JP2002299491A - 半導体チップ搭載基板およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体チップ搭載基板およびそれを用いた半導体装置Info
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】チップ搭載基板上にチップを搭載した半導体装
置の出荷前の信頼性試験に際してチップ搭載面の導電パ
ッドが絶縁基板から剥がれることを防止する。 【解決手段】合成樹脂を基材として用いた絶縁基板11
と、絶縁基板のチップ搭載面に形成された複数の導電パ
ッド12およびそれぞれに対応して連なるパターン配線13
と、絶縁基板の裏面に形成された複数のパターン配線14
と、絶縁基板を貫通して形成され、絶縁基板の両面に形
成されているパターン配線のうち両面で対応するパター
ン配線同士を連ねる複数のスルーホール導電体15とを具
備し、チップ搭載面に形成されている導電パッドとこの
導電パッドにチップ搭載面のパターン配線およびスルー
ホール導電体を介して連なる基板裏面のパターン配線と
は基板両面で対向し合わない位置関係となるように形成
されている。
置の出荷前の信頼性試験に際してチップ搭載面の導電パ
ッドが絶縁基板から剥がれることを防止する。 【解決手段】合成樹脂を基材として用いた絶縁基板11
と、絶縁基板のチップ搭載面に形成された複数の導電パ
ッド12およびそれぞれに対応して連なるパターン配線13
と、絶縁基板の裏面に形成された複数のパターン配線14
と、絶縁基板を貫通して形成され、絶縁基板の両面に形
成されているパターン配線のうち両面で対応するパター
ン配線同士を連ねる複数のスルーホール導電体15とを具
備し、チップ搭載面に形成されている導電パッドとこの
導電パッドにチップ搭載面のパターン配線およびスルー
ホール導電体を介して連なる基板裏面のパターン配線と
は基板両面で対向し合わない位置関係となるように形成
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ搭載
基板およびそれを用いた半導体装置に係り、特に絶縁基
板のチップ搭載面に導電パッドが形成され、基板裏面に
パターン配線が形成された半導体チップ搭載基板のパタ
ーンレイアウトおよび当該基板上に半導体チップが搭載
されてパッケージングされた半導体装置に関する。
基板およびそれを用いた半導体装置に係り、特に絶縁基
板のチップ搭載面に導電パッドが形成され、基板裏面に
パターン配線が形成された半導体チップ搭載基板のパタ
ーンレイアウトおよび当該基板上に半導体チップが搭載
されてパッケージングされた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体チップ搭載基板の
一部をチップ搭載面から見てパターンレイアウトの一例
を示す上面図である。
一部をチップ搭載面から見てパターンレイアウトの一例
を示す上面図である。
【０００３】図４において、多層（例えば二層）配線構
造を有するチップ搭載基板50は、例えば合成樹脂を基材
として用いた絶縁基板51の片面（チップ搭載面）に複数
の導電パッド（例えば銅箔）52およびそれぞれに対応し
て連なる比較的細いパターン配線（例えば銅箔）53が形
成され、基板裏面に複数の比較的太いパターン配線54が
形成されている。
造を有するチップ搭載基板50は、例えば合成樹脂を基材
として用いた絶縁基板51の片面（チップ搭載面）に複数
の導電パッド（例えば銅箔）52およびそれぞれに対応し
て連なる比較的細いパターン配線（例えば銅箔）53が形
成され、基板裏面に複数の比較的太いパターン配線54が
形成されている。
【０００４】そして、上記基板両面に形成されているパ
ターン配線53、54のうち両面で対応するパターン配線同
士を連ねるために、絶縁基板51を貫通する複数のスルー
ホール導電体55が形成されている。
ターン配線53、54のうち両面で対応するパターン配線同
士を連ねるために、絶縁基板51を貫通する複数のスルー
ホール導電体55が形成されている。
【０００５】チップ搭載基板50のチップ搭載面には、半
導体チップ（図示せず）がダイボンディングにより搭載
され、チップ上に形成されているパッドとチップ搭載面
の導電パッド52がボンディングワイヤ（図示せず）によ
り接続される。
導体チップ（図示せず）がダイボンディングにより搭載
され、チップ上に形成されているパッドとチップ搭載面
の導電パッド52がボンディングワイヤ（図示せず）によ
