JP2002269822A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッドクラッシュが起きにくく、光学ヘッド
の光学的特性等を損なうことのない潤滑層を有する光記
録媒体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも反射層、光記録層お
よび潤滑下地層をこの順に形成した光記録媒体におい
て、前記潤滑下地層の表面に、イソシアネート基を有す
るパーフルオロポリエーテル誘導体とアルコール性水酸
基若しくはカルボキシル基を有するパーフルオロポリエ
ーテル誘導体の混合物、または、イソシアネート基を有
するパーフルオロポリエーテル誘導体とアルコール性水
酸基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体およびカ
ルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体
の混合物を塗布した後、架橋させて潤滑層を形成する。
の光学的特性等を損なうことのない潤滑層を有する光記
録媒体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも反射層、光記録層お
よび潤滑下地層をこの順に形成した光記録媒体におい
て、前記潤滑下地層の表面に、イソシアネート基を有す
るパーフルオロポリエーテル誘導体とアルコール性水酸
基若しくはカルボキシル基を有するパーフルオロポリエ
ーテル誘導体の混合物、または、イソシアネート基を有
するパーフルオロポリエーテル誘導体とアルコール性水
酸基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体およびカ
ルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体
の混合物を塗布した後、架橋させて潤滑層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
記録媒体、特に、レーザービームによって記録層に光学
的変化を生じさせ、情報の記録、再生および消去を行う
光記録媒体に関する。
記録媒体、特に、レーザービームによって記録層に光学
的変化を生じさせ、情報の記録、再生および消去を行う
光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の書き換え型光記録媒体は、一般に
プラスチック等の円盤状の基板に記録層を含む多層膜を
形成し、プラスチック基板側からレーザーを照射して記
録、再生、消去を行っていた。
プラスチック等の円盤状の基板に記録層を含む多層膜を
形成し、プラスチック基板側からレーザーを照射して記
録、再生、消去を行っていた。
【０００３】これに対して、プラスチック基板を通さず
に直接、記録膜側からレーザーを照射して記録再生を行
う表面光記録方式および近接場光記録方式が近年、高密
度化の手段として注目されている。
に直接、記録膜側からレーザーを照射して記録再生を行
う表面光記録方式および近接場光記録方式が近年、高密
度化の手段として注目されている。
【０００４】これらの記録方法では、光学ヘッドを記録
媒体に近づける必要があるため、ＳＩＬ（Ｓｏｌｉｄ
Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ）ヘッド等、浮上式のス
ライダーヘッドを利用することが提案されている。
媒体に近づける必要があるため、ＳＩＬ（Ｓｏｌｉｄ
Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ）ヘッド等、浮上式のス
ライダーヘッドを利用することが提案されている。
【０００５】同様にスライダーヘッドを使用しているハ
ードディスクでは、スライダーヘッドの浮上性確保のた
め、媒体表面に潤滑層を設けている場合が多い。
ードディスクでは、スライダーヘッドの浮上性確保のた
め、媒体表面に潤滑層を設けている場合が多い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】表面光記録方式および
近接場光記録方式では、浮上式のスライダーヘッドが記
録媒体表面に衝突する、いわゆる、ヘッドクラッシュが
起きやすいという問題がある。
近接場光記録方式では、浮上式のスライダーヘッドが記
録媒体表面に衝突する、いわゆる、ヘッドクラッシュが
起きやすいという問題がある。
【０００７】また、レーザーにより記録再生を行うた
め、レーザー等の照射によっても光学的特性等が損なわ
れることのない表面潤滑層が必要である。パーフルオロ
ポリエーテル誘導体を単体として潤滑層に使用した場
