JP2002269826A - 相変化型光情報記録媒体 - Google Patents
相変化型光情報記録媒体Info
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- JP2002269826A JP2002269826A JP2001074121A JP2001074121A JP2002269826A JP 2002269826 A JP2002269826 A JP 2002269826A JP 2001074121 A JP2001074121 A JP 2001074121A JP 2001074121 A JP2001074121 A JP 2001074121A JP 2002269826 A JP2002269826 A JP 2002269826A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度記録を可能とする多層の相変化型光情
報記録媒体において、光照射側から順次構成される各記
録層への高速記録再生ができる、光透過性が良好で記録
感度の優れた相変化型光情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板１上の構成層中に、光の入射側から
順次、第１記録層３と第２記録層７とを備え、該第１記
録層および該第２記録層はそれぞれ光入射側保護層２と
光出射側保護層８とに挟まれてなる相変化型光情報記録
媒体であって、前記第１記録層が、少なくともＳｂ元素
とＴｅ元素とを含む組成分からなり、かつ前記第１記録
層の光出射側保護層が、融点１１００Ｋ以上で、光透過
率３０％以上の金属酸化物であることにより、光透過性
を高め、かつ記録感度を良好にするものである。
報記録媒体において、光照射側から順次構成される各記
録層への高速記録再生ができる、光透過性が良好で記録
感度の優れた相変化型光情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板１上の構成層中に、光の入射側から
順次、第１記録層３と第２記録層７とを備え、該第１記
録層および該第２記録層はそれぞれ光入射側保護層２と
光出射側保護層８とに挟まれてなる相変化型光情報記録
媒体であって、前記第１記録層が、少なくともＳｂ元素
とＴｅ元素とを含む組成分からなり、かつ前記第１記録
層の光出射側保護層が、融点１１００Ｋ以上で、光透過
率３０％以上の金属酸化物であることにより、光透過性
を高め、かつ記録感度を良好にするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザなどの光に
より情報の記録、あるいは再生などを行なう情報記録媒
体に関し、特に高記録密度化に好適な感度に優れた相変
化型光情報記録媒体に関する。
より情報の記録、あるいは再生などを行なう情報記録媒
体に関し、特に高記録密度化に好適な感度に優れた相変
化型光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＤＲ―ＲやＣＤ―ＲＷなどの光
ディスクは、ポリカーボネート等のプラスチックの円形
基板、またはその上に設けた記録層に、円周方向に沿っ
て、音や文字、あるいは画像の信号を記録し、その面に
アルミニウムや金、銀などの金属を蒸着、またはスパッ
タリングして反射層を形成した構成で使用されている。
この場合、光ディスクの基板面側からレーザー光を入射
して、信号の記録、再生が行なわれる。
ディスクは、ポリカーボネート等のプラスチックの円形
基板、またはその上に設けた記録層に、円周方向に沿っ
て、音や文字、あるいは画像の信号を記録し、その面に
アルミニウムや金、銀などの金属を蒸着、またはスパッ
タリングして反射層を形成した構成で使用されている。
この場合、光ディスクの基板面側からレーザー光を入射
して、信号の記録、再生が行なわれる。
【０００３】近年、コンピューターメモリ、画像および
音声ファイル用メモリー、光カード等で扱う情報量が非
常に増加しているため、ＤＶＤ―ＲＡＭ、ＤＶＤ―ＲＷ
のように光ディスクの信号記録容量の増大および信号情
報の高密度化が進んでいる。現在、ＣＤの記録容量は６
５０ＭＢ程度、ＤＶＤでは４．７ＧＢ程度の容量である
が、更に高記録密度化が要求されている。
音声ファイル用メモリー、光カード等で扱う情報量が非
常に増加しているため、ＤＶＤ―ＲＡＭ、ＤＶＤ―ＲＷ
のように光ディスクの信号記録容量の増大および信号情
報の高密度化が進んでいる。現在、ＣＤの記録容量は６
５０ＭＢ程度、ＤＶＤでは４．７ＧＢ程度の容量である
が、更に高記録密度化が要求されている。
【０００４】記録密度を高める方法として、光学系にお
ける光源の短波長化や対物レンズの開口数ＮＡ（Ｎｕｍ
ｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）の増大化が検討され
ているが、２次元方向の記録のみでは記録密度の向上が
難しくなってきた。そこで、記録媒体の厚さ方向に記録
層を多層化し、情報記録を蓄積する手法が検討されてい
る。
ける光源の短波長化や対物レンズの開口数ＮＡ（Ｎｕｍ
ｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）の増大化が検討され
ているが、２次元方向の記録のみでは記録密度の向上が
難しくなってきた。そこで、記録媒体の厚さ方向に記録
層を多層化し、情報記録を蓄積する手法が検討されてい
る。
【０００５】このような多層化方法として、例えば、特
開平８―２８７４７４号公報が提案されている。しか
し、この例では、多層化する事の概念は記載されている
ものの、記録媒体に関する具体的な内容が記載されてい
ないため、具現化の方法は未詳である。一方、光の入射
方向に相変化記録層を設ける多層記録方法について特開
平９―１９８７０９号公報、特開平１１―１９５２４３
号公報に紹介されている。これらいずれの例でも、実施
例において、層構成が２層で、光が最初に透過する層が
Ｓｂ2Ｓｅ3、他の層がＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成からなる記
録層が示されている。しかし、この構成の場合には、高
速記録をする際、記録感度が悪くなり高密度記録がしづ
らいという難点がある。
開平８―２８７４７４号公報が提案されている。しか
し、この例では、多層化する事の概念は記載されている
ものの、記録媒体に関する具体的な内容が記載されてい
ないため、具現化の方法は未詳である。一方、光の入射
方向に相変化記録層を設ける多層記録方法について特開
平９―１９８７０９号公報、特開平１１―１９５２４３
号公報に紹介されている。これらいずれの例でも、実施
例において、層構成が２層で、光が最初に透過する層が
Ｓｂ2Ｓｅ3、他の層がＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成からなる記
録層が示されている。しかし、この構成の場合には、高
速記録をする際、記録感度が悪くなり高密度記録がしづ
らいという難点がある。
【０００６】例えば２層構成のように記録層を多層化し
た場合、第２記録層への光の照射向上、あるいは反射光
の透過を向上させるため、光入射側の第１層の膜厚を極
薄にすると、光の透過性は増加するが、膜厚が不均一に
なったり、結晶化させる工程、すなわち初期化工程で大
きなパワーのレーザー出力が必要となる。また、放熱層
を設けるにしても厚くすると、光透過性が極端に落ちた
り、光を透過しなくなる問題がある。放熱特性が悪いと
放熱が十分行われなくなり、高速記録の際に記録層の結
