JP2002270927A - Ａｓｅ光源 - Google Patents
Ａｓｅ光源Info
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- JP2002270927A JP2002270927A JP2001064046A JP2001064046A JP2002270927A JP 2002270927 A JP2002270927 A JP 2002270927A JP 2001064046 A JP2001064046 A JP 2001064046A JP 2001064046 A JP2001064046 A JP 2001064046A JP 2002270927 A JP2002270927 A JP 2002270927A
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- Japan
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- excitation light
- ase
- optical fiber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １４７０ｎｍ近傍において広い波長範囲で且
つ高出力が得られるＡＳＥ光源を提供する。 【解決手段】 Ｔｍ添加ファイバ１を用い、励起光とし
てＴｍイオンの３Ｈ6− ３Ｆ４準位間エネルギーに相当
する第１の励起光、及び３Ｆ４−３Ｈ４準位間エネルギ
ーに相当する第２の励起光の２つの励起光を使用する。
第１の励起光を生成する第１の励起光源３−１とＴｍ添
加ファイバ１間に第１の合波器２−１を接続し、第２の
励起光を生成する第２の励起光源３−２と第１の合波器
２−１間に第２の合波器２−２を接続する。好ましく
は、Ｔｍ添加ファイバ１の一端に反射ミラーモジュール
５または光終端器を設ける。このような構成によれば、
基底準位３Ｈ6の電子を効率的に発光準位３Ｈ４に励起
して発光に関与させることができるので、１４７０ｎｍ
近傍で、従来に比べて広帯域で高出力のＡＳＥ光源が実
現できる。
つ高出力が得られるＡＳＥ光源を提供する。 【解決手段】 Ｔｍ添加ファイバ１を用い、励起光とし
てＴｍイオンの３Ｈ6− ３Ｆ４準位間エネルギーに相当
する第１の励起光、及び３Ｆ４−３Ｈ４準位間エネルギ
ーに相当する第２の励起光の２つの励起光を使用する。
第１の励起光を生成する第１の励起光源３−１とＴｍ添
加ファイバ１間に第１の合波器２−１を接続し、第２の
励起光を生成する第２の励起光源３−２と第１の合波器
２−１間に第２の合波器２−２を接続する。好ましく
は、Ｔｍ添加ファイバ１の一端に反射ミラーモジュール
５または光終端器を設ける。このような構成によれば、
基底準位３Ｈ6の電子を効率的に発光準位３Ｈ４に励起
して発光に関与させることができるので、１４７０ｎｍ
近傍で、従来に比べて広帯域で高出力のＡＳＥ光源が実
現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光信号を増幅する
光増幅器の増幅用光ファイバを励起するための励起光を
発生するＡＳＥ（増幅自然放出光）光源に関する。
光増幅器の増幅用光ファイバを励起するための励起光を
発生するＡＳＥ（増幅自然放出光）光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のインターネットに代表される爆発
的な通信需要の増加により、幹線系の光伝送システムの
容量増加の必要性が高まっている。現在、幹線系の光伝
送システムでは、Ｅｒ添加ファイバ増幅器の増幅波長範
囲である約１５３０−１５６０ｎｍ（Ｃバンド）、約１
５７０−１６００ｎｍ（Ｌバンド）が使用されている
が、伝送容量増加のために、これらの波長範囲とは異な
る波長帯域を通信波長帯として使うことが提案され、１
４７０ｎｍ近傍の新規の波長範囲を使用するシステムが
