JP2002299768A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JP2002299768A JP2002299768A JP2001098653A JP2001098653A JP2002299768A JP 2002299768 A JP2002299768 A JP 2002299768A JP 2001098653 A JP2001098653 A JP 2001098653A JP 2001098653 A JP2001098653 A JP 2001098653A JP 2002299768 A JP2002299768 A JP 2002299768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting device
- light
- semiconductor
- light guide
- guide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、GaN系青紫色レーザの高光出力時
の信頼性を実用に耐えうる十分なものにすることを目的
とする。 【解決手段】 本発明に係る半導体発光装置は、活性層
の位置と光強度分布が最大となる位置が異なることを特
徴とする。このことにより、光強度分布の最大位置が活
性層からはずれるため、活性層の光学的劣化を抑制する
ことが可能になる。
の信頼性を実用に耐えうる十分なものにすることを目的
とする。 【解決手段】 本発明に係る半導体発光装置は、活性層
の位置と光強度分布が最大となる位置が異なることを特
徴とする。このことにより、光強度分布の最大位置が活
性層からはずれるため、活性層の光学的劣化を抑制する
ことが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置に
関し、青紫光の短波長領域の発光素子に用いる窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の発光装置に関する。
関し、青紫光の短波長領域の発光素子に用いる窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、次世代の高密度光ディスク用光源
として青紫色の光を発するレーザダイオードに対する要
望が高まり、特に、青紫光の短波長領域で動作可能な窒
化ガリウム（GaN）系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光
素子の研究開発が盛んに行われている。特に、書き換え
可能な高密度光ディスクを満足させるためには、レーザ
の高光出力化が重要となるため、高光出力・長寿命GaN
系レーザを実現する必要がある。
として青紫色の光を発するレーザダイオードに対する要
望が高まり、特に、青紫光の短波長領域で動作可能な窒
化ガリウム（GaN）系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光
素子の研究開発が盛んに行われている。特に、書き換え
可能な高密度光ディスクを満足させるためには、レーザ
の高光出力化が重要となるため、高光出力・長寿命GaN
系レーザを実現する必要がある。
【０００３】一般的に、この発光素子の活性層にはInGa
Nに代表されるようなＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体が用いられている。しかしながら、このIn
GaN系半導体はＩｎ組成が不均一になりやすく組成揺ら
ぎが大きいことが知られている。
Nに代表されるようなＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体が用いられている。しかしながら、このIn
GaN系半導体はＩｎ組成が不均一になりやすく組成揺ら
ぎが大きいことが知られている。
【０００４】InGaNのＩｎ組成不均一性について、第１
の論文に「Applied Physics Letters, Vol.69 (1996) p
p.2701-2703」がある。この論文では、GaNとInNの格子
定数が大きく異なるため、InGaN結晶を成長すると相分
離が自然に発生し、均一なＩｎ組成を有するInGaN結晶
が得にくいことを理論的に示している。また、InGaN活
性層のＩｎ組成不均一（相分離）がGaN系レーザの特性
に及ぼす影響について、第２の論文に「Applied Physic
s Letters, Vol.76 (2000) pp.22-24」がある。この論
文では、InGaN活性層のＩｎ組成が大きな青色レーザを
試作した結果、Ｉｎ組成が大きいために相分離が顕著に
なり活性層の結晶性が低下し、動作電流が増加したこと
を示している。
の論文に「Applied Physics Letters, Vol.69 (1996) p
p.2701-2703」がある。この論文では、GaNとInNの格子
定数が大きく異なるため、InGaN結晶を成長すると相分
離が自然に発生し、均一なＩｎ組成を有するInGaN結晶
が得にくいことを理論的に示している。また、InGaN活
性層のＩｎ組成不均一（相分離）がGaN系レーザの特性
に及ぼす影響について、第２の論文に「Applied Physic
s Letters, Vol.76 (2000) pp.22-24」がある。この論
文では、InGaN活性層のＩｎ組成が大きな青色レーザを
試作した結果、Ｉｎ組成が大きいために相分離が顕著に
なり活性層の結晶性が低下し、動作電流が増加したこと
を示している。
【０００５】次に、InGaN活性層の光学的劣化に関し
て、第３の論文に「Applied Physics Letters, Vol.72
(1998) pp.3267-3269」がある。この論文では、GaN系レ
ーザのInGaN活性層が電流注入ではなく光励起で劣化す
ることを示している。さらに、InGaNを活性層とするGaN
系レーザの劣化機構として、第４の論文に「Applied Ph
ysics Letters, Vol.77 (2000) pp.1931-1933」があ
る。この論文では、レーザの劣化機構として熱的劣化以
外に光出力に起因する劣化が存在することを示してい
る。
て、第３の論文に「Applied Physics Letters, Vol.72
(1998) pp.3267-3269」がある。この論文では、GaN系レ
ーザのInGaN活性層が電流注入ではなく光励起で劣化す
ることを示している。さらに、InGaNを活性層とするGaN
系レーザの劣化機構として、第４の論文に「Applied Ph
ysics Letters, Vol.77 (2000) pp.1931-1933」があ
る。この論文では、レーザの劣化機構として熱的劣化以
外に光出力に起因する劣化が存在することを示してい
る。
【０００６】以上のことを考慮すると、InGaN活性層の
Ｉｎ組成が不均一であるために、レーザ発振に寄与する
エネルギー準位（Ｉｎ組成）よりも（Ｉｎ組成が大き
く）低いエネルギー準位が必ず存在し、レーザ動作中は
その低いエネルギー準位は光の吸収媒体になっている可
能性がある。レーザの光出力が高くなると、この光の吸
収領域では局所的発熱が大きくなり、温度が上がってバ
ンドギャップが縮小する。その結果、更に光の吸収が大
きくなって温度が上昇するという正帰還がかかり、あた
かも従来の砒化ガリウム(GaAs)系半導体レーザの端面劣
化で問題となったCOD(Catastropic Optical Damage)の
ような光学損傷がInGaN活性層で発生すると推測され
る。このGaN系レーザ活性層内の光吸収に関して、実証
例として第５の論文に「Journal of Materials Researc
h, Vol.14 (1999) pp.2716-2731」があり、レーザを変
調動作させると自己パルセーションが発生し、Ｉｎ組成
の不均一なInGaN活性層自身が実際に過飽和吸収体とし
て作用していることを示している。
Ｉｎ組成が不均一であるために、レーザ発振に寄与する
エネルギー準位（Ｉｎ組成）よりも（Ｉｎ組成が大き
く）低いエネルギー準位が必ず存在し、レーザ動作中は
その低いエネルギー準位は光の吸収媒体になっている可
能性がある。レーザの光出力が高くなると、この光の吸
収領域では局所的発熱が大きくなり、温度が上がってバ
ンドギャップが縮小する。その結果、更に光の吸収が大
きくなって温度が上昇するという正帰還がかかり、あた
かも従来の砒化ガリウム(GaAs)系半導体レーザの端面劣
化で問題となったCOD(Catastropic Optical Damage)の
ような光学損傷がInGaN活性層で発生すると推測され
る。このGaN系レーザ活性層内の光吸収に関して、実証
例として第５の論文に「Journal of Materials Researc
h, Vol.14 (1999) pp.2716-2731」があり、レーザを変
調動作させると自己パルセーションが発生し、Ｉｎ組成
の不均一なInGaN活性層自身が実際に過飽和吸収体とし
て作用していることを示している。
【０００７】したがって、GaN系レーザにおいて高光出
力時の長寿命化を図るには、動作電流を低減する意味か
らもInGaN活性層の相分離を抑制しＩｎ組成を均一化す
ればよいことになるが、第１の論文から明らかなよう
に、この系では結晶成長中に相分離が自然に発生するた
め、Ｉｎ組成の不均一性はある程度低減できるものの、
