JP2002289759A - リードフレーム及び光通信モジュール並びにその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及び光通信モジュール並びにその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より前工程でスクリーニングを実施可能と
し、大幅なコスト低減が可能なリードフレーム構造、そ
れを用いた光通信モジュールまたは光通信モジュールの
製造方法を提供する。 【解決手段】 以下の工程順に組立を行うことを特徴と
する光通信モジュールの製造方法。 ａ：各リード13が絶縁性のタイバー14で保持されている
リードフレーム上に光通信機能部を配置する工程。 ｂ：光通信機能部のスクリーニングを行う工程。 ｃ：スクリーニング工程によって選別された良品をパッ
ケージングする工程。 各リードが絶縁されたリードフレームを用い、パッケー
ジングする前にスクリーニングを行うことで、従来コス
ト増大の原因となっていた廃棄に伴う無駄をなくす。
し、大幅なコスト低減が可能なリードフレーム構造、そ
れを用いた光通信モジュールまたは光通信モジュールの
製造方法を提供する。 【解決手段】 以下の工程順に組立を行うことを特徴と
する光通信モジュールの製造方法。 ａ：各リード13が絶縁性のタイバー14で保持されている
リードフレーム上に光通信機能部を配置する工程。 ｂ：光通信機能部のスクリーニングを行う工程。 ｃ：スクリーニング工程によって選別された良品をパッ
ケージングする工程。 各リードが絶縁されたリードフレームを用い、パッケー
ジングする前にスクリーニングを行うことで、従来コス
ト増大の原因となっていた廃棄に伴う無駄をなくす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム
と、それを用いた半導体集積回路、光通信モジュール並
びにその製造方法に関するものである。
と、それを用いた半導体集積回路、光通信モジュール並
びにその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は現在用いられている半導体レーザ
送信器の断面構造を示す切欠斜視図である。パッケージ
の中には、半導体レーザ70（LD）とその光強度を検知す
るモニタフォトダイオード71（M-PD）が配置されてい
る。LD70から出力される光信号はレンズ72を介して光フ
ァイバ73に入射される。このような光通信モジュール
は、構造上から同軸型と呼ばれている。しかし、同軸型
の光通信モジュールの構造は立体的であり、小型化や製
造工程の短縮に眼界がある。この問題を解決するため
に、基板の上にLDやM-PD、あるいはフォトダイオード
（PD）や前置増幅器（PRE-AMP）を平面的に実装する表
面実装技術が開発されつつある。このような表面実装技
術を用いた光通信モジュールの製造過程を図８〜10に基
づいて説明する。図８は従来のリードフレームの平面
図、図９は光通信モジュールの製造工程のフローチャー
ト、図10は同製造方法の説明図である。
送信器の断面構造を示す切欠斜視図である。パッケージ
の中には、半導体レーザ70（LD）とその光強度を検知す
るモニタフォトダイオード71（M-PD）が配置されてい
る。LD70から出力される光信号はレンズ72を介して光フ
ァイバ73に入射される。このような光通信モジュール
は、構造上から同軸型と呼ばれている。しかし、同軸型
の光通信モジュールの構造は立体的であり、小型化や製
造工程の短縮に眼界がある。この問題を解決するため
に、基板の上にLDやM-PD、あるいはフォトダイオード
（PD）や前置増幅器（PRE-AMP）を平面的に実装する表
面実装技術が開発されつつある。このような表面実装技
術を用いた光通信モジュールの製造過程を図８〜10に基
づいて説明する。図８は従来のリードフレームの平面
図、図９は光通信モジュールの製造工程のフローチャー
ト、図10は同製造方法の説明図である。
【０００３】ここで用いられるリードフレーム80は厚さ
200μmの銅板上にNiメッキおよびAuメッキを順次施した
ものである。このリードフレーム80は、図８に示すよう
に、枠状のフレーム81を具え、その内部にリード83を介
してダイパッド82が連結され、さらに各リード83はタイ
バー84により連結されている。
200μmの銅板上にNiメッキおよびAuメッキを順次施した
ものである。このリードフレーム80は、図８に示すよう
に、枠状のフレーム81を具え、その内部にリード83を介
してダイパッド82が連結され、さらに各リード83はタイ
バー84により連結されている。
【０００４】このようなリードフレーム80を用いた光通
