JP2002281740A - 電子デバイス保護装置 - Google Patents
電子デバイス保護装置Info
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- JP2002281740A JP2002281740A JP2001078146A JP2001078146A JP2002281740A JP 2002281740 A JP2002281740 A JP 2002281740A JP 2001078146 A JP2001078146 A JP 2001078146A JP 2001078146 A JP2001078146 A JP 2001078146A JP 2002281740 A JP2002281740 A JP 2002281740A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子デバイスの温度が異常に上昇することを
防止し、これにより電子デバイスを保護するための装置
において、使用者に対する表示が可能であるとともに、
ソフトウェアの暴走などの場合にも、電子デバイスの動
作の停止を確実に行なうことができるようにする。 【解決手段】 電子デバイス（Ｑ１、Ｄ１）の温度を検
出する温度検知素子（１）で検出された温度が第１の所
定の値に達したとき、そのことを表示手段（３）で表示
し、温度検知素子（１）で検出された温度が第２の所定
の値に達したとき、電子デバイスの動作を停止させる手
段（ＲＤ、４）とを備え、動作を停止させる手段（Ｒ
Ｄ、４）が、ハードウェアで構成されている。
防止し、これにより電子デバイスを保護するための装置
において、使用者に対する表示が可能であるとともに、
ソフトウェアの暴走などの場合にも、電子デバイスの動
作の停止を確実に行なうことができるようにする。 【解決手段】 電子デバイス（Ｑ１、Ｄ１）の温度を検
出する温度検知素子（１）で検出された温度が第１の所
定の値に達したとき、そのことを表示手段（３）で表示
し、温度検知素子（１）で検出された温度が第２の所定
の値に達したとき、電子デバイスの動作を停止させる手
段（ＲＤ、４）とを備え、動作を停止させる手段（Ｒ
Ｄ、４）が、ハードウェアで構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイスの温
度が異常に上昇することを防止し、これにより電子デバ
イスを保護するための装置に関する。本発明は特にスイ
ッチング電源などに用いられる半導体素子などの保護に
適したものである。
度が異常に上昇することを防止し、これにより電子デバ
イスを保護するための装置に関する。本発明は特にスイ
ッチング電源などに用いられる半導体素子などの保護に
適したものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の保護装置の一例を示す。こ
の保護装置は、昇圧型のＤＣ−ＤＣコンバータから成る
スイッチング電源ＳＰのトランジスタやダイオードなど
を保護するためのものである。スイッチング電源ＳＰ
は、図示のように接続された、トランジスタＱ１、ダイ
オードＤ１、チョークコイルＬ１、コンデンサＣ１、及
びスイッチング電源制御回路４を有する。スイッチング
電源制御回路４は例えばコンデンサＣ１の両端の電圧が
常に一定になるように、トランジスタ制御信号４ａによ
りトランジスタＱ１のオン／オフ動作を制御する。
の保護装置は、昇圧型のＤＣ−ＤＣコンバータから成る
スイッチング電源ＳＰのトランジスタやダイオードなど
を保護するためのものである。スイッチング電源ＳＰ
は、図示のように接続された、トランジスタＱ１、ダイ
オードＤ１、チョークコイルＬ１、コンデンサＣ１、及
びスイッチング電源制御回路４を有する。スイッチング
電源制御回路４は例えばコンデンサＣ１の両端の電圧が
常に一定になるように、トランジスタ制御信号４ａによ
りトランジスタＱ１のオン／オフ動作を制御する。
