JP2002299208A

JP2002299208A - 露光装置

Info

Publication number: JP2002299208A
Application number: JP2001098264A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Ikeda; 均池田; Kingo Suzuki; 金吾鈴木
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2001-03-30
Filing date: 2001-03-30
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】化合物半導体ウェーハに対するリソグラフィ
工程において使用される露光装置であって、化合物半導
体ウェーハとマスクとが接触してもウェーハ割れが生じ
にくい露光装置を提供する。【解決手段】マスクＭを保持するためのマスクホルダ
ー１３と、化合物半導体ウェーハＷを保持するためのウ
ェーハ保持部１２と、を備える。マスクＭと化合物半導
体ウェーハＷとが接触したときにマスクＭによる化合物
半導体ウェーハＷへの押圧力を緩衝する緩衝機構（２
５）を備える。該緩衝機構（２５）として、マスクホル
ダー１３と装置本体１４との間に弾性部材としてのバネ
２５を配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は露光装置、特に化
合物半導体ウェーハに対するパターン形成に使用される
露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、化合物半導体ウェーハから発光
素子を形成する場合における電極形成に関するリソグラ
フィ工程においては、従来、シリコンウェーハの場合と
同様の仕様の露光装置が使用される場合が少なくなかっ
た。これは、半導体デバイスを構成する半導体材料とし
ては、いまだシリコンが主役であり、シリコンウェーハ
に対してリソグラフィ工程を行う場合を想定して開発さ
れている露光装置が多いためである。

【０００３】なお、以下、本明細書においては、「化合
物半導体ウェーハ」とは化合物半導体単結晶基板及び該
化合物半導体単結晶基板上にエピタキシャル層を形成し
てなるウェーハの総称とする。また、「シリコンウェー
ハ」とは、シリコン単結晶基板及び該シリコン単結晶基
板上にエピタキシャル成長してなるウェーハの総称とす
る。さらに、「半導体ウェーハ」とは化合物半導体ウェ
ーハとシリコンウェーハとの総称である。

【０００４】上記の露光装置には、パターンが形成され
ているマスクと半導体ウェーハの主表面とを相対的に接
近させて、半導体ウェーハの表面にパターンを露光する
ものがある。例えば、このような露光装置には半導体ウ
ェーハとマスクとを密着させるようにするコンタクト方
式による装置や、半導体ウェーハとマスクとの間に数１
０μｍのギャップを形成してマスクと半導体ウェーハと
を配置するようにしたプロキシミティ方式による装置等
がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】化合物半導体ウェーハ
に対してこのような露光装置を使用すると、シリコンウ
ェーハに対して使用していた場合では予期できない問題
が発生する場合があった。すなわち、上記コンタクト方
式を使用した場合、化合物半導体ウェーハとマスクとが
接触する際に、該化合物半導体ウェーハが割れる場合
が、シリコンウェーハの場合と比較して多くなる傾向に
ある。一方、プロキシミティ方式による露光装置であっ
ても、化合物半導体ウェーハとマスクとが接触する場合
があり、上記コンタクト方式の場合と同様にウェーハの
割れが発生する。

【０００６】本発明の課題は、化合物半導体ウェーハに
対するリソグラフィ工程において使用される露光装置で
あって、化合物半導体ウェーハとマスクとが接触しても
ウェーハの割れが生じにくい露光装置を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段及び作用・効果】上記課題
を解決するために、本発明の露光装置は、パターンが形
成されているマスクと化合物半導体ウェーハの主表面と
を相対的に接近させて、そのパターンを化合物半導体ウ
ェーハの主表面に転写するために使用される露光装置で
あって、化合物半導体ウェーハの主表面とマスクとが接
触するときに発生するマスクによる化合物半導体ウェー
ハへの押圧力を緩衝するための緩衝機構を備えているこ
とを特徴とする。

