JP2002284733A - アルキルフルオロ安息香酸誘導体の製造方法 - Google Patents
アルキルフルオロ安息香酸誘導体の製造方法Info
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- JP2002284733A JP2002284733A JP2001095577A JP2001095577A JP2002284733A JP 2002284733 A JP2002284733 A JP 2002284733A JP 2001095577 A JP2001095577 A JP 2001095577A JP 2001095577 A JP2001095577 A JP 2001095577A JP 2002284733 A JP2002284733 A JP 2002284733A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルキルフルオロ安息香酸誘導体の容易で安
価な製造方法を提供する。 【解決手段】 脱離基を有するフルオロ安息香酸誘導体
とアセチレン誘導体のカップリングの後、水素存在下、
遷移金属触媒を用いアルキニル基を還元し、必要に応じ
カルボン酸の脱保護を行うことを特徴とするアルキルフ
ルオロ安息香酸誘導体の製造方法。 【効果】 これまでその製造が低収率で、さらに目的物
を得るまでに多工程を要し、また反応剤としてKCNのよ
うな猛毒を用いる必要があったアルキルフルオロ安息香
酸誘導体を、工業的に容易にかつ安価に製造が可能とな
った。このアルキルフルオロ安息香酸誘導体は、液晶表
示材料など電子材料や機能性材料または医農薬や各種添
加剤およびそれらの合成中間体として極めて有用であ
る。
価な製造方法を提供する。 【解決手段】 脱離基を有するフルオロ安息香酸誘導体
とアセチレン誘導体のカップリングの後、水素存在下、
遷移金属触媒を用いアルキニル基を還元し、必要に応じ
カルボン酸の脱保護を行うことを特徴とするアルキルフ
ルオロ安息香酸誘導体の製造方法。 【効果】 これまでその製造が低収率で、さらに目的物
を得るまでに多工程を要し、また反応剤としてKCNのよ
うな猛毒を用いる必要があったアルキルフルオロ安息香
酸誘導体を、工業的に容易にかつ安価に製造が可能とな
った。このアルキルフルオロ安息香酸誘導体は、液晶表
示材料など電子材料や機能性材料または医農薬や各種添
加剤およびそれらの合成中間体として極めて有用であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示材料など
電子材料や機能性材料、又は医農薬や各種添加剤及びそ
れらの合成中間体として有用なアルキルフルオロ安息香
酸誘導体の製造に関する。
電子材料や機能性材料、又は医農薬や各種添加剤及びそ
れらの合成中間体として有用なアルキルフルオロ安息香
酸誘導体の製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】アルキルフルオロ安息香酸誘導体は液晶
表示材料など機能性材料又は医農薬及びそれらの合成中
間体として有用であり、いくつかの合成法が試みられて
いる。例えば、フルオロアニリンを原料とする方法（Mo
l. Cryst. Liq. Cryst., 172,165 (1989) ）を挙げるこ
とが出来る。
表示材料など機能性材料又は医農薬及びそれらの合成中
間体として有用であり、いくつかの合成法が試みられて
いる。例えば、フルオロアニリンを原料とする方法（Mo
l. Cryst. Liq. Cryst., 172,165 (1989) ）を挙げるこ
とが出来る。
【０００３】
【化５】 NBS:ブロモこはく酸 この方法によると総収率は16%と低く、更に目的物を得
るまでに5工程を要し、又反応剤としてKCNのような猛毒
を用いる等問題が多かった。そのため、工業的に容易で
且つ安価な製造方法が望まれていた。
るまでに5工程を要し、又反応剤としてKCNのような猛毒
を用いる等問題が多かった。そのため、工業的に容易で
且つ安価な製造方法が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、アルキルフルオロ安息香酸誘導体の容易で
安価な製造方法を提供することにある。
する課題は、アルキルフルオロ安息香酸誘導体の容易で
安価な製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために鋭意検討した結果、塩素原子、臭素原子、
ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニル基及びトル
エンスルホニル基を有するフルオロ安息香酸誘導体とア
セチレン誘導体のカップリングをキーステップとするこ
とによって、アルキルフルオロ安息香酸誘導体が短時間
で容易に得られることを見出し、本発明を完成するに至
った。
決するために鋭意検討した結果、塩素原子、臭素原子、
ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニル基及びトル
エンスルホニル基を有するフルオロ安息香酸誘導体とア
セチレン誘導体のカップリングをキーステップとするこ
とによって、アルキルフルオロ安息香酸誘導体が短時間
で容易に得られることを見出し、本発明を完成するに至
った。
【０００６】すなわち本発明は、塩素原子、臭素原子、
ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニル基及びトル
エンスルホニル基等の脱離基を有するフルオロ安息香酸
誘導体とアセチレン誘導体のカップリングを行うことを
特徴とするアルキルフルオロ安息香酸誘導体の製造方法
を提供するものであり、一般式(I)
ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニル基及びトル
エンスルホニル基等の脱離基を有するフルオロ安息香酸
誘導体とアセチレン誘導体のカップリングを行うことを
特徴とするアルキルフルオロ安息香酸誘導体の製造方法
を提供するものであり、一般式(I)
【０００７】
【化６】 (式中Xは、OR1及びNR2R3を表し、R1、R2及びR3は、水素
原子、炭素数1〜8のアルキル基、その水素原子が炭素数
1〜6のアルキル基によって置換されていてもよいアリー
ル基、アラルキル基又はトリアルキルシリル基を表し、
Y1、Y2、Y3及びY4の何れか一つは塩素原子、臭素原子も
しくはヨウ素原子等のハロゲン原子又はスルホニルオキ
シ基等の脱離基であり、他は脱離基を含まない置換基を
表す。)で表されるベンゼン誘導体に、銅触媒及び遷移
金属触媒存在下、一般式(II)
原子、炭素数1〜8のアルキル基、その水素原子が炭素数
1〜6のアルキル基によって置換されていてもよいアリー
ル基、アラルキル基又はトリアルキルシリル基を表し、
Y1、Y2、Y3及びY4の何れか一つは塩素原子、臭素原子も
しくはヨウ素原子等のハロゲン原子又はスルホニルオキ
シ基等の脱離基であり、他は脱離基を含まない置換基を
表す。)で表されるベンゼン誘導体に、銅触媒及び遷移
金属触媒存在下、一般式(II)
【０００８】
【化７】 (式中Rは、炭素数1〜8のアルキル基を表し、この基は非
置換であるか、あるいは置換基として少なくとも1個の
ハロゲン原子又は炭素数1〜3のアルキル基を有してお
り、そしてこれらの基中に存在する1個又は2個以上のCH
2基はそれぞれ独立してO原子及びS原子が相互に直接結
合しないものとして -O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-
OCO-O-及び-CH=CH-により置き換えられても良く、光学
活性であってもラセミ体であっても良い。あるいは、カ
ルボキシル基及びそのエステルを表す。)で表されるア
セチレン誘導体を反応させ、脱離基を表すY1〜Y4の何れ
か一つをアセチレン誘導体により置換した後、遷移金属
触媒存在下、水素により炭素-炭素の不飽和結合を還元
し、必要に応じカルボン酸の脱保護を行い、一般式(II
I)
置換であるか、あるいは置換基として少なくとも1個の
ハロゲン原子又は炭素数1〜3のアルキル基を有してお
り、そしてこれらの基中に存在する1個又は2個以上のCH
2基はそれぞれ独立してO原子及びS原子が相互に直接結
合しないものとして -O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-
OCO-O-及び-CH=CH-により置き換えられても良く、光学
活性であってもラセミ体であっても良い。あるいは、カ
ルボキシル基及びそのエステルを表す。)で表されるア
セチレン誘導体を反応させ、脱離基を表すY1〜Y4の何れ
か一つをアセチレン誘導体により置換した後、遷移金属
触媒存在下、水素により炭素-炭素の不飽和結合を還元
し、必要に応じカルボン酸の脱保護を行い、一般式(II
I)
【０００９】
【化８】 (式中Xは、一般式(I)と同じ意味を表し、一般式(I)にお
いてY1〜Y4のうち脱離基であった位置に対応するZ1、
Z2、Z3及びZ4の何れか一つは、一般式(IV)
いてY1〜Y4のうち脱離基であった位置に対応するZ1、
Z2、Z3及びZ4の何れか一つは、一般式(IV)
【００１０】
【化９】 (式中Rは、一般式(II)と同じ意味を表す。)を表し、一
般式(I)において脱離基が存在していた位置以外の3箇所
に対応するZ1、Z2、Z3及びZ4の何れか3つは、脱離基を
持たない置換基を表す。)の安息香酸誘導体を製造する
製造方法である。
般式(I)において脱離基が存在していた位置以外の3箇所
に対応するZ1、Z2、Z3及びZ4の何れか3つは、脱離基を
持たない置換基を表す。)の安息香酸誘導体を製造する
製造方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】上述のように、アルキルフルオロ
安息香酸誘導体の製造には、塩素原子、臭素原子、ヨウ
