JP2002294462A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002294462A JP2002294462A JP2001094728A JP2001094728A JP2002294462A JP 2002294462 A JP2002294462 A JP 2002294462A JP 2001094728 A JP2001094728 A JP 2001094728A JP 2001094728 A JP2001094728 A JP 2001094728A JP 2002294462 A JP2002294462 A JP 2002294462A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】成膜装置等の反応炉内における大気圧変動によ
る薄膜の生成制御の不良を解消し、大気圧の変動があっ
ても安定して成膜制御が行える反応炉を備えた基板処理
装置を提供する。 【解決手段】反応炉内の圧力を測定する炉内圧力センサ
と、大気圧を測定する大気圧測定センサと、圧力制御設
定値の設定時の大気圧を記憶する記憶部と、大気圧変動
が起こった際、大気圧測定センサで測定した大気圧
（Ｔ）と、上記設定時の大気圧（Ｔｓ）との差を、上記
炉内圧力センサで測定した炉内圧力値（Ｒ）から差し引
くことにより、炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を導く制御部
を設けた基板処理装置とする。
る薄膜の生成制御の不良を解消し、大気圧の変動があっ
ても安定して成膜制御が行える反応炉を備えた基板処理
装置を提供する。 【解決手段】反応炉内の圧力を測定する炉内圧力センサ
と、大気圧を測定する大気圧測定センサと、圧力制御設
定値の設定時の大気圧を記憶する記憶部と、大気圧変動
が起こった際、大気圧測定センサで測定した大気圧
（Ｔ）と、上記設定時の大気圧（Ｔｓ）との差を、上記
炉内圧力センサで測定した炉内圧力値（Ｒ）から差し引
くことにより、炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を導く制御部
を設けた基板処理装置とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＶＤ炉あるいは拡
散炉等において安定した成膜制御が行える反応炉内の圧
力制御に関するものであり、特に拡散・ＣＶＤ装置等に
おける大気圧変動による成膜制御不良を解消するもので
あって、反応炉の炉内圧測定用圧力センサと大気圧測定
用圧力センサよりなるデュアル（二つの）圧力センサを
用い、炉内の圧力絶対値を求めて、それを基準に成膜制
御することにより、大気圧の変動があっても安定して成
膜制御が行える反応炉を備えた基板処理装置に関する。
散炉等において安定した成膜制御が行える反応炉内の圧
力制御に関するものであり、特に拡散・ＣＶＤ装置等に
おける大気圧変動による成膜制御不良を解消するもので
あって、反応炉の炉内圧測定用圧力センサと大気圧測定
用圧力センサよりなるデュアル（二つの）圧力センサを
用い、炉内の圧力絶対値を求めて、それを基準に成膜制
御することにより、大気圧の変動があっても安定して成
膜制御が行える反応炉を備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、例えば図４に示すＣＶＤ装置等
の反応炉において、ダイアフラムゲージ等の炉内圧測定
用圧力センサを用い、反応炉内の圧力を測定してきた。
図４に示すごとく、反応炉１の炉内の圧力は、炉内圧測
定用圧力センサ４ａにより測定され、その値により、バ
タフライバルブ５またはＮ２（窒素）ガス圧力調整弁
（Ｎ２バラスト）６の開度を調整することにより、反応
炉１の炉内圧力をコントロールしていた。この場合、炉