完全に均一化することは非常に困難である。
力時の長寿命化を図るには、動作電流を低減する意味か
らもInGaN活性層の相分離を抑制しＩｎ組成を均一化す
ればよいことになるが、第１の論文から明らかなよう
に、この系では結晶成長中に相分離が自然に発生するた
め、Ｉｎ組成の不均一性はある程度低減できるものの、
完全に均一化することは非常に困難である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、Ga
N系青紫色レーザの高光出力時の信頼性を実用に耐えう
る十分なものにすることを目的とする。
N系青紫色レーザの高光出力時の信頼性を実用に耐えう
る十分なものにすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の半導
体発光装置は、前記の目的を達成し、活性層の位置と光
強度分布が最大となる位置が異なることを特徴とする。
体発光装置は、前記の目的を達成し、活性層の位置と光
強度分布が最大となる位置が異なることを特徴とする。
【００１０】第１の半導体発光装置によると、光強度分
布の最大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学
的劣化を抑制することが可能になる。
布の最大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学
的劣化を抑制することが可能になる。
【００１１】第２の半導体発光装置によると、光ガイド
層の膜厚が互いに異なることにより、光強度分布の最大
位置が活性層からはずれるため、活性層の光学的劣化を
抑制することが可能になる。
層の膜厚が互いに異なることにより、光強度分布の最大
位置が活性層からはずれるため、活性層の光学的劣化を
抑制することが可能になる。
【００１２】本発明に係る第３の半導体発光装置は、前
記の目的を達成し、半導体発光装置を積層する基板から
離れた方の光ガイド層の膜厚が他方の光ガイド層よりも
厚いために、光強度分布の最大位置が基板から離れた方
の光ガイド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき且
つ活性層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
記の目的を達成し、半導体発光装置を積層する基板から
離れた方の光ガイド層の膜厚が他方の光ガイド層よりも
厚いために、光強度分布の最大位置が基板から離れた方
の光ガイド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき且
つ活性層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
【００１３】第４の半導体発光装置によると、光ガイド
層の屈折率が互いに異なることにより、光強度分布の最
大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学的劣化
を抑制することが可能になる。
層の屈折率が互いに異なることにより、光強度分布の最
大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学的劣化
を抑制することが可能になる。
【００１４】本発明に係る第５の半導体発光装置は、前
記の目的を達成し、半導体発光装置を積層する基板から
離れた方の光ガイド層の屈折率が他方の光ガイド層より
も高いために、光強度分布の最大位置が基板から離れた
方の光ガイド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき
且つ活性層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
記の目的を達成し、半導体発光装置を積層する基板から
離れた方の光ガイド層の屈折率が他方の光ガイド層より
も高いために、光強度分布の最大位置が基板から離れた
方の光ガイド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき
且つ活性層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
【００１５】第６の半導体発光装置によると、前記第５
の半導体発光装置において、半導体発光装置を積層する
基板に近い方の光ガイド層が少なくともAl原子を含む窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構成されており、他
方の光ガイド層よりも屈折率が低いために、光強度分布
の最大位置が基板から離れた方の光ガイド層に移行し、
基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的劣化を
抑制することが可能になる。
の半導体発光装置において、半導体発光装置を積層する
基板に近い方の光ガイド層が少なくともAl原子を含む窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構成されており、他
方の光ガイド層よりも屈折率が低いために、光強度分布
の最大位置が基板から離れた方の光ガイド層に移行し、
基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的劣化を
抑制することが可能になる。
【００１６】本発明に係る第７の半導体発光装置による
と、前記第５の半導体発光装置において、半導体発光装
置を積層する基板から離れた方の光ガイド層が少なくと
もIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構
成されており、他方の光ガイド層よりも屈折率が高いた
めに、光強度分布の最大位置が基板から離れた方の光ガ
イド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性
層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
と、前記第５の半導体発光装置において、半導体発光装
置を積層する基板から離れた方の光ガイド層が少なくと
もIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構
成されており、他方の光ガイド層よりも屈折率が高いた
めに、光強度分布の最大位置が基板から離れた方の光ガ
イド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性
層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
【００１７】第８の半導体発光装置は、前記の目的を達
成し、前記第７の半導体製造方法において、半導体発光
装置を積層する基板から離れた方の光ガイド層が少なく
ともIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で
構成されており、且つそのIn組成が活性層に含まれるIn
組成よりも少ないことを特徴とする。この場合、活性層
から放射されたレーザ光は前記光ガイド層で吸収される
ことなく、光強度分布の最大位置が前記光ガイド層に移
行し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的
劣化を抑制することが可能になる。
成し、前記第７の半導体製造方法において、半導体発光
装置を積層する基板から離れた方の光ガイド層が少なく
ともIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で
構成されており、且つそのIn組成が活性層に含まれるIn
組成よりも少ないことを特徴とする。この場合、活性層
から放射されたレーザ光は前記光ガイド層で吸収される
ことなく、光強度分布の最大位置が前記光ガイド層に移
行し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的
劣化を抑制することが可能になる。
【００１８】本発明に係る第９の半導体発光装置による
と、前記第７および第８の半導体発光装置において、半
導体発光装置を積層する基板から離れた方の光ガイド層
が少なくともIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体で構成されており、且つInGaN薄膜とGaN薄膜の超
格子構造となっていることを特徴とする。この場合、前
記光ガイド層でピット発生による光導波の散乱やMgの異
常拡散が抑制され、しきい値電流の増加が抑制される。
また、光強度分布の最大位置が前記光ガイド層に移行
し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的劣
化を抑制することが可能になる。
と、前記第７および第８の半導体発光装置において、半
導体発光装置を積層する基板から離れた方の光ガイド層
が少なくともIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体で構成されており、且つInGaN薄膜とGaN薄膜の超
格子構造となっていることを特徴とする。この場合、前
記光ガイド層でピット発生による光導波の散乱やMgの異
常拡散が抑制され、しきい値電流の増加が抑制される。
また、光強度分布の最大位置が前記光ガイド層に移行
