JP2002298776A - イオン化装置 - Google Patents
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Abstract
リ効果を防ぎ、正確な質量分析を行うことのできる質量
分析装置に適したイオン化装置を提供する。 【解決手段】 イオン放出体19から放出される金属イ
オンを、導入された試料ガスに付着させて試料ガスイオ
ンを生成し、試料ガスイオンを、電場と磁場のいずれか
一方または両方が形成された領域を有する質量分析装置
13へ射出する構成を有する。さらに試料ガスイオンを
生成するイオン化領域にクリーニング用プラズマを発生
させる電極として例えば上記イオン放出体を利用する。
イオン放出体により、中空容器との間でプラズマを発生
させ、プラズマでイオン化領域に面した構成部品上の堆
積物を除去する。プラズマクリーニング工程はイオン化
工程の後に適宜なタイミングで連続して行われる。
Description
し、特に、イオン付着イオン化法を利用して成り、気相
状態である有機物、化学的に活性な物質、あるいは吸着
性の高い物質を含む試料ガスの質量分析に適したイオン
化装置に関する。
て、従来、試料ガスをイオン化した後にこのイオンを電
界または磁界あるいは電界および磁界を利用して質量ご
とに分別して解析する質量分析方法が知られている。試
料ガスをイオン化する方法には様々あるが、中でも、イ
オン付着イオン化法は、イオン化の際の余剰エネルギが
他のイオン化の方法よりも低いという特徴を有する。従
ってイオン付着イオン化法は、質量分析対象の試料ガス
が原子同士の弱い結合部を含む気相分子であってもその
計測が可能となり、電子衝撃イオン化や化学的イオン化
等の他の方法よりも測定可能なガス種の範囲が広いとい
う利点を有している。
金属イオンなどの金属イオンを気相分子に直接に付着で
きるイオン化法であり、特開平6−11485号公報や
特公平7−48371号公報等でその方法および装置が
開示されている。
的な質量分析装置用イオン化装置について説明する。図
12は内部構造を部分的に示したイオン化装置の斜視図
であり、図13は概略縦断面図である。
のイオン化装置は、例えば有底の円筒状容器の中空容器
101から成り、開口102aを有するアパーチャ10
2を介して質量分析装置103に接続されている。中空
容器101内の空間すなわちイオン化領域104にはイ
オン放出機構105が配置されている。イオン放出機構
105は、例えばタングステンの高融点材料を材質とす
るリード線106と、このリード線106に取りつけら
れた例えばアルミナシリケイトにアルカリ金属塩をドー
プしたイオン放出体107から成る。リード線107
は、中空容器101の一部に設けられた取付け部108
からその外部に引き出されている。中空容器101の図
中左側端の底部101aにはガス導入機構109が備え
られている。ガス導入機構109からは、イオン化領域
104に対して例えば試料ガスと三体ガスが混合状態で
導入されている。三体ガスは、例えば窒素等の不活性ガ
スであり、試料ガスを構成する気相分子(分析目的物
質)に金属イオンが付着する際に生ずる余剰エネルギを
奪い、試料ガスイオンが再び分析目的物質と金属イオン
に分離することを防ぐガスである。
は、ガス導入機構109から三体ガスおよび試料ガスが
導入されると共に、質量分析装置 に備えられた真空
ポンプ(図示せず)によって排気され、100Pa程度
の圧力状態に維持される。この状態でリード線106に
電流を流し、その抵抗発熱を利用してイオン放出体10
7を600℃程度に加熱すると、ほぼ球形のイオン放出
体107はその表面上に金属イオンを生成する。リード
線106に10V程度の電圧を印加して正電位とし、ア
パーチャ102を接地電位とし、さらに質量分析装置1
03の内部を負電位に保つと、イオン化領域104に電
位勾配ができる。この電位勾配によって、金属イオンは
イオン放出体107から離脱(放出)され、質量分析装
置103の側へ移送される。イオン化領域104での移
送過程で、金属イオンは、分析目的物質に衝突し、分析
目的物質の電荷の偏った場所に穏やかに付着し、試料ガ
スイオンを生成する。この試料ガスイオンはそのまま質
量分析装置103の側へ移送を続け、アパーチャ102
に設けられた開口102aを通過してイオン化装置の外
部へ射出される。
よれば、試料ガスに、例えば原子間同士の弱い結合部を
含む有機物あるいは化学的に活性な物質からなる気相分
子を含む場合、イオン放出体107と接触すると、試料
ガスは加熱されたイオン放出体107から伝達される熱
により分解、重合または化学反応を引き起こす。これら
の反応により本来質量分析の対象とならない分析目的物
質以外の物質が生成される。この分析目的物質以外の物
質の生成量は極めて微量であり、質量分析の測定でほと
んど無視できる量であるが、イオン放出体やその他イオ
ン化領域に面した構成部品上に堆積され測定時間(装置
の積算稼動時間)に比して蓄積されていく(以下、構成
部品上に堆積された物質を「副生成物」という)。その
結果、金属イオンの放出量の低下、測定で必要なイオン
移送への影響などが生じ、その検出感度が低下するとい
う問題があった。
オン放出体107に限っては、加熱した状態で真空保管
また酸素暴露することによって、その機能を回復させる
ことができる場合がある。しかし、この回復は、試料ガ
スの種類の相違により、常にその効果が得られるとは限
らない。なおこの試料ガスに有機物を含む場合、上記係
る課題を解決するものとして、本願と同一の出願人によ
る特願2000−369876号に開示された発明があ
る。
た構成部品の回復に関しては、質量分析装置並びにイオ
ン化装置を停止してその内部を一度大気圧に戻し、その
まま洗浄するか、あるいは汚染された構成部品を装置よ
り取外して洗浄する必要があった。しかし、この質量分
析装置およびイオン化装置は一度その作動を停止して装
置内部を大気圧に戻してしまうと、再び測定を行える状
態になるまでに長い待機時間を必要とする。また、試料
ガスがシラン(SiH4)系ガスである場合、大気暴露
によってイオン化装置の内壁面に固形物(SiO2な
ど)が析出し、この固形物が複雑でおよび精密な構造を
有する質量分析装置内に入り込み、正確な測定ができな
くなるという問題があった。
分子以外の物質を試料ガスとした場合であっても、これ
らの気相分子がイオン化装置内の壁面に吸着され、この
状態が一定時間保持されることがある。これはメモリ効
果の原因となる。測定間隔が十分に設けられていない質
量分析測定では、前の測定で使われた試料ガスがイオン
化装置内に微量ながら残っていることとなり、正確な質
量分析測定ができないという問題があった。この問題
は、特に試料ガスが例えば固形物などに吸着する性質の
高い物質を含むときに顕著に現れる。
ン化装置の性能劣化を短時間で回復することができ、質
量分析装置とイオン化装置を停止することなくその性能
劣化を回復できるイオン化装置を提供することにある。
正確な質量分析を行うことのできる質量分析装置に適し
たイオン化装置を提供することにある。
イオン化装置は、上記目的を達成するため、次のように
構成される。
して、イオン放出体から放出される金属イオンを、導入
された試料ガスに付着させて試料ガスイオンを生成し、
試料ガスイオンを、電場と磁場のいずれか一方または両
方が形成された領域を有する質量分析部へ射出する構成
を有する。このイオン化にはイオン付着イオン化の原理
が用いられる。イオン化装置は、通常、イオン化の工程
のみが実施される。一方、イオン化工程を継続すると、
イオン放出体やイオン化領域に面する構造物の表面に副
生成物が堆積する。特に試料ガスが、気相状態である有
機物、化学的に活性な物質、あるいは吸着性の高い物質
を含む場合に堆積物の発生が顕著になる。そこで、イオ
ン化装置において、プラズマを利用したクリーニング工
程を実施できる構成を設ける。すなわち、試料ガスイオ
ンを生成するイオン化領域にクリーニング用プラズマを
発生させる電極部を設ける。これにより、プラズマでイ
オン化領域に面した構成部品上の堆積物を除去するよう
にした。通常、プラズマクリーニング工程はイオン化工
程の後に適宜なタイミングで連続して行われる。
せるための電極部としては、イオン化領域の内部に配置