素原子、トリフルオロメタンスルホニル基及びトルエン
スルホニル基等の脱離基を有するフルオロ安息香酸誘導
体とアセチレン誘導体のカップリング工程を行った後、
水素存在下、遷移金属触媒を用いアルケニル基を還元す
る水素化還元工程を行い、更に 必要に応じカルボン酸
の脱保護の工程を行うが、それぞれの工程は、以下に示
すような条件下で行うことができる。
安息香酸誘導体の製造には、塩素原子、臭素原子、ヨウ
素原子、トリフルオロメタンスルホニル基及びトルエン
スルホニル基等の脱離基を有するフルオロ安息香酸誘導
体とアセチレン誘導体のカップリング工程を行った後、
水素存在下、遷移金属触媒を用いアルケニル基を還元す
る水素化還元工程を行い、更に 必要に応じカルボン酸
の脱保護の工程を行うが、それぞれの工程は、以下に示
すような条件下で行うことができる。
【００１２】脱離基を有するフルオロ安息香酸誘導体と
アセチレン誘導体のカップリング工程には反応溶媒とし
ては、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル
類、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2-
ジクロロエタン、1,1,1-トリクロロエタン等のハロゲン
系溶媒、ジエチルエーテル、メチル-t-ブチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸エチル、
酢酸メチル、酢酸ブチル等のエステル類、ピリジン、ピ
リミジン等の芳香族アミン類、エチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン等のアルキルアミン類、ペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の飽和炭化水素
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等
の芳香族類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチル
アセトアミド(DMF)等のアミド類などを単一又は混合し
て用いることができるが、アミド類、アミン類及びこれ
らの混合して用いることが好ましく、トリエチルアミン
及びN,N-ジメチルホルムアミドの混合溶媒が特に好まし
い。
アセチレン誘導体のカップリング工程には反応溶媒とし
ては、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル
類、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2-
ジクロロエタン、1,1,1-トリクロロエタン等のハロゲン
系溶媒、ジエチルエーテル、メチル-t-ブチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸エチル、
酢酸メチル、酢酸ブチル等のエステル類、ピリジン、ピ
リミジン等の芳香族アミン類、エチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン等のアルキルアミン類、ペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の飽和炭化水素
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等
の芳香族類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチル
アセトアミド(DMF)等のアミド類などを単一又は混合し
て用いることができるが、アミド類、アミン類及びこれ
らの混合して用いることが好ましく、トリエチルアミン
及びN,N-ジメチルホルムアミドの混合溶媒が特に好まし
い。
【００１３】本反応に用いる遷移金属触媒としては、テ
トラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、ジ
クロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、
ジクロロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]パラジウ
ム(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ン]パラジウム(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)ブタン]パラジウム(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)等のパラジウ
ム錯体、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケル
(0)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)ニッケル