【０００３】保護装置ＰＤは、温度検知素子１、演算処
理回路２を有する。温度検知素子１は、保護すべき電子
デバイスである、トランジスタＱ１やダイオードＤ１の
温度を検知するものであり、例えば、トランジスタＱ１
及びダイオードＤ１などの保護すべき電子デバイスが熱
的に結合された放熱板に熱的に結合され、電子デバイス
の温度と温度検知素子の温度との相関が取れるようにな
っている。
理回路２を有する。温度検知素子１は、保護すべき電子
デバイスである、トランジスタＱ１やダイオードＤ１の
温度を検知するものであり、例えば、トランジスタＱ１
及びダイオードＤ１などの保護すべき電子デバイスが熱
的に結合された放熱板に熱的に結合され、電子デバイス
の温度と温度検知素子の温度との相関が取れるようにな
っている。
【０００４】図示の例の温度検知素子１は、サーモスタ
ットから成り、接点１ｓは、通常は閉状態であるが、温
度が所定値に達すると開状態となる。
ットから成り、接点１ｓは、通常は閉状態であるが、温
度が所定値に達すると開状態となる。
【０００５】演算処理回路２は、プログラムされたコン
ピュータシステムから成り、所定の条件が満たされる
と、動作指示信号２ａを「高レベル」にする。この動作
指示信号２ａは、接点１ｓを介してスイッチング電源制
御回路４に供給されている。接点１ｓは通常は閉状態で
あるので、動作指示信号２ａはそのままスイッチング電
源制御回路４に伝えられ、このため、スイッチング電源
制御回路４は、動作指示信号２ａに応じて、トランジス
タ制御信号４ａによりトランジスタＱ１をオン／オフ制
御する。これに応じて、トランジスタＱ１がオン／オフ
動作する。即ち、スイッチング電源ＳＰが動作する。
ピュータシステムから成り、所定の条件が満たされる
と、動作指示信号２ａを「高レベル」にする。この動作
指示信号２ａは、接点１ｓを介してスイッチング電源制
御回路４に供給されている。接点１ｓは通常は閉状態で
あるので、動作指示信号２ａはそのままスイッチング電
源制御回路４に伝えられ、このため、スイッチング電源
制御回路４は、動作指示信号２ａに応じて、トランジス
タ制御信号４ａによりトランジスタＱ１をオン／オフ制
御する。これに応じて、トランジスタＱ１がオン／オフ
動作する。即ち、スイッチング電源ＳＰが動作する。
【０００６】トランジスタＱ１やダイオードＤ１の温度
が上昇して、所定値に達すると、接点１ｓが開き、動作
指示信号２ａがスイッチング電源制御回路４に供給され
なくなる。この結果、スイッチング電源制御回路４は、
トランジスタＱ１に対するトランジスタ制御信号４ａを
「低レベル」状態に維持し、トランジスタＱ１のオン／
オフ動作を停止させる。これにより、スイッチング電源
ＳＰの動作が停止し、トランジスタＱ１やダイオードＤ
１の温度がさらに上昇するのが防止される。
が上昇して、所定値に達すると、接点１ｓが開き、動作
指示信号２ａがスイッチング電源制御回路４に供給され
なくなる。この結果、スイッチング電源制御回路４は、
トランジスタＱ１に対するトランジスタ制御信号４ａを
「低レベル」状態に維持し、トランジスタＱ１のオン／
オフ動作を停止させる。これにより、スイッチング電源
ＳＰの動作が停止し、トランジスタＱ１やダイオードＤ
１の温度がさらに上昇するのが防止される。
【０００７】図４は保護装置の他の例を示す。この例で
は、スイッチング電源制御回路４からのトランジスタ制
御信号４ａが、温度検知素子１の接点１ｓを介してトラ
ンジスタＱ１のベースに供給されている。検知温度が所
定値に達すると、接点１ｓが開状態となり、トランジス
タ制御信号４ａがトランジスタＱ１に供給されなくな
り、トランジスタＱ１の動作が停止される。
は、スイッチング電源制御回路４からのトランジスタ制
御信号４ａが、温度検知素子１の接点１ｓを介してトラ
ンジスタＱ１のベースに供給されている。検知温度が所
定値に達すると、接点１ｓが開状態となり、トランジス
タ制御信号４ａがトランジスタＱ１に供給されなくな
り、トランジスタＱ１の動作が停止される。
