JP2002268202A - ダイヤモンドコート膜成膜化フォトマスク原版及びその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンドコート膜成膜化フォトマスク原版及びその製造方法Info
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- JP2002268202A JP2002268202A JP2001062898A JP2001062898A JP2002268202A JP 2002268202 A JP2002268202 A JP 2002268202A JP 2001062898 A JP2001062898 A JP 2001062898A JP 2001062898 A JP2001062898 A JP 2001062898A JP 2002268202 A JP2002268202 A JP 2002268202A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、撥水性や硬度が高く、静電破壊を
防止できると共に金ペーストによる修正後マスク原版の
マスク洗浄が可能となるダイヤモンドコート膜成膜化フ
ォトマスク原版及びその製造方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】 本発明のダイヤモンドコート膜成膜化フ
ォトマスク原版の製造方法による製造工程は、ガラス基
板にクロームを蒸着するクローム蒸着工程と、蒸着され
たクローム層上に感光性レジスト剤を塗布して感光性レ
ジスト層を形成する感光性レジスト層形成工程と、塗布
された感光性レジスト層上に描画データに基づいて露光
する露光工程と、露光工程後の感光性レジスト層を現像
剤によって現像する現像工程と、露出したクローム層を
エッチング剤によりエッチングするエッチング工程と、
剥離剤を用いて露光された感光性レジスト層を剥離する
レジスト剥離工程と、ダイヤモンド状炭素による被膜で
あるダイヤモンドコート膜を成膜する保護膜成膜工程と
からなる。
防止できると共に金ペーストによる修正後マスク原版の
マスク洗浄が可能となるダイヤモンドコート膜成膜化フ
ォトマスク原版及びその製造方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】 本発明のダイヤモンドコート膜成膜化フ
ォトマスク原版の製造方法による製造工程は、ガラス基
板にクロームを蒸着するクローム蒸着工程と、蒸着され
たクローム層上に感光性レジスト剤を塗布して感光性レ
ジスト層を形成する感光性レジスト層形成工程と、塗布
された感光性レジスト層上に描画データに基づいて露光
する露光工程と、露光工程後の感光性レジスト層を現像
剤によって現像する現像工程と、露出したクローム層を
エッチング剤によりエッチングするエッチング工程と、
剥離剤を用いて露光された感光性レジスト層を剥離する
レジスト剥離工程と、ダイヤモンド状炭素による被膜で
あるダイヤモンドコート膜を成膜する保護膜成膜工程と
からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はダイヤモンドコート
膜成膜化フォトマスク原版及びその製造方法に関し、詳
細にはフォトファブリケーション加工用フォトマスク原
版に描画されたパターン間に発生する静電破壊を防止す
ると共に表面強化を目的にフォトマスク原版上にダイヤ
モンド状炭素（Diamond Like Carbon；以下ＤＬＣと略
す）コート膜を成膜したダイヤモンドコート膜成膜化フ
ォトマスク原版に関する。
膜成膜化フォトマスク原版及びその製造方法に関し、詳
細にはフォトファブリケーション加工用フォトマスク原
版に描画されたパターン間に発生する静電破壊を防止す
ると共に表面強化を目的にフォトマスク原版上にダイヤ
モンド状炭素（Diamond Like Carbon；以下ＤＬＣと略
す）コート膜を成膜したダイヤモンドコート膜成膜化フ
ォトマスク原版に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣリードフレーム、ＴＡＢ、ＢＧＡ、
ＣＳＰ等の半導体パッケージ用高密度プリント配線板や
小型歯車、液晶やプラズマ等の薄型ディスプレイの電極
