JP2002280811A - Microwave circuit - Google Patents

Microwave circuit

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JP2002280811A
JP2002280811A JP2001078618A JP2001078618A JP2002280811A JP 2002280811 A JP2002280811 A JP 2002280811A JP 2001078618 A JP2001078618 A JP 2001078618A JP 2001078618 A JP2001078618 A JP 2001078618A JP 2002280811 A JP2002280811 A JP 2002280811A
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effect transistor
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field
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microwave circuit with a plurality of degrees of coupling in the case of delivering part of signal power delivered through one transmission line to other transmission line depending on its degree of coupling. SOLUTION: Each input terminal of switches 15, 17 is connected to both ends of a 3rd transmission line 13 placed between 1st and 2nd transmission lines 11, 12 and one of output terminals of the respective switches is connected via resistors 16, 18 to ground and the other of the output terminals is connected directly to ground.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、1つの伝送線路を
伝送する信号電力の一部を、これと結合する他の伝送線
路に移す場合などに使用されるマイクロ波回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave circuit used for transferring a part of signal power transmitted through one transmission line to another transmission line coupled thereto.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のマイクロ波回路について、セミリ
エントラント構造の方向性結合器を例にとり図5を参照
して説明する。
2. Description of the Related Art A conventional microwave circuit will be described with reference to FIG. 5 taking a directional coupler having a semi-reentrant structure as an example.

【0003】伝搬波長(λ)の4分の1の長さ(以下λ
/4)分第1および第2の2つの伝送線路41、42が
所定間隔で平行に設けられている。2つの伝送線路4
1、42間に、λ/4の長さ分フローティングされた第
3の伝送線路43が第1および第2の伝送線路41、4
2と平行に設けられている。第1伝送線路41の一端に
信号の入力端子INが接続され、他端はたとえば50オ
ームの抵抗44を介して接地されている。第2伝送線路
42の一端は接地され、他端に出力端子OUTが接続さ
れている。
The length of a quarter of the propagation wavelength (λ) (hereinafter λ
/ 4) The first and second transmission lines 41 and 42 are provided in parallel at a predetermined interval. Two transmission lines 4
A third transmission line 43 floating by a length of λ / 4 is provided between the first and second transmission lines 41 and 4 between the first and second transmission lines 41 and 4.
2 is provided in parallel. A signal input terminal IN is connected to one end of the first transmission line 41, and the other end is grounded via a resistor 44 of, for example, 50 ohms. One end of the second transmission line 42 is grounded, and the other end is connected to the output terminal OUT.

【0004】上記した構成において、入力端子INから
入力したマイクロ波信号は、第1伝送線路41および第
2伝送線路42間の結合度に応じて、その電力の一部が
第2伝送線路42に移り出力端子OUTに出力される。
In the above configuration, a part of the power of the microwave signal input from the input terminal IN is transmitted to the second transmission line 42 in accordance with the degree of coupling between the first transmission line 41 and the second transmission line 42. It is output to the transition output terminal OUT.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波回路
は、第1および第2の2つの伝送線路41、42間にフ
ローティングされた第3の伝送線路43が設けられ、2
つの伝送線路41、42に大きな結合量が得られる構成
になっている。しかし、2つの伝送線路41、42間の
結合度は1種類のみで、結合量の自由度に限界があっ
た。
The conventional microwave circuit is provided with a third transmission line 43 floating between the first and second two transmission lines 41 and 42.
The configuration is such that a large coupling amount can be obtained for the two transmission lines 41 and 42. However, the degree of coupling between the two transmission lines 41 and 42 is only one, and the degree of freedom of the coupling amount is limited.