合、潤滑特性に問題はないが、潤滑剤分子の自由度が高
いため、ＳＩＬヘッド等と潤滑層との接触の際に、これ
らの自由な潤滑剤分子がＳＩＬヘッド側に付着、移行
し、レーザー等から発生する熱により分解して、レンズ
の光学特性に悪影響を与えるという問題があった。
め、レーザー等の照射によっても光学的特性等が損なわ
れることのない表面潤滑層が必要である。パーフルオロ
ポリエーテル誘導体を単体として潤滑層に使用した場
合、潤滑特性に問題はないが、潤滑剤分子の自由度が高
いため、ＳＩＬヘッド等と潤滑層との接触の際に、これ
らの自由な潤滑剤分子がＳＩＬヘッド側に付着、移行
し、レーザー等から発生する熱により分解して、レンズ
の光学特性に悪影響を与えるという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、ヘッドクラッシュが起き
にくく、光学ヘッドのレンズの光学的特性等を損なうこ
とのない、表面潤滑層を有する光記録媒体を提供するこ
とである。
にくく、光学ヘッドのレンズの光学的特性等を損なうこ
とのない、表面潤滑層を有する光記録媒体を提供するこ
とである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上述のよう
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、架橋反応により
潤滑剤分子の自由度を低下させることにより、媒体表面
からの潤滑剤のヘッドへの移行を起こりにくくすること
が可能なことを見出し、本発明を完成するに至った。
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、架橋反応により
潤滑剤分子の自由度を低下させることにより、媒体表面
からの潤滑剤のヘッドへの移行を起こりにくくすること
が可能なことを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち、本発明は、基板上に少なくとも
反射層、光記録層、潤滑下地層および潤滑層をこの順に
形成した光記録媒体において、前記潤滑層が、イソシア
ネート基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体とア
ルコール性水酸基若しくはカルボキシル基を有するパー
フルオロポリエーテル誘導体の架橋反応物、または、イ
ソシアネート基を有するパーフルオロポリエーテル誘導
体、アルコール性水酸基を有するパーフルオロポリエー
テル誘導体およびカルボキシル基を有するパーフルオロ
ポリエーテル誘導体の架橋反応物からなることを特徴と
する光記録媒体およびその製造方法に関する。
反射層、光記録層、潤滑下地層および潤滑層をこの順に
形成した光記録媒体において、前記潤滑層が、イソシア
ネート基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体とア
ルコール性水酸基若しくはカルボキシル基を有するパー
フルオロポリエーテル誘導体の架橋反応物、または、イ
ソシアネート基を有するパーフルオロポリエーテル誘導
体、アルコール性水酸基を有するパーフルオロポリエー
テル誘導体およびカルボキシル基を有するパーフルオロ
ポリエーテル誘導体の架橋反応物からなることを特徴と
する光記録媒体およびその製造方法に関する。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明の光記録媒体は、基板上に少なくと
も反射層、光記録層、潤滑下地層および潤滑層をこの順
に形成してなる、情報を記録・再生・消去する光記録媒
体である。
も反射層、光記録層、潤滑下地層および潤滑層をこの順
に形成してなる、情報を記録・再生・消去する光記録媒
体である。
【００１３】本発明における反射層としては、例えば、
アルミニウム、アルミニウム合金、金、銀などの金属材
料を使用することができ、光記録層としては、例えば、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｎｄ
ＤｙＦｅＣｏ等の光磁気記録膜、あるいはＧｅＳｂＴ
ｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等の相変化記録膜など偏光面、反
射率、光の位相などの変化で記録が可能な膜を使用する
ことができる。
アルミニウム、アルミニウム合金、金、銀などの金属材
料を使用することができ、光記録層としては、例えば、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｎｄ
ＤｙＦｅＣｏ等の光磁気記録膜、あるいはＧｅＳｂＴ
ｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等の相変化記録膜など偏光面、反
射率、光の位相などの変化で記録が可能な膜を使用する
ことができる。
【００１４】また、本発明における潤滑下地層として
は、例えば、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）または
ＳｉＯ2を例示することができる。ダイヤモンド状カー
ボン層やＳｉＯ2層はスパッタ法、イオンビームスパッ
タ法、プラズマＣＶＤ法等により成膜することができ
る。
は、例えば、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）または
ＳｉＯ2を例示することができる。ダイヤモンド状カー
ボン層やＳｉＯ2層はスパッタ法、イオンビームスパッ
タ法、プラズマＣＶＤ法等により成膜することができ
る。
【００１５】本発明においては、基板上に少なくとも反
射層、光記録層、潤滑下地層および潤滑層が形成されて
いればよく、光記録媒体の光学特性・熱特性等を考慮し
て更に他の層が存在していてもよい。
射層、光記録層、潤滑下地層および潤滑層が形成されて
いればよく、光記録媒体の光学特性・熱特性等を考慮し
て更に他の層が存在していてもよい。
【００１６】この潤滑下地層の上に設ける潤滑層として
は、イソシアネート基を有するパーフルオロポリエーテ
ル誘導体とアルコール性水酸基若しくはカルボキシル基
を有するパーフルオロポリエーテル誘導体の架橋反応
物、または、イソシアネート基を有するパーフルオロポ
リエーテル誘導体、アルコール性水酸基を有するパーフ
ルオロポリエーテル誘導体およびカルボキシル基を有す
るパーフルオロポリエーテル誘導体の架橋反応物で構成
される。パーフルオロポリエーテルの主鎖構造は直鎖構
造でも側鎖を有する構造でも構わないが、潤滑特性から
特に直鎖構造が望ましい。官能基は分子の両端、または
片端のいずれかに導入されていれば良いが、反応性がよ
り高いことから、特に両端にあることが望ましい。
は、イソシアネート基を有するパーフルオロポリエーテ
ル誘導体とアルコール性水酸基若しくはカルボキシル基
を有するパーフルオロポリエーテル誘導体の架橋反応
物、または、イソシアネート基を有するパーフルオロポ
リエーテル誘導体、アルコール性水酸基を有するパーフ
ルオロポリエーテル誘導体およびカルボキシル基を有す
るパーフルオロポリエーテル誘導体の架橋反応物で構成
される。パーフルオロポリエーテルの主鎖構造は直鎖構
造でも側鎖を有する構造でも構わないが、潤滑特性から
特に直鎖構造が望ましい。官能基は分子の両端、または
片端のいずれかに導入されていれば良いが、反応性がよ
り高いことから、特に両端にあることが望ましい。
【００１７】パーフルオロポリエーテル誘導体の重量平
均分子量は１０００〜１００００、特に２０００〜１０
０００が好ましい。重量平均分子量が１０００未満では
流動性が高すぎ、塗布時に媒体表面での分布が不均一と
なりやすい場合があり、重量平均分子量が１００００を
越えると流動性が低すぎ、架橋反応後に十分な潤滑特性
が得られにくい場合がある。また、低分子量のものは高
分子量のものに比べ、熱分解による重量減少がより低温
度から起こるため、高分子量のもののほうが長期的な安
定性に優れている。
均分子量は１０００〜１００００、特に２０００〜１０
０００が好ましい。重量平均分子量が１０００未満では
流動性が高すぎ、塗布時に媒体表面での分布が不均一と
なりやすい場合があり、重量平均分子量が１００００を
越えると流動性が低すぎ、架橋反応後に十分な潤滑特性
が得られにくい場合がある。また、低分子量のものは高
分子量のものに比べ、熱分解による重量減少がより低温
度から起こるため、高分子量のもののほうが長期的な安
定性に優れている。
【００１８】その他の官能基を有するものも含めパーフ
ルオロポリエーテル誘導体を単体として使用した場合、
潤滑特性に問題はないが、潤滑剤分子の自由度が高い状
態となる。そのような潤滑剤を用いた光記録媒体を表面
記録方式や近接場記録方式の光記録媒体として使用した
場合、ＳＩＬヘッド等と潤滑層との接触の際に、これら
の自由な潤滑剤分子がＳＩＬヘッド側に付着、移行し、
レーザー等から発生する熱により分解して、レンズの光
学特性に悪影響を与えることがある。
ルオロポリエーテル誘導体を単体として使用した場合、
潤滑特性に問題はないが、潤滑剤分子の自由度が高い状
態となる。そのような潤滑剤を用いた光記録媒体を表面
記録方式や近接場記録方式の光記録媒体として使用した
場合、ＳＩＬヘッド等と潤滑層との接触の際に、これら
の自由な潤滑剤分子がＳＩＬヘッド側に付着、移行し、
レーザー等から発生する熱により分解して、レンズの光
