JP2002277500A - 電磁波発生源探査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】測定対象である電子回路基板や電子機器上の電
流分布において、どの点を流れる電流が遠方電界を発生
させる要因であるか不明であった。また、任意の点を流
れる電流の変化が遠方電界をどのように変化させるか不
明であった。 【解決手段】測定対象である電子回路基板や電子機器上
のすべての電流による遠方電界を測定または計算により
求め、これに測定対象である電子回路基板や電子機器上
の個々の電流による電界との差分を求めることで、この
点における電流の遠方電界を発生する寄与率を算出す
る。また、電流分布に係数を掛けて遠方電界を求めるこ
とで、測定対象である電子回路基板や電子機器上の電流
を変化させた場合の遠方電界の変化を推定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波発生源を探
査する技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来は、測定対象である電子回路基板や
電子機器近傍の磁界分布を測定し、この近傍磁界強度の
強い箇所に遠方電界の発生源となる電流が流れているも
のと推定していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな推定方法では、遠方電界の発生源とはならない電流
までも検出してしまう可能性がある。

【０００４】例えば、測定対象上に２つの互いに逆位相
となる電流素（遠方電界発生源）が存在する場合であっ
て、その電流素の間隔ｄが測定対象から近傍磁界測定点
までの距離ｌよりも大きく、かつ波長λよりも十分に小
さい場合は、その両者の電流素が発生する電界は互いに
打ち消しあい、遠方電界の主要因とならない場合がある
が、上記従来技術では遠方電界の発生源となる電流とし
て検出してしまう。

【０００５】また、互いに逆位相の電流でなくても、電
流素の間隔の関係から、空間に放射された電界が互いに
逆位相になる場合も同様である。

【０００６】さらに、従来の近傍磁界強度の強い箇所に
流れる電流が遠方での電界を発生する主要因であるとい
う推定では、遠方での電界強度の値が不明確であり、実
際に規制値を超えるか否かの判定できず、またその近傍
磁界強度の強い箇所に流れる電流を対策しても遠方での
電界強度が増加するか減少するか判定することができな
いと言った問題もある。

【０００７】本発明の目的は、対策すべき遠方電界の発
生源を容易に判断させることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、特許請求の範囲に記載の通りに構成し
た。すなわち、検査対象の有する各電流素（磁界発生
源）の遠方電界を構成する寄与率を算出し、表示させる
ように構成した。例えば、測定対象である電子回路基板
や電子機器上のすべての電流による遠方電界を測定また
は計算により求め、これに測定対象である電子回路基板
や電子機器上の個々の電流による電界との差分を求める
ことで、この点における電流の遠方電界を発生する寄与
率を算出する。また、電流分布に係数を掛けて遠方電界
を求めることで、測定対象である電子回路基板や電子機
器上の電流を変化させた場合の遠方電界の変化を推定す
る。

【０００９】これにより、測定対象である電子回路基板
や電子機器上の電流分布において、どの点を流れる電流
が遠方電界を発生させる要因であるかを明らかにでき、
また、任意の点を流れる電流の変化が遠方電界をどのよ
うに変化させるかを明らかにでき、よって、対策すべき
電界発生源を容易に判断させることができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を用いて説明
する。

【００１１】図２は、測定対象の磁界分布を測定し、そ
の測定結果から測定対象における電流分布を算出し、そ
の算出結果を用いて電流分布に関する遠方電界寄与率を
算出する装置構成を示す。

【００１２】測定装置の構成としては、直接探査方式で
は測定装置による鏡像の影響が生じるので、この影響を
小さくするため測定装置本体と測定対象との間に距離を
置き、磁界を擾乱させない程度に小さな磁界プローブの
みを測定装置本体から測定対象へと延ばして測定を行
う。