される上記構成部品のいずれかが用いられる。特に、好
ましくは、イオン化放出体、あるいは、イオン化工程で
用いられるイオン集束電極が電極部として用いられる。
さらには、イオン化領域の内部において、放電専用の電
極部を設けることもできる。
内部空間(イオン化領域)でクリーニング用のプラズマ
を発生させるとき、イオン化工程で用いる三体ガスを放
電ガスとして用い、イオン化工程での圧力条件(代表的
に100Pa)と実質的に同じ圧力条件が用いられる。
従ってプラズマクリーニング工程で設定される条件は、
イオン付着イオン化によるイオン化工程をそのまま利用
して設定することができる。
置は、前述の前提構成を有しており、さらに、試料ガス
イオンを生成するイオン化領域を内部に形成しかつイオ
ン化領域の側の壁面が導電性部材で構成された中空容器
と、金属イオンを放出するイオン放出機構と、イオン化
領域に放電ガスを導入する放電ガス導入機構と、イオン
化領域に導入された放電ガスを中空容器の外部へ排出す
る排気機構とを備えて成る。上記の構成において、イオ
ン化領域に放電ガス導入機構により放電ガスを導入しな
がら排気機構で排気してイオン化領域を所定圧力に維持
すると共に、イオン放出機構または中空容器のいずれか
一方をカソードとしかつ他方をアノードとしてイオン化
領域にプラズマを発生させ、イオン化領域に面したカソ
ードとした構成部品上の堆積物を除去する。
化工程での通常の圧力100Paである。またイオン化
装置にもともと備えられた構造部分を利用して、プラズ
マクリーニングのための放電を発生させることができ
る。そのために、イオン化装置の中空容器の外部には電
源装置、電源装置の動作を切り換える機構、制御装置が
設けられる。特に放電を発生させるためのアノードとカ
ソードの一対の電極は、クリーニングする箇所に関する
目的に応じて適宜に選択される。
たイオン放出機構上の堆積物を除去するときには、イオ
ン放出機構をカソードとすることが好ましく、イオン化
領域に面した中空容器内壁上の堆積物を除去する際に
は、中空容器内壁をカソードとすることが好ましい。
ズマを発生させてイオン化領域に面した構成部品上の堆
積物を除去する工程は、試料ガスに金属イオンを付着さ
せて試料ガスイオンを生成して当該試料ガスイオンを質
量分析部へ射出する工程の後に連続して行われることを
特徴とする。
気相状態の有機物であり、試料ガスのイオン化が行われ
た後に、イオン化領域に酸素を導入し、かつ所定圧力に
維持しながらイオン化領域にプラズマを発生させること
を特徴とする。さらに上記試料ガスは気相状態の金属化
合物または半導体を含む化合物であるときには、試料ガ
スのイオン化が行われた後に、イオン化領域にハロゲン
系ガスを導入し、かつ上記所定圧力に維持しながらイオ
ン化領域にプラズマを発生させることを特徴とする。
るイオン放出体や他の構成部品上に副生成物が堆積され
試料ガスイオンの生成量や検出量が低下したとき、つま
り質量分析装置での検出感度が低下したときなどには、
イオン化領域内部に前述の機構によりプラズマを発生さ
せ、このイオン化領域に面した構成部品上の堆積物を除
去する。これによりイオン化装置の性能を回復すること
を可能にする。
としては、例えば、容量性放電の場合のカソードおよび
アノードである電極構造部材、または誘導性放電の場合
のコイルである螺旋状導電性部材、または電磁波加熱放
電の場合の電磁波発生部材などが好適である。これらは
装置の本来の構造や目的に応じて使い分けられる。
えられたものであってもよいが、イオン化装置内部に備
えられたイオン集束電極やリペラ電極、さらにこのイオ
ン化装置が所定の質量数のイオンを補足する構成を有す
るもの(以下「イオントラップ型」という)であるとき
には、エンドギャップ電極、リング状電極などの金属イ
オンや試料ガスイオンの移送に寄与する電極を用いるこ
とができる。
化装置は、前述の前提構成を有し、試料ガスイオンが生
成されるイオン化領域に通じたプラズマ発生領域を有
し、かつ放電ガス導入機構とプラズマ発生機構を備えた
プラズマ発生室と、イオン化領域に配置されたプラズマ
引込み電極と、イオン化領域とプラズマ発生領域を排気
する排気機構とを備える。かかる構成において、イオン
化領域とプラズマ発生領域を所定圧力に維持し、プラズ
マ発生領域にプラズマ発生機構によって第1プラズマを
発生させ、プラズマ引込み電極によってイオン化領域に
第1プラズマを引込んで第2プラズマを発生させ、イオ
ン化領域に面した構成部品上の堆積物を除去する。
螺旋状導電性部材を用いることを特徴とする。さらに引
込み電極は、試料ガスイオンを前記質量分析部へ射出す
る際に、イオンの移送に寄与する電極を兼ねることを特
徴とする。
領域に壊れやすい構成部品が存在する場合、その構成部
品が多種にわたって多く配置されその近傍にプラズマ発
生手段を設けることができない場合、などに好適であ
る。このイオン化装置は、イオン化領域に隣接するよう
にプラズマ発生領域を設け、このプラズマ発生領域で第
1プラズマを発生させ、第1プラズマよりも高い電位と
したプラズマ引込み電極によりプラズマ発生領域からイ
オン化領域内に第1プラズマ中の電子を引込むことで第
2プラズマを発生させている。
備えられたものであってもよいが、イオン化装置内部に
備えられたイオン集束電極やリペラ電極、さらにこのイ
オン化装置がイオントラップ型の場合はエンドギャップ
電極、リング状電極などの電極を用いることが好適であ
る。このプラズマ引込電極は、イオン化装置が試料ガス
イオンを質量分析装置へ射出するときには、イオン集束
電極やリペラ電極、このイオン化装置がイオントラップ
型の場合はエンドギャップ電極、リング状電極として機
能し、イオン化領域に面した構成部品上の堆積物を除去
するときには第1プラズマよりも高い電位となるように
引込み電極として構成される。
電極が、金属イオンを放出するイオン放出機構を兼ねる
構成とすることもできる。このときもイオン放出機構
は、第1プラズマよりも高い電位となるようにする。
が、イオン化工程で用いられる構成部品で併用すること
により、構成部品の数を減らし、装置の省スペース化を
図ることができる。
ズマを利用した副生成物のクリーニング工程とを連続的
に動作させることが好ましい。イオン化領域にプラズマ
を発生させるときを、試料ガスの質量分析測定が行われ
る直前またはその測定直後とする。これによって、相前
後する質量分析測定で、特に定性的または定量的に異な
る試料ガスの測定を行う場合であっても、イオン化装置
内に残るガスや構成部品上の堆積物を除去し、次に正確
な質量分析測定を行うことが可能となるまでの間隔を短
くする、または装置の性能劣化が進む前にその機能を完
全に回復することができる。
れるガスを酸素とする。これは、例えば試料ガスが気相
状態の有機物を含むとき、このイオン化によって堆積さ
れる副生成物は、酸素で除去しやすいためである。また
プラズマによってイオン放出体上の堆積物を除去した際
は、そのイオン放出体の表面もわずかながらエッチング
される。このイオン放出体は、そのままの酸化されてい
ない状態では、十分な金属イオンの放出量が得られな
い。そのため、イオン化領域にプラズマを発生させるた
めのガスを酸素とすることは、有機物からなる堆積物の
除去に適し、またイオン放出体上の堆積物を除去する場
合、この堆積物を除去しながらイオン放出体表面を酸化
させることができる。
導体を含む化合物である場合、イオン化領域に導入され
る放電ガスにハロゲン系ガスを用いることが好ましい。
このハロゲン系ガスは例えばNF3やSF6のようなハロ
ゲンを含むガスであり、この雰囲気中にプラズマを発生
すると、ハロゲン系遊離基を生ずる。この遊離基は、例
えばタングステン(W)やアルミニウム(Al)などの
電子部品の配線材料となる金属や例えばシリコン(S
i)などの半導体を含む化合物からなる試料ガスがイオ
ン化された際に生ずる副生成物との反応性が高く、イオ
ン化装置の構成部品上に堆積した副生成物がこれら金属
化合物あるいは半導体を含む化合物を除去する場合に特
に効果を発揮する。
を添付図面に基づいて説明する。
配置関係については本発明が理解できる程度に概略的に
示したものにすぎず、また数値および各構成の組成(材
質)については例示にすぎない。従って本発明は、以下
に説明される実施形態に限定されるものではなく、特許
