JP2007083135A - Gas detoxifying system - Google Patents

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Hiroshi Oshibe
弘 押部
Tsutomu Aizawa
勉 相澤
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TOUSETSU KK
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce down time, to improve detoxifying efficiency and to enhance maintainability. <P>SOLUTION: A gas detoxifying system S comprises: an etching device 1 having a plurality of chambers 2, 3, 4 generating harmful gases; mixers agitating and mixing the harmful gases in the chambers 2, 3, 4 with a treating liquid W, and then discharging into the treating liquid in the liquid vessel 11a; and a removing device 10 having a circulating pump P1 sending the treating liquid W in the liquid vessel to the flowing-in opening of the mixers. The mixers 13, 14, 15 are installed corresponding to the respective chambers 2, 3, 4; and the circulating pump P1 sends the treating liquid W to respective mixers 13, 14, 15. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、有害ガスを発生する製造処理装置、例えば、半導体製造装置や液晶製造装置等、から排出される有害ガスを除害、回収して無害化する、ガス無害化処理システムに関するものである。   The present invention relates to a gas detoxification treatment system for detoxifying and recovering harmful gases discharged from a production processing apparatus that generates harmful gases, such as a semiconductor manufacturing apparatus and a liquid crystal manufacturing apparatus. .

半導体製造ラインや液晶製造ラインから排出されるガスには、SiO2やWO3等の微細な粉体と同時に、HF、BCl3、Cl2、Hcl等の有害なガスが含まれているので、そのまま大気に放出することができない。そこで、従来、次のような装置を用いて有害ガスの除害を行っている(例えば、特許文献1、2参照)。 Gases discharged from semiconductor production lines and liquid crystal production lines contain fine gases such as SiO 2 and WO 3 as well as harmful gases such as HF, BCl 3 , Cl 2 and Hcl. Can not be released. Therefore, conventionally, harmful gas is removed by using the following apparatus (for example, see Patent Documents 1 and 2).

有害ガスを水に混入せしめて除害する装置であって、処理液を貯溜する液体槽と、該液体槽に連通する循環路と、該循環路に配設され、エッチング装置の複数のチャンバから発生する有害ガスを処理液と混合攪拌し、微細な気泡にして液体槽内の処理液中に放出する気液混合・撹拌装置(ミキサ)と、該循環路に設けられ、液体槽内の処理液を前記ミキサに強制循環せしめるポンプと、を備えている。   An apparatus for removing harmful gases by mixing them with water, a liquid tank for storing a processing liquid, a circulation path communicating with the liquid tank, a circulation path disposed in the circulation path, and a plurality of chambers of the etching apparatus A gas-liquid mixing / stirring device (mixer) that mixes and stirs the generated harmful gas with the processing liquid, turns it into fine bubbles and releases it into the processing liquid in the liquid tank, and the processing in the liquid tank. And a pump for forcibly circulating the liquid to the mixer.

特願2001−018122号Japanese Patent Application No. 2001-018122 特願2002−346336号Japanese Patent Application No. 2002-346336

従来例には、次のような問題がある。
(1)1本のミキサに複数のチャンバの有害ガスを供給するので、ミキサのメンテナンス時には、全てのチャンバの運転を停止しなければならない。しかし、この様にすると、メンテナンスが終わるまでエッチング装置の運転を停止しなければならないので、ダウンタイムが大きくなる。そのため、エッチング装置を効率良く使用できなくなる。
そこで、各チャンバとミキサとを連結する各ガス供給管を、バルブを介してバイパスパイプに連結し、ミキサのメンテナンス時には、該バルブを切り換えて有害ガスをバイパスパイプに流している。しかし、この様にすると、バイパスパイプに流れる有害ガスの処理が問題となる。
The conventional example has the following problems.
(1) Since harmful gases from a plurality of chambers are supplied to a single mixer, the operation of all the chambers must be stopped during mixer maintenance. However, in this case, the operation of the etching apparatus must be stopped until the maintenance is completed, so that the downtime is increased. Therefore, the etching apparatus cannot be used efficiently.
Therefore, each gas supply pipe that connects each chamber and the mixer is connected to a bypass pipe via a valve, and at the time of maintenance of the mixer, the valve is switched to allow harmful gas to flow through the bypass pipe. However, when this is done, there is a problem with the treatment of harmful gas flowing in the bypass pipe.

