JP2005322696A - 希土類元素添加光導波路、光源および光増幅器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 広帯域のASE光を発生することができる希土類元素添加光導波路などを提供する。
【解決手段】 光ファイバ1は、ガラスまたはガラスセラミックスを主成分とする材料からなり、高屈折率のコア領域2と、このコア領域2を取り囲む低屈折率のクラッド領域3とを有する。光ファイバ1は、希土類元素(例えば、Er元素、Tm元素、Yb元素、など)を少なくともコア領域2に含有している。光ファイバ1は、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルにおいて、15dB波長域または10dB帯域が1.45μm〜1.65μmまたは1.5μm〜1.7μmを含む。或いは、光ファイバ1は、3dB帯域がS,CおよびLの各バンドを含む。
【選択図】 図1
【解決手段】 光ファイバ1は、ガラスまたはガラスセラミックスを主成分とする材料からなり、高屈折率のコア領域2と、このコア領域2を取り囲む低屈折率のクラッド領域3とを有する。光ファイバ1は、希土類元素(例えば、Er元素、Tm元素、Yb元素、など)を少なくともコア領域2に含有している。光ファイバ1は、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルにおいて、15dB波長域または10dB帯域が1.45μm〜1.65μmまたは1.5μm〜1.7μmを含む。或いは、光ファイバ1は、3dB帯域がS,CおよびLの各バンドを含む。
【選択図】 図1
Description
本発明は、希土類元素が添加された光導波路、ならびに、このような光導波路を含む光源および光増幅器に関するものである。
希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなる光導波路は、その希土類元素を励起し得る波長の励起光が供給されることで希土類元素が励起状態とされ、そして、その希土類元素が励起状態から基底状態に戻る際に自然放出光を発生し、さらに、この自然放出光を光増幅してASE光(Amplified Spontaneous Emission)を発生し、或いは、誘導放出現象により信号光を光増幅することができる。したがって、このような光導波路を用いることで、光源や光増幅器が実現され得る。
特許文献1に開示された光源は、Er元素を少なくとも一部に含有する石英ガラスからなる光ファイバを備えるものである。この文献の記載によれば、一例として、Er元素濃度が1200ppmとされ、光ファイバの長さが15mとされ、励起光の波長が1.48μmとされ、また、励起光のパワーが130mWとされていて、このときの波長域1.53μm〜1.60μmにおけるASE光スペクトルの平坦性(ピーク出力強度と最小出力強度との差)が15dBであるとされている。
ところで、希土類元素を含有する材料からなる光導波路を備える光源は、種々の用途に用いられ、例えば、光ファイバ等の受動光部品の挿入損失を測定する際にも用いられる。このような測定用途の場合、光源から出力されるASE光の波長間のレベル偏差は大きな問題ではなく、たとえ或る波長の出力強度が弱くでも、出力光が得られればよい。したがって、特許文献1に記載されているように、出力光スペクトルにおいてピーク出力強度との差が15dB以下である出力強度を有する波長域を該光源の出力帯域と呼んで支障は無い。
特開2002−329907号公報
しかし、上記特許文献1に記載された光源の出力帯域は必ずしも充分には広くなく、更に広い波長域でピーク出力強度と最小出力強度との差が更に小さい光を出力することができる光源が望まれる。例えば、光通信に用いられる光ファイバの伝送損失を測定する場合や、空気中の障害物などを計測する所謂ライダー等の用途や、光増幅器の利得スペクトルを測定する場合などでは、上記特許文献1に記載された光源の出力帯域は不充分である。
また、光通信システム等において信号光を光増幅する場合、少ない台数の光増幅器を用いて広帯域の多波長信号光を光増幅することができることが望ましいことから、光増幅器の利得帯域は広いことが望まれる。
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、広帯域のASE光を発生することができる希土類元素添加光導波路および光源、ならびに、広い利得帯域を有することができる光増幅器を提供することを目的とする。
本発明に係る希土類元素添加光導波路は、希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなり、所定のパワーの単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルにおいて、そのASE光のピーク強度との差が15dB以下である強度を有する波長域(以下「15dB帯域」という。)が1.45μm〜1.65μmを含むことを特徴とする。或いは、上記ASE光のスペクトルにおいて、ASE光のピーク強度との差が10dB以下である強度を有する波長域(以下「10dB帯域」という。)が1.45μm〜1.65μmを含むのが好適である。また、本発明に係る希土類元素添加光導波路は、希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなり、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルにおいて、15dB帯域が1.5μm〜1.7μmを含むことを特徴とする。或いは、上記ASE光のスペクトルにおいて、10dB帯域が1.5μm〜1.7μmを含むのが好適である。