研究開発されている（T.Sakamoto et al.,OFC2000,PD４
参照）。
的な通信需要の増加により、幹線系の光伝送システムの
容量増加の必要性が高まっている。現在、幹線系の光伝
送システムでは、Ｅｒ添加ファイバ増幅器の増幅波長範
囲である約１５３０−１５６０ｎｍ（Ｃバンド）、約１
５７０−１６００ｎｍ（Ｌバンド）が使用されている
が、伝送容量増加のために、これらの波長範囲とは異な
る波長帯域を通信波長帯として使うことが提案され、１
４７０ｎｍ近傍の新規の波長範囲を使用するシステムが
研究開発されている（T.Sakamoto et al.,OFC2000,PD４
参照）。
【０００３】ところで、光伝送システムでは、フィルタ
やカプラ等の多くの光受動部品が使用されている。これ
らの光受動部品の製造過程では、挿入損失やクロストー
ク等の検査を行う。これらの検査には、作業の簡略化ま
たは効率化のために、ある程度広い波長範囲で使用でき
る光源を用いる。例えば、上述のＣバンドやＬバンドで
使用される光受動部品には、Ｅｒ添加ファイバを使用し
たＡＳＥ（AmplifiedSpontaneous Emission；増幅自然
放出光）光源が使用される。このＥｒ添加ファイバを使
用したＡＳＥ光源は、広い波長範囲（システムで使用す
る波長範囲）で高出力が得られ、ＡＷＧ（Arrayed Wave
guide Grating；アレイ導波路格子）のような狭帯域フ
ィルタのクロストークを測定する際に必要な−１０ｄＢ
ｍ／ｎｍ程度のパワー密度が上記波長範囲で得られる。
やカプラ等の多くの光受動部品が使用されている。これ
らの光受動部品の製造過程では、挿入損失やクロストー
ク等の検査を行う。これらの検査には、作業の簡略化ま
たは効率化のために、ある程度広い波長範囲で使用でき
る光源を用いる。例えば、上述のＣバンドやＬバンドで
使用される光受動部品には、Ｅｒ添加ファイバを使用し
たＡＳＥ（AmplifiedSpontaneous Emission；増幅自然
放出光）光源が使用される。このＥｒ添加ファイバを使
用したＡＳＥ光源は、広い波長範囲（システムで使用す
る波長範囲）で高出力が得られ、ＡＷＧ（Arrayed Wave
guide Grating；アレイ導波路格子）のような狭帯域フ
ィルタのクロストークを測定する際に必要な−１０ｄＢ
ｍ／ｎｍ程度のパワー密度が上記波長範囲で得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一方、１４７０ｎｍ近
傍の新規波長範囲では、Ｔｍ添加ファイバを使用したＡ
ＳＥ光源がある(ＯＰＴＣＯＭ 2000年10月号 株式会
社工業通信 発行、pp．128−129 参照)。この出力特
性は図６に示すように、その出力パワー密度は小さく、
波長範囲も狭い。
傍の新規波長範囲では、Ｔｍ添加ファイバを使用したＡ
ＳＥ光源がある(ＯＰＴＣＯＭ 2000年10月号 株式会
社工業通信 発行、pp．128−129 参照)。この出力特
性は図６に示すように、その出力パワー密度は小さく、
波長範囲も狭い。
【０００５】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は１４７０ｎｍ近傍において広い波長範囲
で且つ高出力が得られるＡＳＥ光源を提供することにあ
る。
で、その目的は１４７０ｎｍ近傍において広い波長範囲
で且つ高出力が得られるＡＳＥ光源を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光増幅器は、コアまたはクラッドにＴｍ添
加した増幅用光ファイバと、該増幅用光ファイバを励起
するための励起光を発生する励起光源と、該励起光源を
前記増幅用光ファイバへ導く光学的手段と、光アイソレ
ータとを備えるＡＳＥ光源であって、前記励起光源とし
て、出力励起光の波長がＴｍイオンの３Ｆ４−３Ｈ４準
位間のエネルギーに相当する第１の励起光源と、出力励
起光の波長が３Ｈ6−３Ｆ４準位間のエネルギーに相当
