JP2002294321A - 転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法 - Google Patents
転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 転炉型容器を用い、脱Ｓｉ、脱Ｐ反応の反応
効率を高めて到達Ｐ濃度を低減し、使用する脱Ｓｉ、脱
Ｐのフラックスを節減することができる転炉型容器を用
いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法を提供する。 【解決手段】 溶銑１６を転炉型容器１０に装入して、
溶銑１６の脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理を同時に行う転炉型容
器１０を用いた溶銑１６の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、酸
素の供給律則となる溶銑１６中のＰ濃度が高い領域で
は、転炉型容器１０の上方に設けられた吹酸ランス１３
から気体酸素を溶銑１６に吹き付け、脱Ｓｉ処理と同時
に脱Ｐ処理を行い、酸素の供給律則でない溶銑中のＰ濃
度が低い領域では、溶銑１６に固体酸素剤のみを添加し
て、更に脱Ｐ処理を行う。
効率を高めて到達Ｐ濃度を低減し、使用する脱Ｓｉ、脱
Ｐのフラックスを節減することができる転炉型容器を用
いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法を提供する。 【解決手段】 溶銑１６を転炉型容器１０に装入して、
溶銑１６の脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理を同時に行う転炉型容
器１０を用いた溶銑１６の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、酸
素の供給律則となる溶銑１６中のＰ濃度が高い領域で
は、転炉型容器１０の上方に設けられた吹酸ランス１３
から気体酸素を溶銑１６に吹き付け、脱Ｓｉ処理と同時
に脱Ｐ処理を行い、酸素の供給律則でない溶銑中のＰ濃
度が低い領域では、溶銑１６に固体酸素剤のみを添加し
て、更に脱Ｐ処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、転炉等の精錬炉を
用いて、溶銑の脱Ｓｉ（珪素）処理、脱Ｐ（燐）処理を
同時に行う転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法に
関する。
用いて、溶銑の脱Ｓｉ（珪素）処理、脱Ｐ（燐）処理を
同時に行う転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、製鋼の主原料である溶銑は、Ｓｉ
や硫黄、Ｐ等の不純物を含んでおり、予めこれ等の不純
物を除去する脱Ｓｉ、脱硫、脱Ｐ等のいわゆる溶銑の予
備処理が行われている。特に、脱Ｓｉ及び脱Ｐ処理を同
時に行う場合は、溶銑に、生石灰、ソーダ灰等の脱Ｐフ
ラックスと、Ｐを酸化する気体酸素、あるいは固体酸化
剤である酸化鉄や集塵ダスト、スラジ等を添加したり、
それらの吹き込み（インゼクション）を行うことによ
り、溶銑中のＳｉを優先的にＳｉＯ2 にして除去し、同
時に、Ｐを酸化物（Ｐ2 Ｏ5 ）にし、生成したスラグ中
のＣａＯに捕捉させて溶銑中から除去する。しかし、こ
れ等の脱Ｓｉ及び脱Ｐ処理において、Ｓｉは容易にＳｉ
Ｏ2 として除去できるが、Ｐは、脱Ｐ処理の反応効率が
悪く、脱Ｐ処理終了時の到達Ｐ濃度を十分に低下させる
ことが困難である。この対策として、特開昭６２−１０
９９１０号公報に記載されているように、ＣａＯを主成
分とした滓化促進剤を配合したフラックスを溶銑の表面
に載置し、ランスから酸素を上吹きしながら、鉄鉱石や
スケール等の固体酸素剤の粉末を溶銑内にインゼクショ
ンする方法が行われている。更に、特開平６−２８７６
１６号公報に記載されているように、酸化鉄を６０〜８
０重量％含んだＣａＯ−Ｆｅ2 Ｏ3 −ＣａＦ2 系のフラ
ックスに対して、Ｎａ 2 Ｏ3 を３〜１０重量％配合した
ものを、溶銑内にインゼクションし、溶銑の上方からラ
ンスを用いて溶銑の表面に酸素を吹き付け、脱Ｓｉ、脱
Ｐを同時に行う方法が提案されており、脱Ｐ効率の向上
と到達Ｐ濃度の低減を図っている。
や硫黄、Ｐ等の不純物を含んでおり、予めこれ等の不純
物を除去する脱Ｓｉ、脱硫、脱Ｐ等のいわゆる溶銑の予
備処理が行われている。特に、脱Ｓｉ及び脱Ｐ処理を同
時に行う場合は、溶銑に、生石灰、ソーダ灰等の脱Ｐフ
ラックスと、Ｐを酸化する気体酸素、あるいは固体酸化
剤である酸化鉄や集塵ダスト、スラジ等を添加したり、
それらの吹き込み（インゼクション）を行うことによ
り、溶銑中のＳｉを優先的にＳｉＯ2 にして除去し、同
時に、Ｐを酸化物（Ｐ2 Ｏ5 ）にし、生成したスラグ中
のＣａＯに捕捉させて溶銑中から除去する。しかし、こ
れ等の脱Ｓｉ及び脱Ｐ処理において、Ｓｉは容易にＳｉ
Ｏ2 として除去できるが、Ｐは、脱Ｐ処理の反応効率が
悪く、脱Ｐ処理終了時の到達Ｐ濃度を十分に低下させる
ことが困難である。この対策として、特開昭６２−１０
９９１０号公報に記載されているように、ＣａＯを主成
分とした滓化促進剤を配合したフラックスを溶銑の表面
に載置し、ランスから酸素を上吹きしながら、鉄鉱石や
スケール等の固体酸素剤の粉末を溶銑内にインゼクショ
ンする方法が行われている。更に、特開平６−２８７６
１６号公報に記載されているように、酸化鉄を６０〜８
０重量％含んだＣａＯ−Ｆｅ2 Ｏ3 −ＣａＦ2 系のフラ
ックスに対して、Ｎａ 2 Ｏ3 を３〜１０重量％配合した
ものを、溶銑内にインゼクションし、溶銑の上方からラ
