JP2002265941A

JP2002265941A - 輝尽性蛍光体の製造方法

Info

Publication number: JP2002265941A
Application number: JP2001069292A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Matsumoto; 宏志松本
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2001-03-12
Filing date: 2001-03-12
Publication date: 2002-09-18

Abstract

(57)【要約】【課題】真空排気設備が不要で、設備コストを低減す
ることができる輝尽性蛍光体の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、輝尽性蛍光体原料を混合し
て、輝尽性蛍光体原料混合物を調製する混合工程と、焼
成空間に存在する被置換ガスＧａ’を置換ガスＧａに置
換し、前記置換ガスＧａ雰囲気で前記輝尽性蛍光体原料
混合物を焼成して焼成物を調製する焼成工程と、前記焼
成物を冷却する冷却工程と、を有する輝尽性蛍光体の製
造方法であって、前記焼成工程において、前記焼成空間
に前記置換ガスＧａをフローして、前記焼成空間に存在
する前記被置換ガスＧａ’を前記置換ガスＧａに置換す
るフロー処理が施されることを特徴とする輝尽性蛍光体
の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、輝尽性蛍光体の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の放射線写真法に代わる方法とし
て、輝尽性蛍光体を用いる放射線像記録再生方法が知ら
れている。この方法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線
像変換パネル（蓄積性蛍光体シート）を利用するもの
で、被写体を透過した、あるいは被検体から発せられた
放射線を該パネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そののち
に輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起
光）で時系列的に励起することにより、該輝尽性蛍光体
中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光
光）として放出させ、この蛍光を光電的に読み取って電
気信号を得、次いで得られた電気信号に基づいて被写体
あるいは被検体の放射線画像を可視像として再生するも
のである。読み取りを終えた該パネルは、残存する画像
の消去が行われた後、次の撮影のために備えられる。す
なわち、放射線像変換パネルは繰り返し使用することが
できる。

【０００３】上記の放射線像記録再生方法によれば、従
来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せを用いる放
射線写真法による場合に比較して、はるかに少ない被曝
線量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができると
いう利点がある。さらに、従来の放射線写真法では一回
の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対し
て、この放射線像記録再生方法では放射線像変換パネル
を繰返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも
有利である。

【０００４】輝尽性蛍光体は、放射線を照射した後、励
起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用
上では、波長が４００〜９００ｎｍの範囲にある励起光
によって３００〜５００ｎｍの波長範囲の輝尽発光を示
す蛍光体が一般的に利用される。

【０００５】輝尽性蛍光体は、一般に、以下の方法によ
り製造される。まず、輝尽性蛍光体原料を乾燥状態で均
一に混合することにより（乾式法）または輝尽性蛍光体
原料を均一に混合したスラリー状態とした後、乾燥する
ことにより（湿式法）、輝尽性蛍光体原料混合物の調製
を行う（混合工程）。次いで、通常、得られた輝尽性蛍
光体原料混合物を母体結晶（ＢａＦＸ等）の融点に近い
温度で、ほぼ大気圧下にある中性雰囲気または弱還元性
雰囲気中で数時間かけて焼成する（焼成工程）。所望に
より、一旦得られた焼成物を再焼成してもよい。焼成工
程を経ることにより、輝尽性蛍光体の母体結晶が成長す
ると同時に、母体結晶中に賦活剤元素（Ｅｕ等）が拡散
し、さらに輝尽中心の源となるＦ⁺中心も生成する。従
って、焼成工程は、輝尽性蛍光体の発光特性に影響を及
ぼす重要な工程である。焼成後、放冷、空冷等を行う冷
却工程を経て輝尽性蛍光体が製造される。なお、該輝尽
性蛍光体に、必要に応じて洗浄、分級等の処理が施され
ることもある。

【０００６】従来、上記焼成工程では、焼成に先立っ
て、あるいは焼成の途中で、焼成雰囲気を所望の雰囲気
に変えるため、一旦、真空排気処理を行ってから当該雰
囲気とするためのガスを導入していた。しかし、このよ
うな真空排気処理を行うことは、大掛かりな真空排気装
置が必要となり、設置空間を要するばかりか、製造コス
トが高くなるといった問題がある。

【０００７】また、特開平８−２３１９５２号公報に記
載のように、焼成工程を経た後、焼成雰囲気から微量酸
素雰囲気として焼鈍する場合も、一旦、真空排気処理を
行ってから、焼鈍のための雰囲気としている。従って、
この場合も、大掛かりな真空排気装置が必要となり、製
造コストが高くなるといった問題がある。

【０００８】焼成効率を向上させて焼成量を増やす目的
で焼成炉容積（焼成空間）を大きくした場合、真空排気
を行って必要なガスを導入し、焼成雰囲気を所望の雰囲
気に置換する方法では、真空排気時に必要な真空度を得
るのに時間がかかるといった問題がある。また、真空排
気能力の高い真空排気設備が必要となり、投資コストが
増える。さらに、ハロゲン成分を含むガス等のように、
焼成時に焼成物から排出されるガスが強い腐食性を有す
る場合、真空排気設備のメンテナンスにもコストがかか
ってしまう。

【０００９】一方、冷却工程において、固有の冷却室を
有する製造装置を使用する場合も、焼成雰囲気から冷却
のための雰囲気に切り替えることが望ましく、この場合
も同様に真空排気装置が必要となり、製造コストが高く
なるといった問題がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上から、本発明の目
的は、真空排気設備が不要で、設備コストを低減するこ
とができる輝尽性蛍光体の製造方法を提供することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下に示す
本発明により解決される。すなわち、本発明は、＜１＞少なくとも、輝尽性蛍光体原料を混合して、輝
尽性蛍光体原料混合物を調製する混合工程と、焼成空間
に存在する被置換ガスＧａ’を置換ガスＧａに置換し、
前記置換ガスＧａ雰囲気で前記輝尽性蛍光体原料混合物
を焼成して焼成物を調製する焼成工程と、前記焼成物を
冷却する冷却工程と、を有する輝尽性蛍光体の製造方法
であって、前記焼成工程において、前記焼成空間に前記
置換ガスＧａをフローして、前記焼成空間に存在する前
記被置換ガスＧａ’を前記置換ガスＧａに置換するフロ
ー処理が施されることを特徴とする輝尽性蛍光体の製造
方法である。