請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限
り様々な形態に変更することができる。
形態を説明する。図1は一部を切り欠いて内部の要部構
造を示したイオン化装置の斜視図、図2はその縦断面図
である。この実施形態では、イオン化を行うための金属
イオンを放出するイオン放出体を、クリーニングを行う
ときの電極として併用する例を示している。
材で形成された有底の円筒状の中空容器11を有してい
る。この実施形態では中空容器11は接地され、接地電
位(ゼロ電位)に保持されている。中空容器11の図中
左端面には底部11aが形成され、図中右端部には、中
央部に開口12aを有する円板状のアパーチャ12が固
定されている。図2に示すように中空容器11はアパー
チャ12を介して質量分析装置13に接続される。アパ
ーチャ12と質量分析装置13の左端面13aとの間に
はリング状のシール部材14が介設されている。アパー
チャ12はネジ15で上記左端面13aに固定されてい
る。
16とガス導入機構17が設けられている。
て形成されたリード線18と、これに取り付けられたイ
オン放出体19から成る。リード線18は、中空容器1
1の円筒部に形成された開口部11bで絶縁物20を介
して取り付けられている。リード線18の両端18a,
18bは、さらに中空容器11の外部へ引き出されてい
る。イオン放出体19は、例えばLi+のごとき正の金
属イオンを放出する。通常、イオン化工程においてイオ
ン放出体19は金属イオンを放出する放出源(エミッ
タ)として機能する。
線18の一端18aは、一例として、切換えスイッチ2
1を経由して2つの電源22,23のいずれかに接続さ
れる。リード線18の外側の他端18bはスイッチ24
を介して加熱電源25に接続されている。イオン化工程
(イオン化動作時)ではスイッチ24はオンされてお
り、そのとき加熱電源25はリード線18の端子18
a,18bの間に接続され、リード線18とイオン放出
体19に加熱用の電流(例えば4A程度)を流す。クリ
ーニング工程(クリーニング動作時)ではスイッチ24
はオフされる。スイッチ24のオン・オフ動作は、通
常、図示しない制御装置によって自動的に行われる。電
源22はイオン化工程に用いられる電源であり、電源2
3はクリーニング工程に用いられる電源である。電源2
2,23のいずれかとの接続は切換えスイッチ21の切
換え動作によって行われる。切換えスイッチ21の切換
え動作は前述の制御装置(図示せず)によって自動的に
行われる。イオン化用電源22は、イオン放出体19に
好ましくは10Vの電圧を印加しかつ0.1μAのエミ
ッション電流を流すように設定されている。イオン化動
作時のイオン放出機構16の電気的等価回路を示すと図
3のごとくとなる。図3で、26は加熱電源25によっ
てリード線18を流れる加熱電流を示し、27はイオン
放出体19から金属イオン(Li+)が放出された状態
を示している。放出された金属イオンが上記エミッショ
ン電流となる。またイオン放出体19には電源22によ
って10Vが印加されている。他方、クリーニング用電
源23は、イオン化領域にプラズマを生成する放電を起
こすため、リード線18を介しイオン放出体19に対し
て好ましくは200Vの電圧を印加するための電源であ
る。クリーニング工程では、上記スイッチ24はオフさ
れているので、端子18は開放されている。この結果、
電源23はイオン放出体19に対して200Vの電圧を
印加する。クリーニング動作時のイオン放出機構16の
電気的等価回路を示すと、図4のごとくなる。図4で、
28はイオン放出体19の周囲で発生したプラズマを示
している。図4に示すごとく電源23によってイオン放
出体19には200Vの電圧が印加されている。この状
態でクリーニング用のプラズマが発生すると、mA単位
の電流が流れることになる。
は上記のごとく制御装置で制御され、イオン化工程また
はクリーニング工程のそれぞれに応じて適宜なタイミン
グで制御される。
ン化用とクリーニング用の2つの電源22,23を設け
たが、1つを電源を設けて構成することもできるのは勿
論である。この場合には、電源は、制御装置によってそ
の動作状態をイオン化用設定状態またはクリーニング用
設定状態に制御される。
1、三体ガス供給容器32、バルブ33,34、混合器
35、導入パイプ部材36を備えて成る。導入パイプ部
材36の先端部は中空容器11の底部11aのほぼ中央
部に接続されている。バルブ33,34は、その開閉を
制御する信号線33a,34bから与えられる開閉制御
信号に基づいて開閉される。導入パイプ部材36の先端
開口部からは、バルブ33,34の開閉状態に基づいて
試料ガスおよび三体ガス、または三体ガスのみがイオン
化領域に導入される。なお図中、信号線33a,34a
を経由してバルブ33,34に開閉制御信号を与える制
御装置の図示は省略されている。
ン化動作(試料ガスイオンの生成)とクリーニング動作
を説明する。
する場合は、ガス導入機構17からイオン化領域に対し
て試料ガスと三体ガスを同時に導入する。イオン化領域
は、アパーチャ12に設けられた開口12aを通して、
質量分析装置13に備えつけられた真空ポンプによって
排気されている。このときのイオン化領域の圧力は、ほ
ぼ100Pa程度に維持されている。この状態で、加熱
電源25リード線18に電流を流し、その抵抗発熱を利
用してイオン放出体19を600℃程度に加熱する。ま
たイオン化用電源22によってイオン放出体19に10
Vの電圧を印加する。イオン放出体19はその表面上に
金属イオンを生成する。
源22によって10V程度の電圧を印加して正電位とさ
れ、アパーチャ12を接地電位、かつ質量分析装置13
の内部を負電位に保持して、イオン化領域に電位勾配を
作る。この電位勾配により、イオン放出体19から金属
イオンを離脱(放出)させ、この金属イオンを、アパー
チャ12の開口12aを通して、質量分析装置13の側
へ移送する。金属イオンは、この移送の過程で試料ガス
を構成する各気相分子(分析目的物質)に衝突し、この
分析目的物質の電荷の偏った場所に穏やかに付着する。
こうして試料ガスイオンが生成される。この試料ガスイ
オンは電界によってそのまま質量分析装置13側へ移動
を続け、やがてアパーチャ12に設けられた開口12a
を通過してイオン化装置10の外部へと射出される。イ
オン化装置10から出た試料ガスイオンは、質量分析装
置13において、良く知られた作用に基づいて分別さ
れ、質量分析される。
ーニング動作を説明する。イオン化装置10において上
述のイオン化工程を連続的または断続的に或る一定以上
の時間行うと、イオン化装置10の内部の各構成部品
(イオン放出体16の表面や中空容器11の内面等)上
に副生成物が堆積し、蓄積される。そこでかかる副生成
物を除去するため、イオン化装置10の内部でプラズマ
を発生させてクリーニングを行う。クリーニング動作の
ときには、ガス導入機構17からの試料ガスの導入を停
止し、三体ガスの導入はそのまま継続される。三体ガス
は放電ガスとして使用される。中空容器11内のイオン
化領域における圧力状態は、イオン化を行う場合と実質
的に同一である。この状態で、スイッチ24をオフに
し、かつ切換えスイッチ21をクリーニング用電源23
の側に切換え、イオン放出体19に電源23から200
Vの電圧を印加する。クリーニング動作の際には、イオ
ン放出体19(イオン放出機構16)はプラズマを生成
するための電極として用いられる。電極としてのイオン
放出体19と接地された中空容器11との間でプラズマ
が生成されることになる。イオン放出体19に所定電力
を供給すると、イオン化領域に放電が起き、プラズマが
発生する。このプラズマによってイオン放出体19の表
面や中空容器11の内面に堆積した副生成物を除去す
る。
において、プラズマを集中させるため、除去したい堆積
物が堆積した構成部品の箇所を最も低い電位とすること
が望ましい。第1実施形態の場合には、例えば、イオン
放出体19自体に高いマイナス電圧を印加することによ
り、イオン放出体19の表面の堆積物を特に除去するこ
とができる。このときイオン放出体19の表面にクリー
ニングイオンが集中する。
イオン化装置において、内部の堆積物(副生成物)の除
去のためのプラズマクリーニングにおいて、特別にプラ