【０００８】本発明者等によれば、化合物半導体ウェー
ハ（以下、単にウェーハということもある）においてウ
ェーハの割れが発生しやすいのは、以下の点によるもの
である。すなわち、例えば、発光素子の製造に使用され
る化合物半導体ウェーハは、液相エピタキシャル（ＬＰ
Ｅ：Liquid Phase Epitaxial）法にて作製されることが
多い。しかし、このＬＰＥ法により形成された化合物半
導体ウェーハには、その主表面にスパイク（ｓpike）欠
陥あるいはボイド（void）欠陥と呼ばれる突起物を伴う
結晶欠陥（以下、単に突起状欠陥という）が発生する。
また、ＬＰＥ法による化合物半導体ウェーハの厚さばら
つきは、シリコンウェーハのものよりも大きい場合が多
い。それに加えて、発光素子に使用されることが多い化
合物半導体ウェーハは、発光素子の発光効率の向上のた
めに、シリコンウェーハよりもウェーハの厚さを薄く作
製される場合が多い。これらの原因により、化合物半導
体ウェーハは、シリコンウェーハよりもウェーハの割れ
が発生しやすい。

【０００９】上記のような突起状欠陥によってウェーハ
が割れる様子を図６を用いて説明する。まず図６（ａ）
のように、化合物半導体ウェーハＷの主表面上には突起
状欠陥１０が形成されている。該突起状欠陥１０は、内
部に空洞状のボイド１０ｂを有し、該ボイド１０ｂの周
りに突起状のスパイク１０ａが形成されている平面形状
が六角形の欠陥である。ウェーハの主表面からのスパイ
ク１０ａの突出高さは、数１０〜１００μｍ程度であ
る。

【００１０】このような突起状欠陥１０が形成されてい
る化合物半導体ウェーハＷに対して、図６（ｂ）、
（ｃ）のように従来の方法でマスクＭを配置する場合に
ついてまず説明する。マスクＭは、マスクホルダー１１
３を介して例えば装置本体１１４に取り付けられてい
る。この場合、図６（ｂ）のようにマスクＭとウェーハ
Ｗとを相対的に接近させると、図６（ｃ）のように最終
的にこれらが接触してしまう。従来の露光装置において
は、マスクＭとウェーハＷが接触しても、これらをさら
に接近させようとする押圧力ＦがウェーハＷのマスクＭ
と接触している部分（主に突起状欠陥１０）に集中して
かかるために、例えば、突起状欠陥１０の端部１１に望
まない応力が働き、図６（ｄ）のようにウェーハＷが割
れてしまう。

【００１１】このような、化合物半導体ウェーハの割れ
を防止あるいは抑制するために、本発明の露光装置に
は、ウェーハとマスクとが接触するときに発生するマス
クからのウェーハに対する押圧力を緩衝する緩衝機構を
設ける。この緩衝機構により、ウェーハの主表面にかか
る押圧力が低減されることになる。マスクと化合物半導
体ウェーハとの接触によるウェーハの割れは、これらの
接触に際してウェーハにかかる押圧力が大きいほど生じ
やすいが、上記緩衝機構により該押圧力を十分に低減で
きるので、ウェーハの割れが防止あるいは抑制される。

【００１２】また、上記のような緩衝機構は、ウェーハ
とマスクとが接触するように配置される露光装置に備え
られることが好ましい。ここで、ウェーハとマスクとが
接触するように配置される露光装置としては、例えば化
合物半導体ウェーハの主表面にマスクを密着させる、い
わゆるコンタクト方式の露光装置がある。

【００１３】また、化合物半導体ウェーハに形成される
突起状欠陥等の突起物は、そのウェーハの主表面からの
突出高さが、１００μｍを超えることも少なくない。ま
た、化合物半導体ウェーハの厚さばらつきが１００μｍ
を超えることもある。そのため、上記のような突起状欠
陥が形成されたり、厚さばらつきの大きい化合物半導体
ウェーハに対しては、いわゆるプロキシミティ方式の露
光装置を使用する場合であっても、ウェーハとマスクと
の接触が起こる場合がある。上記プロキシミティ方式に
かかる露光装置は、本来はウェーハとマスクとの接触を
抑制するためにウェーハとマスクとの間に１０μｍ〜３
０μｍのギャップを設けるように配置するものである
が、ウェーハの主表面に上記のような突起状欠陥が形成
されたり、厚さばらつきが大きいと、マスクがウェーハ
に接触し、ひいては、化合物半導体ウェーハの割れが生
じる場合がある。従って、本発明が好適に適用されるウ
ェーハとマスクとが接触するような露光装置としては、
コンタクト方式の他に、上記のプロキシミティ方式にか
かる露光装置も含まれる。