り接続される。
【０００６】さらに、半導体チップ、ボンディングワイ
ヤなどを全面的に覆うようにチップ搭載基板50のチップ
搭載面が絶縁樹脂により封止されることによりパッケー
ジングが行われた後に、個々の半導体装置として外形を
整えるように分離されている。
ヤなどを全面的に覆うようにチップ搭載基板50のチップ
搭載面が絶縁樹脂により封止されることによりパッケー
ジングが行われた後に、個々の半導体装置として外形を
整えるように分離されている。
【０００７】ところで、半導体装置の出荷前の信頼性試
験に際して、例えば３０℃、湿度７０％の条件で９６時
間にわたり放置した後、最大２４０℃のリフロー槽を通
すと、チップ搭載面に形成されている導電パッド52の一
部が絶縁基板51から剥がれてしまい、不良になる場合が
あった。この原因を本願発明者が分析した結果、次のこ
とが判明した。
験に際して、例えば３０℃、湿度７０％の条件で９６時
間にわたり放置した後、最大２４０℃のリフロー槽を通
すと、チップ搭載面に形成されている導電パッド52の一
部が絶縁基板51から剥がれてしまい、不良になる場合が
あった。この原因を本願発明者が分析した結果、次のこ
とが判明した。
【０００８】即ち、従来のチップ搭載基板50は、チップ
搭載面に形成されている導電パッド52と、この導電パッ
ド52にチップ搭載面のパターン配線53およびスルーホー
ル導電体55を介して連なる基板裏面のパターン配線54と
は、基板両面で全面的に対向し合う位置に存在してい
た。このような構造により、前記信頼性試験における放
置時にチップ搭載面の導電パッド52と基板裏面のパター
ン配線54とで挟まれた基板部分に吸湿した水分が残留し
てしまい、信頼性試験におけるリフロー時の熱で、吸湿
した水分の蒸発によって導電パッド52を剥がす要因にな
る。
搭載面に形成されている導電パッド52と、この導電パッ
ド52にチップ搭載面のパターン配線53およびスルーホー
ル導電体55を介して連なる基板裏面のパターン配線54と
は、基板両面で全面的に対向し合う位置に存在してい
た。このような構造により、前記信頼性試験における放
置時にチップ搭載面の導電パッド52と基板裏面のパター
ン配線54とで挟まれた基板部分に吸湿した水分が残留し
てしまい、信頼性試験におけるリフロー時の熱で、吸湿
した水分の蒸発によって導電パッド52を剥がす要因にな
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
半導体チップ搭載基板を用いた半導体装置は、その出荷
前の信頼性試験に際して、チップ搭載面に形成されてい
る導電パッドの一部が絶縁基板から剥がれてしまい、不
良になる場合があるという問題があった。
半導体チップ搭載基板を用いた半導体装置は、その出荷
前の信頼性試験に際して、チップ搭載面に形成されてい
る導電パッドの一部が絶縁基板から剥がれてしまい、不
良になる場合があるという問題があった。
【００１０】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、半導体装置の出荷前の信頼性試験に際して、
チップ搭載面に形成されている導電パッドの一部が絶縁
基板から剥がれることを防止し得る半導体チップ搭載基
板およびそれを用いた半導体装置を提供することを目的
とする。
たもので、半導体装置の出荷前の信頼性試験に際して、
チップ搭載面に形成されている導電パッドの一部が絶縁
基板から剥がれることを防止し得る半導体チップ搭載基
板およびそれを用いた半導体装置を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体チップ搭
載基板は、合成樹脂を基材として用いた絶縁基板と、前
記絶縁基板のチップ搭載面に形成された複数の導電パッ
ドおよびそれぞれに対応して連なるパターン配線と、前
記絶縁基板の裏面に形成された複数のパターン配線と、
前記絶縁基板を貫通して形成され、前記絶縁基板の両面
に形成されているパターン配線のうち両面で対応するパ
ターン配線同士を連ねる複数のスルーホール導電体とを
具備し、前記チップ搭載面に形成されている導電パッド
とこの導電パッドにチップ搭載面のパターン配線および
スルーホール導電体を介して連なる基板裏面のパターン
配線とは基板両面で対向し合わない位置関係となるよう
に形成されていることを特徴とする。
載基板は、合成樹脂を基材として用いた絶縁基板と、前
記絶縁基板のチップ搭載面に形成された複数の導電パッ
ドおよびそれぞれに対応して連なるパターン配線と、前