ズマ発生のための装置を用意することなく、イオン化工
程における本来の圧力条件をそのまま利用し、かつイオ
ン付着で使用する三体ガス(Arガス等)をプラズマ発
生用の放電ガスとして利用でき、イオン放出機構それ自
体を電極として併用することができる。従って、簡単な
構成で、かつ適宜なタイミングでプラズマクリーニング
を行うことができる。
実施形態を説明する。図5は一部を切り欠いて内部の要
部構造を示したイオン化装置の斜視図、図6はその縦断
面図である。図5と図6において、第1実施形態で説明
した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付し、
その詳細な説明は省略する。また図5と図6では、第1
実施形態で説明されたガス導入機構17の詳細な図示は
省略されているが、当該機構部分に関しては同一の構成
を有しているものとする。
較して、その特徴部分は、プラズマクリーニングの工程
において、電極として、イオン放出機構16を用いるの
ではなく、中空容器11の円筒部に電極41を特別に設
けたことである。電極41は直線形状の針状部材であ
り、先端は好ましくは針のごとく尖がっている。電極4
1は、中空容器11の円筒部に形成された開口部42に
絶縁体43を介して取り付けられている。電極41の外
側の端部にはスイッチ44を介して前述したクリーニン
グ用電源23が接続されている。中空容器11の内部に
はできる限り突出部分は存在しない方が望ましいが、そ
の点を考慮して電極41の内方突出部の寸法が適宜に決
定される。またリード線18の端子18aはスイッチ4
5を介してイオン化用電源22に接続されている。スイ
ッチ44,45のオン・オフ動作は、制御装置に基づき
イオン化工程またはクリーニング工程に応じて適宜なタ
イミングで制御される。その他の構成については第1実
施形態で説明した構成と同じである。
位、イオン放出体19の電位、あるいはその他の内部の
構成部品の電位は、図示しない電源により任意に設定す
ることができるように構成されている。
6はイオン付着のイオン化工程のみに使用され、イオン
放出機構16のリード線18の外側端部18aには前述
のイオン化用電源22のみが接続されている。イオン化
の工程の際には、電極41は何らの作用も有しない。他
方、イオン化領域で放電を起こし、プラズマを生成し、
クリーニングを行う場合には、針状の電極41に前述の
クリーニング用電源23から所定の電力が供給される。
空容器11内での前述の圧力条件の下で、前述のごとく
ガス導入のパイプ部材36から試料ガスと三体ガスが同
時に導入され、イオン放出体19から金属イオンが放出
され、イオン化領域でイオン化が行われる。また副生成
物を除去するため、適当なタイミングで、同じ圧力条件
で、導入パイプ部材36から三体ガスのみを導入して、
かつ電極41に前述の所定電圧を印加してプラズマを生
成し、クリーニングを行う。
たは断続的にある一定以上の時間行うと、イオン化装置
内の各構成部品上に副生成物が堆積するので、一定時間
後に試料ガスの導入を停止し三体ガスのみそのまま放電
ガスとして導入し、この状態で、電極41に所定電力を
供給してイオン化領域にプラズマを発生させる。このと
きの電位は、イオン放出体19上の堆積物を除去する場
合、図示しない電源によりイオン放出体19をイオン化
領域に面した構成部品のうち最も低い電位とし、プラズ
マで生成されたイオンを引き寄せ、その表面にイオンを
衝突させるようにする。また中空容器11の内壁の堆積
物を除去する場合は、この中空容器内壁をイオン化領域
に面した構成部品のうち最も低い電位とする。つまり、
除去したい堆積物が堆積した構成部品を最も低い電位と
する。なお複数の構成部品を同電位かつこれら以外の構
成部品よりも低い電位とすると、複数の構成部品上の堆
積物を同時に除去することも可能である。
付け位置は、図示した位置が望ましいが、目的に応じて
任意の位置に定めることができる。
装置の第3の実施形態を説明する。図7において第1と
第2の実施形態で説明した要素と実質的に同一の要素に
は同一の符号を付し、説明を省略する。第3実施形態
は、第2実施形態の構成の変形例である。
と試料ガスとの接触を防ぎ、イオン放出体2から金属イ
オンの安定かつ十分な放出量を長期的に得るための構造
を有するイオン化装置である。そのため中空容器11で
は、試料ガス導入機構と三体ガス導入機構をそれぞれ独
立して設けている。図7で、51は三体ガス導入パイ
プ、52は試料ガス導入パイプである。試料ガス導入パ
イプ52は絶縁体52aを介して取り付けられている。
試料ガス試料ガス導入機構と三体ガス導入機構の図示は
省略されているが、従来のよく知られた機構が用いられ
ている。またイオン放出機構16の配置された金属イオ
ン生成領域53と試料ガスが導入されるイオン化領域5
4とを、金属イオンが通過する開口55aのみを残して
アパーチャー55によって隔離した構成となっている。
イオン化領域54に電極41が備えられている。その他
の構成は図5に示した構成と同じである。
の内部の構成部品上の堆積物を除去する場合、電極41
に電力を供給し、アパーチャ12、アパーチャ55、中
空容器11の隔壁を接地電位、電極41を正電位とす
る。これによりイオン化領域54にプラズマが発生し、
イオン化領域54に面した構成部品上の堆積物を除去す
ることができる。この実施形態では、金属イオン生成領
域53とイオン化領域54とを分けたため、イオン放出
体19の表面上に堆積物が生じるのを防止することがで
きる。
オン化装置では、プラズマ発生用の電極として棒状電極
41を備えた構成としたが、中空容器11の内壁、イオ
ン放出機構16、さらにはアパーチャ12,55などの
他のイオン化領域54に面した構成部品の一部または全
部をそれぞれ独立に電力供給または電圧印加が可能な構
成とし、この供給電力と、それぞれの電位が与えられた
構成部品とによってプラズマを発生させる構成としても
よい。
装置の第4の実施形態を説明する。この実施形態ではイ
オン化室56にイオン集束電極57を備えたイオン化装
置に本発明を適用した例である。上記の電極41を用い
ない点を除いて、その他の構成は図5に示された構成と
同じである。図8において、図5で説明した要素と実質
的に同一の要素には同一の符号を付している。
オン放出機構16とアパーチャ12aの間の領域に、中
空容器11に絶縁物58を介して配置されたリング状イ
オン集束電極57を備えている。イオン集束電極57
は、中空容器11に絶縁物58を介して取り付けられ、
中空容器11と絶縁された導電性部材59を介して図示
しないイオン化装置外部の電源と電気的に接続されてい
る。この電源は前述したクリーニング用電源の機能を含
んでいる。イオン集束電極57は、中空容器11の中心
軸と同軸となるように配置されている。軸上のイオン集
束電極57が配置された位置に対応する位置の電位より
もやや高い電位となるような電圧が印加されている。イ
オン集束電極57は、イオン放出機構16が配置された
領域側からアパーチャ12側へ移送してくる金属イオン
および試料ガスイオンを中空容器11の中心軸側へと集
束させる。
の内部の構成部品上の堆積物を除去する場合、装置内部
の領域を所定圧力に維持し、クリーニング用電極からイ
オン集束電極57に電力を供給する。このときイオン放
出体19また中空容器11の内壁を他の構成部品よりも
低い電位とすると、イオン化領域56に発生されたプラ
ズマのエネルギを利用して、この低い電位として選択さ
れた構成部品上の堆積物を除去することができる。
化装置の第5の実施形態を説明する。このイオン化装置
は、所定の空間内で金属イオンを捕捉して溜め込むイオ
ントラップ機能を有し、この空間内に試料ガスを導入す
ることで試料ガスイオンを生成し、金属イオンよりも質
量の重いイオンのみを分別して装置外部へ射出すること
のできる装置である。
中空容器61内のイオン生成領域62と、容器63内の
イオン化領域とを、金属イオンが移送できる程度の開口
を有するアパーチャ64によって隔離している。中空容
器61には、リード線18とイオン放出体19が例えば
第5図に示したものと同様な構成に基づいて設けられて
いる。またイオン化領域には、試料ガスおよび三体ガス
を導入するガス導入機構17および導入パイプ部材36
