JP2002269815A - 相変化型光情報記録媒体 - Google Patents

相変化型光情報記録媒体

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JP2002269815A
JP2002269815A JP2001074122A JP2001074122A JP2002269815A JP 2002269815 A JP2002269815 A JP 2002269815A JP 2001074122 A JP2001074122 A JP 2001074122A JP 2001074122 A JP2001074122 A JP 2001074122A JP 2002269815 A JP2002269815 A JP 2002269815A
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Michiaki Shinozuka
道明 篠塚
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Ricoh Co Ltd
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    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度記録を可能とする多層の相変化型光情
報記録媒体において、光照射側から順次構成される各記
録層への高速記録再生ができる、光透過性が良好で記録
感度の優れた相変化型光情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板１上に設けられた構成層中に、光の
入射側から順次、第１記録層と第２記録層とを少なくと
も備えた相変化型光情報記録媒体であって、光の入射側
の第１記録層３を、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素とを
含む組成分とカルコゲナイドガラス組成分との複合組成
によりなる１層構成の記録層とするか、もしくは前記第
１記録層３を、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素とを含む
組成分からなる層と、カルコゲナイドガラス組成分から
なる層とが隣接してなる２層構成の記録層とすることに
より、光透過性を高め、かつ記録感度を良好にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザなどの光に
より情報の記録、あるいは再生などを行なう情報記録媒
体に関し、特に高記録密度化に好適な感度に優れた相変
化型光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＤＲ―ＲやＣＤ―ＲＷなどの光
ディスクは、ポリカーボネート等のプラスチックの円形
基板、またはその上に設けた記録層に、円周方向に沿っ
て、音や文字、あるいは画像の信号を記録し、その面に
アルミニウムや金、銀などの金属を蒸着、またはスパッ
タリングして反射層を形成した構成で使用されている。
この場合、光ディスクの基板面側からレーザー光を入射
して、信号の記録、再生が行なわれる。
【０００３】近年、コンピューターメモリ、画像および
音声ファイル用メモリー、光カード等で扱う情報量が非
常に増加しているため、ＤＶＤ―ＲＡＭ、ＤＶＤ―ＲＷ
のように光ディスクの信号記録容量の増大および信号情
報の高密度化が進んでいる。現在、ＣＤの記録容量は６
５０ＭＢ程度、ＤＶＤでは４．７ＧＢ程度の容量である
が、更に高記録密度化が要求されている。
【０００４】記録密度を高める方法として、光学系にお
ける光源の短波長化や対物レンズの開口数ＮＡの増大化
が検討されているが、２次元方向の記録のみでは記録密
度の向上が難しくなってきた。そこで、記録媒体の厚さ
方向に記録層を多層化し、情報記録を蓄積する手法が検
討されている。
【０００５】このような多層化方法として、例えば、特
開平８―２８７４７４号公報の技術が提案されている。
しかし、この例では、多層化する事の概念は記載されて
いるものの、記録媒体に関する具体的な内容が記載され
ていないため、具現化の方法は未詳である。一方、光の
入射方向に相変化記録層を設ける多層記録方法について
特開平９―１９８７０９号公報、特開平１１―１９５２
４３号公報に紹介されている。これらいずれの例でも、
実施例において、層構成が２層で、光が最初に透過する
層がＳｂ2Ｓｅ3、他の層がＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成からな
る記録層が示されている。しかし、この構成の場合に
は、高速記録をする際、記録感度が悪くなり高密度記録
がしづらいという難点がある。
【０００６】例えば２層構成のように記録層を多層化し
た場合、第２記録層への光の照射向上、あるいは反射光
の透過を向上させるため、光入射側の第１記録層の膜厚
を極薄にすると、光の透過性は増加するが、膜厚が不均
一になったり、結晶化させる工程、すなわち初期化工程
で大きなパワーのレーザー出力が必要となるなど、多層
構成の実現には技術的に難しい問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点に鑑みなされたもので、その目的は光透過性が
良好で記録感度が優れた高速記録再生のできる相変化型
光情報記録媒体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る光情報記録媒体は、基板上に設けられ
た構成層中に、光の入射側から順次、第１記録層と第２
記録層とを備えた相変化型光情報記録媒体において、前
記第１記録層を、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素とを含
む組成分とカルコゲナイドガラス組成分との複合組成に
よりなる１層構成の記録層とするか、もしくは前記第１
記録層を、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素とを含む組成
分からなる層とカルコゲナイドガラス組成分からなる層
とが隣接してなる２層構成の記録層とすることにより、
光透過性と記録感度を向上させたものである。
【０００９】以下、本発明について具体的に説明する。
請求項１の発明は、基板上に設けられた構成層中に、光
の入射側から順次、第１記録層と第２記録層とを少なく
とも備えた相変化型光情報記録媒体において、前記第１
記録層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素とを含む組成
分とカルコゲナイドガラス組成分との複合組成によりな
る１層構成の記録層であることを特徴とする相変化型光
情報記録媒体である。上記構成によって、第１記録層の
光透過率が向上し、感度が高くなり、これによって第２
記録層の高速記録再生を可能とし、かつ第１記録層の高
速記録再生も可能とすることができる。
【００１０】請求項２の発明は、前記カルコゲナイドガ
ラス組成分がＧｅ100-xＳｅx（但し、式中ｘの範囲は：
３０＜ｘ＜１００（原子％））であることを特徴とする
請求項１記載の相変化型光情報記録媒体である。カルコ
ゲナイドガラス組成分をＧｅ100-xＳｅxとすることで第
１記録層の光透過率と感度が高くなり、第１記録層、お
よび層第２記録層の記録再生を可能とする。
【００１１】請求項３の発明は、前記カルコゲナイドガ
ラス組成分がＧｅ100-xＳｎx（但し、式中ｘの範囲は：
３０＜ｘ＜１００（原子％））であることを特徴とする
請求項１記載の相変化型光情報記録媒体である。カルコ
ゲナイドガラス組成分をＧｅ100-xＳｎxとすることで第
１記録層の光透過率が向上し、感度が高くなり、これに
よって第１記録層、および第２記録層の記録再生を可能
とする。
【００１２】請求項４の発明は、前記カルコゲナイドガ
ラス組成分がＡｓ100-xＳx（但し、式中ｘの範囲は：３
０＜ｘ＜１００（原子％））であることを特徴とする請
求項１記載の相変化型光情報記録媒体である。カルコゲ
ナイドガラス組成分をＡｓ100-xＳxとすることで第１記
録層の光透過率が向上し、感度が高くなり、これによっ
て第１記録層、および第２記録層の記録再生を可能とす
る。
【００１３】請求項５の発明は、前記カルコゲナイドガ
ラス組成分がＡｇ19Ｓｂ29Ｔｅ52であることを特徴とす
る請求項１記載の相変化型光情報記録媒体である。カル
コゲナイドガラス組成分をＡｇ19Ｓｂ29Ｔｅ52とするこ
とで第１記録層の光透過率が向上し、感度が高くなり、
これによって第１記録層、および第２記録層の記録再生
を可能とする。
【００１４】請求項６の発明は、前記カルコゲナイドガ
ラス組成分がＩｎ2Ｔｅ3であることを特徴とする請求項
