JP2002280692A - Method for manufacturing double-sided board having connecting conductor with metal thin film layer - Google Patents

Method for manufacturing double-sided board having connecting conductor with metal thin film layer

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JP2002280692A JP2001081839A JP2001081839A JP2002280692A JP 2002280692 A JP2002280692 A JP 2002280692A JP 2001081839 A JP2001081839 A JP 2001081839A JP 2001081839 A JP2001081839 A JP 2001081839A JP 2002280692 A JP2002280692 A JP 2002280692A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for effectively manufacturing a double-sized board which is superior in precision, strength and connection reliability, and is integrated with a connecting conductor at only a necessary position. SOLUTION: A board integrated with a connecting conductor is one which comprises at least an insulating resin layer and a connecting conductor, of which insulating resin layer is composed of an organic insulating resin composition which can stand a vacuum film forming method, and which covers at least a side face of the connecting conductor. A method for manufacturing double-sized board integrated with a connecting conductor comprises the steps of: forming the connecting conductor on a base having conductivity and/or insulation properties; burying the connecting conductor in the organic insulating resin composition; exposing the connecting conductor; and forming a metal thin film layer on a face exposing the connecting conductor by the vacuum film forming method.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、金属薄膜層が形成
された接続用導体内蔵基板とその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connecting conductor built-in substrate having a metal thin film layer formed thereon and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、我々を取り巻く社会環境は、情報
通信網の進展と共に大きく変化している。その中に、携
帯機器の成長があり、小型・高機能化と共にその市場は
拡大している。このため、半導体パッケージの更なる小
型化と、それらを高密度に実装できる多層配線基板が要
求され、高密度配線が可能な層間接続、すなわち高密度
多層化技術が重要となっている。
2. Description of the Related Art In recent years, the social environment surrounding us has changed drastically with the development of information communication networks. Among them, there is the growth of portable devices, and the market is expanding along with miniaturization and high functionality. For this reason, further miniaturization of semiconductor packages and a multilayer wiring board capable of mounting them at high density are required, and an interlayer connection capable of high-density wiring, that is, a high-density multilayer technology is important.

【0003】主な多層化方法としては、ドリル穴明けと
めっきプロセスを組み合わせたスルーホール接続があ
り、広く一般に知られているが、全ての層にわたって穴
があくので、配線収容量に限界がある。そこで、接続部
の穴体積を減らすため、絶縁層の形成−穴あけ−回路形
成を繰り返すビルドアップ技術が主流となりつつある。
このビルドアップ技術は、大別して、レーザ法とフォト
リソ法があり、レーザ法は、絶縁層に穴をあけるのにレ
ーザ照射を行うものであり、一方、フォトリソ法は、絶
縁層に感光性の硬化剤(光開始剤)を用い、フォトマス
クを重ねて、露光・現像して穴を形成する。
[0003] As a main multi-layering method, there is a through-hole connection combining a drilling and a plating process, which is widely and generally known. However, since holes are formed in all layers, the wiring capacity is limited. . Therefore, in order to reduce the volume of the hole in the connection portion, a build-up technique in which formation of an insulating layer, drilling, and circuit formation are repeated is becoming mainstream.
This build-up technology is roughly classified into a laser method and a photolithography method.The laser method is to irradiate a laser to make a hole in the insulating layer, while the photolithography method is a method in which a photosensitive hardening is applied to the insulating layer. Using an agent (photoinitiator), a photomask is overlaid, exposed and developed to form a hole.

【0004】また、更なる低コスト化・高密度化を目的
とするいくつかの層間接続方法が提案されている。その
中に、穴明けと導電層めっき工程を省略できる工法が注
目されている。この方法は、まず、基板の配線上に導電
性ペーストの印刷でバンプを形成した後、Bステージ状
態にある層間接続絶縁材と金属層を配置して、プレスに
よりバンプを成形樹脂内に貫挿させ金属層と導通接続さ
せるものである。このバンプを貫挿する方法は、学会や
新聞でも発表されており、プリント板業界で広く認知さ
れている。また、シリコンゴムなどのエラストマの中に
めっきしたワイヤを厚さ方向に埋め込んだものが開発さ
れ、2層の導体を接続する簡易ツールとして利用されて
いる。
Some interlayer connection methods have been proposed for the purpose of further reducing the cost and increasing the density. Among them, attention has been paid to a construction method that can omit the drilling and the conductive layer plating steps. In this method, first, a bump is formed on a wiring of a substrate by printing a conductive paste, an interlayer connection insulating material and a metal layer in a B stage state are arranged, and the bump is inserted into a molding resin by pressing. And electrically connected to the metal layer. The method of penetrating the bump has been announced in academic societies and newspapers, and is widely recognized in the printed circuit board industry. In addition, a material in which a plated wire is embedded in an elastomer such as silicon rubber in a thickness direction has been developed, and is used as a simple tool for connecting two layers of conductors.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術のうちレーザ法では、絶縁材料の選択範囲が広く、
隣接する層間の穴あけだけでなく、さらに隣接する層ま
での穴あけも行えるが、レーザ照射して蒸散した樹脂か
すを除去するためにデスミア処理を必要とし、穴数に比
例した加工費増大を伴うという課題がある。一方、フォ
ト法では、従来の配線板製造設備を利用でき、穴加工も
一度に行うことができ低コスト化に有利ではあるが、層
間絶縁材料の解像度と、耐熱性および回路と絶縁層間の
接着強度の両立が困難であるという課題がある。さらに
また、バンプの形成は、導電ペーストの印刷や、めっき
方法であり、バンプ形成の精度が、印刷技術の限度であ
り、あるいはめっきによるバンプの高さのばらつきを抑
制するのが困難であるという課題がある。また、導電ペ
ーストによるバンプは機械強度が小さく、プレス圧力に
よって破壊されるおそれがあり、穴明け工程を必要とす
る場合があり効率が低くなるおそれがある。シリコンゴ
ムなどのエラストマの中にめっきしたワイヤを厚さ方向
に埋め込んだものは、簡便ではあるが、接続したい任意
の箇所にだけワイヤを埋め込むことが困難であり、格子
状に埋め込むと、接触させたくない箇所では、ワイヤが
じゃまになるという課題がある。このため、必要な箇所
にのみ、接続用導体を内蔵し、微細配線形成にも対応で
きる両面基板の製造方法が期待されている。
However, among the conventional techniques, the laser method has a wide selection range of insulating materials,
In addition to drilling holes between adjacent layers, it is also possible to drill holes to adjacent layers.However, desmearing is required to remove resin residue evaporated by laser irradiation, and processing costs increase in proportion to the number of holes There are issues. On the other hand, in the photo method, the conventional wiring board manufacturing equipment can be used, and a hole can be formed at one time, which is advantageous for cost reduction. However, the resolution of the interlayer insulating material, heat resistance, and adhesion between the circuit and the insulating layer are improved. There is a problem that it is difficult to balance strengths. Furthermore, the formation of bumps is a method of printing a conductive paste or plating, and the accuracy of bump formation is the limit of printing technology, or it is difficult to suppress variations in bump height due to plating. There are issues. In addition, the bumps made of the conductive paste have low mechanical strength, and may be broken by pressing pressure, and may require a drilling step, which may lower the efficiency. Embedding a plated wire in an elastomer such as silicon rubber in the thickness direction is easy, but it is difficult to embed the wire only at the desired point to be connected. There is a problem that the wire gets in the way where you do not want to. For this reason, a method of manufacturing a double-sided board that incorporates connection conductors only in necessary places and can cope with the formation of fine wiring is expected.