【0006】本発明は、上記した欠点を解決するもの
で、1つの伝送線路を伝送する信号電力の一部をその結
合度に応じて他の伝送線路に移す場合に、複数の結合度
が得られるマイクロ波回路を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned drawbacks. When a part of signal power transmitted through one transmission line is transferred to another transmission line according to the degree of coupling, a plurality of coupling degrees can be obtained. It is an object of the present invention to provide a microwave circuit.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、伝搬波長の4
分の1の長さ分所定間隔に配置された第1および第2の
伝送線路と、伝搬波長の4分の1の長さ分前記第1およ
び第2の伝送線路間に配置された第3の伝送線路とを具
備したマイクロ波回路において、入力端および第1およ
び第2の出力端を有しその入力端が前記第3の伝送線路
の一端に接続された第1のスイッチ回路と、入力端およ
び第1および第2の出力端を有しその入力端が前記第3
の伝送線路の他端に接続された第2のスイッチ回路と、
前記第1および第2のスイッチ回路それぞれの第1の出
力端に一端が接続された抵抗とを設け、前記抵抗の他端
および前記第1および第2のスイッチ回路それぞれの第
2の出力端を接地したことを特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a transmission wavelength of four.
A first and a second transmission line disposed at a predetermined interval by a length of one-third, and a third and a third transmission line disposed between the first and second transmission lines by a length of a quarter of a propagation wavelength. A first switch circuit having an input end and first and second output ends, the input end of which is connected to one end of the third transmission line; End and first and second output terminals, the input terminal of which is the third terminal.
A second switch circuit connected to the other end of the transmission line,
A resistor having one end connected to the first output terminal of each of the first and second switch circuits is provided, and the other end of the resistor and the second output terminal of each of the first and second switch circuits are connected to each other. It is characterized by being grounded.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、セミ
リエントラント構造の方向性結合器を例にとり図1を参
照して説明する。λ/4の長さ分第1および第2の2つ
の伝送線路11、12が所定間隔で平行に設けられてい
る。2つの伝送線路11、12間に、λ/4の長さ分第
3の伝送線路13が2つの伝送線路11、12と平行に
設けられている。第1伝送線路11の一端はマイクロ波
などの高周波信号が入力する入力端子INに接続され、
他端はたとえば50オームの抵抗14を介して接地され
ている。第2伝送線路12は一端が接地され、他端に出
力端子OUTが接続されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 taking a directional coupler having a semi-reentrant structure as an example. First and second two transmission lines 11 and 12 are provided in parallel at a predetermined interval for a length of λ / 4. A third transmission line 13 having a length of λ / 4 is provided between the two transmission lines 11 and 12 in parallel with the two transmission lines 11 and 12. One end of the first transmission line 11 is connected to an input terminal IN to which a high-frequency signal such as a microwave is input,
The other end is grounded via a resistor 14 of, for example, 50 ohms. One end of the second transmission line 12 is grounded, and the other end is connected to the output terminal OUT.

【0009】第3伝送線路13の一端は、第1のスイッ
チ回路15たとえば1入力2出力スイッチ回路に接続さ
れている。第1のスイッチ回路15は1つの入力端15
iおよび2つの出力端15o1、15o2を有し、その
入力端15iが第3伝送線路13の一端に接続されてい
る。第1のスイッチ回路15の一方の出力端15o1
は、高周波で実質的に開放となるような高い抵抗値をも
つ抵抗16を介して接地され、他方の出力端15o2は
接地されている。
One end of the third transmission line 13 is connected to a first switch circuit 15, for example, a one-input two-output switch circuit. The first switch circuit 15 has one input terminal 15
i and two output terminals 15 o 1 and 15 o 2, and the input terminal 15 i is connected to one end of the third transmission line 13. One output terminal 15o1 of the first switch circuit 15
Is grounded via a resistor 16 having a high resistance value which is substantially open at high frequencies, and the other output terminal 15o2 is grounded.

【0010】第3伝送線路13の他端は、第1のスイッ
チ回路15と同じ構成の第2のスイッチ回路17たとえ
ば1入力2出力スイッチ回路と接続されている。第2の
スイッチ回路17は1つの入力端17iおよび2つの出
力端17o1、17o2を有し、その入力端17iが第
3伝送線路13の他端に接続されている。第2のスイッ
チ回路17の一方の出力端17o1は高周波で実質的に
開放となるような高い抵抗値をもつ抵抗18を介して接
地され、他方の出力端17o2は接地に接続されてい
る。
The other end of the third transmission line 13 is connected to a second switch circuit 17 having the same configuration as the first switch circuit 15, for example, a one-input two-output switch circuit. The second switch circuit 17 has one input terminal 17i and two output terminals 17o1 and 17o2, and the input terminal 17i is connected to the other end of the third transmission line 13. One output terminal 17o1 of the second switch circuit 17 is grounded via a resistor 18 having a high resistance value which is substantially open at a high frequency, and the other output terminal 17o2 is connected to ground.