１記載の相変化型光情報記録媒体である。カルコゲナイ
ドガラス組成分をＩｎ2Ｔｅ3とすることで第１記録層の
光透過率が向上し、感度が高くなり、これによって第１
記録層、および第２記録層の記録再生を可能とする。
【００１５】請求項７の発明は、前記カルコゲナイドガ
ラス組成分がＧａ2Ｔｅ3であることを特徴とする請求項
１記載の相変化型光情報記録媒体である。カルコゲナイ
ドガラス組成分をＧａ2Ｔｅ3とすることで第１記録層の
光透過率が向上し、感度が高くなり、これによって第１
記録層、および第２記録層の記録再生を可能とする。
【００１６】請求項８の発明は、前記カルコゲナイドガ
ラス組成分がＡｇＳｂＳｅ2であることを特徴とする請
求項１記載の相変化型光情報記録媒体である。カルコゲ
ナイドガラス組成分をＡｇＳｂＳｅ2とすることで第１
記録層の光透過率が向上し、感度が高くなり、これによ
って第１記録層、および第２記録層の記録再生を可能と
する。
【００１７】請求項９の発明は、基板上に設けられた構
成層中に、光の入射側から順次、第１記録層と第２記録
層とを少なくとも備えた相変化型光情報記録媒体におい
て、前記第１記録層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素
とを含む組成分からなる層とカルコゲナイドガラス組成
分からなる層とが隣接してなる２層構成の記録層である
ことを特徴とする相変化型光情報記録媒体である。上記
構成によって、２層構成の第１記録層の光透過率が向上
し、感度が高くなり、これによって第２記録層の高速記
録再生を可能とし、かつ第１記録層の高速記録再生も可
能とすることができる。
【００１８】請求項１０の発明は、前記カルコゲナイド
ガラス組成分がＧｅ100-xＳｅx（但し、式中ｘの範囲
は：３０＜ｘ＜１００（原子％））であることを特徴と
する請求項９記載の相変化型光情報記録媒体である。カ
ルコゲナイドガラス組成分をＧｅ100-xＳｅxとすること
で２層構成である第１記録層の光透過率が向上し、感度
が高くなり、これによって第１記録層、および第２記録
層の記録再生を可能とする。
【００１９】請求項１１の発明は、前記カルコゲナイド
ガラス組成分がＧｅ100-xＳｎx（但し、式中ｘの範囲
は：３０＜ｘ＜１００（原子％））であることを特徴と
する請求項９記載の相変化型光情報記録媒体である。カ
ルコゲナイドガラス組成分をＧｅ100-xＳｎxとすること
で２層構成である第１記録層の光透過率が向上し、感度
が高くなり、これによって第１記録層、および第２記録
層の記録再生を可能とする。
【００２０】請求項１２の発明は、前記カルコゲナイド
ガラス組成分がＡｓ100-xＳx（但し、式中ｘの範囲は：
３０＜ｘ＜１００（原子％））であることを特徴とする
請求項９記載の相変化型光情報記録媒体である。カルコ
ゲナイドガラス組成分をＡｓ100-xＳxとすることで２層
構成である第１記録層の光透過率が向上し、感度が高く
なり、これによって第１記録層、および第２記録層の記
録再生を可能とする。
【００２１】請求項１３の発明は、前記カルコゲナイド
ガラス組成分がＡｇ19Ｓｂ29Ｔｅ52であることを特徴と
する請求項９記載の相変化型光情報記録媒体である。カ
ルコゲナイドガラス組成分をＡｇ19Ｓｂ29Ｔｅ52とする
ことで２層構成である第１記録層の光透過率が向上し、
感度が高くなり、これによって第１記録層、および第２
記録層の記録再生を可能とする。
【００２２】請求項１４の発明は、前記カルコゲナイド
ガラス組成分がＩｎ2Ｔｅ3であることを特徴とする請求
項９記載の相変化型光情報記録媒体である。カルコゲナ
イドガラス組成分をＩｎ2Ｔｅ3とすることで２層構成で
ある第１記録層の光透過率が向上し、感度が高くなり、
これによって第１記録層、および第２記録層の記録再生
を可能とする。
【００２３】請求項１５の発明は、前記カルコゲナイド
ガラス組成分がＧａ2Ｔｅ3であることを特徴とする請求
項９記載の相変化型光情報記録媒体である。カルコゲナ
イドガラス組成分をＧａ2Ｔｅ3とすることで２層構成で
ある第１記録層の光透過率が向上し、感度が高くなり、
これによって第１記録層、および第２記録層の記録再生
を可能とする。
【００２４】請求項１６の発明は、前記カルコゲナイド
ガラス組成分がＡｇＳｂＳｅ2であることを特徴とする
請求項９記載の相変化型光情報記録媒体である。カルコ
ゲナイドガラス組成分をＡｇＳｂＳｅ2とすることで２
層構成である第１記録層の光透過率が向上し、感度が高
くなり、これによって第１記録層、および第２記録層の
記録再生を可能とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
をさらに説明する。図１、図２、図３、図４は、本発明
に係る相変化型光情報記録媒体の概略層構成断面図であ
る。
【００２６】図１と図２では、少なくともＳｂ元素とＴ
ｅ元素とを含む組成分とカルコゲナイドガラス組成分と
の複合組成によりなる１層構成の第１記録層３のほか、
第２記録層８が設けられている。図１では光の入射が基
板１側、図２では光の入射が透過膜層１３側となってい
る。
【００２７】図３と図４では、少なくともＳｂ元素とＴ
ｅ元素とを含む組成分からなる層と、カルコゲナイドガ
ラス組成分からなる層とが隣接してなる２層構成の第１
記録層３（記録層ａと記録層ｂからなる）のほか、第２
記録層８が設けられている。図３では光の入射が基板１
側、図４では光の入射が透過膜層側１３となっている。
【００２８】図１、図２、図３、図４において、基板１
の材料としては通常、ガラス、セラミックスあるいは樹
脂が用いられるが、成形性、コストの点では、樹脂製基
板がで好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フ
ッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられ
る。成形性、光学特性、コストの点ではポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
【００２９】基板面の一方に凹凸パターンが形成されて
おり、例えば図１では、基板１の凹凸パターン形成面側
に順次、保護層２、第１記録層３、樹脂層６、保護層
７、第２記録層８、保護層９、放熱層１０、有機保護層
１２などが成膜される。基板１の厚さは特に制限される
ものではない。例えば、基板側からレーザー光を照射し
ない図２、図４の構成の場合には、基板の光学特性を考
慮する必要がなく、剛性の優れたポリエチレンテレフタ
レートなどが好ましい。
【００３０】保護層２、保護層７および保護層９は、第
１記録層３および第２記録層８の劣化変質を防ぎ、これ
ら記録層の接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなど
の作用効果を有するもので、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｚｎ
Ｏ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｍ
ｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ
２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４
Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド
状カーボンあるいは、それらの混合物が挙げられる。こ
れらの材料は、単体で使用することもできるし、混合物
としてもよい。耐熱性が必要な場合には、融点は記録層
よりも高いことが必要である。このような層形成方法と
しては、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッ
タリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプ
レーティング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。
なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れ
ている。
【００３１】放熱層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｔａなどの金属材料、またはそれらの合金などを用
いることができる。また、これら金属材料への添加元素
として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａな
どが使用できる。このような放熱層は、各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、光Ｃｖｄ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパ
ッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００３２】有機保護層１２としては、スピンコートな
どの塗布作業に適した、硬化速度の速い紫外線硬化樹脂
が好ましい。
【００３３】透過膜層１３は、高開口数（ＮＡ）の対物
レンズを用いる場合、０．３ｍｍ以下の厚さが要求され
るため、薄い層（シート状）であることが好ましい。材
料としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−ス
チレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレ
ン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウ
レタン樹脂などが挙げられる。なかでも、光学特性、コ
ストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂
が好ましい。透過膜層を形成する方法としては、紫外線
硬化性樹脂で接着するか、あるいは透明な両面粘着シー
トを介して貼りつける方法が挙げられる。また、紫外線
硬化性樹脂を保護層上に塗布してこれを硬化させて光透
過層を形成してもよい。
【００３４】以下、実施例により本発明を更に詳細に説
明する。ただし、本発明はなんら実施例に限定されるも
のではない。
【００３５】
【実施例】実施例１ トラックピッチが０．４４μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図１
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第
１記録層３として（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25）85（Ｇｅ
30Ｓｅ70）15を１５ｎｍ成膜した。次に樹脂層として紫
外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタンパ
ーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６を
１０μｍ形成した。次に保護層７としてＺｎＳ・ＳｉＯ
2を４０ｎｍ、第２記録層８としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔ
ｅ25を１２ｎｍ、保護層９としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を１
２ｎｍ、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ順次、枚葉
スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化樹脂を塗布
・硬化し、有機保護層１１（５μｍ）を形成してメディ
ア化した。
【００３６】比較例1 第１記録層３をＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25（厚さ１５ｎ
ｍ）とした以外は、実施例１とまったく同条件にして、
図１と同じ層構成の比較例１のメディアを作成した。
【００３７】実施例１のメディアと比較例１のメディア
について記録再生特性（第1記録層と第２記録層のジッ
タ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ波
長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．６５、ディスクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１７μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例１の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例１に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ出
力で感度良く記録できた。
【００３８】実施例２ トラックピッチが０．４１μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図１
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第
１記録層３として（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25）90（Ｇｅ
20Ｓｅ80）10を１２ｎｍ、成膜した。次に樹脂層として
紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタン
パーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６
を１０μｍ形成した。次に保護層７としてＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2を４０ｎｍ、第２記録層８としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70
Ｔｅ25を１２ｎｍ、保護層９としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を
１２ｎｍ、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ順次、枚
葉スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化樹脂を塗
布・硬化し、有機保護層１１（５μｍ）を形成してメデ
ィア化した。
【００３９】比較例２ 第１記録層３をＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25（厚さ１５ｎ
ｍ）とした以外は、実施例２とまったく同条件にして、
図１と同じ層構成の比較例２のメディアを作成した。
【００４０】実施例２のメディアと比較例２のメディア
について記録再生特性（第１記録層と第２記録層のジッ
タ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ波
長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．６５、ディスクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１７μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例２の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例２に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ出
力で感度良く記録できた。
【００４１】実施例３ トラックピッチが０．４３μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図１
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第
１記録層３として（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25）80（Ｇｅ
20Ｓｎ80）20を１５ｎｍ成膜した。次に樹脂層として紫
外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタンパ
ーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６を
１０μｍ形成した。次に保護層７としてＺｎＳ・ＳｉＯ
2を４０ｎｍ、第２記録層８としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔ
ｅ25を１２ｎｍ、保護層９としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を１
２ｎｍ、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ順次、枚葉
スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化樹脂を塗布
・硬化し、有機保護層１１（５μｍ）を形成してメディ
ア化した。
【００４２】比較例３ 第１記録層３をＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25（厚さ１５ｎ
ｍ）とした以外は、実施例３とまったく同条件にして、