これら本発明に係る希土類元素添加光導波路は、15dB帯域または10dB帯域が広帯域であることから、種々の用途に用いることができ、例えば、光通信に用いられる光ファイバ等の光学部品の伝送損失を測定する場合に用いられ、また、空気中の障害物などを計測する所謂ライダー等の用途にも用いられ得る。すなわち、光通信に用いられる光ファイバの伝送損失を測定する場合には、光ファイバの材料である石英ガラスの低損失波長域が1.45μm〜1.65μmであるから、15dB帯域または10dB帯域が1.45μm〜1.65μmを含む本発明に係る希土類元素添加光導波路が好適に用いられ得る。また、空気中の障害物などを計測する所謂ライダー等の用途では、空気の低損失波長域が1.5μm〜1.7μmであるから、15dB帯域または10dB帯域が1.5μm〜1.7μmを含む本発明に係る希土類元素添加光導波路が好適に用いられ得る。
本発明に係る希土類元素添加光導波路は、希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなり、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルの半値全幅に相当する波長域がSバンド(1460nm〜1530nm),Cバンド(1530nm〜1565nm)およびLバンド(1565nm〜1625nm)を含むことを特徴とする。
この本発明に係る希土類元素添加光導波路は、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルにおいて、そのASE光のピーク強度との差が3dB以下である強度を有する波長域(以下「3dB帯域」という。)がS,CおよびLの各バンドを含むことから、光通信において用いられる様々な光増幅器の利得特性を測定する際にスペクトルホールバーニングの影響を回避できるので好適に用いられ得る。ここで、光通信において用いられる光増幅器として、Cバンド用EDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifier)およびLバンド用EDFAが挙げられる他、波長域1.46μm〜1.48μmで利得を有するTDFA(Thulium-Doped Fiber Amplifier)や、波長域1.48μm〜1.51μmで利得を有するGS-TDFA(Gain-Shift TDFA)も挙げられる。
本発明に係る希土類元素添加光導波路は、希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなり、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルの半値全幅が周波数換算で20THz以上であることを特徴とする。
この発明に係る希土類元素添加光導波路は光コヒーレンストモグラフィ(OCT)用の光源として利用するのに好適である。特に、S/C/Lバンド帯の光は、生体の透過率の観点から、従来の波長域0.8μm〜1.3μmと比較して有利である。なお、通常は、OCTの空間分解能は10〜15μm以下であることが望まれるが、深度方向の空間分解能は光源のコヒーレンス長Lcで与えられる。コヒーレンス長Lcは、光周波数に換算した光源スペクトルの半値全幅Δνを用いて、「Lc=c/Δν」なる式で与えられる。ここで、cは真空中の光速である。すなわち、空間分解能15μm以下を実現するには、光のスペクトルの半値全幅が周波数換算で20THz以上であることが望ましい。例えば、図7のサンプルE3を用いると、半値全幅が1460nm〜1650nmであるので、Δνは23.65THzであり、Lcは12.7μmまで絞ることができる。
本発明に係る希土類元素添加光導波路は、一端から他端に光が通過したときの偏波依存性が1dBより小さいのが好適であり、また、出力されるASE光の偏光度が1dB以下であるのが好適である。この場合には、半導体光増幅器より偏波依存性が小さい。
本発明に係る希土類元素添加光導波路は、希土類元素としてEr元素およびTm元素を含有するのが好適であり、この場合には、両原子間のエネルギ移送現象によりASE光スペクトルが広帯域となる。また、希土類元素として更にYb元素を含有するのが好適であり、この場合には、エネルギ移送現象が助長される。Er元素濃度よりTm元素濃度が高いのが好適であり、この場合には、ASE光スペクトルのレベル偏差が低減される。また、Er元素濃度とTm元素濃度との比が1:6〜1:3であるのが好適であり、この場合には、ASE光スペクトルのレベル偏差が広い波長域で低減される。
本発明に係る希土類元素添加光導波路は、フォノンエネルギが900cm−1以下(より好適には600cm−1以下)であるガラスまたはガラスセラミックスを主成分とする材料からなるのが好適であり、この場合には、希土類元素の発光が容易となり、広帯域化に寄与し得る。