【００１４】また、化合物半導体ウェーハとマスクとが
接触する際に生じる押圧力を緩衝するための緩衝機構
は、例えば、弾性変形に基づいて押圧力を緩衝する弾性
部材を有するものとすることができる。緩衝機構を弾性
部材とすることにより、ウェーハの主表面に働くマスク
からの押圧力を十分に抑制することができる。

【００１５】なお、上記弾性部材による押圧力の緩衝作
用を効果的に得るために、露光装置の構成を例えば次の
ようにすることができる。すなわち、マスクを化合物半
導体ウェーハの主表面に対して対向するようにマスクホ
ルダーに保持するとともに、緩衝機構をなす弾性部材を
介して装置本体にマスクホルダーを取り付ける。このよ
うな構成によれば、マスクホルダーに保持されたマスク
が化合物半導体ウェーハに接触したあとで、さらに、ウ
ェーハとマスクとを接近させようとする駆動力に起因す
る押圧力がウェーハに働いても、マスクホルダーと装置
本体との間に備えられた緩衝機構としての弾性部材が弾
性変形し、ひいては、マスクホルダーが上記押圧力を緩
衝するように変位して、上記押圧力がウェーハに直接働
くことを抑制できる。

【００１６】緩衝機構としての弾性部材としては、バネ
が好適に使用できる。バネはその材質あるいは形状を変
化させる事により、弾性変形に基づく弾性力の大きさを
様々に変化させる事が容易である。使用されるバネのバ
ネ定数は、化合物半導体ウェーハに形成されている突起
状欠陥の突出高さやウェーハの厚さばらつきを考慮しつ
つ、バネの弾性変形に基づく弾性力が、ウェーハの割れ
を誘発しない程度に小さくなるように設定する。

【００１７】一方、本発明の露光装置に関しては、上記
のようなバネによる緩衝機構を設けているとはいえ、パ
ターン形成の精度は、少なからず劣化することを免れ得
ない。従って、本発明の露光装置は、パターン形成の精
度がそれほど要求されないような場合に特に好適に使用
することができる。このような場合として、例えば、発
光素子の電極を形成する場合が例示される。化合物半導
体ウェーハの主表面に個々の発光素子に対応する電極を
形成する場合、電子デバイスを作製する場合のように、
何度もパターンを重ねてパターンをレイアウトする必要
がなく、また、パターンを微細に形成する必要もないた
め、パターンの精度もあまり要求されない。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
の図面を用いて説明する。まず、化合物半導体ウェーハ
から発光素子を作製する場合のリソグラフィ工程による
電極形成の形態の一例を説明し、その後、この工程にお
ける本発明の露光装置の実施形態について説明する。図
４は、発光素子として使用される化合物半導体ウェーハ
Ｗ（以下、ウェーハＷともいう）の主表面Ｗ１上に個々
の発光素子に対応する電極を形成する場合のリソグラフ
ィ工程の一例を示した断面図である。まず、図４（ａ)
に示すように、発光効率の向上を考慮して比較的薄い厚
さ（例えば、２００μｍ〜５００μｍ）のウェーハＷの
主表面Ｗ１上に電極となる金属層１を真空蒸着等の公知
の方法により形成する。電極となる金属層１としては、
ウェーハＷとの密着性あるいは導電性等の観点から例え
ば金（Ａｕ）が好適に採用される。

【００１９】このように形成した金属層１上に、図４
（ｂ）に示すようにレジスト（感光性樹脂）２を塗布す
る。このレジスト２は、金属電極をエッチングにより除
去するときのマスクの役割を果たすものである。このレ
ジスト２は、例えば、ウェーハＷの主表面にレジスト液
を滴下し、該ウェーハＷを軸線を中心に回転させること
により塗布することができる。このレジスト２が塗布さ
れた後に、図４（ｃ）のように、レジスト２を介してウ
ェーハＷに対してマスクＭを配置する。このとき、マス
クＭとウェーハＷとは、密着するように配置させられる
か（コンタクト方式）、あるいは、例えばウェーハＷと
マスクＭとの間に１０μｍ〜３０μｍのギャップがあく
ように配置させられる（プロキシミティ方式）。図５
（ｃ）、はコンタクト方式によりマスクＭを配置した場
合を示している。

