JP2002292237A - Device to remove harmful matter - Google Patents

Device to remove harmful matter

Info

Publication number
JP2002292237A
JP2002292237A JP2001102197A JP2001102197A JP2002292237A JP 2002292237 A JP2002292237 A JP 2002292237A JP 2001102197 A JP2001102197 A JP 2001102197A JP 2001102197 A JP2001102197 A JP 2001102197A JP 2002292237 A JP2002292237 A JP 2002292237A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
chamber
water supply
perforated plate
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001102197A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumio Fukumoto
夫美男 福本
Masami Muto
正美 武藤
Takeaki Kasahara
丈明 笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TOUSETSU KK
Original Assignee
TOUSETSU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TOUSETSU KK filed Critical TOUSETSU KK
Priority to JP2001102197A priority Critical patent/JP2002292237A/en
Publication of JP2002292237A publication Critical patent/JP2002292237A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)
  • Separation Of Particles Using Liquids (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the removing efficiency and to treat a large amount of toxic gas. SOLUTION: A porous plate 2 is disposed in a liquid tank 1. A gas inlet 8 is formed to a gas room in the lower side of the porous plate 2, while a gas-liquid mixing and stirring member 20 is erected in a water supply room 3 on the upper side of the porous plate so that the member 20 opposes to the communicating holes 2a of the plate 2 through a gap where the water flows.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
や液晶製造装置等から排出される有害ガスを除害、回収
するための除害装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a detoxification apparatus for detoxifying and recovering harmful gases discharged from a semiconductor manufacturing apparatus, a liquid crystal manufacturing apparatus and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造ラインや液晶製造ラインから
排出されるガスには、SiO2やWO3等の微細な粉体と同時
に有害なガスが含まれているので、そのまま大気中に放
出することができない。そこで、従来、次の様な方法で
除害している。 (1)パンチングプレートの開口を通過させ、微細化す
る、いわゆる湿式のハ゛フ゛リンク゛方式、(2)充填物の表面に
形成された水膜と、ガスとの慣性衝突、微細粒子の拡散
付着によってダストの捕集を行う、いわゆる充填材方
式、(3)水を加圧して供給のガスの洗浄を行う、フィル
タ方式又はジェットスクラバ方式。
BACKGROUND OF THE INVENTION Gas exhausted from a semiconductor manufacturing line and LCD production line, because it contains simultaneously harmful gas and fine powders such SiO2 and WO 3, be directly released into the atmosphere Can not. Therefore, conventionally, the harm is removed by the following method. (1) A so-called wet-type method, which passes through the opening of the punching plate and makes it fine, (2) Inertia collision between a water film formed on the surface of the filler and gas, and diffusion of fine particles (3) Filtering or jet scrubbing, in which water is pressurized to clean the supplied gas.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記(1)
(2)の方式では、除害効率が悪く、特に塩素ではアルカリ
の添加が必要である。また、この様な薬剤を用いると、
安全性環境性などにおいて問題が発生するので、好まし
くない。前記(3)の方式では 大量の有害ガスを処理す
ることが困難である。従って、基板の大型化に伴い、半
導体製造装置や液晶製造装置等から排出される有害ガス
が多くなっている現状では、この方式では対応しきれな
い。
However, the above (1)
In the method (2), the abatement efficiency is poor, and particularly in the case of chlorine, an alkali needs to be added. Also, when using such drugs,
It is not preferable because problems occur in safety and environmental properties. It is difficult to treat a large amount of harmful gas by the method (3). Therefore, this method cannot cope with the current situation in which harmful gases discharged from semiconductor manufacturing equipment, liquid crystal manufacturing equipment, and the like increase with the size of substrates.