(2)各チャンバで発生する有害ガスの量は、処理状況に応じて変化する。そのため、ミキサに供給される有害ガスの総量は、常に一定とならないため、ガス濃度が変化する。除害装置では、ガス濃度により除害効率に大きな変化が発生し、ガス濃度が低いと除害効率が低下してしまう。   (2) The amount of harmful gas generated in each chamber varies depending on the processing status. Therefore, the total amount of harmful gas supplied to the mixer is not always constant, so that the gas concentration changes. In the abatement apparatus, a large change occurs in the abatement efficiency depending on the gas concentration, and when the gas concentration is low, the abatement efficiency is lowered.

(3)性質の異なる複数の有害ガス、例えば、水に溶けやすい、易水溶性ガスと、水に溶けにくい、難水溶性ガス、を混合すると、易水溶性ガスのみが除害されるので、除害効率が著しく低下する。
(4)複数のガスを混合すると、ミキサが詰まり易くなるので、メンテナンスの周期が短くなり、メンテナンス性が悪くなる。
(3) When a plurality of harmful gases having different properties, for example, a water-soluble gas that is easily dissolved in water and a water-insoluble gas that is difficult to dissolve in water, only the water-soluble gas is abolished. Detoxification efficiency is significantly reduced.
(4) When a plurality of gases are mixed, the mixer is easily clogged, so the maintenance cycle is shortened and the maintainability is deteriorated.

この発明は、上記事情に鑑み、ダウンタイムを減少させることを目的とする。他の目的は、除害効率を良くすると共に、メンテナンス性の向上を図ることである。   In view of the above circumstances, an object of the present invention is to reduce downtime. Another object is to improve the removal efficiency and improve the maintainability.

この発明は、互いに独立して設けられた複数の有害ガスの発生源と,前記有害ガスの発生源の有害ガスと処理液とを気液混合攪拌して液体槽内の処理液中に放出するミキサと、該液体槽内の処理液を前記ミキサの流入口に送出する循環ポンプとを有する徐害装置と,からなるガス無害化処理システムであって;前記ミキサは、各有害ガスの発生源に対応してそれぞれ設けられ、前記循環ポンプは、各ミキサに対し、それぞれ処理液を送出する共用ポンプであることを特徴とする。   According to the present invention, a plurality of harmful gas generation sources provided independently of each other, and the harmful gas and the treatment liquid of the harmful gas generation source are mixed in gas and liquid, and released into the treatment liquid in the liquid tank. A gas harm-removing treatment system comprising a mixer and a gradual harming device having a circulation pump for delivering a treatment liquid in the liquid tank to an inlet of the mixer, wherein the mixer is a source of each harmful gas The circulation pump is a shared pump that sends out the processing liquid to each mixer.

この発明の複数の有害ガスの発生源が、一台の半導体製造装置に設けられている複数のチャンバから構成されていることを特徴とする。この発明の複数の有害ガスの発生源が、複数台の有害ガスを発生する処理装置からなることを特徴とする。   The plurality of harmful gas generation sources according to the present invention are constituted by a plurality of chambers provided in one semiconductor manufacturing apparatus. The plurality of harmful gas generation sources of the present invention are characterized by comprising a plurality of processing apparatuses that generate harmful gases.

この発明の各ミキサの直径は、同一、又は、異なることを特徴とする。この発明の各有害ガスの発生源の有害ガスは、互いに異なる種類であることを特徴とする。   The diameters of the mixers of the present invention are the same or different. The toxic gases of the toxic gas generation sources according to the present invention are different types.

この発明のミキサは、各有害ガスの発生源に対応してそれぞれ設けられ、前記循環ポンプは、共用されているので、各ミキサには、1個の有害ガスの発生源の有害ガスのみ供給される。そのため、各ミキサに供給される有害ガスの供給量に変動が少なく、かつ、他のミキサと無関係にメンテナンスを行うことができるので、ダウンタイムの減少を図ることができる。また、混合ガスではないので、除害効率が良く、かつ、ミキサの詰まり等のトラブルの発生を減少させることができる。   The mixer according to the present invention is provided corresponding to each harmful gas generation source, and the circulation pump is shared, so that each mixer is supplied with only one harmful gas generation gas. The As a result, the amount of harmful gas supplied to each mixer varies little and maintenance can be performed independently of other mixers, thereby reducing downtime. In addition, since it is not a mixed gas, it is possible to reduce the occurrence of troubles such as clogging of the mixer with good efficiency of detoxification.

