JP2002281394A

JP2002281394A - 撮像装置

Info

Publication number: JP2002281394A
Application number: JP2001075908A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Hashimoto; 仁史橋本; Keiichi Mori; 圭一森; Takayuki Kijima; 貴行木島; Hideaki Yoshida; 英明吉田
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 2001-03-16
Filing date: 2001-03-16
Publication date: 2002-09-27

Abstract

(57)【要約】【課題】不揮発性メモリの初期欠陥データが破壊される
危険を回避しつつ、後発性の検出欠陥についても検出・
登録できるようにする。【解決手段】ＥＥＰＲＯＭ１１８は第１および第２の２
つの記憶領域に分けて管理されており、初期欠陥データ
が記憶されている第１の記憶領域については読出しのみ
が行なわれ、欠陥データ検出部１１２ｃによって検出さ
れた欠陥データは第１の記憶領域とは別の第２の記憶領
域に書き込まれる。よって、ＥＥＰＲＯＭ１１８の第２
の記憶領域への欠陥データの書き込み中に例えば電池交
換などが行われた場合であっても、それによって第１の
記憶領域の初期欠陥データが破壊されるという事態の発
生を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は撮像装置に関し、特
に画素欠陥検出機能を有する撮像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビデオカメラなどの撮像装置は従来より
広く利用されている。近年主として静止画を撮像記録す
る電子スチルカメラも特にディジタルカメラとして普及
するに至り、主として動画記録用であったビデオムービ
ーにおいても静止画撮影記録機能を有するようになって
きた。そして主に静止画撮影に際して使用される長時間
露光は撮像素子における電荷蓄積時間を長くすることに
よって露光時間を長くし、これによって低照度下でもス
トロボなどの補助照明を使用することなく撮影できるよ
うにする技術として知られている。

【０００３】一方ＣＣＤ等の撮像素子においてはいわゆ
る暗電流の存在などによる暗出力が存在し、これが画像
信号に重畳されるため、画質劣化を来す。この暗出力レ
ベルが大きい画素が存在する場合は画素欠陥と称され、
その画素の出力情報は用いず近隣の画素の出力情報を用
いて情報を補完することが広く実用されている。本明細
書においてはこのような補完処理を画素欠陥の補償と称
する。しばしば使用フレームレートにおける動画駆動を
前提に決められる所定の（例えばＮＴＳＣでは１／６０
秒の、あるいはこれに基づいて所定のマージンを見た例
えば４倍マージンだと１／１５秒の）標準露光時間で暗
出力を評価し、そのレベルが大きい画素については欠陥
画素と見做して前記画素欠陥補償を適用する。

【０００４】そしてさらに、画素欠陥は温度依存や経時
変化を伴うから欠陥画素の評価を工場出荷前に行なうだ
けでは不十分であるという点について改善をはかった技
術も特開平０６−０３８１１３号公報に公知である。す
なわちこの公報には、電源オン直後にアイリスを閉じる
ことで受光面を遮光し、カメラの使用に先立って撮像素
子の暗出力を評価することで所定の検出レベル以上の暗
出力を持つ画素を欠陥画素として検出して、欠陥補償を
行なう技術が記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにカ
メラ側に欠陥検出機能を設けた場合には、工場で取得さ
れた初期欠陥データが予め登録されているＥＥＰＲＯＭ
などの不揮発性メモリに対して、検出した欠陥データを
新たに登録することが必要となる。この場合、ＥＥＰＲ
ＯＭへの欠陥データの書き込み中に例えば電池交換など
が行われると、それによって初期欠陥データが破壊され
てしまう危険があった。初期欠陥データは、所定の温度
条件下で繰り返し画像情報を解析することによって取得
された極めて信頼性の高いデータである。よって、この
初期欠陥データが破壊されると十分な欠陥補償ができな
くなり、画質低下を招くことになる。