し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的劣
化を抑制することが可能になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明に係る
第１の実施形態は、GaN系レーザ素子において、高光出
力動作時に実用に耐えうる信頼性を実現することを目的
とする。
第１の実施形態は、GaN系レーザ素子において、高光出
力動作時に実用に耐えうる信頼性を実現することを目的
とする。
【００２０】以下、本発明の第１の実施形態による半導
体発光装置の詳細について図面を参照しながら説明す
る。
体発光装置の詳細について図面を参照しながら説明す
る。
【００２１】図１（a）〜（l）は本実施形態に係る半導
体発光装置の製造方法の工程順の断面構成を示してい
る。まず、２インチサイズのサファイアよりなる基板１
１の表面を酸溶液を用いて洗浄を行なう。その後、洗浄
した基板１１をMOVPE装置（図示せず）の反応炉内のサ
セプターに保持し、反応炉を真空排気する。続いて、反
応炉内を圧力が３００Torr(1Torr=133.322Pa)の水素雰
囲気とし、温度を約１１００℃にまで昇温して基板１１
を加熱し表面のサーマルクリーニングを約１０分間行な
う。
体発光装置の製造方法の工程順の断面構成を示してい
る。まず、２インチサイズのサファイアよりなる基板１
１の表面を酸溶液を用いて洗浄を行なう。その後、洗浄
した基板１１をMOVPE装置（図示せず）の反応炉内のサ
セプターに保持し、反応炉を真空排気する。続いて、反
応炉内を圧力が３００Torr(1Torr=133.322Pa)の水素雰
囲気とし、温度を約１１００℃にまで昇温して基板１１
を加熱し表面のサーマルクリーニングを約１０分間行な
う。
【００２２】次に、図１（a）に示すように、反応炉を
約５００℃にまで降温した後、基板１１上に、供給量２
５mmol/minのトリメチルガリウム（TMG）と、供給量が
７.５L/minのアンモニア（NH3）ガスと、キャリアガス
として水素とを同時に供給することにより、厚さが約２
０nmのGaNよりなる低温バッファ層を成長させる。この
時、V族原料とIII族原料の供給比は６５００である。続
いて、反応炉を約１０００℃にまで昇温し、ｎ型ドーパ
ントとしてシラン（SiH4）ガスも供給して、厚さが約４
mm でSi不純物濃度が約1×1018cm-3のｎ型GaNよりなる
ｎ型コンタクト層１２を成長させる。次に、トリメチル
アルミニウム（TMA）も供給しながら、厚さが約0.7mmで
Si不純物濃度が5×1017cm-3のｎ型Al0.07Ga0.93Nよりな
るｎ型クラッド層１３を成長させる。続いて、厚さが約
１００nmでSi不純物濃度が約1×1018cm-3のn型GaNより
なる第１の光ガイド層１４を成長させた後、温度を約８
００℃にまで降温し、キャリアガスを水素から窒素に変
更して、トリメチルインジウム（TMI）とTMGを供給して
厚さが約３nmのIn0.1Ga0.9Nよりなる歪量子井戸（３
層）と厚さが約９nmのGaNバリア層（２層）からなる多
重量子井戸活性層１５を成長させる。その後、再び反応
炉内の温度を約１０００℃にまで昇温しキャリアガスを
窒素から水素に戻して、p型ドーパントであるビスシク
ロペンタジエニルマグネシウム（Cp2Mg）ガスを供給し
ながら、厚さが約２０nmでMg不純物濃度が5×1017cm-3
のp型 Al0.15Ga0.85N よりなるキャップ層１６を成長さ
せる。次に、厚さが約１５０nmでMg不純物濃度が1×10
18cm-3のp型 GaNよりなる第２の光ガイド層１７を成長
させる。続いて、厚さが約0.7mmでMg不純物濃度が5×10
17cm -3のｐ型Al0.07Ga0.93Nよりなるｐ型クラッド層１
８を成長させる。次に、厚さが約0.1mmでMg不純物濃度
が1×1018cm-3のp型GaNよりなるｐ型コンタクト層１９
を成長させる。
約５００℃にまで降温した後、基板１１上に、供給量２
５mmol/minのトリメチルガリウム（TMG）と、供給量が
７.５L/minのアンモニア（NH3）ガスと、キャリアガス
として水素とを同時に供給することにより、厚さが約２
０nmのGaNよりなる低温バッファ層を成長させる。この
時、V族原料とIII族原料の供給比は６５００である。続
いて、反応炉を約１０００℃にまで昇温し、ｎ型ドーパ
ントとしてシラン（SiH4）ガスも供給して、厚さが約４
mm でSi不純物濃度が約1×1018cm-3のｎ型GaNよりなる
ｎ型コンタクト層１２を成長させる。次に、トリメチル
アルミニウム（TMA）も供給しながら、厚さが約0.7mmで
Si不純物濃度が5×1017cm-3のｎ型Al0.07Ga0.93Nよりな
るｎ型クラッド層１３を成長させる。続いて、厚さが約
１００nmでSi不純物濃度が約1×1018cm-3のn型GaNより
なる第１の光ガイド層１４を成長させた後、温度を約８
００℃にまで降温し、キャリアガスを水素から窒素に変
更して、トリメチルインジウム（TMI）とTMGを供給して
厚さが約３nmのIn0.1Ga0.9Nよりなる歪量子井戸（３
層）と厚さが約９nmのGaNバリア層（２層）からなる多
重量子井戸活性層１５を成長させる。その後、再び反応
炉内の温度を約１０００℃にまで昇温しキャリアガスを
窒素から水素に戻して、p型ドーパントであるビスシク
ロペンタジエニルマグネシウム（Cp2Mg）ガスを供給し
ながら、厚さが約２０nmでMg不純物濃度が5×1017cm-3
のp型 Al0.15Ga0.85N よりなるキャップ層１６を成長さ
せる。次に、厚さが約１５０nmでMg不純物濃度が1×10
18cm-3のp型 GaNよりなる第２の光ガイド層１７を成長
させる。続いて、厚さが約0.7mmでMg不純物濃度が5×10
17cm -3のｐ型Al0.07Ga0.93Nよりなるｐ型クラッド層１
８を成長させる。次に、厚さが約0.1mmでMg不純物濃度
が1×1018cm-3のp型GaNよりなるｐ型コンタクト層１９
を成長させる。
【００２３】成長終了後、図１（ｂ）に示すように、反
応炉から基板１１を取り出し、ｐ型コンタクト層１９の
表面を有機洗浄およびフッ酸系のウエットエッチングで
クリーニングした後、例えば、プラズマＣＶＤ法を用い
て、ｐ型コンタクト層１９の上に全面にわたって厚さが
約０.１mmの二酸化シリコン（SiO2）よりなる酸化膜２
０を堆積させる。
応炉から基板１１を取り出し、ｐ型コンタクト層１９の
表面を有機洗浄およびフッ酸系のウエットエッチングで
クリーニングした後、例えば、プラズマＣＶＤ法を用い
て、ｐ型コンタクト層１９の上に全面にわたって厚さが
約０.１mmの二酸化シリコン（SiO2）よりなる酸化膜２
０を堆積させる。
【００２４】次に、図１（c）に示すように、スピナー
を用いて酸化膜２０の上に全面にわたってレジスト膜２
１を塗布する。続いて、図１（d）に示すように、フォ
トリングラフィー法を用いて、レジスト膜２１にマスク
幅が約２mmで約５００mmピッチのストライプ状のレジス
トパターンを形成する。次に、図１（e）に示すよう
に、このレジストパターンをマスクとして酸化膜２０に
対してフッ酸系の水溶液を用いたウェットエッチングを
行なって酸化膜２０を除去することにより、ストライプ
状の酸化膜パターンを形成する。
を用いて酸化膜２０の上に全面にわたってレジスト膜２
１を塗布する。続いて、図１（d）に示すように、フォ
トリングラフィー法を用いて、レジスト膜２１にマスク
幅が約２mmで約５００mmピッチのストライプ状のレジス
トパターンを形成する。次に、図１（e）に示すよう
に、このレジストパターンをマスクとして酸化膜２０に
対してフッ酸系の水溶液を用いたウェットエッチングを
行なって酸化膜２０を除去することにより、ストライプ
状の酸化膜パターンを形成する。
【００２５】続いて、図１（f）に示すように、有機洗
浄により酸化膜２０上のレジスト２１を除去した後、前
記酸化膜パターンが形成された基板１１の表面をドライ
エッチングによってリッジ状に加工する。この際、ｐ型
クラッド層１８のドライエッチング残し膜厚は約３０nm
とした。
浄により酸化膜２０上のレジスト２１を除去した後、前
記酸化膜パターンが形成された基板１１の表面をドライ
エッチングによってリッジ状に加工する。この際、ｐ型
クラッド層１８のドライエッチング残し膜厚は約３０nm
とした。
【００２６】次に、図１（g）に示すように、プラズマ
ＣＶＤ法を用いて、ｎ型電極を形成する箇所以外におい
て、厚さが約０.１mmのSiO2よりなる酸化膜２２を堆積
させる。
ＣＶＤ法を用いて、ｎ型電極を形成する箇所以外におい
て、厚さが約０.１mmのSiO2よりなる酸化膜２２を堆積
させる。
【００２７】続いて、図1（h）に示すように、前記酸化
膜パターンが形成された基板１１の表面をドライエッチ
ングによって加工し、ｎ型コンタクト層１２を露出させ
る。
膜パターンが形成された基板１１の表面をドライエッチ
ングによって加工し、ｎ型コンタクト層１２を露出させ
る。
【００２８】次に、図１（i）に示すように、SiO2より
なる酸化膜をドライエッチング側面に堆積させ、また、
リッジのｐ型コンタクト層19上の酸化膜２２をフッ酸系
水溶液で選択的に除去する。
なる酸化膜をドライエッチング側面に堆積させ、また、
リッジのｐ型コンタクト層19上の酸化膜２２をフッ酸系
水溶液で選択的に除去する。
【００２９】最後に、図１（j）に示すように、露出し
たｎ型コンタクト層１２の上面にTi/Alよりなるn側電極