【００２０】前記マスクＭには、レジスト２を露光する
ための光Ｌを透過する光透過部Ｍ1が形成されている。
また、前記光透過部Ｍ1以外のマスクＭの部分により、
レジスト２の所望の部分がマスクされる。そして、図４
（ｄ）のように、レジスト２のマスクされていない部分
を、例えば、紫外線等の光Ｌを光透過部Ｍ1を介して照
射することにより露光して露光部２１とする。次いで、
その状態（図４（ｅ））のウェーハＷを現像液に浸漬さ
せて現像し、図４（ｆ）のように露光された部分だけを
半導体ウェーハの主表面上に残す。本実施の形態におい
ては、ネガ型のレジスト２を使用した場合を示してお
り、上記のように露光部２１が残留するが、ポジ型の場
合は、露光部が逆に除去される。このように、残留した
露光部２１が金属層１に対するマスクとなり、図４
（ｇ）のように露光部２１の下に形成されている金属層
１のみがエッチングによって残る。そして、図４（ｈ）
のように残留しているレジスト２１を除去して、最終的
に電極１１を形成する。

【００２１】以上の工程により、図５（ａ）に示すよう
にウェーハＷの主表面Ｗ1上に電極１１が形成される。
この電極１１のパターンは、マスクＭに形成されている
光透過部Ｍ1のパターンに対応するものとなる。図５
（ａ）のように電極１１が形成された半導体ウェーハＷ
は、裏面に裏面電極４１が形成された後に、ダイシング
により（ｂ）に示すように素子化されて発光素子４０と
なる。

【００２２】以上、説明したように、発光素子４０の電
極１１をリソグラフィ工程により形成する場合、パター
ン形成を数回行って異なるパターンをウェーハＷに形成
する必要もなく一回の露光工程により電極１１が形成さ
れ、また、電極のパターンの精度もそれほど要求される
ものではない。なお、本実施の形態においては、形成さ
れる電極１１の直径は１００μｍ〜１２０μｍ程度であ
り、形成される電極１１の直径の精度は±１０μｍ〜２
０μｍ程度である。また、本実施の形態においては、発
光素子の電極を形成する場合について説明するが、本発
明はこれに限られるものではなく、上記発光素子の電極
形成の場合と同等程度、あるいはそれよりも低い精度の
パターンの形成で十分な場合にも適用が可能である。

【００２３】本実施の形態においては、ウェーハＷの主
表面Ｗ１上に電極パターンを形成するリソグラフィ工程
において、図１に示すような本発明の露光装置１００を
使用する。露光装置１００は、マスクを保持するための
マスクホルダー１３と、ウェーハＷを保持するためのウ
ェーハ保持部１２と、これらマスクホルダー１３とウェ
ーハ保持部１２との少なくとも一方を駆動し、ウェーハ
ＷとマスクＭとを接近・離間させる駆動部１７と、を備
えている。駆動部１７は、例えば、ステッピングモータ
ＳＭにより構成することができ、本実施形態において
は、該ステッピングモータＳＭの回転運動をウェーハ保
持部１２の上下運動に置き換えている。そして、ウェー
ハＷとマスクＭとが接触するときに発生するマスクＭに
よるウェーハＷへの押圧力を緩衝するために、自身の弾
性変形に基づいてウェーハＷへの押圧力を緩衝する緩衝
機構として、弾性部材としてのバネ２５を有する。そし
て、マスクＭはウェーハＷに対向してマスクホルダー１
３に保持されるとともに、マスクホルダー１３は弾性部
材としてのバネ２５を介して装置本体１４に取り付けら
れている。