【０００８】このように図３及び図４の保護装置はとも
に、温度検知素子により温度が所定値に達したことが検
知されると、ハードウエア手段により、トランジスタＱ
１の動作を停止させるようにしている。
に、温度検知素子により温度が所定値に達したことが検
知されると、ハードウエア手段により、トランジスタＱ
１の動作を停止させるようにしている。
【０００９】図５は保護装置の他の例を示す。この例の
保護装置は、温度検知素子１としてサーミスタ１ｔを用
いており、その一端が信号線１ｃを介して演算処理回路
２に接続されている。図５の保護装置はさらに表示装置
３を備えている。
保護装置は、温度検知素子１としてサーミスタ１ｔを用
いており、その一端が信号線１ｃを介して演算処理回路
２に接続されている。図５の保護装置はさらに表示装置
３を備えている。
【００１０】サーミスタ１ｔは、検知温度に応じてその
抵抗値が変るものであり、演算処理回路２は、信号線１
ｃを介して検出されるサーミスタ１ｔの抵抗値の変化に
基づいて温度を示す信号を発生し、検知温度が第１の設
定温度に達すると、表示装置３により、使用者に対し温
度異常である旨の警告表示を行い、第１の設定温度より
も高い第２の設定温度に達すると、スイッチング電源制
御回路４に対し動作停止指示信号２ｂを供給して、これ
によりスイッチング電源制御回路４からトランジスタＱ
１へのトランジスタ制御信号４ａの供給を停止させ、ト
ランジスタＱ１の動作を停止させる。
抵抗値が変るものであり、演算処理回路２は、信号線１
ｃを介して検出されるサーミスタ１ｔの抵抗値の変化に
基づいて温度を示す信号を発生し、検知温度が第１の設
定温度に達すると、表示装置３により、使用者に対し温
度異常である旨の警告表示を行い、第１の設定温度より
も高い第２の設定温度に達すると、スイッチング電源制
御回路４に対し動作停止指示信号２ｂを供給して、これ
によりスイッチング電源制御回路４からトランジスタＱ
１へのトランジスタ制御信号４ａの供給を停止させ、ト
ランジスタＱ１の動作を停止させる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記図３や
図４に示す従来の装置では、温度が設定値に達してスイ
ッチング電源回路の動作を停止するとき、温度が設定値
に達したことが表示されないため、使用者には動作停止
の原因を特定するのが困難であった。
図４に示す従来の装置では、温度が設定値に達してスイ
ッチング電源回路の動作を停止するとき、温度が設定値
に達したことが表示されないため、使用者には動作停止
の原因を特定するのが困難であった。
【００１２】一方、図５に示す従来の装置では、演算処
理装置２を構成するコンピュータシステムのソフトウエ
アの暴走により、温度が第２の設定値に達しても動作が
停止されない場合があり、電子デバイスの破壊に至るこ
とがあった。
理装置２を構成するコンピュータシステムのソフトウエ
アの暴走により、温度が第２の設定値に達しても動作が
停止されない場合があり、電子デバイスの破壊に至るこ
とがあった。
【００１３】本発明は、上記のような課題を解消するた
めになされたもので、使用者に対する表示が可能である
とともに、ソフトウェアの暴走などの場合にも、電子デ
バイスの動作の停止を確実に行なうことができる電子デ
バイス保護装置を提供することにある。
めになされたもので、使用者に対する表示が可能である
とともに、ソフトウェアの暴走などの場合にも、電子デ
バイスの動作の停止を確実に行なうことができる電子デ
バイス保護装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の電子デバイス保
護装置は、電子デバイスの温度を検出する温度検知素子
と、前記温度検知素子で検出された温度が第１の所定の
値に達したとき、そのことを表示する手段と、前記温度
検知素子で検出された温度が第２の所定の値に達したと
き、前記電子デバイスの動作を停止させる手段とを備