ンスを用いて溶銑の表面に酸素を吹き付け、脱Ｓｉ、脱
Ｐを同時に行う方法が提案されており、脱Ｐ効率の向上
と到達Ｐ濃度の低減を図っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６２−１０９９１０号公報に記載された方法では、脱Ｓ
ｉ及び脱Ｐ処理の初期の溶銑の脱Ｓｉ、脱Ｐ効率を高め
ることができるが、脱Ｐ処理の初期から末期の間を同一
の処理条件で行っており、Ｐのスラグ等への平衡論的な
物質移動を考慮していないため、脱Ｐ処理の中期から末
期である脱Ｐ後期における脱Ｐ効率が低下して到達Ｐ濃
度が高くなる。この到達Ｐ濃度を低くするには、脱Ｓｉ
や脱Ｐに使用する生石灰や酸化鉄、ミルスケール、酸素
等の使用量を増加させなければならないため、処理コス
トが上昇する。しかも、溶銑内に吹き込むフラックスの
使用量が多くなると、脱Ｐ処理の際に生成するスラグ量
が増加し、このスラグの処理に多大の費用を要する。ま
た、特開平６−２８７６１６号公報に記載された方法で
は、ＣａＦ2 やＮａ2Ｏ3 等の高価な原料をフラックス
に使用する必要があり、しかも、生成したスラグに強ア
ルカリ成分やフッ素等が含まれるため、生成したスラグ
を資源として使用する際、環境上での制約を受ける。更
に、特開昭６２−１０９９１０号公報に記載された方法
と同様に、脱Ｐ処理の初期から末期の間を同一の処理条
件で行っており、スラグ等への平衡論的な物質移動を考
慮していないため、脱Ｐ処理の後半における脱Ｐ効率が
低下し、脱Ｓｉ、脱Ｐ処理に用いるフラックスの使用量
が増加し、生成するスラグ量が増加し、このスラグの処
理に多大の費用を要する等の問題がある。
６２−１０９９１０号公報に記載された方法では、脱Ｓ
ｉ及び脱Ｐ処理の初期の溶銑の脱Ｓｉ、脱Ｐ効率を高め
ることができるが、脱Ｐ処理の初期から末期の間を同一
の処理条件で行っており、Ｐのスラグ等への平衡論的な
物質移動を考慮していないため、脱Ｐ処理の中期から末
期である脱Ｐ後期における脱Ｐ効率が低下して到達Ｐ濃
度が高くなる。この到達Ｐ濃度を低くするには、脱Ｓｉ
や脱Ｐに使用する生石灰や酸化鉄、ミルスケール、酸素
等の使用量を増加させなければならないため、処理コス
トが上昇する。しかも、溶銑内に吹き込むフラックスの
使用量が多くなると、脱Ｐ処理の際に生成するスラグ量
が増加し、このスラグの処理に多大の費用を要する。ま
た、特開平６−２８７６１６号公報に記載された方法で
は、ＣａＦ2 やＮａ2Ｏ3 等の高価な原料をフラックス
に使用する必要があり、しかも、生成したスラグに強ア
ルカリ成分やフッ素等が含まれるため、生成したスラグ
を資源として使用する際、環境上での制約を受ける。更
に、特開昭６２−１０９９１０号公報に記載された方法
と同様に、脱Ｐ処理の初期から末期の間を同一の処理条
件で行っており、スラグ等への平衡論的な物質移動を考
慮していないため、脱Ｐ処理の後半における脱Ｐ効率が
低下し、脱Ｓｉ、脱Ｐ処理に用いるフラックスの使用量
が増加し、生成するスラグ量が増加し、このスラグの処
理に多大の費用を要する等の問題がある。
【０００４】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、転炉型容器を用い、脱Ｓｉ、脱Ｐ反応の反応効率を
高めて到達Ｐ濃度を低減し、使用する脱Ｓｉ、脱Ｐのフ
ラックスを節減することができる転炉型容器を用いた溶
銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法を提供することを目的とする。
で、転炉型容器を用い、脱Ｓｉ、脱Ｐ反応の反応効率を
高めて到達Ｐ濃度を低減し、使用する脱Ｓｉ、脱Ｐのフ
ラックスを節減することができる転炉型容器を用いた溶
銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係る転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法は、溶銑
を転炉型容器に装入して、前記溶銑の脱Ｓｉ処理と脱Ｐ
処理を同時に行う転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ
方法において、酸素の供給律則となる前記溶銑中のＰ濃
度が高い領域では、前記転炉型容器の上方に設けられた
吹酸ランスから気体酸素を前記溶銑に吹き付け、脱Ｓｉ
処理と同時に脱Ｐ処理を行い、酸素の供給律則でない前
記溶銑中のＰ濃度が低い領域では、溶銑に固体酸素剤の
みを添加して、更に脱Ｐ処理を行う。この方法により、
酸素供給律則の領域である脱Ｓｉ及び脱Ｐ処理の初期か
ら中期である脱Ｐ前期において、高速吹酸を行って溶銑
内に酸素を十分供給することで、Ｓｉの殆どをＳｉＯ2
としてスラグに吸収して脱Ｓｉすると共に、Ｐの酸化反
応を促進してＰ2 Ｏ5 を生成し、このＰ2 Ｏ5 をスラグ
中に捕捉して脱Ｐを行う。また、酸素の供給律則でな
い、即ちＰ濃度が低い移動律則となる領域である脱Ｐ後
期においては、固体酸素剤の添加によりスラグ中の酸素
ポテンシャルを高めるので、スラグと溶銑の界面での脱
Ｐ反応が促進できる。更に、スラグと溶銑の界面での溶
銑中の炭素、あるいはスラグ中に含まれる粒鉄中の炭素
等と酸素の反応で生成したＣＯガスによりスラグを攪拌
するので、Ｐのスラグへの物質移動が良好になって、よ
り脱Ｐ反応を促進することができる。
係る転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法は、溶銑
を転炉型容器に装入して、前記溶銑の脱Ｓｉ処理と脱Ｐ
処理を同時に行う転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ
方法において、酸素の供給律則となる前記溶銑中のＰ濃