本発明に係る光源は、(1) 上記の本発明に係る希土類元素添加光導波路と、(2) 希土類元素添加光導波路に励起光を供給する第1励起光供給手段と、を備えることを特徴とする。この光源では、第1励起光供給手段により励起光が希土類元素添加光導波路に供給されて、この希土類元素添加光導波路においてASE光が発生する。この光源で用いられる希土類元素添加光導波路は上記の本発明に係るものであるから、この光源から出力される光の波長域は広い。
また、本発明に係る光源は、(3) 遷移金属元素を少なくとも一部に含有する材料からなる遷移金属元素添加光導波路と、(4) 遷移金属元素添加光導波路に励起光を供給する第2励起光供給手段と、(5) 希土類元素添加光導波路および遷移金属元素添加光導波路それぞれで発生したASE光を入力し、これらを合波して出力する光合波器と、を更に備えるのが好適である。この場合には、第2励起光供給手段により励起光が遷移金属元素添加光導波路に供給されて、この遷移金属元素添加光導波路においてASE光が発生する。希土類元素添加光導波路および遷移金属元素添加光導波路それぞれで発生したASE光は、光合波器により合波されて、光源からの出力光とされる。この光源から出力される光の波長域は、希土類元素添加光導波路および遷移金属元素添加光導波路それぞれで発生するASE光の波長域の双方を含む広帯域のものとなる。
また、本発明に係る光源は、第1励起光供給手段から希土類元素添加光導波路に供給される励起光の波長が1.4μm帯であるのが好適である。この場合には、励起波長が0.98μm帯である場合と比較して、出力レベル偏差が小さく、出力帯域が広くなる。また、ホスト材料が低フォノンエネルギガラスである場合に、熱損傷の危険が低減される。
本発明に係る光増幅器は、(1) 入力端に入力した信号光を光増幅して出力端から出力させる上記の本発明に係る希土類元素添加光導波路と、(2) 希土類元素添加光導波路に励起光を供給する第1励起光供給手段と、を備えることを特徴とする。この光増幅器では、第1励起光供給手段により励起光が希土類元素添加光導波路に供給される。入力端に入力した信号光は、希土類元素添加光導波路において光増幅されて、この光増幅器で用いられる希土類元素添加光導波路は上記の本発明に係るものであるから、この光増幅器の利得帯域は広い。
また、本発明に係る光増幅器は、(3) 遷移金属元素を少なくとも一部に含有する材料からなる遷移金属元素添加光導波路と、(4) 遷移金属元素添加光導波路に励起光を供給する第2励起光供給手段と、(5) 入力端に入力した信号光を分波して希土類元素添加光導波路または遷移金属元素添加光導波路に出力する光分波器と、(6) 希土類元素添加光導波路および遷移金属元素添加光導波路それぞれで光増幅された信号光を入力し、これらを合波して出力端から出力させる光合波器と、を更に備えるのが好適である。この場合には、第2励起光供給手段により励起光が遷移金属元素添加光導波路に供給される。入力端に入力した信号光は、光分波器により分波されて、希土類元素添加光導波路または遷移金属元素添加光導波路に入力する。希土類元素添加光導波路に入力した信号光は、この希土類元素添加光導波路において光増幅される。遷移金属元素添加光導波路に入力した信号光は、この遷移金属元素添加光導波路において光増幅される。そして、希土類元素添加光導波路および遷移金属元素添加光導波路それぞれで光増幅された信号光は、光合波器により合波されて、出力端から出力される。この光増幅器の利得帯域は、希土類元素添加光導波路および遷移金属元素添加光導波路それぞれの利得帯域の双方を含む広帯域のものとなる。
また、本発明に係る光増幅器は、第1励起光供給手段から希土類元素添加光導波路に供給される励起光の波長が1.4μm帯であるのが好適である。この場合には、励起波長が0.98μm帯である場合と比較して、利得レベル偏差が小さく、利得帯域が広くなる。また、ホスト材料が低フォノンエネルギガラスである場合に、熱損傷の危険が低減される。
本発明によれば、広帯域のASE光を発生することができ、或いは、広い利得帯域を有することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本実施形態に係る光ファイバ1の構成を示す斜視図である。この図に示される光ファイバ1は、ガラスまたはガラスセラミックスを主成分とする材料からなり、高屈折率のコア領域2と、このコア領域2を取り囲む低屈折率のクラッド領域3とを有する。そして、この光ファイバ1は、希土類元素(例えば、Er元素、Tm元素、Yb元素、など)を少なくともコア領域2に含有している希土類元素添加光導波路である。なお、本ファイバのカットオフ波長は0.9μm程度であり、波長1.55μmでのモードフィールド径は6.0μm程度である。
この光ファイバ1は、含有する希土類元素を励起し得る波長の励起光が供給されることで希土類元素が励起状態とされ、そして、その希土類元素が励起状態から基底状態に戻る際に自然放出光を発生し、さらに、この自然放出光を光増幅してASE光を発生し、或いは、誘導放出現象により信号光を光増幅することができる。したがって、このような光ファイバ1を用いることで、光源や光増幅器が実現され得る。
光ファイバ1は、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルにおいて、15dB波長域または10dB帯域が1.45μm〜1.65μmまたは1.5μm〜1.7μmを含む。或いは、光ファイバ1は、3dB帯域がS,CおよびLの各バンドを含む。