記絶縁基板の裏面に形成された複数のパターン配線と、
前記絶縁基板を貫通して形成され、前記絶縁基板の両面
に形成されているパターン配線のうち両面で対応するパ
ターン配線同士を連ねる複数のスルーホール導電体とを
具備し、前記チップ搭載面に形成されている導電パッド
とこの導電パッドにチップ搭載面のパターン配線および
スルーホール導電体を介して連なる基板裏面のパターン
配線とは基板両面で対向し合わない位置関係となるよう
に形成されていることを特徴とする。
【００１２】本発明の半導体装置は、本発明の半導体チ
ップ搭載基板と、前記半導体チップ搭載基板上に搭載さ
れ、上面側に導電パッドが形成されている半導体チップ
と、前記半導体チップの導電パッドと前記半導体チップ
搭載基板とチップ搭載面に形成されている導電パッドと
を接続するボンディングワイヤと、前記半導体チップお
よびボンディングワイヤを含めて前記半導体チップ搭載
基板のチップ搭載面を全面的に覆うように絶縁樹脂によ
り封止したパッケージとを具備することを特徴とする。
ップ搭載基板と、前記半導体チップ搭載基板上に搭載さ
れ、上面側に導電パッドが形成されている半導体チップ
と、前記半導体チップの導電パッドと前記半導体チップ
搭載基板とチップ搭載面に形成されている導電パッドと
を接続するボンディングワイヤと、前記半導体チップお
よびボンディングワイヤを含めて前記半導体チップ搭載
基板のチップ搭載面を全面的に覆うように絶縁樹脂によ
り封止したパッケージとを具備することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１４】＜第１の実施形態＞図１は、本発明の第１
の実施形態に係る半導体チップ搭載基板上に半導体チッ
プが搭載されてパッケージングされた半導体装置の一例
を示す断面図である。
の実施形態に係る半導体チップ搭載基板上に半導体チッ
プが搭載されてパッケージングされた半導体装置の一例
を示す断面図である。
【００１５】図２は、図１中の半導体チップ搭載基板を
取り出してその一部をチップ搭載面から見てパターンレ
イアウトの一例を示す上面図である。
取り出してその一部をチップ搭載面から見てパターンレ
イアウトの一例を示す上面図である。
【００１６】図１および図２において、多層（例えば二
層）配線構造を有するチップ搭載基板10は、例えば合成
樹脂を基材として用いた絶縁基板11の片面（チップ搭載
面）にそれぞれ矩形の複数の導電パッド（例えば銅箔）
12およびそれぞれに対応して連なる比較的細いパターン
配線（例えば銅箔）13が形成され、基板裏面に複数の比
較的太いパターン配線14が形成されている。
層）配線構造を有するチップ搭載基板10は、例えば合成
樹脂を基材として用いた絶縁基板11の片面（チップ搭載
面）にそれぞれ矩形の複数の導電パッド（例えば銅箔）
12およびそれぞれに対応して連なる比較的細いパターン
配線（例えば銅箔）13が形成され、基板裏面に複数の比
較的太いパターン配線14が形成されている。
【００１７】そして、上記基板両面に形成されているパ
ターン配線13，14のうち両面で対応するパターン配線同
士を連ねるために、絶縁基板11を貫通する複数のスルー
ホール導電体15が形成されている。
ターン配線13，14のうち両面で対応するパターン配線同
士を連ねるために、絶縁基板11を貫通する複数のスルー
ホール導電体15が形成されている。
【００１８】ここで、本実施形態のチップ搭載基板10
は、チップ搭載面に形成されている導電パッド12と、こ
の導電パッド12にチップ搭載面のパターン配線13および
スルーホール導電体15を介して連なる基板裏面のパター
ン配線14とは、基板両面で対向し合わない位置関係とな
るように形成されている。具体的には、基板裏面のパタ
ーン配線14は、導電パッド12に対向する位置から僅かに
ずれた位置を通過するように形成されている。
は、チップ搭載面に形成されている導電パッド12と、こ
の導電パッド12にチップ搭載面のパターン配線13および
スルーホール導電体15を介して連なる基板裏面のパター
ン配線14とは、基板両面で対向し合わない位置関係とな
るように形成されている。具体的には、基板裏面のパタ
ーン配線14は、導電パッド12に対向する位置から僅かに
ずれた位置を通過するように形成されている。
【００１９】さらに、チップ搭載基板10の裏面には、前
記複数のパターン配線14にそれぞれ対応して連なる複数
のランドグリッド16が例えば金メッキにより形成されて
ランドグリッドアレイ構造の外部接続端子群が形成され