する第２の励起光源の２種類を用いることを特徴とす
る。
め、本発明の光増幅器は、コアまたはクラッドにＴｍ添
加した増幅用光ファイバと、該増幅用光ファイバを励起
するための励起光を発生する励起光源と、該励起光源を
前記増幅用光ファイバへ導く光学的手段と、光アイソレ
ータとを備えるＡＳＥ光源であって、前記励起光源とし
て、出力励起光の波長がＴｍイオンの３Ｆ４−３Ｈ４準
位間のエネルギーに相当する第１の励起光源と、出力励
起光の波長が３Ｈ6−３Ｆ４準位間のエネルギーに相当
する第２の励起光源の２種類を用いることを特徴とす
る。
【０００７】ここで、前記励起光源として、出力励起光
の波長が１３１０−１４４０ｎｍにある前記第１の励起
光源と、出力励起光の波長が１５８０−１８８０ｎｍに
ある前記第２の励起光源の２種類を用いることを特徴と
することができる。
の波長が１３１０−１４４０ｎｍにある前記第１の励起
光源と、出力励起光の波長が１５８０−１８８０ｎｍに
ある前記第２の励起光源の２種類を用いることを特徴と
することができる。
【０００８】また、前記増幅用光ファイバの一端に反射
ミラーを備えることを特徴とすることができる。
ミラーを備えることを特徴とすることができる。
【０００９】また、前記増幅用光ファイバの一端に光終
端器を備えることを特徴とすることができる。
端器を備えることを特徴とすることができる。
【００１０】また、前記増幅用光ファイバがＴｍ添加フ
ッ化物ファイバであることを特徴とすることができる。
ッ化物ファイバであることを特徴とすることができる。
【００１１】また、前記Ｔｍ添加フッ化物ファイバのガ
ラス組成がＺｒ系フッ化物ガラスであること特徴とする
ことができる。
ラス組成がＺｒ系フッ化物ガラスであること特徴とする
ことができる。
【００１２】また、前記光学的手段が、前記増幅用光フ
ァイバと前記第１または第２の励起光源間に接続された
第１の合波器と、該第１の合波器と残りの前記第２また
は第１の励起光源間に接続された第２の合波器とから構
成され、該第２の合波器の出力ポートに前記光アイソレ
ータが接続されていることを特徴とすることができる。
ァイバと前記第１または第２の励起光源間に接続された
第１の合波器と、該第１の合波器と残りの前記第２また
は第１の励起光源間に接続された第２の合波器とから構
成され、該第２の合波器の出力ポートに前記光アイソレ
ータが接続されていることを特徴とすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１４】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態における光増幅器のＡＳＥ光源の構成を示す。
図１において、１は増幅用のＴｍ添加ファイバ、２−
１、２−２は励起光をＴｍ添加ファイバ１に入力するた
めの合波器、３−１、３−２は励起光を発生する励起光
源、４は光アイソレータ、５は反射ミラーモジュールで
ある。
実施形態における光増幅器のＡＳＥ光源の構成を示す。
図１において、１は増幅用のＴｍ添加ファイバ、２−
１、２−２は励起光をＴｍ添加ファイバ１に入力するた
めの合波器、３−１、３−２は励起光を発生する励起光
源、４は光アイソレータ、５は反射ミラーモジュールで
ある。
【００１５】Ｔｍ添加ファイバ１のファイバ組成は、Ｚ
ｒ系フッ化物Ｔｍ添加濃度：２０００ｐｐｍ、その長さ
は３０ｍである。励起光源３−１および励起光源３−２
の出力励起光の波長はそれぞれ１４１０ｎｍ近傍および
１６５０ｎｍ近傍である。合波器２−１の各ポートの透
過波長帯は以下の通りである。 ・ポート２−１−Ａ：１３８０−１４３０ｎｍおよび１
４４０−１８８０ｎｍ ・ポート２−１−Ｂ：１３８０−１４３０ｎｍ ・ポート２−１−Ｃ：１４４０−１８８０ｎｍ
ｒ系フッ化物Ｔｍ添加濃度：２０００ｐｐｍ、その長さ
は３０ｍである。励起光源３−１および励起光源３−２
の出力励起光の波長はそれぞれ１４１０ｎｍ近傍および