晶がアモルファス（非晶質）化し難くなる問題がある。
このように多層構成（２層構成以上）の実現には技術的
に難しい問題があった。
た場合、第２記録層への光の照射向上、あるいは反射光
の透過を向上させるため、光入射側の第１層の膜厚を極
薄にすると、光の透過性は増加するが、膜厚が不均一に
なったり、結晶化させる工程、すなわち初期化工程で大
きなパワーのレーザー出力が必要となる。また、放熱層
を設けるにしても厚くすると、光透過性が極端に落ちた
り、光を透過しなくなる問題がある。放熱特性が悪いと
放熱が十分行われなくなり、高速記録の際に記録層の結
晶がアモルファス（非晶質）化し難くなる問題がある。
このように多層構成（２層構成以上）の実現には技術的
に難しい問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点に鑑みなされたもので、その目的は光透過性が
良好で記録感度が優れた高速記録再生のできる相変化型
光情報記録媒体を提供することにある。
な問題点に鑑みなされたもので、その目的は光透過性が
良好で記録感度が優れた高速記録再生のできる相変化型
光情報記録媒体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は基板上の構成層中に、光の入射側から順
次、第１記録層と第２記録層とを備え、該第１記録層お
よび該第２記録層はそれぞれ光入射側保護層と光出射側
保護層とに挟まれてなる相変化型光情報記録媒体におい
て、前記第１記録層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素
とを含む組成分からなり、かつ前記第１記録層の光出射
側保護層が、融点１１００Ｋ以上で、光透過率３０％以
上の金属酸化物であることにより、光透過性と記録感度
を向上させたものである。
に、本発明は基板上の構成層中に、光の入射側から順
次、第１記録層と第２記録層とを備え、該第１記録層お
よび該第２記録層はそれぞれ光入射側保護層と光出射側
保護層とに挟まれてなる相変化型光情報記録媒体におい
て、前記第１記録層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素
とを含む組成分からなり、かつ前記第１記録層の光出射
側保護層が、融点１１００Ｋ以上で、光透過率３０％以
上の金属酸化物であることにより、光透過性と記録感度
を向上させたものである。
【０００９】以下、本発明について具体的に説明する。
請求項１の発明は、基板上の構成層中に、光の入射側か
ら順次、第１記録層と第２記録層とを備え、該第１記録
層および該第２記録層はそれぞれ光入射側保護層と光出
射側保護層とに挟まれてなる相変化型光情報記録媒体に
おいて、前記第１記録層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ
元素とを含む組成分からなり、かつ前記第１記録層の光
出射側保護層が、融点１１００Ｋ以上で、光透過率３０
％以上の金属酸化物であることを特徴とする相変化型光
情報記録媒体である。上記構成によって、第１記録層の
感度と光透過率が向上し、これによって第１記録層と第
２記録層それぞれの高速記録再生を可能とする。
請求項１の発明は、基板上の構成層中に、光の入射側か
ら順次、第１記録層と第２記録層とを備え、該第１記録
層および該第２記録層はそれぞれ光入射側保護層と光出
射側保護層とに挟まれてなる相変化型光情報記録媒体に
おいて、前記第１記録層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ
元素とを含む組成分からなり、かつ前記第１記録層の光
出射側保護層が、融点１１００Ｋ以上で、光透過率３０
％以上の金属酸化物であることを特徴とする相変化型光
情報記録媒体である。上記構成によって、第１記録層の
感度と光透過率が向上し、これによって第１記録層と第
２記録層それぞれの高速記録再生を可能とする。
【００１０】請求項２の発明は、前記金属酸化物が酸化
インジウムであることを特徴とする請求項１記載の相変
化型光情報記録媒体である。金属酸化物を酸化インジウ
ムとすることで第１記録層の感度と光透過率が向上し、
第１記録層および第２記録層の高速記録再生を可能とす
る。
インジウムであることを特徴とする請求項１記載の相変
化型光情報記録媒体である。金属酸化物を酸化インジウ
ムとすることで第１記録層の感度と光透過率が向上し、
第１記録層および第２記録層の高速記録再生を可能とす
る。
【００１１】請求項３の発明は、前記金属酸化物が酸化
インジウム／酸化スズ複合酸化物であることを特徴とす
る請求項１記載の相変化型光情報記録媒体である。金属
酸化物を酸化インジウム／酸化スズ複合酸化物とするこ
とで第１記録層の感度と光透過率が向上し、第１記録層
および第２記録層の高速記録再生を可能とする。
インジウム／酸化スズ複合酸化物であることを特徴とす
る請求項１記載の相変化型光情報記録媒体である。金属
酸化物を酸化インジウム／酸化スズ複合酸化物とするこ
とで第１記録層の感度と光透過率が向上し、第１記録層
および第２記録層の高速記録再生を可能とする。
【００１２】請求項４の発明は、前記金属酸化物が酸化
スズ／酸化アンチモン複合酸化物であることを特徴とす
る請求項１記載の相変化型光情報記録媒体である。金属
酸化物を酸化スズ／酸化アンチモン複合酸化物とするこ
とで第１記録層の感度と光透過率が向上し、第１記録層
および第２記録層の高速記録再生を可能とする。
スズ／酸化アンチモン複合酸化物であることを特徴とす
る請求項１記載の相変化型光情報記録媒体である。金属
酸化物を酸化スズ／酸化アンチモン複合酸化物とするこ
とで第１記録層の感度と光透過率が向上し、第１記録層
および第２記録層の高速記録再生を可能とする。
【００１３】請求項５の発明は、前記金属酸化物が酸化
バナジウムであることを特徴とする請求項１記載の相変
化型光情報記録媒体である。金属酸化物を酸化バナジウ
ムとすることで第１記録層の感度と光透過率が向上し、
第１記録層および第２記録層の高速記録再生を可能とす
る。
バナジウムであることを特徴とする請求項１記載の相変
化型光情報記録媒体である。金属酸化物を酸化バナジウ
ムとすることで第１記録層の感度と光透過率が向上し、
第１記録層および第２記録層の高速記録再生を可能とす
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
をさらに説明する。図１、図２は、本発明に係る相変化
型光情報記録媒体の概略層構成断面図である。
をさらに説明する。図１、図２は、本発明に係る相変化
型光情報記録媒体の概略層構成断面図である。
【００１５】図１と図２では、少なくともＳｂ元素とＴ
ｅ元素とを含む組成分よりなる第１記録層３のほか、第
２記録層７が設けられている。第１記録層３および第２
記録層７は、それぞれ光入射側保護層（２，６）と光出
射側保護層（４，８）とに挟まれており、第１記録層３
の光出射側保護層４の融点は１１００Ｋ以上で、光透過
率は３０％以上の金属酸化物である。図１では光の入射
が基板１側、図２では光の入射が透過膜層１２側となっ
ている。
ｅ元素とを含む組成分よりなる第１記録層３のほか、第
２記録層７が設けられている。第１記録層３および第２
記録層７は、それぞれ光入射側保護層（２，６）と光出
射側保護層（４，８）とに挟まれており、第１記録層３
の光出射側保護層４の融点は１１００Ｋ以上で、光透過
率は３０％以上の金属酸化物である。図１では光の入射
が基板１側、図２では光の入射が透過膜層１２側となっ
ている。
【００１６】図１、図２において、基板の材料としては