【0011】第1のスイッチ回路15および第2のスイ
ッチ回路17は制御回路20に接続され、制御回路20
が出力する制御信号Sにより、それぞれの2つの出力端
のいずれか一方が入力端と接続する構成になっている。
The first switch circuit 15 and the second switch circuit 17 are connected to a control circuit 20.
, One of the two output terminals is connected to the input terminal in response to the control signal S output from the other.

【0012】上記の構成において、制御回路20の制御
信号Sで、たとえば第1のスイッチ回路15および第2
のスイッチ回路17の入力端15i、17iがそれぞれ
の一方の出力端15o1、17o1と接続する。
In the above configuration, for example, the first switch circuit 15 and the second
Input terminals 15i, 17i of the switch circuit 17 are connected to the respective one output terminals 15o1, 17o1.

【0013】このとき、出力端15o1、17o1は高
周波で実質的に開放であるため、第3伝送線路13は高
周波的にフローティングされた状態となり、いわゆる通
常のセミリェントラント方向性結合器が形成され、第1
および第2の伝送線路11、12間の結合度はたとえば
αとなる。したがって、入力端子INから入力したマイ
クロ波信号は、第1伝送線路11および第2伝送線路1
2間の結合度αに応じて、その一部が第2伝送線路12
に移り出力端子OUTに出力する。
At this time, since the output terminals 15o1 and 17o1 are substantially open at a high frequency, the third transmission line 13 is in a floating state at a high frequency, forming a so-called ordinary semi-lentrant directional coupler. , First
And the degree of coupling between the second transmission lines 11 and 12 is, for example, α. Therefore, the microwave signal input from the input terminal IN is transmitted to the first transmission line 11 and the second transmission line 1.
Of the second transmission line 12 according to the degree of coupling α between
And output to the output terminal OUT.

【0014】次に、制御回路20の制御信号によって、
たとえば第1のスイッチ回路15および第2のスイッチ
回路17の入力端15i、17iがそれぞれの他方の出
力端15o2、17o2と接続される。
Next, according to the control signal of the control circuit 20,
For example, the input terminals 15i and 17i of the first switch circuit 15 and the second switch circuit 17 are connected to the other output terminals 15o2 and 17o2, respectively.

【0015】このとき、第3伝送線路13の両端は高周
波的に接地された状態となり、第1および第2の伝送線
路11、12間の結合度はたとえばβとなる。したがっ
て、入力端子INから入力したマイクロ波信号は、第1
伝送線路11および第2伝送線路12間の結合度βに応
じて、その電力の一部が第2伝送線路12に移り出力端
子OUTに出力する。
At this time, both ends of the third transmission line 13 are grounded in terms of high frequency, and the degree of coupling between the first and second transmission lines 11 and 12 is, for example, β. Therefore, the microwave signal input from the input terminal IN is the first signal.
In accordance with the degree of coupling β between the transmission line 11 and the second transmission line 12, part of the power is transferred to the second transmission line 12 and output to the output terminal OUT.

【0016】上記した構成によれば、所定の結合度で結
合する第1および第2の2つの伝送線路11、12間に
配置された第3伝送線路13の終端条件を、たとえばフ
ローティングあるいは接地状態に変更している。これに
より、2つの伝送線路11、12間に第3の伝送線路1
3を配置した同一構造で2つの結合量が得られ、その
分、用途が拡大する。
According to the above-described configuration, the termination condition of the third transmission line 13 disposed between the first and second two transmission lines 11 and 12 to be coupled with a predetermined degree of coupling is set to, for example, a floating or ground state. Has been changed to. Thereby, the third transmission line 1 is provided between the two transmission lines 11 and 12.
With the same structure in which 3 are arranged, two bonding amounts can be obtained, and the usage is expanded accordingly.