１６５０ｎｍ近傍である。合波器２−１の各ポートの透
過波長帯は以下の通りである。 ・ポート２−１−Ａ：１３８０−１４３０ｎｍおよび１
４４０−１８８０ｎｍ ・ポート２−１−Ｂ：１３８０−１４３０ｎｍ ・ポート２−１−Ｃ：１４４０−１８８０ｎｍ
【００１６】また、合波器２−２の各ポートの透過波長
帯は以下の通りである。 ・ポート２−２−Ａ：１３８０−１５４０ｎｍおよび１
５５０−１８８０ｎｍ ・ポート２−２−Ｂ：１５５０−１８８０ｎｍ ・ポート２−２−Ｃ：１３８０−１５４０ｎｍ
帯は以下の通りである。 ・ポート２−２−Ａ：１３８０−１５４０ｎｍおよび１
５５０−１８８０ｎｍ ・ポート２−２−Ｂ：１５５０−１８８０ｎｍ ・ポート２−２−Ｃ：１３８０−１５４０ｎｍ
【００１７】光アイソレータ４の透過波長帯は１４３０
−１５５０ｎｍである。反射ミラーモジュール５は、フ
ァイバ出力を一旦平行光線にしてから反射ミラーにより
光を反射させる構成のものである。このミラーの反射率
は１３８０−１８８０ｎｍの波長範囲で８０％以上あ
る。
−１５５０ｎｍである。反射ミラーモジュール５は、フ
ァイバ出力を一旦平行光線にしてから反射ミラーにより
光を反射させる構成のものである。このミラーの反射率
は１３８０−１８８０ｎｍの波長範囲で８０％以上あ
る。
【００１８】以下に、本実施形態のＡＳＥ光源の特長を
説明する。
説明する。
【００１９】図２にＴｍイオンの準位図を示す。基底準
位３Ｈ6にある電子は、第２の励起光源３−２の１６５
０ｎｍ近傍の光により３Ｆ４準位に励起される。３Ｆ４
準位に励起された電子は第１の励起光源３−１の１４１
０ｎｍ近傍の光によりさらに高いエネルギー状態の３Ｈ
４準位に励起される。電子が３Ｈ４から３Ｆ４に遷移す
ることで１４４５−１５１０ｎｍ光が発生する。このよ
うに、第２の励起光源３−２の１６５０ｎｍ近傍の光を
励起光として用いることにより、基底準位３Ｈ 6の電子
を効率的に発光準位に励起し、発光に関与させることが
できる。
位３Ｈ6にある電子は、第２の励起光源３−２の１６５
０ｎｍ近傍の光により３Ｆ４準位に励起される。３Ｆ４
準位に励起された電子は第１の励起光源３−１の１４１
０ｎｍ近傍の光によりさらに高いエネルギー状態の３Ｈ
４準位に励起される。電子が３Ｈ４から３Ｆ４に遷移す
ることで１４４５−１５１０ｎｍ光が発生する。このよ
うに、第２の励起光源３−２の１６５０ｎｍ近傍の光を
励起光として用いることにより、基底準位３Ｈ 6の電子
を効率的に発光準位に励起し、発光に関与させることが
できる。
【００２０】本実施形態では、第２の励起光源３−２と
して１５８０−１８８０ｎｍの波長範囲にある光源を用
いており、従来技術であるＴｍ添加ファイバ増幅器（笠
松他，２０００年電子情報通信学会エレクトロニクスソ
サイエティ大会Ｃ−３−９１；B.N.Samson et al.,OAA2
000,PD６参照）が用いられている１５６０ｎｍの励起光
源と比較して吸収係数が約２倍以上あり、効率的にＴｍ
イオンを励起できる。
して１５８０−１８８０ｎｍの波長範囲にある光源を用
いており、従来技術であるＴｍ添加ファイバ増幅器（笠
松他，２０００年電子情報通信学会エレクトロニクスソ
サイエティ大会Ｃ−３−９１；B.N.Samson et al.,OAA2
000,PD６参照）が用いられている１５６０ｎｍの励起光
源と比較して吸収係数が約２倍以上あり、効率的にＴｍ
イオンを励起できる。
【００２１】Ｔｍ添加ファイバ１に入射した励起光はＴ
ｍ添加ファイバ１を（ＡＳＥ出力とは反対方向に）伝搬
する間にＴｍイオンの吸収により減衰するが、吸収され
なかった励起光は反射ミラーモジュール５により反射さ
れ、再びＴｍ添加ファイバ１で吸収される。すなわち、
この構成によれば、第１の励起光源３−１，および第２
の励起光源２が発生する励起光を有効にＴｍ添加ファイ
バ１に吸収させることができる。
ｍ添加ファイバ１を（ＡＳＥ出力とは反対方向に）伝搬
する間にＴｍイオンの吸収により減衰するが、吸収され