【0006】本発明は、精度に優れ、強度に優れ、接続
信頼性に優れ、かつ必要な箇所のみの接続用導体が内蔵
された両面基板を効率よく製造する方法を提供すること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for efficiently manufacturing a double-sided board having excellent precision, excellent strength, excellent connection reliability, and in which connection conductors are built in only necessary portions. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、以下のことを
特徴とする。 (1)少なくとも絶縁樹脂層と接続用導体からなる基板
であって、その絶縁樹脂層が真空成膜法に耐えうる有機
絶縁樹脂組成物からなり、かつ、少なくともその接続用
導体の側面を被覆している接続用導体内蔵基板。 (2)少なくとも片面に真空成膜法により、金属薄膜層
が形成された(1)に記載の接続用導体内蔵両面基板。 (3)導電性およびまたは絶縁性を有する基材の上に、
接続用導体を形成する工程、接続用導体を有機絶縁樹脂
組成物に埋設する工程、接続用導体を露出させる工程、
接続用導体を露出させた面に、真空成膜法にて金属薄膜
層を形成する工程を備える接続導体内蔵両面基板を製造
する方法。 (4)接続用導体を露出させる工程で、接続用導体を被
覆する有機絶縁樹脂組成物の少なくとも接続用導体先端
の一部を、薬液で除去することを特徴とする(3)に記
載の接続導体内蔵両面基板を製造する方法。 (5)導電性および絶縁性を有する基材を機械的および
または薬液で除去する工程と、除去した面に真空成膜に
より金属薄膜層を形成する工程をさらに備える(3)ま
たは(4)に記載の接続導体内蔵両面基板を製造する方
法。 (6)少なくとも片面に形成された金属薄膜層を下地の
電極層にして、配線パターンを電気めっきで形成する工
程を備える、(3)〜(5)のうちいずれかに記載の接
続導体内蔵基板を製造する方法。
The present invention is characterized by the following. (1) A substrate comprising at least an insulating resin layer and a connecting conductor, wherein the insulating resin layer is made of an organic insulating resin composition that can withstand a vacuum film forming method, and covers at least a side surface of the connecting conductor. Built-in connection conductor board. (2) The double-sided substrate with a built-in connection conductor according to (1), wherein the metal thin film layer is formed on at least one surface by a vacuum film forming method. (3) On a conductive and / or insulating substrate,
Forming a connecting conductor, embedding the connecting conductor in the organic insulating resin composition, exposing the connecting conductor,
A method for producing a double-sided board with a built-in connection conductor, comprising a step of forming a metal thin film layer on a surface where the connection conductor is exposed by a vacuum film forming method. (4) The connection according to (3), wherein in the step of exposing the connection conductor, at least a part of the connection conductor tip of the organic insulating resin composition covering the connection conductor is removed with a chemical solution. A method of manufacturing a double-sided board with a built-in conductor. (5) The method according to (3) or (4), further including a step of mechanically and / or a chemical solution removing the conductive and insulating base material and a step of forming a metal thin film layer by vacuum film formation on the removed surface. A method for producing the double-sided board with a built-in connection conductor according to the above. (6) The substrate with a built-in connection conductor according to any one of (3) to (5), further comprising a step of forming a wiring pattern by electroplating using the metal thin film layer formed on at least one surface as an underlying electrode layer. How to manufacture.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明に用いる絶縁樹脂層には、
ポリイミド樹脂を主組成物とした熱硬化性樹脂、ポリイ
ミド樹脂を主組成物とした光硬化性樹脂、あるいは熱可
塑性ポリイミド樹脂を主組成物とした熱可塑性樹脂を用
いることが出来る。まずポリイミド樹脂を主組成物とす
る熱硬化樹脂として、ポリイミド樹脂に加えて、エポキ
シ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアノアクリ
レート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリイソシアネート樹
脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、
ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリ
コーン変性エポキシ樹脂、シリコーン変性ポリアミドイ
ミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、などのうちから選
択された1種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化
促進剤などを混合した半硬化状にしたものが使用でき
る。これらの樹脂を、直接、接続用導体を形成した基板
面に塗布・乾燥することもできるが、ポリエチレンテレ
フタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅
箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリアと
し、その表面に塗布し、加熱乾燥してドライフィルム状
にした接着剤シートとして、必要な大きさに切断し、接
続用導体を形成した基板にラミネートやプレスして用い
ることもできる。ポリイミド樹脂を主組成物とする光硬
化性樹脂としては、ポリイミド樹脂に加えて、不飽和ポ
リエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレ
タンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、
エポキシアクリレート樹脂、などのうちから選択された
1種以上と、必要な場合に、その光開始剤、硬化剤、硬
化促進剤などを混合した半硬化状にしたものが使用でき
る。これらの樹脂を、直接、接続用導体を形成した基板
面に塗布・乾燥することもできるが、ポリエチレンテレ
フタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅
箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリアと
し、その表面に塗布し、露光、加熱乾燥してドライフィ
ルム状にした接着剤シートとして、必要な大きさに切断
し、接続用導体を形成した基板にラミネートやプレスし
て用いることもできる。熱可塑性ポリイミド樹脂を主組
成物とする熱可塑性樹脂としては、熱可塑性ポリイミド
樹脂に加えて、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン
樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、四フッ化ポリエチレン
樹脂、六フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルエー
テルケトン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂、
ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹
脂、ポリオキシベンゾエート樹脂、などのうちから選択
された1種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促
進剤などを混合した半硬化状にしたものが使用できる。
これらの樹脂を、直接、接続用導体を形成した基板面に
塗布・乾燥することもできるが、ポリエチレンテレフタ
レートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅箔あ
るいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリアとし、
その表面に塗布し、加熱乾燥してドライフィルム状にし
た接着剤シートとして、必要な大きさに切断し、接続用
導体を形成した基板にラミネートやプレスして用いるこ
ともできる。これらの絶縁樹脂には、さらに、シリカや
金属酸化物などの無機フィラーを混練して含むことが真
空成膜法に耐える効果を増大させる有効な手段である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The insulating resin layer used in the present invention includes:
A thermosetting resin containing a polyimide resin as a main composition, a photocurable resin containing a polyimide resin as a main composition, or a thermoplastic resin containing a thermoplastic polyimide resin as a main composition can be used. First, as a thermosetting resin having a polyimide resin as a main composition, in addition to the polyimide resin, an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, a cyanoacrylate resin, a phenol resin, an unsaturated polyester resin, a melamine resin, a urea resin, a polyisocyanate resin, Furan resin, resorcinol resin, xylene resin,
Mix one or more selected from benzoguanamine resin, diallyl phthalate resin, silicone-modified epoxy resin, silicone-modified polyamide-imide resin, benzocyclobutene resin, etc., and, if necessary, their curing agent, curing accelerator, etc. Can be used. These resins can be applied and dried directly on the surface of the substrate on which the connecting conductors are formed. It is also possible to cut and cut the adhesive sheet into a required size as a dry film by heating and drying to form a dry film, and to laminate or press the laminate on a substrate on which a connecting conductor is formed. As the photocurable resin having a polyimide resin as a main composition, in addition to the polyimide resin, an unsaturated polyester resin, a polyester acrylate resin, a urethane acrylate resin, a silicone acrylate resin,
A semi-cured mixture of one or more selected from epoxy acrylate resins and, if necessary, a photoinitiator, a curing agent, a curing accelerator and the like can be used. These resins can be applied and dried directly on the surface of the substrate on which the connecting conductors are formed. It is also possible to cut it into a necessary size as an adhesive sheet which has been applied, exposed, dried by heating and dried to form a dry film, and can be used by laminating or pressing it on a substrate on which a connecting conductor is formed. As a thermoplastic resin having a thermoplastic polyimide resin as a main composition, in addition to the thermoplastic polyimide resin, polycarbonate resin, polysulfone resin, polyetherimide resin, polyethylene tetrafluoride resin, hexafluoropolypropylene resin, polyether Ether ketone resin, vinyl chloride resin, polyethylene resin,
A semi-cured mixture obtained by mixing at least one selected from a polyamideimide resin, a polyphenylene sulfide resin, a polyoxybenzoate resin, and the like, and, if necessary, a curing agent and a curing accelerator thereof can be used. .
These resins can be directly applied and dried on the substrate surface on which the connecting conductor is formed, but a plastic film such as a polyethylene terephthalate film or a metal foil such as a copper foil or an aluminum foil is used as a carrier,
The adhesive sheet coated on the surface, dried by heating and dried to form a dry film may be cut into a required size, and may be laminated or pressed on a substrate on which a connecting conductor is formed. It is an effective means to increase the effect of withstanding the vacuum film forming method by kneading these insulating resins with an inorganic filler such as silica or metal oxide.