と、金属イオンを所定の空間内に捕捉して溜め込むため
の二対のエンドギャップ電極65と、その間に配置され
たリング状電極66とから構成されている。エンドギャ
ップ電極65とリング状電極66には、直流電圧と交流
電圧の重畳電圧を印加し、その内部に三次元双曲電磁界
を形成している。周知のごとく、イオンの動きは重畳電
圧の直流と交流の印加電圧の関係で制御され、金属イオ
ンをその内部の所定空間に捕捉し、それ以上の質量数を
有するイオンのみをアパーチャ67に設けられた開口6
7aより装置外部へ射出する。図9で、68は、エンド
ギャップ電極65とリング状電極66に対して直流また
は交流の電圧を印加する導電部材である。
付着した堆積物を除去する場合、二対のエンドギャップ
電極65のうちの一方またはリング状電極66をプラズ
マ発生用の電極として用いる。構成部品の電位について
は、前述の各実施形態で説明したイオン化装置と同様
に、除去したい副生成物が堆積している構成部品を最も
低い電位とする。
領域を所定圧力に維持するためのガス導入機構および排
気機構を、それぞれプラズマ発生用に別途設けた構成と
してもよい。特に、排気機構をイオン化装置に直接設け
ることは、放電ガス、および例えば副生成物と放電ガス
が反応して生成された気相分子が、質量分析装置へ流入
することを防ぎ、質量分析装置内の部品が二次的に汚染
されることを防止することができる。また装置の構成
上、イオン化領域内に直接プラズマ発生用の電極を設け
ることができないときなどは、イオン化領域に隣接する
領域を設け、この領域をプラズマ発生領域としてもよ
い。
別途に設け、さらにイオン化領域とプラズマ発生領域を
それぞれ別に設けた本発明に係るイオン化装置の第6の
実施形態を示す。図10において、前述の各実施形態で
説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付
している。このイオン化装置の構成は、図5と図8に示
した構成の組合せにおいてプラズマ発生領域の構造を付
加的に別途に設けたものである。
の底部側側面に、この中空容器11よりも小さい円筒状
容器からなるプラズマ発生室71を設ける。中空容器1
1内部のイオン化領域は、プラズマ発生室71内のプラ
ズマ発生領域と連通となっている。プラズマ発生室71
の底部には放電ガスを導入する放電ガス導入機構72が
設けられており、中空容器11のアパーチャ12側の壁
部には、図示しない真空ポンプに接続された排気ポート
73が設けられている。また、プラズマ発生室71の円
筒部にはプラズマ発生室71と絶縁された棒状電極41
が備えられ、この電極41はイオン化装置外部の電源と
電気的に接続された構成となっている。またイオン放出
機構16とアパーチャ12の間にイオン集束電極57が
備えられている。
た副生成物を除去する場合、放電ガス導入機構72から
放電ガスを導入するとともに、排気ポート73よりプラ
ズマ発生領域およびイオン化領域を排気して、イオン化
装置の内部領域を所定圧力に維持する。この状態で電極
41に電力を供給し、プラズマ発生室71内に第1のプ
ラズマを発生させる。このときイオン化領域に配置され
たイオン集束電極57に第1のプラズマよりも高い電位
となる電圧を印加する。第1のプラズマ中の電子は、こ
のプラズマ発生領域とイオン集束電極57との間に形成
された電界によりイオン化領域内に移送される。つま
り、イオン集束電極57は第1のプラズマ中の電子をイ
オン化領域内に引込む引込電極として機能する。イオン
化領域では、この電子が放電ガスを衝撃して多数のイオ
ン化を引き起こし、イオン化領域内に第2のプラズマを
生成する。この第2のプラズマによってイオン化室内の
構成部品の上に堆積した副生成物が除去される。こうし
てクリーニング工程が適宜なタイミングで行われる。
は、所定圧力に維持された領域内に設けられたプラズマ
発生用電極に供給される電力がプラズマ中の電極に直接
結合される容量性放電を利用してプラズマを発生させて
いる。しかしながら、その代わりに、他の誘導性放電や
電磁波加熱放電などを利用することもできる。さらに、
発生されたプラズマがDC放電またはRF放電であるか
に関しては、適宜に選択することができる。
オン化装置の第7の実施形態を説明する。この実施形態
によるイオン化装置は、イオン化領域に隣接する他の領
域で第1のプラズマを発生させ、この第1のプラズマを
引込む引込電極が設けられた装置であって、このプラズ
マが誘導性放電で、かつ放電ガス導入機構と排気機構を
別途設けた装置である。図11において、前述の各実施
形態で説明された要素と実質的に同一の要素には同一の
符号が付されている。
部側側面に、この中空容器11よりも小さい容器であっ
て、円筒部が絶縁物(誘電体)で構成されたプラズマ発
生室81を設ける。中空容器11内部のイオン化領域
は、プラズマ発生室81内のプラズマ発生領域と連通と
なっている。プラズマ発生室81の底部には放電ガスを
導入する放電ガス導入機構82が設けられている。また
プラズマ発生室81を形成する隔壁の円筒部外側には螺
旋状導電性部材83が備えられている。中空容器11の
アパーチャ12側の壁部には、図示しない真空ポンプと
接続された排気ポート73が設けられている。その他の
基本的な構成は、図10に示した実施形態で説明した構
成と同じである。
構成部品上の堆積物を除去する場合、放電ガス導入機構
82から放電ガスを導入すると共に、排気ポート73と
排気機構によりプラズマ発生領域およびイオン化領域を
排気して、このイオン化装置内部の領域を所定圧力に維
持する。この状態で螺旋状導電性部材83に図示しない
RF電源からRF電力を供給し、プラズマ発生室81の
円筒部の誘電体壁を介して螺旋状導電性部材と電気的に
結合された第1のプラズマをプラズマ発生領域に発生さ
せる。イオン集束電極57は、第1のプラズマよりも高
い電位となるような電圧が印加され、第1のプラズマ中
の電子をイオン化領域内に引込む引込電極となる。これ
により、第1のプラズマ中の電子はイオン化領域内に移
送され、放電ガスを衝撃して多数のイオン化を引き起こ
し、イオン化領域内に第2のプラズマを生成する。この
第2のプラズマによってイオン化室内の構成部品上の堆
積物が除去され、クリーニングが行われる。
は、金属イオンを試料ガスに付着させて試料ガスイオン
を生成し、この試料ガスイオンを質量分析装置へと射出
する工程と、イオン化領域にプラズマを発生させてその
内部の構成部品上に堆積した副生成物を除去する工程が
連続的に行われるようにする。これにより、イオン化装
置の性能が低下する前に、そのイオン化性能を回復する
ことができ、また相前後する定量的もしくは定性的に異
なる質量分析測定に係るメモリ効果を防ぎ、正確な質量
分析測定を行うことができるようにする。
ズマによる構成部品上の堆積物を除去する際に、イオン
放出体表面を同時に酸化させることができ、この除去工
程後、直ちに質量分析測定を行うことができる。
れば、試料ガスのイオンの生成量あるいはその検出量が
低下したとき、すなわち質量分析装置による検出感度が
低下したときに、イオン化装置のイオン化工程のために
設けられた装置構成を利用してプラズマクリーニング工
程を実現できるように構成したため、イオン化装置の内
部を大気開放することなしにこの装置の性能を回復する
ことができる。特に、気相状態である有機物、化学的に
活性な物質、あるいは吸着性の高い物質を含む試料ガス
の質量分析におけるイオン化に最適であり、イオン化装
置の性能劣化を短時間で回復することができる。加え
て、メモリ効果を防ぎ、正確な質量分析を行うことがで
きる。
し、一部を切り欠いて内部の要部構造を示した斜視図で
ある。
ある。
程でのイオン放出機構の電気回路図である。
グ工程でのイオン放出機構の電気回路図である。
し、一部を切り欠いて内部の要部構造を示した斜視図で
ある。
ある。
し、一部を切り欠いて内部の要部構造を示した斜視図で
ある。
し、一部を切り欠いて内部の要部構造を示した斜視図で
ある。
し、一部を切り欠いて内部の要部構造を示した斜視図で
ある。
示し、一部を切り欠いて内部の要部構造を示した斜視図
である。
示し、一部を切り欠いて内部の要部構造を示した斜視図
である。
て内部の要部構造を示した斜視図である。
図である。
Claims (15)
- 【請求項1】 イオン放出体から放出される金属イオン