【0017】次に、本発明の他の実施形態について、図
1の回路構成をより具体化した一例を示す図2で説明す
る。図2では、図1に対応する部分には同じ符号を付し
ている。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2, which shows an example in which the circuit configuration of FIG. In FIG. 2, parts corresponding to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0018】第1および第2の2つの伝送線路11、1
2がλ/4の長さ分所定間隔で平行に設けられている。
2つの伝送線路11、12間には、第3の伝送線路13
がλ/4の長さ分2つの伝送線路11、12と平行に設
けられている。
First and second two transmission lines 11, 1
2 are provided in parallel at a predetermined interval for the length of λ / 4.
A third transmission line 13 is provided between the two transmission lines 11 and 12.
Are provided in parallel with the two transmission lines 11 and 12 for the length of λ / 4.

【0019】第1伝送線路11の一端はマイクロ波など
の高周波信号が入力する入力端子INに接続され、他端
はたとえば50オームの抵抗14を介して接地されてい
る。第2伝送線路12は一端が接地され、他端に出力端
子OUTが接続されている。第3伝送線路13の一端は
第1のスイッチ回路15たとえば1入力2出力スイッチ
回路に接続され、他端は第2のスイッチ回路17たとえ
ば1入力2出力スイッチ回路と接続されている。
One end of the first transmission line 11 is connected to an input terminal IN to which a high frequency signal such as a microwave is input, and the other end is grounded via a resistor 14 of, for example, 50 ohms. One end of the second transmission line 12 is grounded, and the other end is connected to the output terminal OUT. One end of the third transmission line 13 is connected to a first switch circuit 15 such as a one-input two-output switch circuit, and the other end is connected to a second switch circuit 17 such as a one-input two-output switch circuit.

【0020】第1のスイッチ回路15は、たとえば電界
効果トランジスタT1、T2で構成された2つのスイッ
チSW1、SW2などから構成されている。第1のスイ
ッチ回路15は、1つの入力端15iおよび2つの出力
端15o1、15o2を有し、その入力端15iが第3
伝送線路13の一端に接続されている。第1のスイッチ
回路15の一方の出力端15o1は、高周波で実質的に
開放となるような高い抵抗値をもつ抵抗16を介して接
地され、他方の出力端15o2は接地されている。
The first switch circuit 15 is composed of, for example, two switches SW1 and SW2 composed of field effect transistors T1 and T2. The first switch circuit 15 has one input terminal 15i and two output terminals 15o1 and 15o2, and the input terminal 15i is connected to the third input terminal 15i.
It is connected to one end of the transmission line 13. One output terminal 15o1 of the first switch circuit 15 is grounded via a resistor 16 having a high resistance value which is substantially open at a high frequency, and the other output terminal 15o2 is grounded.

【0021】第2のスイッチ回路17は、第1のスイッ
チ回路15と同様に、たとえば電界効果トランジスタT
3、T4で構成された2つのスイッチSW3、SW4な
どから構成され、1つの入力端17iおよび2つの出力
端17o1、17o2を有し、その入力端17iが第3
伝送線路13の他端に接続されている。第2のスイッチ
回路17の一方の出力端17o1は高周波で実質的に開
放となるような高い抵抗値をもつ抵抗18を介して接地
され、他方の出力端17o2は接地に接続されている。
The second switch circuit 17 is, for example, similar to the first switch circuit 15, for example, a field-effect transistor T
3, two switches SW3, SW4, etc., which are configured by T4, have one input terminal 17i and two output terminals 17o1, 17o2, and the input terminal 17i is the third terminal.
It is connected to the other end of the transmission line 13. One output terminal 17o1 of the second switch circuit 17 is grounded via a resistor 18 having a high resistance value which is substantially open at a high frequency, and the other output terminal 17o2 is connected to ground.

【0022】スイッチSW1〜SW4を構成する電界効
果トランジスタT1〜T4のゲートG1〜G4はそれぞ
れバイアス電源19に接続されている。バイアス電源1
9は制御回路20に接続され、制御回路20の制御信号
Sによって、電界効果トランジスタT1〜T4のゲート
G1〜G4に所定のバイアス電圧を印加する。
The gates G1 to G4 of the field effect transistors T1 to T4 constituting the switches SW1 to SW4 are connected to a bias power supply 19, respectively. Bias power supply 1
Reference numeral 9 is connected to the control circuit 20, and applies a predetermined bias voltage to the gates G1 to G4 of the field effect transistors T1 to T4 according to the control signal S of the control circuit 20.