【0004】本発明は、上記事情に鑑み、除害効率の向
上を図るとともに、大量の有毒ガスの処理ができるよう
にすることである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and aims to improve the abatement efficiency and enable a large amount of toxic gas to be treated.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この発明は、液体槽内を
上下に仕切る多孔板と、該多孔板の下面側に形成され、
ガス導入口を有するガス室と、該多孔板の上面側に設け
られた給水室と、該給水室内の多孔板に流水間隙を介し
て立設され、前記多孔板の連通孔に対向する気液混合・
撹拌部材と、該ガス導入口からガス室に有害ガスを導入
し、前記連通孔、気液混合・撹拌部材を介して排気口か
ら排気させる給排手段と、を備えていることを特徴とす
る。
According to the present invention, there is provided a perforated plate for partitioning the inside of a liquid tank into upper and lower portions, and a lower plate side formed on the perforated plate,
A gas chamber having a gas inlet, a water supply chamber provided on the upper surface side of the perforated plate, and a gas-liquid that is erected on the perforated plate in the water supply chamber through a flowing water gap and faces a communication hole of the perforated plate. mixture·
A stirring member, and a supply / discharge means for introducing a harmful gas into the gas chamber from the gas introduction port and exhausting the gas from the exhaust port via the communication hole and the gas-liquid mixing / stirring member. .

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明では、液体槽内の上部に、
連通孔を有する多孔板を設け、該液体槽内を上側のガス
室と下側の給水室とに仕切り、該給水室内の多孔板に該
連通孔に対向する気液混合・撹拌部材を流水間隙を介し
て立設したものである。有害ガスはガス導入口からガス
室に導入され、該有害ガスは多孔板の連通孔を介して気
液混合・攪拌部材内に導入される。この時、該有害ガス
は、高速で連通孔を通り、前記部材内に流入するので、
給水室内の水が流入間隙を通って該部材内に吸い込ま
れ、ガスと混合攪拌されながら上昇する。そのため、前
記有害ガスは、除害されて清浄ガスとなって排気口から
排出され、又、水は給水室に落下する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, an upper part of a liquid tank is
A perforated plate having a communication hole is provided, the inside of the liquid tank is partitioned into an upper gas chamber and a lower water supply chamber, and a gas-liquid mixing / stirring member facing the communication hole is provided on the perforated plate in the water supply chamber with a flowing water gap. It was erected through The harmful gas is introduced from the gas inlet into the gas chamber, and the harmful gas is introduced into the gas-liquid mixing / stirring member through the communication hole of the perforated plate. At this time, the harmful gas flows through the communication hole at high speed and flows into the member,
The water in the water supply chamber is sucked into the member through the inflow gap, and rises while being mixed and stirred with the gas. Therefore, the harmful gas is removed and becomes a clean gas and is discharged from the exhaust port, and the water falls into the water supply chamber.

【0007】[0007]

【実施例】この発明の第1実施例を図1〜図3により説
明する。液体槽1内の上部には、連通孔2aを有する多
孔板2が設けられ、その上面側の給水室3には、シャワ
4が設けられている。このシャワ4は、ポンプ5を備え
た循環路6を介して液体槽1に連結されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. A perforated plate 2 having a communication hole 2a is provided in an upper part in the liquid tank 1, and a shower 4 is provided in a water supply chamber 3 on the upper surface side. The shower 4 is connected to the liquid tank 1 via a circulation path 6 having a pump 5.

【0008】多孔板2の下面側には、ガス導入口8を備
えたガス室9が設けられ、該ガス室9の下部には、貯留
室10が設けられている。この貯留室10には、給排水
機構としてのオーバーフロー管12と給水ライン13と
が接続されている。
A gas chamber 9 having a gas inlet 8 is provided on the lower surface side of the porous plate 2, and a storage chamber 10 is provided below the gas chamber 9. An overflow pipe 12 as a water supply / drainage mechanism and a water supply line 13 are connected to the storage room 10.

【0009】ガス導入口8は、吸気管15を介して半導
体製造装置の排気部に連結されている。この吸気管15
には、前記装置からの排気導入量を調節するためのイン
バータ(図示しない)と、洗浄装置16と、が設けられ
ている。この洗浄装置16は、吸気管15の管壁内の付
着物を洗浄するものであるが、この洗浄装置16は、給
水パイプ17を介して給水ライン13に接続されてい
る。
The gas inlet 8 is connected via an intake pipe 15 to an exhaust part of a semiconductor manufacturing apparatus. This intake pipe 15
Is provided with an inverter (not shown) for adjusting the amount of exhaust gas introduced from the device, and a cleaning device 16. The cleaning device 16 is for cleaning the deposits in the pipe wall of the intake pipe 15. The cleaning device 16 is connected to the water supply line 13 via a water supply pipe 17.