信モジュールの製造は図9、10に示す工程で行われる。
信モジュールの製造は図9、10に示す工程で行われる。
【０００５】まず、光ファイバ30を固定するV溝とLD21
やM-PD22を半田付けする電極パターンなどを形成したSi
プラットフォーム20を作製する。
やM-PD22を半田付けする電極パターンなどを形成したSi
プラットフォーム20を作製する。
【０００６】このSiプラットフォーム20にLD21やM-PD22
を半田付けし、次に光ファイバ30を樹脂固定する。その
際、光ファイバ30は、ガラス板40とSiプラットフォーム
20との間に挟み込まれる。この状態の中間製品をサブモ
ジュールと呼ぶ。
を半田付けし、次に光ファイバ30を樹脂固定する。その
際、光ファイバ30は、ガラス板40とSiプラットフォーム
20との間に挟み込まれる。この状態の中間製品をサブモ
ジュールと呼ぶ。
【０００７】このサブモジュールを前記リードフレーム
80のダイパッド上に固定した後、ワイヤボンディング
し、トランスファーモールド技術により樹脂50で封止す
る。
80のダイパッド上に固定した後、ワイヤボンディング
し、トランスファーモールド技術により樹脂50で封止す
る。
【０００８】次に、リードフレームのタイバー84やフレ
ーム81をカットして、各リードを83電気的に切り離し、
パッケージから露出するリード83を所定の角度に屈曲成
形する。
ーム81をカットして、各リードを83電気的に切り離し、
パッケージから露出するリード83を所定の角度に屈曲成
形する。
【０００９】このような状態まで完成してから、初めて
LDやM-PDに電気を流すことができるようになり、高温環
境下でLDに電流を流したり、M-PDに逆バイアスを印加し
たりして、いわゆるスクリーニングを行う。LDでは、特
にストレスに敏感な閾値電流の変動率で良否判定し、M-
PDでは、漏れ電流の変化率で良否判定することが多い。
そして、スクリーニングの後、製品の最終検査を行う。
LDやM-PDに電気を流すことができるようになり、高温環
境下でLDに電流を流したり、M-PDに逆バイアスを印加し
たりして、いわゆるスクリーニングを行う。LDでは、特
にストレスに敏感な閾値電流の変動率で良否判定し、M-
PDでは、漏れ電流の変化率で良否判定することが多い。
そして、スクリーニングの後、製品の最終検査を行う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の工程で
は、製品が完成してからスクリーニングを行うため、LD
やM-PDの不良が発見されると、光ファイバやガラス板、
モールド樹脂、及びモールド工程を含むこの間の加工費
が全て無駄になる。製品の歩留まりは、LDの歩留まりと
M-PDの歩留まりの積でが決まり、コストアップになる。
特に、フェルール付き光ファイバは高価なため、樹脂モ
ールドの後のスクリーニングで不良が発見された場合、
光ファイバまで廃棄せざるを得ず、コスト低減の障害と
なっていた。
は、製品が完成してからスクリーニングを行うため、LD
やM-PDの不良が発見されると、光ファイバやガラス板、
モールド樹脂、及びモールド工程を含むこの間の加工費
が全て無駄になる。製品の歩留まりは、LDの歩留まりと
M-PDの歩留まりの積でが決まり、コストアップになる。
特に、フェルール付き光ファイバは高価なため、樹脂モ
ールドの後のスクリーニングで不良が発見された場合、
光ファイバまで廃棄せざるを得ず、コスト低減の障害と
なっていた。
【００１１】従って、本発明の主目的は、より前工程で
スクリーニングを実施可能とし、大幅なコスト低減が可
能なリードフレーム構造、それを用いた光通信モジュー
ルまたは光通信モジュールの製造方法を提供することに
ある。
スクリーニングを実施可能とし、大幅なコスト低減が可
能なリードフレーム構造、それを用いた光通信モジュー
ルまたは光通信モジュールの製造方法を提供することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ムにおける各リードを絶縁することで上記の目的を達成
する。
ムにおける各リードを絶縁することで上記の目的を達成
する。
【００１３】すなわち、本発明リードフレームは、複数
のリードと、ダイパッドと、リード同士を連結するタイ
バーとを具えるリードフレームであって、前記タイバー
は絶縁材料で構成され、各リードを電気的に絶縁して保
持することを特徴とする。
のリードと、ダイパッドと、リード同士を連結するタイ
バーとを具えるリードフレームであって、前記タイバー
は絶縁材料で構成され、各リードを電気的に絶縁して保
持することを特徴とする。
【００１４】従来のように、タイバーが各リードと同じ