なかった励起光は反射ミラーモジュール５により反射さ
れ、再びＴｍ添加ファイバ１で吸収される。すなわち、
この構成によれば、第１の励起光源３−１，および第２
の励起光源２が発生する励起光を有効にＴｍ添加ファイ
バ１に吸収させることができる。
【００２２】図３に本実施形態のＡＳＥ光源の出力パワ
ー密度の波長依存性を示す。図３から分かるように、本
実施形態のＡＳＥ光源はまた、従来技術よりも広い波長
域１４４９−１４９６ｎｍで−２５ｄＢｍ／ｎｍが得ら
れ、その全出力光は＋４．３ｄＢｍと高い出力が得られ
ており、よって広帯域・高出力１４７０ｎｍ帯ＡＳＥ光
源が実現できている。また、出力安定度は±０．００３
ｄＢであり、従来技術より同程度以下であった。
ー密度の波長依存性を示す。図３から分かるように、本
実施形態のＡＳＥ光源はまた、従来技術よりも広い波長
域１４４９−１４９６ｎｍで−２５ｄＢｍ／ｎｍが得ら
れ、その全出力光は＋４．３ｄＢｍと高い出力が得られ
ており、よって広帯域・高出力１４７０ｎｍ帯ＡＳＥ光
源が実現できている。また、出力安定度は±０．００３
ｄＢであり、従来技術より同程度以下であった。
【００２３】なお、第１の励起光源３−１の波長は１３
１０−１４４０ｎｍの範囲であれば良いが、１３８０−
１４４０ｎｍの範囲がより望ましく、１４１０−１４４
０ｎｍの範囲であることが最も望ましい。また、第２の
励起光源３−２の波長は１５８０−１８８０ｎｍの範囲
であれば良いが、１６１０−１７８０ｎｍの範囲がより
望ましく、１６２０−１７１０ｎｍの範囲であることが
最も望ましい。
１０−１４４０ｎｍの範囲であれば良いが、１３８０−
１４４０ｎｍの範囲がより望ましく、１４１０−１４４
０ｎｍの範囲であることが最も望ましい。また、第２の
励起光源３−２の波長は１５８０−１８８０ｎｍの範囲
であれば良いが、１６１０−１７８０ｎｍの範囲がより
望ましく、１６２０−１７１０ｎｍの範囲であることが
最も望ましい。
【００２４】また、第１の励起光源３−１および第２の
励起光源３−２の配置はこれらが入れ替わっても差し支
えない。
励起光源３−２の配置はこれらが入れ替わっても差し支
えない。
【００２５】（第２の実施形態）図４は本発明の第２の
実施形態における光増幅器のＡＳＥ光源の構成を示す。
図４において、１はＴｍ添加ファイバ、２−１、２−２
は励起光をＴｍ添加ファイバに入力するための合波器、
３−１、３−２は励起光を発生する励起光源、４は光ア
イソレータ、６は光終端器である。
実施形態における光増幅器のＡＳＥ光源の構成を示す。
図４において、１はＴｍ添加ファイバ、２−１、２−２
は励起光をＴｍ添加ファイバに入力するための合波器、
３−１、３−２は励起光を発生する励起光源、４は光ア
イソレータ、６は光終端器である。
【００２６】Ｔｍ添加ファイバ１のファイバ組成はＺｒ
系フッ化物添加濃度：２０００ｐｐｍ、その長さは３０
ｍである。励起光源３−１および励起光源３−２の波長
はそれぞれ１４１０ｎｍ近傍および１６５０ｎｍ近傍で
ある。合波器２−１の各ポートの透過波長帯は以下の通
りである。 ・ポート２−１−Ａ：１３８０−１４３０ｎｍおよび１
４４０−１７００ｎｍ ・ポート２−１−Ｂ：１３８０−１４３０ｎｍ ・ポート２−１−Ｃ：１４４０−１７００ｎｍ
系フッ化物添加濃度：２０００ｐｐｍ、その長さは３０
ｍである。励起光源３−１および励起光源３−２の波長
はそれぞれ１４１０ｎｍ近傍および１６５０ｎｍ近傍で
ある。合波器２−１の各ポートの透過波長帯は以下の通
りである。 ・ポート２−１−Ａ：１３８０−１４３０ｎｍおよび１
４４０−１７００ｎｍ ・ポート２−１−Ｂ：１３８０−１４３０ｎｍ ・ポート２−１−Ｃ：１４４０−１７００ｎｍ
【００２７】また、合波器２−２の各ポートの透過波長
帯は以下の通りである。 ・ポート２−２−Ａ：１３８０−１５４０ｎｍおよび１
５５０−１７００ｎｍ ・ポート２−２−Ｂ：１５５０−１７００ｎｍ ・ポート２−２−Ｃ：１３８０−１５４０ｎｍ