【0010】多孔板2の上面には、気液混合・攪拌部材
20が設けられている。この部材20は、図3に示すよ
うに、円筒ケーシング21と、該円筒ケーシング21の
下部に設けられた一対の二つ割り楕円盤23,24と、
該円筒ケーシング21の内面21aに突設した突起群2
5と、を備えている。
A gas-liquid mixing / stirring member 20 is provided on the upper surface of the porous plate 2. As shown in FIG. 3, the member 20 includes a cylindrical casing 21, a pair of split elliptical discs 23 and 24 provided below the cylindrical casing 21,
Projection group 2 projecting from inner surface 21a of cylindrical casing 21
5 is provided.

【0011】前記楕円盤23,24の弦側側縁23a,
24aは互いに交差し、又、その円弧側側縁23b、2
4bは、円筒ケーシング21の内壁21aに接してい
る。この部材20は、4本の脚柱27により多孔板2の
上面から少し離れた位置に固定され、連通孔2aと連通
している。この部材20と多孔板2のとの流水間隙S
は、必要に応じてその大きさが決められる。この間隙S
は水が該部材の外側から内側に流れるようにするための
ものであるので、必ずしも、該部材の下端全周に設ける
必要はない。この多孔板2と該部材20は、1組(1
段)だけ設けられているが、ファンF能力と処理量との
兼ね合いで複数段にしても良い。
The chord side edges 23a of the elliptical discs 23, 24,
24a cross each other and have their arc side edges 23b, 2b
4b is in contact with the inner wall 21a of the cylindrical casing 21. The member 20 is fixed at a position slightly away from the upper surface of the perforated plate 2 by four pillars 27, and communicates with the communication hole 2a. The running water gap S between the member 20 and the perforated plate 2
Is determined as necessary. This gap S
Since water flows from the outside to the inside of the member, it is not always necessary to provide the water around the lower end of the member. The perforated plate 2 and the member 20 are one set (1
Is provided, but a plurality of stages may be provided in consideration of the fan F capacity and the processing amount.

【0012】給水室3は、オーバーフロー管29を介し
て貯留室10に連通している。この給水室3の上部に
は、ミストセパレータ30が設けられ、該ミストセパレ
ータ30の下流側には、排気ファン31が設けられてい
る。該ファン31は、排気口32を介して生産ラインの
排気管に接続されている。
The water supply chamber 3 communicates with the storage chamber 10 via an overflow pipe 29. A mist separator 30 is provided above the water supply chamber 3, and an exhaust fan 31 is provided downstream of the mist separator 30. The fan 31 is connected to an exhaust pipe of a production line via an exhaust port 32.

【0013】次に、本実施例の作動について説明する。
図示しない起動ボタンをオンにすると、ポンプ5が起動
し液体槽1の貯留室10内の液(水)Woを循環路6に回
し始め、該循環路6内の流量が略一定となる。
Next, the operation of this embodiment will be described.
When a start button (not shown) is turned on, the pump 5 is started, and the liquid (water) Wo in the storage chamber 10 of the liquid tank 1 starts to be circulated to the circulation path 6, and the flow rate in the circulation path 6 becomes substantially constant.

【0014】次に、ファン31を起動すると、半導体製
造装置で発生した有害ガスGは吸気管15を通り、ガス
導入口8からガス室9に入る。ガス室9に入った有害ガ
スGは、連通孔2aを通って気液混合・攪拌部材20に
入る。この時、該ガスGは吸引力を発生させるので、給
水室3の水Woが流水間隙Sから該部材20内に入りガス
と一緒になりながら上昇する。
Next, when the fan 31 is started, the harmful gas G generated in the semiconductor manufacturing apparatus passes through the intake pipe 15 and enters the gas chamber 9 through the gas inlet 8. The harmful gas G entering the gas chamber 9 enters the gas-liquid mixing / stirring member 20 through the communication hole 2a. At this time, the gas G generates a suction force, so that the water Wo in the water supply chamber 3 enters the member 20 from the flowing water gap S and rises together with the gas.