(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]ニ
ッケル(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)プ
ロパン]ニッケル(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニルホス
フィノ)ブタン]ニッケル(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)フェロセン]ニッケル(II)等のニッケル錯
体を挙げることができるが、パラジウム錯体が好まし
い。
トラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、ジ
クロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、
ジクロロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]パラジウ
ム(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ン]パラジウム(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)ブタン]パラジウム(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)等のパラジウ
ム錯体、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケル
(0)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)ニッケル
(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]ニ
ッケル(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)プ
ロパン]ニッケル(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニルホス
フィノ)ブタン]ニッケル(II)、ジクロロ[ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)フェロセン]ニッケル(II)等のニッケル錯
体を挙げることができるが、パラジウム錯体が好まし
い。
【００１４】銅触媒としては銅(I)塩が好ましいが、特
にヨウ化銅(I)が好ましい。
にヨウ化銅(I)が好ましい。
【００１５】原料となる化合物(I)の安息香酸誘導体に
おいてY1、Y2、Y3及びY4は少なくとも一つは脱離基であ
り、脱離基としては塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、
トリフルオロメタンスルホニル基及びトルエンスルホニ
ル基等が好ましく、臭素原子、ヨウ素原子及びトリフル
オロメタンスルホニル基が特に好ましい。他の脱離基を
含まない置換基としては、置換基を有しても良いフェニ
ル基、ナフチル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフチル基、
ピリジニル基、ピリミジニル基、フラニル基、チオフェ
ニル基、ピロリル基、シクロヘキシル基、デカヒドロナ
フタレニル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、ピラ
ゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、オキサ
ゾリル基、ゼンゾイミダゾーリル基、ベンゾイミダゾリ
ル基、キノリニル基、イソキノリニル基、プリニル基、
2-デオキシリボース、グルコース、ガラクトース、スク
ロース、各種アミノ酸基、置換基を有して良い直鎖、環
状又は分岐状のアルキル基、置換基を有して良い直鎖、
環状又は分岐状のアルコキシル基、置換基を有して良い
直鎖、環状又は分岐状のアルカノイル基、置換基を有し
て良い直鎖、環状又は分岐状のアルカノイルオキシ基、
置換基を有して良い直鎖、環状又は分岐状のアルコキシ
カルボニル基、フッ素原子、塩素原子、水酸基、カルボ
キシル基等が挙げられる。これらの置換基としては、置
換基を有して良い直鎖、環状又は分岐状のアルキル基、
置換基を有して良い直鎖、環状又は分岐状のアルコキシ
ル基、置換基を有して良い直鎖、環状又は分岐状のアル
カノイル基、置換基を有して良い直鎖、環状又は分岐状
のアルカノイルオキシ基、置換基を有して良い直鎖、環
状又は分岐状のアルコキシカルボニル基、フッ素原子、
塩素原子、水酸基、カルボキシル基等が好ましいが、フ
ェニル基、シクロヘキシル基、直鎖アルキル基、直鎖ア
ルコキシル基が特に好ましい。Xは、OR1及びNR2R 3を表
し、R1、R2及びR3は、水素原子、炭素数1〜8のアルキル
基、その水素原子が炭素数1〜6のアルキル基によって置