２３を形成する。また、p型コンタクト層１９の上面にN
i/Auよりなるp側電極２４を形成する。さらに、発光素
子の共振器をへき開により形成し、その後、へき開した
共振器の片端面に反射率が９０％のSiO2及び二酸化チタ
ン（TiO2）よりなる高反射コートを施す。また、共振器
長は７５０mm程度とした。
たｎ型コンタクト層１２の上面にTi/Alよりなるn側電極
２３を形成する。また、p型コンタクト層１９の上面にN
i/Auよりなるp側電極２４を形成する。さらに、発光素
子の共振器をへき開により形成し、その後、へき開した
共振器の片端面に反射率が９０％のSiO2及び二酸化チタ
ン（TiO2）よりなる高反射コートを施す。また、共振器
長は７５０mm程度とした。
【００３０】第１の実施形態は、レーザ素子特性に以下
に述べる大きな特徴を有している。
に述べる大きな特徴を有している。
【００３１】本実施形態により作製したレーザ素子は、
多重量子井戸活性層１５を挟む第１の光ガイド層１４と
第２の光ガイド層１７との膜厚が非対称であり、第２の
光ガイド層１７の方が膜厚が厚い構造になっている。こ
のため、電流注入により活性層１５から発生した光の強
度分布は、第２の光ガイド層１７側にピークをもつ形で
導波することになる。この様子を図２に示す。また、こ
のように光強度分布のピークをｐ側に移行することによ
り、ｎ型コンタクト層１２への光の漏れを抑制すること
ができ、しきい値電流の低減に寄与する。このような非
対称光ガイド構造を有するレーザ素子に室温で直流電流
を流すと連続発振に到り、しきい値電流は４０mA、スロ
ープ効率は1W/Aになった。この電流―光出力特性を図３
に示す。
多重量子井戸活性層１５を挟む第１の光ガイド層１４と
第２の光ガイド層１７との膜厚が非対称であり、第２の
光ガイド層１７の方が膜厚が厚い構造になっている。こ
のため、電流注入により活性層１５から発生した光の強
度分布は、第２の光ガイド層１７側にピークをもつ形で
導波することになる。この様子を図２に示す。また、こ
のように光強度分布のピークをｐ側に移行することによ
り、ｎ型コンタクト層１２への光の漏れを抑制すること
ができ、しきい値電流の低減に寄与する。このような非
対称光ガイド構造を有するレーザ素子に室温で直流電流
を流すと連続発振に到り、しきい値電流は４０mA、スロ
ープ効率は1W/Aになった。この電流―光出力特性を図３
に示す。
【００３２】さらに、このレーザ素子を室温において光
出力３０mWの一定光出力寿命試験をおこなった。図４に
結果を示すが、試験開始初期から４００時間後において
も動作電流は非常に安定していることがわかる。
出力３０mWの一定光出力寿命試験をおこなった。図４に
結果を示すが、試験開始初期から４００時間後において
も動作電流は非常に安定していることがわかる。
【００３３】一方、比較試料として、図１のレーザ構造
において、第１の光ガイド層１４および第２の光ガイド
層１７の膜厚をともに約１００nmに設計したレーザ素子
も試作した。この試作したレーザ構造の断面図を図５に
示す。このレーザ素子も室温連続発振に到り、しきい値
電流は４５mA、スロープ効率は1W/Aであった。この電流
―光出力特性を図６に示す。このレーザ素子のように、
第１の光ガイド層１４と第２の光ガイド層１７が同じ膜
厚であった場合でも、活性層１５の上にあるp型 AlGaN
キャップ層１６により、光の強度分布は活性層１５より
も第１の光ガイド層１４側でピークをもつ非対称光ガイ
ド構造となる。しかしながら、図１の素子よりは活性層
近傍に光強度分布のピークが存在するために注入キャリ
アと光の相互作用が増大するが、ｎ型コンタクト層１２
に光漏れが発生するため、この試作レーザ素子のしきい
値電流は５mA程度高くなっている。次に、このレーザ素
子を室温においても光出力３０mWの一定光出力寿命試験
をおこなった。図７に結果を示すが、試験開始直後から
劣化が始まり２００時間後ですでに初期電流の２倍に達
していることがわかる。
において、第１の光ガイド層１４および第２の光ガイド
層１７の膜厚をともに約１００nmに設計したレーザ素子
も試作した。この試作したレーザ構造の断面図を図５に
示す。このレーザ素子も室温連続発振に到り、しきい値
電流は４５mA、スロープ効率は1W/Aであった。この電流
―光出力特性を図６に示す。このレーザ素子のように、
第１の光ガイド層１４と第２の光ガイド層１７が同じ膜
厚であった場合でも、活性層１５の上にあるp型 AlGaN
キャップ層１６により、光の強度分布は活性層１５より
も第１の光ガイド層１４側でピークをもつ非対称光ガイ
ド構造となる。しかしながら、図１の素子よりは活性層
近傍に光強度分布のピークが存在するために注入キャリ
アと光の相互作用が増大するが、ｎ型コンタクト層１２
に光漏れが発生するため、この試作レーザ素子のしきい
値電流は５mA程度高くなっている。次に、このレーザ素
子を室温においても光出力３０mWの一定光出力寿命試験
をおこなった。図７に結果を示すが、試験開始直後から
劣化が始まり２００時間後ですでに初期電流の２倍に達
していることがわかる。
【００３４】図４および図７の信頼性試験の結果から、
GaN系レーザの劣化にはInGaN活性層の光密度が大きく影
響しており、非対称光ガイド構造にすることによりInGa
N活性層の光密度を低減でき、InGaN活性層の結晶性劣化
を抑制することができる。このため、高出力GaN系レー
ザの長寿命化には、光強度分布をｐ側に移行した非対称
光ガイド構造が必須であることになる。
GaN系レーザの劣化にはInGaN活性層の光密度が大きく影
響しており、非対称光ガイド構造にすることによりInGa
N活性層の光密度を低減でき、InGaN活性層の結晶性劣化
を抑制することができる。このため、高出力GaN系レー
ザの長寿命化には、光強度分布をｐ側に移行した非対称
光ガイド構造が必須であることになる。
【００３５】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。本実施
形態は、GaN系レーザ素子において、GaN系レーザ素子に
おいて、高光出力動作時に実用に耐えうる信頼性を実現
することを目的とする。
実施形態について図面を参照しながら説明する。本実施
形態は、GaN系レーザ素子において、GaN系レーザ素子に
おいて、高光出力動作時に実用に耐えうる信頼性を実現
することを目的とする。
【００３６】以下、本発明の第２の実施形態による半導
体発光装置の詳細について図面を参照しながら説明す
る。
体発光装置の詳細について図面を参照しながら説明す
る。
【００３７】図８は本実施形態に係る半導体発光装置の
断面構成を示している。以下に作製工程を順に示す。ま
ず、２インチサイズのサファイアよりなる基板５１の表
面を酸溶液を用いて洗浄を行なう。その後、洗浄した基
板５１をMOVPE装置（図示せず）の反応炉内のサセプタ
ーに保持し、反応炉を真空排気する。続いて、反応炉内
を圧力が３００Torrの水素雰囲気とし、温度を約１１０
０℃にまで昇温して基板５１を加熱し表面のサーマルク
リーニングを約１０分間行なう。
断面構成を示している。以下に作製工程を順に示す。ま
ず、２インチサイズのサファイアよりなる基板５１の表
面を酸溶液を用いて洗浄を行なう。その後、洗浄した基
板５１をMOVPE装置（図示せず）の反応炉内のサセプタ
ーに保持し、反応炉を真空排気する。続いて、反応炉内
を圧力が３００Torrの水素雰囲気とし、温度を約１１０
０℃にまで昇温して基板５１を加熱し表面のサーマルク
リーニングを約１０分間行なう。
【００３８】次に、反応炉を約５００℃にまで降温した
後、基板５１上に、供給量２５mmol/minのトリメチルガ
リウム（TMG）と、供給量が７.５L/minのアンモニア（N
H3）ガスと、キャリアガスとして水素とを同時に供給す
ることにより、厚さが約２０nmのGaNよりなる低温バッ
ファ層を成長させる。この時、V族原料とIII族原料の供
給比は６５００である。続いて、反応炉を約１０００℃
にまで昇温し、ｎ型ドーパントとしてシラン（SiH4）ガ
スも供給して、厚さが約４mm でSi不純物濃度が約1×10
18cm-3のｎ型GaNよりなるｎ型コンタクト層５２を成長
させる。次に、トリメチルアルミニウム（TMA）も供給
しながら、厚さが約0.7mmでSi不純物濃度が5×1017cm-3
のｎ型Al0.07Ga0.93Nよりなるｎ型クラッド層５３を成
長させる。続いて、厚さが約１００nmでSi不純物濃度が
約1×1018cm-3のn型Al0.04Ga0.96Nよりなる第１の光ガ
イド層５４を成長させた後、温度を約８００℃にまで降
温し、キャリアガスを水素から窒素に変更して、トリメ
チルインジウム（TMI）とTMGを供給して厚さが約３nmの
In0.1Ga0.9Nよりなる歪量子井戸（３層）と厚さが約９n
mのGaNバリア層（２層）からなる多重量子井戸活性層５
５を成長させる。その後、再び反応炉内の温度を約１０
００℃にまで昇温しキャリアガスを窒素から水素に戻し
て、p型ドーパントであるビスシクロペンタジエニルマ
グネシウム（Cp2Mg）ガスを供給しながら、厚さが約２
０nmでMg不純物濃度が5×1017cm-3のp型Al0.15Ga0.85N
よりなるキャップ層５６を成長させる。次に、厚さが約
１００nmでMg不純物濃度が1×1018cm-3のp型 GaNよりな
る第２の光ガイド層５７を成長させる。続いて、厚さが
約0.7mmでMg不純物濃度が5×1017cm-3のｐ型Al0.07Ga0.