光ファイバ1は、一端から他端に光が通過したときの偏波依存性が1dBより小さいのが好適であり、また、出力されるASE光の偏光度が1dB以下であるのが好適である。この場合には、半導体光増幅器より偏波依存性が小さい。
光ファイバ1は、希土類元素としてEr元素およびTm元素を含有するのが好適であり、この場合には、両原子間のエネルギ移送現象によりASE光スペクトルが広帯域となる。また、希土類元素として更にYb元素を含有するのが好適であり、この場合には、エネルギ移送現象が助長される。Er元素濃度よりTm元素濃度が高いのが好適であり、この場合には、ASE光スペクトルのレベル偏差が低減される。また、Er元素濃度とTm元素濃度との比が1:6〜1:3であるのが好適であり、この場合には、Er元素による蛍光とTm元素による蛍光が略等しくなり、ASE光スペクトルのレベル偏差が広い波長域で低減される。
また、光ファイバ1は、フォノンエネルギが900cm−1以下(より好適には600cm−1以下)であるガラスまたはガラスセラミックスを主成分とする材料からなるのが好適であり、この場合には、希土類元素の発光が容易となり、広帯域化に寄与し得る。
図2は、希土類元素としてEr元素およびTm元素をコア領域に含有する石英ガラスからなる光ファイバのASE光出力スペクトルを示す図である。同図(a)は、Er元素濃度およびTm元素濃度それぞれが500wt.ppmである光ファイバのASE光出力スペクトルを示し、同図(b)は、Er元素濃度が25wt.ppmであってTm元素濃度が500wt.ppmである光ファイバのASE光出力スペクトルを示す。同図(a),(b)それぞれで、この光ファイバの長さは30mmであり、励起光は順方向に供給され、励起波長は0.98μm帯であり、励起光パワーは100mWである。また、同図(a),(b)それぞれで波長の分解能は1nmである。
図2(a)に示されるように、Er元素濃度とTm元素濃度とが互いに等しい場合には、15dB帯域が1523nm〜1540nmであって、その幅が僅か17nmである。これは、ホスト材料である石英ガラスのフォノンエネルギが大きく、このような石英ガラス中ではTm元素の蛍光が困難であることに因る。一方、図2(b)に示されるように、Er元素濃度がTm元素濃度の20分の1である場合には、15dB帯域が1440nm〜1590nmであって、その幅が広い。このことから判るように、広帯域化の為には、Er元素濃度よりTm元素濃度が高いのが好ましい。
ただし、Er元素濃度とTm元素濃度とが互いに同程度であっても、図3〜図5に示されるように、ホスト材料のフォノンエネルギが小さい場合には、広い波長域で蛍光が得られる。
図3は、サンプルA〜Dそれぞれの組成を纏めた図表である。図4は、サンプルA〜Dそれぞれの蛍光スペクトルを示す図である。また、図5は、サンプルA〜Dそれぞれの蛍光スペクトルにおける15dB帯域および10dB帯域を纏めた図表である。
図3に示されるように、サンプルAのホスト材料は、57mol%のZnOおよび43mol%のB2O3を含み、フォノンエネルギが1300cm−1である。サンプルBのホスト材料は、20mol%のY2O3,32mol%のAl2O3および48mol%のSiO2を含み、フォノンエネルギが900cm−1である。サンプルCのホスト材料は、40mol%のK2O,30mol%のGa2O3および30mol%のTa2O5を含み、フォノンエネルギが690cm−1である。また、サンプルDのホスト材料は、20mol%のBaOおよび80mol%のTeO2を含み、フォノンエネルギが600cm−1である。なお、上記のホスト材料の組成は、希土類元素を含有する前の状態における組成を表している。また、サンプルA〜Dそれぞれは、0.3mol%のEr2O3,0.3mol%のTm2O3および3mol%のYb2O3を含有しており、Er元素濃度およびTm元素濃度が互いに等しい。
図4は、各サンプルのホスト材料に波長0.98μm帯の励起光を照射したときに該ホスト材料で発生する蛍光のスペクトルを示す。図4および図5に示されるように、サンプルAでは、15dB帯域は1450nm〜1630nmであり、10dB帯域は1465nm〜1610nmである。サンプルBでは、15dB帯域は1400nm〜1700nmであり、10dB帯域は1460nm〜1640nmである。サンプルCでは、15dB帯域は1380nm〜1750nmであり、10dB帯域は1440nm〜1650nmである。また、サンプルDでは、15dB帯域は1350nm〜1750nmであり、10dB帯域は1395nm〜1675nmである。
図5から判るように、フォノンエネルギが900cm−1以下であるサンプルB,CおよびDそれぞれは、15dB帯域が1.45μm〜1.70μmを含むので、光通信に用いられる光ファイバ等の光学部品の伝送損失を測定する場合に好適に用いられるだけでなく、空気中の障害物などを計測する所謂ライダー等の用途にも好適に用いられ得る。また、サンプルCおよびDそれぞれは、10dB帯域が1.45μm〜1.65μmを含む。このように、ホスト材料のフォノンエネルギが十分に小さければ、互いに等しい濃度のEr元素およびTm元素が添加されていても、広帯域の蛍光が得られる。
ホスト材料中においてEr元素からTm元素へのエネルギ移送によりTm元素が蛍光を発する。すなわち、Er元素はTm元素の励起の際にSensitizerとして作用する。同様に、Yb元素はEr元素の励起の際にSensitizerとして作用する。したがって、上記サンプルA〜Dの如く、Er元素およびTm元素に加えてYb元素も添加されているのが好ましく、Yb元素も添加されていることに因りEr元素およびTm元素それぞれの蛍光が助長される。