【０００６】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、その目的とするところは、初期欠陥データが破壊さ
れる危険を回避しつつ、後発性の検出欠陥についても検
出できるようにし、動作の信頼性が高く且つ経時的画素
欠陥増加による画質劣化を生じない高性能な撮像装置を
提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明の撮像装置は、撮像素子と、前記撮像素子に
被写体像を入力する撮像光学系と、前記撮像素子に関す
る欠陥データを記憶する不揮発性記憶手段と、前記撮像
素子に関する欠陥データを検出する欠陥検出手段と、前
記不揮発性記憶手段に対する前記撮像素子に関する欠陥
データの読み書きを制御する制御手段とを具備し、前記
不揮発性記憶手段は、前記撮像素子に関する初期欠陥デ
ータを記憶する第１の記憶領域と、前記第１の記憶領域
とは別の記憶領域である第２の記憶領域とを有したもの
であり、前記制御手段は前記欠陥検出手段が検出した欠
陥データを前記第２の記憶領域に書き込むように構成さ
れたものであることを特徴とする。

【０００８】このように、不揮発性記憶手段を第１およ
び第２の２つの記憶領域に分けて管理し、初期欠陥デー
タが記憶されている第１の記憶領域については読出しの
みを行ない、欠陥検出手段によって検出された欠陥デー
タは第１の記憶領域とは別の第２の記憶領域に書き込む
ようにすることにより、初期欠陥データを破壊する危険
を回避することができる。

【０００９】また、前記制御手段が前記第２の記憶領域
に書き込む欠陥データは、前記欠陥検出手段が検出した
欠陥データのうち、前記第１の記憶領域に記憶された前
記初期欠陥データと重複しない後発性欠陥データのみと
することにより、記憶データの重複を避けることが出来
る。

【００１０】また、撮像素子の欠陥データに基づいて、
前記撮像素子の出力に対して近隣画素データによる補償
処理を行なう欠陥補償手段をさらに設けることが好まし
い。この場合、特に欠陥補償手段が前記補償処理に際し
て用いる欠陥データを、前記第１の記憶領域から読み出
された前記初期欠陥データと前記第２の記憶領域から読
み出された後発性欠陥データと合わせたものとすること
により、初期欠陥と後発性欠陥の双方に対する欠陥補償
を行うことが可能となる。

【００１１】また、前記欠陥データとしては、欠陥画素
のアドレスデータを用いることが出来る。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係わ
るディジタルカメラの構成を示すブロック図である。

【００１３】図中１０１は各種レンズからなる撮像レン
ズ系、１０２はレンズ系１０１を駆動するためのレンズ
駆動機構、１０３はレンズ系１０１の絞り及びシャッタ
装置を制御するための露出制御機構、１０４はローパス
及び赤外カット用のフィルタ、１０５は被写体像を光電
変換するためのＣＣＤカラー撮像素子、１０６は撮像素
子１０５を駆動するためのＣＣＤドライバ、１０７はＡ
／Ｄ変換器等を含むプリプロセス回路、１０８はγ変換
などを初めとする各種のディジタル演算処理を行うため
のディジタルプロセス回路、１０９はカードインターフ
ェース、１１０はメモリカード、１１１はＬＣＤ画像表
示系を示している。

【００１４】また、図中の１１２は各部を統括的に制御
するためのシステムコントローラ（ＣＰＵ）、１１３は
各種ＳＷからなる操作スイッチ系、１１４は操作状態及
びモード状態等を表示するための操作表示系、１１５は
レンズ駆動機構１０２を制御するためのレンズドライ
バ、１１６は発光手段としてのストロボ、１１７は露出
制御機構１０３及びストロボ１１６を制御するための露
出制御ドライバ、１１８は各種設定情報等を記憶するた
めの不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、１１９は内蔵の
バッテリ（電池）またはＡＣアダプタを介して入力され
る外部からの電源によって各ユニットへの動作電源を供
給する電源回路である。

【００１５】本実施形態のカメラにおいては、システム
コントローラ１１２が全ての制御を統括的に行ってお
り、露出制御機構１０３とＣＣＤドライバ１０６による
ＣＣＤ撮像素子１０５の駆動を制御して露光（電荷蓄
積）及び信号の読み出しを行い、それをプリプロセス回
路１０７を介してＡ／Ｄ変換してディジタルプロセス回
路１０８に取込んで、ディジタルプロセス回路１０８内
で各種信号処理を施した後にカードインターフェース１
０９を介してメモリカード１１０に記録するようになっ
ている。