93Nよりなるｐ型クラッド層５８を成長させる。次に、
厚さが約0.1mmでMg不純物濃度が1×1018cm-3のp型GaNよ
りなるｐ型コンタクト層５９を成長させる。
後、基板５１上に、供給量２５mmol/minのトリメチルガ
リウム（TMG）と、供給量が７.５L/minのアンモニア（N
H3）ガスと、キャリアガスとして水素とを同時に供給す
ることにより、厚さが約２０nmのGaNよりなる低温バッ
ファ層を成長させる。この時、V族原料とIII族原料の供
給比は６５００である。続いて、反応炉を約１０００℃
にまで昇温し、ｎ型ドーパントとしてシラン（SiH4）ガ
スも供給して、厚さが約４mm でSi不純物濃度が約1×10
18cm-3のｎ型GaNよりなるｎ型コンタクト層５２を成長
させる。次に、トリメチルアルミニウム（TMA）も供給
しながら、厚さが約0.7mmでSi不純物濃度が5×1017cm-3
のｎ型Al0.07Ga0.93Nよりなるｎ型クラッド層５３を成
長させる。続いて、厚さが約１００nmでSi不純物濃度が
約1×1018cm-3のn型Al0.04Ga0.96Nよりなる第１の光ガ
イド層５４を成長させた後、温度を約８００℃にまで降
温し、キャリアガスを水素から窒素に変更して、トリメ
チルインジウム（TMI）とTMGを供給して厚さが約３nmの
In0.1Ga0.9Nよりなる歪量子井戸（３層）と厚さが約９n
mのGaNバリア層（２層）からなる多重量子井戸活性層５
５を成長させる。その後、再び反応炉内の温度を約１０
００℃にまで昇温しキャリアガスを窒素から水素に戻し
て、p型ドーパントであるビスシクロペンタジエニルマ
グネシウム（Cp2Mg）ガスを供給しながら、厚さが約２
０nmでMg不純物濃度が5×1017cm-3のp型Al0.15Ga0.85N
よりなるキャップ層５６を成長させる。次に、厚さが約
１００nmでMg不純物濃度が1×1018cm-3のp型 GaNよりな
る第２の光ガイド層５７を成長させる。続いて、厚さが
約0.7mmでMg不純物濃度が5×1017cm-3のｐ型Al0.07Ga0.
93Nよりなるｐ型クラッド層５８を成長させる。次に、
厚さが約0.1mmでMg不純物濃度が1×1018cm-3のp型GaNよ
りなるｐ型コンタクト層５９を成長させる。
【００３９】その後のレーザ素子構造の作製手順は前記
の第１の実施形態と同様である。
の第１の実施形態と同様である。
【００４０】第２の実施形態は、レーザ素子特性に以下
に述べる大きな特徴を有している。
に述べる大きな特徴を有している。
【００４１】本実施形態により作製したレーザ素子は、
多重量子井戸活性層５５を挟む第１の光ガイド層５４と
第２の光ガイド層５７との屈折率が非対称であり、第２
の光ガイド層５７の方が屈折率が高い構造になってい
る。このため、電流注入により活性層５５から発生した
光の強度分布は、第２の光ガイド層５７側にピークをも
つ形で導波することになる。この様子を図９に示す。ま
た、このように光強度分布のピークをｐ側に移行するこ
とにより、ｎ型コンタクト層５２への光の漏れを抑制す
ることができ、しきい値電流の低減に寄与する。このよ
うな非対称光ガイド構造を有するレーザ素子に室温で直
流電流を流すと連続発振に到り、しきい値電流は４０m
A、スロープ効率は1W/Aになった。この電流―光出力特
性を図１０に示す。さらに、このレーザ素子を室温にお
いて光出力３０mWの一定光出力寿命試験をおこなった。
図１１に結果を示すが、試験開始初期から４００時間後
においても動作電流は非常に安定していることがわか
る。
多重量子井戸活性層５５を挟む第１の光ガイド層５４と
第２の光ガイド層５７との屈折率が非対称であり、第２
の光ガイド層５７の方が屈折率が高い構造になってい
る。このため、電流注入により活性層５５から発生した
光の強度分布は、第２の光ガイド層５７側にピークをも
つ形で導波することになる。この様子を図９に示す。ま
た、このように光強度分布のピークをｐ側に移行するこ
とにより、ｎ型コンタクト層５２への光の漏れを抑制す
ることができ、しきい値電流の低減に寄与する。このよ
うな非対称光ガイド構造を有するレーザ素子に室温で直
流電流を流すと連続発振に到り、しきい値電流は４０m
A、スロープ効率は1W/Aになった。この電流―光出力特
性を図１０に示す。さらに、このレーザ素子を室温にお
いて光出力３０mWの一定光出力寿命試験をおこなった。
図１１に結果を示すが、試験開始初期から４００時間後
においても動作電流は非常に安定していることがわか
る。
【００４２】一方、比較試料として、図８のレーザ構造
において、第１の光ガイド層５４および第２の光ガイド
層５７のをともにGaNとして屈折率を同じに設計したレ
ーザ素子も試作した（図５）。このレーザ素子も室温連
続発振に到り、しきい値電流は４５mA、スロープ効率は
1W/Aであった。この電流―光出力特性を図６に示す。こ
のレーザ素子のように、第１の光ガイド層５４と第２の
光ガイド層５７が同じ屈折率であった場合でも、活性層
５５の上にあるp型 AlGaNキャップ層５６により、光の
強度分布は活性層５５よりも第１の光ガイド層５４側で
ピークをもつ非対称光ガイド構造となる。しかしなが
ら、図８の素子よりは活性層近傍に光強度分布のピーク
が存在するために注入キャリアと光の相互作用が増大す
るが、ｎ型コンタクト層５２に光漏れが発生するため、
この試作レーザ素子のしきい値電流は５mA程度高くなっ
ている。次に、このレーザ素子を室温においても光出力
３０mWの一定光出力寿命試験をおこなった。図７に結果
を示すが、試験開始直後から劣化が始まり２００時間後
ですでに初期電流の２倍に達していることがわかる。
において、第１の光ガイド層５４および第２の光ガイド
層５７のをともにGaNとして屈折率を同じに設計したレ
ーザ素子も試作した（図５）。このレーザ素子も室温連
続発振に到り、しきい値電流は４５mA、スロープ効率は
1W/Aであった。この電流―光出力特性を図６に示す。こ
のレーザ素子のように、第１の光ガイド層５４と第２の
光ガイド層５７が同じ屈折率であった場合でも、活性層
５５の上にあるp型 AlGaNキャップ層５６により、光の
強度分布は活性層５５よりも第１の光ガイド層５４側で
ピークをもつ非対称光ガイド構造となる。しかしなが
ら、図８の素子よりは活性層近傍に光強度分布のピーク
が存在するために注入キャリアと光の相互作用が増大す
るが、ｎ型コンタクト層５２に光漏れが発生するため、
この試作レーザ素子のしきい値電流は５mA程度高くなっ
ている。次に、このレーザ素子を室温においても光出力
３０mWの一定光出力寿命試験をおこなった。図７に結果
を示すが、試験開始直後から劣化が始まり２００時間後
ですでに初期電流の２倍に達していることがわかる。
【００４３】図７および図１１の信頼性試験の結果か
ら、GaN系レーザの劣化にはInGaN活性層の光密度が大き
く影響しており、非対称光ガイド構造にすることにより
InGaN活性層の光密度を低減でき、InGaN活性層の結晶性
劣化を抑制することができる。このため、高出力GaN系
レーザの長寿命化には、光強度分布をｐ側に移行した非
対称光ガイド構造が必須であることになる。
ら、GaN系レーザの劣化にはInGaN活性層の光密度が大き
く影響しており、非対称光ガイド構造にすることにより
InGaN活性層の光密度を低減でき、InGaN活性層の結晶性
劣化を抑制することができる。このため、高出力GaN系
レーザの長寿命化には、光強度分布をｐ側に移行した非
対称光ガイド構造が必須であることになる。
【００４４】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について図１２を参照しながら説明する。本実
施形態は、GaN系レーザ素子において、高光出力動作時
に実用に耐えうる信頼性を実現することを目的とする。
実施形態について図１２を参照しながら説明する。本実
施形態は、GaN系レーザ素子において、高光出力動作時
に実用に耐えうる信頼性を実現することを目的とする。
【００４５】以下、本発明の第３の実施形態による半導
体の製造方法の詳細について断面構造図（図１２）を参
照しながら説明する。
体の製造方法の詳細について断面構造図（図１２）を参
照しながら説明する。
【００４６】まず、２インチサイズのサファイアよりな
る基板３１の表面を酸溶液を用いて洗浄を行なう。その
後、洗浄した基板３１をMOVPE装置（図示せず）の反応
炉内のサセプターに保持し、反応炉を真空排気する。続
いて、反応炉内を圧力が３００Torrの水素雰囲気とし、
温度を約１１００℃にまで昇温して基板３１を加熱し表
面のサーマルクリーニングを約１０分間行なう。
る基板３１の表面を酸溶液を用いて洗浄を行なう。その
後、洗浄した基板３１をMOVPE装置（図示せず）の反応
炉内のサセプターに保持し、反応炉を真空排気する。続
いて、反応炉内を圧力が３００Torrの水素雰囲気とし、
温度を約１１００℃にまで昇温して基板３１を加熱し表
面のサーマルクリーニングを約１０分間行なう。
【００４７】次に、反応炉を約５００℃にまで降温した
後、基板３１上に、供給量２５mmol/minのトリメチルガ
リウム（TMG）と、供給量が７.５L/minのアンモニア（N
H3）ガスと、キャリアガスとして水素とを同時に供給す
ることにより、厚さが約２０nmのGaNよりなる低温バッ
ファ層を成長させる。この時、V族原料とIII族原料の供
給比は６５００である。続いて、反応炉を約１０００℃
にまで昇温し、ｎ型ドーパントとしてシラン（SiH4）ガ
スも供給して、厚さが約４mm でSi不純物濃度が約1×10
18cm-3のｎ型GaNよりなるｎ型コンタクト層３２を成長
させる。次に、トリメチルアルミニウム（TMA）も供給
しながら、厚さが約0.7mmでSi不純物濃度が5×1017cm-3
のｎ型Al0.07Ga0.93Nよりなるｎ型クラッド層３３を成
長させる。続いて、厚さが約１００nmでSi不純物濃度が
約1×1018cm-3のn型GaNよりなる第１の光ガイド層３４
を成長させた後、温度を約８００℃にまで降温し、キャ
リアガスを水素から窒素に変更して、トリメチルインジ
ウム（TMI）とTMGを供給して厚さが約３nmのIn0.1Ga0.9
Nよりなる歪量子井戸（３層）と厚さが約９nmのGaNバリ
ア層（２層）からなる多重量子井戸活性層３５を成長さ
せる。その後、再び反応炉内の温度を約１０００℃にま
で昇温しキャリアガスを窒素から水素に戻して、p型ド
ーパントであるビスシクロペンタジエニルマグネシウム
（Cp2Mg）ガスを供給しながら、厚さが約２０nmでMg不
純物濃度が5×1017cm-3のp型Al0.15Ga0.85N よりなるキ
ャップ層３６を成長させる。次に、再び温度を約８２０
℃にまで降温し、キャリアガスを水素から窒素に変更し
て、TMIとTMGを供給して厚さが約３nmのIn0.03Ga0.97N
よりなる歪量子井戸（１０層）と厚さが約７nmのGaNバ
リア層（１０層）からなる超格子光ガイド層３７を成長
させる。その後、再び反応炉内の温度を約１０００℃に
まで昇温しキャリアガスを窒素から水素に戻して、Cp2M
gを供給しながら厚さが約７００nmでMg不純物濃度が5×
1017cm-3のｐ型Al0.07Ga 0.93Nよりなるｐ型クラッド層
３８を成長させる。次に、厚さが約0.1mmでMg不純物濃
度が1×1018cm-3のp型GaNよりなるｐ型コンタクト層３
９を成長させる。
後、基板３１上に、供給量２５mmol/minのトリメチルガ
リウム（TMG）と、供給量が７.５L/minのアンモニア（N
H3）ガスと、キャリアガスとして水素とを同時に供給す
ることにより、厚さが約２０nmのGaNよりなる低温バッ
ファ層を成長させる。この時、V族原料とIII族原料の供
給比は６５００である。続いて、反応炉を約１０００℃