や隔壁の形成等マイクロ精密加工が行われ、この加工方
法の一つにフォトファブリケーション加工と呼ばれる方
法がある。このフォトファブリケーション加工には、加
工面を耐食性被膜で覆い、一部を除去し除去した面を化
学的に溶解除去するフォトエッチング加工と電鋳的に金
属を成長させるフォトエレクトロフォーミング加工方法
がある。いずれの場合も加工しない部分を耐食性のある
被膜で覆うマスキング工程を経て行われる。このマスキ
ング加工は、紫外線に感光性を有する感光性塗料、例え
ば樹脂に、精密に作られたフォトマスク画像を転写し、
現像、乾燥を経て行う、いわゆるフォト法で行われるの
が一般的である。
ＣＳＰ等の半導体パッケージ用高密度プリント配線板や
小型歯車、液晶やプラズマ等の薄型ディスプレイの電極
や隔壁の形成等マイクロ精密加工が行われ、この加工方
法の一つにフォトファブリケーション加工と呼ばれる方
法がある。このフォトファブリケーション加工には、加
工面を耐食性被膜で覆い、一部を除去し除去した面を化
学的に溶解除去するフォトエッチング加工と電鋳的に金
属を成長させるフォトエレクトロフォーミング加工方法
がある。いずれの場合も加工しない部分を耐食性のある
被膜で覆うマスキング工程を経て行われる。このマスキ
ング加工は、紫外線に感光性を有する感光性塗料、例え
ば樹脂に、精密に作られたフォトマスク画像を転写し、
現像、乾燥を経て行う、いわゆるフォト法で行われるの
が一般的である。
【０００３】このフォトマスク原版には、ハロゲン化銀
とゼラチンを感光乳剤層とし露光した部分が現像処理に
よって黒化して画像を形成するエマルジョンマスクと、
ガラス基板の上にクローム膜を蒸着し、その上に感光性
レジストを塗布し、露光後現像し、エッチングにて画像
を形成するクロームマスクとがある。
とゼラチンを感光乳剤層とし露光した部分が現像処理に
よって黒化して画像を形成するエマルジョンマスクと、
ガラス基板の上にクローム膜を蒸着し、その上に感光性
レジストを塗布し、露光後現像し、エッチングにて画像
を形成するクロームマスクとがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フォト
ファブリケーション加工に求められるパターン密度が高
密度化されれば、それに伴ってフォトマスク原版の精度
はさらに高い精度を要求され、更にいろいろな弊害が発
生してくる。その中でもパターン間ギャップが微少にな
ったことによりクローム膜に静電気が帯電し、パターン
間で放電が発生し、その結果静電破壊が発生する。ま
た、フォトマスク原版製造工程において欠陥が発生す
る。この欠陥には２種類あり、パターンの中に発生する
ピンホールを白ピン、また透明部分にクローム膜が残っ
ている状態を黒ピンという。黒ピンの場合はレーザー光
線により飛ばしてしまえばよいのだが、白ピンの場合ク
ローム膜の欠落した部分にクローム膜をつけるという作
業になり、非常に高価なＣＶＤ装置等の修正装置が必要
になる。このため、一般的には修正部分に金ペーストを
塗布し、焼成してマスクを仕上げている。しかし、この
方法による修正によれば、金ペーストで作られた膜はク
ローム膜に比較して柔らかいので、マスク洗浄ができな
いとか、作業途中で修正個所が剥れてしまう等の問題が
発生していた。
ファブリケーション加工に求められるパターン密度が高
密度化されれば、それに伴ってフォトマスク原版の精度
はさらに高い精度を要求され、更にいろいろな弊害が発
生してくる。その中でもパターン間ギャップが微少にな
ったことによりクローム膜に静電気が帯電し、パターン
間で放電が発生し、その結果静電破壊が発生する。ま
た、フォトマスク原版製造工程において欠陥が発生す
る。この欠陥には２種類あり、パターンの中に発生する
ピンホールを白ピン、また透明部分にクローム膜が残っ
ている状態を黒ピンという。黒ピンの場合はレーザー光
線により飛ばしてしまえばよいのだが、白ピンの場合ク
ローム膜の欠落した部分にクローム膜をつけるという作
業になり、非常に高価なＣＶＤ装置等の修正装置が必要
になる。このため、一般的には修正部分に金ペーストを
塗布し、焼成してマスクを仕上げている。しかし、この
方法による修正によれば、金ペーストで作られた膜はク
ローム膜に比較して柔らかいので、マスク洗浄ができな
いとか、作業途中で修正個所が剥れてしまう等の問題が