本発明者は、ミキサを有する除害装置をエッチング装置の各チャンバに対応してそれぞれ設ければ、本件発明の目的を達成することができると考えた。
しかし、この様に構成すると、チャンバの数に対応する複数台の除害装置が必要となるので、設置スペース及び費用等の面で好ましくない、という問題が発生する。
The present inventor has considered that the object of the present invention can be achieved by providing a detoxifying apparatus having a mixer corresponding to each chamber of the etching apparatus.
However, with such a configuration, a plurality of abatement devices corresponding to the number of chambers are required, which causes a problem that it is not preferable in terms of installation space and cost.

そこで、本件発明者は、研究実験を重ねた結果、1台の除害装置におけるミキサの数を、有害ガスの発生するチャンバの数と等しくし、前記各チャンバ毎に専用のミキサを備えれば、前記問題を解決することがわかった。また、各ミキサの流量の合計を、従来例と変わらない様にすれば、ポンプは従来例と同様に1個で足りることがわかった。本件発明は、前記知見に基づいてなされたものである。   Therefore, as a result of repeated research experiments, the present inventor made the number of mixers in one abatement device equal to the number of chambers in which harmful gases are generated, and provided a dedicated mixer for each chamber. It has been found that this problem can be solved. Further, it was found that if the total flow rate of each mixer is not different from that of the conventional example, only one pump is sufficient as in the conventional example. This invention is made | formed based on the said knowledge.

この発明の実施例を図1により説明する。
ガス無害化処理システムSは、有害ガスの発生源、例えば、エッチング装置(エッチャ)1と、有害ガスの除害装置10とを備えている。エッチャ1は、有害ガスを発生する複数のチャンバ2,3,4,を備えている。各チャンバ2〜4の有害ガスは、それぞれ性質が異なっており、例えば、HF、BCl3等の易水溶性ガス、又は、Cl2等の難水溶性ガス、である。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The gas detoxification processing system S includes a harmful gas generation source, for example, an etching apparatus (etcher) 1 and a harmful gas removal apparatus 10. The etcher 1 includes a plurality of chambers 2, 3, 4 that generate harmful gases. The harmful gases in the chambers 2 to 4 have different properties, for example, a water-insoluble gas such as HF and BCl3, or a water-insoluble gas such as Cl2.

前記除害装置10には、処理液、例えば、水Wを貯留する液体槽11が設けられている。この液体槽11は、仕切壁12により第1液体槽11aと第2液体槽11bとに分離されている。前記液体槽11aには、処理液W、が所定量、貯溜されている。   The abatement apparatus 10 is provided with a liquid tank 11 for storing a processing liquid, for example, water W. The liquid tank 11 is separated into a first liquid tank 11 a and a second liquid tank 11 b by a partition wall 12. A predetermined amount of processing liquid W is stored in the liquid tank 11a.

この液体槽11aには、3本の気液混合・攪拌装置(ミキサ)13,14,15が設けられ、該ミキサ13〜15の吐出口13a〜15aは、処理液W中に位置し、その流入口13b〜15bは液体槽11aから突出して配設されている。このミキサ13〜15の口径は、夫々等しく、例えば、直径30mm〜35mmに形成され、前記3本のミキサ13〜15から放出される流体量の合計は、従来例の1本のミキサ(直径100mm)のそれと略同一となっている。   The liquid tank 11a is provided with three gas-liquid mixing / stirring devices (mixers) 13, 14, and 15, and the discharge ports 13a to 15a of the mixers 13 to 15 are located in the processing liquid W. The inflow ports 13b to 15b are disposed so as to protrude from the liquid tank 11a. The diameters of the mixers 13 to 15 are the same, for example, 30 mm to 35 mm in diameter, and the total amount of fluid discharged from the three mixers 13 to 15 is one mixer (diameter 100 mm in diameter). ).

なお、各ミキサの口径、配設位置等は、必要に応じて適宜変更され、例えば、3本のミキサの口径を互いに異ならしめたり、又は、ミキサを液体槽の外側に配設し、該ミキサの吐出口を、連結管を介して液体槽の処理液中に連通させたりしても良い。   Note that the diameters, arrangement positions, and the like of each mixer are changed as necessary. For example, the diameters of the three mixers are made different from each other, or the mixers are arranged outside the liquid tank. The discharge port may be communicated with the processing liquid in the liquid tank via a connecting pipe.