内圧測定用圧力センサ４ａは炉内圧力と大気圧差しか見
ることができない。このため、大気圧が自然界の変動に
より変化〔一般的な変動幅は９４０〜１０４０ｈＰａ
（ヘクトパスカル）〕した場合には、炉内において絶対
圧力差が生じ、成膜圧力が変えられてしまうことにな
り、これにより薄膜の生成制御が不良になるという問題
があった。
の反応炉において、ダイアフラムゲージ等の炉内圧測定
用圧力センサを用い、反応炉内の圧力を測定してきた。
図４に示すごとく、反応炉１の炉内の圧力は、炉内圧測
定用圧力センサ４ａにより測定され、その値により、バ
タフライバルブ５またはＮ２（窒素）ガス圧力調整弁
（Ｎ２バラスト）６の開度を調整することにより、反応
炉１の炉内圧力をコントロールしていた。この場合、炉
内圧測定用圧力センサ４ａは炉内圧力と大気圧差しか見
ることができない。このため、大気圧が自然界の変動に
より変化〔一般的な変動幅は９４０〜１０４０ｈＰａ
（ヘクトパスカル）〕した場合には、炉内において絶対
圧力差が生じ、成膜圧力が変えられてしまうことにな
り、これにより薄膜の生成制御が不良になるという問題
があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したごとく、従来
のＣＶＤ装置等を用いて成膜する場合に、大気圧が自然
界の変化により変動した場合には、成膜装置等の反応炉
内において絶対圧力差が生じ、成膜圧力が変えられてし
まうことになり、これにより薄膜生成制御が不良となる
問題があった。
のＣＶＤ装置等を用いて成膜する場合に、大気圧が自然
界の変化により変動した場合には、成膜装置等の反応炉
内において絶対圧力差が生じ、成膜圧力が変えられてし
まうことになり、これにより薄膜生成制御が不良となる
問題があった。
【０００４】本発明の目的は、上記従来技術において大
気圧の変動による薄膜の生成制御が不良となる問題点を
解消するものであって、成膜装置等の反応炉内において
大気圧の変動による絶対圧力差が生じても安定して成膜
制御が行える基板処理装置を提供することにある。
気圧の変動による薄膜の生成制御が不良となる問題点を
解消するものであって、成膜装置等の反応炉内において
大気圧の変動による絶対圧力差が生じても安定して成膜
制御が行える基板処理装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は特許請求の範囲に記載のような構成とする
ものである。すなわち、請求項１に記載のように、反応
炉内の圧力を測定する炉内圧力センサと、大気圧を測定
する大気圧測定センサと、圧力制御設定値の設定時の大
気圧を記憶する記憶部と、大気圧変動が起こった際、大
気圧測定センサで測定した大気圧（Ｔ）と、上記設定時
の大気圧（Ｔｓ）との差を、炉内圧力センサで測定した
炉内圧力値（Ｒ）から差し引くことにより、炉内の圧力
絶対値（Ｒｚ）を導く制御部とを少なくとも有する基板
処理装置とするものである。
に、本発明は特許請求の範囲に記載のような構成とする
ものである。すなわち、請求項１に記載のように、反応
炉内の圧力を測定する炉内圧力センサと、大気圧を測定
する大気圧測定センサと、圧力制御設定値の設定時の大
気圧を記憶する記憶部と、大気圧変動が起こった際、大
気圧測定センサで測定した大気圧（Ｔ）と、上記設定時
の大気圧（Ｔｓ）との差を、炉内圧力センサで測定した
炉内圧力値（Ｒ）から差し引くことにより、炉内の圧力
絶対値（Ｒｚ）を導く制御部とを少なくとも有する基板
処理装置とするものである。
【０００６】本発明のＣＶＤ装置等の反応炉における安
定成膜制御を可能とする基板処理装置は、基本的に以下
に示す手段を有するものである。 （１）反応炉の炉内圧測定用圧力センサと大気圧測定用
圧力センサを取り付け、圧力制御設定値の設定時の大気
圧（Ｔｓ）〔例えば、１０１３ｈＰａ〕を記録してお