にまで昇温し、ｎ型ドーパントとしてシラン（SiH4）ガ
スも供給して、厚さが約４mm でSi不純物濃度が約1×10
18cm-3のｎ型GaNよりなるｎ型コンタクト層３２を成長
させる。次に、トリメチルアルミニウム（TMA）も供給
しながら、厚さが約0.7mmでSi不純物濃度が5×1017cm-3
のｎ型Al0.07Ga0.93Nよりなるｎ型クラッド層３３を成
長させる。続いて、厚さが約１００nmでSi不純物濃度が
約1×1018cm-3のn型GaNよりなる第１の光ガイド層３４
を成長させた後、温度を約８００℃にまで降温し、キャ
リアガスを水素から窒素に変更して、トリメチルインジ
ウム（TMI）とTMGを供給して厚さが約３nmのIn0.1Ga0.9
Nよりなる歪量子井戸（３層）と厚さが約９nmのGaNバリ
ア層（２層）からなる多重量子井戸活性層３５を成長さ
せる。その後、再び反応炉内の温度を約１０００℃にま
で昇温しキャリアガスを窒素から水素に戻して、p型ド
ーパントであるビスシクロペンタジエニルマグネシウム
（Cp2Mg）ガスを供給しながら、厚さが約２０nmでMg不
純物濃度が5×1017cm-3のp型Al0.15Ga0.85N よりなるキ
ャップ層３６を成長させる。次に、再び温度を約８２０
℃にまで降温し、キャリアガスを水素から窒素に変更し
て、TMIとTMGを供給して厚さが約３nmのIn0.03Ga0.97N
よりなる歪量子井戸（１０層）と厚さが約７nmのGaNバ
リア層（１０層）からなる超格子光ガイド層３７を成長
させる。その後、再び反応炉内の温度を約１０００℃に
まで昇温しキャリアガスを窒素から水素に戻して、Cp2M
gを供給しながら厚さが約７００nmでMg不純物濃度が5×
1017cm-3のｐ型Al0.07Ga 0.93Nよりなるｐ型クラッド層
３８を成長させる。次に、厚さが約0.1mmでMg不純物濃
度が1×1018cm-3のp型GaNよりなるｐ型コンタクト層３
９を成長させる。
【００４８】その後のレーザ素子構造の作製手順は前記
の第１の実施形態と同様である。
の第１の実施形態と同様である。
【００４９】第３の実施形態は、レーザ素子特性に以下
に述べる大きな特徴を有している。
に述べる大きな特徴を有している。
【００５０】本実施形態により作製したレーザ素子は、
多重量子井戸活性層３５を挟む第１の光ガイド層３４と
第２の光ガイド層３７との屈折率が非対称であり、第２
の光ガイド層３７の方が屈折率が高い構造になってい
る。また、第２の光ガイド層３７を温度を低下させて成
長させることにより、活性層３５が高温にさらされる時
間が短くなり、相分離等の結晶性悪化が抑制される利点
がある。また、第２の光ガイド層３７を超格子構造とす
る理由は、InGaNのバルク構造ではピットが発生し光導
波の散乱やMgの異常拡散が起こり、しきい値電流が増加
するためである。
多重量子井戸活性層３５を挟む第１の光ガイド層３４と
第２の光ガイド層３７との屈折率が非対称であり、第２
の光ガイド層３７の方が屈折率が高い構造になってい
る。また、第２の光ガイド層３７を温度を低下させて成
長させることにより、活性層３５が高温にさらされる時
間が短くなり、相分離等の結晶性悪化が抑制される利点
がある。また、第２の光ガイド層３７を超格子構造とす
る理由は、InGaNのバルク構造ではピットが発生し光導
波の散乱やMgの異常拡散が起こり、しきい値電流が増加
するためである。
【００５１】この構造（図１２）を有するレーザにおい
て、電流注入により活性層３５から発生した光の強度分
布は、第２の光ガイド層３７側にピークをもつ形で導波
することになる。この様子を図１３に示す。また、この
ように光強度分布のピークをｐ側に移行することによ
り、ｎ型コンタクト層３２への光の漏れを抑制すること
ができ、しきい値電流の低減に寄与する。このような非
対称光ガイド構造を有するレーザ素子に室温で直流電流
を流すと連続発振に到り、しきい値電流は４０mA、スロ
ープ効率は1W/Aになった。この電流―光出力特性を図１
４に示す。さらに、このレーザ素子を室温において光出
力３０mWの一定光出力寿命試験をおこなった。図１５に
結果を示すが、試験開始初期から４００時間後において
も動作電流は非常に安定していることがわかる。
て、電流注入により活性層３５から発生した光の強度分
布は、第２の光ガイド層３７側にピークをもつ形で導波
することになる。この様子を図１３に示す。また、この
ように光強度分布のピークをｐ側に移行することによ
り、ｎ型コンタクト層３２への光の漏れを抑制すること
ができ、しきい値電流の低減に寄与する。このような非
対称光ガイド構造を有するレーザ素子に室温で直流電流
を流すと連続発振に到り、しきい値電流は４０mA、スロ
ープ効率は1W/Aになった。この電流―光出力特性を図１
４に示す。さらに、このレーザ素子を室温において光出
力３０mWの一定光出力寿命試験をおこなった。図１５に
結果を示すが、試験開始初期から４００時間後において
も動作電流は非常に安定していることがわかる。
【００５２】一方、比較試料として、図１２のレーザ構
造において、第１の光ガイド層３４および第２の光ガイ
ド層３７のをともにGaNとして屈折率を同じに設計した
レーザ素子も試作した（図５）。このレーザ素子も室温
連続発振に到り、しきい値電流は４５mA、スロープ効率
は1W/Aであった。この電流―光出力特性を図６に示す。
このレーザ素子のように、第１の光ガイド層２４と第２
の光ガイド層２７が同じ屈折率であった場合でも、活性
層３５の上にあるp型 AlGaNキャップ層３６により、光
の強度分布は活性層３５よりも第１の光ガイド層３４側
でピークをもつ非対称光ガイド構造となる。しかしなが
ら、図１２の素子よりは活性層近傍に光強度分布のピー
クが存在するために注入キャリアと光の相互作用が増大
するが、ｎ型コンタクト層３２に光漏れが発生するた
め、この試作レーザ素子のしきい値電流は５mA程度高く
なっている。次に、このレーザ素子を室温においても光
出力３０mWの一定光出力寿命試験をおこなった。図７に
結果を示すが、試験開始直後から劣化が始まり２００時
間後ですでに初期電流の２倍に達していることがわか
る。
造において、第１の光ガイド層３４および第２の光ガイ
ド層３７のをともにGaNとして屈折率を同じに設計した
レーザ素子も試作した（図５）。このレーザ素子も室温
連続発振に到り、しきい値電流は４５mA、スロープ効率
は1W/Aであった。この電流―光出力特性を図６に示す。
このレーザ素子のように、第１の光ガイド層２４と第２
の光ガイド層２７が同じ屈折率であった場合でも、活性
層３５の上にあるp型 AlGaNキャップ層３６により、光
の強度分布は活性層３５よりも第１の光ガイド層３４側
でピークをもつ非対称光ガイド構造となる。しかしなが
ら、図１２の素子よりは活性層近傍に光強度分布のピー
クが存在するために注入キャリアと光の相互作用が増大
するが、ｎ型コンタクト層３２に光漏れが発生するた
め、この試作レーザ素子のしきい値電流は５mA程度高く
なっている。次に、このレーザ素子を室温においても光
出力３０mWの一定光出力寿命試験をおこなった。図７に
結果を示すが、試験開始直後から劣化が始まり２００時
間後ですでに初期電流の２倍に達していることがわか
る。
【００５３】図７および図１５の信頼性試験の結果か
ら、GaN系レーザの劣化にはInGaN活性層の光密度が大き
く影響しており、非対称光ガイド構造にすることにより
InGaN活性層の光密度を低減でき、InGaN活性層の結晶性
劣化を抑制することができる。このため、高出力GaN系
レーザの長寿命化には、光強度分布をｐ側に移行した非
対称光ガイド構造が必須であることになる。
ら、GaN系レーザの劣化にはInGaN活性層の光密度が大き
く影響しており、非対称光ガイド構造にすることにより
InGaN活性層の光密度を低減でき、InGaN活性層の結晶性
劣化を抑制することができる。このため、高出力GaN系
レーザの長寿命化には、光強度分布をｐ側に移行した非
対称光ガイド構造が必須であることになる。
【００５４】
【発明の効果】本発明に係る第１の半導体発光装置は、
前記の目的を達成し、活性層の位置と光強度分布が最大
となる位置が異なることを特徴とする。
前記の目的を達成し、活性層の位置と光強度分布が最大
となる位置が異なることを特徴とする。
【００５５】第１の半導体発光装置によると、光強度分
布の最大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学
的劣化を抑制することが可能になる。
布の最大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学
的劣化を抑制することが可能になる。
【００５６】第２の半導体の製造方法によると、光ガイ
ド層の膜厚が互いに異なることにより、光強度分布の最
大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学的劣化
を抑制することが可能になる。
ド層の膜厚が互いに異なることにより、光強度分布の最
大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学的劣化
を抑制することが可能になる。
【００５７】本発明に係る第３の半導体発光装置は、前
記の目的を達成し、半導体発光装置を積層する基板から
離れた方の光ガイド層の膜厚が他方の光ガイド層よりも
厚いために、光強度分布の最大位置が基板から離れた方
の光ガイド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき且
つ活性層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
記の目的を達成し、半導体発光装置を積層する基板から
離れた方の光ガイド層の膜厚が他方の光ガイド層よりも
厚いために、光強度分布の最大位置が基板から離れた方
の光ガイド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき且
つ活性層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
【００５８】第４の半導体発光装置によると、光ガイド
層の屈折率が互いに異なることにより、光強度分布の最
大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学的劣化
を抑制することが可能になる。
層の屈折率が互いに異なることにより、光強度分布の最
大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学的劣化
を抑制することが可能になる。
【００５９】本発明に係る第５の半導体発光装置は、前
記の目的を達成し、半導体発光装置を積層する基板から
離れた方の光ガイド層の屈折率が他方の光ガイド層より
も高いために、光強度分布の最大位置が基板から離れた
方の光ガイド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき
且つ活性層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
記の目的を達成し、半導体発光装置を積層する基板から
離れた方の光ガイド層の屈折率が他方の光ガイド層より
も高いために、光強度分布の最大位置が基板から離れた
方の光ガイド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき
且つ活性層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
【００６０】第６の半導体発光装置によると、前記第５
の半導体発光装置において、半導体発光装置を積層する