なお、フォノンエネルギが比較的高いホスト材料の場合には、Er元素濃度よりTm元素濃度が高いのが好ましい。また、Er元素濃度よりYb元素濃度が1桁程度高いのが好ましく、Tm元素濃度よりYb元素濃度が高いのが好ましい。
図6は、サンプルE1〜E6それぞれの組成を纏めた図表である。また、図7は、サンプルE1〜E6それぞれの蛍光スペクトルを示す図である。
図6に示されるように、サンプルE1〜E6それぞれのホスト材料は、19mol%のBaF2,33.25mol%のCaF2,42.75mol%のAlF3および5mol%のYF3を含み、フォノンエネルギが600cm−1である。なお、上記のホスト材料の組成は、希土類元素を含有する前の状態における組成を表している。サンプルE1〜E6それぞれは、0.6mol%のTmF3および6mol%のYbF3を含有している。サンプルE1〜E6それぞれのErF3含有量は互いに異なる。サンプルE1はErF3を含有しておらず、サンプルE2のErF3含有量は0.1mol%であり、サンプルE3のErF3含有量は0.2mol%であり、サンプルE4のErF3含有量は0.6mol%であり、サンプルE5のErF3含有量は1mol%であり、サンプルE6のErF3含有量は2mol%である。
図7に示されるように、Er元素濃度がTm元素濃度より高いサンプルE5およびE6の場合、Er元素により発生する蛍光に対してTm元素が吸収体として作用すると推測され、波長1.53μm帯にピークを有する蛍光スペクトル形状が得られる。これに対して、Er元素濃度がTm元素濃度より低いサンプルE1〜E3の場合、Cバンド以外の波長域で蛍光が盛り上がる。
特に、Er元素濃度とTm元素濃度との比が1:6〜1:3であるサンプルE3およびE4の場合、3dB帯域は1460nm〜1625nm(すなわち、ITUの規格に拠るS,CおよびLの各バンド)を含む。したがって、このサンプルE3またはE4を用いた光源は、光通信において用いられるTDFA,GS-TDFA,Cバンド用EDFAおよびLバンド用EDFAそれぞれの利得特性を測定する際に好適に用いられ得る。
ここで、TDFA,GS-TDFA,Cバンド用EDFAおよびLバンド用EDFA等の希土類元素添加光ファイバ増幅器は、均一広がりモデルが成り立つと近似されるので、広帯域白色光源を用いて利得スペクトルが精密に測定され得る。その為には、スペクトルホールバーニングの影響を極力低減することが必要である。したがって、白色光源の出力パワースペクトルは、なるべく平坦であることが好ましく、希土類元素添加光ファイバ増幅器の利得帯域において偏差が3dBp−p以下であることが好ましい。上記のサンプルE3およびE4のASE光スペクトルは、このような条件を満たしている。また、サンプルE1は、Er元素を含有していなくても、Tm元素単独で10dB帯域として1380nm〜1700nmが得られている。
なお、サンプルE以外のホストガラスでErとTmの濃度比率を変えた場合の蛍光スペクトルを図12,図13に示す。ただし、ホストガラスマトリックスは、各々、サンプルB,Cと同様であり、便宜的に、これらのサンプルをB2,C2と名付ける。図11は、サンプルB2,C2それぞれの組成を纏めた図表である。図12は、サンプルB,B2それぞれの蛍光スペクトルを示す図である。図13は、サンプルC,C2それぞれの蛍光スペクトルを示す図である。サンプルB2およびサンプルC2それぞれは、0.03mol%のEr2O3,0.3mol%のTm2O3および3mol%のYb2O3を含有している。
図7に示された蛍光スペクトルがSバンド,CバンドおよびLバンドに亘って平坦なASEを実現し、図8に示された蛍光スペクトルがSバンドにおいて平坦なASEを実現しているのに対して、図12,図13に示された蛍光スペクトルがCバンドおよびLバンドに亘って平坦なASEを実現している。特に、サンプルB2のフォノンエネルギが石英系ガラスのフォノンエネルギに近いにも拘らず、図8と比較して、このような違いが生じる原因は、Yb添加濃度に因るところが大きい。
すなわち、サンプルB2では、Tm添加濃度よりYb添加濃度が10倍程度高いので、Tmイオンの 3H4-3F4 間の遷移ではなく、Ybイオンの 2F5/2-2F7/2 間の遷移(すなわち、波長1.06μm帯の蛍光)が支配的となり、Sバンドの蛍光が抑圧される。
ただし、Ybイオンの存在は、Erイオンの 4I13/2準位からTmイオンの 3H4準位または 3F4準位へのエネルギ移送に影響を及ぼさないので、L〜Uバンドに亘るTmイオンの蛍光を支障なく得ることができる。
なお、Ybイオンの濃度を最適化すれば、サンプルB2,C2のホストガラスでも、図7に見られるようなS〜Lバンドを網羅する3dB帯域が得られる。ただし、Er,Tm,Ybの最適濃度比はホストガラスのフォノンエネルギに依存し、図7の実施例とは異なってくる。
例えば、サンプルC2では、TmによるSバンド蛍光は、L〜Uバンド蛍光と比較すると低い値となっている。これは、Tmイオンの 3H4-3H5 間のエネルギ差が小さく、この準位間の遷移が強まり、3H4-3F4 間の遷移が損なわれた為と考えられる。図7に示したサンプルE1〜E6と、サンプルC,C2とでは、フォノンエネルギについては大差ないが、マルチフォノン緩和レートがフォノンエネルギに対して指数関数的に変化するので、フォノンエネルギの僅かの差が大きく影響を及ぼすと考えられる。