各ミキサ13,14,15の構造は、従来例と同一である。即ち、円筒ケーシンク゛(図示省略)と、一対の二つ割り楕円盤(図示省略)と、下流側に配置された突起群(図示省略)と、から構成され、二つ割り楕円盤の弦側側縁を交差させ、一対の二つ割り楕円盤の円弧側側縁を円筒ケーシンク゛の内壁に接するように構成されている。   The structure of each mixer 13, 14, 15 is the same as that of the conventional example. That is, it is composed of a cylindrical case (not shown), a pair of split ellipsoids (not shown), and a group of protrusions (not shown) arranged on the downstream side. The arc-side edges of the pair of split ellipsoids are configured to contact the inner wall of the cylindrical casing.

このミキサ13〜15は、第1循環ポンプP1が起動し、該ミキサ13〜15内に液体槽11a内の処理液Wが送られると、前記二つ割り楕円盤の作用により、処理液Wが螺旋流を起こし、チャンバ2〜5からの有害カ゛スと混合されるとともに、前記ガスは突起群の作用で微細に砕かれ、処理液Wと混合するように構成されている。   In the mixers 13 to 15, when the first circulation pump P1 is activated and the processing liquid W in the liquid tank 11a is sent into the mixers 13 to 15, the processing liquid W is spirally flowed by the action of the split elliptical disk. The gas is mixed with harmful gas from the chambers 2 to 5, and the gas is finely crushed by the action of the projection group and mixed with the processing liquid W.

液体槽11aの底部は、循環路17を介して前記ミキサ13〜15の流入口13b、14b、15bに連通している。該循環路17には、第1循環ポンプP1が設けられ、該ポンプP1の下流側の循環路は、3本の循環枝路19、20、21に分岐され、各循環枝路19〜21は順次ミキサ13〜15の流入口13b、14b、15bに連結されている。   The bottom of the liquid tank 11a communicates with the inlets 13b, 14b, and 15b of the mixers 13 to 15 via the circulation path 17. The circulation path 17 is provided with a first circulation pump P1, and the circulation path on the downstream side of the pump P1 is branched into three circulation branches 19, 20, and 21, each circulation branch 19 to 21 is Sequentially connected to the inlets 13b, 14b, 15b of the mixers 13-15.

前記ポンプP1は、3本のミキサ13〜15の吐出量が、従来の1本のミキサのそれと略等しいので、従来のポンプをそのまま使用することができる。前記ポンプP1は、インバーター(図示省略)の設定値により回転数が可変出来、流量及び圧力が調整できるように構成されている。   Since the discharge amount of the three mixers 13 to 15 is substantially equal to that of the conventional single mixer, the conventional pump can be used as it is. The pump P1 is configured such that the number of rotations can be changed by a set value of an inverter (not shown) and the flow rate and pressure can be adjusted.

各ミキサ13〜15の流入口13b〜15b側に位置する頭部は、ガス供給管23,24、25を介して順次チャンバ2,3,4に連結されている。各ガス供給管23〜25には、圧力計PMとバルブVとが設けられている。このガス供給管23〜25は、前記バルブVを介してバイパスパイプBに連結されている。   The heads located on the inlets 13 b to 15 b side of the mixers 13 to 15 are sequentially connected to the chambers 2, 3 and 4 via the gas supply pipes 23, 24 and 25. Each gas supply pipe 23 to 25 is provided with a pressure gauge PM and a valve V. The gas supply pipes 23 to 25 are connected to the bypass pipe B through the valve V.

第2流体槽11bには、ミキサ30が設けられ、該ミキサ30の吐出口30aは、処理液W中に位置し、その流入口30bは液体槽11bから突出して配設されている。   The second fluid tank 11b is provided with a mixer 30. The discharge port 30a of the mixer 30 is located in the processing liquid W, and the inlet 30b is provided so as to protrude from the liquid tank 11b.

液体槽11bの底部は、第2循環路32を介して前記ミキサ30の流入口30bに連通している。該循環路32には、第2循環ポンプP2が設けられている。なお、ミキサ30、ポンプP2は、従来のそれと同様である。   The bottom of the liquid tank 11 b communicates with the inlet 30 b of the mixer 30 via the second circulation path 32. The circulation path 32 is provided with a second circulation pump P2. The mixer 30 and the pump P2 are the same as the conventional one.