基板に近い方の光ガイド層が少なくともAl原子を含む窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構成されており、他
方の光ガイド層よりも屈折率が低いために、光強度分布
の最大位置が基板から離れた方の光ガイド層に移行し、
基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的劣化を
抑制することが可能になる。
の半導体発光装置において、半導体発光装置を積層する
基板に近い方の光ガイド層が少なくともAl原子を含む窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構成されており、他
方の光ガイド層よりも屈折率が低いために、光強度分布
の最大位置が基板から離れた方の光ガイド層に移行し、
基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的劣化を
抑制することが可能になる。
【００６１】本発明に係る第７の半導体発光装置による
と、前記第５の半導体発光装置において、半導体発光装
置を積層する基板から離れた方の光ガイド層が少なくと
もIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構
成されており、他方の光ガイド層よりも屈折率が高いた
めに、光強度分布の最大位置が基板から離れた方の光ガ
イド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性
層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
と、前記第５の半導体発光装置において、半導体発光装
置を積層する基板から離れた方の光ガイド層が少なくと
もIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構
成されており、他方の光ガイド層よりも屈折率が高いた
めに、光強度分布の最大位置が基板から離れた方の光ガ
イド層に移行し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性
層の光学的劣化を抑制することが可能になる。
【００６２】第８の半導体発光装置は、前記の目的を達
成し、前記第７の半導体製造方法において、半導体発光
装置を積層する基板から離れた方の光ガイド層が少なく
ともIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で
構成されており、且つそのIn組成が活性層に含まれるIn
組成よりも少ないことを特徴とする。この場合、活性層
から放射されたレーザ光は前記光ガイド層で吸収される
ことなく、光強度分布の最大位置が前記光ガイド層に移
行し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的
劣化を抑制することが可能になる。
成し、前記第７の半導体製造方法において、半導体発光
装置を積層する基板から離れた方の光ガイド層が少なく
ともIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で
構成されており、且つそのIn組成が活性層に含まれるIn
組成よりも少ないことを特徴とする。この場合、活性層
から放射されたレーザ光は前記光ガイド層で吸収される
ことなく、光強度分布の最大位置が前記光ガイド層に移
行し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的
劣化を抑制することが可能になる。
【００６３】本発明に係る第９の半導体発光装置による
と、前記第７および第８の半導体発光装置において、半
導体発光装置を積層する基板から離れた方の光ガイド層
が少なくともIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体で構成されており、且つInGaN薄膜とGaN薄膜の超
格子構造となっていることを特徴とする。この場合、前
記光ガイド層でピット発生による光導波の散乱やMgの異
常拡散が抑制され、しきい値電流の増加が抑制される。
また、光強度分布の最大位置が前記光ガイド層に移行
し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的劣
化を抑制することが可能になる。
と、前記第７および第８の半導体発光装置において、半
導体発光装置を積層する基板から離れた方の光ガイド層
が少なくともIn原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体で構成されており、且つInGaN薄膜とGaN薄膜の超
格子構造となっていることを特徴とする。この場合、前
記光ガイド層でピット発生による光導波の散乱やMgの異
常拡散が抑制され、しきい値電流の増加が抑制される。
また、光強度分布の最大位置が前記光ガイド層に移行
し、基板側への光漏れを抑制でき且つ活性層の光学的劣
化を抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置
の製造方法を示す工程順の構成断面図
の製造方法を示す工程順の構成断面図
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置
の活性層付近の屈折率分布と光強度分布を示す図
の活性層付近の屈折率分布と光強度分布を示す図
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置
の電流―光出力特性を示す図
の電流―光出力特性を示す図
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置
の一定光出力寿命試験結果を示す図
の一定光出力寿命試験結果を示す図
【図５】従来の半導体発光装置の活性層付近の屈折率分
布と光強度分布を示す図
布と光強度分布を示す図
【図６】従来の半導体発光装置の電流―光出力特性を示
す図
す図
【図７】従来の半導体発光装置の一定光出力寿命試験結
果を示す図
果を示す図
【図８】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置
の構成断面図
の構成断面図
【図９】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置
の活性層付近の屈折率分布と光強度分布を示す図
の活性層付近の屈折率分布と光強度分布を示す図
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装
置の電流―光出力特性を示す図
置の電流―光出力特性を示す図
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装
置の一定光出力寿命試験結果を示す図
置の一定光出力寿命試験結果を示す図
【図１２】本発明の第３の実施形態に係る半導体発光装
置の構成断面図
置の構成断面図
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る半導体発光装
置の活性層付近の屈折率分布と光強度分布を示す図
置の活性層付近の屈折率分布と光強度分布を示す図
【図１４】本発明の第３の実施形態に係る半導体発光装
置の電流―光出力特性を示す図
置の電流―光出力特性を示す図
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る半導体発光装
置の一定光出力寿命試験結果を示す図
置の一定光出力寿命試験結果を示す図
１１ サファイア基板 １２ ｎ型GaNコンタクト層 １３ ｎ型AlGaNクラッド層 １４ ｎ型GaN光ガイド層 １５ InGaN/GaN多重量子井戸活性層 １６ ｐ型AlGaNキャップ層 １７ ｐ型GaN光ガイド層 １８ ｐ型AlGaN第１クラッド層 １９ ｐ型AlGaNエッチング停止層 ２０ p型AlGaN第２クラッド層 ２１ p型GaNコンタクト層 ２２ SiO2酸化膜 ２３ レジスト膜 ２４ SiO2酸化膜 ２５ レジスト膜 ２６ ｎ側電極 ２７ ｐ側電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 AA04 AB14 AB17 AC08 AC12 AD09 AD14 AF09 BB04 BB16 CA12 DA53 DA55 DA64 5F073 AA04 AA74 AA83 CA07 CB05 CB10 CB22 DA05 DA32 EA24 EA28
Claims (9)
- 【請求項１】 Ｉｎ原子を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体を活性層とする半導体発光装置であって、光
を発する前記活性層の位置と光強度分布が最大となる位
置が異なることを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体で構成される半導体発光装置。 - 【請求項２】 活性層となるＩｎ原子を含む窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半体の上および下に前記In原子を含む
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりも小さな屈折率
を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を光ガイド
層として積層し、この光ガイド層の膜厚が互いに異なる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】 活性層となるＩｎ原子を含む窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の上および下に前記In原子を含
む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりも小さな屈折
率を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を光ガイ
ド層として積層し、半導体発光装置を積層する基板から
離れた方の光ガイド層の膜厚が他方の光ガイド層よりも
厚いことを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装
置。 - 【請求項４】 活性層となるＩｎ原子を含む窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の上および下に前記In原子を含
む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりも小さな屈折
率を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を光ガイ
ド層として積層し、この光ガイド層の屈折率が互いに異
なることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装
置。 - 【請求項５】 活性層となるＩｎ原子を含む窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の上および下に前記In原子を含
む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりも小さな屈折
率を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を光ガイ
ド層として積層し、半導体発光装置を積層する基板から
離れた方の光ガイド層の屈折率が他方の光ガイド層より