金属材料で構成され、各リードが電気的に導通されてい
れば、樹脂モールドの前にLDやM-PDに個別に電流を流し
てスクリーニングすることができない。そこで、本発明
ではタイバーを絶縁材料で構成し、各リードを電気的に
絶縁することにより、パッケージングする前段階でもス
クリーニングできるように構成した。そのため、従来コ
スト増大の原因となっていた廃棄に伴う無駄をなくする
ことができ、製品のコスト低減を図ることができる。
金属材料で構成され、各リードが電気的に導通されてい
れば、樹脂モールドの前にLDやM-PDに個別に電流を流し
てスクリーニングすることができない。そこで、本発明
ではタイバーを絶縁材料で構成し、各リードを電気的に
絶縁することにより、パッケージングする前段階でもス
クリーニングできるように構成した。そのため、従来コ
スト増大の原因となっていた廃棄に伴う無駄をなくする
ことができ、製品のコスト低減を図ることができる。
【００１５】タイバーの材料は絶縁性で製造性に優れる
ものであれば特に限定されない。短時間で樹脂の硬化が
可能で製造性に優れる熱可塑性樹脂が好ましい。特に、
液晶ポリマでタイバーを構成することが好ましい。通
常、後工程でタイバーを除去するが、液晶ポリマは金属
とのなじみが適度で容易に除去を行うことができる。
ものであれば特に限定されない。短時間で樹脂の硬化が
可能で製造性に優れる熱可塑性樹脂が好ましい。特に、
液晶ポリマでタイバーを構成することが好ましい。通
常、後工程でタイバーを除去するが、液晶ポリマは金属
とのなじみが適度で容易に除去を行うことができる。
【００１６】このようなリードフレームは、LSIなどの
半導体集積回路や光通信モジュールに利用することがで
きる。半導体集積回路では、リードフレームにおけるダ
イパッド上に半導体チップを配置し、光通信モジュール
では、ダイパッド上に光通信機能部を配置する。
半導体集積回路や光通信モジュールに利用することがで
きる。半導体集積回路では、リードフレームにおけるダ
イパッド上に半導体チップを配置し、光通信モジュール
では、ダイパッド上に光通信機能部を配置する。
【００１７】光通信機能部は、光伝送媒体と、受光素子
および発光素子の少なくとも一方とを具えるものが好適
である。光伝送媒体には、光ファイバや光導波路が挙げ
られる。光通信機能部としては、光通信に用いる送信器
または受信器あるいはこれらを複合した送受信器が挙げ
られる。例えば、LDとM-PDを内蔵した光送信器や、PDや
PRE-AMPを内蔵した光受信器を一つの基板上に表面実装
技術を用いて構成する。
および発光素子の少なくとも一方とを具えるものが好適
である。光伝送媒体には、光ファイバや光導波路が挙げ
られる。光通信機能部としては、光通信に用いる送信器
または受信器あるいはこれらを複合した送受信器が挙げ
られる。例えば、LDとM-PDを内蔵した光送信器や、PDや
PRE-AMPを内蔵した光受信器を一つの基板上に表面実装
技術を用いて構成する。
【００１８】この表面実装を行うに当たり、光通信機能
部は、Si基板またはセラミック基板上に構成されること
が好ましい。SiはエッチングによりV溝などの形成が容
易に可能であり、アルミナなどのセラミックは絶縁性で
かつ高硬度のため、高精度の加工が行いやすいためであ
る。
部は、Si基板またはセラミック基板上に構成されること
が好ましい。SiはエッチングによりV溝などの形成が容
易に可能であり、アルミナなどのセラミックは絶縁性で
かつ高硬度のため、高精度の加工が行いやすいためであ
る。
【００１９】光通信機能部は、プラスチックパッケージ
に収納されたり、トランスファーモールドにより収納さ
れる。プラスチックパッケージへの収納は、予め成形し
たパッケージに光通信機能部をはめ込むことで行う。ト
ランスファーモールドによる収納は、光通信機能部をモ
ールドにより樹脂封止することで行われる。トランスフ
ァーモールドした光通信機能部をさらにプラスチックパ
ッケージに収納する場合もある。
に収納されたり、トランスファーモールドにより収納さ
れる。プラスチックパッケージへの収納は、予め成形し
たパッケージに光通信機能部をはめ込むことで行う。ト
ランスファーモールドによる収納は、光通信機能部をモ
ールドにより樹脂封止することで行われる。トランスフ
ァーモールドした光通信機能部をさらにプラスチックパ
ッケージに収納する場合もある。
【００２０】また、本発明光通信モジュールの製造方法
は、以下の工程順に組立を行うことを特徴とする。 ａ：各リードが絶縁性のタイバーで保持されているリー
ドフレーム上に光通信機能部を配置する工程。 ｂ：光通信機能部のスクリーニングを行う工程。 ｃ：スクリーニング工程によって選別された良品をパッ
ケージングする工程。