度が高い領域では、前記転炉型容器の上方に設けられた
吹酸ランスから気体酸素を前記溶銑に吹き付け、脱Ｓｉ
処理と同時に脱Ｐ処理を行い、酸素の供給律則でない前
記溶銑中のＰ濃度が低い領域では、溶銑に固体酸素剤の
みを添加して、更に脱Ｐ処理を行う。この方法により、
酸素供給律則の領域である脱Ｓｉ及び脱Ｐ処理の初期か
ら中期である脱Ｐ前期において、高速吹酸を行って溶銑
内に酸素を十分供給することで、Ｓｉの殆どをＳｉＯ2
としてスラグに吸収して脱Ｓｉすると共に、Ｐの酸化反
応を促進してＰ2 Ｏ5 を生成し、このＰ2 Ｏ5 をスラグ
中に捕捉して脱Ｐを行う。また、酸素の供給律則でな
い、即ちＰ濃度が低い移動律則となる領域である脱Ｐ後
期においては、固体酸素剤の添加によりスラグ中の酸素
ポテンシャルを高めるので、スラグと溶銑の界面での脱
Ｐ反応が促進できる。更に、スラグと溶銑の界面での溶
銑中の炭素、あるいはスラグ中に含まれる粒鉄中の炭素
等と酸素の反応で生成したＣＯガスによりスラグを攪拌
するので、Ｐのスラグへの物質移動が良好になって、よ
り脱Ｐ反応を促進することができる。
【０００６】ここで、本発明に係る転炉型容器を用いた
溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、前記酸素の供給律則と
なる前記溶銑中の前記Ｐ濃度が高い領域では、前記Ｐ濃
度が０．０４〜０．０６重量％の範囲にある規定値以上
にすると良い。これにより、脱Ｐ反応が酸素供給律則か
らＰの移動律則領域へ変化するのに応じて、脱Ｐ処理に
用いる酸素の供給条件を変化させ、Ｐ濃度を設定してい
るので、総合的な脱Ｐ効率を高めることができる。な
お、Ｐ濃度が０．０４〜０．０６重量％の範囲にある規
定値の下限値０．０４重量％未満になると、Ｐのスラグ
中における物質移動が低下して、吹酸による脱Ｐ効率が
低下する。しかも、Ｐ濃度が０．０４〜０．０６重量％
の範囲にある規定値以上の領域で固体酸素剤を添加する
と、本来高ＦｅＯ条件が必要な時期にスラグ中のＦｅＯ
濃度が低下し、Ｐの移動律則の領域での脱Ｐ反応が低下
し、到達Ｐ濃度が高くなる。
溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、前記酸素の供給律則と
なる前記溶銑中の前記Ｐ濃度が高い領域では、前記Ｐ濃
度が０．０４〜０．０６重量％の範囲にある規定値以上
にすると良い。これにより、脱Ｐ反応が酸素供給律則か
らＰの移動律則領域へ変化するのに応じて、脱Ｐ処理に
用いる酸素の供給条件を変化させ、Ｐ濃度を設定してい
るので、総合的な脱Ｐ効率を高めることができる。な
お、Ｐ濃度が０．０４〜０．０６重量％の範囲にある規
定値の下限値０．０４重量％未満になると、Ｐのスラグ
中における物質移動が低下して、吹酸による脱Ｐ効率が
低下する。しかも、Ｐ濃度が０．０４〜０．０６重量％
の範囲にある規定値以上の領域で固体酸素剤を添加する
と、本来高ＦｅＯ条件が必要な時期にスラグ中のＦｅＯ
濃度が低下し、Ｐの移動律則の領域での脱Ｐ反応が低下
し、到達Ｐ濃度が高くなる。
【０００７】更に、本発明に係る転炉型容器を用いた溶
銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、前記酸素の供給律則とな
る前記溶銑中の前記Ｐ濃度が高い領域から、前記酸素の
供給律則でない前記溶銑中の前記Ｐ濃度が低い領域ま
で、前記脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理に使用するＣａＯを連続
添加すると良い。これにより、スラグ中のＦｅＯ濃度の
低下を抑制でき、同時に、滓化不良等を防止して脱Ｓ
ｉ、脱Ｐ反応を促進することができる。
銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、前記酸素の供給律則とな
る前記溶銑中の前記Ｐ濃度が高い領域から、前記酸素の
供給律則でない前記溶銑中の前記Ｐ濃度が低い領域ま
で、前記脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理に使用するＣａＯを連続
添加すると良い。これにより、スラグ中のＦｅＯ濃度の
低下を抑制でき、同時に、滓化不良等を防止して脱Ｓ
ｉ、脱Ｐ反応を促進することができる。
【０００８】また、本発明に係る転炉型容器を用いた溶
銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、前記脱Ｓｉ処理及び前記
脱Ｐ処理時に使用する酸素量と、前記脱Ｐ処理に使用す
るＣａＯ量を、酸素原単位の重量に対するＣａＯ原単位
の重量の比で０．５〜１．０とするのが好ましい。これ
により、脱Ｓｉ、脱Ｐに必要なＣａＯ量と酸素量を所定
の範囲にしているので、脱Ｓｉ、脱Ｐの反応に寄与する
有効量のＣａＯ及び酸素の効率を高めて反応を促進し、
溶銑中の炭素（Ｃ）が脱炭されるのを抑制し、しかも、
生成するスラグ量が増加するのを防止することができ
る。ここで、酸素原単位の重量に対するＣａＯ原単位の
重量の比（ＣａＯ／Ｏ）が０．５未満になると、脱Ｐ反
応は進行するものの、溶銑中の脱炭に消費される酸素量
が増加するため、溶銑中の炭素濃度が低下し、後工程で
の精錬に支障をきたす。一方、ＣａＯ／Ｏが１．０を超
えると、過剰なＣａＯの使用により、滓化不良や脱Ｐ等
に有効に作用するＣａＯ量が減少し、スラグ量の増加を
招く。
銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、前記脱Ｓｉ処理及び前記
脱Ｐ処理時に使用する酸素量と、前記脱Ｐ処理に使用す
るＣａＯ量を、酸素原単位の重量に対するＣａＯ原単位
の重量の比で０．５〜１．０とするのが好ましい。これ
により、脱Ｓｉ、脱Ｐに必要なＣａＯ量と酸素量を所定