ている。なお、17はチップ搭載基板10の両面に塗布され
ているレジストである。
記複数のパターン配線14にそれぞれ対応して連なる複数
のランドグリッド16が例えば金メッキにより形成されて
ランドグリッドアレイ構造の外部接続端子群が形成され
ている。なお、17はチップ搭載基板10の両面に塗布され
ているレジストである。
【００２０】そして、チップ搭載基板10のチップ搭載面
の中央部には、ペースト18を介して半導体チップ20がダ
イボンディングにより搭載されており、チップ20上に形
成されているパッド（図示せず、例えば長方形のチップ
の隣り合う二辺に沿ってチップ上の周辺に配列されてい
る）とチップ搭載面の導電パッド12がボンディングワイ
ヤ21により接続されている。
の中央部には、ペースト18を介して半導体チップ20がダ
イボンディングにより搭載されており、チップ20上に形
成されているパッド（図示せず、例えば長方形のチップ
の隣り合う二辺に沿ってチップ上の周辺に配列されてい
る）とチップ搭載面の導電パッド12がボンディングワイ
ヤ21により接続されている。
【００２１】さらに、チップ搭載基板10のチップ搭載面
は、半導体チップ20、ボンディングワイヤ21などを全面
的に覆うように絶縁樹脂（例えばエポキシ樹脂）22によ
り封止されることによりパッケージングが行われた後
に、個々の半導体装置として外形を整えるように分離さ
れている。
は、半導体チップ20、ボンディングワイヤ21などを全面
的に覆うように絶縁樹脂（例えばエポキシ樹脂）22によ
り封止されることによりパッケージングが行われた後
に、個々の半導体装置として外形を整えるように分離さ
れている。
【００２２】上記構造の半導体装置によれば、その出荷
前の信頼性試験に際して、例えば３０℃、湿度７０％の
条件で９６時間にわたり放置した後、最大２４０℃のリ
フロー槽を通した際、チップ搭載面に形成されている導
電パッド12の一部が絶縁基板11から剥がれる不良が発生
しなくなった。
前の信頼性試験に際して、例えば３０℃、湿度７０％の
条件で９６時間にわたり放置した後、最大２４０℃のリ
フロー槽を通した際、チップ搭載面に形成されている導
電パッド12の一部が絶縁基板11から剥がれる不良が発生
しなくなった。
【００２３】この理由は、チップ搭載面に形成されてい
る導電パッド12と、この導電パッド12にチップ搭載面の
パターン配線13およびスルーホール導電体15を介して連
なる基板裏面のパターン配線14とは、基板両面で対向し
合わない位置関係となるように形成されていることにあ
る。つまり、前記信頼性試験における放置時にチップ搭
載面の導電パッド12と基板裏面のパターン配線14とで挟
まれた基板部分に吸湿した水分が残留しなくなり、信頼
性試験におけるリフロー時に導電パッド12を剥がす要因
になる水分残留がなくなる。
る導電パッド12と、この導電パッド12にチップ搭載面の
パターン配線13およびスルーホール導電体15を介して連
なる基板裏面のパターン配線14とは、基板両面で対向し
合わない位置関係となるように形成されていることにあ
る。つまり、前記信頼性試験における放置時にチップ搭
載面の導電パッド12と基板裏面のパターン配線14とで挟
まれた基板部分に吸湿した水分が残留しなくなり、信頼
性試験におけるリフロー時に導電パッド12を剥がす要因
になる水分残留がなくなる。
【００２４】＜第２の実施形態＞図３は、本発明の第２
の実施形態に係る半導体チップ搭載基板の一部をチップ
搭載面から見てパターンレイアウトの一例を示す上面図
である。
の実施形態に係る半導体チップ搭載基板の一部をチップ
搭載面から見てパターンレイアウトの一例を示す上面図
である。
【００２５】図３に示すチップ搭載基板30は、図４を参
照して前述した従来例の半導体チップ搭載基板50と比べ
て、基板裏面のパターン配線54は、導電パッド12に対向
する部分が欠落したパターン欠落部54a を持つように形
成されている点が異なり、その他は同じであるので図４
中と同一符号を付している。
照して前述した従来例の半導体チップ搭載基板50と比べ
て、基板裏面のパターン配線54は、導電パッド12に対向
する部分が欠落したパターン欠落部54a を持つように形
成されている点が異なり、その他は同じであるので図４
中と同一符号を付している。
【００２６】上記構造の半導体チップ搭載基板30は、第
１の実施形態と同様に、チップ搭載面に形成されている
矩形の導電パッド52に対して、この導電パッド52にチッ