【００１６】また、システムコントローラ１１２は例え
ばＣＩＳＣチップなどのマイコンから構成されており、
内部メモリとしてＲＡＭ１１２ａを備えている。このＲ
ＡＭ１１２ａはＳＲＡＭなどの揮発性メモリであるが、
本カメラの電源スイッチがオフされている期間において
も電池または外部電源が供給されている間はバックアッ
プされており、その記憶内容は消失されずに保持され
る。

【００１７】さらに、システムコントローラ１１２に
は、欠陥検出および画素欠陥補償に関わる機能として、
ＥＥＰＲＯＭ１１８とＲＡＭ１１２ａそれぞれに対する
データ書き込み・読み出しを制御するメモリ制御部１１
２ｂと、遮光状態で得られるＣＣＤ１０５からの信号を
ディジタルプロセス回路１１８で解析することにより画
素欠陥データの検出を行うための欠陥データ検出部１１
２ｃと、本撮像時にＣＣＤ１０５から得られる信号に対
して画素欠陥補償処理を施す欠陥補償制御部１１２ｄと
が設けられている。

【００１８】画素欠陥補償処理は、欠陥補償制御部１１
２ｄからの指令に基づいて、ＥＥＰＲＯＭ１１８からＲ
ＡＭ１１２ａに読み出された欠陥データと欠陥データ検
出部１１２ｃによって新たに検出された欠陥データとの
双方に基づいてディジタルプロセス回路１０８において
実行される。なお、初期（カメラの工場出荷時）におい
ては工場内の検査で取得された初期欠陥データのみがＥ
ＥＰＲＯＭ１１８に格納されているが、欠陥データ検出
部１１２ｃによって欠陥検出が行われる度に新たな欠陥
データがＥＥＰＲＯＭ１１８に追加登録される。

【００１９】以下、本発明の画素欠陥の検出と補償に直
接関わる処理を中心にシステムコントローラ１１２によ
るカメラ制御の説明を行なう。

【００２０】撮影に先立ってマニュアル設定または測光
結果に基づいて撮影に必要な露光時間が設定される。次
に本撮像の撮影トリガー指令を待機し、指令を受けたら
所定の露出制御値に基いた露光を行ない、ＣＣＤ１０５
から撮像信号を読み出して所定の信号処理を施した後に
メモリカード１１０に記録する。その際上記欠陥データ
で指定される欠陥画素については画素欠陥補償を行う。
欠陥補償後において記録に至るまでの映像信号処理は、
その必要に応じて適宜使用されるそれ自体は公知の、例
えば色バランス処理、マトリクス演算による輝度−色差
信号への変換あるいはその逆変換処理、帯域制限等によ
る偽色除去あるいは低減処理、γ変換に代表される各種
非線型処理、各種情報圧縮処理、等々である。

【００２１】本実施形態のカメラにおいての欠陥補償
は、公知の「欠陥アドレスが登録された画素に関しての
近隣画素による補完」が採用されており、具体的補完方
法は「最近接同色画素（同色の画素のうち、当該欠陥画
素に最も近い４画素：ＲＧＢベイヤ配列の場合を例示す
ればＧに関しては斜め４方に隣接する４つのＧ画素、Ｒ
（またはＢ）に関しては上下左右の４方向で直接隣接で
なく間に１つのＧを挟んで次に位置する各４つのＲ（ま
たはＢ）画素）たる４画素情報の平均値を代替適用す
る」ものが採用されている。

【００２２】本カメラは必要時に欠陥検出を行ない、そ
の結果に基づき上記欠陥データを追加更新する。

【００２３】ここで、本実施形態における欠陥データ追
記登録処理の前提となる事項について説明する。

【００２４】すなわち、本発明者らの最近の検討によっ
て、欠陥の中にも「点滅性欠陥」と称すべきものが存在
することが判ってきた。これは温度や露光（蓄積）時間
なども含めて全く同じ撮像条件下において撮像（電荷蓄
積と読出し）を繰り返した場合に、例えば同一の画素
が、或る時は白欠陥（暗電荷過大）となったり、また或
る時は正常信号を出力したりというように、あたかも白
欠陥（過大暗電荷）が点滅しているかの如き振る舞いを
示すものである。