【0009】接続用導体には、配線導体として用いるも
のでよく、銅箔などの金属箔の不要な個所を選択的にエ
ッチング除去して形成することもでき、除去条件の異な
る金属箔の上に接続用導体部分にのみ無電解めっきや電
解めっきで形成することもできる。この接続用導体の厚
さは、5〜100μmの範囲であることが好ましい。厚
さが5μm未満であると、接続しようとする導体回路の
距離が小さくなり、絶縁性が低下することがあり、厚さ
が100μmを越えると、金属箔の不要な箇所を選択的
にエッチング除去または、めっきするときの微細加工精
度が低下し、好ましくない。より好ましくは、20〜8
0μmの範囲である。
The connection conductor may be used as a wiring conductor, and can be formed by selectively etching and removing unnecessary portions of a metal foil such as a copper foil. It can also be formed by electroless plating or electrolytic plating only on the connecting conductor portion. The thickness of the connection conductor is preferably in the range of 5 to 100 μm. If the thickness is less than 5 μm, the distance between the conductor circuits to be connected is reduced, and the insulation may decrease. If the thickness exceeds 100 μm, unnecessary portions of the metal foil are selectively etched away. Alternatively, the precision of fine processing when plating is reduced, which is not preferable. More preferably, 20 to 8
The range is 0 μm.

【0010】この接続用導体が、絶縁樹脂層を厚さ方向
に貫くように形成されていることが重要であり、このこ
とによって、従来の技術のうち、エラストマにワイヤを
埋め込んだ接続ツールでは、一定間隔でワイヤが埋め込
まれているので、後に形成する微細な回路の接続を行う
ことが困難であるのに対して、接続を予定されていない
箇所に導体を形成しない本発明の方法が、精度に優れた
回路間の接続に適している。
It is important that the connecting conductor is formed so as to penetrate the insulating resin layer in the thickness direction. With this, among the conventional techniques, in a connecting tool in which a wire is embedded in an elastomer, Since wires are embedded at regular intervals, it is difficult to connect a fine circuit to be formed later, whereas the method of the present invention in which a conductor is not formed at a place where connection is not planned is accurate. Excellent for connection between circuits.