図１と同じ層構成の比較例３のメディアを作成した。
【００４３】実施例３のメディアと比較例３のメディア
について記録再生特性（第１記録層と第２記録層のジッ
タ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ波
長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．６５、ディスクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１７μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例３の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例３に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ出
力で感度良く記録できた。
【００４４】実施例４ トラックピッチが０．４２μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図１
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第
１記録層３として（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25）80（Ａｓ
30Ｓ70）20を１５ｎｍ成膜した。次に樹脂層として紫外
線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタンパー
による凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６を１
０μｍ形成した。次に保護層７としてＺｎＳ・ＳｉＯ2
を４０ｎｍ、第２記録層８としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ
25を１２ｎｍ、保護層９としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を１２
ｎｍ、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ順次、枚葉ス
パッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化樹脂を塗布・
硬化し、有機保護層１１（５μｍ）を形成してメディア
化した。
【００４５】比較例４ 第１記録層３をＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25（厚さ１５ｎ
ｍ）した以外は、実施例４とまったく同条件にして、図
１と同じ層構成の比較例４のメディアを作成した。
【００４６】実施例４のメディアと比較例４のメディア
について記録再生特性（第１記録層と第２記録層のジッ
タ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ波
長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．６５、ディスクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１７μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例４の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例４に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ出
力で感度良く記録できた。
【００４７】実施例５ トラックピッチが０．４０μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図１
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第
１記録層３として（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25）96（Ａｇ
19Ｓｂ29Ｔｅ52） 4を１５ｎｍ成膜した。次に樹脂層と
して紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にス
タンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂
層６を２０μｍ形成した。次に保護層７としてＺｎＳ・
ＳｉＯ2を１５ｎｍ、第２記録層８としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓ
ｂ70Ｔｅ25を１２ｎｍ、保護層９としてＺｎＳ・ＳｉＯ
2を１２ｎｍ、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ順
次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化樹
脂（５μｍ）を塗布・硬化し、有機保護層１１（５μ
ｍ）を形成してメディア化した。
【００４８】比較例５ 第１記録層３をＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25（１５ｎｍ）と
した以外は、実施例５とまったく同条件にして、図１と
同じ層構成の比較例５のメディアを作成した。
【００４９】実施例５のメディアと比較例５のメディア
について記録再生特性（第１記録層と第２記録層のジッ
タ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ波
長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．６５、ディスクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１７μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例５の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例５に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ出
力で感度良く記録できた。
【００５０】実施例６ トラックピッチが０．４５μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図１
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第
１記録層３として（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25）80（Ｉｎ
2Ｔｅ3）20を１５ｎｍ成膜した。次に樹脂層として紫外
線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタンパー
による凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６を１
０μｍ形成した。次に保護層７としてＺｎＳ・ＳｉＯ2
を４０ｎｍ、第２記録層８としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ
25を１２ｎｍ、保護層９としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を１２
ｎｍ、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ順次、枚葉ス
パッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化樹脂（５μ
ｍ）を塗布・硬化し、有機保護層１１（５μｍ）を形成
してメディア化した。
【００５１】比較例６ 第１記録層３をＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25（厚さ１５ｎ
ｍ）とした以外は、実施例６とまったく同条件にして、
図１と同じ層構成の比較例６のメディアを作成した。
【００５２】実施例６のメディアと比較例６のメディア
について記録再生特性（第１記録層と第２記録層のジッ
タ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ波
長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．６５、ディスクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１７μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例６の記録層１と記録層２のジッタ最小記録感度は、比