【００２５】点滅性欠陥の原因については未だ確たる理
論を見出すに至っていないが、少なくとも現象論的には
以下のような知見が得られている。すなわち、この点滅
はある種確率的な要素を含むらしく、特に定まった周期
性や読み出し回数依存性を有しないこと、また比較的短
い期間における繰り返し撮像において点滅するもの（短
周期性：上記のようにこの現象に周期性は見出されてい
ないが、比喩的に「周期」という語を用いている。以下
同じ）もあれば比較的長周期性のものもあることが判っ
ている。ここに至って、従来自然放射能や飛来宇宙線の
影響による破壊的（非復帰的）現象と考えられていた後
発性欠陥の中にも、極めて長周期性の点滅性欠陥が含ま
れていた可能性が指摘される一方、後発的に生じる短周
期性点滅欠陥が多く存在することも明らかになってい
る。

【００２６】このような様々な点滅性欠陥の存在下で
は、従来のような単なる欠陥登録法（工場において登録
された欠陥アドレスを使用する）も、単なる直前検出法
（例えば電源投入時などに欠陥検出を行ない、新規に取
得した欠陥アドレスを使用する）も無力なことは明らか
である。またこの両者を併用したとしてもそれだけでは
不充分であって、さらに新規検出された欠陥アドレスを
追記登録して使用することが不可欠となってくる。本実
施形態は、このような追記登録システムを前提としてい
るものである。

【００２７】次に、図２を参照して、ＥＥＰＲＯＭ１１
８の構造と欠陥データのリード・ライト処理について説
明する。

【００２８】ＥＥＰＲＯＭ１１８は、図示のように、記
憶領域Ａと記憶領域Ｂの２つの記憶領域を有している。
記憶領域Ｂは工場出荷前に取得されたＣＣＤ１０５に関
する初期欠陥データが記憶されている。この記憶領域Ｂ
は、初期欠陥データの破壊を防止するために読み出し専
用の領域となっており、記憶領域Ｂへの書き込みは禁止
されている。記憶領域Ｂには、初期欠陥データとして例
えば５１２乃至１０２４画素分の欠陥画素アドレスを登
録可能な記憶サイズが割り当てられている。

【００２９】記憶領域Ａは、工場出荷後に欠陥データ検
出部１１２ｃによる欠陥検出処理で新たに取得された欠
陥データを追加登録するための記憶領域である。記憶領
域Ａには、例えば１２８画素分の欠陥画素アドレスを登
録可能な記憶サイズが割り当てられている。工場出荷後
の初期状態においては、記憶領域Ａには欠陥データは何
も記憶されてない。つまり、記憶領域Ａは、欠陥データ
検出部１１２ｃによって検出された後発性の欠陥画素の
登録に使用される専用領域である。

【００３０】ＲＡＭ１１２ａは、図示のように、記憶領
域Ｃ，Ｄ，Ｅの３つの記憶領域を有している。記憶領域
ＤはＥＥＰＲＯＭ１１８の記憶領域Ｂから読み出された
初期欠陥データを記憶するための領域であり、また記憶
領域ＣはＥＥＰＲＯＭ１１８の記憶領域Ａから読み出さ
れた追加登録の欠陥データを記憶するための領域であ
る。記憶領域Ｃ，Ｄの記憶サイズは、記憶領域Ａ，Ｂと
それぞれ同じである。

【００３１】ＥＥＰＲＯＭ１１８の記憶領域Ａ，Ｂの内
容を読み出してＲＡＭ１１２ａ上の記憶領域Ｃ，Ｄに書
き込む処理は、例えば電池挿入後において最初に電源ス
イッチがオンされた場合など、電池挿入（またはＡＣア
ダプタの接続）がなされたことを契機として実行され
る。前述したように電池が挿入されている状態において
は電池切れが生じない限りＲＡＭ１１２ａの記憶内容は
消失しないが、電池交換などのために一旦電池を抜く
と、ＲＡＭ１１２ａの記憶内容は消失されてしまうこと
になる。このため、電池挿入後は一旦必ずＥＥＰＲＯＭ
１１８の読み出しを行ってその記憶領域Ａ，Ｂの内容を
ＲＡＭ１１２ａ上の記憶領域Ｃ，Ｄにコピーし、以降
は、次に電池挿入および電源スイッチの投入が行われる
までは、ＥＥＰＲＯＭ１１８からの読み出しは行わず、
ＲＡＭ１１２ａ上にコピーされた欠陥データを用いて欠
陥補償を行う。このように、本実施形態では、電池の装
着および電源スイッチの投入によってＥＥＰＲＯＭ１１
８からの欠陥データの読み出し動作を制御し、ＥＥＰＲ
ＯＭ１１８からの読出しは電池装着後に１回だけ行なう
ように構成されている。