く。 （２）大気圧変動が起こった時の大気圧の値（Ｔ）と、
上記設定時の大気圧の値（Ｔｓ）との差を、上記炉内圧
測定用圧力センサで測定した炉内圧力値（Ｒ）から差し
引くことにより、炉内の圧力絶対値〔Ｒｚ＝Ｒ−（Ｔ−
Ｔｓ）〕を導く制御部を設ける。
定成膜制御を可能とする基板処理装置は、基本的に以下
に示す手段を有するものである。 （１）反応炉の炉内圧測定用圧力センサと大気圧測定用
圧力センサを取り付け、圧力制御設定値の設定時の大気
圧（Ｔｓ）〔例えば、１０１３ｈＰａ〕を記録してお
く。 （２）大気圧変動が起こった時の大気圧の値（Ｔ）と、
上記設定時の大気圧の値（Ｔｓ）との差を、上記炉内圧
測定用圧力センサで測定した炉内圧力値（Ｒ）から差し
引くことにより、炉内の圧力絶対値〔Ｒｚ＝Ｒ−（Ｔ−
Ｔｓ）〕を導く制御部を設ける。
【０００７】上記の手順で求めた炉内の圧力絶対値（Ｒ
ｚ）をリアルタイム（例えば、１分置き、３０秒置き、
あるいは１０秒置き等）で演算することにより、常に安
定した炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を得ることができる。
この炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を基準にして成膜制御を
行うことにより、大気圧の変動が生じても成膜圧力が変
わることなく、安定して成膜制御を実施できる効果があ
る。
ｚ）をリアルタイム（例えば、１分置き、３０秒置き、
あるいは１０秒置き等）で演算することにより、常に安
定した炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を得ることができる。
この炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を基準にして成膜制御を
行うことにより、大気圧の変動が生じても成膜圧力が変
わることなく、安定して成膜制御を実施できる効果があ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を例示
し図面を用いてさらに詳細に説明する。図１はＣＶＤ
炉、図２は拡散炉のそれぞれの反応炉に、炉内圧測定用
圧力センサと大気圧測定用圧力センサよりなるデュアル
圧力センサを用いた場合の例を示す。図において、１は
反応炉、２はヒータ、３は反応ガス導入口、４ａ、４ｂ
は炉内圧測定用圧力センサを示し、そのいずれか一方ま
たは両方を用いても良い、７は反応ガス流れ方向、８は
大気圧測定用圧力センサ、９は記憶部、１０は演算・制
御部を示す。
し図面を用いてさらに詳細に説明する。図１はＣＶＤ
炉、図２は拡散炉のそれぞれの反応炉に、炉内圧測定用
圧力センサと大気圧測定用圧力センサよりなるデュアル
圧力センサを用いた場合の例を示す。図において、１は
反応炉、２はヒータ、３は反応ガス導入口、４ａ、４ｂ
は炉内圧測定用圧力センサを示し、そのいずれか一方ま
たは両方を用いても良い、７は反応ガス流れ方向、８は
大気圧測定用圧力センサ、９は記憶部、１０は演算・制
御部を示す。
【０００９】反応炉１に設けられた炉内圧測定用圧力セ
ンサ４ａまたは４ｂにより炉内圧力値（Ｒ）を、他方、
大気圧測定用圧力センサ８により大気圧の値（Ｔ）を、
それぞれリアルタイム〔１′（分）置き、３０″（秒）
置き、または１０″置き、等）で測定する。次いで、圧
力制御設定値の設定時の大気圧の値（Ｔｓ）「例えば、
１０１３ｈＰａ」を記憶する記憶部９を設ける。
ンサ４ａまたは４ｂにより炉内圧力値（Ｒ）を、他方、
大気圧測定用圧力センサ８により大気圧の値（Ｔ）を、
それぞれリアルタイム〔１′（分）置き、３０″（秒）
置き、または１０″置き、等）で測定する。次いで、圧
力制御設定値の設定時の大気圧の値（Ｔｓ）「例えば、
１０１３ｈＰａ」を記憶する記憶部９を設ける。