【００２４】さらに、図１（ｂ）に示すように、ウェー
ハ保持部１２に保持されるウェーハＷの主表面Ｗ1には
金属膜１が被膜され、さらにその上からレジスト２が形
成されている。また、マスクＭは、真空吸着によりマス
クホルダー１３に固定されている。該マスクＭには、マ
スクパターンＭＰが形成されており、該マスクパターン
ＭＰに対応した電極のパターンが半導体ウェーハＷの主
表面Ｗ１上に形成されているレジスト２に転写されるこ
とになる。

【００２５】マスクホルダー１３は、弾性部材としての
バネ２５を介して装置本体１４に取り付けられている。
このとき、バネ２５は、バネとしての特性を有していれ
ば、どのような形状のものでもよく、例えば板・コイル
・竹の子などの形状のものを使用することができる。図
１（ｂ）はコイル状のコイルスプリングを使用した場合
について示している。また図１（ｂ）に示すように、マ
スクホルダー１３において、バネ２５が配置される部分
にシャフト孔２７が形成されており、シャフト３０がバ
ネ２５の中心を貫通して、シャフト孔２７に挿入され、
該シャフト３０を装置本体１４（図１（ｂ）には図示せ
ず）側で固定することによりマスクホルダー１３のウェ
ーハＷに対する横ずれを抑制できるようにしている。

【００２６】なお、上記本実施の形態においては、弾性
部材としてバネを使用する場合について説明したが、本
発明においては、上記緩衝機構としてその他の弾性部材
を使用することも可能である。例えば、バネの代わりに
弾性ゴム等を使用することもできる。

【００２７】以下、上記本発明の露光装置１００の作用
について述べる。本発明の露光装置１００においては、
図２（ａ）に示すように、マスクＭと化合物半導体ウェ
ーハＷとを接近させ、図２（ｂ）に示すようにこれらが
接触した後、該マスクＭとウェーハＷとをさらに接近さ
せようとする力が働いても、バネ２５が弾性変形し、そ
の形状を縮めることによって、マスクＭによるウェーハ
Ｗへの押圧力Ｆが緩衝されるようになっている。これに
より、ウェーハＷの割れ及び破壊が抑制されることにな
る。ここで緩衝機構としてのバネ２５においては、ウェ
ーハＷへのマスクＭによる押圧力Ｆが十分に軽減される
だけ弾性変形するように、その材質及び形状を選択する
ようにする。

【００２８】さらに、従来の緩衝機構が付与されていな
い露光装置の場合、図２（ｃ）に示すように、マスクホ
ルダー１３が装置本体１４に直接固定されているので、
ウェーハＷの厚さのばらつきが大きいと、最も厚い部分
により多くの押圧力Ｆがかかることとなる。しかしなが
ら、本発明の露光装置１００においては、マスクホルダ
ー１３と装置本体１４とが緩衝機構をなすバネ２５によ
り連結されているので、マスクホルダー１３ひいてはそ
れに固定されているマスクＭは、図２（ｄ）に示すよう
に、ウェーハＷの厚さ（凹凸）に応じて適度に変位する
ことが可能である。その結果、ウェーハＷとマスクＭと
が広範囲で接触するようになり、押圧力Ｆが一点から分
割されて押圧力ｆとして広い範囲に働くため、ある特定
部分への応力の集中が緩和されウェーハＷの割れ及び破
壊等が防止できる。

【００２９】本実施の形態においては、図２に示すよう
に緩衝機構としての弾性部材（バネ２５）は、押圧力Ｆ
を自身が縮むように弾性変形することにより緩衝する配
置となっているが、図３に示すように、緩衝機構として
の弾性部材（バネ２５）が伸びることにより押圧力Ｆを
緩衝するような配置にすることも可能である。該構成に
おいては、装置本体１４にマスクホルダー受け部１４ａ
が形成されている。そして、該マスクホルダー受け部１
４ａとマスクホルダー１３とが弾性部材（バネ２５）に
て連結されている。ウェーハＷとマスクＭとが相対的に
接近しこれらが接触すると、接触後にウェーハＷにかか
る押圧力Ｆは、バネ２５が伸びて弾性変形することによ
り緩和されることとなる。

【００３０】なお、本実施の形態においては、露光装置
１００の緩衝機構として、弾性部材を使用する場合のみ
を記載したが、本発明はこれに限られるものではなく、
例えば、エアーあるいは油圧ダンパー等の緩衝機構を採
用してもよい。