換されていてもよいアリール基、アラルキル基又はトリ
アルキルシリル基が好ましく、アルキル基、ベンジル基
及びトリアルキルシリル基が特に好ましい。
おいてY1、Y2、Y3及びY4は少なくとも一つは脱離基であ
り、脱離基としては塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、
トリフルオロメタンスルホニル基及びトルエンスルホニ
ル基等が好ましく、臭素原子、ヨウ素原子及びトリフル
オロメタンスルホニル基が特に好ましい。他の脱離基を
含まない置換基としては、置換基を有しても良いフェニ
ル基、ナフチル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフチル基、
ピリジニル基、ピリミジニル基、フラニル基、チオフェ
ニル基、ピロリル基、シクロヘキシル基、デカヒドロナ
フタレニル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、ピラ
ゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、オキサ
ゾリル基、ゼンゾイミダゾーリル基、ベンゾイミダゾリ
ル基、キノリニル基、イソキノリニル基、プリニル基、
2-デオキシリボース、グルコース、ガラクトース、スク
ロース、各種アミノ酸基、置換基を有して良い直鎖、環
状又は分岐状のアルキル基、置換基を有して良い直鎖、
環状又は分岐状のアルコキシル基、置換基を有して良い
直鎖、環状又は分岐状のアルカノイル基、置換基を有し
て良い直鎖、環状又は分岐状のアルカノイルオキシ基、
置換基を有して良い直鎖、環状又は分岐状のアルコキシ
カルボニル基、フッ素原子、塩素原子、水酸基、カルボ
キシル基等が挙げられる。これらの置換基としては、置
換基を有して良い直鎖、環状又は分岐状のアルキル基、
置換基を有して良い直鎖、環状又は分岐状のアルコキシ
ル基、置換基を有して良い直鎖、環状又は分岐状のアル
カノイル基、置換基を有して良い直鎖、環状又は分岐状
のアルカノイルオキシ基、置換基を有して良い直鎖、環
状又は分岐状のアルコキシカルボニル基、フッ素原子、
塩素原子、水酸基、カルボキシル基等が好ましいが、フ
ェニル基、シクロヘキシル基、直鎖アルキル基、直鎖ア
ルコキシル基が特に好ましい。Xは、OR1及びNR2R 3を表
し、R1、R2及びR3は、水素原子、炭素数1〜8のアルキル
基、その水素原子が炭素数1〜6のアルキル基によって置
換されていてもよいアリール基、アラルキル基又はトリ
アルキルシリル基が好ましく、アルキル基、ベンジル基
及びトリアルキルシリル基が特に好ましい。
【００１６】本反応は上記のすべてのフルオロ安息香酸
誘導体に適応できるが、特に一般式(I)中のY2が、臭素
原子又はヨウ素原子を表し、Y1、Y3且つY4が水素原子又
はフッ素原子を表すフルオロ安息香酸が特に好ましい。
誘導体に適応できるが、特に一般式(I)中のY2が、臭素
原子又はヨウ素原子を表し、Y1、Y3且つY4が水素原子又
はフッ素原子を表すフルオロ安息香酸が特に好ましい。
【００１７】水素化還元触媒としては、Rh、Ru、Pt、P
d、Ir又はOsの金属あるいはこれらの金属化合物が挙げ
られる。又、これらの金属及び金属化合物は1種を単独
で又は2種以上を併用してもよい。
d、Ir又はOsの金属あるいはこれらの金属化合物が挙げ
られる。又、これらの金属及び金属化合物は1種を単独
で又は2種以上を併用してもよい。
【００１８】例えば、Pdの金属及びその化合物の具体例
としては、パラジウム-炭素、パラジウム末、酸化パラ
ジウム、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラ
ジウム、テトラアンミンパラジウム塩化物、テトラアン
ミンパラジウム硝酸塩、テトラアンミンパラジウム酢酸
塩などのパラジウム塩あるいはテトラキス(トリフェニ
ルホスフィン)パラジウム(0)、ビス(アセチルアセトナ
ト)パラジウム(0)などのパラジウム錯体が挙げられる。
としては、パラジウム-炭素、パラジウム末、酸化パラ
ジウム、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラ
ジウム、テトラアンミンパラジウム塩化物、テトラアン
ミンパラジウム硝酸塩、テトラアンミンパラジウム酢酸
塩などのパラジウム塩あるいはテトラキス(トリフェニ
ルホスフィン)パラジウム(0)、ビス(アセチルアセトナ
ト)パラジウム(0)などのパラジウム錯体が挙げられる。
【００１９】又、前述のPdに換えて、Rh、Ru、Pt、Re、
Ir、Osの金属及び/又はその金属化合物についても同様
のものが挙げられる。
Ir、Osの金属及び/又はその金属化合物についても同様
のものが挙げられる。
【００２０】又、これらの金属及び金属化合物は1種を
単独で又は2種以上を併用してもよく、更に シリカゲル
やアルミナ等を添加したりこれらに担持させても良い