【００１０】次に、大気圧変動の起こった時の大気圧の
値（Ｔ）と、上記設定時の大気圧の値（Ｔｓ）を比較
し、その差（Ｔ−Ｔｓ）を求め、炉内圧力値（Ｒ）から
差し引く〔Ｒ−（Ｔ−Ｔｓ）〕ことにより、炉内の圧力
絶対値（Ｒｚ）を導く演算・制御部１０を備え、上記炉
内の圧力絶対値（Ｒｚ）を基準にして炉内の成膜制御を
行うことにより、大気圧の変動による成膜制御の不良を
解消して、安定した薄膜生成制御を可能とし、膜質およ
び膜厚が均一な薄膜を生成することができる制御部を有
する基板処理装置とするものである。
値（Ｔ）と、上記設定時の大気圧の値（Ｔｓ）を比較
し、その差（Ｔ−Ｔｓ）を求め、炉内圧力値（Ｒ）から
差し引く〔Ｒ−（Ｔ−Ｔｓ）〕ことにより、炉内の圧力
絶対値（Ｒｚ）を導く演算・制御部１０を備え、上記炉
内の圧力絶対値（Ｒｚ）を基準にして炉内の成膜制御を
行うことにより、大気圧の変動による成膜制御の不良を
解消して、安定した薄膜生成制御を可能とし、膜質およ
び膜厚が均一な薄膜を生成することができる制御部を有
する基板処理装置とするものである。
【００１１】図３に、炉内圧測定用圧力センサと大気圧
測定用圧力センサよりなるデュアル圧力センサを用い、
炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を導く方法の一例について説
明する。図３は、縦軸に大気圧（ｈＰａ）、横軸に時間
（ｈ）を取った大気圧の変動カーブを示す。図におい
て、（ａ）は大気圧変動カーブを示し、（ｂ）は大気圧
から１０ｈＰａ低く設定したシングル圧力センサによる
圧力コントロール変動カーブを示す。（ｃ）は圧力制御
設定値の設定時の大気圧の値（Ｔｓ）である１０１３ｈ
Ｐａを示すラインである。この（ｃ）設定時の大気圧ラ
インと、（ａ）大気圧変動カーブとが交差し、（ｃ）ラ
インの上方および下方に示されるΔ値は、炉内の補正圧
力値であり、上記炉内圧力値（Ｒ）からΔ値を差し引く
と、炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）が得られる。この圧力絶
対値（Ｒｚ）を基準にして成膜制御を行えば、大気圧の
変動による成膜制御の不良を解消することができる。例
えば、酸化膜の形成において、従来のシングルセンサを
用いて成膜した場合のバッチ間の膜厚の変化率が約０.
６３％であったのに対し、本発明のデュアル圧力センサ
を用いて圧力コントロールした場合のバッチ間の膜厚の
変化率は約０.２５％となり、バッチ間の膜厚の均一性
を約７０％改善することができた。このように、本発明
の成膜制御を行えば、安定した薄膜生成制御ができ、膜
質および膜厚が均一な薄膜を生成することができる。
測定用圧力センサよりなるデュアル圧力センサを用い、
炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を導く方法の一例について説
明する。図３は、縦軸に大気圧（ｈＰａ）、横軸に時間
（ｈ）を取った大気圧の変動カーブを示す。図におい
て、（ａ）は大気圧変動カーブを示し、（ｂ）は大気圧
から１０ｈＰａ低く設定したシングル圧力センサによる
圧力コントロール変動カーブを示す。（ｃ）は圧力制御
設定値の設定時の大気圧の値（Ｔｓ）である１０１３ｈ
Ｐａを示すラインである。この（ｃ）設定時の大気圧ラ
インと、（ａ）大気圧変動カーブとが交差し、（ｃ）ラ
インの上方および下方に示されるΔ値は、炉内の補正圧
力値であり、上記炉内圧力値（Ｒ）からΔ値を差し引く
と、炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）が得られる。この圧力絶
対値（Ｒｚ）を基準にして成膜制御を行えば、大気圧の
変動による成膜制御の不良を解消することができる。例
えば、酸化膜の形成において、従来のシングルセンサを
用いて成膜した場合のバッチ間の膜厚の変化率が約０.