は、以下の工程順に組立を行うことを特徴とする。 ａ：各リードが絶縁性のタイバーで保持されているリー
ドフレーム上に光通信機能部を配置する工程。 ｂ：光通信機能部のスクリーニングを行う工程。 ｃ：スクリーニング工程によって選別された良品をパッ
ケージングする工程。
【００２１】つまり、リードが絶縁されたリードフレー
ムに直接、もしくはプラットフォーム等を介して間接的
に電子デバイスや光デバイスを実装し、パッケージに実
装する前に、あるいはモールドする前に、検査・スクリ
ーニングを行うことを特徴とする。
ムに直接、もしくはプラットフォーム等を介して間接的
に電子デバイスや光デバイスを実装し、パッケージに実
装する前に、あるいはモールドする前に、検査・スクリ
ーニングを行うことを特徴とする。
【００２２】このように、パッケージングを行う前にス
クリーニングを行うことで、従来コスト増大の原因とな
っていた廃棄に伴う無駄をなくすることができ、製品の
コスト低減を図ることができる。
クリーニングを行うことで、従来コスト増大の原因とな
っていた廃棄に伴う無駄をなくすることができ、製品の
コスト低減を図ることができる。
【００２３】特に、光通信機能部の構成要素のうち、フ
ェルールを装着した光伝送媒体が高価なため、光通信機
能部を配置する工程において、光伝送媒体は配置せず、
スクリーニング工程の後に光伝送媒体の配置を行うこと
が望ましい。従来、パッケージングを行ってからスクリ
ーニングを行っていたため、スクリーニングで不良が発
見されても光ファイバなどの光伝送媒体もまとめて廃棄
せざるを得ない。しかし、光伝送媒体を実装する前にス
クリーニングを行えば、光伝送媒体やパッケージ材料の
無駄をなくし、製品の歩留りを改善してコストダウンを
実現することができる。
ェルールを装着した光伝送媒体が高価なため、光通信機
能部を配置する工程において、光伝送媒体は配置せず、
スクリーニング工程の後に光伝送媒体の配置を行うこと
が望ましい。従来、パッケージングを行ってからスクリ
ーニングを行っていたため、スクリーニングで不良が発
見されても光ファイバなどの光伝送媒体もまとめて廃棄
せざるを得ない。しかし、光伝送媒体を実装する前にス
クリーニングを行えば、光伝送媒体やパッケージ材料の
無駄をなくし、製品の歩留りを改善してコストダウンを
実現することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。 （実施例1）まず、本発明リードフレームを図1に基づい
て説明する。このリードフレーム10は、一対の直線状フ
レーム11と、その間に設けられたダイパッド12、リード
13およびタイバー14からなる。
する。 （実施例1）まず、本発明リードフレームを図1に基づい
て説明する。このリードフレーム10は、一対の直線状フ
レーム11と、その間に設けられたダイパッド12、リード
13およびタイバー14からなる。
【００２５】各リード13はタイバー14で連結された細長
い板状体で、ダイパッド12は一対のリード13と連結され
ているほぼ矩形の板状体である。ここで、フレーム11、
ダイパッド12およびリード13は従来と同様に金属で構成
するが、タイバー14は絶縁材料で構成する。本例では液
晶ポリマでタイバー14を構成した。また、従来のように
枠状のフレームではなく、平行に配置された直線状のフ
レーム11であり、各リード13はタイバー14を介してのみ
フレーム11に連結されているため、電気的な絶縁が確保
されていることになる。
い板状体で、ダイパッド12は一対のリード13と連結され
ているほぼ矩形の板状体である。ここで、フレーム11、
ダイパッド12およびリード13は従来と同様に金属で構成
するが、タイバー14は絶縁材料で構成する。本例では液
晶ポリマでタイバー14を構成した。また、従来のように
枠状のフレームではなく、平行に配置された直線状のフ
レーム11であり、各リード13はタイバー14を介してのみ
フレーム11に連結されているため、電気的な絶縁が確保
されていることになる。
【００２６】このようなリードフレームは、以下のよう
にして作製する。まず、図２に示す通常のリードフレー
ムを作製する。このリードフレームはフレーム11、ダイ
パッド12、リード13および金属タイバー15の全てが金属
で一体に構成されたリードフレームである。次に、図３
に示すように、ダイパッド12と金属タイバー13との間に
金型成形で絶縁性のタイバー14を形成してリード13を連
結する。最後に金属タイバー15とフレーム11の両サイド
を切除することで図1に示す絶縁タイバー付きリードフ
レーム10を得ることができる。
にして作製する。まず、図２に示す通常のリードフレー