発生していた。
【０００５】本発明はこれらの問題点を解決するための
ものであり、撥水性や硬度が高く、静電破壊を防止でき
ると共に金ペーストによる修正後マスク原版のマスク洗
浄が可能となるダイヤモンドコート膜成膜化フォトマス
ク原版及びその製造方法を提供することを目的とする。
ものであり、撥水性や硬度が高く、静電破壊を防止でき
ると共に金ペーストによる修正後マスク原版のマスク洗
浄が可能となるダイヤモンドコート膜成膜化フォトマス
ク原版及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明のダイヤモンドコート膜成膜化フォトマス
ク原版の製造方法によれば、ガラス基板にクロームを蒸
着するクローム蒸着工程と、蒸着されたクローム層上に
感光性レジスト剤を塗布して感光性レジスト層を形成す
る感光性レジスト層形成工程と、塗布された感光性レジ
スト層上に描画データに基づいて露光する露光工程と、
露光工程後の感光性レジスト層を現像剤によって現像す
る現像工程と、露出したクローム層をエッチング剤によ
りエッチングするエッチング工程と、剥離剤を用いて露
光された感光性レジスト層を剥離するレジスト剥離工程
と、ダイヤモンド状炭素による被膜であるダイヤモンド
コート膜を成膜する保護膜成膜工程とを有することに特
徴がある。よって、本発明の製造方法によってダイヤモ
ンドコート膜が成膜されたフォトマスク原版は撥水性や
硬度が高く、静電破壊を防止できると共に、金ペースト
による修正後のマスク原版にダイヤモンドコート膜を成
膜することによりマスク洗浄が可能となる。
めに、本発明のダイヤモンドコート膜成膜化フォトマス
ク原版の製造方法によれば、ガラス基板にクロームを蒸
着するクローム蒸着工程と、蒸着されたクローム層上に
感光性レジスト剤を塗布して感光性レジスト層を形成す
る感光性レジスト層形成工程と、塗布された感光性レジ
スト層上に描画データに基づいて露光する露光工程と、
露光工程後の感光性レジスト層を現像剤によって現像す
る現像工程と、露出したクローム層をエッチング剤によ
りエッチングするエッチング工程と、剥離剤を用いて露
光された感光性レジスト層を剥離するレジスト剥離工程
と、ダイヤモンド状炭素による被膜であるダイヤモンド
コート膜を成膜する保護膜成膜工程とを有することに特
徴がある。よって、本発明の製造方法によってダイヤモ
ンドコート膜が成膜されたフォトマスク原版は撥水性や
硬度が高く、静電破壊を防止できると共に、金ペースト
による修正後のマスク原版にダイヤモンドコート膜を成
膜することによりマスク洗浄が可能となる。
【０００７】また、保護膜成膜工程は、炭化水素ガスを
プラズマ放電によりイオン化し、イオン化した炭化水素
イオンをレジスト剥離工程後のフォトマスク原版の表面
に印加した負のバイアス電圧により加速衝突させて成膜
する蒸着手段を用いることにより、所望の膜厚にダイヤ
モンドコート膜を成膜することができ、フォトマスク原
版本来の機能を損なうことがない。
プラズマ放電によりイオン化し、イオン化した炭化水素
イオンをレジスト剥離工程後のフォトマスク原版の表面
に印加した負のバイアス電圧により加速衝突させて成膜
する蒸着手段を用いることにより、所望の膜厚にダイヤ
モンドコート膜を成膜することができ、フォトマスク原
版本来の機能を損なうことがない。
【０００８】更に、別の発明として、ダイヤモンドコー
ト膜成膜化フォトマスク原版は、上記記載のダイヤモン
ドコート膜成膜化フォトマスク原版の製造方法によって
製造されたことに特徴がある。
ト膜成膜化フォトマスク原版は、上記記載のダイヤモン
ドコート膜成膜化フォトマスク原版の製造方法によって
製造されたことに特徴がある。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のダイヤモンドコート膜成
膜化フォトマスク原版の製造方法による製造工程は、ガ
ラス基板にクロームを蒸着するクローム蒸着工程と、蒸
着されたクローム層上に感光性レジスト剤を塗布して感
光性レジスト層を形成する感光性レジスト層形成工程
と、塗布された感光性レジスト層上に描画データに基づ
いて露光する露光工程と、露光工程後の感光性レジスト
層を現像剤によって現像する現像工程と、露出したクロ
ーム層をエッチング剤によりエッチングするエッチング