え、前記動作を停止させる手段がハードウェアで構成さ
れていることを特徴とする。
護装置は、電子デバイスの温度を検出する温度検知素子
と、前記温度検知素子で検出された温度が第１の所定の
値に達したとき、そのことを表示する手段と、前記温度
検知素子で検出された温度が第２の所定の値に達したと
き、前記電子デバイスの動作を停止させる手段とを備
え、前記動作を停止させる手段がハードウェアで構成さ
れていることを特徴とする。
【００１５】前記温度検知素子で検出された温度が、第
１の所定の値に達したとき、そのことを記憶する手段を
さらに有することとしても良い。
１の所定の値に達したとき、そのことを記憶する手段を
さらに有することとしても良い。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面を参照して説明する。図１は本発明の電子デバ
イス保護装置の一実施の形態を示す回路図である。
示す図面を参照して説明する。図１は本発明の電子デバ
イス保護装置の一実施の形態を示す回路図である。
【００１７】同図において、図５と同じ符号は同一ない
し対応する部材を示す。この実施の形態の保護装置ＰＤ
は、温度検知素子１、演算処理回路２、表示装置３及び
スイッチング電源制御回路４のほか、温度上昇検知回路
ＲＤを有する。温度検知素子１、演算処理回路２、表示
装置３及びスイッチング電源制御回路４は図５に示した
従来例と概して同様に動作する。
し対応する部材を示す。この実施の形態の保護装置ＰＤ
は、温度検知素子１、演算処理回路２、表示装置３及び
スイッチング電源制御回路４のほか、温度上昇検知回路
ＲＤを有する。温度検知素子１、演算処理回路２、表示
装置３及びスイッチング電源制御回路４は図５に示した
従来例と概して同様に動作する。
【００１８】温度上昇検知回路ＲＤは、抵抗Ｒ１〜Ｒ
４、サイリスタＴＨ０１、ＴＨ０２を有する。サイリス
タＴＨ０１はそのカソードが接地され、アノードが抵抗
Ｒ４を介して電源Ｖｃｃに接続されている。サイリスタ
ＴＨ０２はそのカソードが接地され、アノードが抵抗Ｒ
３を介して電源Ｖｃｃに接続されている。
４、サイリスタＴＨ０１、ＴＨ０２を有する。サイリス
タＴＨ０１はそのカソードが接地され、アノードが抵抗
Ｒ４を介して電源Ｖｃｃに接続されている。サイリスタ
ＴＨ０２はそのカソードが接地され、アノードが抵抗Ｒ
３を介して電源Ｖｃｃに接続されている。
【００１９】サーミスタ１ｔはその一端が接地され、他
端が抵抗Ｒ１の一端に接続され、抵抗Ｒ１の他端は抵抗
Ｒ２の一端に接続され、抵抗Ｒ２の他端は電源Ｖｃｃに
接続されている。このように接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２
及びサーミスタ１ｔは、電源電圧Ｖｃｃを分圧する回路
を構成する。ノードＮ１はサイリスタＴＨ０１のゲート
に接続され、ノードＮ２はサイリスタＴＨ０２のゲート
に接続されている。サーミスタ１ｔの抵抗をＲＴとする
と、第１の分圧ノードＮ１の点の電圧Ｖ１は、 Ｖ１＝Ｖｃｃ×（Ｒ１＋ＲＴ）／（Ｒ１＋Ｒ２＋ＲＴ） ．．．（１） で与えられ、第２の分圧ノードＮ２の電圧Ｖ２は、 Ｖ２＝Ｖｃｃ×ＲＴ／（Ｒ１＋Ｒ２＋ＲＴ） ．．．（２） で与えられる。
端が抵抗Ｒ１の一端に接続され、抵抗Ｒ１の他端は抵抗
Ｒ２の一端に接続され、抵抗Ｒ２の他端は電源Ｖｃｃに
接続されている。このように接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２
及びサーミスタ１ｔは、電源電圧Ｖｃｃを分圧する回路
を構成する。ノードＮ１はサイリスタＴＨ０１のゲート
に接続され、ノードＮ２はサイリスタＴＨ０２のゲート
に接続されている。サーミスタ１ｔの抵抗をＲＴとする
と、第１の分圧ノードＮ１の点の電圧Ｖ１は、 Ｖ１＝Ｖｃｃ×（Ｒ１＋ＲＴ）／（Ｒ１＋Ｒ２＋ＲＴ） ．．．（１） で与えられ、第２の分圧ノードＮ２の電圧Ｖ２は、 Ｖ２＝Ｖｃｃ×ＲＴ／（Ｒ１＋Ｒ２＋ＲＴ） ．．．（２） で与えられる。