通常、ガラス、セラミックスあるいは樹脂が用いられる
が、成形性、コストの点では、樹脂製基板がで好適であ
る。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル
樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニト
リル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ
プロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ
樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。成形性、光学特
性、コストの点ではポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂が好ましい。
通常、ガラス、セラミックスあるいは樹脂が用いられる
が、成形性、コストの点では、樹脂製基板がで好適であ
る。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル
樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニト
リル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ
プロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ
樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。成形性、光学特
性、コストの点ではポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂が好ましい。
【００１７】基板面の一方に凹凸パターンが形成されて
おり、例えば図１では、基板１の凹凸パターン形成面側
に順次、光入射側保護層２、第１記録層３、光出射側保
護層４（金属酸化物保護層）、樹脂層５、光入射側保護
層６、第２記録層７、光出射側保護層８、放熱層９、有
機保護層１０などが成膜される。基板１の厚さは特に制
限されるものではない。例えば、基板１側からレーザー
光を照射しない図２の構成の場合には、基板１の光学特
性を考慮する必要がなく、剛性の優れたポリエチレンテ
レフタレートなどが好ましい。
おり、例えば図１では、基板１の凹凸パターン形成面側
に順次、光入射側保護層２、第１記録層３、光出射側保
護層４（金属酸化物保護層）、樹脂層５、光入射側保護
層６、第２記録層７、光出射側保護層８、放熱層９、有
機保護層１０などが成膜される。基板１の厚さは特に制
限されるものではない。例えば、基板１側からレーザー
光を照射しない図２の構成の場合には、基板１の光学特
性を考慮する必要がなく、剛性の優れたポリエチレンテ
レフタレートなどが好ましい。
【００１８】図１，２において、光出射側保護層４（金
属酸化物保護層）は、融点１１００Ｋ以上で光の透過率
が３０％以上の金属酸化物、例えば、酸化インジウム、
酸化インジウム／酸化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）、酸化
スズ／酸化アンチモン複合酸化物（ＡＴＯ）、酸化バナ
ジウム（ＶＯ）からなり、第１記録層３の記録感度を高
めるとともに、光の透過性を向上する役割を担うほか、
記録層の劣化変質を防ぎ、記録層の接着強度を高める効
果がある。また、光入射側保護層２，６および光出射側
保護層４，８は、第１記録層３、および第２記録層７の
劣化変質防止、各記録層３，７の接着強度向上のほか、
記録特性を高めるなどの作用効果を有するもので、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ
２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、
Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化
物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物
が挙げられる。これらの材料は、単体で使用することも
できるし、混合物としてもよい。耐熱性が必要な場合に
は、融点は記録層よりも高いことが必要である。このよ
うな層形成方法としては、各種気相成長法、たとえば真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法な
どが用いられる。なかでも、スパッタリング法が、量産
性、膜質等に優れている。
属酸化物保護層）は、融点１１００Ｋ以上で光の透過率
が３０％以上の金属酸化物、例えば、酸化インジウム、
酸化インジウム／酸化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）、酸化
スズ／酸化アンチモン複合酸化物（ＡＴＯ）、酸化バナ
ジウム（ＶＯ）からなり、第１記録層３の記録感度を高
めるとともに、光の透過性を向上する役割を担うほか、
記録層の劣化変質を防ぎ、記録層の接着強度を高める効
果がある。また、光入射側保護層２，６および光出射側
保護層４，８は、第１記録層３、および第２記録層７の
劣化変質防止、各記録層３，７の接着強度向上のほか、
記録特性を高めるなどの作用効果を有するもので、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ
２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、
Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化
物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物
が挙げられる。これらの材料は、単体で使用することも
できるし、混合物としてもよい。耐熱性が必要な場合に
は、融点は記録層よりも高いことが必要である。このよ
うな層形成方法としては、各種気相成長法、たとえば真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法な
どが用いられる。なかでも、スパッタリング法が、量産
性、膜質等に優れている。
【００１９】放熱層９としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｔａなどの金属材料、またはそれらの合金などを用
いることができる。また、これら金属材料への添加元素
として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａな
どが使用できる。このような放熱層は、各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光Ｃｖｄ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパ
ッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
ｕ、Ｔａなどの金属材料、またはそれらの合金などを用
いることができる。また、これら金属材料への添加元素
として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａな
どが使用できる。このような放熱層は、各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光Ｃｖｄ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパ
ッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００２０】有機保護層１０としては、スピンコートな
どの塗布作業に適した、硬化速度の速い紫外線硬化樹脂
が好ましい。
どの塗布作業に適した、硬化速度の速い紫外線硬化樹脂
が好ましい。
【００２１】透過膜層１２は、高開口数（ＮＡ）の対物
レンズを用いる場合、０．３ｍｍ以下の厚さが要求され
るため、薄い層（シート状）であることが好ましい。材
料としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−ス
チレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレ
ン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウ
レタン樹脂などが挙げられる。なかでも、光学特性、コ
ストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂
が好ましい。透過膜層を形成する方法としては、紫外線
硬化性樹脂で接着するか、あるいは透明な両面粘着シー
トを介して貼りつける方法が挙げられる。また、紫外線
硬化性樹脂を保護層上に塗布してこれを硬化させて光透
過層を形成してもよい。
レンズを用いる場合、０．３ｍｍ以下の厚さが要求され
るため、薄い層（シート状）であることが好ましい。材
料としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−ス
チレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレ
ン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウ
レタン樹脂などが挙げられる。なかでも、光学特性、コ
ストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂
が好ましい。透過膜層を形成する方法としては、紫外線
硬化性樹脂で接着するか、あるいは透明な両面粘着シー
トを介して貼りつける方法が挙げられる。また、紫外線
硬化性樹脂を保護層上に塗布してこれを硬化させて光透
過層を形成してもよい。
【００２２】以下、実施例により本発明を更に詳細に説
明する。ただし、本発明はなんら実施例に限定されるも
のではない。
明する。ただし、本発明はなんら実施例に限定されるも
のではない。
【００２３】
【実施例】実施例１ トラックピッチが０．４０μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図１と
同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、光入射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０
ｎｍ、第１記録層３としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25を１
５ｎｍ、光出射側保護層４として酸化インジウム（Ｉｎ
2Ｏ3）を１５ｎｍ成膜した。次に樹脂層５として紫外線
硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタンパーに
よる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層５を１０
μｍ形成した。次に光入射側保護層６としてＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ2を４０ｎｍ、第２記録層７としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ
70Ｔｅ25を１２ｎｍ、光出射側保護層８としてＺｎＳ・
ＳｉＯ2を１２ｎｍ、放熱層９としてＡｇを１００ｎｍ
順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化
樹脂を塗布・硬化し、有機保護層１０（５μｍ）を形成
してメディア化した。
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図１と
同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、光入射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０
ｎｍ、第１記録層３としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25を１
５ｎｍ、光出射側保護層４として酸化インジウム（Ｉｎ
2Ｏ3）を１５ｎｍ成膜した。次に樹脂層５として紫外線
硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタンパーに
よる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層５を１０
μｍ形成した。次に光入射側保護層６としてＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ2を４０ｎｍ、第２記録層７としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ
70Ｔｅ25を１２ｎｍ、光出射側保護層８としてＺｎＳ・
ＳｉＯ2を１２ｎｍ、放熱層９としてＡｇを１００ｎｍ
順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化
樹脂を塗布・硬化し、有機保護層１０（５μｍ）を形成
してメディア化した。
【００２４】比較例1 光出射側保護層４を省いたほかは実施例１とまったく同
条件にして、図１と同じ層構成の比較例１のメディアを
作成した。
条件にして、図１と同じ層構成の比較例１のメディアを
作成した。
【００２５】実施例１のメディアと比較例１のメディア
について記録再生特性（第１記録層のジッタ最小記録感
度の光出力でのモジュレーション（記録再生信号振
幅））を評価した。評価条件は、レーザ波長：４００ｎ
ｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．６５、ディ
スクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線密度：０．１７
μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例１の記録再生
信号振幅は、比較例１に比べて１８％高く、ジッタも
２．５％低く記録できた。
について記録再生特性（第１記録層のジッタ最小記録感
度の光出力でのモジュレーション（記録再生信号振
幅））を評価した。評価条件は、レーザ波長：４００ｎ
ｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．６５、ディ
スクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線密度：０．１７
μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例１の記録再生
信号振幅は、比較例１に比べて１８％高く、ジッタも
２．５％低く記録できた。
【００２６】実施例２ トラックピッチが０．３４μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図２と