【００１３】図に示す不要電磁波発生源探査装置は、測
定対象２０１の磁界を検出するための、ｘ方向磁界を検
出するプローブ２０６ａとｙ方向磁界を検出するプロー
ブ２０６ｂとｚ方向の磁界を検出するプローブ２０６ｃ
を一体化した３次元磁界プローブ２０６と、ｘ方向磁界
を検出するプローブ２０６ａとｙ方向磁界を検出するプ
ローブ２０６ｂとｚ方向の磁界を検出するプローブ２０
６ｃを切り替えるアンテナ切替スイッチ２０５とアンテ
ナ切替回路２０４と、３次元磁界プローブ２０６の検出
信号を増幅する高周波増幅器２０７と、磁界の位相を得
るための基準クロックを抽出するプローブ２０８と、基
準クロックを所望の周波数に変換するための分周回路２
０９と逓倍回路２１０と、磁界プローブ２０６を鎖交す
る磁界によって誘起された電圧を基準クロック信号に対
する位相ズレを含めて計測するベクトル電圧計２１１
と、ＣＰＵおよびメモリ等を備えるコンピュータ２１２
と、遠方電界寄与率を算出するためのプログラム等を記
憶した記憶装置２１２ａと、算出結果等を出力表示する
表示装置２１２ｂとを備えている。なお、記憶装置２１
２ａは、例えば、プログラムやデータなどの情報を記憶
した記憶媒体、および、それを読み取るための記憶媒体
読取装置により実現される。

【００１４】この装置においては、測定対象２０１に対
して電磁界的に近傍となる距離２０２の点で、測定対象
２０１により発生された磁界を、ｘ方向磁界プローブ２
０６ａ、ｙ方向磁界プローブ２０６ｂ、ｚ方向プローブ
２０６ｃを組み合わせた３次元磁界プローブ２０６によ
って測定する。３次元磁界プローブ２０６は、例えば、
３つのループアンテナ２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃに
よって構成する。ここで、電磁界的に近傍となる距離と
は（２πｒ／λ）≦１を満足する距離ｒの数値範囲を指
す。

【００１５】３次元磁界プローブ２０６で検出された近
傍磁界による誘起電圧は、各方向成分毎に高周波増幅器
２０７によって増幅され、ベクトル電圧計２１１へ送ら
れる。一方、測定対象２０１の動作クロックはプローブ
２０８によって検出、所望の周波数成分を抽出するため
に必要に応じて分周回路２０９によって分周し、逓倍回
路２１０によって逓倍されたのち、位相基準としてベク
トル電圧計２１１に与えられる。

【００１６】ベクトル電圧計２１１は、３次元磁界プロ
ーブ２０６からの磁界測定信号と逓倍回路２１０からの
信号とを受け入れて、測定磁界の各方向成分について、
その大きさと位相の情報を分離抽出する。

【００１７】この測定された近傍磁界の大きさと位相を
示す信号は、測定動作の制御および演算を行うためのコ
ンピュータ２１２に読み込まれる。

【００１８】また、コンピュータ２１２は、ステージ２
０３に信号を送り、３次元プローブ２０６の位置を決定
し、アンテナ切替回路を通じて磁界プローブの各方向成
分を選択し、測定対象２０１の基準クロックを所望周波
数に変換するために分周回路２０９と逓倍回路２１０を
各々制御し、ベクトル電圧計２１１を制御し、測定デー
タを読み込む事で、上記測定された近傍磁界の大きさや
位相等の情報を記憶しておくことにより、測定対象２０
１の動作クロックの高調波成分についての３次元近傍磁
界測定を可能としている。

【００１９】さらに、コンピュータ２１０は、以上のよ
うにして得られた３次元磁界測定値を用いて、以下に詳
細説明する方法により、測定対象２０１上の電磁波発生
源としての電流分布を計算により逆算し、それにより得
られた電流分布から遠方の電界分布や遠方電界寄与率
を、その結果を出力装置２１２ｂに出力する。なお、測
定対象２０１の動作クロック周波数を取り出し、所望周
波数へ変換するために、基準クロック抽出プローブ２０
８と分周回路２０９と逓倍回路２１０とを備えている
が、これらは必ずしも必要ではない。これら構成の代り
に、例えば、測定対象となる周波数範囲をスキャンする
信号発生器等を用いる構成としても良い。