を、導入された試料ガスに付着させて試料ガスイオンを
生成し、前記試料ガスイオンを、電場と磁場のいずれか
一方または両方が形成された領域を有する質量分析部へ
射出するイオン化装置において、 前記試料ガスイオンを生成するイオン化領域にクリーニ
ング用プラズマを発生させる電極部を設け、前記プラズ
マで前記イオン化領域に面した構成部品上の堆積物を除
去することを特徴とするイオン化装置。 - 【請求項2】 前記イオン化領域の内部に配置される前
記構成部品のいずれかを前記電極部として用いることを
特徴とする請求項1記載のイオン化装置。 - 【請求項3】 前記イオン化放出体を前記電極部として
用いることを特徴とする請求項2記載のイオン化装置。 - 【請求項4】 イオン化工程で用いられるイオン集束電
極を前記電極部として用いることを特徴とする請求項2
記載のイオン化装置。 - 【請求項5】 前記イオン化領域の内部に放電専用の電
極部を設けたことを特徴とする請求項1記載のイオン化
装置。 - 【請求項6】 前記プラズマを発生させるとき、イオン
化工程で用いる三体ガスを放電ガスとして用い、前記イ
オン化工程での圧力条件と実質的に同じ圧力条件が用い
られることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に
記載のイオン化装置。 - 【請求項7】 イオン放出体から放出される金属イオン
を、導入された試料ガスに付着させて試料ガスイオンを
生成し、前記試料ガスイオンを、電場と磁場のいずれか
一方または両方が形成された領域を有する質量分析部へ
射出するイオン化装置において、 前記試料ガスイオンを生成するイオン化領域を内部に形
成しかつ前記イオン化領域の側の壁面が導電性部材で構
成された中空容器と、 前記金属イオンを放出するイオン放出機構と、 前記イオン化領域に放電ガスを導入する放電ガス導入機
構と、 前記イオン化領域に導入された前記放電ガスを前記中空
容器の外部へ排出する排気機構とを備え、 前記イオン化領域に前記放電ガス導入機構により前記放
電ガスを導入しながら前記排気機構で排気して前記イオ
ン化領域を所定圧力に維持すると共に、前記イオン放出
機構または前記中空容器のいずれか一方をカソードとし
かつ他方をアノードとして前記イオン化領域にプラズマ
を発生させ、前記イオン化領域に面した前記カソードと
した構成部品上の堆積物を除去することを特徴とするイ
オン化装置。 - 【請求項8】 前記イオン化領域に面した前記イオン放
出機構上の堆積物を除去するときには、前記イオン放出
機構をカソードとし、前記イオン化領域に面した中空容
器内壁上の堆積物を除去する際には、前記中空容器内壁
をカソードとすることを特徴とする請求項7記載のイオ
ン化装置。 - 【請求項9】 前記イオン化領域にプラズマを発生させ
て前記イオン化領域に面した構成部品上の堆積物を除去
する工程は、前記試料ガスに前記金属イオンを付着させ
て前記試料ガスイオンを生成して当該試料ガスイオンを
前記質量分析部へ射出する工程の後に連続して行われる
ことを特徴とする請求項7記載のイオン化装置。 - 【請求項10】 前記試料ガスは気相状態の有機物であ
り、前記試料ガスのイオン化が行われた後に、前記イオ
ン化領域に酸素を導入し、かつ前記所定圧力に維持しな
がら前記イオン化領域にプラズマを発生させることを特
徴とする請求項9記載のイオン化装置。 - 【請求項11】 前記試料ガスは気相状態の金属化合物
または半導体を含む化合物であり、前記試料ガスのイオ
ン化が行われた後に、前記イオン化領域にハロゲン系ガ
スを導入し、かつ前記所定圧力に維持しながら前記イオ
ン化領域にプラズマを発生させることを特徴とする請求
項9記載のイオン化装置。 - 【請求項12】 イオン放出体から放出される金属イオ
ンを、導入された試料ガスに付着させて試料ガスイオン
を生成し、前記試料ガスイオンを、電場と磁場のいずれ
か一方または両方が形成された領域を有する質量分析部
へ射出するイオン化装置において、 前記試料ガスイオンが生成されるイオン化領域に通じた
プラズマ発生領域を有し、かつ放電ガス導入機構とプラ
ズマ発生機構を備えたプラズマ発生室と、 前記イオン化領域に配置されたプラズマ引込み電極と、 前記イオン化領域と前記プラズマ発生領域を排気する排
気機構とを備え、 前記イオン化領域と前記プラズマ発生領域を所定圧力に
維持し、前記プラズマ発生領域に前記プラズマ発生機構
によって第1プラズマを発生させ、前記プラズマ引込み
電極によって前記イオン化領域に前記第1プラズマを引
込んで第2プラズマを発生させ、前記イオン化領域に面
した構成部品上の堆積物を除去したことを特徴とするイ
オン化装置。 - 【請求項13】 前記プラズマ発生機構は棒状電極を用
いることを特徴とする請求項12記載のイオン化装置。 - 【請求項14】 前記プラズマ発生機構は螺旋状導電性
部材を用いることを特徴とする請求項12記載のイオン
化装置。 - 【請求項15】 前記引込み電極が、前記試料ガスイオ
ンを前記質量分析部へ射出する際に、イオンの移送に寄
与する電極を兼ねることを特徴とする請求項12記載の
イオン化装置。
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JP (1) | JP4627916B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8049166B2 (en) | 2008-12-26 | 2011-11-01 | Canon Anelva Corporation | Mass spectrometer system and mass spectrometry method |
WO2012165053A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 質量分析装置 |
WO2013027551A1 (ja) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | 株式会社日立製作所 | 自動クリーニング機能付き質量分析装置 |
WO2015087645A1 (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 質量分析方法 |
WO2018092284A1 (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 株式会社島津製作所 | イオン化方法及びイオン化装置、並びにイメージング分析方法及びイメージング分析装置 |
JP2019109233A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | アジレント・テクノロジーズ・インクAgilent Technologies, Inc. | 質量分析システムにおけるインサイチュ調整 |
WO2020196451A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | アトナープ株式会社 | ガス分析装置及びガス分析装置の制御方法 |
KR20240010918A (ko) * | 2022-07-18 | 2024-01-25 | 차동호 | 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템 |
KR102724713B1 (ko) | 2019-03-25 | 2024-10-30 | 아토나프 가부시키가이샤 | 가스 분석 장치 및 가스 분석 장치의 제어 방법 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7095019B1 (en) | 2003-05-30 | 2006-08-22 | Chem-Space Associates, Inc. | Remote reagent chemical ionization source |
US7138626B1 (en) | 2005-05-05 | 2006-11-21 | Eai Corporation | Method and device for non-contact sampling and detection |