【0023】上記の構成において、制御回路20の制御
で、バイアス電源19から電界効果トランジスタT1、
T3のゲートG1、G3に0Vのバイアス電圧を印加し
第1スイッチSW1および第3スイッチSW3を同時に
導通状態に設定する。一方、電界効果トランジスタT
2、T4のゲートG2、G4にピンチオフ以下のバイア
ス電圧を印加し第2スイッチSW2および第4スイッチ
SW4を非導通状態に設定する。
In the above configuration, under the control of the control circuit 20, the bias power supply 19 supplies the field-effect transistors T1,
A bias voltage of 0 V is applied to the gates G1 and G3 of T3, and the first switch SW1 and the third switch SW3 are simultaneously set to the conductive state. On the other hand, the field effect transistor T
2. Apply a bias voltage equal to or less than the pinch-off to the gates G2 and G4 of T4 to set the second switch SW2 and the fourth switch SW4 to the non-conductive state.

【0024】この場合、図2の線A−A´で断面にした
図3の断面図に示すように、第1および第2の2つの伝
送線路11、12に挟まれた第3伝送線路13の両端は
実質的に開放となる。そのため、第3伝送線路13は高
周波的にフローティングされた状態となり、いわゆる通
常のセミリェントラント方向性結合器が形成され、第1
および第2の伝送線路11、12間の結合度はたとえば
αとなる。
In this case, as shown in the sectional view of FIG. 3 taken along the line AA 'of FIG. 2, the third transmission line 13 sandwiched between the first and second two transmission lines 11 and 12 is shown. Are substantially open at both ends. Therefore, the third transmission line 13 is in a state of floating at a high frequency, and a so-called ordinary semi-lentrant directional coupler is formed.
And the degree of coupling between the second transmission lines 11 and 12 is α, for example.

【0025】第1〜第3の伝送線路11〜13は、たと
えばGaAs基板などの半絶縁性基板21上に形成さ
れ、半絶縁性基板21の裏側には接地用導体22が設け
られている。
The first to third transmission lines 11 to 13 are formed on a semi-insulating substrate 21 such as a GaAs substrate, and a grounding conductor 22 is provided on the back side of the semi-insulating substrate 21.

【0026】上記したスイッチ設定の場合、入力端子I
Nから入力したマイクロ波信号は、第1伝送線路11お
よび第2伝送線路12間の結合度αに応じて、その一部
が第2伝送線路12に移り出力端子OUTに出力され
る。
In the case of the above switch setting, the input terminal I
A part of the microwave signal input from N is transferred to the second transmission line 12 according to the coupling degree α between the first transmission line 11 and the second transmission line 12, and is output to the output terminal OUT.

【0027】次に、電界効果トランジスタT2、T4の
ゲートG2、G4に0Vのバイアス電圧を印加し、第2
スイッチSW2および第4スイッチSW4を同時に導通
状態に設定する。一方、電界効果トランジスタT1、T
3のゲートG1、G3にピンチオフ以下のバイアス電圧
を印加し、第1スイッチSW1および第3スイッチSW
3を非導通状態に設定する。
Next, a bias voltage of 0 V is applied to the gates G2, G4 of the field effect transistors T2, T4,
The switch SW2 and the fourth switch SW4 are simultaneously turned on. On the other hand, the field effect transistors T1, T
A bias voltage equal to or less than the pinch-off is applied to the gates G1 and G3 of the first switch SW1 and the third switch SW3.
3 is set to a non-conductive state.

【0028】この場合、図2の線A−A´で断面にした
図4の断面図に示すように、第3伝送線路13の両端は
スルーホール31などで高周波的に接地された状態とな
り、第1および第2の伝送線路11、12間の結合度は
たとえばβとなる。
In this case, as shown in the cross-sectional view of FIG. 4 taken along the line AA ′ in FIG. 2, both ends of the third transmission line 13 are grounded at a high frequency by through holes 31 and the like. The degree of coupling between the first and second transmission lines 11 and 12 is, for example, β.