が、Pdの金属又はその金属化合物が更に 好ましく、パ
ラジウム-炭素が特に好ましい。
単独で又は2種以上を併用してもよく、更に シリカゲル
やアルミナ等を添加したりこれらに担持させても良い
が、Pdの金属又はその金属化合物が更に 好ましく、パ
ラジウム-炭素が特に好ましい。
【００２１】本反応は水素雰囲気下で行うが、水素圧と
しては0.1MPa(常圧)から19.6MPa(200気圧)が好ましく、
0.1MPa(常圧)から3.9MPa(40気圧)が特に好ましい。
しては0.1MPa(常圧)から19.6MPa(200気圧)が好ましく、
0.1MPa(常圧)から3.9MPa(40気圧)が特に好ましい。
【００２２】本反応には各種溶媒を用いることができ
る。反応溶媒としては、メタノール、エタノール、1-プ
ロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノ
ール、2-メチル-1-プロパノール等のアルコール類、酢
酸等の有機酸類、ジエチルエーテル、メチル-t-ブチル
エーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸エ
チル、酢酸メチル、酢酸ブチル等のエステル類、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の飽和炭化水素
類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類、N,N-ジメチルホルムアミド、DMF等のアミド類など
を単一又は混合して用いることが好ましく、エステル
類、アルコール類、有機酸類及びそれらを含有する混合
溶媒が更に好ましい。
る。反応溶媒としては、メタノール、エタノール、1-プ
ロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノ
ール、2-メチル-1-プロパノール等のアルコール類、酢
酸等の有機酸類、ジエチルエーテル、メチル-t-ブチル
エーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸エ
チル、酢酸メチル、酢酸ブチル等のエステル類、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の飽和炭化水素
類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類、N,N-ジメチルホルムアミド、DMF等のアミド類など
を単一又は混合して用いることが好ましく、エステル
類、アルコール類、有機酸類及びそれらを含有する混合
溶媒が更に好ましい。
【００２３】本反応は溶媒凝固点から300℃までの温度
で行うことができるが、0℃〜200℃が好ましい。
で行うことができるが、0℃〜200℃が好ましい。
【００２４】一般式(I)において、Xが水酸基であるカル
ボン酸を得る場合には、必要に応じ、脱保護を行う。カ
ルボン酸の保護基としてはアルキル基、ベンジル基、ト
リアルキルシリル基等を用いることができる。その脱保
護の工程における条件としては、有機塩基又は無機塩基
による加水分解、有機酸又は無機酸による加水分解、又
は特にベンジルエステルの場合は水素化還元による脱保
護が好ましい。ベンジルエステルの場合には前工程にお
いて一部あるいは全部が脱保護されている場合もあり、
必要に応じ再度水素化還元工程を行う。特に有機塩基又
は無機塩基による加水分解が好ましい。
ボン酸を得る場合には、必要に応じ、脱保護を行う。カ
ルボン酸の保護基としてはアルキル基、ベンジル基、ト
リアルキルシリル基等を用いることができる。その脱保
護の工程における条件としては、有機塩基又は無機塩基
による加水分解、有機酸又は無機酸による加水分解、又
は特にベンジルエステルの場合は水素化還元による脱保
護が好ましい。ベンジルエステルの場合には前工程にお
いて一部あるいは全部が脱保護されている場合もあり、
必要に応じ再度水素化還元工程を行う。特に有機塩基又
は無機塩基による加水分解が好ましい。
【００２５】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【００２６】（実施例１）2-フルオロ-4-プロピル安息
香酸の合成
香酸の合成
【化１０】 500mLの反応容器(メカニカルスターラー、温度計、ジム
ロート冷却器)に2-フルオロ-4-ブロモ安息香酸を60.0
g、ヨウ化銅(I)1.0g、テトラキストリフェニルホスフィ
ンパラジウム(0) 3.2ｇ、DMF 72mL及びトリエチルアミ
ン54mLを加え、撹拌しながら70℃に加熱した。プロピン
30gを徐々に吹き込み、更に 3時間撹拌を続けた。放冷
後、攪拌しながら10%塩酸水溶液200mLを注意して加え、
析出する2-フルオロ-4-(1-プロピニル)安息香酸を濾過
し、水で洗浄した。次に1Lのオートクレーブに、58gの2
-フルオロ-4-(1-プロピニル)安息香酸、酢酸エチル220m
L及びパラジウム-カーボン(パラジウム5質量%含有、50%