工程と、剥離剤を用いて露光された感光性レジスト層を
剥離するレジスト剥離工程と、ダイヤモンド状炭素によ
る被膜であるダイヤモンドコート膜を成膜する保護膜成
膜工程とからなる。
膜化フォトマスク原版の製造方法による製造工程は、ガ
ラス基板にクロームを蒸着するクローム蒸着工程と、蒸
着されたクローム層上に感光性レジスト剤を塗布して感
光性レジスト層を形成する感光性レジスト層形成工程
と、塗布された感光性レジスト層上に描画データに基づ
いて露光する露光工程と、露光工程後の感光性レジスト
層を現像剤によって現像する現像工程と、露出したクロ
ーム層をエッチング剤によりエッチングするエッチング
工程と、剥離剤を用いて露光された感光性レジスト層を
剥離するレジスト剥離工程と、ダイヤモンド状炭素によ
る被膜であるダイヤモンドコート膜を成膜する保護膜成
膜工程とからなる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係るダイヤモンド
コート膜成膜化フォトマスク原版の製造工程を示す断面
図である。以下、同図を用いて本実施例のＤＬＣコート
膜成膜化フォトマスク原版の製造工程について説明す
る。
コート膜成膜化フォトマスク原版の製造工程を示す断面
図である。以下、同図を用いて本実施例のＤＬＣコート
膜成膜化フォトマスク原版の製造工程について説明す
る。
【００１１】先ず、図１の（ａ）に示すように、石英、
青板等のガラス基板１１上にクローム１２を蒸着させ、
更に図１の（ｂ）に示すように蒸着したクローム１２上
に感光性レジスト１３を塗布する。次に、図１の（ｃ）
に示すように、パターン図又はデータを基にＣＡＤシス
テムにより作成された描画記録データをフォトプロッタ
ー等の露光装置によって感光性レジスト１３上を露光す
る。そして、図１の（ｄ）に示すように、描画された乾
板に現像剤に浸して現像した後露出したクローム１２
を、図１の（ｅ）に示すように、エッチング剤によって
エッチングする。次に、図１の（ｆ）に示すように、剥
離剤によって露光した感光性レジスト１３をレジスト剥
離する。このように形成したフォトマスク原版の表面に
は、後述するＣＶＤ（化学蒸着方法）による蒸着装置に
より、図１の（ｇ）に示すように、ＤＬＣコート膜１４
が好ましくは０．２μｍ成膜される。このように成膜し
たＤＬＣコート膜１４の硬度は、天然ダイヤモンドと同
等のＨＶ８，０００〜１０，０００であり、対磨耗性が
高い。また、青板とＤＬＣコート膜成膜した青板の透過
率−光波長の特性を示す図２からわかるように、ＤＬＣ
コート膜成膜した青板の透過率は、青板自体の透過率と
ほぼ同じであり、よって、ＤＬＣコート膜成膜化された
フォトマスク原版を用いての紫外線露光には何ら影響を
与えることがない。更に、上記のようにフォトマスク原
版表面にＤＬＣコート膜を成膜したことにより、製造工
程上においてスタンパ原版との近接によって生じるクロ
ームパターン間に発生する静電気による静電破壊が防止
できると共に、キズや汚れが付着しにくいことによりフ
ォトマスク原版の耐久性が向上する。
青板等のガラス基板１１上にクローム１２を蒸着させ、
更に図１の（ｂ）に示すように蒸着したクローム１２上
に感光性レジスト１３を塗布する。次に、図１の（ｃ）
に示すように、パターン図又はデータを基にＣＡＤシス
テムにより作成された描画記録データをフォトプロッタ
ー等の露光装置によって感光性レジスト１３上を露光す
る。そして、図１の（ｄ）に示すように、描画された乾
板に現像剤に浸して現像した後露出したクローム１２
を、図１の（ｅ）に示すように、エッチング剤によって
エッチングする。次に、図１の（ｆ）に示すように、剥
離剤によって露光した感光性レジスト１３をレジスト剥
離する。このように形成したフォトマスク原版の表面に
は、後述するＣＶＤ（化学蒸着方法）による蒸着装置に
より、図１の（ｇ）に示すように、ＤＬＣコート膜１４
が好ましくは０．２μｍ成膜される。このように成膜し
たＤＬＣコート膜１４の硬度は、天然ダイヤモンドと同
等のＨＶ８，０００〜１０，０００であり、対磨耗性が
高い。また、青板とＤＬＣコート膜成膜した青板の透過
率−光波長の特性を示す図２からわかるように、ＤＬＣ
コート膜成膜した青板の透過率は、青板自体の透過率と
ほぼ同じであり、よって、ＤＬＣコート膜成膜化された