ムを作製する。このリードフレームはフレーム11、ダイ
パッド12、リード13および金属タイバー15の全てが金属
で一体に構成されたリードフレームである。次に、図３
に示すように、ダイパッド12と金属タイバー13との間に
金型成形で絶縁性のタイバー14を形成してリード13を連
結する。最後に金属タイバー15とフレーム11の両サイド
を切除することで図1に示す絶縁タイバー付きリードフ
レーム10を得ることができる。
【００２７】このようなリードフレーム10を用いた光通
信モジュールの製造工程を図4、5に基づいて説明する。
図4は光通信モジュールの製造工程のフローチャート、
図5は同製造方法の説明図である。
信モジュールの製造工程を図4、5に基づいて説明する。
図4は光通信モジュールの製造工程のフローチャート、
図5は同製造方法の説明図である。
【００２８】 光ファイバ固定用V溝、LDやM-PD用のA
u-Crメタライズパターンとを形成したSiプラットフォー
ム20（例えばSiの(100)基板。サイズは、3mmL×1.5mmW
×1.2mmt）を用意する。このSiプラットフォーム20上
に、InGaAsPを発光層とするLDチップ21（300μm×300μ
m×120μmt）とInGaAsを受光層とするM-PDチップ22（45
0μm×450μm×200μmt）を、AuSnやSnPbなとで半田付
けする。ワイヤボンダでLD21とM-PD22の上面側の電極と
Siプラットフォーム20の配線パターンとの間をAu線23
（直径20〜30μm程度）で結ぶ。この段階で、高価な光
ファイバはまだ装着しない。
u-Crメタライズパターンとを形成したSiプラットフォー
ム20（例えばSiの(100)基板。サイズは、3mmL×1.5mmW
×1.2mmt）を用意する。このSiプラットフォーム20上
に、InGaAsPを発光層とするLDチップ21（300μm×300μ
m×120μmt）とInGaAsを受光層とするM-PDチップ22（45
0μm×450μm×200μmt）を、AuSnやSnPbなとで半田付
けする。ワイヤボンダでLD21とM-PD22の上面側の電極と
Siプラットフォーム20の配線パターンとの間をAu線23
（直径20〜30μm程度）で結ぶ。この段階で、高価な光
ファイバはまだ装着しない。
【００２９】 次に、図１に示したリードフレーム10
のダイパッド上に上記のSiプラットフォーム20を実装す
る。すなわち、Siプラットフォーム20の配線パターンと
リード13との間はAu線24で結ばれる。
のダイパッド上に上記のSiプラットフォーム20を実装す
る。すなわち、Siプラットフォーム20の配線パターンと
リード13との間はAu線24で結ばれる。
【００３０】 ここで、スクリーニングを行う。ま
ず、前もって特性検査を行い、パワーが不足するものや
発光しないLD、暗電流がもともと高いM-PDはスクリーニ
ング前に除外する。良好と判定されたものを、例えば85
℃の高温槽中で、LDには100mAから200mA（品種によって
異なる）の順方向電流を流し、M-PDには−15Vから−30V
（これも品種によって異なる）の逆方向電圧を印加し
て、スクリーニングを行う。通電時間は、品種によって
異なり、数時間から数十時間である。高温槽から取り出
し後に、再度特性を検査し、LDについては大口径のパワ
ーメータで発光出力と駆動電流との関係を測定し、特に
閾値電流の変化を詳しく調べる。M-PDでは最もストレス
に敏感な暗電流の変化を高感度電流計で測定する。少な
くともLD、M-PDどちらかの特性変動の大きいものは不良
として、この段階で除去する。
ず、前もって特性検査を行い、パワーが不足するものや
発光しないLD、暗電流がもともと高いM-PDはスクリーニ
ング前に除外する。良好と判定されたものを、例えば85
℃の高温槽中で、LDには100mAから200mA（品種によって
異なる）の順方向電流を流し、M-PDには−15Vから−30V
（これも品種によって異なる）の逆方向電圧を印加し
て、スクリーニングを行う。通電時間は、品種によって
異なり、数時間から数十時間である。高温槽から取り出
し後に、再度特性を検査し、LDについては大口径のパワ
ーメータで発光出力と駆動電流との関係を測定し、特に
閾値電流の変化を詳しく調べる。M-PDでは最もストレス
に敏感な暗電流の変化を高感度電流計で測定する。少な
くともLD、M-PDどちらかの特性変動の大きいものは不良
として、この段階で除去する。
【００３１】従来のリードフレームは、図8に示すよう
にリード83が金属でできたタイバー84によって位置決め
されており、一個一個のリードが電気的に絶縁されてい
ないので、LDやM-PDに個別に電流を流すことができな