【0011】接続用導体内蔵基板11は、例えば、図1
(a)に示すように、絶縁樹脂層12と接続用導体13
からなり、その接続用導体13が、層方向に導体回路を
接続する予定の箇所にのみ絶縁樹脂12を厚さ方向に貫
くように形成され、絶縁樹脂12の両面から露出してい
る構造である。また、図1(b)に示すように、絶縁樹
脂層12の一方の面に導体回路101を有するものでも
よく、その導体回路101が、図1(c)に示すよう
に、金属層111であってもよい。この様な構造からな
る接続用導体基板の接続用導体が露出した少なくとも片
面に、図1(d)に示すように、真空成膜法により、薄
膜金属層112を形成する。この接続用導体13の露出
箇所については、図1(e)に示すように、接続用導体
の先端の一部を露出させた構造であればよい。
The connection conductor built-in substrate 11 is, for example, as shown in FIG.
As shown in (a), the insulating resin layer 12 and the connecting conductor 13
The connecting conductor 13 is formed so as to penetrate the insulating resin 12 in the thickness direction only at a portion where the conductor circuit is to be connected in the layer direction, and is exposed from both surfaces of the insulating resin 12. . Further, as shown in FIG. 1B, a circuit having a conductor circuit 101 on one surface of the insulating resin layer 12 may be used. As shown in FIG. There may be. As shown in FIG. 1D, a thin film metal layer 112 is formed on at least one surface of the connecting conductor substrate having such a structure where the connecting conductor is exposed, as shown in FIG. The exposed portion of the connection conductor 13 may have a structure in which a part of the tip of the connection conductor is exposed as shown in FIG.

【0012】このような金属薄膜層が形成された接続用
導体内蔵の両面基板を作製するには、例えば、図2
(a)に示すように、少なくとも、接続用導体となる第
1の金属層21と、その第1の金属層21と除去条件の
異なる第2の金属層22からなる複合金属箔23の、第
1の金属層21を選択的に除去し、図2(b)に示すよ
うに、層方向に接続する予定の箇所にのみ接続用導体1
3を形成し、図2(c)に示すように、その接続用導体
13を埋設するように絶縁樹脂層12を形成し、図2
(d)に示すように、接続用導体13が露出するように
絶縁樹脂層12を研磨する。第1の金属層21の厚さ
は、接続用導体13を形成するので、それよりも厚くし
なければならず、その程度は、次の工程の絶縁樹脂層1
2の研磨工程で第1の金属層21が研磨除去される量に
応じて決めなければならない。したがって、第1の金属
層21の厚さは、5〜100μmの範囲であることが好
ましい。厚さが5μm未満であると、接続しようとする
導体回路の距離が小さくなり、絶縁性が低下することが
あり、厚さが100μmを越えると、接続用導体を微細
エッチング除去するときの加工精度が低下し、好ましく
ない。より好ましくは、20〜80μmの範囲である。
第2の金属層22の厚さは、5〜100μmの範囲であ
ることが好ましく、厚さが5μm未満であると機械的強
度が低下し、第1の金属層21を選択的にエッチング除
去したときに折れたり曲がりやすくなり、100μmを
越えても特に問題はないが、その後に第2の金属層22
を全面に除去するときに、時間がかかり経済的でない。
より好ましくは20〜80μmの範囲である。
In order to manufacture a double-sided board with a built-in connection conductor on which such a metal thin film layer is formed, for example, FIG.
As shown in (a), at least the first metal layer 21 serving as a connecting conductor and the second metal layer 22 having different removal conditions from the first metal layer 21 are formed of a composite metal foil 23 of the first metal layer 21. 2 is selectively removed, and as shown in FIG. 2 (b), the connection conductor 1
2 and an insulating resin layer 12 is formed so as to bury the connection conductor 13 as shown in FIG.
As shown in (d), the insulating resin layer 12 is polished so that the connection conductor 13 is exposed. Since the thickness of the first metal layer 21 forms the connecting conductor 13, the first metal layer 21 must be thicker than that, and the degree of the thickness is determined in the insulating resin layer 1 in the next step.
It must be determined according to the amount by which the first metal layer 21 is polished and removed in the second polishing step. Therefore, the thickness of the first metal layer 21 is preferably in the range of 5 to 100 μm. When the thickness is less than 5 μm, the distance of the conductor circuit to be connected becomes small, and the insulation property may be reduced. When the thickness exceeds 100 μm, the processing accuracy when the connection conductor is finely etched and removed. Is undesirably reduced. More preferably, it is in the range of 20 to 80 μm.
The thickness of the second metal layer 22 is preferably in the range of 5 to 100 μm. If the thickness is less than 5 μm, the mechanical strength decreases, and the first metal layer 21 is selectively removed by etching. Sometimes it is easy to bend or bend, and there is no particular problem if it exceeds 100 μm.
Is time consuming and uneconomical when removing the entire surface.
More preferably, it is in the range of 20 to 80 μm.

【0013】さらには、図1(a)に示す接続用導体内
蔵基板を作製するには、接続用導体13が露出するよう
に絶縁樹脂層12を研磨した後に、第2の金属層22を
全て除去すればよく、図1(b)に示すような接続基板
を作製するには、その第2の金属層22を選択的に除去
し、導体回路101を形成することができる。
Further, in order to fabricate the connection conductor built-in substrate shown in FIG. 1A, the insulating resin layer 12 is polished so that the connection conductor 13 is exposed, and then the entire second metal layer 22 is removed. In order to manufacture a connection substrate as shown in FIG. 1B, the second metal layer 22 can be selectively removed to form the conductor circuit 101.