【００１２】＜２＞少なくとも、輝尽性蛍光体原料を
混合して、輝尽性蛍光体原料混合物を調製する混合工程
と、前記輝尽性蛍光体原料混合物を焼成して焼成物を調
製する焼成工程と、冷却空間に存在する被置換ガスＧ
ｂ’を置換ガスＧｂに置換し、前記置換ガスＧｂ雰囲気
で前記焼成物を冷却する冷却工程と、を有する輝尽性蛍
光体の製造方法であって、前記冷却工程において、前記
冷却空間に前記置換ガスＧｂをフローして、前記冷却空
間に存在する前記被置換ガスＧｂ’を前記置換ガスＧｂ
に置換するフロー処理が施されることを特徴とする輝尽
性蛍光体の製造方法である。

【００１３】＜３＞少なくとも、輝尽性蛍光体原料を
混合して、輝尽性蛍光体原料混合物を調製する混合工程
と、焼成空間に存在する被置換ガスＧａ’を置換ガスＧ
ａに置換し、前記置換ガスＧａ雰囲気で前記輝尽性蛍光
体原料混合物を焼成して焼成物を調製する焼成工程と、
冷却空間に存在する被置換ガスＧｂ’を置換ガスＧｂに
置換し、前記置換ガスＧｂ雰囲気で前記焼成物を冷却す
る冷却工程と、を有する輝尽性蛍光体の製造方法であっ
て、前記焼成工程において、前記焼成空間に前記置換ガ
スＧａをフローして、前記焼成空間に存在する前記被置
換ガスＧａ’を前記置換ガスＧａに置換するフロー処理
が施され、前記冷却工程において、前記冷却空間に前記
置換ガスＧｂをフローして、前記冷却空間に存在する前
記被置換ガスＧｂ’を前記置換ガスＧｂに置換するフロ
ー処理が施されることを特徴とする輝尽性蛍光体の製造
方法である。

【００１４】＜４＞前記焼成工程における前記置換ガ
スＧａを、フロー量：２×Ｖａリットル（Ｖａ：焼成空
間の容積）以上とし、フロー流速：０．０１×Ｖａ〜１
０×Ｖａリットル／分とすることを特徴とする＜１＞ま
たは＜３＞に記載の輝尽性蛍光体の製造方法である。

【００１５】＜５＞前記冷却工程における前記置換ガ
スＧｂを、フロー量：２×Ｖｂリットル（Ｖｂ：冷却空
間の容積）以上とし、フロー流速：０．０１×Ｖｂ〜１
０×Ｖｂリットル／分とすることを特徴とする＜２＞ま
たは＜３＞に記載の輝尽性蛍光体の製造方法である。

【００１６】＜６＞製造される輝尽性蛍光体が、下記
基本組成式（Ｉ）で表されることを特徴とする＜１＞〜
＜５＞のいずれかに記載の輝尽性蛍光体の製造方法であ
る。（Ｂａ_1-a，Ｍ^II _a）ＦＸ：ｚＬｎ・・・（Ｉ）（Ｍ^IIは、ＳｒおよびＣａのうち少なくとも一種のアル
カリ土類金属を表し、Ｌｎは、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂか
らなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表
す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉからなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲン元素を表す。ａは０≦ａ＜１の数
値を表し、ｚは０＜ｚ≦０．２の数値を表す。）

【００１７】

【発明の実施の形態】＜＜輝尽性蛍光体の製造方法＞＞＜第一の製造方法＞本発明の輝尽性蛍光体の第一の製造
方法は、少なくとも、輝尽性蛍光体原料を混合して、輝
尽性蛍光体原料混合物を調製する混合工程と、焼成空間
に存在する被置換ガスＧａ’を置換ガスＧａに置換し、
前記置換ガスＧａ雰囲気で前記輝尽性蛍光体原料混合物
を焼成して焼成物を調製する焼成工程と、前記焼成物を
冷却する冷却工程と、からなり、前記焼成工程におい
て、前記焼成空間に前記置換ガスＧａをフローして、前
記焼成空間に存在する前記被置換ガスＧａ’を前記置換
ガスＧａに置換するフロー処理が施される。以下、各工
程について説明する。

【００１８】（混合工程）混合工程とは、輝尽性蛍光体
原料を混合して、輝尽性蛍光体原料混合物を調製する工
程である。輝尽性蛍光体原料としては、下記原料（１）
〜（５）が挙げられる。（１）ＢａＦ₂、ＢａＣｌ₂、ＢａＢｒ₂、ＢａＩ₂、Ｂａ
ＦＢｒ、ＢａＦＩおよびＢａＦＣｌからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲン化バリウム。（２）ＣａＦ₂、ＣａＣｌ₂、ＣａＢｒ₂、ＣａＩ₂、Ｓｒ
Ｆ₂、ＳｒＣｌ₂、ＳｒＢｒ₂、ＳｒＩ₂、ＭｇＦ₂、Ｍｇ
Ｃｌ₂、ＭｇＢｒ₂およびＭｇＩ₂からなる群より選ばれ
る少なくとも一種のアルカリ土類金属ハロゲン化物。（３）ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ、ＣｓＩ、ＮａＣｌ、ＮａＢ
ｒ、ＮａＩ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢ
ｒ、ＲｂＩ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＦ、
ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒおよびＬｉＩからなる群より選ばれ
る少なくとも一種のアルカリ金属のハロゲン化物。（４）Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂およびＺｒＯ₂からなる群より
選ばれる少なくとも一種の金属酸化物。（５）ハロゲン化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩等の希土
類元素化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の
化合物。所望により、さらにハロゲン化アンモニウム（ＮＨ
₄Ｘ’，但し、Ｘ’はＦ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩを表
す。）等をフラックスとして使用してもよい。

【００１９】輝尽性蛍光体原料混合物は、前記原料
（１）〜（５）のそれぞれの中から所望の原料を選択
し、所望の相対比となるように化学量論的に秤量、混合
して、輝尽性蛍光体原料混合物を調製するのが好まし
い。具体的には、後述する基本組成式（Ｉ）に相当する
相対比となるように化学量論的に秤量、混合して、輝尽
性蛍光体原料混合物を調製するのが好ましい。