学特性に悪影響を与えることがある。
【００１９】イソシアネート基を有するパーフルオロポ
リエーテル誘導体はアルコール性水酸基またはカルボキ
シル基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体と架橋
反応を起こし、高分子量化する。これにより潤滑剤分子
の自由度が低下するため、媒体表面からの潤滑剤のヘッ
ドへの移行が起こりにくい。架橋反応は加熱等により起
こすことができる。
リエーテル誘導体はアルコール性水酸基またはカルボキ
シル基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体と架橋
反応を起こし、高分子量化する。これにより潤滑剤分子
の自由度が低下するため、媒体表面からの潤滑剤のヘッ
ドへの移行が起こりにくい。架橋反応は加熱等により起
こすことができる。
【００２０】イソシアネート基を有するパーフルオロポ
リエーテル誘導体としては、例えば、アウジモント製、
商品名「フォンブリンＺ ＤＩＳＯＣ」等を例示するこ
とができる。「フォンブリンＺ ＤＩＳＯＣ」は、両末
端にイソシアネート基を有し、主鎖として、 −〔（Ｏ−ＣＦ2−ＣＦ2）ｐ−（Ｏ−ＣＦ2）ｑ〕− を有する化合物である。
リエーテル誘導体としては、例えば、アウジモント製、
商品名「フォンブリンＺ ＤＩＳＯＣ」等を例示するこ
とができる。「フォンブリンＺ ＤＩＳＯＣ」は、両末
端にイソシアネート基を有し、主鎖として、 −〔（Ｏ−ＣＦ2−ＣＦ2）ｐ−（Ｏ−ＣＦ2）ｑ〕− を有する化合物である。
【００２１】アルコール性水酸基を有するパーフルオロ
ポリエーテル誘導体としては、例えば、アウジモント
製、商品名「フォンブリンＺ ＴＥＴＲＡＯＬ」等を例
示することができる。「フォンブリンＺ ＴＥＴＲＡＯ
Ｌ」は、両末端にアルコール性水酸基を有し、主鎖とし
て、 −〔（Ｏ−ＣＦ2−ＣＦ2）ｐ−（Ｏ−ＣＦ2）ｑ〕− を有する化合物である。
ポリエーテル誘導体としては、例えば、アウジモント
製、商品名「フォンブリンＺ ＴＥＴＲＡＯＬ」等を例
示することができる。「フォンブリンＺ ＴＥＴＲＡＯ
Ｌ」は、両末端にアルコール性水酸基を有し、主鎖とし
て、 −〔（Ｏ−ＣＦ2−ＣＦ2）ｐ−（Ｏ−ＣＦ2）ｑ〕− を有する化合物である。
【００２２】カルボキシル基を有するパーフルオロポリ
エーテル誘導体としては、例えば、アウジモント製、商
品名「フォンブリンＺ ＤＩＡＣ」等を例示することが
できる。「フォンブリンＺ ＤＩＡＣ」は、両末端にカ
ルボキシル基を有し、主鎖として、 −〔（Ｏ−ＣＦ2−ＣＦ2）ｐ−（Ｏ−ＣＦ2）ｑ〕− を有する化合物である。
エーテル誘導体としては、例えば、アウジモント製、商
品名「フォンブリンＺ ＤＩＡＣ」等を例示することが
できる。「フォンブリンＺ ＤＩＡＣ」は、両末端にカ
ルボキシル基を有し、主鎖として、 −〔（Ｏ−ＣＦ2−ＣＦ2）ｐ−（Ｏ−ＣＦ2）ｑ〕− を有する化合物である。
【００２３】なお、本発明の光記録媒体は、光学ヘッド
と記録媒体表面との距離を非常に小さく保つことが要求
され、かつ、エネルギー密度の大きいレーザービームが
照射される近接場光記録方式の光記録媒体として特に好
適に用られる。
と記録媒体表面との距離を非常に小さく保つことが要求
され、かつ、エネルギー密度の大きいレーザービームが
照射される近接場光記録方式の光記録媒体として特に好
適に用られる。
【００２４】図１に本発明の光記録媒体の一実施態様の
部分断面図を示す。基板１１上に反射層１２、光磁気記
録膜からなる光記録層１３、誘電体層１４、潤滑下地層
１５、潤滑層１６が積層されている。
部分断面図を示す。基板１１上に反射層１２、光磁気記
録膜からなる光記録層１３、誘電体層１４、潤滑下地層
１５、潤滑層１６が積層されている。
【００２５】基板１１としては機械特性など媒体基板と
しての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガラ
スや、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィ
ン、熱可塑性エンジニアリングプラスチック等を用いる
ことができ、基板１１上には、ピット、ランド部または
グルーブ部を設けてもよい。この基板１１上に反射層１
２をＡｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｇなどの金属材料を使用
し、スパッタ法または真空蒸着法等で形成する。この反
射層１２上に光記録層１３をＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の光磁気記
録膜材料を使用し、スパッタ法または真空蒸着法等で形