の範囲にしているので、脱Ｓｉ、脱Ｐの反応に寄与する
有効量のＣａＯ及び酸素の効率を高めて反応を促進し、
溶銑中の炭素（Ｃ）が脱炭されるのを抑制し、しかも、
生成するスラグ量が増加するのを防止することができ
る。ここで、酸素原単位の重量に対するＣａＯ原単位の
重量の比（ＣａＯ／Ｏ）が０．５未満になると、脱Ｐ反
応は進行するものの、溶銑中の脱炭に消費される酸素量
が増加するため、溶銑中の炭素濃度が低下し、後工程で
の精錬に支障をきたす。一方、ＣａＯ／Ｏが１．０を超
えると、過剰なＣａＯの使用により、滓化不良や脱Ｐ等
に有効に作用するＣａＯ量が減少し、スラグ量の増加を
招く。
【０００９】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。図１は本発明の一実施の形態に係る
転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法に適用される
上底吹き転炉の全体図である。図１に示すように、本発
明の一実施の形態に係る転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓ
ｉ脱Ｐ方法に用いられる転炉型容器の一例である上底吹
き転炉１０は、炉体１１の底部に備えられた底吹きノズ
ル１２と、上底吹き転炉１０の上方に設けられ、上方か
ら炉体１１内に挿入される吹酸ランスの一例である上吹
きランス１３とを有し、ＣａＯ（生石灰）を主成分とし
た脱Ｓｉ、脱Ｐ用のフラックスを貯蔵する貯蔵ホッパ１
４、及び固体酸素剤の一例である集塵ダストを貯蔵する
貯蔵ホッパ１５と、これ等貯蔵ホッパ１４及び貯蔵ホッ
パ１５から切り出された材料を炉体１１内の溶銑１６の
上部に形成されたスラグ１７に添加するシュート１８
と、炉体１１の側部に設けた出鋼口１９を備えている。
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。図１は本発明の一実施の形態に係る
転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法に適用される
上底吹き転炉の全体図である。図１に示すように、本発
明の一実施の形態に係る転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓ
ｉ脱Ｐ方法に用いられる転炉型容器の一例である上底吹
き転炉１０は、炉体１１の底部に備えられた底吹きノズ
ル１２と、上底吹き転炉１０の上方に設けられ、上方か
ら炉体１１内に挿入される吹酸ランスの一例である上吹
きランス１３とを有し、ＣａＯ（生石灰）を主成分とし
た脱Ｓｉ、脱Ｐ用のフラックスを貯蔵する貯蔵ホッパ１
４、及び固体酸素剤の一例である集塵ダストを貯蔵する
貯蔵ホッパ１５と、これ等貯蔵ホッパ１４及び貯蔵ホッ
パ１５から切り出された材料を炉体１１内の溶銑１６の
上部に形成されたスラグ１７に添加するシュート１８
と、炉体１１の側部に設けた出鋼口１９を備えている。
【００１０】次に、本発明の一実施の形態に係る転炉型
容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法について前記した上
底吹き転炉１０を用いて説明する。まず、上底吹き転炉
１０に、Ｓｉ濃度が０．２〜０．５重量％、Ｐ濃度が
０．０９０〜０．１３０重量％の脱Ｓｉ処理、脱Ｐ処理
が行われていない溶銑１６を、９０〜１７０トン装入
し、脱Ｐのフラックスを貯蔵する貯蔵ホッパ１４からＣ
ａＯを切り出し、シュート１８を介して炉体１１内に連
続して添加した。同時に、上吹きランス１３をその先端
が炉体１１内の溶銑１６の表面から１８００ｍｍ上方の
位置になるように下降させて、溶銑内へ酸素（気体酸
素）の吹き込み（吹酸）を行い、この吹酸中の酸素原単
位の重量に対するＣａＯ原単位の重量の比であるＣａＯ
／Ｏが０．５〜１．０を満たすように貯蔵ホッパ１４か
ら投入するＣａＯの添加量を調整した。更に、底吹きノ
ズル１２から溶銑の攪拌に使用するアルゴンガス、窒素
ガス等の攪拌ガスを吹き込みながら、吹酸による脱Ｓｉ
処理と、脱Ｐ前期の処理を同時に行った。ここで、溶銑
は、吹酸によって、溶銑中のＳｉの殆どが酸化されてＳ
ｉＯ2 になり、スラグ１７中に吸収されて脱Ｓｉ処理が
行われる。このとき、脱Ｓｉ反応が進行するにつれ、吹
酸された酸素（Ｏ）によって溶銑中のＰも酸化されて脱
Ｐ反応がおき、この吹酸は、Ｐ濃度が０．０９０〜０．
１３０重量％の範囲から０．０４〜０．０６重量％の範
囲にある規定値になるまで行われる。
容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法について前記した上
底吹き転炉１０を用いて説明する。まず、上底吹き転炉
１０に、Ｓｉ濃度が０．２〜０．５重量％、Ｐ濃度が
０．０９０〜０．１３０重量％の脱Ｓｉ処理、脱Ｐ処理
が行われていない溶銑１６を、９０〜１７０トン装入
し、脱Ｐのフラックスを貯蔵する貯蔵ホッパ１４からＣ
ａＯを切り出し、シュート１８を介して炉体１１内に連
続して添加した。同時に、上吹きランス１３をその先端
が炉体１１内の溶銑１６の表面から１８００ｍｍ上方の
位置になるように下降させて、溶銑内へ酸素（気体酸
素）の吹き込み（吹酸）を行い、この吹酸中の酸素原単
位の重量に対するＣａＯ原単位の重量の比であるＣａＯ
／Ｏが０．５〜１．０を満たすように貯蔵ホッパ１４か
ら投入するＣａＯの添加量を調整した。更に、底吹きノ
ズル１２から溶銑の攪拌に使用するアルゴンガス、窒素
ガス等の攪拌ガスを吹き込みながら、吹酸による脱Ｓｉ
処理と、脱Ｐ前期の処理を同時に行った。ここで、溶銑
は、吹酸によって、溶銑中のＳｉの殆どが酸化されてＳ
ｉＯ2 になり、スラグ１７中に吸収されて脱Ｓｉ処理が