含水物)を12g加え、水素圧0.5MPaに加圧した。4時間撹
拌した後、触媒を濾過し、得られたろ液を減圧乾燥し、
2-フルオロ-4-プロピル安息香酸の結晶42.5g(2-フルオ
ロ-4-ブロモ安息香酸より収率73%)を得た。
ロート冷却器)に2-フルオロ-4-ブロモ安息香酸を60.0
g、ヨウ化銅(I)1.0g、テトラキストリフェニルホスフィ
ンパラジウム(0) 3.2ｇ、DMF 72mL及びトリエチルアミ
ン54mLを加え、撹拌しながら70℃に加熱した。プロピン
30gを徐々に吹き込み、更に 3時間撹拌を続けた。放冷
後、攪拌しながら10%塩酸水溶液200mLを注意して加え、
析出する2-フルオロ-4-(1-プロピニル)安息香酸を濾過
し、水で洗浄した。次に1Lのオートクレーブに、58gの2
-フルオロ-4-(1-プロピニル)安息香酸、酢酸エチル220m
L及びパラジウム-カーボン(パラジウム5質量%含有、50%
含水物)を12g加え、水素圧0.5MPaに加圧した。4時間撹
拌した後、触媒を濾過し、得られたろ液を減圧乾燥し、
2-フルオロ-4-プロピル安息香酸の結晶42.5g(2-フルオ
ロ-4-ブロモ安息香酸より収率73%)を得た。
【００２７】（比較例１）
【化１１】 NBS:ブロモこはく酸 Mol. Cryst. Liq. Cryst., 172, 165 (1989) 記載の方
法に従い、2-フルオロアニリンから2-フルオロ-4-ペン
チル安息香酸を合成した、原料からの総収率は16%で得
あった。
法に従い、2-フルオロアニリンから2-フルオロ-4-ペン
チル安息香酸を合成した、原料からの総収率は16%で得
あった。
【００２８】
【発明の効果】本発明により、これまでその製造が低収
率で、更に目的物を得るまでに多工程を要し、又反応剤
としてKCNのような猛毒を用いる必要があったアルキル
フルオロ安息香酸誘導体を、工業的に容易に且つ安価に
製造することが可能となった。このアルキルフルオロ安
息香酸誘導体は、液晶表示材料など電子材料や機能性材
料又は医農薬や各種添加剤及びそれらの合成中間体とし
て極めて有用である。
率で、更に目的物を得るまでに多工程を要し、又反応剤
としてKCNのような猛毒を用いる必要があったアルキル
フルオロ安息香酸誘導体を、工業的に容易に且つ安価に
製造することが可能となった。このアルキルフルオロ安
息香酸誘導体は、液晶表示材料など電子材料や機能性材
料又は医農薬や各種添加剤及びそれらの合成中間体とし
て極めて有用である。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC11 AC24 BA05 BA21 BA22 BA25 BA37 BA48 BA55 BB17 BB20 BC10 BC11 BJ50 BM30 BM71 BS30 4H039 CA19 CA39 CB10 CD20
Claims (9)
- 【請求項１】 脱離基を有するフルオロ安息香酸誘導体
とアセチレン誘導体をカップリングさせた後、水素存在
下、遷移金属触媒を用いアルキニル基を還元し、必要に
応じカルボン酸の脱保護を行うことを特徴とするアルキ
ルフルオロ安息香酸及びその誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項1において、一般式(I) 【化１】 (式中Xは、OR1及びNR2R3を表し、R1、R2及びR3は、水素
原子、炭素数1〜8のアルキル基、その水素原子が炭素数
1〜6のアルキル基によって置換されていてもよいアリー
ル基、アラルキル基又はトリアルキルシリル基を表し、
Y1、Y2、Y3及びY4の何れか一つは塩素原子、臭素原子も
しくはヨウ素原子等のハロゲン原子又はスルホニルオキ
シ基等の脱離基であり、他は脱離基を含まない置換基を
表す。)で表されるベンゼン誘導体に、銅触媒及び遷移
金属触媒存在下、一般式(II) 【化２】 (式中Rは、炭素数1〜8のアルキル基を表し、この基は非
置換であるか、あるいは置換基として少なくとも1個の
ハロゲン原子又は炭素数1〜3のアルキル基を有してお
り、そしてこれらの基中に存在する1個又は2個以上のCH
2基はそれぞれ独立してO原子及びS原子が相互に直接結
合しないものとして -O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-
OCO-O-及び-CH=CH-により置き換えられても良く、光学
活性であってもラセミ体であっても良い。あるいは、カ
ルボキシル基及びそのエステルを表す。)で表されるア
セチレン誘導体を反応させ、脱離基を表すY1〜Y4の何れ
か一つをアセチレン誘導体により置換した後、遷移金属
触媒存在下、水素により炭素-炭素の不飽和結合を還元
し、必要に応じカルボン酸の脱保護を行い、一般式(II
I) 【化３】 (式中Xは、一般式(I)と同じ意味を表し、一般式(I)にお
いてY1〜Y4のうち脱離基であった位置に対応するZ1、