成する。この光記録層１３上に誘電体層１４をＡｌＮ、
ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等の材料を使用
し、スパッタ法または真空蒸着法等で形成する。この誘
電体層１４上に潤滑下地層１５としてダイヤモンド状カ
ーボンまたはＳｉＯ2をスパッタ法等で形成する。この
潤滑下地層１５上に潤滑層１６としてパーフルオロポリ
エーテル誘導体の混合物をディップ法またはスピンコー
ト法等で塗布後、加熱等により架橋させてパーフルオロ
ポリエーテル誘導体の架橋反応物を形成する。
しての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガラ
スや、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィ
ン、熱可塑性エンジニアリングプラスチック等を用いる
ことができ、基板１１上には、ピット、ランド部または
グルーブ部を設けてもよい。この基板１１上に反射層１
２をＡｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｇなどの金属材料を使用
し、スパッタ法または真空蒸着法等で形成する。この反
射層１２上に光記録層１３をＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の光磁気記
録膜材料を使用し、スパッタ法または真空蒸着法等で形
成する。この光記録層１３上に誘電体層１４をＡｌＮ、
ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等の材料を使用
し、スパッタ法または真空蒸着法等で形成する。この誘
電体層１４上に潤滑下地層１５としてダイヤモンド状カ
ーボンまたはＳｉＯ2をスパッタ法等で形成する。この
潤滑下地層１５上に潤滑層１６としてパーフルオロポリ
エーテル誘導体の混合物をディップ法またはスピンコー
ト法等で塗布後、加熱等により架橋させてパーフルオロ
ポリエーテル誘導体の架橋反応物を形成する。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【００２７】実施例１ 図１に示すような構造の近接場光磁気記録媒体を製造し
た。即ち、トラックピッチ０．４５μｍの案内溝の付い
たポリカーボネート製の直径１３０ｍｍのディスク状の
基板１１上にＤＣスパッタ法でＡｌ0.97Ｃｒ0.03からな
る膜厚５０ｎｍの反射層１２、その上にＤＣスパッタ法
でＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からなる膜厚２０ｎｍの光
磁気記録層１３、その上に反応性ＲＦスパッタ法でＳｉ
Ｎからなる膜厚３０ｎｍの誘電体層１４を形成した。更
にその上に反応性ＲＦスパッタ法でダイヤモンド状カー
ボンからなる膜厚２０ｎｍの潤滑下地層１５を形成し
た。
た。即ち、トラックピッチ０．４５μｍの案内溝の付い
たポリカーボネート製の直径１３０ｍｍのディスク状の
基板１１上にＤＣスパッタ法でＡｌ0.97Ｃｒ0.03からな
る膜厚５０ｎｍの反射層１２、その上にＤＣスパッタ法
でＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からなる膜厚２０ｎｍの光
磁気記録層１３、その上に反応性ＲＦスパッタ法でＳｉ
Ｎからなる膜厚３０ｎｍの誘電体層１４を形成した。更
にその上に反応性ＲＦスパッタ法でダイヤモンド状カー
ボンからなる膜厚２０ｎｍの潤滑下地層１５を形成し
た。
【００２８】その後、この媒体を、フロン系溶媒（旭硝
子製、商品名「アサヒクリンＡＫ−２２５」）に、重量
平均分子量が１５００である分子端両端にイソシアネー
ト基を有するパーフルオロポリエーテル（アウジモント
製、商品名「フォンブリンＺＤＩＳＯＣ」）と重量平均
分子量が２０００である分子端両端にアルコール性水酸
基を有するパーフルオロポリエーテル（アウジモント
製、商品名「フォンブリンＺ ＴＥＴＲＡＯＬ」）を
３：２の容量比で溶解した溶液（０．１ｖｏｌ．％）に
１分間浸漬し、媒体を引き上げ後、７０℃のオーブン内
で６０分間加熱乾燥することにより膜厚２ｎｍの潤滑層
１６を形成し、光磁気記録媒体を製造した。
子製、商品名「アサヒクリンＡＫ−２２５」）に、重量
平均分子量が１５００である分子端両端にイソシアネー
ト基を有するパーフルオロポリエーテル（アウジモント
製、商品名「フォンブリンＺＤＩＳＯＣ」）と重量平均
分子量が２０００である分子端両端にアルコール性水酸
基を有するパーフルオロポリエーテル（アウジモント
製、商品名「フォンブリンＺ ＴＥＴＲＡＯＬ」）を