行われる。このとき、脱Ｓｉ反応が進行するにつれ、吹
酸された酸素（Ｏ）によって溶銑中のＰも酸化されて脱
Ｐ反応がおき、この吹酸は、Ｐ濃度が０．０９０〜０．
１３０重量％の範囲から０．０４〜０．０６重量％の範
囲にある規定値になるまで行われる。
【００１１】この脱Ｐ前期における脱Ｐ処理は、脱Ｐ反
応が酸素の供給律則となる溶銑中のＰ濃度が高い領域で
行われるので、上底吹き転炉１０の上方に設けられた上
吹きランス１３から、気体酸素を溶銑１６に吹き付けて
吹酸を行うことにより、溶銑１６のＰを効率良く酸化さ
せてＰ2 Ｏ5 を生成させることができ、添加したフラッ
クスであるＣａＯやＳｉＯ2 等が溶解したスラグ１７中
にＰ2 Ｏ5 を捕捉するいわゆる脱Ｐ反応を促進させるこ
とができる。しかも、脱Ｓｉ処理及び脱Ｐ処理に使用す
る酸素量と、脱Ｐのために添加したＣａＯ量を、酸素原
単位の重量に対するＣａＯ原単位の重量の比であるＣａ
Ｏ／Ｏで、０．５〜１．０となるようにしているので、
過剰なＣａＯの添加を抑制して滓化を良好にし、脱Ｐ反
応時の石灰効率（脱Ｐ反応に作用したＣａＯ量／全Ｃａ
Ｏ量×１００）を高め、しかも、吹酸によりＰの酸化に
必要な酸素を十分に供給するので、溶銑１６中のＰの酸
化がより促進され、脱Ｐ反応が迅速に進行する。更に、
過剰な酸素の供給を抑制しているので、溶銑１６中に含
まれる炭素が酸素と反応するいわゆる脱炭反応を抑制す
ることができる。また、添加するＣａＯは、脱Ｓｉ、脱
Ｐ処理の初期に一括添加すると、スラグ中のＦｅＯ濃度
が上がらず、脱Ｓｉ、脱Ｐ処理の中期で多量に添加する
と、添加直後にＦｅＯ濃度が低下したり、スラグの滓化
不良を招くため、脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理の開始初期から
脱Ｐ処理の終了（末期）まで、即ち、酸素の供給律則と
なる溶銑中のＰ濃度が高い領域から、酸素の供給律則で
ない溶銑中のＰ濃度が低い領域まで均等あるいは少量ご
とに連続して添加することが必要である。
応が酸素の供給律則となる溶銑中のＰ濃度が高い領域で
行われるので、上底吹き転炉１０の上方に設けられた上
吹きランス１３から、気体酸素を溶銑１６に吹き付けて
吹酸を行うことにより、溶銑１６のＰを効率良く酸化さ
せてＰ2 Ｏ5 を生成させることができ、添加したフラッ
クスであるＣａＯやＳｉＯ2 等が溶解したスラグ１７中
にＰ2 Ｏ5 を捕捉するいわゆる脱Ｐ反応を促進させるこ
とができる。しかも、脱Ｓｉ処理及び脱Ｐ処理に使用す
る酸素量と、脱Ｐのために添加したＣａＯ量を、酸素原
単位の重量に対するＣａＯ原単位の重量の比であるＣａ
Ｏ／Ｏで、０．５〜１．０となるようにしているので、
過剰なＣａＯの添加を抑制して滓化を良好にし、脱Ｐ反
応時の石灰効率（脱Ｐ反応に作用したＣａＯ量／全Ｃａ
Ｏ量×１００）を高め、しかも、吹酸によりＰの酸化に
必要な酸素を十分に供給するので、溶銑１６中のＰの酸
化がより促進され、脱Ｐ反応が迅速に進行する。更に、
過剰な酸素の供給を抑制しているので、溶銑１６中に含
まれる炭素が酸素と反応するいわゆる脱炭反応を抑制す
ることができる。また、添加するＣａＯは、脱Ｓｉ、脱
Ｐ処理の初期に一括添加すると、スラグ中のＦｅＯ濃度
が上がらず、脱Ｓｉ、脱Ｐ処理の中期で多量に添加する
と、添加直後にＦｅＯ濃度が低下したり、スラグの滓化
不良を招くため、脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理の開始初期から
脱Ｐ処理の終了（末期）まで、即ち、酸素の供給律則と
なる溶銑中のＰ濃度が高い領域から、酸素の供給律則で
ない溶銑中のＰ濃度が低い領域まで均等あるいは少量ご
とに連続して添加することが必要である。
【００１２】そして、Ｐ濃度が０．０４〜０．０６重量
％の範囲にある規定値未満になった脱Ｐ後期における脱
Ｐ処理は、上吹きランス１３からの吹酸を一時停止し、
集塵ダストを貯蔵ホッパ１５から切り出して、シュート
１８から炉体１１内に連続的に添加してスラグ１７中の
酸素ポテンシャルを大幅に高め、同時に、ＣａＯ／Ｏを
０．５〜１．０に維持する。この集塵ダストの添加によ
って、スラグ１７中のＦｅＯの濃度が高められ、このＦ
ｅＯがスラグ１７と溶銑１６の界面での溶銑中の炭素、
あるいはスラグ１７中に含まれる粒鉄中の炭素等と反応
してＣＯガスを生成し、このＣＯガスがスラグ１７と溶
銑１６の界面、及びスラグ１７のバルク内で生成してス
ラグ１７を十分に攪拌することができ、スラグ１７中及
びスラグ１７と溶銑１６の界面での物質移動が促進さ
れ、脱Ｐ反応が促進される。その結果、酸素の供給律則
でない溶銑中のＰ濃度が低い領域において、溶銑に集塵
ダストを添加することで、高い酸素ポテンシャルのスラ
グ１７とスラグ１７の物質移動の促進による相乗した働
きが生じ、可及的速やかに脱Ｐ反応が進行し、更に、脱
Ｐ処理を行うことができる。また、脱Ｐ後期において
も、脱Ｐ前期同様にＣａＯ／Ｏを０．５〜１．０に維持
しているため、スラグ１７中の酸素ポテンシャルを高め
ているにも係わらず、溶銑１６の脱炭反応が抑制でき、
脱Ｐ反応時の酸素効率（脱Ｐ反応に有効に作用した酸素
量／全酸素量×１００）を高めて到達Ｐ濃度を十分に低
減することができる。このようにして脱Ｓｉ処理と、脱
Ｐ処理を行った溶銑１６は、出鋼口１９から出銑され、
脱炭精錬炉である上吹き転炉、上底吹き転炉、電気炉等
に装入されて吹酸による脱炭精錬が行われ、これにより
溶鋼が製造される。
％の範囲にある規定値未満になった脱Ｐ後期における脱
Ｐ処理は、上吹きランス１３からの吹酸を一時停止し、
集塵ダストを貯蔵ホッパ１５から切り出して、シュート
１８から炉体１１内に連続的に添加してスラグ１７中の
酸素ポテンシャルを大幅に高め、同時に、ＣａＯ／Ｏを
０．５〜１．０に維持する。この集塵ダストの添加によ