較例６に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ出力で感
度良く記録できた。
【００５３】実施例７ トラックピッチが０．４２μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図１
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第
１記録層３として（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25）90（Ｇａ
2Ｔｅ3）10を１５ｎｍ成膜した。次に樹脂層として紫外
線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタンパー
による凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６を１
０μｍ形成した。次に保護層７としてＺｎＳ・ＳｉＯ2
を４０ｎｍ、第２記録層８としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ
25を１２ｎｍ、保護層９としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を１２
ｎｍ、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ順次、枚葉ス
パッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化樹脂（５μ
ｍ）を塗布・硬化し、有機保護層１１（５μｍ）を形成
してメディア化した。
【００５４】比較例７ 第１記録層３をＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25（厚さ１５ｎ
ｍ）とした以外は、実施例７とまったく同条件にして、
図１と同じ層構成の比較例７のメディアを作成した。
【００５５】実施例７のメディアと比較例７のメディア
について記録再生特性（第１記録層と第２記録層のジッ
タ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ波
長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．６５、ディスクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１７μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例７の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例７に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ出
力で感度良く記録できた。
【００５６】実施例８ トラックピッチが０．４０μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図１
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ、第
１記録層３として（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25）94（Ａｇ
ＳｂＳｅ2）6を１５ｎｍ成膜した。次に樹脂層として紫
外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタンパ
ーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６を
１０μｍ形成した。次に保護層７としてＺｎＳ・ＳｉＯ
2を４０ｎｍ、第２記録層８としてＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔ
ｅ25を１２ｎｍ、保護層９としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を１
２ｎｍ、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ順次、枚葉
スパッタ装置にて成膜し、最後に紫外線硬化樹脂（５μ
ｍ）を塗布・硬化し、有機保護層１１（５μｍ）を形成
してメディア化した。
【００５７】比較例８ 第１記録層３をＡｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25（厚さ１５ｎ
ｍ）とした以外は、実施例８とまったく同条件にして、
図１と同じ層構成の比較例８のメディアを作成した。
【００５８】実施例８のメディアと比較例８のメディア
について記録再生特性（第１記録層と第２記録層のジッ
タ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ波
長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．６５、ディスクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１７μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例８の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例８に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ出
力で感度良く記録できた。
【００５９】実施例９ トラックピッチが０．３４μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図４
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ、保護層９と
してＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層８として
Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25を１５ｎｍ、保護層７としてＺ
ｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ成膜した。次に樹脂層として
紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタン
パーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６
を１０μｍ形成した。次に、記録層ｂとしてＡｇ2Ｉｎ3
Ｓｂ70Ｔｅ25を１０ｎｍ、記録層ａとしてＧｅ30Ｓｅ70
を５ｎｍ、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ
で順次、枚葉スパッタ装置にて成膜した。最後に両面接
着型のシート状接着層１２（０．０２ｍｍ）を介してポ
リカーボネート製透過膜層１３（０．１ｍｍ）を設けメ
ディア化した。
【００６０】比較例９ 第１記録層３を、図４に示した記録層ａと記録層ｂとの
２層構成から、図２に示した１層構成（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ
70Ｔｅ25（厚さ１５ｎｍ））とした以外は、実施例９と
まったく同条件にして、比較例９のメディアを作成し
た。
【００６１】実施例９のメディアと比較例９のメディア
について記録再生特性（第１記録層と第２記録層のジッ
タ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ波
長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．８５、ディスクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１３μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例９の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例９に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ出
力で感度良く記録できた。
【００６２】実施例１０ トラックピッチが０．３６μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図４
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ、保護層９と
してＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層８として
Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25を１５ｎｍ、保護層７としてＺ
ｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ成膜した。次に樹脂層として
紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタン
パーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６
を１０μｍ形成した。次に、記録層ｂとしてＡｇ2Ｉｎ3
Ｓｂ70Ｔｅ25を１０ｎｍ、記録層ａとしてＧｅ20Ｓｅ80
を５ｎｍ、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ
で順次、枚葉スパッタ装置にて成膜した。最後に両面接
着型のシート状接着層１２（０．０２ｍｍ）を介してポ
リカーボネート製透過膜層１３（０．０８ｍｍ）を設け
メディア化した。
【００６３】比較例１０ 第１記録層３を、図４に示した記録層ａと記録層ｂとの
２層構成から、図２に示した１層構成（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ
70Ｔｅ25（厚さ１５ｎｍ））とした以外は、実施例１０
とまったく同条件にして、比較例１０のメディアを作成
した。
【００６４】実施例１０のメディアと比較例１０のメデ
ィアについて記録再生特性（第１記録層と第２記録層の
ジッタ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ
波長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．８５、ディスクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１４μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例１０の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例１０に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ
出力で感度良く記録できた。
【００６５】実施例１１ トラックピッチが０．３５μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図４
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ、保護層９と
してＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層８として
Ｇｅ2Ａｇ2Ｉｎ2Ｓｂ70Ｔｅ24を１５ｎｍ、保護層７と
してＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ成膜した。次に樹脂層
として紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前に
スタンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹
脂層６を１０μｍ形成した。次に、記録層ｂとしてＧｅ
2Ａｇ2Ｉｎ2Ｓｂ70Ｔｅ24を１０ｎｍ、記録層ａとして
Ｇｅ3 0Ｓｎ70を５ｎｍ、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ
2を４０ｎｍで順次、枚葉スパッタ装置にて成膜した。
最後に両面接着型のシート状接着層１２（０．０２ｍ
ｍ）を介してポリカーボネート製透過膜層１３（０．０
８ｍｍ）を設けメディア化した。
【００６６】比較例１１ 第１記録層３を、図４に示した記録層ａと１記録層ｂと
の２層構成から、図２に示した１層構成（Ｇｅ2Ａｇ2Ｉ
ｎ2Ｓｂ70Ｔｅ24（厚さ１５ｎｍ））とした以外は、実
施例１１とまったく同条件にして、比較例１１のメディ
アを作成した。
【００６７】実施例１１のメディアと比較例１１のメデ
ィアについて記録再生特性（第１記録層と第２記録層の
ジッタ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ
波長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．８５、ディスクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１４μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例１１の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例１１に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ
出力で感度良く記録できた。
【００６８】実施例１２ トラックピッチが０．３０μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図４
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層１０としてＡｇを８０ｎｍ、保護層９とし
てＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層８としてＧ
ｅ2Ａｇ2Ｉｎ2Ｓｂ70Ｔｅ24を１５ｎｍ、保護層７とし
てＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ成膜した。次に樹脂層と
して紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にス
タンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂
層６を１０μｍ形成した。次に、記録層ｂとしてＧｅ2
Ａｇ2Ｉｎ2Ｓｂ70Ｔｅ24を１０ｎｍ、記録層ａとしてＡ
ｓ30Ｓ70を５ｎｍ、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を
４０ｎｍで順次、枚葉スパッタ装置にて成膜した。最後
に両面接着型のシート状接着層１２（０．０２ｍｍ）を
介してポリカーボネート製透過膜層１３（０．１ｍｍ）
を設けメディア化した。
【００６９】比較例１２ 第１記録層３を、図４に示した記録層ａと記録層ｂとの
２層構成から、図２に示した１層構成（Ｇｅ2Ａｇ2Ｉｎ
2Ｓｂ70Ｔｅ24（厚さ１５ｎｍ））とした以外は、実施
例１２とまったく同条件にして、比較例１２のメディア
を作成した。
【００７０】実施例１２のメディアと比較例１２のメデ
ィアについて記録再生特性（第１記録層と第２記録層の
ジッタ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ
波長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．８５、ディスクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１４μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例１２の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例１２に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ
出力で感度良く記録できた。
【００７１】実施例１３ トラックピッチが０．３３μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図４
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ、保護層９と
してＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層８として
Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25を１５ｎｍ、保護層７としてＺ
ｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ成膜した。次に樹脂層として
紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタン
パーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６
を１０μｍ形成した。次に、記録層ｂとしてＡｇ2Ｉｎ3