【００２０】ここで、磁界測定値から電磁波発生源であ
る電流分布を逆算処理（探査処理）する一例を図３〜図
４を用いて説明する。本処理方法は、我々が先に出願し
た特開平１１−１４２４５３号公報に詳述されている
が、これは、仮定した電流素の発生する磁界分布と測定
磁界分布とのパターンマッチングによりそれぞれの電流
素や、全体の電流分布を算出する手法である。

【００２１】図３は解析の概念図、図４はその処理の全
体処理を示すフローチャートである。なお、本探査処理
は、図２の不要電磁波発生源探査装置の記憶装置２１２
ａに予め記憶された波源探査プログラムを、コンピュー
タ２１２のＣＰＵで実行することにより実現されるもの
である。

【００２２】本探査処理では最初、図３に示すように分
割された２次元の測定平面３０２上のＭ個の各格子点ｍ
において、近傍磁界の測定を行う（ステップ４０１）。
本例では、様々な電子デバイスが実装されている基板等
を測定対象２０１として想定し、磁界発生源の全てがｘ
ｙ平面に平行な２次元平面（磁界発生源領域３０１）に
存在すると仮定している。測定結果はコンピュータ２１
０のメモリもしくは記憶装置２１０ａなどに記憶され
る。図７はその記憶されるデータ２ファイルの一例であ
る。

【００２３】次に、測定された近傍磁界データをメモリ
もしくは記憶装置２１０ａから読み出し、当該測定され
た近傍磁界を発生すると考えられるｘ方向、ｙ方向、ｚ
方向の電流成分をそれぞれ算出する。本処理では最初、
ｘ方向電流成分を求めるために、測定された近傍磁界の
ｙ方向成分を取得する。ここで、実際の電磁波発生源と
しての求めるべき電流が図３に示す格子点３０３上に存
在するとき、測定平面３０２において、３次元磁界プロ
ーブ２０６によって測定した近傍磁界測定値のｙ方向成
分の分布は、近傍磁界測定が行われた格子点数分の次元
を持ち、各格子点での測定値を各次元の値とした複素ベ
クトル３０５として表すことができる。以下ではこれを
測定磁界合成複素ベクトル３０５と呼ぶ。本ステップ
（４０２）では、この測定磁界合成複素ベクトル３０５
を測定データに基づいて設定する。

【００２４】これに対しステップ４０３では、計算磁界
合成複素ベクトル３０６を求める。計算磁界合成複素ベ
クトル３０６は、磁界発生源領域３０１上のある１つの
格子点３０４にｘ方向電流を仮定した場合に得られるも
ので、該仮定した電流によって測定平面３０２に生じる
近傍磁界計算値のｙ方向成分の分布は、近傍磁界測定が
行われた格子点数分の次元を持ち、各格子点での計算値
を各次元の値とした複素ベクトル３０６とする。この２
つの複素ベクトル（３０５、３０６）の内積により得ら
れる電流存在確率ｃｏｓθ３０７を得ることで、電磁波
発生源領域３０１上の格子点３０４での電流存在確率分
布が得られる。本実施形態では、上述したものと同じ方
法により、電磁波発生源領域３０１を分割して設定した
格子点の各々について電流の存在を仮定して、計算磁界
合成複素ベクトル３０６を求めるものとする。

【００２５】次に、上記ステップ４０２、４０３で求め
た測定磁界合成複素ベクトル３０６と計算磁界合成複素
ベクトル３０６との内積値を、例えば数１及び数２を用
いて、電磁波発生源領域３０１の各格子点に仮定した電
流毎に求める（ステップ４０４）。