６３％であったのに対し、本発明のデュアル圧力センサ
を用いて圧力コントロールした場合のバッチ間の膜厚の
変化率は約０.２５％となり、バッチ間の膜厚の均一性
を約７０％改善することができた。このように、本発明
の成膜制御を行えば、安定した薄膜生成制御ができ、膜
質および膜厚が均一な薄膜を生成することができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明の炉内圧測定用圧力センサと大気
圧測定用圧力センサよりなるデュアル圧力センサを用い
て、反応炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を導き、これを基準
に成膜制御を行うことによって、大気圧の変動による薄
膜の生成制御の不良を解消することができ、膜質および
膜厚が均一な薄膜を生成することができる。これを、Ｃ
ＶＤ炉および拡散炉等に適用することにより、成膜不良
率を１％以下に制御することができる。また、従来の減
圧ＣＶＤ炉等において、シングル圧力センサを用いて接
点圧力を、例えば１０２０ｈＰａに設定しておくと、大
気圧上昇の時に炉内圧力を外圧より高くする必要がでて
きてエラーが発生する。本発明の炉内圧の制御では大気
圧力の測定が可能であり、上記減圧ＣＶＤ炉等における
炉内の大気圧復帰が安全に行える効果がある。
圧測定用圧力センサよりなるデュアル圧力センサを用い
て、反応炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を導き、これを基準
に成膜制御を行うことによって、大気圧の変動による薄
膜の生成制御の不良を解消することができ、膜質および
膜厚が均一な薄膜を生成することができる。これを、Ｃ
ＶＤ炉および拡散炉等に適用することにより、成膜不良
率を１％以下に制御することができる。また、従来の減
圧ＣＶＤ炉等において、シングル圧力センサを用いて接
点圧力を、例えば１０２０ｈＰａに設定しておくと、大
気圧上昇の時に炉内圧力を外圧より高くする必要がでて
きてエラーが発生する。本発明の炉内圧の制御では大気
圧力の測定が可能であり、上記減圧ＣＶＤ炉等における
炉内の大気圧復帰が安全に行える効果がある。
【図１】本発明の実施の形態で例示したＣＶＤ炉にデュ
アル圧力センサを設けた場合の構成を示す模式図。
アル圧力センサを設けた場合の構成を示す模式図。
【図２】本発明の実施の形態で例示した拡散炉にデュア
ル圧力センサを設けた場合の構成を示す模式図。
ル圧力センサを設けた場合の構成を示す模式図。
【図３】本発明の実施の形態で例示した大気圧の変動と
炉内の補正圧力との関係を示すグラフ。
炉内の補正圧力との関係を示すグラフ。
【図４】従来のＣＶＤ炉における炉内圧力の測定方法を
示す模式図。
示す模式図。
１…反応炉 ２…ヒータ ３…反応ガス導入口 ４ａ…炉内圧測定用圧力センサ ４ｂ…炉内圧測定用圧力センサ ５…バタフライバルブ ６…Ｎ２ガス圧力調整弁（Ｎ２バラスト） ７…反応ガス流れ方向 ８…大気圧測定用圧力センサ ９…記憶部 １０…演算・制御部
Claims (1)
- 【請求項１】反応炉内の圧力を測定する炉内圧力センサ
と、大気圧を測定する大気圧測定センサと、圧力制御設
定値の設定時の大気圧を記憶する記憶部と、大気圧変動
が起こった際、大気圧測定センサで測定した大気圧
（Ｔ）と、上記設定時の大気圧（Ｔｓ）との差を、上記
炉内圧力センサで測定した炉内圧力値（Ｒ）から差し引
くことにより炉内の圧力絶対値（Ｒｚ）を導く制御部と
を少なくとも有することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001094728A JP2002294462A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001094728A JP2002294462A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002294462A true JP2002294462A (ja) | 2002-10-09 |
Family
ID=18948879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001094728A Pending JP2002294462A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002294462A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010028093A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Psk Inc | 気圧測定モジュール、基板処理装置及び方法 |
| JP2013004844A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001094728A patent/JP2002294462A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010028093A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Psk Inc | 気圧測定モジュール、基板処理装置及び方法 |
| JP2013004844A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050930 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080509 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080708 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081202 |