【００２０】前記輝尽性蛍光体原料混合物の調製方法と
しては、公知の混合方法の中から適宜選択して行うこと
ができる。例えば、特開平７−２３３３６９号公報およ
び特開平１０−１９５４３１号公報に記載の、粒子形状
と粒子アスペクト比を制御した１４面体型の希土類賦活
アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体の
製造における調製方法が挙げられ、さらに、輝尽性蛍光
体原料の混合に際して、剪断力を付与し得る手段を利用
した調製方法（ｉ）、各輝尽性蛍光体原料の添加、混合
のタイミング等の種々条件を制御しうる手段を利用した
調製方法（ｉｉ）により調製することもできる。

【００２１】調製方法（ｉ）および（ｉｉ）での混合に
用いる混合装置としては、公知の混合装置の中から適宜
選択して行うことができ、例えば、各種ミキサー、Ｖ型
ブレンダー、ボールミル、ロッドミル等を挙げることが
できる。

【００２２】（焼成工程）焼成工程とは、焼成空間に存
在する被置換ガスＧａ’を置換ガスＧａに置換し、前記
置換ガスＧａ雰囲気で前記輝尽性蛍光体原料混合物を焼
成して焼成物を調製する工程である。

【００２３】従来、焼成雰囲気を変えるには、焼成空間
に存在する被置換ガスＧａ’（フロー処理を行う前に焼
成空間に存在する空気等のガス）を真空ポンプ等の真空
排気装置により一旦排気し、その後、置換ガスＧａを導
入して行っていた。しかし、このような方法では、真空
排気装置が必須となり、焼成空間が大きくなると、前記
真空排気装置が大掛かりなものとなってしまい、大きな
コストがかかってしまうという問題があった

【００２４】そこで、本発明では、フロー処理を行うこ
とで、真空排気装置を必要とすることなく焼成空間の雰
囲気を所望の雰囲気に変えることができることを見出し
た。焼成工程におけるフロー処理とは、置換ガスＧａを
フロー（供給）して、焼成空間に存在する被置換ガスＧ
ａ’を置換ガスＧａに置換して、最終的に置換ガスＧａ
雰囲気となるまで、焼成空間に置換ガスＧａをフローす
る処理を意味する。

【００２５】ここで、焼成空間とは、具体的には、輝尽
性蛍光体原料混合物を焼成する炉（焼成炉）の内部空間
をいう。かかる焼成空間の容積Ｖａは、１０〜１０００
０リットルであることが好ましく、５０〜５０００リッ
トルであることがより好ましい。

【００２６】置換ガスのフロー量は、２×Ｖａリットル
以上とするのが好ましく、３×Ｖａ〜１０×Ｖａリット
ルとすることがより好ましい。フロー量が２×Ｖａリッ
トル未満だと、被置換ガスＧａ’を置換ガスＧａで完全
に置換することができない場合がある。フロー流速は、
０．０１×Ｖａ〜１０×Ｖａリットル／分とすることが
好ましく、０．０３×Ｖａ〜３×Ｖａリットル／分とす
ることがより好ましい。０．０１×Ｖａリットル／分未
満だと、フロー処理に時間がかかる過ぎることがあり、
１０×Ｖａリットル／分を超えると、蛍光体原料混合物
が炉内に飛散することがある。

【００２７】置換ガスＧａとしては、設定する焼成雰囲
気が、中性雰囲気、弱還元性雰囲気および酸化性雰囲気
のいずれであるかにより適宜選択する。前記中性雰囲気
とするための置換ガスＧａとしては、窒素ガス、アルゴ
ンガス等を使用することができる。前記弱還元性雰囲気
とするための置換ガスＧａとしては、０．００１〜５％
の水素ガスを含有する窒素ガス、０．００１〜５％の一
酸化炭素ガスを含有する二酸化炭素ガス等を使用するこ
とができる。弱還元性雰囲気とすることで、輝尽性蛍光
体原料の希土類元素として三価のユーロピウム化合物が
含まれる場合には、焼成段階で三価のユーロピウムが、
二価のユーロピウムに還元される。前記酸化性雰囲気と
するための置換ガスＧａとしては、０．００１〜５％の
酸素ガスを含有する窒素ガス等を使用することができ
る。

【００２８】前記輝尽性蛍光体原料混合物を焼成するに
は、輝尽性蛍光体原料混合物を焼成容器に充填した後、
焼成炉の炉芯に入れて、フロー処理を行って被置換ガス
Ｇａ’を置換ガスＧａに置換して焼成炉内を置換ガスＧ
ａ雰囲気として、所定の温度まで昇温して焼成を行う。
前記焼成容器の材質および形状は、特に制限されない
が、材質は石英ガラスが好ましく、形状はボート型が好
ましい。ここでいうボート型とは、上面が開口している
形状であり、底面の形状は、円形、楕円形、長方形等、
いずれであってもよい。

【００２９】焼成は、一定温度の下で行うが、このとき
の焼成温度としては、４００〜１０００℃が好ましく、
６００〜９００℃がより好ましい。前記焼成温度が、４
００℃未満では、母体結晶中での賦活剤元素の拡散や輝
尽中心の源となるＦ⁺の生成が不十分となることがあ
り、１０００℃を超えると、母体結晶が溶融してしまう
ことがある。

【００３０】焼成時間としては、処理する輝尽性蛍光体
原料混合物の量、焼成温度、炉からの取出温度等によっ
ても異なるが、一般に、０．５〜１０時間が好ましく、
１〜４時間がより好ましい。焼成時間が、０．５時間未
満では、母体結晶中での賦活剤元素の拡散や輝尽中心の
源となるＦ⁺の生成が不十分となることがあり、１０時
間を超えて焼成を行っても、輝尽性蛍光体のそれ以上の
特性上の変化は少なく、生産性を低下させることがあ
る。

【００３１】（冷却工程）冷却工程とは、焼成工程を経
た焼成物を冷却する工程である。冷却工程では、焼成温
度から前記焼成物が１００℃付近になるまで冷却され
る。前記冷却工程における冷却方法としては、特に限定
されるものではなく、公知の冷却方法より適宜選択する
ことができ、例えば、放冷、急冷等により冷却すること
ができる。