【0015】前記部材20内を上昇する有害ガスGと水
Woは、突起群25と二つ割り楕円盤23,24により螺
旋流となりながら混合攪拌されるので、有害ガスG中の
水溶成分及び該ガス中の粉体は、液Woに混合溶融す
る。そのため、前記液Woは混合液(水と有害成分の混
合液)W1となって該部材20から給水室3内に排出さ
れる。
The harmful gas G and water rising in the member 20
Since Wo is mixed and stirred while forming a spiral flow by the projection group 25 and the split elliptical disks 23 and 24, the water component in the harmful gas G and the powder in the gas are mixed and melted in the liquid Wo. Therefore, the liquid Wo becomes a mixed liquid (a mixed liquid of water and a harmful component) W1 and is discharged from the member 20 into the water supply chamber 3.

【0016】前記部材20を通過し、除害及び粉体が除
去された清浄ガスG0は、ミストセパレータ30を通過
し、排気口32から機外に排出される。
The clean gas G0, which has passed through the member 20 and from which detoxification and powder have been removed, passes through the mist separator 30 and is discharged from the exhaust port 32 to the outside of the machine.

【0017】貯留室10内のPH値は、PH計15により監
視され、計測値が設定したPH値を越えたときには、給
水ライン13に設けた電磁弁(図示しない)がオンとな
り、貯留室10内に水が供給される。そうすると、貯留
室10内のPH値が下がり、設定値になるので、この段階
で前記電磁弁がオフとなり給水が停止される。
The PH value in the storage chamber 10 is monitored by a PH meter 15, and when the measured value exceeds a set PH value, a solenoid valve (not shown) provided in the water supply line 13 is turned on, and the storage chamber 10 is turned on. Water is supplied inside. Then, the PH value in the storage chamber 10 decreases and reaches the set value. At this stage, the solenoid valve is turned off and the water supply is stopped.

【0018】給水ライン13からの給水により、貯留室
10内の液面が設計値よりも上昇すると、オーバーフロ
ー管12から自動的に排水される。
When the liquid level in the storage chamber 10 rises above a design value due to the water supply from the water supply line 13, the water is automatically drained from the overflow pipe 12.

【0019】尚、貯留室10には、液面下限センサ35が
設けられ、該センサ35が作動したときには、給水ライ
ン13の電磁弁がオンとなり、貯留室10内に給水が開
始される。そのため、貯留室10内の液量は、常に最低
レベル量より多くなるので、ポンプ5が空回りすること
はない。
The storage chamber 10 is provided with a liquid level lower limit sensor 35. When the sensor 35 is operated, the solenoid valve of the water supply line 13 is turned on, and the water supply into the storage chamber 10 is started. Therefore, the amount of liquid in the storage chamber 10 always exceeds the minimum level amount, and the pump 5 does not run idle.

【0020】給水室3に所定量以上の液Woが溜まると、
余分の液Woはオーバーフロー管29を介して貯留室10
に排水される。
When a predetermined amount or more of the liquid Wo accumulates in the water supply chamber 3,
Excess liquid Wo is stored in the storage chamber 10 through the overflow pipe 29.
Drained to

【0021】また、洗浄装置16は、定期的に給水管1
7から水を流しているため、管壁に付着した粉体は、洗
い流されて貯留室10に流下するので、有害ガス中に微
細な粉体が含まれていても、配管の詰まりが発生するこ
とはない。気液混合・攪拌部材20は、粉体をトラップ
するので、排気口32に流入する粉体は、最小限に押さ
えられる。
In addition, the cleaning device 16 periodically supplies the water supply pipe 1.
Since the water flows from 7, the powder adhering to the pipe wall is washed out and flows down to the storage chamber 10, so even if the harmful gas contains fine powder, clogging of the pipe occurs. Never. Since the gas-liquid mixing / stirring member 20 traps the powder, the powder flowing into the exhaust port 32 is minimized.