い。これに対して、本発明リードフレーム10は、タイバ
ー14が絶縁材料で構成され、各リード13が電気的に絶縁
されているため、LDやM-PDに個別に電流を流してスクリ
ーニングを行うことができる。
にリード83が金属でできたタイバー84によって位置決め
されており、一個一個のリードが電気的に絶縁されてい
ないので、LDやM-PDに個別に電流を流すことができな
い。これに対して、本発明リードフレーム10は、タイバ
ー14が絶縁材料で構成され、各リード13が電気的に絶縁
されているため、LDやM-PDに個別に電流を流してスクリ
ーニングを行うことができる。
【００３２】 スクリーニングで良好品と判断された
ものにのみ光ファイバ30を固定する。光ファイバの固定
は、SiプラットフォームのV溝に光ファイバ30を配置
し、ガラス板40を上から被せることで行う。
ものにのみ光ファイバ30を固定する。光ファイバの固定
は、SiプラットフォームのV溝に光ファイバ30を配置
し、ガラス板40を上から被せることで行う。
【００３３】 光ファイバ30の装着を終えたものをト
ランスファーモールドで樹脂50により封止する。その
後、絶縁タイバー14をカットし、リード13のフォーミン
グを行って製品とする。
ランスファーモールドで樹脂50により封止する。その
後、絶縁タイバー14をカットし、リード13のフォーミン
グを行って製品とする。
【００３４】 最後に、製品の出荷検査（最終検査）
を行う。ここでは、製品を光ファイバと結合して最終的
な光出力を検査する。
を行う。ここでは、製品を光ファイバと結合して最終的
な光出力を検査する。
【００３５】このようにパッケージング前にスクリーニ
ングを行うことで、前もって不良品を除去することがで
きる。特に、従来、パッケージングを行ってからスクリ
ーニングをして不良を見つけた場合、光ファイバ等の材
料費やモールドの加工費等が無駄に消費されていたが、
本発明ではこれら費用を節約することができ、大幅なコ
ストダウンができる。
ングを行うことで、前もって不良品を除去することがで
きる。特に、従来、パッケージングを行ってからスクリ
ーニングをして不良を見つけた場合、光ファイバ等の材
料費やモールドの加工費等が無駄に消費されていたが、
本発明ではこれら費用を節約することができ、大幅なコ
ストダウンができる。
【００３６】（実施例2）さらに、実施例1とは若干異な
る構成の本発明光送信モジュールについて図6に基づい
て説明する。
る構成の本発明光送信モジュールについて図6に基づい
て説明する。
【００３７】この場合は、LD21のみをSiプラットフォー
ム20に実装した後、このSiプラットフォーム20と光ファ
イバ30とを固定する基板60を液晶ポリマで作り、Siプラ
ットフォーム20を小さくして、コスト低減を図ってい
る。
ム20に実装した後、このSiプラットフォーム20と光ファ
イバ30とを固定する基板60を液晶ポリマで作り、Siプラ
ットフォーム20を小さくして、コスト低減を図ってい
る。
【００３８】本例でも、LD21を実装したSiプラットフォ
ーム20を基板60に実装し、光ファイバ30を取り付ける前
に、スクリーニングを行う。その後、基板に光ファイバ
30を樹脂固定し、さらにトランスファーモールドを行っ
て樹脂封止する。
ーム20を基板60に実装し、光ファイバ30を取り付ける前
に、スクリーニングを行う。その後、基板に光ファイバ
30を樹脂固定し、さらにトランスファーモールドを行っ
て樹脂封止する。
【００３９】この場合でも、パッケージングの前にスク
リーニングを行うことで、実施例1と同様に前もって不
良品を除去することができ、コスト低減を図ることがで
きる。
リーニングを行うことで、実施例1と同様に前もって不
良品を除去することができ、コスト低減を図ることがで
きる。
【００４０】以上の実施例1,2は、光送信モジュールに
ついて説明したが、光受信モジュールでも、あるいはこ
れらを組み合わせた送受信モジュールでも同様の効果が
期待できる。また、プラットフォームはSiのみならず、
Al2O3のようなセラミック材料でもよい。
ついて説明したが、光受信モジュールでも、あるいはこ
れらを組み合わせた送受信モジュールでも同様の効果が
期待できる。また、プラットフォームはSiのみならず、
Al2O3のようなセラミック材料でもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明リードフレ
ームはタイバーを絶縁材料で構成して各リードを電気的
に絶縁することで、パッケージングの前にスクリーニン
グすることができる。それにより、従来よりも前段階で
不良品を選別することができ、不良により生じていた無
駄な材料費や加工費を節約してコストダウンを図ること