【００２０】温度検知素子１は、保護の対象となる電子
デバイス、例えばトランジスタＱ１やダイオードＤ１が
熱的に結合された放熱板に熱的に結合され、トランジス
タＱ１やダイオードＤ１の温度と温度検知素子１の温度
との相関がとれるようになっている。
デバイス、例えばトランジスタＱ１やダイオードＤ１が
熱的に結合された放熱板に熱的に結合され、トランジス
タＱ１やダイオードＤ１の温度と温度検知素子１の温度
との相関がとれるようになっている。
【００２１】サーミスタ１ｔの抵抗値は、図２に示すよ
うに、温度上昇に伴い上昇する。ここで、第１の設定温
度Ｔ１の時に抵抗値がＲＴ１となり、第２の設定温度Ｔ
２の時に抵抗値はＲＴ２となるものとする。
うに、温度上昇に伴い上昇する。ここで、第１の設定温
度Ｔ１の時に抵抗値がＲＴ１となり、第２の設定温度Ｔ
２の時に抵抗値はＲＴ２となるものとする。
【００２２】サイリスタＴＨ０１のターンオン電圧をＶ
ＯＮ１とし、サイリスタＴＨ０２のターンオン電圧をＶ
ＯＮ２とすると、抵抗Ｒ１、Ｒ２は以下の条件を満たす
ように定められている。 ＶＯＮ１＝Ｖｃｃ×（Ｒ１＋ＲＴ１）／（Ｒ１＋Ｒ２＋ＲＴ１） ．．．（３） ＶＯＮ２＝Ｖｃｃ×ＲＴ２／（Ｒ１＋Ｒ２＋ＲＴ２） ．．．（４）
ＯＮ１とし、サイリスタＴＨ０２のターンオン電圧をＶ
ＯＮ２とすると、抵抗Ｒ１、Ｒ２は以下の条件を満たす
ように定められている。 ＶＯＮ１＝Ｖｃｃ×（Ｒ１＋ＲＴ１）／（Ｒ１＋Ｒ２＋ＲＴ１） ．．．（３） ＶＯＮ２＝Ｖｃｃ×ＲＴ２／（Ｒ１＋Ｒ２＋ＲＴ２） ．．．（４）
【００２３】ここで（３）式の右辺は、検出温度がＴ１
になったときのノードＮ１の電圧を表わし、（４）式の
右辺は、検出温度がＴ２になったときのノードＮ２の電
圧を表わす。
になったときのノードＮ１の電圧を表わし、（４）式の
右辺は、検出温度がＴ２になったときのノードＮ２の電
圧を表わす。
【００２４】次に動作について説明する。何らかの原因
で電子デバイスの温度が異常に上昇して、第１の設定温
度Ｔ１に達すると、サーミスタ１ｔの抵抗値がＲＴ１と
なるので、上記の（３）式が満足され、サイリスタＴＨ
０１がターンオンする。これにより、サイリスタＴＨ０
１のアノードの電位が低下し、これが演算処理回路２に
伝えられる。演算処理回路２は、この電位の低下を検知
して、表示装置３に信号を送り、温度が第１の設定値に
達したことを警告として表示させるとともに、演算処理
回路２に内蔵された不揮発性メモリ２ｍに、温度が第１
の設定値に達したことを記憶させる。
で電子デバイスの温度が異常に上昇して、第１の設定温
度Ｔ１に達すると、サーミスタ１ｔの抵抗値がＲＴ１と
なるので、上記の（３）式が満足され、サイリスタＴＨ
０１がターンオンする。これにより、サイリスタＴＨ０
１のアノードの電位が低下し、これが演算処理回路２に
伝えられる。演算処理回路２は、この電位の低下を検知
して、表示装置３に信号を送り、温度が第１の設定値に
達したことを警告として表示させるとともに、演算処理
回路２に内蔵された不揮発性メモリ２ｍに、温度が第１
の設定値に達したことを記憶させる。
【００２５】表示装置３に温度が第１の設定温度に達し
たことが表示されるので、使用者は温度の上昇を知るこ
とができる。使用者はこの警告表示に応じて、スイッチ
ング電源ＳＰの電源を一旦オフにし、異常温度上昇の原
因を取除くための処置を取る。
たことが表示されるので、使用者は温度の上昇を知るこ
とができる。使用者はこの警告表示に応じて、スイッチ
ング電源ＳＰの電源を一旦オフにし、異常温度上昇の原
因を取除くための処置を取る。
【００２６】表示装置における警告表示に使用者が気付
かず、異常温度上昇の原因を取除く処置が取られない場
合には、電子デバイスの温度がさらに上昇する。そし
て、第２の設定温度Ｔ２に達すると、サーミスタ１ｔの
抵抗値がＲＴ２となり、上記の（４）式が満足され、サ
イリスタＴＨ０２がターンオンする。この結果、サイリ
スタＴＨ０２のアノード電位が低下する。スイッチング