【００３２】ＲＡＭ１１２ａ上の記憶領域Ｅは、欠陥デ
ータ検出部１１２ｃによる欠陥検出動作で検出された欠
陥画素のアドレスを記憶するために用いられる。記憶領
域Ｅには、例えば３２画素分の欠陥画素アドレスを登録
可能な記憶サイズが割り当てられている。

【００３３】欠陥データ検出部１１２ｃによる欠陥検出
は、初期欠陥データとして登録されている欠陥画素を除
外した残りの画素を対象に行われる。このため、記憶領
域Ｅに記憶される欠陥データは、工場出荷後に発生した
後発性欠陥のアドレスのみとなる。欠陥データ検出部１
１２ｃによって欠陥検出動作が行われるたびに、その欠
陥検出動作で取得された新たな欠陥データが記憶領域Ｅ
に書き込まれると共に、記憶領域Ｅに書き込まれた新た
な欠陥データがＥＥＰＲＯＭ１１８の記憶領域Ａに追加
登録される。記憶領域Ａに既に追加登録データが存在す
る場合、欠陥データ検出部１１２ｃによって検出された
欠陥画素アドレスの内、重複しない欠陥画素アドレスだ
けが記憶領域Ａに追加される。

【００３４】欠陥検出およびそれに応答して実行される
ＥＥＰＲＯＭ１１８への欠陥データの追記は、例えば２
４時間に１回程度の割合で、電源投入時に行なうのが好
適である。この場合、前回の欠陥検出およびデータの追
記から２４時間経過した後に電源投入がなされるとその
時点で新たな欠陥検出およびデータの追記が行われるこ
とになる。また電源投入時でなくとも、電源が投入され
ている状態つまり通常動作状態において前回の欠陥検出
およびデータの追記から２４時間経過した時点で新たな
欠陥検出およびデータの追記を行うようにしてもよい。

【００３５】本撮像時に欠陥補償制御部１１２ｄによっ
て行われる欠陥補償処理は、ＥＥＰＲＯＭ１１８から読
み込んだ記憶領域Ｃ，Ｄの欠陥データのみならず、記憶
領域Ｅに記憶されている新たな欠陥データをも考慮して
実行される。これにより、ＥＥＰＲＯＭ１１８からの読
出しを電池挿入後の１回のみに制限しても、常に最新の
検出欠陥に基づく欠陥補償が行われることになる。記憶
領域Ｃと記憶領域Ｅとでは欠陥画素アドレスが重複する
場合があるが、同一画素に対して欠陥補償処理を２度行
っても画質に対する影響はない。また、欠陥検出の度
に、記憶領域Ｅに書き込まれた新たな欠陥データを重複
を排除した状態でＥＥＰＲＯＭ１１８の記憶領域Ａに追
記しているので、不意に電池切れなどによってＲＡＭ１
１２ａの記憶内容が消失しても、ＥＥＰＲＯＭ１１８か
ら最新の追加登録データを含む全ての欠陥データを読み
出すことが可能となる。

【００３６】図３には、記憶領域Ａ，Ｂそれぞれに記憶
される欠陥データの構造が示されている。記憶領域Ａ，
Ｂのどちらにおいてもその記憶領域に登録される欠陥デ
ータは、登録可能データ数：最大登録可能画素数（ｎ）を示す登録されている欠陥数：実際に欠陥画素として登録されている画素数データ領域：各欠陥画素のＸ．Ｙアドレスという構造を持つ。データ領域には、最大登録可能画素
数（領域Ａはｎ＝１２８、領域Ｂはｎ＝５１２または１
０２４）分の画素アドレス登録エリアが設けられてい
る。