ができる。
ームはタイバーを絶縁材料で構成して各リードを電気的
に絶縁することで、パッケージングの前にスクリーニン
グすることができる。それにより、従来よりも前段階で
不良品を選別することができ、不良により生じていた無
駄な材料費や加工費を節約してコストダウンを図ること
ができる。
【００４２】また、本発明半導体集積回路および光通信
モジュールは、本発明リードフレームの有効利用を図る
ことに最適である。
モジュールは、本発明リードフレームの有効利用を図る
ことに最適である。
【００４３】さらに、本発明光通信モジュールの製造方
法は、パッケージングの前にスクリーニングすること
で、従来よりも前段階で不良品を選別し、無駄な材料費
や加工費を節約してコストダウンを図ることができる。
法は、パッケージングの前にスクリーニングすること
で、従来よりも前段階で不良品を選別し、無駄な材料費
や加工費を節約してコストダウンを図ることができる。
【図１】本発明リードフレームの平面図である。
【図２】図１のリードフレームを作製する前段階の金属
リードフレームの平面図である。
リードフレームの平面図である。
【図３】図２のリードフレームに絶縁タイバーを形成し
た状態を示すリードフレームの平面図である。
た状態を示すリードフレームの平面図である。
【図４】本発明光通信モジュールの製造方法のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図５】本発明光通信モジュールの製造方法の説明図で
ある。
ある。
【図６】光ファイバを設置する基板を液晶ポリマとした
本発明光通信モジュールの概略斜視図である。
本発明光通信モジュールの概略斜視図である。
【図７】従来の光通信モジュールの切欠斜視図である。
【図８】従来のリードフレームの平面図である。
【図９】従来の光通信モジュールの製造方法のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図１０】従来の光通信モジュールの製造方法の説明図
である。
である。
10 リードフレーム 11 フレーム 12 ダイパッド 13 リード 14 タイバー 15 金属タイバー 20 プラットフォーム 21 LD 22 M-PD 23 Au線 24 Au線 30 光ファイバ 40 ガラス板 50 樹脂 60 基板 70 半導体レーザ 71 モニタフォトダイオード 72 レンズ 73 光ファイバ 80 リードフレーム 81 フレーム 82 ダイパッド 83 リード 84 タイバー
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 BA02 BA11 DA03 DA04 DA06 DA12 DA17 DA36 5F067 DE16 5F073 AB28 BA02 CA12 FA13 FA22 FA27 FA30 HA05 HA07 5F089 AA01 AC02 CA15 CA20 EA04 EA10 GA10
Claims (13)
- 【請求項１】 複数のリードと、ダイパッドと、リード
同士を連結するタイバーとを具えるリードフレームであ
って、 前記タイバーは絶縁材料で構成され、各リードを電気的
に絶縁して保持することを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 タイバーが熱可塑性樹脂であることを特
徴とする請求項1に記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 タイバーが液晶ポリマであることを特徴
とする請求項２に記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 請求項１に記載のリードフレームにおけ
るダイパッド上に半導体チップが配置されたことを特徴
とする半導体集積回路。 - 【請求項５】 請求項１に記載のリードフレームにおけ
るダイパッド上に光通信機能部が配置されたことを特徴
とする光通信モジュール。 - 【請求項６】 光通信機能部が、光伝送媒体と、受光素
子および発光素子の少なくとも一方とを具えることを特
徴とする請求項５に記載の光通信モジュール。 - 【請求項７】 光伝送媒体が、光ファイバであることを
特徴とする請求項６に記載の光通信モジュール。 - 【請求項８】 光伝送媒体が、光導波路であることを特
徴とする請求項６に記載の光通信モジュール。 - 【請求項９】 光通信機能部が、Si基板またはセラミッ
ク基板上に構成されたことを特徴とする請求項５に記載
の光通信モジュール。 - 【請求項１０】 光通信機能部が、プラスチックパッケ
ージに収納されてなることを特徴とする請求項５に記載