電源制御回路４は、これを検知して、そのトランジスタ
制御信号４ａを「低レベル」状態に維持する。
かず、異常温度上昇の原因を取除く処置が取られない場
合には、電子デバイスの温度がさらに上昇する。そし
て、第２の設定温度Ｔ２に達すると、サーミスタ１ｔの
抵抗値がＲＴ２となり、上記の（４）式が満足され、サ
イリスタＴＨ０２がターンオンする。この結果、サイリ
スタＴＨ０２のアノード電位が低下する。スイッチング
電源制御回路４は、これを検知して、そのトランジスタ
制御信号４ａを「低レベル」状態に維持する。
【００２７】この結果、トランジスタＱ１は導通しなく
なり、スイッチング電源ＳＰの動作が停止する。この結
果、ダイオードＤ１を流れる電流も小さなものとなる。
これにより、更なる温度上昇を防止し、電子デバイスの
破壊を防止することができる。
なり、スイッチング電源ＳＰの動作が停止する。この結
果、ダイオードＤ１を流れる電流も小さなものとなる。
これにより、更なる温度上昇を防止し、電子デバイスの
破壊を防止することができる。
【００２８】上記のようにしてスイッチング電源ＳＰの
動作が停止した場合、使用者は、不揮発性メモリ２ｍを
参照することで、その原因を特定することができる。温
度が第１の設定温度に達したことが、不揮発性メモリ２
ｍに記憶されているためである。
動作が停止した場合、使用者は、不揮発性メモリ２ｍを
参照することで、その原因を特定することができる。温
度が第１の設定温度に達したことが、不揮発性メモリ２
ｍに記憶されているためである。
【００２９】このように本実施の形態では、第２の設定
温度に達したときに電子デバイスの動作を停止させる手
段をハードウエアで実現しているので、従来例のように
ソフトウエアの暴走により動作の停止ができずに電子デ
バイスを破壊してしまうと言った問題を解決することが
できる。
温度に達したときに電子デバイスの動作を停止させる手
段をハードウエアで実現しているので、従来例のように
ソフトウエアの暴走により動作の停止ができずに電子デ
バイスを破壊してしまうと言った問題を解決することが
できる。
【００３０】上記の実施の形態では、サーミスタを含む
分圧回路から得られる分圧でサイリスタをターンオンさ
せ、これによる電位の変化を演算処理回路やスイッチン
グ電源制御回路で検出しているが、本発明はこのような
構成に限定されるものではない。例えば、サイリスタの
代わりにトランジスタやリレーを用いても良い。また、
サーミスタを含む分圧回路の代わりに、異なる温度で動
作する２つの接点を有するサーモスタットを用いても良
い。
分圧回路から得られる分圧でサイリスタをターンオンさ
せ、これによる電位の変化を演算処理回路やスイッチン
グ電源制御回路で検出しているが、本発明はこのような
構成に限定されるものではない。例えば、サイリスタの
代わりにトランジスタやリレーを用いても良い。また、
サーミスタを含む分圧回路の代わりに、異なる温度で動
作する２つの接点を有するサーモスタットを用いても良
い。
【００３１】
【発明の効果】請求項１の保護装置によれば、電子デバ
イスの温度が異常に上昇した場合、使用者にそのことを
知らせることができ、さらにソフトウェアに依存するこ
となく電子デバイスの動作を停止させることで、温度上
昇による電子デバイスの破壊を防ぐことが可能である。
イスの温度が異常に上昇した場合、使用者にそのことを
知らせることができ、さらにソフトウェアに依存するこ
となく電子デバイスの動作を停止させることで、温度上
昇による電子デバイスの破壊を防ぐことが可能である。
【００３２】請求項２の保護装置によれば、電子デバイ
スの異常温度上昇を記憶させることができ、異常温度上
昇の表示を使用者が見落した場合にも、後に記憶内容を
調べることにより、異常温度上昇があったことを確認す
ることができる。従って、例えば電子デバイスの動作が
停止された理由を知ることができる。
スの異常温度上昇を記憶させることができ、異常温度上
昇の表示を使用者が見落した場合にも、後に記憶内容を