【0029】上記したスイッチ設定の場合、入力端子I
Nから入力したマイクロ波信号は、第1伝送線路11お
よび第2伝送線路12間の結合度βに応じて、その電力
の一部が第2伝送線路12に移り出力端子OUTに出力
される。
In the case of the above switch setting, the input terminal I
A part of the power of the microwave signal input from N is transferred to the second transmission line 12 according to the degree of coupling β between the first transmission line 11 and the second transmission line 12 and output to the output terminal OUT.

【0030】上記した構成によれば、所定の結合度で結
合する第1および第2の2つの伝送線路間に配置された
第3伝送線路の終端条件が、たとえばフローティングあ
るいは接地状態に変更される。その結果、2つの伝送線
路間に第3の伝送線路を配置した同一構造で2つの結合
量が得られ、用途が拡大する。
According to the above configuration, the termination condition of the third transmission line disposed between the first and second transmission lines coupled with a predetermined degree of coupling is changed to, for example, a floating or ground state. . As a result, two coupling amounts can be obtained with the same structure in which the third transmission line is disposed between the two transmission lines, and the application is expanded.

【0031】上記の実施形態では、それぞれのスイッチ
回路の一方の出力端に抵抗を接続し、第3伝送線路の両
端を高周波で開放状態に設定している。しかし、抵抗を
接続することなく、それぞれのスイッチ回路の一方の出
力端を単に開放とした構成にしても本発明は適用でき
る。
In the above embodiment, a resistor is connected to one output terminal of each switch circuit, and both ends of the third transmission line are set to an open state at a high frequency. However, the present invention can be applied to a configuration in which one output terminal of each switch circuit is simply opened without connecting a resistor.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明によれば、所定の結合度で結合す
る2つの伝送路間に他の伝送線路を配置する場合に、2
つの伝送路間に2つの結合度が得られるマイクロ波回路
が実現される。
According to the present invention, when another transmission line is disposed between two transmission lines coupled with a predetermined degree of coupling,
A microwave circuit that can obtain two degrees of coupling between two transmission paths is realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態を説明するための概略の回路
図である。
FIG. 1 is a schematic circuit diagram for explaining an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施形態を説明するための概略の
回路図である。
FIG. 2 is a schematic circuit diagram for explaining another embodiment of the present invention.

【図3】本発明の動作を説明するための概略の断面図で
ある。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the operation of the present invention.

【図4】本発明の動作を説明するための概略の断面図で
ある。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the operation of the present invention.

【図5】従来例を説明するための概略の回路図である。FIG. 5 is a schematic circuit diagram for explaining a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…第1の伝送路 12…第2の伝送路 13…第3の伝送路 14…抵抗 15…第1スイッチ回路 15i…第1スイッチ回路の入力端 15o1…第1スイッチ回路の第1出力端 15o2…第1スイッチ回路の第2出力端 16…抵抗 17…第2スイッチ回路 17i…第2スイッチ回路の入力端 17o1…第2スイッチ回路の第1出力端 17o2…第2スイッチ回路の第2出力端 18…抵抗 19…バイアス回路 20…制御回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... 1st transmission path 12 ... 2nd transmission path 13 ... 3rd transmission path 14 ... resistance 15 ... 1st switch circuit 15i ... input terminal of 1st switch circuit 15o1 ... 1st output terminal of 1st switch circuit 15o2: second output terminal of the first switch circuit 16: resistor 17: second switch circuit 17i: input terminal of the second switch circuit 17o1: first output terminal of the second switch circuit 17o2: second output of the second switch circuit End 18: Resistor 19: Bias circuit 20: Control circuit