フォトマスク原版を用いての紫外線露光には何ら影響を
与えることがない。更に、上記のようにフォトマスク原
版表面にＤＬＣコート膜を成膜したことにより、製造工
程上においてスタンパ原版との近接によって生じるクロ
ームパターン間に発生する静電気による静電破壊が防止
できると共に、キズや汚れが付着しにくいことによりフ
ォトマスク原版の耐久性が向上する。
【００１２】図３はフォトマスク原版にダイヤモンドコ
ートを形成するＣＶＤ蒸着装置の構成を示す概略図であ
る。同図に示すＣＶＤ蒸着装置は、原料である、例えば
Ｃ２Ｈ２、ＣＨ４、Ｃ６Ｈ６等の炭化水素ガスとして気
化したベンゼンを用い、プラズマ源として熱フィラメン
ト２２とリフレクタ２３とアノード２４との三極構造か
らなり、各極に接続されるフィラメント電源２５、リフ
クレタ電源２６及びアノード電源２７からなる直流放電
イオン源を利用してイオン化された炭化水素をバイアス
電源２８からの負のバイアス電圧により加速衝突させる
というイオンプレーティング法に基づき被成膜物である
フォトマスク原版２１にＤＬＣコート膜を成膜する。ま
た、図示されていないが、適切なマスクパターンを用い
て被成膜物を部分的にマスキングすることにより、フォ
トマスク原版２１の所望部分のみにＤＬＣコート膜を成
膜させることが可能である。例えば、フォトマスク原版
２１上に搭載されて一部分が露出している異方性導電膜
の露出部分を含み、この露出部分よりも広い範囲の開口
を有するマスクパターンを適用することにより、異方性
導電膜の露出部分を選択的に覆うＤＬＣコート膜を成膜
させることが可能になる。また、形成されたＤＬＣコー
ト膜の膜厚はイオンプレーティング装置の駆動条件を調
節することにより制御可能であり、上述したように所望
の０．２μｍの膜厚に成膜することができる。
ートを形成するＣＶＤ蒸着装置の構成を示す概略図であ
る。同図に示すＣＶＤ蒸着装置は、原料である、例えば
Ｃ２Ｈ２、ＣＨ４、Ｃ６Ｈ６等の炭化水素ガスとして気
化したベンゼンを用い、プラズマ源として熱フィラメン
ト２２とリフレクタ２３とアノード２４との三極構造か
らなり、各極に接続されるフィラメント電源２５、リフ
クレタ電源２６及びアノード電源２７からなる直流放電
イオン源を利用してイオン化された炭化水素をバイアス
電源２８からの負のバイアス電圧により加速衝突させる
というイオンプレーティング法に基づき被成膜物である
フォトマスク原版２１にＤＬＣコート膜を成膜する。ま
た、図示されていないが、適切なマスクパターンを用い
て被成膜物を部分的にマスキングすることにより、フォ
トマスク原版２１の所望部分のみにＤＬＣコート膜を成
膜させることが可能である。例えば、フォトマスク原版
２１上に搭載されて一部分が露出している異方性導電膜
の露出部分を含み、この露出部分よりも広い範囲の開口
を有するマスクパターンを適用することにより、異方性
導電膜の露出部分を選択的に覆うＤＬＣコート膜を成膜
させることが可能になる。また、形成されたＤＬＣコー
ト膜の膜厚はイオンプレーティング装置の駆動条件を調
節することにより制御可能であり、上述したように所望
の０．２μｍの膜厚に成膜することができる。
【００１３】なお、上記実施例ではフォトマスク原版を
対象としたＤＬＣコート膜成膜化による静電破壊防止及
び表面保護を例として説明したがこれに限定する必要は
なく、ＤＬＣコート膜を成膜して表面硬度を上げるや高
い透過率を維持できる点に着目すれば複写機等の画像形
成装置の画像読取部の走査ガラス、マスク原版を使用し
て製品転写を行う工業用プリンタ、マスク検査装置等に
コーティングすることで各装置の耐久性を向上すること
ができる。また、上記実施例にように、フォトマスク原
版表面にＤＬＣコート膜を成膜する蒸着装置は図３に示
すＣＶＤ方法を利用したものであるが、その他にイオン
ビームスパッタによる成膜方法もある。
対象としたＤＬＣコート膜成膜化による静電破壊防止及
び表面保護を例として説明したがこれに限定する必要は
なく、ＤＬＣコート膜を成膜して表面硬度を上げるや高
い透過率を維持できる点に着目すれば複写機等の画像形
成装置の画像読取部の走査ガラス、マスク原版を使用し
て製品転写を行う工業用プリンタ、マスク検査装置等に
コーティングすることで各装置の耐久性を向上すること
ができる。また、上記実施例にように、フォトマスク原
