed therebetween are bent inward of the piezoelectric vibration element.
7. The structure of the piezoelectric wafer according to any one of 4, 5, and 6.
【請求項8】 複数の圧電振動素子を連結した構成を備
えた圧電ウェハから各圧電振動素子を分離する圧電振動
素子の製造方法であって、 前記圧電ウェハは、前記各圧電振動素子の個片の外周輪
郭に沿って形成した周回スリットと、該周回スリットの
対向し合う2つの辺上に夫々対称位置関係で形成した非
スリット部と、一方の非スリット部を挟んで対向する2
つの周回スリット端部の一方の適所から外側へ向けて延
設した分岐スリットと、他方の非スリット部を挟んで対
向する2つの周回スリット端部の一方の適所から外側へ
向けて延設した分岐スリットと、を備え、前記2つの分
岐スリットは、互いに点対称の位置関係をなしており、 前記圧電ウェハの平板部上に導体膜と、各導体膜を包囲
する前記周回スリット、非スリット部及び分岐スリット
を形成する工程と、前記圧電ウェハを固定した状態で個
々の圧電振動素子個片を吸着して圧電ウェハ面と直交す
る方向へリフトすることにより前記周回スリットに沿っ
て圧電振動素子個片を分離する工程と、を備えているこ
とを特徴とする圧電振動素子の製造方法。
8. A method of manufacturing a piezoelectric vibrating element for separating each piezoelectric vibrating element from a piezoelectric wafer having a configuration in which a plurality of piezoelectric vibrating elements are connected, wherein the piezoelectric wafer is an individual piece of each of the piezoelectric vibrating elements. And a non-slit portion formed in a symmetrical positional relationship on two opposing sides of the revolving slit, and a non-slit portion facing each other with one non-slit portion interposed therebetween.
A branch slit extending outward from one appropriate location of one of the circular slit ends and a branch extending outward from one appropriate location of one of the two circular slit ends facing the other non-slit portion. A slit, and the two branch slits have a point-symmetric positional relationship with each other, a conductor film on the flat plate portion of the piezoelectric wafer, the orbiting slit surrounding each conductor film, a non-slit portion, A step of forming a branch slit, and a step of adsorbing individual piezoelectric vibrating element pieces in a state where the piezoelectric wafer is fixed and lifting the piezoelectric vibrating element pieces in a direction orthogonal to the surface of the piezoelectric wafer, thereby forming a piezoelectric vibrating element piece Separating the piezoelectric vibrating element.
【請求項9】 複数の圧電振動素子を連結した構成を備
えた圧電ウェハから分離した圧電振動素子をパッケージ
内に収容した圧電デバイスの製造方法であって、 前記圧電ウェハは、前記各圧電振動素子の個片の外周輪
郭に沿って形成した周回スリットと、該周回スリットの
対向し合う2つの辺上に夫々対称位置関係で形成した非
スリット部と、一方の非スリット部を挟んで対向する2
つの周回スリット端部の一方の適所から外側へ向けて延
設した分岐スリットと、他方の非スリット部を挟んで対
向する2つの周回スリット端部の一方の適所から外側へ
向けて延設した分岐スリットと、を備え、前記2つの分
岐スリットは、互いに点対称の位置関係をなしており、 前記圧電ウェハの平板部上に導体膜と、各導体膜を包囲
する前記周回スリット、非スリット部及び分岐スリット
を形成する工程と、前記圧電ウェハを固定した状態で個
々の圧電振動素子個片を吸着して圧電ウェハ面と直交す
る方向へリフトすることにより前記周回スリットに沿っ
て圧電振動素子個片を分離する工程と、該分離した圧電
振動素子個片をパッケージ内に搭載する工程と、を備え
ていることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
9. A method of manufacturing a piezoelectric device in which a piezoelectric vibration element separated from a piezoelectric wafer having a configuration in which a plurality of piezoelectric vibration elements are connected is housed in a package, wherein the piezoelectric wafer includes each of the piezoelectric vibration elements A circumferential slit formed along the outer peripheral contour of the individual piece, a non-slit portion formed in two symmetrical positions on two opposing sides of the circumferential slit, and a non-slit portion facing each other with one non-slit portion therebetween.
A branch slit extending outward from one appropriate location of one of the circular slit ends and a branch extending outward from one appropriate location of one of the two circular slit ends facing the other non-slit portion. A slit, and the two branch slits have a point-symmetric positional relationship with each other, a conductor film on the flat plate portion of the piezoelectric wafer, the orbiting slit surrounding each conductor film, a non-slit portion, A step of forming a branch slit, and a step of adsorbing individual piezoelectric vibrating element pieces in a state where the piezoelectric wafer is fixed and lifting the piezoelectric vibrating element pieces in a direction orthogonal to the surface of the piezoelectric wafer, thereby forming piezoelectric vibrating element pieces along the orbital slit. And a step of mounting the separated piezoelectric vibrating element pieces in a package.
【請求項10】 圧電基板と、該圧電基板面に形成した
励振用電極と、を備えた圧電振動素子であって、 前記圧電基板周縁の対向し合う2つの位置に夫々断裂部
を備え、該各断裂部を除いた圧電基板の外周縁はエッチ
ング加工縁であることを特徴とする圧電振動素子。
10. A piezoelectric vibrating element comprising: a piezoelectric substrate; and an excitation electrode formed on the surface of the piezoelectric substrate, wherein the piezoelectric vibrating element includes tearing portions at two opposing positions on a peripheral edge of the piezoelectric substrate. A piezoelectric vibrating element, wherein the outer peripheral edge of the piezoelectric substrate excluding each rupture portion is an etched edge.
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