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 伝搬波長の4分の1の長さ分所定間隔に
配置された第1および第2の伝送線路と、伝搬波長の4
分の1の長さ分前記第1および第2の伝送線路間に配置
された第3の伝送線路とを具備したマイクロ波回路にお
いて、入力端および第1および第2の出力端を有しその
入力端が前記第3の伝送線路の一端に接続された第1の
スイッチ回路と、入力端および第1および第2の出力端
を有しその入力端が前記第3の伝送線路の他端に接続さ
れた第2のスイッチ回路と、前記第1および第2のスイ
ッチ回路それぞれの第1の出力端に一端が接続された抵
抗とを設け、前記抵抗の他端および前記第1および第2
のスイッチ回路それぞれの第2の出力端を接地したこと
を特徴とするマイクロ波回路。
A first transmission line and a second transmission line which are arranged at a predetermined interval by a length of a quarter of a propagation wavelength, and a transmission line having a length of four
A third transmission line disposed between the first and second transmission lines for a length of one-half, and having an input terminal and first and second output terminals. A first switch circuit having an input terminal connected to one end of the third transmission line, an input terminal and first and second output terminals, the input terminal of which is connected to the other end of the third transmission line; A second switch circuit connected thereto; and a resistor having one end connected to a first output terminal of each of the first and second switch circuits. The other end of the resistor and the first and second switch circuits are provided.
Wherein the second output terminal of each of the switch circuits is grounded.
【請求項2】 伝搬波長の4分の1の長さ分所定間隔に
配置された第1および第2の伝送線路と、伝搬波長の4
分の1の長さ分前記第1および第2の伝送線路間に配置
された第3の伝送線路とを具備したマイクロ波回路にお
いて、入力端および第1および第2の出力端を有しその
入力端が前記第3の伝送線路の一端に接続された第1の
スイッチ回路と、入力端および第1および第2の出力端
を有しその入力端が前記第3の伝送線路の他端に接続さ
れた第2のスイッチ回路とを設け、前記第1および第2
のスイッチ回路それぞれの第1の出力端を開放とし、前
記第1および第2のスイッチ回路それぞれの第2の出力
端を接地したことを特徴とするマイクロ波回路。
2. A transmission line according to claim 1, wherein said first and second transmission lines are arranged at a predetermined interval corresponding to a quarter of the propagation wavelength.
A third transmission line disposed between the first and second transmission lines for a length of one-half, and having an input terminal and first and second output terminals. A first switch circuit having an input terminal connected to one end of the third transmission line, an input terminal and first and second output terminals, the input terminal of which is connected to the other end of the third transmission line; A second switch circuit connected to the first and second switch circuits.
A microwave circuit, wherein a first output terminal of each of the switch circuits is open and a second output terminal of each of the first and second switch circuits is grounded.
【請求項3】 第1および第2のスイッチ回路の入力端
がそれぞれの第1の出力端と接続する第1状態と、前記
第1および第2のスイッチ回路の前記入力端がそれぞれ
の第2の出力端と接続する第2状態とに切り替える制御
回路を設けた請求項1または請求項2記載のマイクロ波
回路。
3. A first state in which the input terminals of the first and second switch circuits are connected to respective first output terminals, and the input terminal of the first and second switch circuits is connected to a respective second terminal. 3. The microwave circuit according to claim 1, further comprising a control circuit for switching to a second state connected to an output terminal of the microwave.
【請求項4】 第1および第2のスイッチ回路がそれぞ
れ電界効果トランジスタを有し、前記電界効果トランジ
スタのゲート電極に大きさの相違するバイアス電圧を印
加するバイアス電源を設けた請求項1または請求項2記
載のマイクロ波回路。
4. The device according to claim 1, wherein each of the first and second switch circuits has a field-effect transistor, and a bias power supply for applying bias voltages having different magnitudes to gate electrodes of the field-effect transistor is provided. Item 3. The microwave circuit according to Item 2.
【請求項5】 伝搬波長の4分の1の長さ分所定間隔に
配置された第1および第2の伝送線路と、伝搬波長の4
分の1の長さ分前記第1および第2の伝送線路間に配置
された第3の伝送線路とを具備したマイクロ波回路にお
いて、一方の側が第1電界効果トランジスタを介して入
力端と接続され他方の側が抵抗を介して接地された第1
の出力端、および、一方の側が第2電界効果トランジス
タを介して入力端と接続され他方の側が接地された第2
の出力端を有し、その入力端が前記第3の伝送線路の一
端に接続された第1のスイッチ回路と、一方の側が第3
電界効果トランジスタを介して入力端と接続され他方の
側が抵抗を介して接地された第1の出力端、および、一
方の側が第4電界効果トランジスタを介して入力端と接
続され他方の側が接地された第2の出力端を有し、その
入力端が前記第3の伝送線路の他端に接続された第2の
スイッチ回路と、前記第1電界効果トランジスタおよび