【００３２】（その他の工程）その他の工程として、前
記冷却工程の後に、洗浄工程、乾燥工程、篩分工程等の
一般的な各種工程を設けることができる。

【００３３】また、前記焼成工程と冷却工程との間に、
一定温度に維持しながら前記焼成工程における雰囲気を
除去し、前記雰囲気と異なる雰囲気に置換して、徐冷処
理を行う徐冷工程を設けることもできる。前記徐冷処理
は、一定温度での焼成を終了する直前に行ってもよい
が、さらに一定温度に維持しつつ、雰囲気の除去、置換
を行いながら所定時間経過した後に行うことが好まし
い。前記所定時間としては、０〜２４０分が好ましく、
３０〜１８０分がより好ましい。前記所定時間が、１８
０分を超えると、得られた輝尽性蛍光体の発光特性が劣
化することがある。

【００３４】前記徐冷処理では、徐冷開始温度から所定
の温度まで緩やかな温度勾配に制御して温度を下げる。
この場合の降温速度としては、０．２〜５℃／分が好ま
しく、０．５〜３℃／分がより好ましい。前記降温速度
が、０．２℃／分未満であると、発光特性が劣化するこ
とがあり、５℃／分を超えると、十分に消去特性を改良
し得ないことがある。

【００３５】また、徐冷処理は、徐冷開始温度より５０
〜３００℃低い温度となるまで行うことが好ましく、１
００〜２５０℃低い温度となるまで行うことがより好ま
しい。前記徐冷開始時と終了時の温度差が、５０℃未満
であると、十分に消去特性を改良し得ないことがあり、
３００℃を超えると、発光特性が劣化することがある。

【００３６】さらに、雰囲気置換後、徐冷開始温度から
所定の温度まで下げる徐冷時間としては、３０〜１８０
分が好ましく、６０〜１５０分がより好ましい。前記徐
冷時間が、３０分未満であると、十分に消去特性を改良
し得ないことがあり、１８０分を超えると、発光特性が
劣化することがある。以上のような各工程を経て、輝尽
性蛍光体が製造される。

【００３７】＜第二の製造方法＞本発明の輝尽性蛍光体
の第二の製造方法は、少なくとも、輝尽性蛍光体原料を
混合して、輝尽性蛍光体原料混合物を調製する混合工程
と、前記輝尽性蛍光体原料混合物を焼成して焼成物を調
製する焼成工程と、冷却空間に存在する被置換ガスＧ
ｂ’を置換ガスＧｂに置換し、前記置換ガスＧｂ雰囲気
で前記焼成物を冷却する冷却工程と、を有する輝尽性蛍
光体の製造方法であって、前記冷却工程において、前記
冷却空間に前記置換ガスＧｂをフローして、前記冷却空
間に存在する前記被置換ガスＧｂ’を前記置換ガスＧｂ
に置換するフロー処理が施される。以下、各工程につい
て説明する。

【００３８】（混合工程）混合工程とは、輝尽性蛍光体
原料を混合して、輝尽性蛍光体原料混合物を調製する工
程であり、第一の製造方法と同様なので説明は省略す
る。

【００３９】（焼成工程）焼成工程とは、混合工程を経
た輝尽性蛍光体原料混合物を焼成して焼成物を調製する
工程であり、第一の製造方法において、焼成空間に存在
する被置換ガスＧａ’を置換ガスＧａに置換し、前記置
換ガスＧａ雰囲気とするフロー処理を行わないこと以外
は、第一の製造方法における焼成工程と同様である。

【００４０】（冷却工程）冷却工程とは、冷却空間に存
在する被置換ガスＧｂ’を置換ガスＧｂに置換し、前記
置換ガスＧｂ雰囲気で前記焼成物を冷却する工程であ
る。冷却工程では、焼成温度から前記焼成物が１００℃
付近になるまで冷却される。前記冷却工程における冷却
方法としては、第一の製造方法と同様に、公知の冷却方
法より適宜選択することができ、例えば、放冷、急冷等
により冷却することができる。

【００４１】従来、冷却雰囲気を変えるためには、冷却
空間に存在する被置換ガスＧｂ’（フロー処理を行う前
に冷却空間に存在する空気等のガス）を真空ポンプ等の
真空排気装置により一旦排気し、その後、置換ガスＧｂ
を導入して行っていた。しかし、このような方法では、
真空排気装置が必須となり、冷却空間が大きくなると、
前記真空排気装置が大掛かりなものとなってしまい、大
きなコストがかかってしまうという問題があった。

【００４２】そこで、本発明では、フロー処理を行うこ
とで、真空排気装置を必要とすることなく冷却空間の雰
囲気を所望の雰囲気に変えることができることを見出し
た。冷却工程におけるフロー処理とは、置換ガスＧｂを
フロー（供給）して、焼成空間に存在する被置換ガスＧ
ｂ’を置換ガスＧｂに置換して、最終的に置換ガスＧｂ
雰囲気となるまで、焼成空間に置換ガスＧｂをフローす
る処理を意味する。

【００４３】ここで、冷却空間とは、具体的には、焼成
工程を経た焼成物を冷却する冷却室の内部空間をいう。
かかる冷却空間の容積Ｖｂは、１０〜１００００リット
ルであることが好ましく、５０〜５０００リットルであ
ることがより好ましい。

【００４４】置換ガスのフロー量は、２×Ｖｂリットル
以上とするのが好ましく、３×Ｖｂ〜１０×Ｖｂリット
ルとすることがより好ましい。フロー量が２×Ｖａリッ
トル未満だと、被置換ガスＧｂ’を置換ガスＧｂで十分
に置換することができない場合がある。フロー流速は、
０．０１×Ｖｂ〜１０×Ｖｂリットル／分とすることが
好ましく、０．０３×Ｖｂ〜３×Ｖｂリットル／分とす
ることがより好ましい。０．０１×Ｖｂリットル／分未
満だと、フロー処理に時間がかかる過ぎることがあり、
１０×Ｖｂリットル／分を超えると、蛍光体焼成物が冷
却室内に飛散することがある。

【００４５】冷却工程におけるフロー処理は、焼成物を
冷却空間に移動させた後に行ってもよいが、冷却空間に
移動させる前に、予め行っていてもよい。また、焼成物
を冷却空間に移動させた後、冷却しつつフロー処理を行
ってもよい。さらに、冷却しつつフロー処理を行い、置
換ガスＧｂ雰囲気としてからフロー処理を止めて、冷却
のみを行ってもよい。