も高いことを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装
置。 - 【請求項６】 半導体発光装置を積層する基板に近い方
の光ガイド層が少なくともAl原子を含む窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体で構成されており、他方の光ガイド
層よりも屈折率が低いことを特徴とする請求項５に記載
の半導体発光装置。 - 【請求項７】 半導体発光装置を積層する基板から離れ
た方の光ガイド層が少なくともIn原子を含む窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構成されており、他方の光ガ
イド層よりも屈折率が高いことを特徴とする請求項５に
記載の半導体発光装置。 - 【請求項８】 半導体発光装置を積層する基板から離れ
た方の光ガイド層が少なくともIn原子を含む窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構成されており、且つそのIn
組成が活性層に含まれるIn組成よりも少ないことを特徴
とする請求項７に記載の半導体発光装置。 - 【請求項９】 半導体発光装置を積層する基板から離れ
た方の光ガイド層が少なくともIn原子を含む窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構成されており、且つInGaN
薄膜とGaN薄膜の超格子構造となっていることを特徴と
する請求項７または８に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001098653A JP2002299768A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001098653A JP2002299768A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299768A true JP2002299768A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18952290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001098653A Pending JP2002299768A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002299768A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6862311B2 (en) | 2003-01-30 | 2005-03-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US7088755B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-08-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-base semiconductor laser device |
| JP2007508687A (ja) * | 2003-10-11 | 2007-04-05 | インテンス リミテッド | 半導体導波路デバイスにおける出力ビーム発散の制御 |
| JP2007096171A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子 |
| US7485902B2 (en) | 2002-09-18 | 2009-02-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
| WO2015099176A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザアレイ、半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、および波長可変レーザアセンブリ |
| WO2023163230A1 (ja) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | 旭化成株式会社 | レーザダイオード |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001098653A patent/JP2002299768A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7485902B2 (en) | 2002-09-18 | 2009-02-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
| US7088755B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-08-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-base semiconductor laser device |
| US6862311B2 (en) | 2003-01-30 | 2005-03-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2007508687A (ja) * | 2003-10-11 | 2007-04-05 | インテンス リミテッド | 半導体導波路デバイスにおける出力ビーム発散の制御 |
| JP2007096171A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子 |
| JP4660333B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-03-30 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子 |
| WO2015099176A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザアレイ、半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、および波長可変レーザアセンブリ |
| US11322912B2 (en) | 2013-12-26 | 2022-05-03 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser array, semiconductor laser element, semiconductor laser module, and wavelength-variable laser assembly |
| WO2023163230A1 (ja) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | 旭化成株式会社 | レーザダイオード |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3833674B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3594826B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP4246242B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3688843B2 (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
| JP4879563B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光装置 | |
| US6690700B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
| JP2877063B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| Nakamura | InGaN multiquantum-well-structure laser diodes with GaN-AlGaN modulation-doped strained-layer superlattices | |
| JP2000261106A (ja) | 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 | |
| JP2001044497A (ja) | 窒化物半導体素子および窒化物半導体レーザ素子 | |
| JPWO2003038956A1 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2003332688A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザ | |
| JPH10294532A (ja) | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH1174621A (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| JP4854133B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 | |
| JP2001148544A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2002299768A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4426980B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2005203411A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| WO2004036708A1 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP4683730B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子とこれを含む装置 | |
| JP2009038408A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2000183466A (ja) | 化合物半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3878707B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2002314204A (ja) | ｐ型超格子構造とその作製方法、ＩＩＩ族窒化物半導体素子及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040705 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050701 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070521 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071016 |