第1液体槽11aの上部は、二次ガスパイプ33を介してミキサ30の流入口30b側の頭部に連結されている。又、第2液体槽11bの上部には、排気パイプ35が設けられているが、このパイプ35は除害された清浄ガスGを機外に排出する。   The upper part of the first liquid tank 11 a is connected to the head on the inlet 30 b side of the mixer 30 via the secondary gas pipe 33. An exhaust pipe 35 is provided above the second liquid tank 11b. The pipe 35 discharges the decontaminated clean gas G outside the apparatus.

なお、37は仕切り壁12に設けられたオーバーフロー管であり、第2液体槽11bの液量が設定量を超えると、この管37を介して第2液体槽11bの処理液が第1液体槽11aに排出される。   Reference numeral 37 denotes an overflow pipe provided on the partition wall 12. When the amount of liquid in the second liquid tank 11b exceeds a set amount, the processing liquid in the second liquid tank 11b is passed through the pipe 37 to the first liquid tank. It is discharged to 11a.

次に、本実施例の作動について説明する。
通常の運転をする場合:
起動ボタン(図示せず)をオンすると、ポンプP1,P2が起動し、液体槽11a,11b内の処理液Wを循環路17、19〜21、32に回し始め、循環路17,19〜21、32内の流量が略一定となるとともに、ミキサ13〜15、30に処理液Wが圧送される。ミキサ13〜15に処理液Wが流入すると、該ミキサ内に負圧が生じ、その作用でチャンバ2,3、4から有害ガスを吸引する力が発生する。
Next, the operation of this embodiment will be described.
For normal operation:
When a start button (not shown) is turned on, the pumps P1 and P2 are started, and the processing liquid W in the liquid tanks 11a and 11b starts to be turned to the circulation paths 17, 19 to 21, and 32, and the circulation paths 17, 19 to 21 are started. , 32 is substantially constant, and the processing liquid W is pumped to the mixers 13 to 15 and 30. When the processing liquid W flows into the mixers 13 to 15, a negative pressure is generated in the mixer, and a force for sucking harmful gas from the chambers 2, 3, and 4 is generated by the action.

ガス供給管23〜25のバルブVを開くと、チャンバ2、3、4内の有害ガスは、ミキサ13,14、15内に吸引され、処理液Wと混合される。
この時、有害ガスは、前記二つ割り楕円盤の作用により螺旋流となって流れる処理液Wと混合されるが、突起群の作用で微細に砕かれ、例えば、直径0.5〜3.0mmの気泡、となって吐出口13a,14a,15aから第1液体槽11a内に戻され、除害される。
When the valve V of the gas supply pipes 23 to 25 is opened, the harmful gas in the chambers 2, 3, 4 is sucked into the mixers 13, 14, 15 and mixed with the processing liquid W.
At this time, the harmful gas is mixed with the treatment liquid W flowing in a spiral flow by the action of the split elliptical disk, but is finely crushed by the action of the projection group, for example, bubbles having a diameter of 0.5 to 3.0 mm, and It returns to the 1st liquid tank 11a from discharge port 13a, 14a, 15a, and is detoxified.

一方、第1液体槽11aの上部に溜まったガスは、二次ガスパイプ33を介してミキサ30に吸い込まれて処理液Wと混合され、更に除害される。
第2液体槽11bの上部に溜まった清浄ガスGは、排気パイプ35を介して機外に排出される。
On the other hand, the gas accumulated in the upper part of the first liquid tank 11a is sucked into the mixer 30 through the secondary gas pipe 33 and mixed with the processing liquid W to be further detoxified.
The clean gas G collected in the upper part of the second liquid tank 11b is discharged to the outside through the exhaust pipe 35.

ミキサ等のメンテナンスをする場合:
ガス供給管23のバルブVを閉じると、チャンバ2の有害ガスはバイパスパイプBに流れ、ミキサ13には流れなくなる。そのため、ミキサ13の保守、点検修理等を行うことができる。
When maintaining the mixer etc .:
When the valve V of the gas supply pipe 23 is closed, the harmful gas in the chamber 2 flows into the bypass pipe B and does not flow into the mixer 13. Therefore, maintenance, inspection and repair of the mixer 13 can be performed.

この時、各ミキサ13、14,15は、互いに独立しているので、他のミキサ14,15の運転を継続することがいできるので、ダウンタイムを減少させることができる。
なお、ミキサ13の運転を停止した場合には、ガス供給管24,25の圧力計PMを見ながらポンプP1の回転数の制御を行い、ミキサ14,15に設定量のガスを吸引できるようにする。
At this time, since the mixers 13, 14, and 15 are independent of each other, the operation of the other mixers 14 and 15 can be continued, so that the downtime can be reduced.
When the operation of the mixer 13 is stopped, the rotational speed of the pump P1 is controlled while looking at the pressure gauge PM of the gas supply pipes 24 and 25 so that a set amount of gas can be sucked into the mixers 14 and 15. To do.