版表面にＤＬＣコート膜を成膜する蒸着装置は図３に示
すＣＶＤ方法を利用したものであるが、その他にイオン
ビームスパッタによる成膜方法もある。
【００１４】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲内の記載であれば多種の変
形や置換可能であることは言うまでもない。
のではなく、特許請求の範囲内の記載であれば多種の変
形や置換可能であることは言うまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のダイヤモ
ンドコート膜成膜化フォトマスク原版の製造方法によれ
ば、ガラス基板にクロームを蒸着するクローム蒸着工程
と、蒸着されたクローム層上に感光性レジスト剤を塗布
して感光性レジスト層を形成する感光性レジスト層形成
工程と、塗布された感光性レジスト層上に描画データに
基づいて露光する露光工程と、露光工程後の感光性レジ
スト層を現像剤によって現像する現像工程と、露出した
クローム層をエッチング剤によりエッチングするエッチ
ング工程と、剥離剤を用いて露光された感光性レジスト
層を剥離するレジスト剥離工程と、ダイヤモンド状炭素
による被膜であるダイヤモンドコート膜を成膜する保護
膜成膜工程とを有することに特徴がある。よって、本発
明の製造方法によってダイヤモンドコート膜が成膜され
たフォトマスク原版は、撥水性や硬度が高く、静電破壊
を防止できると共に、金ペーストによる修正後のマスク
原版にダイヤモンドコート膜を成膜することによりマス
ク洗浄が可能となる。
ンドコート膜成膜化フォトマスク原版の製造方法によれ
ば、ガラス基板にクロームを蒸着するクローム蒸着工程
と、蒸着されたクローム層上に感光性レジスト剤を塗布
して感光性レジスト層を形成する感光性レジスト層形成
工程と、塗布された感光性レジスト層上に描画データに
基づいて露光する露光工程と、露光工程後の感光性レジ
スト層を現像剤によって現像する現像工程と、露出した
クローム層をエッチング剤によりエッチングするエッチ
ング工程と、剥離剤を用いて露光された感光性レジスト
層を剥離するレジスト剥離工程と、ダイヤモンド状炭素
による被膜であるダイヤモンドコート膜を成膜する保護
膜成膜工程とを有することに特徴がある。よって、本発
明の製造方法によってダイヤモンドコート膜が成膜され
たフォトマスク原版は、撥水性や硬度が高く、静電破壊
を防止できると共に、金ペーストによる修正後のマスク
原版にダイヤモンドコート膜を成膜することによりマス
ク洗浄が可能となる。
【００１６】また、保護膜成膜工程は、炭化水素ガスを
プラズマ放電によりイオン化し、イオン化した炭化水素
イオンをレジスト剥離工程後のフォトマスク原版の表面
に印加した負のバイアス電圧により加速衝突させて成膜
する蒸着手段を用いることにより、所望の膜厚にダイヤ
モンドコート膜を成膜することができ、フォトマスク原
版本来の機能を損なうことがない。
プラズマ放電によりイオン化し、イオン化した炭化水素
イオンをレジスト剥離工程後のフォトマスク原版の表面
に印加した負のバイアス電圧により加速衝突させて成膜
する蒸着手段を用いることにより、所望の膜厚にダイヤ
モンドコート膜を成膜することができ、フォトマスク原
版本来の機能を損なうことがない。
【００１７】更に、別の発明として、ダイヤモンドコー
ト膜成膜化フォトマスク原版は、上記記載のダイヤモン
ドコート膜成膜化フォトマスク原版の製造方法によって
製造されたことに特徴がある。
ト膜成膜化フォトマスク原版は、上記記載のダイヤモン
ドコート膜成膜化フォトマスク原版の製造方法によって
製造されたことに特徴がある。
【図１】本発明の一実施例に係るダイヤモンドコート膜
成膜化フォトマスク原版の製造工程を示す断面図であ
る。
成膜化フォトマスク原版の製造工程を示す断面図であ
る。
【図２】青板とＤＬＣコート膜成膜した青板の透過率−
光波長の関係を示す特性図である。
光波長の関係を示す特性図である。
【図３】ＣＶＤ蒸着装置の構成を示す概略図である。
１１；ガラス基板、１２；クローム、１３；感光性レジ
スト、１４；ＤＬＣコート膜、２１；フォトマスク原
版、２２；熱フィラメント、２３；リフレクタ、２４；
アノード、２５；フィラメント電源、２６；リフクレタ
電源、２７；アノード電源、２８；バイアス電源。