【0022】この発明の第2実施例を図4により説明す
るが、この実施例と第1実施例(図1〜図3)との相違
点は、気液混合・攪拌部材が、楕円盤の代わりに、螺旋
状のガイドベーン40を用いたことである。このガイド
ベーン40は、前記楕円盤と同様の作用をすることは勿
論である。
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4. The difference between this embodiment and the first embodiment (FIGS. 1 to 3) is that the gas-liquid mixing / stirring member is an elliptical disk. Instead, a spiral guide vane 40 is used. Of course, the guide vane 40 functions similarly to the elliptical disk.

【0023】この発明の実施例は、上記に限定されるも
のではない。例えば、前記実施例では、PH値によって給
水排水を制限しているが、予め処理するガスの量がわか
っている場合には、タイマ設定により液の入れ替えを実
施しても良い。
The embodiment of the present invention is not limited to the above. For example, in the above embodiment, the water supply and drainage is limited by the PH value, but if the amount of gas to be treated is known in advance, the liquid may be replaced by setting a timer.

【0024】また、給水排水の機構は、ここに開示され
たものに限らず、液体槽1の下部に電磁弁、又は、排水
用のポンプを介した廃液管を設け、液面センサによる制
御で排液後に給液を行っても良い。
The mechanism of water supply and drainage is not limited to the one disclosed here, but a solenoid valve or a waste liquid pipe via a drainage pump is provided at the lower part of the liquid tank 1 and controlled by a liquid level sensor. Liquid supply may be performed after drainage.

【0025】[0025]

【発明の効果】この発明は、液体槽内を上下に仕切る多
孔板と、該多孔板の下面側に形成され、ガス導入口を有
するガス室と、該多孔板の上面側に設けられた給水室
と、該給水室内の多孔板に流水間隙を介して立設され、
前記多孔板の連通孔と対向する気液混合・撹拌部材と、
を設けたので、有害ガスの除害効率及び粉体のトラップ
効率を向上させることができるとともに、多量の有害ガ
スの処理が可能となる。
According to the present invention, there are provided a perforated plate for partitioning a liquid tank up and down, a gas chamber formed on a lower surface side of the perforated plate and having a gas inlet, and a water supply provided on an upper surface side of the perforated plate. Chamber, standing on a perforated plate in the water supply chamber via a flowing water gap,
A gas-liquid mixing / stirring member facing the communication hole of the perforated plate,
Is provided, the harmful gas removal efficiency and the powder trapping efficiency can be improved, and a large amount of harmful gas can be treated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の要部拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a main part of FIG.

【図3】気液混合・攪拌部材の拡大斜視図である。FIG. 3 is an enlarged perspective view of a gas-liquid mixing / stirring member.

【図4】本発明の第2実施例を示す斜視図で、図3に対
応する図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention and corresponds to FIG.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4D002 AA00 AC10 BA02 BA16 CA03 DA35 EA05 GA02 GA03 GB09 GB20 4D020 BA23 BB03 CB32 CB40 CC03 DA02 DA03 DB08 DB15 4D032 AA22 BA06 BB16  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4D002 AA00 AC10 BA02 BA16 CA03 DA35 EA05 GA02 GA03 GB09 GB20 4D020 BA23 BB03 CB32 CB40 CC03 DA02 DA03 DB08 DB15 4D032 AA22 BA06 BB16