【0014】複合金属箔が図3に示す様に、第1の金属
層31と第2の金属層32とさらに第3の金属層33か
らなるものであり、第2の金属層32と第3の金属層3
3の除去条件が異なるものを用いることもできる。この
ようにする理由としては、第1の金属層31と第2の金
属層32のみで複合金属層を構成するのが経済的でない
からである。というのも、第1の金属層31には、経済
的な理由から、銅を用いるのが好ましく、その銅とエッ
チング除去条件の異なる第2の金属層32としては、ニ
ッケルやその合金を用いるのが好ましいが、ニッケルや
その合金は銅に比べて高価であり、銅である第1の金属
層31を選択的にエッチング除去して接続用導体13を
形成したときに、その支えとなる第2の金属層32は、
機械的強度が高くなければならず、従って厚い第2の金
属層32を必要とするが、高価な金属を大量に使用しな
ければならず、経済的でない。そこで、エッチング除去
条件の異なる第2の金属層32を薄くして、機械的強度
を高めるために図3(a)に示す様に第3の金属層33
を有する複合金属箔3を用いるものである。このような
複合金属箔3は、第2の金属層32は薄い方がよく、
0.05〜5μmの範囲であることが好ましい。0.0
5μm未満であると、ニッケルやその合金の層を形成す
るめっき膜に析出欠陥があると薄いために十分にめっき
膜で覆われないので、いわゆるピット(めっき欠け)が
発生し、第1の金属層31をエッチング除去するとき
に、第3の金属層33も浸食されたり、そのエッチング
液が残り、接続の信頼性が低下するおそれがある。5μ
mを越えても工程上では支障がないが、材料の費用が高
くなり、経済的でない。第3の金属層33の厚さは、5
〜100μmの範囲であることが好ましく、厚さが5μ
m未満であると機械的強度が低下し、第1の金属層31
を選択的にエッチング除去したときに折れたり曲がりや
すくなり、100μmを越えても特に問題はないが、そ
の後に第3の金属層33を全面に除去するときに、時間
がかかり経済的でない。より好ましくは20〜80μm
の範囲である。
As shown in FIG. 3, the composite metal foil comprises a first metal layer 31, a second metal layer 32, and a third metal layer 33. Metal layer 3
Those having different removal conditions 3 can also be used. The reason for this is that it is not economical to form a composite metal layer only with the first metal layer 31 and the second metal layer 32. This is because copper is preferably used for the first metal layer 31 for economic reasons, and nickel or an alloy thereof is used as the second metal layer 32 having different etching removal conditions from copper. However, nickel or its alloy is more expensive than copper, and the second metal layer 31 serving as a support when the first metal layer 31 made of copper is selectively etched away to form the connection conductor 13 is preferred. The metal layer 32 of
The mechanical strength must be high, and therefore require a thick second metal layer 32, but a large amount of expensive metal must be used, which is not economical. Therefore, in order to reduce the thickness of the second metal layer 32 under different etching removal conditions and increase the mechanical strength, as shown in FIG.
Is used. In such a composite metal foil 3, the thinner the second metal layer 32 is, the better.
It is preferably in the range of 0.05 to 5 μm. 0.0
If the thickness is less than 5 μm, so-called pits (chip missing) occur because the plating film forming a layer of nickel or an alloy thereof has a deposition defect and is not sufficiently covered with the plating film because it is thin. When the layer 31 is removed by etching, the third metal layer 33 may be eroded or the etchant may remain, and the reliability of the connection may be reduced. 5μ
If it exceeds m, there is no problem in the process, but the cost of the material is high and it is not economical. The thickness of the third metal layer 33 is 5
100100 μm, and a thickness of 5 μm
m, the mechanical strength decreases and the first metal layer 31
Is easily broken or bent when selectively removed by etching, and there is no particular problem if the thickness exceeds 100 μm, but it takes time and is not economical to remove the third metal layer 33 over the entire surface thereafter. More preferably 20-80 μm
Range.

【0015】この3層の複合金属層を用いた場合、接続
用導体13が露出するように絶縁樹脂層12を研磨した
後には、図1(c)の構造を実現出来る。また、この
後、第3の金属層33を選択的に除去し、導体回路10
1を形成し、図1(b)の形態にもできる。また、同様
に、図1(c)のあとに、第3の金属層33を全て除去
し、図1(a)の形態にもできる。第3の金属層33を
除去した後に、露出した第2の金属層32を除去するこ
とができ、導体回路102を形成した場合には、導体回
路102でない箇所の第2の金属層32を除去すること
ができる。
When the three composite metal layers are used, the structure shown in FIG. 1C can be realized after polishing the insulating resin layer 12 so that the connection conductor 13 is exposed. Thereafter, the third metal layer 33 is selectively removed, and the conductor circuit 10 is removed.
1 is formed, and the structure shown in FIG. Similarly, after the step shown in FIG. 1C, the third metal layer 33 is entirely removed, and the structure shown in FIG. 1A can be obtained. After removing the third metal layer 33, the exposed second metal layer 32 can be removed. When the conductor circuit 102 is formed, the second metal layer 32 other than the conductor circuit 102 is removed. can do.

【0016】[0016]