【００４６】置換ガスＧｂとしては、設定する冷却雰囲
気が、中性雰囲気、弱還元性雰囲気および酸化性雰囲気
のいずれであるかにより適宜選択する。中性雰囲気、弱
還元性雰囲気および酸化性雰囲気のいずれかの雰囲気と
するための置換ガスＧｂとしては、第一の製造方法の焼
成工程における置換ガスＧａと同様のものを使用するこ
とができる。フロー処理を行って被置換ガスＧｂ’を置
換ガスＧｂに置換して冷却室内を置換ガスＧｂ雰囲気と
して、所定の温度まで冷却を行う。

【００４７】（その他の工程）第一の製造方法と同様
に、その他の工程として、前記冷却工程の後に、洗浄工
程、乾燥工程、篩分工程等の一般的な各種工程を設けて
もよい。また、同様に、徐冷工程を設けてもよい。以上
のような各工程を経て、輝尽性蛍光体が製造される。

【００４８】＜第三の製造方法＞少なくとも、輝尽性蛍
光体原料を混合して、輝尽性蛍光体原料混合物を調製す
る混合工程と、前記輝尽性蛍光体原料混合物を焼成して
焼成物を調製する焼成工程と、冷却空間に存在する被置
換ガスＧｂ’を置換ガスＧｂに置換し、前記置換ガスＧ
ｂ雰囲気で前記焼成物を冷却する冷却工程と、を有する
輝尽性蛍光体の製造方法であって、前記冷却工程におい
て、前記冷却空間に前記置換ガスＧｂをフローして、前
記冷却空間に存在する前記被置換ガスＧｂ’を前記置換
ガスＧｂに置換するフロー処理が施される。以下、各工
程について説明する。

【００４９】（混合工程）混合工程とは、輝尽性蛍光体
原料を混合して、輝尽性蛍光体原料混合物を調製する工
程であり、第一の製造方法と同様なので説明は省略す
る。

【００５０】（焼成工程）焼成工程とは、混合工程を経
た輝尽性蛍光体原料混合物を焼成して焼成物を調製する
工程であり、第一の製造方法における焼成工程と同様で
ある。

【００５１】（冷却工程）冷却工程とは、冷却空間に存
在する被置換ガスＧｂ’を置換ガスＧｂに置換し、前記
置換ガスＧｂ雰囲気で前記焼成物を冷却する工程であ
り、第二の製造方法における焼成工程と同様である。

【００５２】（その他の工程）第一の製造方法と同様
に、その他の工程として、前記冷却工程の後に、洗浄工
程、乾燥工程、篩分工程等の一般的な各種工程を設けて
もよい。また、同様に、徐冷工程を設けてもよい。以上
のような各工程を経て、輝尽性蛍光体が製造される。

【００５３】＜＜輝尽性蛍光体＞＞本発明の製造方法で
製造される輝尽性蛍光体は、下記基本組成式（Ｉ）で表
される輝尽性蛍光体であることが好ましい。以下、下記
基本組成式（Ｉ）で表される輝尽性蛍光体を例に本発明
の製造方法で製造される輝尽性蛍光体について説明す
る。

【００５４】（Ｂａ_1-a，Ｍ^II _a）ＦＸ：ｚＬｎ・・・（Ｉ）（Ｍ^IIは、ＳｒおよびＣａのうち少なくとも一種のアル
カリ土類金属を表し、Ｌｎは、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂか
らなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表
す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉからなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲン元素を表す。ａは０≦ａ＜１の数
値を表し、ｚは０＜ｚ≦０．２の数値を表す。）

【００５５】基本組成式（Ｉ）中のａは、０≦ａ≦０．
５の数値であることが好ましい。Ｌｎとしては、Ｅｕま
たはＣｅの希土類元素であることが好ましい。また、基
本組成式（Ｉ）はその組成物が化学量論的にモル比が
Ｆ：Ｘ＝１：１であることを示しているのではなく、
（Ｂａ_1-a，Ｍ^II _a）ＦＸで表わされるＰｂＦＣＩ型結晶
構造の化合物であることを示している。一般に、ＢａＦ
Ｘ結晶においてＸ^-イオンの空格子点であるＦ⁺（Ｘ^-）
中心が多く生成された状態が６００〜７００ｎｍの光に
対する輝尽効率を高める上で好ましい。このときＦはＸ
よりもやや過剰にあることが多い。

【００５６】なお、基本組成式（Ｉ）では省略されてい
るが、必要に応じて、混合工程において種々の添加物を
加えて、下記基本組成式（ＩＩ）で表される輝尽性蛍光
体としてもよい。（Ｂａ_1-a，Ｍ^II _a）ＦＸ・ｗＮ^I・ｘＮ^II・ｙＮ^III・ｂＡ：ｚＬｎ・・・（ＩＩ）

【００５７】基本組成式（ＩＩ）中、Ｍ^II、Ｌｎ、Ｘお
よびａ、ｚは、それぞれ基本組成式（Ｉ）の場合と同様
である。Ｎ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属化合物
を表し、Ｎ^IIはＭｇおよびＢｅからなる群より選ばれる
少なくとも一種のアルカリ土類金属化合物を表す。Ｎ
^IIIはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ
およびＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の三
価金属化合物を表す。前記三価金属化合物としては特開
昭５９‐７５２００号公報に記載のようなハロゲン化物
を用いることが好ましいが、それらに限定されるもので
はない。また、ＡはＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂等の金
属酸化物を表わす。ＢａＦＸ粒子同士の焼結を防止する
上では一次粒子の体積平均粒径が０．１μｍ以下の超微
粒子で（Ｂａ_1-a，Ｍ^II _a）ＦＸとの反応性が低いものが
好ましく、特にＡｌ₂Ｏ₃が好ましい。さらに、ｂ、ｗ、
ｘおよびｙは、それぞれ、（Ｂａ_1-a，Ｍ^II _a）ＦＸのモ
ル数を１としたときの仕込添加量（モル量）であり、０
≦ｂ≦０．５、０≦ｗ≦２、０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦
０．３の各範囲内の数値をそれぞれ表す。これらの数値
は焼成やその後の洗浄処理によって減量する添加物に関
しては最終的な組成物に含まれる元素比を表わしている
わけではない。また、最終的な組成物において添加され
たままの化合物として残留するものもあれば、ＢａＦＸ
と反応する、あるいは取り込まれてしまうものもある。