帯は以下の通りである。 ・ポート２−２−Ａ：１３８０−１５４０ｎｍおよび１
５５０−１７００ｎｍ ・ポート２−２−Ｂ：１５５０−１７００ｎｍ ・ポート２−２−Ｃ：１３８０−１５４０ｎｍ
【００２８】光アイソレータ４の透過波長帯は１４３０
−１５５０ｎｍである。
−１５５０ｎｍである。
【００２９】以下に本実施形態のＡＳＥ光源の特長を説
明する。
明する。
【００３０】まず、第１の実施形態と同様に、第２の励
起光源３−２の１６５０ｎｍ近傍の光を励起光として用
いることにより、基底準位３Ｈ6の電子を効率的に発光
終準位に励起し、発光に関与させることができる（図２
参照）。
起光源３−２の１６５０ｎｍ近傍の光を励起光として用
いることにより、基底準位３Ｈ6の電子を効率的に発光
終準位に励起し、発光に関与させることができる（図２
参照）。
【００３１】また、本実施形態では光ファイバ１の出力
と反対側の端面を光終端器６により無反射終端すること
で、合波器等の光部品の反射や、増幅用光ファイバ１の
誘導ブリルアン散乱やレイリー散乱があっても、レーザ
発振することなく、安定してＡＳＥ光を出力できる。
と反対側の端面を光終端器６により無反射終端すること
で、合波器等の光部品の反射や、増幅用光ファイバ１の
誘導ブリルアン散乱やレイリー散乱があっても、レーザ
発振することなく、安定してＡＳＥ光を出力できる。
【００３２】図５に本実施形態のＡＳＥ光源の出力パワ
ー密度の波長依存性を示す。図５に示すように、本実施
形態のＡＳＥ光源は、波長域１４６４−１４８２ｎｍで
ＡＷＧのような狭帯域フィルタの特性を評価するのに十
分な出力パワー密度−１０ｄＢｍ／ｎｍが得られてい
る。また、従来技術よりも広い波長域１４４８−１５０
８ｎｍで−２５ｄＢｍ／ｎｍが得られ、その全出力光は
＋６．５ｄＢｍと高い出力が得られており、広帯域・高
出力１４７０ｎｍ帯ＡＳＥ光源が実現できている。ま
た、出力安定度は±０．００３ｄＢであり、従来技術よ
り同程度以下であった。
ー密度の波長依存性を示す。図５に示すように、本実施
形態のＡＳＥ光源は、波長域１４６４−１４８２ｎｍで
ＡＷＧのような狭帯域フィルタの特性を評価するのに十
分な出力パワー密度−１０ｄＢｍ／ｎｍが得られてい
る。また、従来技術よりも広い波長域１４４８−１５０
８ｎｍで−２５ｄＢｍ／ｎｍが得られ、その全出力光は
＋６．５ｄＢｍと高い出力が得られており、広帯域・高
出力１４７０ｎｍ帯ＡＳＥ光源が実現できている。ま
た、出力安定度は±０．００３ｄＢであり、従来技術よ
り同程度以下であった。
【００３３】なお、第１の励起光源３−１の波長は１３
１０−１４４０ｎｍの範囲であれば良いが、１３８０−
１４４０ｎｍの範囲がより望ましく、１４１０−１４４
０ｎｍの範囲であることが最も望ましい。また、第２の
励起光源３−２の波長は１５７０−１７００ｎｍの範囲
であれば良いが、１６１０−１７８０ｎｍの範囲がより
望ましく、１６２０−１７１０ｎｍの範囲であることが
最も望ましい。
１０−１４４０ｎｍの範囲であれば良いが、１３８０−
１４４０ｎｍの範囲がより望ましく、１４１０−１４４
０ｎｍの範囲であることが最も望ましい。また、第２の
励起光源３−２の波長は１５７０−１７００ｎｍの範囲
であれば良いが、１６１０−１７８０ｎｍの範囲がより
望ましく、１６２０−１７１０ｎｍの範囲であることが
最も望ましい。
【００３４】また、第１の励起光源３−１および第２の
励起光源３−２の配置はこれらが入れ替わっても差し支
えない。
励起光源３−２の配置はこれらが入れ替わっても差し支
えない。
【００３５】さらに、本実施形態では励起光のＴｍ添加
ファイバ１への入力をＡＳＥ出力側から行っているが、
これとは反対の方向から励起光をＴｍ添加ファイバ１へ
入力しても良い。
ファイバ１への入力をＡＳＥ出力側から行っているが、
これとは反対の方向から励起光をＴｍ添加ファイバ１へ
入力しても良い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｔｍ添加ファイバを用い、励起光としてＴｍイオンの３