一般的に言えば、Er,Tm,Ybの濃度比率の調整は、以下のような効果を有することが期待される。すなわち、ErとTmとの濃度比率の調整は、Cバンド蛍光とS,LおよびUバンドの蛍光とのパワー比率の最適化に寄与し得る。また、YbとTmとの濃度比率の調整は、Sバンド蛍光とLおよびUバンドの蛍光とのパワー比率の最適化に寄与し得る。
なお、ASEパワーが弱ければ、TDFA,GS-TDFA,Cバンド用EDFAおよびLバンド用EDFAそれぞれの利得スペクトルを測定するにあたり、測定対象の光増幅器自らが発するASE光が支配的となり、正確な測定ができなくなる恐れもある。しかし、この場合は、光増幅器に入力するASE光を、測定対象の光増幅器で増幅に関わる活性イオンの励起寿命より充分に高速にOn-Offして、ASE光入力が無いときの出力スペクトルを、ASE光入力が有るときの出力スペクトルから差し引いて、実効的なASE光増幅後出力を得るという時分割法を活用すればよい。
図8は、希土類元素としてEr元素およびTm元素をコア領域に含有する石英ガラスからなる光ファイバのASE光出力スペクトルを示す図である。この図には、励起波長が0.98μm帯および1.4μm帯それぞれの場合について示されている。図9は、0.98μm帯励起および1.4μm帯励起それぞれの場合の3dB帯域および10dB帯域を纏めた図表である。これらの図から判るように、0.98μm帯励起の場合には、3dB帯域は1480nm〜1547nmであり、10dB帯域は1447nm〜1570nmである。1.4μm帯励起の場合には、3dB帯域は1430nm〜1540nmであり、10dB帯域は1420nm〜1570nmである。このように、0.98μm帯励起の場合より1.4μm帯励起の場合の方が広帯域である。
1.4μm帯励起の場合には、Tm元素を 3F4準位から 3H4準位に効率よく励起することができるので、これらの準位の間の反転分布が高まり、Sバンドの蛍光がより短波長側まで広がる。一方、1.4μm帯励起の場合には、Er元素の励起光吸収効率は低いので、Er元素による波長1.53μm帯付近の蛍光ピークがなだらかとなる。このことから、1.4μm帯励起の場合の方が広帯域となる。なお、ホスト材料が石英ガラスである場合だけでなく、図3や図6に示した低フォノンエネルギのホスト材料の場合にも、1.4μm帯励起の場合の方が広帯域となる。
図10は、本実施形態に係る光増幅器10の構成図である。なお、この図に示される光増幅器10は、光源としても用いられ得るものである。光増幅器10は、入力端11に入力した信号光を光増幅して出力端12から出力するものであり、入力端11側にWDM光フィルタ13を備えるとともに、出力端12側にWDM光フィルタ14を備えていて、WDM光フィルタ13とWDM光フィルタ14との間に2つの信号光経路を有する。
光増幅器10は、一方の信号光経路上に、光カプラ21、光アイソレータ22、光カプラ23、光ファイバ24、光アイソレータ25および光カプラ26を順に備え、また、他方の信号光経路上に、光カプラ31、光アイソレータ32、光カプラ33、光ファイバ34、光アイソレータ35および光カプラ36を順に備える。更に、光増幅器10は、光カプラ21に接続された入力モニタ部27、光カプラ23に接続された励起光源28、光カプラ26に接続された出力モニタ部29、光カプラ31に接続された入力モニタ部37、光カプラ33に接続された励起光源38、および、光カプラ36に接続された出力モニタ部39、を備える。
WDM光フィルタ13は、入力端に入力した多波長の信号光を分波して、その分波した一方の信号光を光カプラ21へ出力し、他方の信号光を光カプラ31へ出力する。
光カプラ21は、WDM光フィルタ13から出力されて到達した信号光を入力して、その信号光の一部パワーを分岐して入力モニタ部27へ出力し、残部を光アイソレータ22へ出力する。光アイソレータ22は、光カプラ21から光カプラ23へ向かう順方向には光を通過させるが、逆方向には光を通過させない。光カプラ23は、光アイソレータ22から到達して入力した信号光を光ファイバ24へ出力するとともに、励起光源28から到達して入力した励起光をも光ファイバ24へ出力する。
光ファイバ24のコアの少なくとも一部は、希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなり、上述した本実施形態に係る光ファイバである。この光ファイバ24は、励起光源28から出力された励起光が供給され、光カプラ23から出力された信号光を光増幅して、この光増幅した信号光を光アイソレータ25へ出力する。光アイソレータ25は、光ファイバ24から光カプラ26へ向かう順方向には光を通過させるが、逆方向には光を通過させない。光カプラ26は、光アイソレータ25から到達した信号光を入力して、その信号光の一部パワーを分岐して出力モニタ部29へ出力し、残部をWDM光フィルタ14へ出力する。
光カプラ31は、WDM光フィルタ13から出力されて到達した信号光を入力して、その信号光の一部パワーを分岐して入力モニタ部37へ出力し、残部を光アイソレータ32へ出力する。光アイソレータ32は、光カプラ31から光カプラ33へ向かう順方向には光を通過させるが、逆方向には光を通過させない。光カプラ33は、光アイソレータ32から到達して入力した信号光を光ファイバ34へ出力するとともに、励起光源38から到達して入力した励起光をも光ファイバ34へ出力する。