【００５８】その他、必要に応じて、特開昭５５−１２
１４５号公報に記載のＺｎおよびＣｄ化合物；特開昭５
５−１６００７８号公報に記載のＴｉＯ₂、ＢｅＯ、Ｍ
ｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ
₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、ＳｎＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂
Ｏ₅、ＴｈＯ₂等の金属酸化物；特開昭５６−１１６７７
７号公報に記載のＺｒおよびＳｃ化合物；特開昭５７−
２３６７３号公報に記載のＢ化合物；特開昭５７−２３
６７５号公報に記載のＡｓおよびＳｉ化合物；特開昭５
９−２７９８０号公報に記載のテトラフルオロホウ酸化
合物；特開昭５９−４７２８９号公報に記載のヘキサフ
ルオロケイ酸、ヘキサフルオロチタン酸およびヘキサフ
ルオロジルコニウム酸の一価もしくは二価の塩からなる
ヘキサフルオロ化合物；特開昭５９−５６４８０号公報
に記載のＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉ等の
遷移金属化合物；等を混合工程において添加してもよ
い。

【００５９】本発明の製造方法により製造されるもの
は、上述の添加物を含む輝尽性蛍光体に限られるもので
はなく、希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物
系輝尽性蛍光体とみなされる組成を基本的に含むもので
あればいかなる物であってもよい。

【００６０】＜＜製造装置＞＞以下、本発明の輝尽性蛍
光体の製造方法（特に、焼成工程および冷却工程）に好
ましく用いられる製造装置について説明する。前記製造
装置は、具体的には輝尽性蛍光体原料混合物を焼成する
ための焼成炉を有する装置であって、前記焼成炉内部
に、炉心管、および該炉心管外部に熱源が配され、さら
に、輝尽性蛍光体原料混合物を収容し得る焼成容器が前
記炉心管内部に出し入れ可能に備えられて構成されてい
るものが好ましい。

【００６１】図１は、製造装置の一例を示す模式断面図
である。図１に示す輝尽性蛍光体の製造装置は、大きく
分けて、焼成部分Ａ（すなわち、焼成空間）と冷却部分
Ｂ（すなわち、冷却空間）とから構成される。図１にお
いて、１０は焼成炉であって、内部に炉心管１２が、図
面上左右方向に焼成炉１０を貫通する状態で配されてい
る。焼成炉１０内部であって、炉心管１２の外部には熱
源１４が配され、熱源１４によって焼成炉１０内部が加
熱され、炉心管１２内に投入される焼成容器１６に収容
された輝尽性蛍光体原料混合物１８が焼成できるように
構成されている。

【００６２】炉心管１２には、内部に置換ガスＧａをフ
ローし得るように、ガス導入管２０が弁２２を介して連
通している。また、被置換ガスＧａ’を炉外に排気し得
るように、ガス排気管２０’が弁２２’を介して連通し
ている。

【００６３】炉心管１２の図面上、左端の開口部は、焼
成時の炉心管１２内部密閉性を確保しつつ、焼成容器１
６を投入可能なようにサンプル投入口蓋２４により閉止
されている。さらにサンプル投入口蓋２４には、サンプ
ル投入口蓋２４を開放することなく、投入した焼成容器
１６を図面上、右方向へスライドさせ得るサンプル押出
し棒２６が挿通されている。

【００６４】尚、焼成容器１６は、石英ボート、アルミ
ナルツボ、石英ルツボ、炭化ケイ素容器等の耐熱性容器
で構成されている。また、熱源１４としては、従来公知
のあらゆる熱源を使用することができ、例えば公知の電
気ヒーターを採用することができる。

【００６５】炉心管１２の図面上右端の開口部は、焼成
部分Ａと冷却部分Ｂとを遮蔽して、焼成時の炉心管１２
および冷却時の冷却室２８の内部密閉性を確保しつつ、
焼成後に焼成容器１６を冷却部分Ｂヘ排出可能なように
仕切り扉３０により閉止されている。仕切り扉３０は、
図面上、上下方向（矢印ｙの方向）にスライドして、焼
成部分Ａと冷却部分Ｂとの間の遮蔽および開放が可能と
なっている。

【００６６】輝尽性蛍光体原料混合物１８を焼成するに
際しては、まず、輝尽性蛍光体原料混合物１８を焼成容
器１６に収容し、サンプル投入口蓋２４を開放状態にし
て炉心管１２内部に投入する。サンプル投入口蓋２４を
密閉状態にして（勿論、仕切り扉３０も密閉状態となっ
ている）、サンプル押出し棒２６を矢印ｘ方向に押し出
すことにより輝尽性蛍光体原料混合物１８が収容された
焼成容器１６をスライドさせ、これを所定の位置に置
く。

【００６７】弁２２を開きガス導入管２０により置換ガ
スＧａを導入してフロー処理を行う。このとき、弁２
２’を開いておくことで、被置換ガスＧａ’が排気管２
０’を通して排気される。所定のフロー量およびフロー
流速で、焼成部分Ａに存在する被置換ガスＧａ’を置換
ガスＧａに置換し、置換ガスＧａ雰囲気としたところで
弁２２および２２’を閉めてフロー処理を終了する。既
述のフロー量を流した段階で置換ガスＧａ雰囲気に置換
されているとみなす。その後、熱源１４から熱を与え、
焼成を行う。このときの焼成条件（焼成時間、焼成温度
等）は、目的に応じて適宜設定すればよい。

【００６８】焼成後、仕切り扉３０を開放状態とし、サ
ンプル押出し棒２６により焼成された輝尽性蛍光体原料
混合物１８が収容された焼成容器１６を矢印ｚ方向へス
ライドさせ、冷却部分Ｂにこれを移動させる。

【００６９】冷却部分Ｂは、冷却室２８内に冷却台３２
が配置されて構成され、冷却室２８には、内部に置換ガ
スＧｂを導入し得るように、冷却室用のガス導入管３４
が弁３６を介して連通している。また、被置換ガスＧ
ｂ’を炉外に排気し得るように、冷却室用のガス排気管
３４’が弁３６’を介して連通している。冷却室２８の
図面上、右端には、開口部が設けられ、冷却時の冷却室
２８内部密閉性を確保しつつ、焼成容器１６を排出可能
なようにサンプル排出口蓋３８により閉止されている。