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】液体槽内を上下に仕切る多孔板と、 該多孔板の下面側に形成され、ガス導入口を有するガス
室と、 該多孔板の上面側に設けられた給水室と、 該給水室内の多孔板に流水間隙を介して立設され、前記
多孔板の連通孔に対向する気液混合・撹拌部材と、 該ガス導入口からガス室に有害ガスを導入し、前記連通
孔、気液混合・撹拌部材を介して排気口から排気させる
給排手段と、 を備えていることを特徴とする除害装置。
A perforated plate partitioning the inside of a liquid tank up and down; a gas chamber formed on a lower surface side of the perforated plate and having a gas inlet; a water supply chamber provided on an upper surface side of the perforated plate; A gas-liquid mixing / stirring member which is erected on the perforated plate in the water supply chamber via a flowing water gap and faces the communication hole of the perforated plate, and a harmful gas is introduced into the gas chamber from the gas inlet, and the communication hole is And a supply / discharge means for exhausting air from an exhaust port via a gas-liquid mixing / stirring member.
【請求項2】気液混合・攪拌部材が、複数設けられてい
ることを特徴とする請求項1記載の除害装置。
2. The abatement apparatus according to claim 1, wherein a plurality of gas-liquid mixing / stirring members are provided.
【請求項3】ガス室の下部に、貯留室が設けられ、該貯
留室が循環路を介して給水室に接続されていることを特
徴とする請求項1記載の除害装置。
3. The abatement apparatus according to claim 1, wherein a storage chamber is provided below the gas chamber, and the storage chamber is connected to a water supply chamber via a circulation path.
【請求項4】貯留室にPH計が設けられていることを特徴
とする請求項3記載の除害装置。
4. The abatement apparatus according to claim 3, wherein a PH meter is provided in the storage room.
【請求項5】ガス導入口の上流側に洗浄装置が設けられ
ていることを特徴とする請求項1記載の除害装置。
5. The abatement apparatus according to claim 1, wherein a cleaning device is provided upstream of the gas inlet.
JP2001102197A 2001-03-30 2001-03-30 Device to remove harmful matter Pending JP2002292237A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001102197A JP2002292237A (en) 2001-03-30 2001-03-30 Device to remove harmful matter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001102197A JP2002292237A (en) 2001-03-30 2001-03-30 Device to remove harmful matter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002292237A true JP2002292237A (en) 2002-10-08

Family

ID=18955418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001102197A Pending JP2002292237A (en) 2001-03-30 2001-03-30 Device to remove harmful matter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002292237A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111155949A (en) * 2020-01-04 2020-05-15 重庆环科源博达环保科技有限公司 Oil-based drilling cutting treatment method and gas purification device applied to same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111155949A (en) * 2020-01-04 2020-05-15 重庆环科源博达环保科技有限公司 Oil-based drilling cutting treatment method and gas purification device applied to same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7727317B2 (en) Scrubber and exhaust gas treatment apparatus
EP3412980A1 (en) Air cleaning apparatus with a moist filter
KR20140073279A (en) Exhausy gas purifying apparatus for a ship
US20180339258A1 (en) Air cleaning apparatus with a moist filter
KR20190027589A (en) Exhaust gas purification apparatus
JP2002292237A (en) Device to remove harmful matter
JP2000033216A (en) Moist generator
KR20190103030A (en) Wet abatement system
JP4850350B2 (en) Toxic gas removal method and apparatus
JP4805463B2 (en) Toxic gas abatement equipment
JPH08323106A (en) Liquid chemical feeder and method therefor
JP2003145139A (en) Liquid treatment apparatus
JP5369363B2 (en) Hazardous substance removal device
JP4841763B2 (en) Drainage method
JP3067543B2 (en) Smoke gas sampling equipment
JPH1176730A (en) Gas cleaner
JP3258725B2 (en) Rotary processing device
JP2005296918A (en) Method for detoxifying poisonous gas and its apparatus
WO2023189307A1 (en) Cleaning method for exhaust gas treatment facility
JP3241674U (en) Semiconductor waste gas treatment system and its moisture separator
JP4242211B2 (en) Ozone water treatment equipment
JP2007083135A (en) Gas detoxifying system
KR102378727B1 (en) Scrubber system
KR20230102112A (en) A semiconductor waste gas treatment scrubber that has both the desorption and discharge functions of the adhering powder
JP2005028289A (en) Continuous type multi-stage gas-liquid contact apparatus