前記第3電界効果トランジスタを同時に導通または非導
通のいずれか一方に制御し、かつ、前記第2電界効果ト
ランジスタおよび前記第4電界効果トランジスタの導通
または非導通を前記第1電界効果トランジスタおよび前
記第3電界効果トランジスタとは逆の状態に制御する制
御回路とを設けたことを特徴とするマイクロ波回路。
5. A first transmission line and a second transmission line which are arranged at a predetermined interval by a length of a quarter of a propagation wavelength;
A microwave circuit comprising a third transmission line disposed between the first and second transmission lines for one-half the length, one side of which is connected to the input terminal via the first field-effect transistor And the other side is grounded via a resistor.
And a second terminal connected to the input terminal on one side via the second field-effect transistor and the other side grounded.
And a first switch circuit having an input terminal connected to one end of the third transmission line, and one end connected to a third switch circuit.
A first output terminal connected to the input terminal via a field effect transistor and the other side grounded via a resistor; and one side connected to the input terminal via a fourth field effect transistor and the other side grounded And a second switch circuit having an input terminal connected to the other end of the third transmission line and the first field effect transistor and the third field effect transistor. Or a state in which the conduction and non-conduction of the second field effect transistor and the fourth field effect transistor are controlled to either one of the non-conduction state and the conduction state or non-conduction state of the second field effect transistor and the third field effect transistor. And a control circuit for controlling the microwave circuit.
【請求項6】 伝搬波長の4分の1の長さ分所定間隔に
配置された第1および第2の伝送線路と、伝搬波長の4
分の1の長さ分前記第1および第2の伝送線路間に配置
された第3の伝送線路とを具備したマイクロ波回路にお
いて、一方の側が第1電界効果トランジスタを介して入
力端と接続され他方の側が開放された第1の出力端、お
よび、一方の側が第2電界効果トランジスタを介して入
力端と接続され他方の側が接地された第2の出力端を有
し、その入力端が前記第3の伝送線路の一端に接続され
た第1のスイッチ回路と、一方の側が第3電界効果トラ
ンジスタを介して入力端と接続され他方の側が開放され
た第1の出力端、および、一方の側が第4電界効果トラ
ンジスタを介して入力端と接続され他方の側が接地され
た第2の出力端を有し、その入力端が前記第3の伝送線
路の他端に接続された第2のスイッチ回路と、前記第1
電界効果トランジスタおよび前記第3電界効果トランジ
スタを同時に導通または非導通のいずれか一方に制御
し、かつ、前記第2電界効果トランジスタおよび前記第
4電界効果トランジスタの導通または非導通を前記第1
電界効果トランジスタおよび前記第3電界効果トランジ
スタとは逆の状態に制御する制御回路とを設けたことを
特徴とするマイクロ波回路。
6. A first transmission line and a second transmission line which are arranged at a predetermined interval by a length of a quarter of a propagation wavelength,
A microwave circuit comprising a third transmission line disposed between the first and second transmission lines for one-half the length, one side of which is connected to the input terminal via the first field-effect transistor A first output terminal whose other side is open, and a second output terminal whose one side is connected to the input terminal via the second field effect transistor and whose other side is grounded, and whose input terminal is A first switch circuit connected to one end of the third transmission line, a first output terminal connected on one side to an input terminal via a third field-effect transistor and open on the other side; and Has a second output terminal connected to an input terminal via a fourth field-effect transistor and the other side grounded, and has a second output terminal connected to the other end of the third transmission line. A switch circuit;
The field-effect transistor and the third field-effect transistor are simultaneously controlled to be either conductive or non-conductive, and the second field-effect transistor and the fourth field-effect transistor are controlled to be conductive or non-conductive by the first field-effect transistor.
A microwave circuit comprising: a field effect transistor; and a control circuit for controlling a state opposite to that of the third field effect transistor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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