【００７０】既述の如く、焼成部分Ａにおいて焼成され
た輝尽性蛍光体（輝尽性蛍光体原料混合物１８の焼成
物）が収容された焼成容器１６は、矢印ｚ方向へスライ
ドされ、不図示のガイドに支持されて、冷却部分Ｂ中の
冷却台３２上に載置される。その後、開放状態となって
いた仕切り扉３０は、再び密閉状態にされる（勿論、サ
ンプル排出口蓋３８も密閉状態となっている）。

【００７１】弁３６を開きガス導入管３４により置換ガ
スＧｂを導入してフロー処理を行う。このとき、弁３
６’を開いておくことで、被置換ガスＧｂ’が排気管３
４’を通して排気される。所定のフロー量およびフロー
流速で、冷却部分Ｂに存在する被置換ガスＧｂ’を置換
ガスＧｂに置換し、置換ガスＧｂ雰囲気としたところで
弁２２および２２’を閉めてフロー処理を終了する。既
述のフロー量を流した段階で置換ガスＧｂ雰囲気に置換
されているとみなす。なお、当該フロー処理は、上述の
ように焼成容器１６を焼成部分Ａに移動させた後に行っ
てもよいが、焼成部分Ａに移動させる前に、予め行って
いてもよい。また、焼成部分Ａに移動させる前後でフロ
ー処理を行ってもよい。

【００７２】冷却室２８内部の雰囲気を置換ガスＧｂ雰
囲気とした状態で、不図示の水冷手段等の冷却手段によ
り冷却台３２が冷却され、焼成容器１６に収容された輝
尽性蛍光体原料混合物１８も冷却される。このときの冷
却条件（雰囲気、温度、時間、冷却温度・雰囲気の段数
等）は、目的に応じて適宜設定すればよい。また、特に
水冷手段等の冷却手段を設けることなく、放置すること
により自然に冷却してもよい。

【００７３】所定の冷却を終えた輝尽性蛍光体（輝尽性
蛍光体原料混合物１８の焼成物）が収容された焼成容器
１６は、サンプル排出口蓋３８を開放状態として、取り
出される。以上、図１に示す形態の装置を用いて、本発
明の輝尽性蛍光体の製造方法に用いられる製造装置を説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例
えば焼成部分が冷却部分をも兼ねている構成であっても
よい。この場合には、前記焼成空間の容積Ｖａと前記冷
却空間の容積Ｖｂとは同じである。また、説明の便宜
上、図１に示す装置としては、焼成工程および冷却工程
においてフロー処理を行う本発明の第三の製造方法に適
したものを挙げたが、焼成工程でのみフロー処理を行え
ば、本発明の第一の製造方法に適したものとなり、冷却
工程でのみフロー処理を行えば、本発明の第二の製造方
法に適したものとなる。

【００７４】

【実施例】以下に本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれらの実施例に何ら限定をされるものではない。

【００７５】（実施例１） −混合工程− ＢａＦＢｒ：Ｅｕ（Ｅｕ賦活量：５×１０^-3モル）原料
粒子およびＢａＦＩ：Ｅｕ（Ｅｕ賦活量：５×１０^-3モ
ル、添加物として、Ｋ、Ｃｓ、Ｃａをそれぞれ、１×１
０^-3モル含有）原料粒子を、ＢｒとＩとの組成比（モル
比）が８５：１５となるように、さらに焼成時の焼結防
止のため、アルミナ微粒子を１質量％添加し、ミキサー
で十分に混合し、輝尽性蛍光体原料混合物を調製した。

【００７６】−焼成工程− 混合工程を経た輝尽性蛍光体原料混合物３ｋｇを、石英
製ボートに入れ、図１に示す焼成炉（焼成部分Ａ：石英
チューブ炉、冷却部分Ｂ：ステンレス製チャンバー）を
使用し、焼成した。焼成部分Ａ（焼成空間）および冷却
部分Ｂ（冷却空間）の容積は、それぞれ７０リットルお
よび５００リットルであった。

【００７７】焼成は、まず、８５０℃にした炉芯管１２
に原料ボート（焼成容器１６）を入れサンプル投入口蓋
２４を閉め、弁２２および２２’を開き、ガス導入管２
０からＮ₂ガスを３リットル／分の流速でフローしなが
ら９０分間、続いて、Ｏ₂ガスを０．１％含むＮ₂ガスに
切り換え、３リットル／分の流速でフローしながら９０
分間フロー処理を行った。その後、弁２２および２２’
を閉めてガスフローを止め、設定温度を６５０℃とし
て、炉内が減圧とならないようにするためにＮ₂ガスを
１００ｍｌ／分の割合でバブリングさせ、９０分間焼成
した。

【００７８】−冷却工程− 冷却部分Ｂは、予め、Ｎ₂ガスを３０リットル／分の流
速で９０分間フローするフロー処理を行い、Ｎ₂ガスに
置換しておいた。焼成後、焼成部分Ａと冷却部分Ｂとの
間の扉３０を開け、焼成物を焼成部分Ａから冷却部分Ｂ
へすばやく移動させ、扉３０を閉めた。扉３０を開けて
いた時間は３０秒間であった。その状態で５分経過後
（焼成物の温度は４００℃であった）、弁２２および２
２’を開いて、Ｎ₂ガスを３００リットル／分の流速で
５分間、さらに３０リットル／分の流速で１時間フロー
しながら、約１００℃まで冷却後、焼成物を冷却部分Ｂ
から取り出し、輝尽性蛍光体（ＢａＦ（Ｂｒ
_8.5Ｉ_0.15）：Ｅｕ）を製造した。

【００７９】（比較例１）実施例１と同様の輝尽性蛍光
体原料混合物を使用し、ガス導入管２０および３４がそ
れぞれ、真空排気装置と所望の雰囲気にするためのガス
ボンベとに連通し、排気管２０’および３６’が設けら
れていない他は、図１と同様の製造装置を使用して、輝
尽性蛍光体を製造した。

【００８０】−焼成工程− まず、炉芯管１２に原料ボー卜を入れ、サンプル投入口
蓋２４を閉め、弁２２を閉じた状態で、図示しない真空
ポンプにより真空排気を３０分間行った後、弁２２を開
いて、ガス導入管２２からＮ₂ガスを導入して大気圧と
した状態で６０分間、さらに真空排気を３０分間行った
後、Ｏ₂ガスを、大気圧、焼成温度（８５０℃）におい
て、１．８リットルとなる量を導入し、続いてＮ₂ガス
を導入し大気圧とした状態で６０分間、さらに、設定温
度を６５０℃に切り換え、炉内が減圧とならないように
するために、Ｎ₂ガスを１００ｍｌ／分の流速でバブリ
ングさせ９０分間焼成した。