の光通信モジュール。 - 【請求項１１】 光通信機能部が、トランスファーモー
ルドにより収納されてなることを特徴とする請求項５に
記載の光通信モジュール。 - 【請求項１２】 以下の工程順に組立を行うことを特徴
とする光通信モジュールの製造方法。 ａ：各リードが絶縁性のタイバーで保持されているリー
ドフレーム上に光通信機能部を配置する工程。 ｂ：光通信機能部のスクリーニングを行う工程。 ｃ：スクリーニング工程によって選別された良品をパッ
ケージングする工程。 - 【請求項１３】 光通信機能部を配置する工程におい
て、光伝送媒体は配置せず、 スクリーニング工程の後に光伝送媒体の配置を行うこと
を特徴とする請求項12に記載の光通信モジュールの製造
方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2001092330A JP4505849B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 光通信モジュールの製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092330A JP4505849B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 光通信モジュールの製造方法 |
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|---|---|
| JP2002289759A true JP2002289759A (ja) | 2002-10-04 |
| JP4505849B2 JP4505849B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=18946809
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001092330A Expired - Fee Related JP4505849B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 光通信モジュールの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP4505849B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006253719A (ja) * | 2002-02-01 | 2006-09-21 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JP2012177732A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Hirose Electric Co Ltd | 光電気変換コネクタおよび光電気変換コネクタの製造方法 |
| CN103513343A (zh) * | 2012-06-25 | 2014-01-15 | 广濑电机株式会社 | 光电转换连接器和光电转换连接器的制造方法 |
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| JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3881074B2 (ja) | 1996-11-21 | 2007-02-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体レーザモジュール |
| JP2001201669A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光モジュールおよびその製造方法 |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001092330A patent/JP4505849B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-27 US US10/106,124 patent/US6726376B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
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| JP4505849B2 (ja) | 2010-07-21 |
| US6726376B2 (en) | 2004-04-27 |
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