この発明の実施例は、上記に限定されるものではなく、例えば、次のようにしても良い。
(1)有害ガスの発生源として、半導体製造装置、液晶製造装置、下水処理設備、等がある。
(2)有害ガスの発生源は、1台の製造処理装置に複数設ける他、1台の製造処理装置に1つ設け、複数台を用いることによって複数の有害ガスの発生源を形成するようにしてもよい。
The embodiment of the present invention is not limited to the above, and may be as follows, for example.
(1) Sources of harmful gases include semiconductor manufacturing equipment, liquid crystal manufacturing equipment, sewage treatment equipment, and the like.
(2) In addition to providing a plurality of toxic gas generation sources in one manufacturing processing apparatus, a single toxic gas generation source is provided in one manufacturing processing apparatus, and a plurality of toxic gas generation sources are formed by using the plurality. May be.

本発明の実施例を示す図である。It is a figure which shows the Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 エッチング装置
2 チャンバ
3 チャンバ
4 チャンバ
11a 第1液体槽
11b 第2液体槽
13 ミキサ
14 ミキサ
15 ミキサ
17 循環路
19 循環枝路
20 循環枝路
21 循環枝路
23 ガス供給管
24 ガス供給管
25 ガス供給管
P1 第1循環ポンプ
S ガス無害化処理システム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Etching apparatus 2 Chamber 3 Chamber 4 Chamber 11a 1st liquid tank 11b 2nd liquid tank 13 Mixer 14 Mixer 15 Mixer 17 Circulation path 19 Circulation branch 20 Circulation branch 21 Circulation branch 23 Gas supply pipe 24 Gas supply pipe 25 Gas Supply pipe P1 First circulation pump S Gas detoxification treatment system

Claims (5)

互いに独立して設けられた複数の有害ガスの発生源と,前記有害ガスの発生源の有害ガスと処理液とを気液混合攪拌して液体槽内の処理液中に放出するミキサと、該液体槽内の処理液を前記ミキサの流入口に送出する循環ポンプとを有する除害装置と,からなるガス無害化処理システムであって;
前記ミキサは、各有害ガスの発生源に対応してそれぞれ設けられ、
前記循環ポンプは、各ミキサに対し、それぞれ処理液を送出する共用ポンプであることを特徴とするガス無害化処理システム
A plurality of harmful gas generation sources provided independently of each other; a mixer that mixes and stirs the harmful gas and the processing liquid of the harmful gas generation source into the processing liquid in the liquid tank; A detoxification system comprising: a detoxification device having a circulation pump for delivering a treatment liquid in a liquid tank to an inlet of the mixer;
The mixer is provided for each source of harmful gas,
The circulation pump is a common pump for delivering a processing liquid to each mixer, respectively, and is a gas detoxification processing system
複数の有害ガスの発生源が、一台の半導体製造装置に設けられている複数のチャンバから構成されていることを特徴とする請求項1記載のガス無害化処理システム   2. The gas detoxification processing system according to claim 1, wherein the plurality of noxious gas generation sources are composed of a plurality of chambers provided in one semiconductor manufacturing apparatus. 複数の有害ガスの発生源が、複数台の有害ガスを発生する処理装置からなることを特徴とする請求項1記載のガス無害化処理システム   2. The gas detoxification processing system according to claim 1, wherein the plurality of noxious gas generation sources comprise a plurality of processing devices for generating noxious gases. 各ミキサの直径は、同一、又は、異なることを特徴とする請求項1、2、又は、3記載のガス無害化処理システム   The gas detoxification treatment system according to claim 1, 2, or 3, wherein the diameter of each mixer is the same or different. 各有害ガスの発生源の有害ガスは、互いに異なる種類であることを特徴とする請求項3記載のガス無害化処理システム   4. The gas detoxification treatment system according to claim 3, wherein the toxic gases of the toxic gas generation sources are of different types.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11168067A (en) * 1997-12-02 1999-06-22 Kanken Techno Kk Equipment for eliminating damage and damage elimination method of semiconductor manufacturing off-gas
JP2001176854A (en) * 1999-12-16 2001-06-29 Sumitomo Seika Chem Co Ltd System for processing exhaust gas of dry etching

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