光ファイバ34は、遷移金属元素(例えばBi元素)を少なくとも一部に含有する材料からなる光ファイバである。この光ファイバ34は、励起光源38から出力された励起光が供給され、光カプラ33から出力された信号光を光増幅して、この光増幅した信号光を光アイソレータ35へ出力する。なお、光ファイバ34が遷移金属元素としてBi元素を含有する場合には、励起波長は0.8μm帯が用いられる。光アイソレータ35は、光ファイバ34から光カプラ36へ向かう順方向には光を通過させるが、逆方向には光を通過させない。光カプラ36は、光アイソレータ35から到達した信号光を入力して、その信号光の一部パワーを分岐して出力モニタ部39へ出力し、残部をWDM光フィルタ14へ出力する。
WDM光フィルタ14は、光カプラ26および光カプラ36それぞれから到達した信号光を合波して、その合波した信号光を出力端12から外部へ出力させる。
この光増幅器10は以下のように動作する。励起光源28から出力された励起光は、光カプラ23を経て、光ファイバ24へ供給される。また、励起光源38から出力された励起光は、光カプラ33を経て、光ファイバ34へ供給される。入力端11に入力した多波長の信号光は、WDM光フィルタ13により分波されて、光カプラ21または光カプラ31へ出力される。
WDM光フィルタ13から光カプラ21へ出力された信号光は、光カプラ21、光アイソレータ22および光カプラ23を順に経て光ファイバ24に入力し、この光ファイバ24を導波する間に光増幅される。光ファイバ24で光増幅された信号光は、光アイソレータ25および光カプラ26を順に経てWDM光フィルタ14に入力する。
WDM光フィルタ13から光カプラ31へ出力された信号光は、光カプラ31、光アイソレータ32および光カプラ33を順に経て光ファイバ34に入力し、この光ファイバ34を導波する間に光増幅される。光ファイバ34で光増幅された信号光は、光アイソレータ35および光カプラ36を順に経てWDM光フィルタ14に入力する。
光カプラ26および光カプラ36それぞれから出力された信号光はWDM光フィルタ14により合波され、その合波された信号光は出力端12から外部へ出力される。
この光増幅器10の利得帯域は、希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなる光ファイバ24の利得帯域と、遷移金属元素(例えばBi元素)を少なくとも一部に含有する材料からなる光ファイバ34の利得帯域と、を含む。一方の光ファイバ24の利得帯域は、10dB帯域として1.45μm〜1.65μmもしくは1.5μm〜1.7μmを含み、または、3dB帯域として1460nm〜1625nmを含み、これのみでも広帯域である。また、他方の光ファイバ32が遷移金属元素としてBi元素を含有するものであれば、この光ファイバ32の利得帯域はOバンド(1260nm〜1360nm)を含む。したがって、この光増幅器10は、OバンドからLバンドにまたがる広帯域で利得を有することができる。
また、この光増幅器10は、広帯域の光源としても用いられ、この場合には、WDM光フィルタ13、光カプラ21,31、光アイソレータ22,32、および、入力用モニタ部27,37は不要である。
なお、Oバンドは、CATV等の光放送システムにおいて用いられる。したがって、この光増幅器10または光源は、光通信および光放送の双方の用途に使用される光部品を評価する際に用いられる。また、この光増幅器10または光源は、近赤外分光測定などへの応用も可能である。
なお、図10に示された光増幅器10では、希土類元素を含有する光ファイバ24と、遷移金属元素を含有する光ファイバ34とを、並列的に備えるものであった。これに対して、希土類元素に加えて遷移金属元素をも含有する光ファイバを用いてもよく、この場合にも広帯域の光増幅器や光源を実現することができる。例えば、Er元素,Tm元素およびBi元素を含有する光ファイバを用いて、この光ファイバに0.8μm帯の励起光を供給すると、Bi元素およびEr元素の双方が励起され、Bi元素からの1.26μm帯の蛍光がTm元素を 3H6準位から 3H5準位に励起し、Er元素からの1.53μm帯の蛍光がTm元素を 3H6準位から 3F4準位に励起するので、3種類の元素それぞれから蛍光が発生する。Tm元素に反転分布を生じさせる為には、Bi元素濃度はEr元素濃度より高いことが望ましい。
なお、ここに更にYbを共添加して、各元素の濃度を最適化すれば、上述の如く、広帯域での出力スペクトル平坦化には一層有用である。
1…光ファイバ(希土類元素添加光導波路)、2…コア領域、3…クラッド領域、10…光増幅器、11…入力端、12…出力端、13,14…WDM光フィルタ、21…光カプラ、22…光アイソレータ、23…光カプラ、24…光ファイバ(希土類元素添加光導波路)、25…光アイソレータ、26…光カプラ、27…入力モニタ部、28…励起光源、29…出力モニタ部、31…光カプラ、32…光アイソレータ、33…光カプラ、34…光ファイバ(遷移金属元素添加光導波路)、35…光アイソレータ、36…光カプラ、37…入力モニタ部、38…励起光源、39…出力モニタ部。
Claims (20)