【実施例】実施例1 図3(a)に示すように、第1の金属層31が厚さ70
μmの銅であり、第2の金属層32が厚さ0.2μmの
ニッケルであり、第3の金属層33が厚さ35μmの銅
からなる複合金属層3を準備し、図3(b)に示すよう
に、第1の金属層31の表面に、接続用導体13の形状
にエッチングレジスト34を形成し、図3(c)に示す
ように、ニッケルを浸食しないエッチング液であるアル
カリエッチングAプロセス液(メルストリップ社製、商
品名)をスプレー噴霧して、第1の金属層31を選択的
にエッチング除去して、接続用導体13を形成した。こ
の時のエッチングレジスト34には、レジスト401y
25(日本合成化学工業株式会社製、商品名)を用い、
ロール温度110℃、ロール速度は0.6m/minの
条件でレジストをラミネートし、積算露光量約80mJ
/cm2の露光条件で焼き付け、炭酸ナトリウム溶液で
現像し、レジストの密着を確実なものとするために20
0mJ/cm2で後露光した。第1の金属層31を選択
的にエッチング除去して接続用導体13を形成した後、
水酸化ナトリウム溶液でエッチングレジスト34を剥離
・除去した。次に、図3(c)に示すように、このよう
にして作製した接続用導体13付き複合金属箔の、接続
用導体13の側に、絶縁樹脂層12として、まず、シリ
コーン変性ポリアミドイミドからなる未硬化樹脂フィル
ム(20μm厚)を接続用導体13の側に配置し、その
外側から該未硬化フィルムが接続用導体に追従するよう
にシリコーンゴムを配置し、4.5MPaで175℃、
60分でプレスした。この絶縁層は、以下の方法によっ
て得た。環流冷却器を連結したコック付き25mlの水
分定量受器、温度計、撹拌器を備えた1リットルのセパ
ラブルフラスコに芳香族環を3個以上有するジアミンと
してBAPP(2,2−ビス[4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル]プロパン)65.7g(0.16モ
ル)、シロキサンジアミンとして反応性シリコンオイル
X−22−161AS(信越化学工業株式会社製商品
名、アミン当量416)33.3g(0.04モル)、
TMA(無水トリメリット酸)80.7g(0.42モ
ル)を、非プロトン性極性溶媒としてNMP(N−メチ
ル−2−ピロリドン)560gを仕込み、80℃で30
分間撹拌した。そして水と共沸可能な芳香族炭化水素と
してトルエン100mlを投入してから温度を上げ約1
60℃で2時間環流させた。水分定量受器に水が約7.
2ml以上たまっていること、水の流出が見られなくな
っていることを確認し、水分定量受器にたまっている流
出液を除去しながら、約190℃まで温度を上げて、ト
ルエンを除去した。その後、溶液を室温に戻し、芳香族
ジイソシアネートとしてMDI(4,4’−ジフェニル
メタンジイソシアネート)60.1g(0.24mo
l)を投入し、190℃で2時間反応させた。反応終了
後、シロキサン含有ポリアミドイミドのNMP溶液を得
た。この溶液ワニスをガラス板に塗布し150℃で30
分乾燥した後、フィルムをガラス板から剥がして約20
μmのシロキサン含有ポリアミドイミドのフィルムを得
た。その後、加圧成形後の厚さが45μmとなる、オリ
ゴマーを分散材として微粒シリカを75%以上の高い充填
率で混合したエポキシ樹脂からなる、FTF(日立化成
工業株式会社製、商品名)を重ね、さらにその絶縁樹脂
層12の表面を平滑にするために、図3(d)に示すよ
うに厚さ18μmの銅箔35を、その粗化されていない
側の面が絶縁樹脂層12に接するように重ね、185℃
の温度と、4MPaの圧力を、40分間加えて、加熱・
加圧して積層一体化し、厚さ18μmの銅箔35を手で
剥離した。その後に、図3(e)に示すように、絶縁樹
脂層12を、水溶性オリーブオイルおよびエチレングリ
コールを主成分とし、径が3〜6μmのダイアモンド粒
子を混合した砥粒液で、研磨して、接続用導体13を露
出させた。この後、図3(f)に示すように、第3の金
属層33を、第1の金属層31と同じエッチング液で全
面にエッチング除去し、さらに、ニッケルのエッチング
液であるメルストリップN950(メルテックス社製、
商品名)を用いて、第2の金属層32をエッチング除去
し、接続用導体13が露出した接続基板11を作製し
た。図3(e)の研磨工程では、図4に示す様に、ロー
ル研磨で両面を一度に研磨することができる。図4
(a)に示すように、1mm厚さのエポキシ基板40の
両面に、レシ゛ストフィルムを形成し、露光により粘着力を調整
した支持基板を用意し、この両面に、図4(b)が示す
ように、接続用導体が露出していない基板36をロール
熱圧着で仮固定した。次に、図4(c)で示す様に、回
転する研磨ロール46の間隙を荷重および回転速度を調
整して、通過研磨させた。研磨後、上記支持基板のレシ゛ス
ト界面から基板36は容易に離脱できた。これにより生
産性が飛躍的に向上することが確かめられた。このよう
にして、図3(e)に示す接続用導体内蔵基板を得た。
この後、第3の金属層33、第2の金属層32を選択的
にエッチングして、図3(f)に示すような絶縁樹脂層
を層方向に貫通した接続用導体13を内蔵する基板を得
た。
EXAMPLE 1 As shown in FIG. 3A, the first metal layer 31 has a thickness of 70 mm.
A composite metal layer 3 made of copper having a thickness of 0.2 μm, the second metal layer 32 being nickel having a thickness of 0.2 μm, and the third metal layer 33 being made of copper having a thickness of 35 μm was prepared. As shown in FIG. 3, an etching resist 34 is formed on the surface of the first metal layer 31 in the shape of the connection conductor 13, and as shown in FIG. The first metal layer 31 was selectively etched away by spraying a process liquid (trade name, manufactured by Merstrip Co., Ltd.) to form the connection conductor 13. At this time, the etching resist 34 has a resist 401y.
25 (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., trade name)
The resist is laminated at a roll temperature of 110 ° C. and a roll speed of 0.6 m / min, and the integrated exposure amount is about 80 mJ.
Baking under an exposure condition of / cm 2 and developing with a sodium carbonate solution, 20
And post-exposure in 0mJ / cm 2. After the first metal layer 31 is selectively etched away to form the connection conductor 13,
The etching resist 34 was stripped and removed with a sodium hydroxide solution. Next, as shown in FIG. 3 (c), on the side of the connecting conductor 13 of the composite metal foil with the connecting conductor 13 thus produced, first, as the insulating resin layer 12, a silicone-modified polyamideimide was formed. An uncured resin film (20 μm thick) is placed on the side of the connection conductor 13, and silicone rubber is arranged from the outside so that the uncured film follows the connection conductor, and is placed at 175 ° C. at 4.5 MPa.
Pressed in 60 minutes. This insulating layer was obtained by the following method. BAPP (2,2-bis [4-diamine) as a diamine having three or more aromatic rings was placed in a 1-liter separable flask equipped with a faucet connected to a reflux condenser with a 25 ml water content receiver, a thermometer and a stirrer. (4-aminophenoxy) phenyl] propane) 65.7 g (0.16 mol), 33.3 g of reactive silicone oil X-22-161AS (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., amine equivalent 416) as siloxane diamine ( 0.04 mol),
80.7 g (0.42 mol) of TMA (trimellitic anhydride) and 560 g of NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) as an aprotic polar solvent were charged.
Stirred for minutes. Then, 100 ml of toluene was charged as an aromatic hydrocarbon capable of azeotropic distillation with water, and then the temperature was increased to about 1
Reflux at 60 ° C. for 2 hours. Water is about 7.
After confirming that no more than 2 ml of water had accumulated and that no outflow of water was observed, the temperature was increased to about 190 ° C. while removing the outflow liquid accumulated in the water content measurement receiver to remove toluene. Thereafter, the solution was returned to room temperature, and 60.1 g (0.24 mol) of MDI (4,4'-diphenylmethane diisocyanate) was used as an aromatic diisocyanate.
l) was charged and reacted at 190 ° C. for 2 hours. After completion of the reaction, an NMP solution of the siloxane-containing polyamideimide was obtained. This solution varnish is applied to a glass plate,
After drying, remove the film from the glass
A μm siloxane-containing polyamideimide film was obtained. Then, an FTF (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) made of an epoxy resin mixed with fine particles of silica at a high filling rate of 75% or more using an oligomer as a dispersant and having a thickness of 45 μm after pressure molding is used. In order to overlap and smooth the surface of the insulating resin layer 12, a copper foil 35 having a thickness of 18 μm as shown in FIG. 185 ℃
And a pressure of 4 MPa for 40 minutes.
The copper foil 35 having a thickness of 18 μm was manually peeled off by pressing and laminating and integrating. Thereafter, as shown in FIG. 3 (e), the insulating resin layer 12 is polished with an abrasive liquid obtained by mixing water-soluble olive oil and ethylene glycol as main components and diamond particles having a diameter of 3 to 6 μm. Then, the connection conductor 13 was exposed. Thereafter, as shown in FIG. 3F, the third metal layer 33 is etched and removed with the same etchant as the first metal layer 31, and further, a mel strip N950 (nickel etchant) is removed. Made by Meltex,
By using (trade name), the second metal layer 32 was removed by etching to produce the connection substrate 11 with the connection conductor 13 exposed. In the polishing step of FIG. 3E, both surfaces can be polished at once by roll polishing as shown in FIG. FIG.
As shown in FIG. 4A, a resist film is formed on both sides of an epoxy substrate 40 having a thickness of 1 mm, and a supporting substrate whose adhesive strength is adjusted by exposure is prepared. As shown in FIG. Then, the substrate 36 where the connection conductor was not exposed was temporarily fixed by roll thermocompression bonding. Next, as shown in FIG. 4C, the gap between the rotating polishing rolls 46 was polished by adjusting the load and the rotation speed. After polishing, the substrate 36 could be easily separated from the resist interface of the support substrate. It was confirmed that the productivity was dramatically improved by this. Thus, the connection conductor built-in substrate shown in FIG. 3E was obtained.
Thereafter, the third metal layer 33 and the second metal layer 32 are selectively etched, and the substrate having the built-in connection conductor 13 penetrating the insulating resin layer in the layer direction as shown in FIG. I got