って、スラグ１７中のＦｅＯの濃度が高められ、このＦ
ｅＯがスラグ１７と溶銑１６の界面での溶銑中の炭素、
あるいはスラグ１７中に含まれる粒鉄中の炭素等と反応
してＣＯガスを生成し、このＣＯガスがスラグ１７と溶
銑１６の界面、及びスラグ１７のバルク内で生成してス
ラグ１７を十分に攪拌することができ、スラグ１７中及
びスラグ１７と溶銑１６の界面での物質移動が促進さ
れ、脱Ｐ反応が促進される。その結果、酸素の供給律則
でない溶銑中のＰ濃度が低い領域において、溶銑に集塵
ダストを添加することで、高い酸素ポテンシャルのスラ
グ１７とスラグ１７の物質移動の促進による相乗した働
きが生じ、可及的速やかに脱Ｐ反応が進行し、更に、脱
Ｐ処理を行うことができる。また、脱Ｐ後期において
も、脱Ｐ前期同様にＣａＯ／Ｏを０．５〜１．０に維持
しているため、スラグ１７中の酸素ポテンシャルを高め
ているにも係わらず、溶銑１６の脱炭反応が抑制でき、
脱Ｐ反応時の酸素効率（脱Ｐ反応に有効に作用した酸素
量／全酸素量×１００）を高めて到達Ｐ濃度を十分に低
減することができる。このようにして脱Ｓｉ処理と、脱
Ｐ処理を行った溶銑１６は、出鋼口１９から出銑され、
脱炭精錬炉である上吹き転炉、上底吹き転炉、電気炉等
に装入されて吹酸による脱炭精錬が行われ、これにより
溶鋼が製造される。
【００１３】
【実施例】次に、本発明に係る転炉型容器を用いた溶銑
の脱Ｓｉ脱Ｐ方法の実施例について説明する。Ｓｉ濃度
が０．３重量％、Ｐ濃度が０．１００重量％の溶銑１５
０トンを上底吹き転炉１０に装入し、フラックスとして
ＣａＯを用いた。脱Ｓｉ処理及び脱Ｐ前期の脱Ｐ処理
は、上吹きランス１３からの吹酸を行い、脱Ｐ後期の脱
Ｐ処理では、脱Ｐの開始Ｐ濃度（吹酸停止時〔％
Ｐ〕）、ＣａＯ／Ｏを変化させた条件で、集塵ダストを
添加した。なお、フラックス（ＣａＯ）添加はいずれの
場合も均等に連続して行った。そして、到達Ｐ濃度（到
達〔％Ｐ〕）、処理後〔％Ｃ〕、処理後温度（℃）、脱
Ｐ石灰効率（％）、脱Ｐ酸素効率（％）、総合評価につ
いて調査した。その結果を表１に示す。実施例１及び実
施例２は、吹酸停止時（脱Ｐ後期の集塵ダストの添加
時）のＰ濃度をそれぞれ０．０５３重量％、０．０４４
重量％にし、ＣａＯ／Ｏを０．６５、０．７０にした場
合であり、それぞれ到達〔％Ｐ〕を０．０１１重量％、
０．０１３重量％、溶銑の脱炭と溶銑の温度の低下を抑
制でき、脱Ｐ石灰効率を２６％、２４％、脱Ｐ酸素効率
を１８％、１５％と良好にでき、総合評価として良い
（○）結果が得られた。実施例３は、吹酸停止時（脱Ｐ
後期の集塵ダストの添加時）のＰ濃度を０．０６０重量
％、実施例４は、吹酸停止時（脱Ｐ後期の集塵ダストの
添加時）のＰ濃度を０．０４０重量％にして、ＣａＯ／
Ｏをそれぞれ０．６０、０．５５にした場合であり、そ
れぞれ到達〔％Ｐ〕が低くでき、溶銑の脱炭と溶銑の温
度の低下を抑制でき、脱Ｐ石灰効率及び脱Ｐ酸素効率も
良好にでき、総合評価としてもそれぞれ良い（○）結果
が得られた。実施例５は、ＣａＯ／Ｏを下限値である
０．５０、実施例６は、ＣａＯ／Ｏを上限値である１．
００にした場合であり、それぞれ到達〔％Ｐ〕を低くで
き、溶銑の脱炭と溶銑の温度の低下が無く、脱Ｐ石灰効
率及び脱Ｐ酸素効率を良好にでき、総合評価としてもそ
れぞれ良い（○）結果が得られた。
の脱Ｓｉ脱Ｐ方法の実施例について説明する。Ｓｉ濃度
が０．３重量％、Ｐ濃度が０．１００重量％の溶銑１５
０トンを上底吹き転炉１０に装入し、フラックスとして
ＣａＯを用いた。脱Ｓｉ処理及び脱Ｐ前期の脱Ｐ処理
は、上吹きランス１３からの吹酸を行い、脱Ｐ後期の脱
Ｐ処理では、脱Ｐの開始Ｐ濃度（吹酸停止時〔％
Ｐ〕）、ＣａＯ／Ｏを変化させた条件で、集塵ダストを
添加した。なお、フラックス（ＣａＯ）添加はいずれの
場合も均等に連続して行った。そして、到達Ｐ濃度（到
達〔％Ｐ〕）、処理後〔％Ｃ〕、処理後温度（℃）、脱
Ｐ石灰効率（％）、脱Ｐ酸素効率（％）、総合評価につ
いて調査した。その結果を表１に示す。実施例１及び実
施例２は、吹酸停止時（脱Ｐ後期の集塵ダストの添加
時）のＰ濃度をそれぞれ０．０５３重量％、０．０４４
重量％にし、ＣａＯ／Ｏを０．６５、０．７０にした場
合であり、それぞれ到達〔％Ｐ〕を０．０１１重量％、
０．０１３重量％、溶銑の脱炭と溶銑の温度の低下を抑
制でき、脱Ｐ石灰効率を２６％、２４％、脱Ｐ酸素効率
を１８％、１５％と良好にでき、総合評価として良い
（○）結果が得られた。実施例３は、吹酸停止時（脱Ｐ
後期の集塵ダストの添加時）のＰ濃度を０．０６０重量
％、実施例４は、吹酸停止時（脱Ｐ後期の集塵ダストの
添加時）のＰ濃度を０．０４０重量％にして、ＣａＯ／
Ｏをそれぞれ０．６０、０．５５にした場合であり、そ
れぞれ到達〔％Ｐ〕が低くでき、溶銑の脱炭と溶銑の温
度の低下を抑制でき、脱Ｐ石灰効率及び脱Ｐ酸素効率も
良好にでき、総合評価としてもそれぞれ良い（○）結果
が得られた。実施例５は、ＣａＯ／Ｏを下限値である
０．５０、実施例６は、ＣａＯ／Ｏを上限値である１．
００にした場合であり、それぞれ到達〔％Ｐ〕を低くで
き、溶銑の脱炭と溶銑の温度の低下が無く、脱Ｐ石灰効
率及び脱Ｐ酸素効率を良好にでき、総合評価としてもそ
れぞれ良い（○）結果が得られた。
【００１４】
【表１】
【００１５】これに対し、従来例は、溶銑の脱Ｓｉ処理
と脱Ｐ処理に、上吹きランスによる吹酸と集塵ダストを
同時使用し、しかも、フラックスを脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処
理の初期に一括して添加してＣａＯ／Ｏが１．２０にな
った場合であり、脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理の初期のスラグ