【００２６】

【数１】

【数２】 ここで得られる内積値は、磁界発生源領域３０１と測定
平面３０２とのｚ方向距離の二乗を、該ｚ方向距離の二
乗と探査すべき電流が存在する格子点（例えば格子点３
０３）および仮定した電流が存在する格子点（例えば格
子点３０４）の間の距離の二乗との和により割算して得
られる比によって表されるものであり、仮定した電流の
位置が実在する電流の位置と一致した場合に最大値、あ
るいは、略一致した場合等に極大値となる。

【００２７】本実施形態では、この内積値の最大値ある
いは極大値を求めるために、得られた内積値を電磁波発
生源領域３０１の空間に対し微分し（ステップ４０
５）、微分値が０でかつ連続となる位置を実際の電磁波
発生源の位置として決定する（ステップ４０６）。

【００２８】さらに、この位置に存在する電磁波発生源
としての電流の大きさと位相は、測定磁界合成複素ベク
トル３０５と計算磁界合成複素ベクトル３０６の内積値
において余弦の二乗が１であることから、両者の内積値
を計算磁界合成複素ベクトル３０６の大きさで除算する
ことで得られる（ステップ４０７）。

【００２９】以上の処理により、近傍磁界測定値のｙ方
向成分に対応するｘ方向電流成分について、その大き
さ、位相、および位置の情報を得られる。なお、ｘ方向
成分の近傍磁界を測定してｙ方向の電流成分を求める場
合も同様の処理となるので、その説明は省略する。

【００３０】このようにして、測定した磁界分布から電
流分布を算出することができる。この算出結果はコンピ
ュータ２１２のメモリに記憶される。図８はその記憶さ
れるデータファイルの一例である。

【００３１】なお、この電流分布の算出方法には、各格
子点においてどれくらいの電流が存在するかが算出でき
るものであればいずれの手法を用いても良い。また、電
流分布を算出するには、磁界分布からではなく、測定し
た電界分布から求めても良いが、測定感度などを考慮す
ると磁界分布を測定する方法の方が良い。

【００３２】次に、これらの算出結果である電流分布を
用いてその電流分布に関する遠方電界寄与率を算出する
例を説明する。図１はその概念図である。図１では測定
対象である電子回路基板や電子機器１０１が平面上に存
在した場合を示しており、測定対象である電子回路基板
や電子機器１０１の各辺の長さをＬｘ、Ｌｙとし、長さ
ｄｘ、ｄｙのメッシュ状となるように、各々をＮｘ、Ｎ
ｙ個に分割した。このメッシュに分割した各交点Ｓ（＃
ｎｘ、＃ｎｙ）：１０３は、図３に示した格子点ｎであ
り、その電流値はＩ（ｘｓ、ｙｓ）で表わす。また、測
定対象である電子回路基板や電子機器１０１の中心が原
点となるように座標系１０２上に位置させる。

【００３３】図５は、測定対象にある電流分布に関する
遠方電界寄与率の算出方法を示したフローチャートであ
る。

【００３４】本処理についても、図２の不要電磁波発生
源探査装置の記憶装置２１２ａに予め記憶された寄与率
算出プログラムを、コンピュータ２１２のＣＰＵで実行
することにより実現されるものである。

【００３５】まず、前述のような手法などにより、測定
対象である電子回路基板や電子機器における電流分布を
算出すると（ステップ５０１）、算出した電流分布から
観測点Ｐ：１０４における電界強度Ｅpを算出する（ス
テップ５０２）。この場合、測定対象である電子回路基
板や電子機器１０１上の電流素の存在位置Ｓ：１０３と
測定対象である電子回路基板や電子機器１０１の中心か
ら所望の距離Ｒにおける球面上の電界観測点Ｐ（ｘｐ、
ｙｐ、ｚｐ）１０４までの距離をＲｐｓとすると、数３
に示すように、測定対象である電子回路基板や電子機器
上の位置Ｓ１０３における電流による観測点Ｐでの電界
強度Ｅ‘が得られる。