スト、１４；ＤＬＣコート膜、２１；フォトマスク原
版、２２；熱フィラメント、２３；リフレクタ、２４；
アノード、２５；フィラメント電源、２６；リフクレタ
電源、２７；アノード電源、２８；バイアス電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H095 BC05 BC19 BC20 2H096 AA00 AA24 CA05 EA02 GA02 HA17 JA04 LA03
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板にクロームを蒸着するクロー
ム蒸着工程と、 蒸着されたクローム層上に感光性レジスト剤を塗布して
感光性レジスト層を形成する感光性レジスト層形成工程
と、 塗布された感光性レジスト層上に描画データに基づいて
露光する露光工程と、 露光工程後の感光性レジスト層を現像剤によって現像す
る現像工程と、 露出したクローム層をエッチング剤によりエッチングす
るエッチング工程と、 剥離剤を用いて露光された感光性レジスト層を剥離する
レジスト剥離工程と、 ダイヤモンド状炭素による被膜であるダイヤモンドコー
ト膜を成膜する保護膜成膜工程とを有することを特徴と
するダイヤモンドコート膜成膜化フォトマスク原版の製
造方法。 - 【請求項２】 前記保護膜成膜工程は、炭化水素ガスを
プラズマ放電によりイオン化し、イオン化した炭化水素
イオンを前記レジスト剥離工程後のフォトマスク原版の
表面に印加した負のバイアス電圧により加速衝突させて
成膜する蒸着手段を用いる請求項１記載のダイヤモンド
コート膜成膜化フォトマスク原版の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のダイヤモンドコ
ート膜成膜化フォトマスク原版の製造方法によって製造
されたことを特徴とするダイヤモンドコート膜成膜化フ
ォトマスク原版。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062898A JP2002268202A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | ダイヤモンドコート膜成膜化フォトマスク原版及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062898A JP2002268202A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | ダイヤモンドコート膜成膜化フォトマスク原版及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002268202A true JP2002268202A (ja) | 2002-09-18 |
Family
ID=18921971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001062898A Pending JP2002268202A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | ダイヤモンドコート膜成膜化フォトマスク原版及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002268202A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007503621A (ja) * | 2003-08-25 | 2007-02-22 | トッパン、フォウタマスクス、インク | フォトマスクおよびその光学的特性を保守する方法 |
-
2001
- 2001-03-07 JP JP2001062898A patent/JP2002268202A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007503621A (ja) * | 2003-08-25 | 2007-02-22 | トッパン、フォウタマスクス、インク | フォトマスクおよびその光学的特性を保守する方法 |
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