US7568401B1 (en) | 2005-06-20 | 2009-08-04 | Science Applications International Corporation | Sample tube holder |
US7576322B2 (en) * | 2005-11-08 | 2009-08-18 | Science Applications International Corporation | Non-contact detector system with plasma ion source |
DE102005054605B4 (de) * | 2005-11-16 | 2010-09-30 | Bruker Daltonik Gmbh | Automatische Reinigung von Ionenquellen |
US8123396B1 (en) | 2007-05-16 | 2012-02-28 | Science Applications International Corporation | Method and means for precision mixing |
US20090014644A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | Inficon, Inc. | In-situ ion source cleaning for partial pressure analyzers used in process monitoring |
US8008617B1 (en) | 2007-12-28 | 2011-08-30 | Science Applications International Corporation | Ion transfer device |
US8071957B1 (en) | 2009-03-10 | 2011-12-06 | Science Applications International Corporation | Soft chemical ionization source |
EP2312609B1 (en) * | 2009-10-13 | 2013-08-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Method and apparatus of pretreatment of an electron gun chamber |
CN103094050B (zh) * | 2013-01-08 | 2016-03-23 | 中国科学院化学研究所 | 一种灵敏的辉光放电直接离子化方法及其装置 |
DE102013201499A1 (de) * | 2013-01-30 | 2014-07-31 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zur massenspektrometrischen Untersuchung von Gasgemischen sowie Massenspektrometer hierzu |
EP3195347A4 (en) * | 2014-08-01 | 2018-10-24 | Agilent Technologies, Inc. | Plasma cleaning for mass spectrometers |
WO2019071294A1 (en) * | 2017-10-09 | 2019-04-18 | ETP Ion Detect Pty Ltd | METHODS AND APPARATUS FOR CONTROLLING DEPOSITION OF CONTAMINANT ON A DYNODE ELECTRON TRANSMITTER SURFACE |
US11328919B2 (en) * | 2018-05-11 | 2022-05-10 | Leco Corporation | Two-stage ion source comprising closed and open ion volumes |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01255146A (ja) * | 1988-04-02 | 1989-10-12 | Kokuritsu Kogai Kenkyusho | 高圧質量分析法のためのイオン化方法及び装置 |
JPH0611485A (ja) * | 1991-11-20 | 1994-01-21 | Kokuritsu Kankyo Kenkyusho | 中性活性種の検出方法とその装置 |
JPH087830A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-12 | Shimadzu Corp | 大気圧イオン化質量分析装置 |
JPH08330294A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH09139187A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Anelva Corp | イオン源部の電源回路 |
JP2002170518A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-14 | Anelva Corp | 質量分析用イオン化装置およびイオン化方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3233137A (en) * | 1961-08-28 | 1966-02-01 | Litton Systems Inc | Method and apparatus for cleansing by ionic bombardment |
DE2654057B1 (de) * | 1976-11-29 | 1978-04-27 | Varian Mat Gmbh | Verfahren zur Ionisierung von organischen Substanzen,sowie dieses Verfahren benutzendes Analysegeraet |
JPS57201527A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-10 | Toshiba Corp | Ion implantation method |
US4534921A (en) * | 1984-03-06 | 1985-08-13 | Asm Fico Tooling, B.V. | Method and apparatus for mold cleaning by reverse sputtering |
GB8614177D0 (en) * | 1986-06-11 | 1986-07-16 | Vg Instr Group | Glow discharge mass spectrometer |
US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
US5252892A (en) * | 1989-02-16 | 1993-10-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
DE3935408A1 (de) * | 1989-10-24 | 1991-04-25 | Siemens Ag | Metallionenquelle |
US5101110A (en) * | 1989-11-14 | 1992-03-31 | Tokyo Electron Limited | Ion generator |
KR100257903B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2000-08-01 | 윤종용 | 인시튜 모니터링가능한 플라즈마 식각장치, 그 인시튜 모니터링방법, 플라즈마 식각챔버내의 잔류물 제거를 위한 인시튜 세정방법 |
US6504149B2 (en) * | 1998-08-05 | 2003-01-07 | National Research Council Canada | Apparatus and method for desolvating and focussing ions for introduction into a mass spectrometer |