Z2、Z3及びZ4の何れか一つは、一般式(IV) 【化４】 (式中Rは、一般式(II)と同じ意味を表す。)を表し、一
般式(I)において脱離基が存在していた位置以外の3箇所
に対応するZ1、Z2、Z3及びZ4の何れか3つは、脱離基を
持たない置換基を表す。)の安息香酸誘導体を製造する
製造方法。 - 【請求項３】 Y2が脱離基であるところの請求項1又は2
記載の製造方法。 - 【請求項４】 脱離基が塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子、トリフルオロメタンスルホニル基及びトルエンスル
ホニル基であるところの請求項1〜3のいずれかに記載の
製造方法。 - 【請求項５】 Y1、Y3及びY4が水素原子又はフッ素原子
であるところの請求項1〜4のいずれかに記載の製造方
法。 - 【請求項６】 一般式(I)と一般式(II)の反応において
遷移金属触媒がパラジウム(0)錯体、パラジウム(II)錯
体あるいはニッケル(II)錯体であるところの請求項1〜5
のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項７】 水素化還元反応において遷移金属触媒が
パラジウム(0)、白金(0)、ロジウム(0)あるいはルテニ
ウム(0)等の遷移金属触媒であるところの請求項1〜6の
いずれかに記載の製造方法。 - 【請求項８】 一般式(I)においてXが水酸基を表すとこ
ろの請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項９】 一般式(II)においてRが炭素数1〜8のア
ルキル基を表すところの請求項1〜8のいずれかに記載の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001095577A JP4904630B2 (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | アルキルフルオロ安息香酸誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001095577A JP4904630B2 (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | アルキルフルオロ安息香酸誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002284733A true JP2002284733A (ja) | 2002-10-03 |
| JP4904630B2 JP4904630B2 (ja) | 2012-03-28 |
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|---|---|---|---|
| JP2001095577A Expired - Fee Related JP4904630B2 (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | アルキルフルオロ安息香酸誘導体の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4904630B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290828A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-30 | Bayer Ag | 少なくとも一つのｚ―立体配置にあるスチルベン基を含有する二官能性スチルベン化合物の製造方法、少なくとも一つのｚ―立体配置にあるスチルベン基を含有する新規二官能性スチルベン化合物及び重合体の製造のための該スチルベン化合物の使用 |
| JPH11100578A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Sagami Chem Res Center | 新規エステル化合物、およびこれを含む液晶組成物並びに光スイッチング素子 |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001095577A patent/JP4904630B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH11100578A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Sagami Chem Res Center | 新規エステル化合物、およびこれを含む液晶組成物並びに光スイッチング素子 |
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|---|---|
| JP4904630B2 (ja) | 2012-03-28 |
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