【００３７】次に、図４のフローチャートを参照して、
欠陥検出動作の手順について説明する。

【００３８】まず、システムコントローラ１１２は露出
制御機構１０３に含まれるシャッタ装置で撮像素子の受
光面を遮光してから、その遮光状態でテスト撮像を行な
う（ステップＳ１０１）。すなわち暗黒下でＣＣＤドラ
イバ１０６により本カメラの最長露出時間Ｔmax（設定
は任意：ここでの例示値５ｓ）の電荷蓄積動作を行なっ
てテスト撮像信号（暗出力信号）を読み出し、ディジタ
ルプロセス１０８に格納する。ディジタルプロセス１０
８では、最初に、欠陥補償制御部１１２ｄの制御の下に
「検出用欠陥補償処理」が行われる（ステップＳ１０
２）。「検出用欠陥補償処理」は、初期欠陥データとし
て登録されている欠陥画素を欠陥検出動作の検出対象か
ら除外する目的で行われるものであり、記憶領域Ｄにコ
ピーされている初期欠陥データに基づいて最近接同色画
素による補間処理が行われる。

【００３９】記憶領域Ｃにコピーされている追加登録の
欠陥データに関しても重複検出を排除する目的で「検出
用欠陥補償処理」を行うことが考えられるが、初期欠陥
データに比べると追加登録の欠陥データの信頼性は必ず
しも十分とは言えないので、検出用欠陥補償処理は初期
欠陥データで指定される欠陥画素についてのみ行うこと
が好ましい。

【００４０】次いで、初期欠陥データに基づいて欠陥補
償された後の画像情報をディジタルプロセス１０８で解
析することにより、暗出力レベルの大きい画素を欠陥画
素として選択するための欠陥検出を行う（ステップＳ１
０３）。このように、「検出用欠陥補償処理」によっ
て、初期欠陥データに基づいて補償処理を行なった後の
画素情報に対して欠陥画素の検出処理が行われるので、
既に欠陥画素アドレスとして登録された画素については
その補償後のデータに対して欠陥検出が行われることに
なる。よって、欠陥画素として登録されている画素が検
出の度に再度欠陥として検出されてしまうという不具合
の発生を防止することが可能となり、未登録の後発性欠
陥のみを検出対象とすることが可能となる。

【００４１】ステップＳ１０３の欠陥検出では、有効出
力画素の全データに関して各出力レベルを調べて基準と
なる検出レベルと比較するというレベル比較方式ではな
く、暗出力レベルが大きいものから順に上位３２個の画
素を単純に選択するという方式が用いられる。つまり、
検出レベルとは無関係に、暗出力レベルが大きいワース
ト３２個の画素が欠陥画素として判定されることにな
る。検出画素数を３２個に制限しているので、補完対象
の画素数が欠陥補償処理の許容する画素数以上になると
いう検出画素数の増えすぎによる画質破綻が生じること
はない。また、ＣＣＤ１０５が比較的欠陥の程度の軽い
素子である場合であっても、少なくともワースト３２画
素についてはそれを検出できるので、欠陥画素の検出漏
れなどの不具合が生じることもない。

【００４２】ワースト３２個の画素選択動作において
は、図５に示すような３２画素分のバッファが使用され
る。最初の３２画素については無条件にその画素アドレ
スと暗出力レベルのペアがバッファに順次登録される。
３３画素目からは、各画素毎に、その時点でバッファに
記憶されている最小の暗出力レベルとの比較が行われ、
バッファに登録するか否かが判断される。このように、
画素選択動作は単純な演算処理により行うことが出来
る。

【００４３】なお、最大暗出力レベルの画素が同値で３
２個よりも多く存在する場合には、例外的に、検出画素
が画面の４隅などに分散するようにそれら同値最大の画
素それぞれの中から登録する画素を適宜選別する処理を
行うようにすればよい。また、実際には、例えば暗出力
レベルがほとんど零の画素については欠陥画素としない
というレベル判定を併用しても良いことはもちろんであ
る。

【００４４】次いで、画素選択動作で選択されたワース
ト３２個の欠陥画素アドレスが、記憶領域Ｅに登録され
る（ステップＳ１０４）。そして、記憶領域Ｃに読み込
まれている欠陥画素アドレスとの重複をチェックし、重
複しない欠陥画素アドレスのみがＥＥＰＲＯＭ１１８の
記憶領域Ａに追加書き込みされる（ステップＳ１０
５）。