３：２の容量比で溶解した溶液（０．１ｖｏｌ．％）に
１分間浸漬し、媒体を引き上げ後、７０℃のオーブン内
で６０分間加熱乾燥することにより膜厚２ｎｍの潤滑層
１６を形成し、光磁気記録媒体を製造した。
【００２９】次に、ここで得られた光磁気記録媒体をグ
ライドテスターにセットして、線速度７．５ｍ／ｓで回
転させながら、ピエゾ素子のついたグライドヘッド（グ
ライドライト社製：７０％スライダー、０．０１２”×
６．０ｇｒ）を半径３０〜６０ｍｍの範囲でシークさ
せ、グライド特性について評価した。このグライドヘッ
ドの浮上量は線速７．５ｍ／ｓにおいて０．０５μｍで
あった。
ライドテスターにセットして、線速度７．５ｍ／ｓで回
転させながら、ピエゾ素子のついたグライドヘッド（グ
ライドライト社製：７０％スライダー、０．０１２”×
６．０ｇｒ）を半径３０〜６０ｍｍの範囲でシークさ
せ、グライド特性について評価した。このグライドヘッ
ドの浮上量は線速７．５ｍ／ｓにおいて０．０５μｍで
あった。
【００３０】グライドヘッドをシークさせた際にピエゾ
素子に誘起される電圧をオシロスコープにより観察し、
電圧値が８００ｍＶを越える場合をヘッドと媒体の接触
と判断し、その回数を記録した。
素子に誘起される電圧をオシロスコープにより観察し、
電圧値が８００ｍＶを越える場合をヘッドと媒体の接触
と判断し、その回数を記録した。
【００３１】上記と同様の方法で製造した計１０枚の光
磁気記録媒体について測定を行った結果、接触回数はい
ずれも１０回以内で、接触回数０の媒体の割合は５０％
以上と良好であった。
磁気記録媒体について測定を行った結果、接触回数はい
ずれも１０回以内で、接触回数０の媒体の割合は５０％
以上と良好であった。
【００３２】次に、この光磁気記録媒体をレーザー波長
が６８０ｎｍで実効的なＮＡが１．２のＳＩＬヘッドの
光学系の記録再生評価機にセットして、記録再生特性に
ついて評価した。
が６８０ｎｍで実効的なＮＡが１．２のＳＩＬヘッドの
光学系の記録再生評価機にセットして、記録再生特性に
ついて評価した。
【００３３】媒体を７．０ｍ／ｓの線速度で回転させ、
記録用レーザーを照射しながら、周波数７．０ＭＨｚで
±１５０Ｏｅの大きさに変調した磁界をＳＩＬヘッドの
コイルから加えることで光磁気記録媒体に記録を行い、
次に読み取りレーザーを照射しながら再生した。ＣＮＲ
は４３ｄＢであり、同一トラックにて同様の記録再生を
１０回繰り返した場合もＣＮＲの変化は認められなかっ
た。
記録用レーザーを照射しながら、周波数７．０ＭＨｚで
±１５０Ｏｅの大きさに変調した磁界をＳＩＬヘッドの
コイルから加えることで光磁気記録媒体に記録を行い、
次に読み取りレーザーを照射しながら再生した。ＣＮＲ
は４３ｄＢであり、同一トラックにて同様の記録再生を
１０回繰り返した場合もＣＮＲの変化は認められなかっ
た。
【００３４】実施例２ 実施例１と同様の方法で潤滑下地層までを積層し、その
後、光磁気記録媒体をフロン系溶媒（旭硝子製、商品名
「アサヒクリンＡＫ−２２５」）に、重量平均分子量が
１５００である分子端両端にイソシアネート基を有する
パーフルオロポリエーテル（アウジモント製、商品名
「フォンブリンＺ ＤＩＳＯＣ」）と重量平均分子量が
２０００である分子端両端にカルボキシル基を有するパ
ーフルオロポリエーテル（アウジモント製、商品名「フ
ォンブリンＺ ＤＩＡＣ」）を１：１の容量比で溶解し
た溶液（０．１ｖｏｌ．％）に１分間浸漬し、媒体を引
き上げ後、７０℃のオーブン内で６０分間加熱乾燥する
ことにより膜厚２ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記録媒
体を製造した。
後、光磁気記録媒体をフロン系溶媒（旭硝子製、商品名
「アサヒクリンＡＫ−２２５」）に、重量平均分子量が
１５００である分子端両端にイソシアネート基を有する
パーフルオロポリエーテル（アウジモント製、商品名
「フォンブリンＺ ＤＩＳＯＣ」）と重量平均分子量が
２０００である分子端両端にカルボキシル基を有するパ
ーフルオロポリエーテル（アウジモント製、商品名「フ
ォンブリンＺ ＤＩＡＣ」）を１：１の容量比で溶解し
た溶液（０．１ｖｏｌ．％）に１分間浸漬し、媒体を引
き上げ後、７０℃のオーブン内で６０分間加熱乾燥する
ことにより膜厚２ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記録媒
体を製造した。
【００３５】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。
【００３６】１０枚の光磁気記録媒体について測定を行
った結果、接触回数はいずれも１０回以内で、接触回数
０の媒体の割合は７０％と良好であった。
