JP2002294443A - スパッタリング方法及び装置 - Google Patents
スパッタリング方法及び装置Info
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- JP2002294443A JP2002294443A JP2001098652A JP2001098652A JP2002294443A JP 2002294443 A JP2002294443 A JP 2002294443A JP 2001098652 A JP2001098652 A JP 2001098652A JP 2001098652 A JP2001098652 A JP 2001098652A JP 2002294443 A JP2002294443 A JP 2002294443A
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- Japan
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- sputtering
- substrate
- power
- substrate temperature
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲットの消耗によりターゲットと基板間
の距離が変化し、ターゲットと基板間に生じるプラズマ
状態が変化し、薄膜形成速度が低下する。 【解決手段】 ターゲット１の消耗量を積算電力で判断
し、予め測定したターゲット１の消耗量に応じたタクト
を一定に保つ放電パワーと基板２温度のレシピの関係
と、測定した前記積算電力とから求めた放電パワーと基
板２温度に変更してスパッタリングを行う。
の距離が変化し、ターゲットと基板間に生じるプラズマ
状態が変化し、薄膜形成速度が低下する。 【解決手段】 ターゲット１の消耗量を積算電力で判断
し、予め測定したターゲット１の消耗量に応じたタクト
を一定に保つ放電パワーと基板２温度のレシピの関係
と、測定した前記積算電力とから求めた放電パワーと基
板２温度に変更してスパッタリングを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空中で放電を行
いながら成膜を行うスパッタリングにおいて、ターゲッ
トの消耗量に応じたプロセスレシピの変更を行うスパッ
タリング方法及び装置に関するものである。
いながら成膜を行うスパッタリングにおいて、ターゲッ
トの消耗量に応じたプロセスレシピの変更を行うスパッ
タリング方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、部品デバイスや光ディスクなど基
板の表面に、スパッタで薄膜を形成する方法が用いられ
てきている。図３は、基本的なスパッタリング装置の構
成を示しており、図３において、スパッタの膜となるタ
ーゲット１は、基板２に対して対向に配置されている。
プロセスガスは、ガス導入口４から導入され、排気口５
から排気される。そして、ターゲット１と基板２間に電
圧をかけることによって、放電が発生し、ターゲット１
がスパッタされ、対向した基板２上へ薄膜が形成され
る。基板ホルダー３は温度調節されており、基板２は、
基板ホルダー３に取付けられている。基板２の温度は基
板ホルダー３の温度を加熱又は冷却によって温度調整す
ることで一定温度にされている。
板の表面に、スパッタで薄膜を形成する方法が用いられ
てきている。図３は、基本的なスパッタリング装置の構
成を示しており、図３において、スパッタの膜となるタ
ーゲット１は、基板２に対して対向に配置されている。
プロセスガスは、ガス導入口４から導入され、排気口５
から排気される。そして、ターゲット１と基板２間に電
圧をかけることによって、放電が発生し、ターゲット１
がスパッタされ、対向した基板２上へ薄膜が形成され
る。基板ホルダー３は温度調節されており、基板２は、
基板ホルダー３に取付けられている。基板２の温度は基
板ホルダー３の温度を加熱又は冷却によって温度調整す
ることで一定温度にされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このス
パッタリング装置においては、スパッタの処理枚数が多
くなるにつれ、ターゲット１の消耗によりターゲット１
と基板間２の距離が変化し、ターゲット１と基板２間に
生じるプラズマ状態が変化し、薄膜形成速度が低下して
しまうという現象が起きる。
パッタリング装置においては、スパッタの処理枚数が多
くなるにつれ、ターゲット１の消耗によりターゲット１
と基板間２の距離が変化し、ターゲット１と基板２間に
生じるプラズマ状態が変化し、薄膜形成速度が低下して
しまうという現象が起きる。
【０００４】これまでは、図４に示すように、放電のパ
ワーは一定で、スパッタ時間を段階的に長くしていくこ
とによってスパッタの膜厚を一定にしていく方法がとら
れていた。しかし、この方法では、だんだん成膜時間が
長くなるため、装置としてのタクト時間が長くなるとい
う課題があった。
ワーは一定で、スパッタ時間を段階的に長くしていくこ
とによってスパッタの膜厚を一定にしていく方法がとら
れていた。しかし、この方法では、だんだん成膜時間が
長くなるため、装置としてのタクト時間が長くなるとい
う課題があった。
【０００５】また、この問題を解決する手段としてスパ
ッタのパワーを上げて、薄膜の形成速度を段階的に上げ
ていく方法もある。しかし、その際に基板ホルダーの温
度を一定温度に温度制御していても、実際の基板表面の
温度が、放電のパワーの上昇によって、上昇してしま
う。そのことによって、基板に形成される膜の性質が異
なってしまうという課題もあった。
ッタのパワーを上げて、薄膜の形成速度を段階的に上げ
ていく方法もある。しかし、その際に基板ホルダーの温
度を一定温度に温度制御していても、実際の基板表面の
温度が、放電のパワーの上昇によって、上昇してしま
う。そのことによって、基板に形成される膜の性質が異
なってしまうという課題もあった。
【０００６】本発明では、タクト時間を一定にして、薄
膜を形成する方法の提供を目的としている。
膜を形成する方法の提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明は、ターゲットの消耗量を積算電力で判断し、予
め測定したターゲットの消耗量に応じたタクトを一定に
保つ放電パワーと基板温度のレシピの関係と、測定した
前記積算電力とから求めた放電パワーと基板温度に変更
してスパッタリングを行うものである。
本発明は、ターゲットの消耗量を積算電力で判断し、予
め測定したターゲットの消耗量に応じたタクトを一定に
保つ放電パワーと基板温度のレシピの関係と、測定した
前記積算電力とから求めた放電パワーと基板温度に変更