【００４５】次に、図６のフローチャートを参照して、
本撮像時の撮像・記録動作について説明する。

【００４６】まず、撮影に先立ってマニュアル設定また
は測光結果に基づいて撮影に必要な露光時間が設定さ
れ、本撮像の撮影トリガー指令を受けたら所定の露出制
御値に基いた露光を行ない、ＣＣＤ１０５からの撮像信
号の読み出しが行われる（ステップＳ１１１）。撮像信
号はＡ／Ｄ変換された後にディジタルプロセス１０８に
入力され、そこで欠陥補償処理が実行される（ステップ
Ｓ１１２）。この欠陥補償処理では、記憶領域Ｃ，Ｄ，
Ｅそれぞれに記憶されている欠陥画素アドレスの総和に
基づいて行われる。具体的には、記憶領域Ｃの欠陥画素
アドレスに基づく欠陥補償と、記憶領域Ｄの欠陥画素ア
ドレスに基づく欠陥補償と、記憶領域Ｅの欠陥画素アド
レスに基づく欠陥補償とをそれぞれ実行すればよい。欠
陥補償処理のアルゴリズム自体は「検出用欠陥補償処
理」と同じ最近接同色画素による補間処理であり、「検
出用欠陥補償処理」の場合と同じ演算処理部にて実現さ
れる。

【００４７】そして、欠陥補償後の画像情報に対して各
種画像処理を施した後に（ステップＳ１１３）、メモリ
カード１１０に記録する（ステップＳ１１４）。

【００４８】次に、図７のフローチャートを参照して、
電池挿入が検出されてからの一連の処理の流れについて
説明する。

【００４９】電池交換などによって新たに電池が挿入さ
れた場合（または電池が挿入されてない状態で電源アダ
プタが接続された場合）、それによってシステムコント
ローラ１１２が起動され、初期動作が開始される（ステ
ップＳ１２１）。そして、システムコントローラ１１２
は電源スイッチの投入を待機するスタンバイモードとな
る。使用者によって電源スイッチがＯＮされると（ステ
ップＳ１２２）、システムコントローラ１１２は電源回
路１１９を制御してカメラ内の各部への電源供給を開始
させ、カメラを電源オン状態に設定する（ステップＳ１
２３）。この電源オンが電池挿入後の最初の電源投入で
あった場合には（ステップＳ１２４のＹＥＳ）、システ
ムコントローラ１１２は、ＥＥＰＲＯＭ１１８から記憶
領域Ａ，Ｂの欠陥データを読み込み（ステップＳ１２
５）、それをＲＡＭ１１２ａの記憶領域Ｂ，Ｃに書き込
む（ステップＳ１２６）。

【００５０】システムコントローラ１１２にはタイマー
が内蔵されており、そのタイマーによって前回の欠陥検
出を実行した時点あるいは電池挿入時点から２４時間経
過していることが検出されると（ステップＳ１２７のＹ
ＥＳ）、図４で説明した欠陥検出動作が開始され、後発
性欠陥画素の検出およびＥＥＰＲＯＭ１１８への追加登
録が行われる（ステップＳ１２８）。

【００５１】この後、システムコントローラ１１２は、
シャッタートリガ操作や電源スイッチＯＦＦ等を待機す
るモードとなる。シャッタートリガ操作（撮影トリガー
指令）がなされると（ステップＳ１２９のＹＥＳ）、シ
ステムコントローラ１１２は、図６のフローチャートで
説明した撮像・記録動作を実行する（ステップＳ１３
０）。また電源スイッチがＯＦＦされた場合には（ステ
ップＳ１３１のＹＥＳ）、システムコントローラ１１２
は、電源回路１１９を制御してカメラ内の各部への電源
供給を停止してカメラを電源オフした後（ステップＳ１
３２）、電源スイッチの投入を待機するスタンバイモー
ドとなる。

【００５２】以上のように、本実施形態においては、Ｅ
ＥＰＲＯＭ１１８を第１および第２の２つの記憶領域に
分けて管理し、初期欠陥データが記憶されている第１の
記憶領域については読出しのみを行ない、欠陥データ検
出部１１２ｃによって検出された欠陥データは第１の記
憶領域とは別の第２の記憶領域に書き込むようにするこ
とにより、初期欠陥データを破壊する危険を回避するこ
とができる。