【００３６】

【数３】 そして、数４に示すように、測定対象である電子回路基
板や電子機器１０１上のすべての電流素による電界を算
出加算することで、測定対象である電子回路基板や電子
機器が観測点Ｐに発生させる電界強度Ｅｐが得られる。

【００３７】

【数４】 さらに、数５に示すように、測定対象から距離ｒの観測
点Ｐの位置をｘｙもしくはｘｚもしくはｙｚ平面内を円
周方向に移動させつつ電界計算を行うことで、測定対象
である電子回路基板や電子機器の電界指向性が得られ
る。ここで、θは原点と観測点Ｐとを結ぶ直線がＺ軸に
対してなす角度であり、φは原点と観測点Ｐとを結ぶ直
線のＸＹ平面へ投影した直線ががＸ軸に対してなす角度
である。この算出結果はコンピュータ２１２のメモリや
記憶装置２１２ａに記憶される。図９はその記憶される
データファイルの一例である。図１０は、その表示例で
あり、ＸＹ平面１００１、ＹＺ平面１００２、ＸＺ１０
０３平面におけるそれぞれの電界強度が示されている。

【００３８】

【数５】 次に、算出された電界強度Ｅｐの中から、例えば最大電
界強度を示した観測点Ｐの位置情報を保持し、メッシュ
状の各交点Ｓ：１０３の電流Ｉ（ｘｓ、ｙｓ）それぞれ
により発生する観測点Ｐにおける電界Ｅｍを数３に基づ
いて算出する（ステップ５０３）。

【００３９】波源探査の最大の目的は、法規制などを満
足するように遠方電界を抑制することなので、単に最大
電界強度を有する観測点Ｐに限らず、図１１に示すよう
に所定値を満足しないエリアを表示し、その表示したエ
リア内の観測点Ｐをユーザに指定させ、その指定された
観測点Ｐの位置情報を保持させても良い。また、単にユ
ーザの指定した観測点Ｐの位置情報を保持させても良
い。

【００４０】次に、各交点Ｓ：１０３毎に、電界Ｅｐと
電界Ｅｍの差分△Ｅを算出する（ステップ５０４）。そ
して、交点Ｓ：１０３毎に遠方電界を発生する寄与率Ｃ
を数６に基づいて、Ｃ＝△Ｅ／Ｅｐを求めて表示する
（ステップ５０５）。

【００４１】

【数６】 図１２はその表示例であり、ＸＹ平面におけるＩｘによ
る寄与率を表示している。実際には、寄与率に応じて色
もしくは濃淡を変えて表示させることが好ましいが、図
では便宜上、等高線のようにして表示した。図からは、
Ｘ方向に電流が流れ、Ｙ＝１００〜１２０[ｍｍ]の位置
が最も電界発生に寄与した対策すべき領域であることが
分かる。なお、この表示例のほか、ＸＹ平面におけるＩ
ｙ成分による寄与率表示、ＹＺ平面におけるＩｙによる
寄与率表示、ＹＺ平面におけるＩｚによる寄与率表示、
ＺＸ平面におけるＩｚによる寄与率表示、ＺＸ平面にお
けるＩｘによる寄与率表示がある。

【００４２】以上の処理により、測定対象である電子回
路基板や電子機器上の位置Ｓにおける電流が所望の距離
Ｒにおける指向性の最大値を発生させる要因としての寄
与率を示すことができ、指定した観測点Ｐにおいて最も
影響を与える電流成分が存在する位置を判別することも
可能となる。この場合、寄与率Ｃが大きいほど、その位
置に有る電流が観測点Ｐにおける遠方電界を発生する原
因となっている可能性が高いことを示すこととなる。従
って、その表示に基づいて寄与率の高い位置についての
対策をユーザは検討することが可能となる。