同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層９としてＡｇを１００ｎｍ、光出射側保護
層８としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層７
としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25を１５ｎｍ、光入射側保
護層６としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 を３０ｎｍ成膜した。次
に樹脂層として紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化
する前にスタンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬
化して樹脂層５を２０μｍ形成した。次に、光出射側保
護層４として酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）を１０ｎｍ、
第１記録層３としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5を１０ｎｍ、光入
射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍで順
次、枚葉スパッタ装置にて成膜した。最後に両面接着型
のシート状接着層１１（０．０２ｍｍ）を介してポリカ
ーボネート製透過膜層１２（０．１ｍｍ）を設けメディ
ア化した。
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図２と
同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層９としてＡｇを１００ｎｍ、光出射側保護
層８としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層７
としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25を１５ｎｍ、光入射側保
護層６としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 を３０ｎｍ成膜した。次
に樹脂層として紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化
する前にスタンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬
化して樹脂層５を２０μｍ形成した。次に、光出射側保
護層４として酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）を１０ｎｍ、
第１記録層３としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5を１０ｎｍ、光入
射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍで順
次、枚葉スパッタ装置にて成膜した。最後に両面接着型
のシート状接着層１１（０．０２ｍｍ）を介してポリカ
ーボネート製透過膜層１２（０．１ｍｍ）を設けメディ
ア化した。
【００２７】比較例２ 光出射側保護層４を省いたほかは実施例２とまったく同
条件にして、図２と同じ層構成の比較例２のメディアを
作成した。
条件にして、図２と同じ層構成の比較例２のメディアを
作成した。
【００２８】実施例２のメディアと比較例２のメディア
について記録再生特性（第１記録層のジッタ最小記録感
度の光出力でのモジュレーション（記録再生信号振
幅））を評価した。評価条件は、レーザ波長：４００ｎ
ｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．８５、ディ
スクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線密度：０．１３
μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例２の記録再生
信号振幅は、比較例２に比べて３０％高く、ジッタも５
％低く記録できた。
について記録再生特性（第１記録層のジッタ最小記録感
度の光出力でのモジュレーション（記録再生信号振
幅））を評価した。評価条件は、レーザ波長：４００ｎ
ｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．８５、ディ
スクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線密度：０．１３
μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例２の記録再生
信号振幅は、比較例２に比べて３０％高く、ジッタも５
％低く記録できた。
【００２９】実施例３ トラックピッチが０．４１μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図１と
同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、光入射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０
ｎｍ、第１記録層３としてＩｎ4Ｓｂ72Ｔｅ24を１２ｎ
ｍ、光出射側保護層４として酸化インジウム／酸化スズ
複合酸化物（ＩＴＯ）を５ｎｍ成膜した。次に樹脂層と
して紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にス
タンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂
層５を１５μｍ形成した。次に光入射側保護層６として
ＺｎＳ・ＳｉＯ2を３０ｎｍ、第２記録層７としてＩｎ4
Ｓｂ 72Ｔｅ24を１２ｎｍ、光出射側保護層８としてＺｎ
Ｓ・ＳｉＯ2を１２ｎｍ、放熱層９としてＡｇを１００
ｎｍ順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線
硬化樹脂を塗布・硬化し、有機保護層１０（５μｍ）を
形成してメディア化した。
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図１と
同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、光入射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０
ｎｍ、第１記録層３としてＩｎ4Ｓｂ72Ｔｅ24を１２ｎ
ｍ、光出射側保護層４として酸化インジウム／酸化スズ
複合酸化物（ＩＴＯ）を５ｎｍ成膜した。次に樹脂層と
して紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にス
タンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂
層５を１５μｍ形成した。次に光入射側保護層６として
ＺｎＳ・ＳｉＯ2を３０ｎｍ、第２記録層７としてＩｎ4
Ｓｂ 72Ｔｅ24を１２ｎｍ、光出射側保護層８としてＺｎ
Ｓ・ＳｉＯ2を１２ｎｍ、放熱層９としてＡｇを１００
ｎｍ順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線