プ搭載面のパターン配線53およびスルーホール導電体55
を介して連なる基板裏面のパターン配線54は対向し合わ
ない位置関係となるように形成されている。
１の実施形態と同様に、チップ搭載面に形成されている
矩形の導電パッド52に対して、この導電パッド52にチッ
プ搭載面のパターン配線53およびスルーホール導電体55
を介して連なる基板裏面のパターン配線54は対向し合わ
ない位置関係となるように形成されている。
【００２７】したがって、上記構造の半導体チップ搭載
基板30に第１の実施形態と同様に半導体チップが搭載さ
れてパッケージングされた半導体装置によれば、第１の
実施形態と同様の理由により、その出荷前の信頼性試験
に際して、チップ搭載面に形成されている導電パッド52
の一部が絶縁基板51から剥がれる不良が発生しなくなっ
た。
基板30に第１の実施形態と同様に半導体チップが搭載さ
れてパッケージングされた半導体装置によれば、第１の
実施形態と同様の理由により、その出荷前の信頼性試験
に際して、チップ搭載面に形成されている導電パッド52
の一部が絶縁基板51から剥がれる不良が発生しなくなっ
た。
【００２８】なお、前記各実施形態の半導体装置では、
チップ搭載面に形成されている導電パッド12、52と基板
裏面のパターン配線14、54とは基板両面で完全に対向し
合わない位置関係となるように形成されている。しか
し、上記導電パッド12、52あるいは基板裏面のパターン
配線14、54のレイアウトの都合によっては、前記信頼性
試験に際して、チップ搭載面に形成されている導電パッ
ド12、52の一部が絶縁基板11、51から剥がれる不良が許
容値内に収まる範囲内で、前記導電パッド12、52と基板
裏面のパターン配線14、54とは基板両面で部分的に対向
するように形成してもよい。
チップ搭載面に形成されている導電パッド12、52と基板
裏面のパターン配線14、54とは基板両面で完全に対向し
合わない位置関係となるように形成されている。しか
し、上記導電パッド12、52あるいは基板裏面のパターン
配線14、54のレイアウトの都合によっては、前記信頼性
試験に際して、チップ搭載面に形成されている導電パッ
ド12、52の一部が絶縁基板11、51から剥がれる不良が許
容値内に収まる範囲内で、前記導電パッド12、52と基板
裏面のパターン配線14、54とは基板両面で部分的に対向
するように形成してもよい。
【００２９】＜第３の実施形態に係る半導体装置＞前記
各実施形態の半導体装置では、チップ搭載基板10あるい
は30上に半導体チップがダイボンディングされ、パッド
間がボンディングワイヤ21により接続されて、さらに、
チップ搭載基板10あるいは30のチップ搭載面が絶縁樹脂
22により封止されることによりパッケージングが行われ
た。
各実施形態の半導体装置では、チップ搭載基板10あるい
は30上に半導体チップがダイボンディングされ、パッド
間がボンディングワイヤ21により接続されて、さらに、
チップ搭載基板10あるいは30のチップ搭載面が絶縁樹脂
22により封止されることによりパッケージングが行われ
た。
【００３０】しかし、上記例に限らず、前記したような
チップ搭載基板10あるいは30上に半導体チップのパッド
形成面を例えばフェースダウン状態で搭載した半導体装
置を実現することも可能である。
チップ搭載基板10あるいは30上に半導体チップのパッド
形成面を例えばフェースダウン状態で搭載した半導体装
置を実現することも可能である。
【００３１】このような半導体装置を実現する場合に使
用されるチップ搭載基板は、前記各実施形態に係る半導
体装置で使用されているチップ搭載基板10あるいは30と
ほぼ同様のものであるが、チップ搭載面の導電パッド
は、フェースダウン時に半田バンプを介してチップのパ
ッドを接合する際に望ましい形状、例えば円形あるいは
正方形に形成しておく。そして、このチップ搭載面にチ
ップのパッド形成面がフェースダウン状態で搭載される
ことによりパッケージングが行われている。即ち、チッ
プ搭載面の導電パッドとチップのパッドとは半田バンプ
を介して接合され、チップ搭載基板とチップとの対向間
に接着剤が充填された後に硬化されている。そして、チ
ップ搭載基板の裏面にランドグリッドアレイ構造の外部
接続端子群が形成されている。
用されるチップ搭載基板は、前記各実施形態に係る半導
体装置で使用されているチップ搭載基板10あるいは30と
ほぼ同様のものであるが、チップ搭載面の導電パッド
は、フェースダウン時に半田バンプを介してチップのパ