【００４３】この際、実際の回路パターンと重ね合せて
表示することにより、実際に対策すべき部位が明瞭とな
る効果もある。なお、寄与率Ｃの算出方法は様々であ
り、各交点Ｓにおける電界Ｅｍ、電界Ｅｐと電界Ｅｍの
差分△Ｅ、電界Ｅｐと電界Ｅｍとの比により表示したと
してもどの交点Ｓが最も影響を与えているかを比較する
ことはできる。

【００４４】次に、前述の寄与率表示に基づいてある領
域を対策した場合、すなわち測定対象である電子回路基
板や電子機器上の電流分布を対策により変化させた場合
にどの程度の電界抑制効果があるかを推定して表示する
例を示す。図６はその処理フローである。この処理フロ
ーについても、図２の不要電磁波発生源探査装置の記憶
装置２１２ａに予め記憶された波源編集プログラムを、
コンピュータ２１２のＣＰＵで実行することにより実現
されるものである。

【００４５】まず、前述のようにして測定対象である電
子回路基板や電子機器上の電流分布や寄与率などを算出
する（ステップ６０１）。当然、前述の算出結果を利用
することも出来る。次に、対策したい部位に関する電流
分布（電流値）または寄与率を編集する（ステップ６０
２）。例えば、その部位における電流分布（電流値）ま
たは寄与率の低減可能なもしくは低減したい比率ａを入
力させるように構成する。そして、その比率ａをその部
位の電流分布（電流値）または寄与率に掛けた値に基づ
いて、前述と同じ方法で観測点Ｐにおける電界強度Ｅａ
を数７に基づき求める（ステップ６０３）。

【００４６】

【数７】 そして、その算出結果と編集前の電界強度Ｅｐとの比較
Ｅａ／Ｅｐを求め、編集前後の遠方電界変化率を出力す
る（ステップ６０４）。

【００４７】なお、本実施例では、比率ａを入力させる
構成としたが、その部位に関する電流分布（電流値）ま
たは寄与率の低減可能なもしくは低減したい数値を入力
させ、その入力した数値に基づいて観測点Ｐにおける電
界強度Ｅａを算出させるように構成することもできる。

【００４８】これにより、測定対象である電子回路基板
や電子機器上の特定部位を対策することで、どれだけ遠
方電界を抑制できるかが容易に分かり、効果的な対策を
実現することが可能となる。特に寄与率を編集するよう
に構成することで、従来技術で挙げるような不具合を考
慮した対策を容易に実現することが可能となる。一方、
電流分布を編集すれば、現実の対策に近い結果を得るこ
とができ効果的である。

【００４９】ところで、これまで説明してきた寄与率の
算出方法、編集方法等においては、磁界分布の周波数ス
ペクトラムを測定し、その測定結果に基づいて電流分布
の周波数スペクトラムを算出し、観測点における電界強
度を特定の周波数もしくは周波数毎に算出し、各電流素
における寄与率を求めるように構成することもできる。
編集作業も同様である。

【００５０】

【発明の効果】このように寄与率を表示させることで、
対策すべき遠方電界の発生源を容易に判断させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 測定対象である電子回路基板や電子機器とそ
の電流分布および遠方電界を求める座標系