調べることにより、異常温度上昇があったことを確認す
ることができる。従って、例えば電子デバイスの動作が
停止された理由を知ることができる。
【図１】 本発明の電子デバイス保護装置の一実施の形
態を示す回路図である。
態を示す回路図である。
【図２】 温度検知素子の代表的特性例を示す図であ
る。
る。
【図３】 従来の電子デバイス保護装置の一例を示す図
である。
である。
【図４】 従来の電子デバイス保護装置の他の例を示す
図である。
図である。
【図５】 従来の電子デバイス保護装置の更に他の例を
示す図である。
示す図である。
１ 温度検知素子、 １ｔ サーミスタ、 ２ 演算処
理回路、 ２ｍ 不揮発性メモリ、 ３ 表示装置、
４ スイッチング電源制御回路、 Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，
Ｒ４ 抵抗、 ＴＨ０１，ＴＨ０２ サイリスタ、 Ｑ
１ トランジスタ、 Ｌ１ チョークコイル、 Ｄ１
ダイオード、 Ｃ１ コンデンサ。
理回路、 ２ｍ 不揮発性メモリ、 ３ 表示装置、
４ スイッチング電源制御回路、 Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，
Ｒ４ 抵抗、 ＴＨ０１，ＴＨ０２ サイリスタ、 Ｑ
１ トランジスタ、 Ｌ１ チョークコイル、 Ｄ１
ダイオード、 Ｃ１ コンデンサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5H410 CC02 DD02 EA10 EA33 EB01 EB25 EB37 FF14 FF23 FF28 GG05 5H730 AA12 AA20 BB14 BB57 DD02 FD61 FG01 XX19 XX26 XX38 XX42 XX50 5H740 AA08 AA09 BA11 BA18 BB02 BB04 MM08 NN17 NN18
Claims (2)
- 【請求項１】 電子デバイスの温度を検出する温度検知
素子と、 前記温度検知素子で検出された温度が第１の所定の値に
達したとき、そのことを表示する手段と、 前記温度検知素子で検出された温度が第２の所定の値に
達したとき、前記電子デバイスの動作を停止させる手段
とを備え、 前記動作を停止させる手段がハードウェアで構成されて
いることを特徴とする電子デバイス保護装置。 - 【請求項２】 前記温度検知素子で検出された温度が、
第１の所定の値に達したとき、そのことを記憶する手段
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の電子
デバイス保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001078146A JP2002281740A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 電子デバイス保護装置 |
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| JP2001078146A JP2002281740A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 電子デバイス保護装置 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003108241A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 温度検知回路 |
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- 2001-03-19 JP JP2001078146A patent/JP2002281740A/ja active Pending
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