ッドを接合する際に望ましい形状、例えば円形あるいは
正方形に形成しておく。そして、このチップ搭載面にチ
ップのパッド形成面がフェースダウン状態で搭載される
ことによりパッケージングが行われている。即ち、チッ
プ搭載面の導電パッドとチップのパッドとは半田バンプ
を介して接合され、チップ搭載基板とチップとの対向間
に接着剤が充填された後に硬化されている。そして、チ
ップ搭載基板の裏面にランドグリッドアレイ構造の外部
接続端子群が形成されている。
【００３２】上記構造の半導体装置においても、その出
荷前の信頼性試験に際して、前記各実施形態と同様の理
由により、チップ搭載面に形成されている導電パッドの
一部が絶縁基板から剥がれる不良の発生を防止すること
ができる。
荷前の信頼性試験に際して、前記各実施形態と同様の理
由により、チップ搭載面に形成されている導電パッドの
一部が絶縁基板から剥がれる不良の発生を防止すること
ができる。
【００３３】＜第４の実施形態に係る半導体装置＞前記
各実施形態の半導体装置では、チップ搭載基板の裏面に
は複数のパターン配線にそれぞれ対応して連なる複数の
ランドグリッド16からなるランドグリッドアレイ構造の
外部接続端子群が形成されている例を示したが、各ラン
ドグリッド16上に外部接続端子が接合（例えば半田ボー
ルが搭載）されたボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）構造
の外部接続端子群を採用することも可能である。この場
合、ランドグリッドアレイ構造の外部接続端子群を有す
る半導体装置は、実装高さを低くすることができる利点
があり、ボールグリッドアレイ構造の外部接続端子群を
有する半導体装置は、既存の実装技術を利用することが
できる利点がある。
各実施形態の半導体装置では、チップ搭載基板の裏面に
は複数のパターン配線にそれぞれ対応して連なる複数の
ランドグリッド16からなるランドグリッドアレイ構造の
外部接続端子群が形成されている例を示したが、各ラン
ドグリッド16上に外部接続端子が接合（例えば半田ボー
ルが搭載）されたボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）構造
の外部接続端子群を採用することも可能である。この場
合、ランドグリッドアレイ構造の外部接続端子群を有す
る半導体装置は、実装高さを低くすることができる利点
があり、ボールグリッドアレイ構造の外部接続端子群を
有する半導体装置は、既存の実装技術を利用することが
できる利点がある。
【００３４】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、半導体
装置の出荷前の信頼性試験に際して、チップ搭載面に形
成されている導電パッドの一部が絶縁基板から剥がれる
ことを防止し得る半導体チップ搭載基板およびそれを用
いた半導体装置を提供することができる。
装置の出荷前の信頼性試験に際して、チップ搭載面に形
成されている導電パッドの一部が絶縁基板から剥がれる
ことを防止し得る半導体チップ搭載基板およびそれを用
いた半導体装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体チップ搭
載基板上に半導体チップが搭載されてパッケージングさ
れた半導体装置の一例を示す断面図。
載基板上に半導体チップが搭載されてパッケージングさ
れた半導体装置の一例を示す断面図。
【図２】図１中の半導体チップ搭載基板を取り出してそ
の一部をチップ搭載面から見てパターンレイアウトの一
例を示す上面図。
の一部をチップ搭載面から見てパターンレイアウトの一
例を示す上面図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体チップ搭
載基板の一部をチップ搭載面から見てパターンレイアウ
トの一例を示す上面図。
載基板の一部をチップ搭載面から見てパターンレイアウ
トの一例を示す上面図。
【図４】従来の半導体チップ搭載基板の一部をチップ搭
載面から見てパターンレイアウトの一例を示す上面図。
載面から見てパターンレイアウトの一例を示す上面図。
10…チップ搭載基板、 11…合成樹脂を基材として用いた絶縁基板、 12…チップ搭載面の導電パッド（例えば銅箔）、 13…パターン配線（例えば銅箔）、 14…基板のパターン配線、 15…スルーホール導電体、 16…ランドグリッド、 17…レジスト、 18…ペースト、 20…半導体チップ、 21…ボンディングワイヤ、 22…絶縁樹脂（パッケージ）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 和博 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 (72)発明者 金子 幸男 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内