【図２】 装置構成図

【図３】 発生源探査概念図

【図４】 発生源探査フローチャート

【図５】 遠方電界発生寄与率算出フローチャート

【図６】 遠方電界変化率算出フローチャート

【図７】 磁界分布測定結果データ書式

【図８】 電流分布探査結果データ書式

【図９】 電界計算結果データ書式

【図１０】 電界指向性計算結果表示

【図１１】 電界指向性ピーク値検出／規制値超過範囲
検出 表示

【図１２】 電界発生寄与率分布表示

【符号の説明】

１０１ 測定対象である電子回路基板や電子機器 １０２ 座標系 １０３ 測定対象である電子回路基板や電子機器上の
電流存在位置 １０４ 遠方電界観測点 ２０１ 測定対象である電子回路基板や電子機器 ２０２ 測定対象２０１と磁界分布観測平面の距離 ２０３ ＸＹステージ ２０４ アンテナ切替回路（切替スイッチ制御回路） ２０５ アンテナ切替スイッチ ２０６ ３次元磁界プローブ ２０６ａ ｘ方向磁界プローブ ２０６ｂ ｙ方向磁界プローブ ２０６ｃ ｚ方向磁界プローブ ２０７ 高周波増幅器 ２０８ 基準クロック検出プローブ ２０９ 分周回路 ２１０ 逓倍回路 ２１１ ベクトル電圧計 ２１２ コンピュータ ２１２ａ 記憶装置 ２１２ｂ 表示装置 ３０１ 磁界発生源領域（電流存在領域） ３０２ 磁界測定領域 ３０３ 実際の電流 ３０４ 計算上仮定する電流 ３０５ 測定磁界複素ベクトル ３０６ 計算磁界複素ベクトル ３０７ 電流存在確率 ４０１ 磁界分布測定ステップ ４０２ 測定磁界複素ベクトル形成ステップ ４０３ 計算磁界複素ベクトル形成ステップ ４０４ 内積演算ステップ ４０５ 空間微分ステップ ４０６ 電流存在位置探査ステップ ４０７ 電流値検出ステップ ５０１ 測定対象である電子回路基板や電子機器上の
電流分布 ５０２ 電流分布５０２から所望の観測位置における
電界強度Ｅｐ算出ステップ ５０３ 電流分布５０２の各電流素による観測位置に
おける電界強度Ｅｍ算出ステップ ５０４ 全放射電界Ｅｐと各電流素の観測位置におけ
る電界Ｅｍとの差分算出ステップ ５０５ 所望の観測位置における電界を構成する各電
流素の寄与率算出ステップ ６０１ 測定対象である電子回路基板や電子機器上の
電流分布 ６０２ 電流分布および／または寄与率編集ステップ ６０３ 編集した電流による所望の観測位置における
電界強度Ｅａ算出ステップ ６０４ 編集前後の遠方電界変化率算出ステップ １００１ ＸＹ平面電界指向性（Ｅφxy） １００２ ＸＺ平面電界指向性（Ｅθxz） １００３ ＹＺ平面電界指向性（Ｅθyz）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】測定対象の有する電流分布から観測点にお
   ける第一の電界強度を算出するステップと、 該測定対象の電流分布の一部であって該測定対象上の所
   定位置にある電流分布を用いて該観測点における第二の
   電界強度を算出するステップと、 該第二の電界強度に対して該第一の電界強度が関連する
   割合を算出するステップとを備えたことを特徴とする電
   磁波発生源探査方法。
2. 【請求項２】前記割合を算出するステップにおいて、前
   記第一の電界強度と前記第二の電界強度との差分を算出
   し、その差分の前記第一の電界強度に対する割合を算出
   することを特徴とする請求項１記載の電磁波発生源探査
   方法。
3. 【請求項３】前記測定対象の有する電流分布を測定した
   磁界分布に基づいて算出したことを特徴とする請求項１
   または２記載の電磁波発生源探査方法。
4. 【請求項４】前記測定対象はメッシュ状に分割され、そ
   の交点に電流が存在するかしないかにより前記電流分布
   を構成し、前記測定対象上の所定位置にある電流分布を
   その交点にある電流情報としたことを特徴とする請求項
   １から３の何れかに記載の電磁波発生源探査方法。
5. 【請求項５】磁界分布を周波数スペクトルで測定し、そ
   の測定結果に基づいて前記電流分布を算出することを特
   徴とする請求項１または２記載の電磁波発生源探査方
   法。
6. 【請求項６】シミュレーションにより前記電流分布の周
   波数特性を算出することを特徴とする請求項５記載の電
   磁波発生源探査方法。