【0017】実施例2 ペーストとして、宇部興産株式会社製ユピコートFS−
100Lをもちいスクリーン印刷後、80℃、30分の
乾燥後、150〜160℃60分の硬化を行い、接続用
導体の埋設をおこなった。硬化時に、粗化面を内側にし
て銅箔35をプレスし、フォトリソ工法で接続用導体の
先端に対応した銅箔35の箇所を除去し、蒸留水60w
t%、水酸化カリウム20wt%、エチレンジアミン2
0wt%からなる混合液で、該混合液を50℃にして、
残さポリイミドをエッチング後、該銅箔35をエッチン
グで除去して、図1(e)を得ることが出来た。
Example 2 As a paste, Upicoat FS- manufactured by Ube Industries, Ltd. was used.
After screen printing using 100 L, drying was performed at 80 ° C. for 30 minutes, and curing was performed at 150 to 160 ° C. for 60 minutes to bury the conductor for connection. At the time of curing, the copper foil 35 is pressed with the roughened surface inside, and the portion of the copper foil 35 corresponding to the tip of the connection conductor is removed by photolithography, and distilled water 60 w
t%, potassium hydroxide 20 wt%, ethylenediamine 2
With a mixture of 0 wt%, the mixture is brought to 50 ° C.
After the residual polyimide was etched, the copper foil 35 was removed by etching to obtain FIG. 1 (e).

【0018】実施例3 実施例1で得た図3(e)にしめす接続用導体内蔵基板
の接続用導体が露出した面に、下地金属層、銅層の順で
該金属層を、蒸着法により形成した。蒸着前には、研磨
面の洗浄として、ヤマト科学社製PR−501A型のプ
ラズマ処理装置を用い、アルゴン、酸素、フレオンの中
から1種類を選択し、発振周波数13.56MHz、2
00W、80Pa、5分で表面処理を行った。蒸着法に
使用した装置は、日本真空技術(株)社製真空蒸着装置
EBV―6DA型または、DCマグネトロンスパッタリ
ング装置MLH−6315D型を用い、下地金属層とし
ては、アルミ、コバルト、クロム、鉄、モリブデン、ニ
ッケル、チタン、バナジウム、タングステン、亜鉛、ジ
ルコニウム、カルシウム、マグネシウム、マンガンの中
から、1種類を選択して、蒸着装置で、圧力を、80〜
330Paの間で調整し、膜厚20nmを形成した。こ
の後さらに銅層を20nm形成した。これにより、図1
(d)に相当する接続用導体内蔵の基板を得ることがで
きた。さらに、この後、硫酸銅めっきを行い、所定の厚
さの銅層を得ることが出来た。
Example 3 On the surface of the substrate with a built-in connection conductor shown in FIG. 3E obtained in Example 1 on which the connection conductor was exposed, the metal layer was deposited in the order of a base metal layer and a copper layer by a vapor deposition method. Formed. Before the vapor deposition, as a cleaning of the polished surface, one type was selected from among argon, oxygen, and freon using a PR-501A type plasma processing apparatus manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd.
The surface treatment was performed at 00 W and 80 Pa for 5 minutes. As a device used for the vapor deposition method, a vacuum vapor deposition device EBV-6DA type or a DC magnetron sputtering device MLH-6315D type manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd. was used, and aluminum, cobalt, chromium, iron, One of molybdenum, nickel, titanium, vanadium, tungsten, zinc, zirconium, calcium, magnesium, and manganese is selected, and the pressure is set to 80 to
Adjustment was performed between 330 Pa, and a film thickness of 20 nm was formed. Thereafter, a copper layer was further formed to a thickness of 20 nm. As a result, FIG.
A substrate with a connection conductor built-in corresponding to (d) was obtained. Further, thereafter, copper sulfate plating was performed to obtain a copper layer having a predetermined thickness.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、精度に優れ、強度に優れ、接続信頼性に優れ、かつ
必要な箇所のみの接続用導体が内蔵された両面板を製造
する方法を提供することができる。
As described above, according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a double-sided board having excellent accuracy, excellent strength, excellent connection reliability, and in which connection conductors are built in only necessary portions. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(e)は、本発明の実施の形態を説明
するための断面図である。
FIGS. 1A to 1E are cross-sectional views for describing an embodiment of the present invention.