Claims (5)
- 【請求項１】 合成樹脂を基材として用いた絶縁基板
と、 前記絶縁基板のチップ搭載面に形成された複数の導電パ
ッドおよびそれぞれに対応して連なるパターン配線と、 前記絶縁基板の裏面に形成された複数のパターン配線
と、 前記絶縁基板を貫通して形成され、前記絶縁基板の両面
に形成されているパターン配線のうち両面で対応するパ
ターン配線同士を連ねる複数のスルーホール導電体とを
具備し、 前記チップ搭載面に形成されている導電パッドとこの導
電パッドにチップ搭載面のパターン配線およびスルーホ
ール導電体を介して連なる基板裏面のパターン配線とは
基板両面で対向し合わない位置関係となるように形成さ
れていることを特徴とする半導体チップ搭載基板。 - 【請求項２】 前記基板裏面のパターン配線は、前記導
電パッドに対向する位置からずれた位置を通過するよう
に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導
体チップ搭載基板。 - 【請求項３】 前記基板裏面のパターン配線は、前記導
電パッドに対向する部分が欠落したパターン欠落部を持
つように形成されていることを特徴とする請求項１記載
の半導体チップ搭載基板。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
半導体チップ搭載基板と、 前記半導体チップ搭載基板上に搭載され、上面側に導電
パッドが形成されている半導体チップと、 前記半導体チップの導電パッドと前記半導体チップ搭載
基板とチップ搭載面に形成されている導電パッドとを接
続するボンディングワイヤと、 前記半導体チップおよびボンディングワイヤを含めて前
記半導体チップ搭載基板のチップ搭載面を全面的に覆う
ように絶縁樹脂により封止したパッケージとを具備する
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 前記半導体チップ搭載基板の裏面におい
て前記複数のパターン配線に連なるランドグリッドアレ
イ構造の外部接続端子群をさらに具備することを特徴と
する請求項４記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103725A JP3917383B2 (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 半導体チップ搭載基板およびそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103725A JP3917383B2 (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 半導体チップ搭載基板およびそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299491A true JP2002299491A (ja) | 2002-10-11 |
| JP3917383B2 JP3917383B2 (ja) | 2007-05-23 |
Family
ID=18956735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001103725A Expired - Fee Related JP3917383B2 (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 半導体チップ搭載基板およびそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3917383B2 (ja) |
-
2001
- 2001-04-02 JP JP2001103725A patent/JP3917383B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3917383B2 (ja) | 2007-05-23 |
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