量が増加し、フラックスの滓化不良を招いて脱Ｐ反応が
悪くなって到達〔％Ｐ〕が０．０３３重量％と高くな
り、脱Ｐ石灰効率も１４％、脱Ｐ酸素効率も８％と低
く、総合評価として悪い（×）結果となった。
と脱Ｐ処理に、上吹きランスによる吹酸と集塵ダストを
同時使用し、しかも、フラックスを脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処
理の初期に一括して添加してＣａＯ／Ｏが１．２０にな
った場合であり、脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理の初期のスラグ
量が増加し、フラックスの滓化不良を招いて脱Ｐ反応が
悪くなって到達〔％Ｐ〕が０．０３３重量％と高くな
り、脱Ｐ石灰効率も１４％、脱Ｐ酸素効率も８％と低
く、総合評価として悪い（×）結果となった。
【００１６】以上、本発明の実施の形態を説明したが、
本発明は、上記した形態に限定されるものでなく、要旨
を逸脱しない条件の変更等は全て本発明の適用範囲であ
る。例えば、固体酸素剤としては、集塵ダストの他に、
製鉄工場で発生する酸化鉄を含むスラジ、スケールや鉄
鉱石粉等を使用することができ、その添加方法は、イン
ゼクションにより添加することができる。更に、脱Ｐに
用いるフラックスとしては、生石灰の他に、ドロマイ
ト、石灰石、脱炭精錬で発生した脱炭スラグ等の塊や粉
を用いることができる。
本発明は、上記した形態に限定されるものでなく、要旨
を逸脱しない条件の変更等は全て本発明の適用範囲であ
る。例えば、固体酸素剤としては、集塵ダストの他に、
製鉄工場で発生する酸化鉄を含むスラジ、スケールや鉄
鉱石粉等を使用することができ、その添加方法は、イン
ゼクションにより添加することができる。更に、脱Ｐに
用いるフラックスとしては、生石灰の他に、ドロマイ
ト、石灰石、脱炭精錬で発生した脱炭スラグ等の塊や粉
を用いることができる。
【００１７】
【発明の効果】請求項１〜４記載の転炉型容器を用いた
溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法においては、溶銑を転炉型容器に
装入して、溶銑の脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理を同時に行う転
炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、酸素
の供給律則となる溶銑中のＰ濃度が高い領域では、転炉
型容器の上方に設けられた吹酸ランスから気体酸素を溶
銑に吹き付け、脱Ｓｉ処理と同時に脱Ｐ処理を行い、酸
素の供給律則でない溶銑中のＰ濃度が低い領域では、溶
銑に固体酸素剤のみを添加して、更に脱Ｐ処理を行うの
で、脱Ｓｉ処理及び脱Ｐ処理時の反応効率を高めて到達
Ｓｉ濃度、到達Ｐ濃度を低減することができ、使用する
フラックスを節減することができる。
溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法においては、溶銑を転炉型容器に
装入して、溶銑の脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理を同時に行う転
炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、酸素
の供給律則となる溶銑中のＰ濃度が高い領域では、転炉
型容器の上方に設けられた吹酸ランスから気体酸素を溶
銑に吹き付け、脱Ｓｉ処理と同時に脱Ｐ処理を行い、酸
素の供給律則でない溶銑中のＰ濃度が低い領域では、溶
銑に固体酸素剤のみを添加して、更に脱Ｐ処理を行うの
で、脱Ｓｉ処理及び脱Ｐ処理時の反応効率を高めて到達
Ｓｉ濃度、到達Ｐ濃度を低減することができ、使用する
フラックスを節減することができる。
【００１８】請求項２記載の転炉型容器を用いた溶銑の
脱Ｓｉ脱Ｐ方法においては、酸素の供給律則となる溶銑
中のＰ濃度が高い領域では、Ｐ濃度が０．０４〜０．０
６重量％の範囲にある規定値以上であるので、酸素の吹
酸による脱Ｓｉ処理、脱Ｐ前期の処理の反応効率、及び
固体酸素剤による脱Ｐ後期の処理の反応効率をより向上
でき、到達Ｓｉ濃度、到達Ｐ濃度を安定して低減するこ
とができる。
脱Ｓｉ脱Ｐ方法においては、酸素の供給律則となる溶銑
中のＰ濃度が高い領域では、Ｐ濃度が０．０４〜０．０
６重量％の範囲にある規定値以上であるので、酸素の吹
酸による脱Ｓｉ処理、脱Ｐ前期の処理の反応効率、及び
固体酸素剤による脱Ｐ後期の処理の反応効率をより向上
でき、到達Ｓｉ濃度、到達Ｐ濃度を安定して低減するこ
とができる。
【００１９】請求項３記載の転炉型容器を用いた溶銑の
脱Ｓｉ脱Ｐ方法においては、酸素の供給律則となる溶銑
中のＰ濃度が高い領域から、酸素の供給律則でない溶銑
中のＰ濃度が低い領域まで、脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理に使
用するＣａＯを連続添加するので、スラグ中のＦｅＯの
濃度の低下を抑制し、同時に、滓化不良等を防止して脱
Ｓｉ反応及び脱Ｐ反応を促進することができる。
脱Ｓｉ脱Ｐ方法においては、酸素の供給律則となる溶銑
中のＰ濃度が高い領域から、酸素の供給律則でない溶銑
中のＰ濃度が低い領域まで、脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理に使
用するＣａＯを連続添加するので、スラグ中のＦｅＯの
濃度の低下を抑制し、同時に、滓化不良等を防止して脱
Ｓｉ反応及び脱Ｐ反応を促進することができる。
【００２０】請求項４記載の転炉型容器を用いた溶銑の
脱Ｓｉ脱Ｐ方法においては、脱Ｓｉ処理及び脱Ｐ処理時
に使用する酸素量と、脱Ｐ処理に使用するＣａＯ量を、