してスパッタリングを行うものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
【０００９】図１は、基本的なスパッタリング装置の、
同一電力かつ基板の温度制御一定という条件における、
積算電力とスパッタ膜の形成速度の関係を示している。
スパッタリング時の積算電力とは、スパッタを行う時の
電力の積算であり、ターゲットの消耗度合を示すもので
ある。図１に示すように、ターゲットが消耗するにつれ
て、スパッタ膜の形成速度は落ちてくる。
同一電力かつ基板の温度制御一定という条件における、
積算電力とスパッタ膜の形成速度の関係を示している。
スパッタリング時の積算電力とは、スパッタを行う時の
電力の積算であり、ターゲットの消耗度合を示すもので
ある。図１に示すように、ターゲットが消耗するにつれ
て、スパッタ膜の形成速度は落ちてくる。
【００１０】そこで、図２に示すようにターゲットの消
耗に応じて、タクトを一定に保つ放電パワーと基板温度
のレシピを求める。具体的には、ターゲットの消耗が大
きくなるほど、必要な放電パワーは大きくなるので、タ
クトを満たす放電パワーで、膜品質が条件を満たす基板
温度を実験的に求め、基板の制御温度値を決定する。そ
して、放電パワーと基板温度の組み合わせのレシピを複
数決定する。以上のような方法でレシピを決定して保持
しておき、積算電力に対応した形でレシピを切り替え
て、スパッタリングを行う。
耗に応じて、タクトを一定に保つ放電パワーと基板温度
のレシピを求める。具体的には、ターゲットの消耗が大
きくなるほど、必要な放電パワーは大きくなるので、タ
クトを満たす放電パワーで、膜品質が条件を満たす基板
温度を実験的に求め、基板の制御温度値を決定する。そ
して、放電パワーと基板温度の組み合わせのレシピを複
数決定する。以上のような方法でレシピを決定して保持
しておき、積算電力に対応した形でレシピを切り替え
て、スパッタリングを行う。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ターゲ
ットの消耗度合いに関わらず、一定放電時間で一定の品
質の膜を得ることができる。
ットの消耗度合いに関わらず、一定放電時間で一定の品
質の膜を得ることができる。
【図１】積算電力と成膜スピードの関係を示す図
【図２】本発明の実施の形態に係るスパッタリングのレ
シピの変更を説明する図
シピの変更を説明する図
【図３】スパッタリング装置の構成を示す図
【図４】従来のスパッタリングのレシピの変更を説明す
る図
る図
１ ターゲット ２ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 スパッタリングプロセスにおいて、ター
ゲットの消耗量を積算電力で判断する工程と、予め測定
したターゲットの消耗量に応じたタクトを一定に保つ放
電パワーと基板温度のレシピの関係と、測定した前記積
算電力とから求めた放電パワーと基板温度に変更してス
パッタリングを行う工程とを有することを特徴とするス
パッタリング方法。 - 【請求項２】 積算電力を測定する手段と、この測定し
た積算電力からターゲットの消耗量を判断する手段と、
予め測定したターゲットの消耗量に応じたタクトを一定
に保つ放電パワーと基板温度のレシピの関係と、測定し
た前記積算電力とから求めた放電パワーと基板温度に変
更する手段とを有することを特徴とするスパッタリング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001098652A JP2002294443A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | スパッタリング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001098652A JP2002294443A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | スパッタリング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002294443A true JP2002294443A (ja) | 2002-10-09 |
Family
ID=18952289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001098652A Pending JP2002294443A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | スパッタリング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002294443A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007262473A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパッタ成膜装置、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010255052A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング方法 |
| US9066004B2 (en) | 2007-04-12 | 2015-06-23 | Sony Corporation | Auto-focus apparatus, image pick-up apparatus, and auto-focus method for focusing using evaluation values |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001098652A patent/JP2002294443A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007262473A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパッタ成膜装置、及び半導体装置の製造方法 |
| US9066004B2 (en) | 2007-04-12 | 2015-06-23 | Sony Corporation | Auto-focus apparatus, image pick-up apparatus, and auto-focus method for focusing using evaluation values |
| JP2010255052A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング方法 |
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