Ｓｂ70Ｔｅ25を１０ｎｍ、記録層ａとしてＡｇ19Ｓｂ29
Ｔｅ 52を３ｎｍ、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４
０ｎｍで順次、枚葉スパッタ装置にて成膜した。最後に
両面接着型のシート状接着層１２（０．０２ｍｍ）を介
してポリカーボネート製透過膜層１３（０．０８ｍｍ）
を設けメディア化した。
【００７２】比較例１３ 第１記録層３を、図４に示した記録層ａと記録層ｂとの
２層構成から、図２に示した１層構成（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ
70Ｔｅ25（厚さ１５ｎｍ）とした以外は、実施例１３と
まったく同条件にして、比較例１３のメディアを作成し
た。
【００７３】実施例１３のメディアと比較例１３のメデ
ィアについて記録再生特性（第１記録層と第２記録層の
ジッタ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ
波長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．８５、ディスクの回転線速：６．０ｍ／ｓｅｃ、記
録線密度：０．１４μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、
実施例１３の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録
感度は、比較例１３に比べて良好であり、１ｍＷ低いレ
ーザ出力で感度良く記録できた。
【００７４】実施例１４ トラックピッチが０．３３μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図４
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ、保護層９と
してＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層８として
Ｇｅ2Ａｇ2Ｉｎ2Ｓｂ70Ｔｅ24を１５ｎｍ、保護層７と
してＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ成膜した。次に樹脂層
として紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前に
スタンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹
脂層６を１０μｍ形成した。次に、記録層ｂとしてＧｅ
2Ａｇ2Ｉｎ2Ｓｂ70Ｔｅ24を１０ｎｍ、記録層ａとして
Ｉｎ2Ｔｅ3を３ｎｍ、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2
を４０ｎｍで順次、枚葉スパッタ装置にて成膜した。最
後に両面接着型のシート状接着層１２（０．０２ｍｍ）
を介してポリカーボネート製透過膜層１３（０．０８ｍ
ｍ）を設けメディア化した。
【００７５】比較例１４ 第１記録層３を、図４に示した記録層ａと記録層ｂとの
２層構成から、図２に示した１層構成（Ｇｅ2Ａｇ2Ｉｎ
2Ｓｂ70Ｔｅ24（厚さ１５ｎｍ）とした以外は、実施例
１４とまったく同条件にして、比較例１４のメディアを
作成した。
【００７６】実施例１４のメディアと比較例１４のメデ
ィアについて記録再生特性（第１記録層と第２記録層の
ジッタ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ
波長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．８５、ディスクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１４μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例１４の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例１４に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ
出力で感度良く記録できた。
【００７７】実施例１５ トラックピッチが０．３０μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図４
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層１０としてＡｇを８０ｎｍ、保護層９とし
てＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層８としてＧ
ｅ2Ａｇ2Ｉｎ2Ｓｂ70Ｔｅ24を１５ｎｍ、保護層７とし
てＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ成膜した。次に樹脂層と
して紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にス
タンパーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂
層６を１０μｍ形成した。次に、記録層ｂとしてＧｅ2
Ａｇ2Ｉｎ2Ｓｂ70Ｔｅ24を１０ｎｍ、記録層ａとしてＧ
ａ2Ｔｅ3を２ｎｍ、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を
４０ｎｍで順次、枚葉スパッタ装置にて成膜した。最後
に両面接着型のシート状接着層１２（０．０２ｍｍ）を
介してポリカーボネート製透過膜層１３（０．０８ｍ
ｍ）を設けメディア化した。
【００７８】比較例１５ 第１記録層３を、図４に示した記録層ａと記録層ｂとの
２層構成から、図２に示した１層構成（Ｇｅ2Ａｇ2Ｉｎ
2Ｓｂ70Ｔｅ24（厚さ１５ｎｍ）とした以外は、実施例
１５とまったく同条件にして、比較例１１５のメディア
を作成した。
【００７９】実施例１５のメディアと比較例１５のメデ
ィアについて記録再生特性（第１記録層と第２記録層の
ジッタ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ
波長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．８５、ディスクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１４μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例１５の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例１５に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ
出力で感度良く記録できた。
【００８０】実施例１６ トラックピッチが０．３３μｍで、表面に凹凸を設けた
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、図４
と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク
（メディア）を作成した。まず、枚葉スパッタ装置にて
順次、放熱層１０としてＡｇを１００ｎｍ、保護層９と
してＺｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ、第２記録層８として
Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ70Ｔｅ25を１５ｎｍ、保護層７としてＺ
ｎＳ・ＳｉＯ2 を１０ｎｍ成膜した。次に樹脂層として
紫外線硬化樹脂をスピンコートし、硬化する前にスタン
パーによる凹凸の転写を施し、その後硬化して樹脂層６
を１０μｍ形成した。次に、記録層ｂとしてＡｇ2Ｉｎ3
Ｓｂ70Ｔｅ25を１０ｎｍ、記録層ａとしてＡｇＳｂＳｅ
2を３ｎｍ、保護層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を４０ｎｍ
で順次、枚葉スパッタ装置にて成膜した。最後に両面接
着型のシート状接着層１２（０．０２ｍｍ）を介してポ
リカーボネート製透過膜層１３（０．０８ｍｍ）を設け
メディア化した。
【００８１】比較例１６ 第１記録層３を、図４に示した記録層ａと記録層ｂとの
２層構成から、図２に示した１層構成（Ａｇ2Ｉｎ3Ｓｂ
70Ｔｅ25（厚さ１５ｎｍ））とした以外は、実施例１２
とまったく同条件にして、比較例１６のメディアを作成
した。
【００８２】実施例１６のメディアと比較例１６のメデ
ィアについて記録再生特性（第１記録層と第２記録層の
ジッタ最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザ
波長：４００ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：
０．８５、ディスクの回転線速：６．０ｍ／ｓ、記録線
密度：０．１４μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施
例１６の第１記録層と第２記録層のジッタ最小記録感度
は、比較例１６に比べて良好であり、１ｍＷ低いレーザ
出力で感度良く記録できた。
【００８３】
【発明の効果】請求項１〜１６の本発明の構成、即ち光
の入射側の第１記録層を、少なくともＳｂ元素とＴｅ元
素とを含む組成分とカルコゲナイドガラス組成分との複
合組成によりなる１層構成の記録層とするか、もしくは
前記第１記録層を、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素とを
含む組成分からなる層とカルコゲナイドガラス組成分か
らなる層とが隣接してなる２層構成の記録層とすること
により、光透過性を高め、かつ記録感度を良好にするこ
とができるため、高速記録再生のできる相変化型光情報
記録媒体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】光の入射が基板側で第１記録層が１層構成の相
変化型光情報記録媒体の概略層構成断面図である。
【図２】光の入射が透過膜層側で第１記録層が１層構成
の相変化型光情報記録媒体の概略層構成断面図である。
【図３】光の入射が基板側で第１記録層が２層構成（記
録層ａ、記録層ｂ）の相変化型光情報記録媒体の概略層
構成断面図である。
【図４】光の入射が透過膜層側で第１記録層が２層構成
（記録層ａ、記録層ｂ）の相変化型光情報記録媒体の概
略層構成断面図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 保護層 ３ 第１記録層 ６ 樹脂層 ７ 保護層 ８ 第２記録層 ９ 保護層 １０ 放熱層 １１ 有機保護層 １２ 接着層 １３ 透過膜層 a, b 記録層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA23 EA32 EA33 EA48 FA02 FA14 FA18 FA37 FB09 FB12 GA03 4G062 AA04 BB18 CC10 DA01 DA10 DB01 DC01 DD01 DE01 DF01 EA01 EA10 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FB01 FC01 FD02 FD03 FD04 FD05 FD06 FE01 FE05 FE06 FE07 FE08 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GB05 GB06 GB07 GB08 GC05 GC06 GC07 GC08 GD06 GE01 HH01 HH03 HH04 HH05 HH06 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ04 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM04 NN01 4K029 AA11 AA24 BA31 BB02 BD00 CA05 5D029 HA05 JA01 JB03 JB05 JB13 JC04

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に設けられた構成層中に、光の入
    射側から順次、第１記録層と第２記録層とを少なくとも
    備えた相変化型光情報記録媒体において、前記第１記録
    層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素とを含む組成分と
    カルコゲナイドガラス組成分との複合組成によりなる１
    層構成の記録層であることを特徴とする相変化型光情報
    記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＧｅ
    100-xＳｅx（但し、式中ｘの範囲は：３０＜ｘ＜１００
    （原子％））であることを特徴とする請求項１記載の相
    変化型光情報記録媒体。
  3. 【請求項３】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＧｅ
    100-xＳｎx（但し、式中ｘの範囲は：３０＜ｘ＜１００
    （原子％））であることを特徴とする請求項１記載の相
    変化型光情報記録媒体。
  4. 【請求項４】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＡｓ
    100-xＳx（但し、式中ｘの範囲は：３０＜ｘ＜１００
    （原子％））であることを特徴とする請求項１記載の相
    変化型光情報記録媒体。
  5. 【請求項５】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＡｇ
    19Ｓｂ29Ｔｅ52であることを特徴とする請求項１記載の
    相変化型光情報記録媒体。
  6. 【請求項６】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＩｎ
    2Ｔｅ3であることを特徴とする請求項１記載の相変化型
    光情報記録媒体。
  7. 【請求項７】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＧａ
    2Ｔｅ3であることを特徴とする請求項１記載の相変化型
    光情報記録媒体。
  8. 【請求項８】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＡｇ
    ＳｂＳｅ2であることを特徴とする請求項１記載の相変
    化型光情報記録媒体。
  9. 【請求項９】 基板上に設けられた構成層中に、光の入
    射側から順次、第１記録層と第２記録層とを少なくとも
    備えた相変化型光情報記録媒体において、前記第１記録
    層が、少なくともＳｂ元素とＴｅ元素とを含む組成分か
    らなる層とカルコゲナイドガラス組成分からなる層とが
    隣接してなる２層構成の記録層であることを特徴とする
    相変化型光情報記録媒体。
  10. 【請求項１０】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＧ
    ｅ100-xＳｅx（但し、式中ｘの範囲は：３０＜ｘ＜１０
    ０（原子％））であることを特徴とする請求項９記載の
    相変化型光情報記録媒体。
  11. 【請求項１１】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＧ
    ｅ100-xＳｎx（但し、式中ｘの範囲は：３０＜ｘ＜１０
    ０（原子％））であることを特徴とする請求項９記載の
    相変化型光情報記録媒体。
  12. 【請求項１２】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＡ
    ｓ100-xＳx（但し、式中ｘの範囲は：３０＜ｘ＜１００
    （原子％））であることを特徴とする請求項９記載の相
    変化型光情報記録媒体。
  13. 【請求項１３】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＡ
    ｇ19Ｓｂ29Ｔｅ52であることを特徴とする請求項９記載
    の相変化型光情報記録媒体。
  14. 【請求項１４】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＩ
    ｎ2Ｔｅ3であることを特徴とする請求項９記載の相変化
    型光情報記録媒体。
  15. 【請求項１５】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＧ
    ａ2Ｔｅ3であることを特徴とする請求項９記載の相変化
    型光情報記録媒体。
  16. 【請求項１６】 前記カルコゲナイドガラス組成分がＡ
    ｇＳｂＳｅ2であることを特徴とする請求項９記載の相
    変化型光情報記録媒体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005023553A1 (ja) * 2003-09-05 2005-03-17 Nec Corporation 光学的情報記録媒体及び光学的情報記録再生装置

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