JP4408507B2 (ja) * | 1999-12-15 | 2010-02-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | ハロゲン化化合物の質量分析装置 |
JP4416259B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2010-02-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | 質量分析装置 |
JP4371526B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2009-11-25 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオン付着質量分析装置のイオン源 |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001096832A patent/JP4627916B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-22 US US10/102,954 patent/US7005634B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01255146A (ja) * | 1988-04-02 | 1989-10-12 | Kokuritsu Kogai Kenkyusho | 高圧質量分析法のためのイオン化方法及び装置 |
JPH0611485A (ja) * | 1991-11-20 | 1994-01-21 | Kokuritsu Kankyo Kenkyusho | 中性活性種の検出方法とその装置 |
JPH087830A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-12 | Shimadzu Corp | 大気圧イオン化質量分析装置 |
JPH08330294A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH09139187A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Anelva Corp | イオン源部の電源回路 |
JP2002170518A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-14 | Anelva Corp | 質量分析用イオン化装置およびイオン化方法 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8049166B2 (en) | 2008-12-26 | 2011-11-01 | Canon Anelva Corporation | Mass spectrometer system and mass spectrometry method |
WO2012165053A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 質量分析装置 |
JP2012252881A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 質量分析装置 |
US8933399B2 (en) | 2011-06-03 | 2015-01-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Mass spectrometry device including self-cleaning unit |
WO2013027551A1 (ja) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | 株式会社日立製作所 | 自動クリーニング機能付き質量分析装置 |
JP2013045719A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Hitachi Ltd | 自動クリーニング機能付き質量分析装置 |
WO2015087645A1 (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 質量分析方法 |
US11309174B2 (en) | 2016-11-18 | 2022-04-19 | Shimadzu Corporation | Ionization method, ionization device, imaging spectrometry method, and imaging spectrometer |
WO2018092284A1 (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 株式会社島津製作所 | イオン化方法及びイオン化装置、並びにイメージング分析方法及びイメージング分析装置 |
JPWO2018092284A1 (ja) * | 2016-11-18 | 2019-06-24 | 株式会社島津製作所 | イオン化方法及びイオン化装置、並びにイメージング分析方法及びイメージング分析装置 |
JP2019109233A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | アジレント・テクノロジーズ・インクAgilent Technologies, Inc. | 質量分析システムにおけるインサイチュ調整 |
JP7221037B2 (ja) | 2017-12-18 | 2023-02-13 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 質量分析システムにおけるインサイチュ調整 |
KR20210104898A (ko) * | 2019-03-25 | 2021-08-25 | 아토나프 가부시키가이샤 | 가스 분석 장치 및 가스 분석 장치의 제어 방법 |
JPWO2020196451A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2021-11-11 | アトナープ株式会社 | ガス分析装置及びガス分析装置の制御方法 |
KR102383689B1 (ko) | 2019-03-25 | 2022-04-08 | 아토나프 가부시키가이샤 | 가스 분석 장치 및 가스 분석 장치의 제어 방법 |
CN113631916A (zh) * | 2019-03-25 | 2021-11-09 | Atonarp株式会社 | 气体分析装置以及气体分析装置的控制方法 |
US11320399B2 (en) | 2019-03-25 | 2022-05-03 | Atonarp Inc. | Gas analyzer apparatus and method for controlling gas analyzer apparatus |
WO2020196451A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | アトナープ株式会社 | ガス分析装置及びガス分析装置の制御方法 |
KR102724713B1 (ko) | 2019-03-25 | 2024-10-30 | 아토나프 가부시키가이샤 | 가스 분석 장치 및 가스 분석 장치의 제어 방법 |
KR20240010918A (ko) * | 2022-07-18 | 2024-01-25 | 차동호 | 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템 |
KR102667398B1 (ko) | 2022-07-18 | 2024-05-20 | 차동호 | 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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