Ｈ6−３Ｆ４準位間エネルギーに相当する励起光、及び
３Ｆ４−３Ｈ４準位間エネルギーに相当する励起光の２
つの励起光を使用するので、基底準位３Ｈ6の電子を効
率的に発光準位３Ｈ４に励起して発光に関与させること
ができ、１４７０ｎｍ近傍で、従来に比べて広帯域で高
出力のＡＳＥ光源が実現できる。
Ｔｍ添加ファイバを用い、励起光としてＴｍイオンの３
Ｈ6−３Ｆ４準位間エネルギーに相当する励起光、及び
３Ｆ４−３Ｈ４準位間エネルギーに相当する励起光の２
つの励起光を使用するので、基底準位３Ｈ6の電子を効
率的に発光準位３Ｈ４に励起して発光に関与させること
ができ、１４７０ｎｍ近傍で、従来に比べて広帯域で高
出力のＡＳＥ光源が実現できる。
【図１】本発明の第１の実施形態のＡＳＥ光源の構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図２】Ｔｍイオンのレベルダイヤを示す概念図であ
る。
る。
【図３】本発明の第１の実施形態のＡＳＥ光源の出力パ
ワー密度の波長依存性を示す特性図である。
ワー密度の波長依存性を示す特性図である。
【図４】本発明の第２の実施形態のＡＳＥ光源の構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図５】本発明の第２の実施形態のＡＳＥ光源の出力パ
ワー密度の波長依存性を示す特性図である。
ワー密度の波長依存性を示す特性図である。
【図６】従来のＡＳＥ光源の出力パワー密度の波長依存
性を示す特性図である。
性を示す特性図である。
１ Ｔｍ添加ファイバ ２−１、２−２ 合波器 ３−１、３−２ 励起光源 ４ アイソレータ ５ 反射ミラーモジュール ６ 光終端器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 誠 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 金森 照寿 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 青笹 真一 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 大石 泰丈 東京都渋谷区道玄坂一丁目12番１号 エヌ ティティエレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 西田 好毅 東京都渋谷区道玄坂一丁目12番１号 エヌ ティティエレクトロニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 5F072 AB07 AB13 AK06 JJ20 KK05 MM07 PP07 QQ07 RR01 YY17
Claims (7)
- 【請求項１】 コアまたはクラッドにＴｍ添加した増幅
用光ファイバと、該増幅用光ファイバを励起するための
励起光を発生する励起光源と、該励起光源を前記増幅用
光ファイバへ導く光学的手段と、光アイソレータとを備
えるＡＳＥ光源であって、 前記励起光源として、出力励起光の波長がＴｍイオンの
３Ｆ４−３Ｈ４準位間のエネルギーに相当する第１の励
起光源と、出力励起光の波長が３Ｈ6−３Ｆ４準位間の
エネルギーに相当する第２の励起光源の２種類を用いる
ことを特徴とするＡＳＥ光源。 - 【請求項２】 前記励起光源として、出力励起光の波長
が１３１０−１４４０ｎｍにある前記第１の励起光源
と、出力励起光の波長が１５８０−１８８０ｎｍにある
前記第２の励起光源の２種類を用いることを特徴とする
請求項１に記載のＡＳＥ光源。 - 【請求項３】 前記増幅用光ファイバの一端に反射ミラ
ーを備えることを特徴とする請求項１または２に記載の
ＡＳＥ光源。 - 【請求項４】 前記増幅用光ファイバの一端に光終端器
を備えることを特徴とする請求項１または２に記載のＡ
ＳＥ光源。 - 【請求項５】 前記増幅用光ファイバがＴｍ添加フッ化