【００５３】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範
囲で種々に変形することが可能である。例えば、上記実
施形態では欠陥検出、欠陥画素の登録、補償処理をいわ
ゆる白欠陥を対象に説明したが、黒欠陥についても同様
にして欠陥検出、欠陥画素の登録、補償処理を行うこと
が出来る。黒欠陥検出時には遮光状態にするのではなく
何らかの方法で撮像面への白色光入力を行えばよい。ま
た上述の実施形態においては、ディジタルスチルカメラ
を例示して説明したが、ディジタルムービーに対しても
同様にして適用することができる。

【００５４】更に、上記実施形態には種々の段階の発明
が含まれており、開示される複数の構成要件における適
宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例え
ば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要
件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で
述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられてい
る効果が得られる場合には、この構成要件が削除された
構成が発明として抽出され得る。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
初期欠陥データが破壊される危険を回避しつつ、後発性
の検出欠陥についても検出できるようになり、動作の信
頼性が高く且つ経時的画素欠陥増加による画質劣化を生
じない高性能な撮像装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係わる電子カメラの構成
を示すブロック図。

【図２】同実施形態で用いられるＥＥＰＲＯＭの構造と
欠陥データのリード・ライト処理を説明するための図。

【図３】同実施形態においてＥＥＰＲＯＭに登録される
欠陥データの構造を説明するための図。

【図４】同実施形態における欠陥検出動作の手順を説明
するためのフローチャート。

【図５】図４の欠陥検出動作で行われるワースト所定数
選択処理の演算処理を説明するための図。

【図６】同実施形態における撮像・記録動作の手順を説
明するためのフローチャート。

【図７】同実施形態において電池挿入が検出されてから
の一連の処理の流れを示すフローチャート。

【符号の説明】

１０１…レンズ系１０２…レンズ駆動機構１０３…露出制御機構１０４…フィルタ系１０５…ＣＣＤカラー撮像素子１０６…ＣＣＤドライバ１０７…プリプロセス回路１０８…ディジタルプロセス回路１０９…カードインターフェース１１０…メモリカード１１１…ＬＣＤ画像表示系１１２…システムコントローラ（ＣＰＵ）１１２ａ…ＲＡＭ１１２ｂ…メモリ制御部１１２ｃ…欠陥データ検出部１１２ｄ…欠陥補償制御部１１８…ＥＥＰＲＯＭ１１９…電源回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者木島貴行東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内 (72)発明者吉田英明東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内Ｆターム(参考） 5B047 BB04 CA21 CB05 DA06 EB01 EB15 5C024 AX01 BX01 CX23 GY01 HX59 5C072 AA01 EA05 EA08 FB16 UA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】撮像素子と、前記撮像素子に被写体像を入
力する撮像光学系と、前記撮像素子に関する欠陥データを記憶する不揮発性記
憶手段と、前記撮像素子に関する欠陥データを検出する欠陥検出手
段と、前記不揮発性記憶手段に対する前記撮像素子に関する欠
陥データの読み書きを制御する制御手段とを具備し、前記不揮発性記憶手段は、前記撮像素子に関する初期欠
陥データを記憶する第１の記憶領域と、前記第１の記憶
領域とは別の記憶領域である第２の記憶領域とを有した
ものであり、前記制御手段は前記欠陥検出手段が検出した欠陥データ
を前記第２の記憶領域に書き込むように構成されたもの
であることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】前記制御手段が前記第２の記憶領域に書き
込む欠陥データは、前記欠陥検出手段が検出した欠陥デ
ータのうち、前記第１の記憶領域に記憶された前記初期
欠陥データと重複しない後発性欠陥データであることを
特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】前記撮像素子の欠陥データに基づいて、前
記撮像素子の出力に対して近隣画素データによる補償処
理を行なう欠陥補償手段をさらに具備することを特徴と
する請求項１または２記載の撮像装置。
【請求項４】前記欠陥補償手段が前記補償処理に際して
用いる欠陥データは、前記第１の記憶領域から読み出さ
れた前記初期欠陥データと前記第２の記憶領域から読み
出された後発性欠陥データと合わせたものであることを
特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】前記欠陥データは、欠陥画素のアドレスデ
ータであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
１項記載の撮像装置。