- 希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなり、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルにおいて、そのASE光のピーク強度との差が15dB以下である強度を有する波長域が1.45μm〜1.65μmを含むことを特徴とする希土類元素添加光導波路。
- 前記ASE光のスペクトルにおいて、そのASE光のピーク強度との差が10dB以下である強度を有する波長域が1.45μm〜1.65μmを含むことを特徴とする請求項1記載の希土類元素添加光導波路。
- 希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなり、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルにおいて、そのASE光のピーク強度との差が15dB以下である強度を有する波長域が1.5μm〜1.7μmを含むことを特徴とする希土類元素添加光導波路。
- 前記ASE光のスペクトルにおいて、そのASE光のピーク強度との差が10dB以下である強度を有する波長域が1.5μm〜1.7μmを含むことを特徴とする請求項3記載の希土類元素添加光導波路。
- 希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなり、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルの半値全幅に相当する波長域がSバンド,CバンドおよびLバンドを含むことを特徴とする希土類元素添加光導波路。
- 希土類元素を少なくとも一部に含有する材料からなり、単一波長の励起光が供給されたときに発生するASE光のスペクトルの半値全幅が周波数換算で20THz以上であることを特徴とする希土類元素添加光導波路。
- 一端から他端に光が通過したときの偏波依存性が1dBより小さいことを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の希土類元素添加光導波路。
- 出力されるASE光の偏光度が1dB以下であることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の希土類元素添加光導波路。
- 前記希土類元素としてEr元素およびTm元素を含有することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の希土類元素添加光導波路。
- 前記希土類元素として更にYb元素を含有することを特徴とする請求項9記載の希土類元素添加光導波路。
- Er元素濃度よりTm元素濃度が高いことを特徴とする請求項9記載の希土類元素添加光導波路。
- Er元素濃度とTm元素濃度との比が1:6〜1:3であることを特徴とする請求項9記載の希土類元素添加光導波路。
- フォノンエネルギが900cm−1以下であるガラスまたはガラスセラミックスを主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の希土類元素添加光導波路。
- フォノンエネルギが600cm−1以下であるガラスまたはガラスセラミックスを主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の希土類元素添加光導波路。
- 請求項1〜14の何れか1項に記載の希土類元素添加光導波路と、
前記希土類元素添加光導波路に励起光を供給する第1励起光供給手段と
を備えることを特徴とする光源。 - 遷移金属元素を少なくとも一部に含有する材料からなる遷移金属元素添加光導波路と、
前記遷移金属元素添加光導波路に励起光を供給する第2励起光供給手段と、
前記希土類元素添加光導波路および前記遷移金属元素添加光導波路それぞれで発生したASE光を入力し、これらを合波して出力する光合波器と
を更に備えることを特徴とする請求項15記載の光源。 - 前記第1励起光供給手段から前記希土類元素添加光導波路に供給される励起光の波長が1.4μm帯であることを特徴とする請求項15記載の光源。
- 入力端に入力した信号光を光増幅して出力端から出力させる請求項1〜14の何れか1項に記載の希土類元素添加光導波路と、
前記希土類元素添加光導波路に励起光を供給する第1励起光供給手段と
を備えることを特徴とする光増幅器。 - 遷移金属元素を少なくとも一部に含有する材料からなる遷移金属元素添加光導波路と、
前記遷移金属元素添加光導波路に励起光を供給する第2励起光供給手段と、
前記入力端に入力した信号光を分波して前記希土類元素添加光導波路または前記遷移金属元素添加光導波路に出力する光分波器と、
前記希土類元素添加光導波路および前記遷移金属元素添加光導波路それぞれで光増幅された信号光を入力し、これらを合波して前記出力端から出力させる光合波器と
を備えることを特徴とする請求項18記載の光増幅器。 - 前記第1励起光供給手段から前記希土類元素添加光導波路に供給される励起光の波長が1.4μm帯であることを特徴とする請求項18記載の光増幅器。
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US20050276564A1 (en) | 2005-12-15 |
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