物ファイバであることを特徴とする請求項１ないし４の
いずれかに記載のＡＳＥ光源。 - 【請求項６】 前記Ｔｍ添加フッ化物ファイバのガラス
組成がＺｒ系フッ化物ガラスであることを特徴とする請
求項５に記載のＡＳＥ光源。 - 【請求項７】 前記光学的手段が、前記増幅用光ファイ
バと前記第１または第２の励起光源間に接続された第１
の合波器と、該第１の合波器と残りの前記第２または第
１の励起光源間に接続された第２の合波器とから構成さ
れ、該第２の合波器の出力ポートに前記光アイソレータ
が接続されていることを特徴とする請求項１なし６のい
ずれかに記載のＡＳＥ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001064046A JP2002270927A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | Ａｓｅ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001064046A JP2002270927A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | Ａｓｅ光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270927A true JP2002270927A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18922934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001064046A Pending JP2002270927A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | Ａｓｅ光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002270927A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003028175A1 (fr) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Ntt Electronics Corporation | Source lumineuse ase, amplificateur optique et oscillateur laser |
-
2001
- 2001-03-07 JP JP2001064046A patent/JP2002270927A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003028175A1 (fr) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Ntt Electronics Corporation | Source lumineuse ase, amplificateur optique et oscillateur laser |
| US6912083B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-06-28 | Ntt Electronics Corporation | ASE light source, optical amplifier and laser oscillator |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040618 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060818 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070105 |