【図2】(a)〜(d)は、本発明の実施の形態を説明
するための断面図である。
FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views illustrating an embodiment of the present invention.

【図3】(a)〜(f)は、本発明の実施例を示す断面
図である。
FIGS. 3A to 3F are cross-sectional views showing an embodiment of the present invention.

【図4】(a)〜(c)は、本発明の研磨工程を示す断
面図である。
FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views showing a polishing step of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11:接続用導体内蔵基板 12:絶縁樹脂層 13:接続用導体 101:導体回路 111:金属層 21:第1の金属層 22:第2の金属層 23:複合金属層 3:複合金属箔 31:第1の金属層 32:第2の金属層 33:第3の金属層 34:エッチングレジスト 35:銅箔 36:接続導体が露出していない基板 40:エポキシ基板 41:レジスト 46:研磨ロール 11: Built-in connection conductor substrate 12: Insulating resin layer 13: Connection conductor 101: Conductor circuit 111: Metal layer 21: First metal layer 22: Second metal layer 23: Composite metal layer 3: Composite metal foil 31 : First metal layer 32: Second metal layer 33: Third metal layer 34: Etching resist 35: Copper foil 36: Substrate with no connecting conductor exposed 40: Epoxy substrate 41: Resist 46: Polishing roll

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中祖 昭士 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 浦崎 直之 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 高野 希 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 馬場 日男 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 Fターム(参考) 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB12 CC31 CC44 CC52 CD01 CD25 GG11 GG14 GG16  ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Akishi Nakaso 1500 Oji Ogawa, Shimodate City, Ibaraki Pref.Hitachi Chemical Industry Co., Ltd. Within the Research Institute, Inc. (72) Nozomi Takano 1500, Oji, Shimodate, Ibaraki Pref.Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd. F-term in the laboratory (reference) 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB12 CC31 CC44 CC52 CD01 CD25 GG11 GG14 GG16

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも絶縁樹脂層と接続用導体からな
る基板であって、その絶縁樹脂層が真空成膜法に耐えう
る有機絶縁樹脂組成物からなり、かつ、少なくともその
接続用導体の側面を被覆している接続用導体内蔵基板。
1. A substrate comprising at least an insulating resin layer and a connecting conductor, wherein the insulating resin layer is made of an organic insulating resin composition which can withstand a vacuum film forming method, and at least a side surface of the connecting conductor is provided. A board with a built-in connection conductor that covers it.
【請求項2】少なくとも片面に真空成膜法により、金属
薄膜層が形成された請求項1に記載の接続用導体内蔵両
面基板。
2. The double-sided substrate with built-in connection conductor according to claim 1, wherein a metal thin film layer is formed on at least one surface by a vacuum film forming method.
【請求項3】導電性およびまたは絶縁性を有する基材の
上に、接続用導体を形成する工程、接続用導体を有機絶
縁樹脂組成物に埋設する工程、接続用導体を露出させる
工程、接続用導体を露出させた面に、真空成膜法にて金
属薄膜層を形成する工程を備える接続導体内蔵両面基板
を製造する方法。
3. A step of forming a connecting conductor on a conductive and / or insulating base material, embedding the connecting conductor in an organic insulating resin composition, exposing the connecting conductor, A method for manufacturing a double-sided board with a built-in connection conductor, comprising a step of forming a metal thin film layer on a surface where a conductor for use is exposed by a vacuum film forming method.
【請求項4】接続用導体を露出させる工程で、接続用導
体を被覆する有機絶縁樹脂組成物の少なくとも接続用導
体先端の一部を、薬液で除去することを特徴とする請求
項3に記載の接続導体内蔵両面基板を製造する方法。
4. The method according to claim 3, wherein, in the step of exposing the connection conductor, at least a part of the connection conductor tip of the organic insulating resin composition covering the connection conductor is removed with a chemical. Of manufacturing a double-sided board with a built-in connection conductor.
【請求項5】導電性および絶縁性を有する基材を機械的
およびまたは薬液で除去する工程と、除去した面に真空
成膜により金属薄膜層を形成する工程をさらに備える請
求項3または4に記載の接続導体内蔵両面基板を製造す
る方法。
5. The method according to claim 3, further comprising a step of mechanically and / or a chemical solution removing the conductive and insulating base material, and a step of forming a metal thin film layer by vacuum film formation on the removed surface. A method for producing the double-sided board with a built-in connection conductor according to the above.
【請求項6】少なくとも片面に形成された金属薄膜層を
下地の電極層にして、配線パターンを電気めっきで形成
する工程を備える、請求項3〜5のうちいずれかに記載
の接続導体内蔵基板を製造する方法。
6. The connection conductor built-in substrate according to claim 3, further comprising a step of forming a wiring pattern by electroplating using the metal thin film layer formed on at least one surface as an underlying electrode layer. How to manufacture.
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