った結果、接触回数はいずれも１０回以内で、接触回数
０の媒体の割合は７０％と良好であった。
【００３７】続いて実施例１と同様の方法で記録再生特
性について評価した。ＣＮＲは４３ｄＢであり、同一ト
ラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場合もＣ
ＮＲの変化は認められなかった。
性について評価した。ＣＮＲは４３ｄＢであり、同一ト
ラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場合もＣ
ＮＲの変化は認められなかった。
【００３８】比較例１ 実施例１と同様の方法で潤滑下地層までを積層し、その
後、潤滑層を形成することなく光磁気記録媒体を製造し
た。
後、潤滑層を形成することなく光磁気記録媒体を製造し
た。
【００３９】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。シーク時に異音が発生し、シーク後のディスク表
面には部分的に薄い傷が発生していた。
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。シーク時に異音が発生し、シーク後のディスク表
面には部分的に薄い傷が発生していた。
【００４０】比較例２ 実施例１と同様の方法で潤滑下地層までを積層した後、
媒体をフロン系溶媒（旭硝子製、商品名「アサヒクリン
ＡＫ−２２５」）に溶解させた、重量平均分子量が１５
００である分子端両端にイソシアネート基を有するパー
フルオロポリエーテル（アウジモント製、商品名「フォ
ンブリンＺ ＤＩＳＯＣ」）の溶液（０．１ｖｏｌ．
％）に１分間浸漬した後、媒体を引き上げることによ
り、膜厚２ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記録媒体を製
造した。
媒体をフロン系溶媒（旭硝子製、商品名「アサヒクリン
ＡＫ−２２５」）に溶解させた、重量平均分子量が１５
００である分子端両端にイソシアネート基を有するパー
フルオロポリエーテル（アウジモント製、商品名「フォ
ンブリンＺ ＤＩＳＯＣ」）の溶液（０．１ｖｏｌ．
％）に１分間浸漬した後、媒体を引き上げることによ
り、膜厚２ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記録媒体を製
造した。
【００４１】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。
【００４２】１０枚の光磁気記録媒体について測定を行
った結果、接触回数はいずれも１０回以内で、接触回数
０の媒体の割合は７０％と良好であった。
った結果、接触回数はいずれも１０回以内で、接触回数
０の媒体の割合は７０％と良好であった。
【００４３】続いて実施例１と同様の方法で記録再生特
性について評価した。ＣＮＲは４３ｄＢであったが、同
一トラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場
合、ＣＮＲが３８ｄＢに低下した。原因について確認し
たところ、ＳＩＬヘッドのレンズ表面に付着した潤滑剤
が黒く変色していたためであった。
性について評価した。ＣＮＲは４３ｄＢであったが、同
一トラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場
合、ＣＮＲが３８ｄＢに低下した。原因について確認し
たところ、ＳＩＬヘッドのレンズ表面に付着した潤滑剤
が黒く変色していたためであった。
【００４４】比較例３ 実施例１と同様の方法で潤滑下地層までを積層し、その
後、媒体をフロン系溶媒（旭硝子製、商品名「アサヒク
リンＡＫ−２２５」）に溶解させた、重量平均分子量が
２０００である分子端両端にアルコール性水酸基を有す
るパーフルオロポリエーテル（アウジモント製、商品名
「フォンブリンＺ ＴＥＴＲＡＯＬ」）の溶液（０．１
ｖｏｌ．％）に１分間浸漬した後、媒体を引き上げるこ
とにより膜厚２ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記録媒体
を製造した。
後、媒体をフロン系溶媒（旭硝子製、商品名「アサヒク
リンＡＫ−２２５」）に溶解させた、重量平均分子量が
２０００である分子端両端にアルコール性水酸基を有す
るパーフルオロポリエーテル（アウジモント製、商品名
「フォンブリンＺ ＴＥＴＲＡＯＬ」）の溶液（０．１
ｖｏｌ．％）に１分間浸漬した後、媒体を引き上げるこ
とにより膜厚２ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記録媒体
を製造した。