【００８１】−冷却工程− 冷却部分Ｂを予め微量酸素雰囲気（真空排気後、Ｏ₂ガ
ス６５ｍｌ（大気圧、室温（２５℃）にて）を導入し、
その後、大気圧になるまでＮ₂ガスを導入した）とし
て、焼成後、焼成部分Ａと冷却部分Ｂの間の扉３０を開
け、焼成物を焼成部分Ａから冷却部分Ｂへすばやく移動
させ、扉３０を閉めた。扉３０を開けていた時間は３０
秒であった。弁３６を開き、図示しない真空ポンプによ
りガス導入管３４を通じて、真空排気し、さらに、ガス
導入管３４からＮ₂ガスを導入して窒素置換した。その
状態で５分間経過後（焼成物の温度は４００℃であっ
た）、真空ポンプで１０分間排気し、さらにＮ₂ガスを
３０リットル／分の流速でフローしながら１時間、約１
００℃まで冷却後、焼成物を冷却部分Ｂから取り出し、
輝尽性蛍光体（ＢａＦ（Ｂｒ_8.5Ｉ_0.15）：Ｅｕ）を製
造した。

【００８２】実施例１では、従来の輝尽性蛍光体の製造
方法である比較例１で必要とされた真空排気設備を使用
しないで、比較例１と同一の輝尽性蛍光体を製造するこ
とができた。

【００８３】

【発明の効果】以上から、本発明の製造方法によれば、
焼成空間または冷却空間の容積を大きくしても真空排気
能力の高い真空排気設備が不要で、設備コストを低減す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の輝尽性蛍光体の製造方法に用いられ
る製造装置の一例を示す模式断面図である。

【符号の説明】

１０・・・焼成炉１２・・・炉心管１４・・・熱源１６・・・焼成容器１８・・・輝尽性蛍光体原料混合物２０・・・ガス導入管２０’・・・排気管２２，２２’・・・弁２４・・・サンプル投入口蓋２６・・・棒２８・・・冷却室３０・・・扉３２・・・冷却台３４・・・ガス導入管３４’・・・排気管３６，３６’・・・弁３８・・・サンプル排出口蓋

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、輝尽性蛍光体原料を混合し
て、輝尽性蛍光体原料混合物を調製する混合工程と、焼
成空間に存在する被置換ガスＧａ’を置換ガスＧａに置
換し、前記置換ガスＧａ雰囲気で前記輝尽性蛍光体原料
混合物を焼成して焼成物を調製する焼成工程と、前記焼
成物を冷却する冷却工程と、を有する輝尽性蛍光体の製
造方法であって、前記焼成工程において、前記焼成空間に前記置換ガスＧ
ａをフローして、前記焼成空間に存在する前記被置換ガ
スＧａ’を前記置換ガスＧａに置換するフロー処理が施
されることを特徴とする輝尽性蛍光体の製造方法。
【請求項２】少なくとも、輝尽性蛍光体原料を混合し
て、輝尽性蛍光体原料混合物を調製する混合工程と、前
記輝尽性蛍光体原料混合物を焼成して焼成物を調製する
焼成工程と、冷却空間に存在する被置換ガスＧｂ’を置
換ガスＧｂに置換し、前記置換ガスＧｂ雰囲気で前記焼
成物を冷却する冷却工程と、を有する輝尽性蛍光体の製
造方法であって、前記冷却工程において、前記冷却空間に前記置換ガスＧ
ｂをフローして、前記冷却空間に存在する前記被置換ガ
スＧｂ’を前記置換ガスＧｂに置換するフロー処理が施
されることを特徴とする輝尽性蛍光体の製造方法。
【請求項３】少なくとも、輝尽性蛍光体原料を混合し
て、輝尽性蛍光体原料混合物を調製する混合工程と、焼
成空間に存在する被置換ガスＧａ’を置換ガスＧａに置
換し、前記置換ガスＧａ雰囲気で前記輝尽性蛍光体原料
混合物を焼成して焼成物を調製する焼成工程と、冷却空
間に存在する被置換ガスＧｂ’を置換ガスＧｂに置換
し、前記置換ガスＧｂ雰囲気で前記焼成物を冷却する冷
却工程と、を有する輝尽性蛍光体の製造方法であって、前記焼成工程において、前記焼成空間に前記置換ガスＧ
ａをフローして、前記焼成空間に存在する前記被置換ガ
スＧａ’を前記置換ガスＧａに置換するフロー処理が施
され、前記冷却工程において、前記冷却空間に前記置換ガスＧ
ｂをフローして、前記冷却空間に存在する前記被置換ガ
スＧｂ’を前記置換ガスＧｂに置換するフロー処理が施
されることを特徴とする輝尽性蛍光体の製造方法。
【請求項４】前記焼成工程における前記置換ガスＧａ
を、フロー量：２×Ｖａリットル（Ｖａ：焼成空間の容
積）以上とし、フロー流速：０．０１×Ｖａ〜１０×Ｖ
ａリットル／分とすることを特徴とする請求項１または
３に記載の輝尽性蛍光体の製造方法。
【請求項５】前記冷却工程における前記置換ガスＧｂ
を、フロー量：２×Ｖｂリットル（Ｖｂ：冷却空間の容
積）以上とし、フロー流速：０．０１×Ｖｂ〜１０×Ｖ
ｂリットル／分とすることを特徴とする請求項２または
３に記載の輝尽性蛍光体の製造方法。
【請求項６】製造される輝尽性蛍光体が、下記基本組
成式（Ｉ）で表されることを特徴とする請求項１〜５の
いずれかに記載の輝尽性蛍光体の製造方法。（Ｂａ_1-a，Ｍ^II _a）ＦＸ：ｚＬｎ・・・（Ｉ）（Ｍ^IIは、ＳｒおよびＣａのうち少なくとも一種のアル
カリ土類金属を表し、Ｌｎは、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂか
らなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表
す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉからなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲン元素を表す。ａは０≦ａ＜１の数
値を表し、ｚは０＜ｚ≦０．２の数値を表す。）