硬化樹脂を塗布・硬化し、有機保護層１０（５μｍ）を
形成してメディア化した。
【００３０】比較例３ トラックピッチが０．４１μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図１と
同様の構成層を以下のようにして形成し、比較例の光デ
ィスク（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装
置にて順次、光入射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2
を４０ｎｍ、第１記録層３としてＩｎ4Ｓｂ72Ｔｅ24を
１５ｎｍ、光出射側保護層４として酸化インジウム／酸
化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）を５ｎｍ成膜した。次に樹
脂層として紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する
前にスタンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化し
て樹脂層５を１５μｍ形成した。次に光入射側保護層６
としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第２記録層７とし
てＡｇ2Ｉｎ 3Ｓｂ70Ｔｅ25を１２ｎｍ、光出射側保護層
８としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を１２ｎｍ、放熱層９として
Ａｇを１００ｎｍ順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、
最後に紫外線硬化樹脂を塗布・硬化し、有機保護層１０
（５μｍ）を形成してメディア化した。
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図１と
同様の構成層を以下のようにして形成し、比較例の光デ
ィスク（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装
置にて順次、光入射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2
を４０ｎｍ、第１記録層３としてＩｎ4Ｓｂ72Ｔｅ24を
１５ｎｍ、光出射側保護層４として酸化インジウム／酸
化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）を５ｎｍ成膜した。次に樹
脂層として紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する
前にスタンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化し
て樹脂層５を１５μｍ形成した。次に光入射側保護層６
としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第２記録層７とし
てＡｇ2Ｉｎ 3Ｓｂ70Ｔｅ25を１２ｎｍ、光出射側保護層
８としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を１２ｎｍ、放熱層９として
Ａｇを１００ｎｍ順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、
最後に紫外線硬化樹脂を塗布・硬化し、有機保護層１０
（５μｍ）を形成してメディア化した。
【００３１】実施例３のメディアと比較例３のメディア
について記録再生特性（第１記録層のジッタ最小記録感
度の光出力でのモジュレーション（記録再生信号振
幅））を評価した。評価条件は、レーザ波長：４００ｎ
ｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．６５、ディ
スクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線密度：０．１７
μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例１の記録再生
信号振幅は、比較例１に比べて２３％高く、ジッタも６
％低く記録できた。
について記録再生特性（第１記録層のジッタ最小記録感
度の光出力でのモジュレーション（記録再生信号振
幅））を評価した。評価条件は、レーザ波長：４００ｎ
ｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．６５、ディ
スクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線密度：０．１７
μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例１の記録再生
信号振幅は、比較例１に比べて２３％高く、ジッタも６
％低く記録できた。
【００３２】実施例４ トラックピッチが０．３６μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図２と
同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層９としてＡｇを１００ｎｍ、光出射側保護
層８としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層７
としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25を１５ｎｍ、光入射側保
護層６としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 を２０ｎｍ成膜した。次
に樹脂層として紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化
する前にスタンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬
化して樹脂層５を２２μｍ形成した。次に、光出射側保
護層４として酸化スズ／酸化アンチモン複合酸化物（Ａ
ＴＯ）を８ｎｍ、第１記録層３としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70
Ｔｅ25を１０ｎｍ、光入射側保護層２としてＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ2を４０ｎｍで順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し
た。最後に両面接着型のシート状接着層１１（０．０２
ｍｍ）を介してポリカーボネート製透過膜層１２（０．
０８ｍｍ）を設けメディア化した。
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図２と
同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層９としてＡｇを１００ｎｍ、光出射側保護
層８としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層７
としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25を１５ｎｍ、光入射側保
護層６としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 を２０ｎｍ成膜した。次
に樹脂層として紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化