酸素原単位の重量に対するＣａＯ原単位の重量の比で
０．５〜１．０とするので、吹酸した際の溶銑中のＣの
脱炭反応を抑制して脱Ｐの酸素効率を高めて到達Ｐ濃度
を安定して低減することができ、発生するスラグ量を節
減することができる。
脱Ｓｉ脱Ｐ方法においては、脱Ｓｉ処理及び脱Ｐ処理時
に使用する酸素量と、脱Ｐ処理に使用するＣａＯ量を、
酸素原単位の重量に対するＣａＯ原単位の重量の比で
０．５〜１．０とするので、吹酸した際の溶銑中のＣの
脱炭反応を抑制して脱Ｐの酸素効率を高めて到達Ｐ濃度
を安定して低減することができ、発生するスラグ量を節
減することができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る転炉型容器を用い
た溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法に適用される上底吹き転炉の全
体図である。
た溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法に適用される上底吹き転炉の全
体図である。
１０：上底吹き転炉（転炉型容器）、１１：炉体、１
２：底吹きノズル、１３：上吹きランス（吹酸ラン
ス）、１４：貯蔵ホッパ、１５：貯蔵ホッパ、１６：溶
銑、１７：スラグ、１８：シュート、１９：出鋼口
２：底吹きノズル、１３：上吹きランス（吹酸ラン
ス）、１４：貯蔵ホッパ、１５：貯蔵ホッパ、１６：溶
銑、１７：スラグ、１８：シュート、１９：出鋼口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K014 AA01 AA03 AB03 AB04 AC03 AC08 AC11 AC16 AC17 AD00 4K070 AB02 AB06 AB18 AC02 AC14 AC17 BA07 BB02 BB05 BD08 BD13 BD18 EA01 EA06 EA09 EA10
Claims (4)
- 【請求項１】 溶銑を転炉型容器に装入して、前記溶銑
の脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理を同時に行う転炉型容器を用い
た溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、酸素の供給律則とな
る前記溶銑中のＰ濃度が高い領域では、前記転炉型容器
の上方に設けられた吹酸ランスから気体酸素を前記溶銑
に吹き付け、脱Ｓｉ処理と同時に脱Ｐ処理を行い、酸素
の供給律則でない前記溶銑中のＰ濃度が低い領域では、
溶銑に固体酸素剤のみを添加して、更に脱Ｐ処理を行う
ことを特徴とする転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ
方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の転炉型容器を用いた溶銑
の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、前記酸素の供給律則となる
前記溶銑中の前記Ｐ濃度が高い領域では、前記Ｐ濃度が
０．０４〜０．０６重量％の範囲にある規定値以上であ
ることを特徴とする転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱
Ｐ方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の転炉型容器を用い
た溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、前記酸素の供給律則
となる前記溶銑中の前記Ｐ濃度が高い領域から、前記酸
素の供給律則でない前記溶銑中の前記Ｐ濃度が低い領域
まで、前記脱Ｓｉ処理と脱Ｐ処理に使用するＣａＯを連
続添加することを特徴とする転炉型容器を用いた溶銑の
脱Ｓｉ脱Ｐ方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の転
炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法において、前記
脱Ｓｉ処理及び前記脱Ｐ処理時に使用する酸素量と、前
記脱Ｐ処理に使用するＣａＯ量を、酸素原単位の重量に
対するＣａＯ原単位の重量の比で０．５〜１．０とする
ことを特徴とする転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103084A JP2002294321A (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103084A JP2002294321A (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002294321A true JP2002294321A (ja) | 2002-10-09 |
Family
ID=18956195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001103084A Withdrawn JP2002294321A (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 転炉型容器を用いた溶銑の脱Ｓｉ脱Ｐ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002294321A (ja) |
-
2001
- 2001-04-02 JP JP2001103084A patent/JP2002294321A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080603 |