【００４５】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。
【００４６】１０枚の光磁気記録媒体について測定を行
った結果、接触回数はいずれも１０回以内で、接触回数
０の媒体の割合は６０％と良好であった。
った結果、接触回数はいずれも１０回以内で、接触回数
０の媒体の割合は６０％と良好であった。
【００４７】続いて実施例１と同様の方法で記録再生特
性について評価した。ＣＮＲは４３ｄＢであったが、同
一トラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場
合、ＣＮＲが３６ｄＢに低下した。原因について確認し
たところ、ＳＩＬヘッドのレンズ表面に付着した潤滑剤
が黒く変色していたためであった。
性について評価した。ＣＮＲは４３ｄＢであったが、同
一トラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場
合、ＣＮＲが３６ｄＢに低下した。原因について確認し
たところ、ＳＩＬヘッドのレンズ表面に付着した潤滑剤
が黒く変色していたためであった。
【００４８】
【発明の効果】本発明によりヘッドクラッシュが起きに
くく、レンズの光学的特性等を損なうことのない潤滑層
を有する表面光記録媒体および近接場光記録媒体が得ら
れる。
くく、レンズの光学的特性等を損なうことのない潤滑層
を有する表面光記録媒体および近接場光記録媒体が得ら
れる。
【図１】本発明の光記録媒体の一例の部分断面を示す図
である。
である。
１１：基板 １２：反射層 １３：光記録層 １４：誘電体層 １５：潤滑下地層 １６：潤滑層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも反射層、光記録層、
潤滑下地層および潤滑層をこの順に形成した光記録媒体
において、前記潤滑層が、イソシアネート基を有するパ
ーフルオロポリエーテル誘導体とアルコール性水酸基若
しくはカルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテ
ル誘導体の架橋反応物、または、イソシアネート基を有
するパーフルオロポリエーテル誘導体、アルコール性水
酸基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体およびカ
ルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体
の架橋反応物からなることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 潤滑下地層がダイヤモンド状カーボン層
またはＳｉＯ2層であることを特徴とする請求項１に記
載の光記録媒体。 - 【請求項３】 潤滑下地層の表面に、イソシアネート基
を有するパーフルオロポリエーテル誘導体とアルコール
性水酸基若しくはカルボキシル基を有するパーフルオロ
ポリエーテル誘導体の混合物、または、イソシアネート
基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体とアルコー
ル性水酸基を有するパーフルオロポリエーテル誘導体お
よびカルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテル
誘導体の混合物を塗布した後、架橋させて潤滑層を形成
することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001065345A JP2002269822A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001065345A JP2002269822A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002269822A true JP2002269822A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18924012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001065345A Pending JP2002269822A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002269822A (ja) |
-
2001
- 2001-03-08 JP JP2001065345A patent/JP2002269822A/ja active Pending
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