する前にスタンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬
化して樹脂層５を２２μｍ形成した。次に、光出射側保
護層４として酸化スズ／酸化アンチモン複合酸化物（Ａ
ＴＯ）を８ｎｍ、第１記録層３としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70
Ｔｅ25を１０ｎｍ、光入射側保護層２としてＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ2を４０ｎｍで順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し
た。最後に両面接着型のシート状接着層１１（０．０２
ｍｍ）を介してポリカーボネート製透過膜層１２（０．
０８ｍｍ）を設けメディア化した。
【００３３】比較例４ 光出射側保護層４を省き、光入射側保護層６（ＺｎＳ・
ＳｉＯ2 ）を１０ｎｍ、樹脂層５を１０μｍとしたほか
は実施例４とまったく同条件にして、図２と同じ層構成
の比較例４のメディアを作成した。
ＳｉＯ2 ）を１０ｎｍ、樹脂層５を１０μｍとしたほか
は実施例４とまったく同条件にして、図２と同じ層構成
の比較例４のメディアを作成した。
【００３４】実施例４のメディアと比較例４のメディア
について記録再生特性（第１記録層のジッタ最小記録感
度の光出力でのモジュレーション（記録再生信号振
幅））を評価した。評価条件は、レーザ波長：４００ｎ
ｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．８５、ディ
スクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線密度：０．１３
μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例４の記録再生
信号振幅は、比較例４に比べて３５％高く、ジッタも５
％低く記録できた。
について記録再生特性（第１記録層のジッタ最小記録感
度の光出力でのモジュレーション（記録再生信号振
幅））を評価した。評価条件は、レーザ波長：４００ｎ
ｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．８５、ディ
スクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線密度：０．１３
μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例４の記録再生
信号振幅は、比較例４に比べて３５％高く、ジッタも５
％低く記録できた。
【００３５】実施例５ トラックピッチが０．４４μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図１と
同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、光入射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０
ｎｍ、第１記録層３としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5を１５ｎ
ｍ、光出射側保護層４として酸化バナジウム（ＶＯ）を
５ｎｍ成膜した。次に樹脂層として紫外線硬化樹脂をス
ピンコートし、硬化する前にスタンパーによる凹凸の転
写を施し、その後硬化して樹脂層５を１５μｍ形成し
た。次に光入射側保護層６としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を３
０ｎｍ、第２記録層７としてＡｇ2Ｉｎ2Ｓｂ72Ｔｅ24を
１２ｎｍ、光出射側保護層８としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を
１２ｎｍ、放熱層９としてＡｇを１００ｎｍ順次、枚葉
スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化樹脂を塗布
・硬化し、有機保護層１０（５μｍ）を形成してメディ
ア化した。
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図１と
同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、光入射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０
ｎｍ、第１記録層３としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5を１５ｎ
ｍ、光出射側保護層４として酸化バナジウム（ＶＯ）を
５ｎｍ成膜した。次に樹脂層として紫外線硬化樹脂をス
ピンコートし、硬化する前にスタンパーによる凹凸の転
写を施し、その後硬化して樹脂層５を１５μｍ形成し
た。次に光入射側保護層６としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を３
０ｎｍ、第２記録層７としてＡｇ2Ｉｎ2Ｓｂ72Ｔｅ24を
１２ｎｍ、光出射側保護層８としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を
１２ｎｍ、放熱層９としてＡｇを１００ｎｍ順次、枚葉
スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化樹脂を塗布
・硬化し、有機保護層１０（５μｍ）を形成してメディ
ア化した。
【００３６】比較例５ トラックピッチが０．４４μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図１と
同様の構成層を以下のようにして形成し、比較例の光デ
ィスク（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装
置にて順次、光入射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2
を４０ｎｍ、第１記録層３としてＩｎ4Ｓｂ72Ｔｅ24を
１５ｎｍ、光出射側保護層４として酸化インジウム／酸
化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）を５ｎｍ成膜した。次に樹
脂層として紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する
前にスタンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化し
て樹脂層５を１５μｍ形成した。次に光入射側保護層６
としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第２記録層７とし
てＡｇ2Ｉｎ 3Ｓｂ70Ｔｅ25を１２ｎｍ、光出射側保護層
８としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を１２ｎｍ、放熱層９として
Ａｇを１００ｎｍ順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、
最後に紫外線硬化樹脂を塗布・硬化し、有機保護層１０
（５μｍ）を形成してメディア化した。
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板上に、図１と
同様の構成層を以下のようにして形成し、比較例の光デ