【００３１】

【実施例】実施例として、図１に示すような緩衝機構を
備えた露光装置１００を使用し、比較例として緩衝機構
を設けていない従来の露光装置を使用して、本発明の効
果を調べる。両者ともコンタクト方式による露光装置と
し、これらの露光装置により化合物半導体ウェーハの主
表面に電極を形成するリソグラフィ工程を行う。使用す
る化合物半導体ウェーハとしては、厚さ約０．２５ｍｍ
の燐化ガリウム（ＧａＰ）単結晶基板上にＧａＰあるい
はＧａＡｓＰ単結晶薄膜を厚さ約５μｍ〜１５μｍ液相
エピタキシャル成長させた直径５０ｍｍのエピタキシャ
ルウェーハを使用する。このような化合物半導体ウェー
ハの主表面全体に電極となるＡｕ金属膜を蒸着により形
成する。

【００３２】上記した実施例及び比較例の露光装置に、
上記化合物半導体ウェーハＷをそれぞれ配置する。そし
て、マスクをウェーハに対して接近及び密着させ、該ウ
ェーハに対してマスクを介して紫外線を照射することに
より露光を行う。このような露光工程を、実施例及び比
較例の露光装置で、それぞれ１０００枚の化合物半導体
ウェーハに対し施し、それぞれの装置において、ウェー
ハが割れたり、あるいは破壊されたりする頻度（ウェー
ハの割れ率）を比較する。

【００３３】その結果、ウェーハの割れ率は、比較例に
おいては９．２％であり、実施例においては０．５％で
あった。これにより、本発明の露光装置により、化合物
半導体ウェーハの割れが効果的に抑制できることがわか
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の露光装置の概略図。

【図２】本発明の露光装置の作用を説明する図。

【図３】本発明の露光装置の変形例を示す概略図。

【図４】化合物半導体ウェーハにおけるリソグラフィ工
程の一例を示す図。

【図５】図４のリソグラフィ工程後の化合物半導体ウェ
ーハと、それより切り出された半導体素子とを示す図。

【図６】従来の露光装置における化合物半導体ウェーハ
の割れの発生を説明した図。

【符号の説明】

１００露光装置ＭマスクＷ化合物半導体ウェーハＷ１化合物半導体ウェーハの主表面２５弾性部材（バネ）１２ウェーハ保持部１３マスクホルダー１４装置本体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5F046 BA01 BA02 CC01 CC02 CC08 CC09 CC10 DA21 DA22

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パターンが形成されているマスクと化合
物半導体ウェーハの主表面とを相対的に接近させて、前
記パターンを前記化合物半導体ウェーハの主表面に転写
するために使用される露光装置であって、前記マスクによる前記化合物半導体ウェーハへの押圧力
を緩衝するための緩衝機構を備えたことを特徴とする露
光装置。
【請求項２】前記緩衝機構は、弾性変形に基づいて前
記押圧力を緩衝する弾性部材を有することを特徴とする
請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】前記マスクは前記化合物半導体ウェーハ
に対向してマスクホルダーに保持されるとともに、該マ
スクホルダーが前記弾性部材を介して装置本体に取付け
られていることを特徴とする請求項２に記載の露光装
置。
【請求項４】マスクを保持するためのマスクホルダー
と、化合物半導体ウェーハを保持するためのウェーハ保持部
と、前記マスクホルダーと前記ウェーハ保持部との少なくと
も一方を駆動し、前記化合物半導体ウェーハと前記マス
クとを接近・離間させる駆動部と、前記マスクによる前記化合物半導体ウェーハへの押圧力
を緩衝するために、弾性変形に基づいて前記押圧力を緩
衝する弾性部材を含む緩衝機構と、を備え、前記マスクは前記化合物半導体ウェーハに対向してマス
クホルダーに保持されるとともに、該マスクホルダーが
前記弾性部材を介して装置本体に取付けられていること
を特徴とする露光装置。
【請求項５】前記弾性部材はバネであることを特徴と
する請求項２ないし４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】発光素子の電極形成に使用されることを
特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の露光装
置。