ィスク（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装
置にて順次、光入射側保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2
を４０ｎｍ、第１記録層３としてＩｎ4Ｓｂ72Ｔｅ24を
１５ｎｍ、光出射側保護層４として酸化インジウム／酸
化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）を５ｎｍ成膜した。次に樹
脂層として紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する
前にスタンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化し
て樹脂層５を１５μｍ形成した。次に光入射側保護層６
としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第２記録層７とし
てＡｇ2Ｉｎ 3Ｓｂ70Ｔｅ25を１２ｎｍ、光出射側保護層
８としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を１２ｎｍ、放熱層９として
Ａｇを１００ｎｍ順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、
最後に紫外線硬化樹脂を塗布・硬化し、有機保護層１０
（５μｍ）を形成してメディア化した。
【００３７】実施例５のメディアと比較例５のメディア
について記録再生特性（第１記録層のジッタ最小記録感
度の光出力でのモジュレーション（記録再生信号振
幅））を評価した。評価条件は、レーザ波長：４００ｎ
ｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．６５、ディ
スクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線密度：０．１７
μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例５の記録再生
信号振幅は、比較例５に比べて２２％高く、ジッタも２
％低く記録できた。
について記録再生特性（第１記録層のジッタ最小記録感
度の光出力でのモジュレーション（記録再生信号振
幅））を評価した。評価条件は、レーザ波長：４００ｎ
ｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．６５、ディ
スクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線密度：０．１７
μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例５の記録再生
信号振幅は、比較例５に比べて２２％高く、ジッタも２
％低く記録できた。
【００３８】
【発明の効果】請求項１〜５の本発明の構成、即ち光の
入射側の第１記録層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素
とを含む組成分からなり、かつ第１記録層の光出射側保
護層が、融点１１００Ｋ以上で、光透過率３０％以上の
金属酸化物であることにより、光透過性を高め、かつ記
録感度を良好にすることができるため、高速記録再生の
できる相変化型光情報記録媒体が提供される。
入射側の第１記録層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素
とを含む組成分からなり、かつ第１記録層の光出射側保
護層が、融点１１００Ｋ以上で、光透過率３０％以上の
金属酸化物であることにより、光透過性を高め、かつ記
録感度を良好にすることができるため、高速記録再生の
できる相変化型光情報記録媒体が提供される。
【図１】光の入射が基板側である相変化型光情報記録媒
体の概略層構成断面図である。
体の概略層構成断面図である。
【図２】光の入射が透過膜層側である相変化型光情報記
録媒体の概略層構成断面図である。
録媒体の概略層構成断面図である。
１ 基板 ２ 光入射側保護層 ３ 第１記録層 ４ 光出射側保護層 ５ 樹脂層 ６ 光入射側保護層 ７ 第２記録層 ８ 光出射側保護層 ９ 放熱層 １０ 有機保護層 １１ 接着層 １２ 透過膜層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上の構成層中に、光の入射側から順
次、第１記録層と第２記録層とを備え、該第１記録層お
よび該第２記録層はそれぞれ光入射側保護層と光出射側
保護層とに挟まれてなる相変化型光情報記録媒体におい
て、前記第１記録層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素
とを含む組成分からなり、かつ前記第１記録層の光出射
側保護層が、融点１１００Ｋ以上で、光透過率３０％以
上の金属酸化物であることを特徴とする相変化型光情報
記録媒体。 - 【請求項２】 前記金属酸化物が酸化インジウムである
ことを特徴とする請求項１記載の相変化型光情報記録媒
体。 - 【請求項３】 前記金属酸化物が酸化インジウム／酸化
スズ複合酸化物であることを特徴とする請求項１記載の
相変化型光情報記録媒体。 - 【請求項４】 前記金属酸化物が酸化スズ／酸化アンチ
モン複合酸化物であることを特徴とする請求項１記載の
相変化型光情報記録媒体。 - 【請求項５】 前記金属酸化物が酸化バナジウムである
ことを特徴とする請求項１記載の相変化型光情報記録媒
体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001074121A JP4194064B2 (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 相変化型光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001074121A JP4194064B2 (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 相変化型光情報記録媒体 |
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|---|---|
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ID=18931441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001074121A Expired - Fee Related JP4194064B2 (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 相変化型光情報記録媒体 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP4194064B2 (ja) |
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-
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- 2001-03-15 JP JP2001074121A patent/JP4194064B2/ja not_active Expired - Fee Related
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