JP2002252164A - 転写用マスク及び転写用マスクの検査方法 - Google Patents

転写用マスク及び転写用マスクの検査方法

Info

Publication number
JP2002252164A
JP2002252164A JP2001051925A JP2001051925A JP2002252164A JP 2002252164 A JP2002252164 A JP 2002252164A JP 2001051925 A JP2001051925 A JP 2001051925A JP 2001051925 A JP2001051925 A JP 2001051925A JP 2002252164 A JP2002252164 A JP 2002252164A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
transfer
transfer mask
adhesive
mask body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001051925A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Higuchi
朗 樋口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RIIPURU KK
Reaple Inc
Original Assignee
RIIPURU KK
Reaple Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RIIPURU KK, Reaple Inc filed Critical RIIPURU KK
Priority to JP2001051925A priority Critical patent/JP2002252164A/ja
Publication of JP2002252164A publication Critical patent/JP2002252164A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】電子ビーム露光装置に好適で精度のよい転写用
マスクを提供する。 【解決手段】マスクパターンを有するマスク本体と、こ
のマスク本体を保持するマスクホルダ70とから構成さ
れ、電子ビーム露光装置に使用される転写用マスクであ
る。このマスクホルダ70は、マスク本体のマスクパタ
ーンに電子ビームを照射するために中央部に設けられた
開口部72と、マスク本体を面接触させるために開口部
72の周囲に設けられた接触面74と、マスク本体を接
触面74に面接触させた状態で保持するための3箇所の
接着部76とを有している。接着部76は、接触面74
よりも上面が低い凸形状に形成され、凸形状の上面と接
触面74に面接触されるマスク本体との間に充填される
接着剤によってマスク本体を保持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は転写用マスク及び転
写用マスクの検査方法に係り、特に電子ビームを用いて
転写用マスクのマスクパターンを半導体ウエハ上のレジ
スト層に等倍転写する電子ビーム露光装置に使用される
転写用マスク及び転写用マスクの検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の転写用マスクを使用した
電子ビーム露光装置は、米国特許第5,831,272 号(日本
特許第2951947 号に対応)に開示されている。
【0003】図11は上記電子ビーム露光装置の基本構
成を示す図である。この電子ビーム露光装置10は、主
として電子ビーム15を発生する電子ビーム源14、整
形アパーチャ16、及び電子ビーム15を平行ビームに
するレンズ18を含む電子銃12と、主偏向器22、2
4及び副偏向器26、28を含み、電子ビームを光軸に
平行に走査する走査手段20と、転写用マスク30とか
ら構成されている。
【0004】前記転写用マスク30は、表面にレジスト
層42が形成された半導体ウエハ40に近接するように
(隙間が50μmとなるように)配置される。この状態
で、転写用マスク30に垂直に電子ビームを照射する
と、転写用マスク30のマスクパターンを通過した電子
ビームが半導体ウエハ40上のレジスト層42に照射さ
れる。また、走査手段20は、電子ビーム15が転写用
マスク30の全面を走査するように電子ビームを偏向制
御する(図11のA,B,Cは3箇所に偏向された電子
ビームを示す)。これにより、転写用マスク30のマス
クパターンが半導体ウエハ40上のレジスト層に等倍転
写される。
【0005】尚、走査手段20中の副偏向器26、28
は、電子ビームを僅かに傾斜させ、転写用マスク30と
半導体ウエハ40との位置ずれや、転写用マスク30の
歪と半導体ウエハ40の歪による露光位置のずれを補正
するために使用される。また、この電子ビーム露光装置
は、真空容器(図示せず)内に設けられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記電子ビ
ーム露光装置に使用される転写用マスクは、電子ビーム
が照射される点や、真空中で使用される点などを考慮し
て構成する必要があるが、上記構成の電子ビーム露光装
置は実用化されておらず、転写用マスクも存在していな
い。
【0007】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、上記電子ビーム露光装置に好適で精度のよい転
写用マスク及び転写用マスクの検査方法を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本願請求項1に係る発明は、マスクパターンを有する
マスク本体と、該マスク本体を保持するマスクホルダと
から構成され、電子ビーム露光装置に使用される転写用
マスクにおいて、前記マスクホルダは、前記マスク本体
のマスクパターンに電子ビームを照射するために中央部
に設けられた開口部と、前記マスク本体を面接触させる
ために前記開口部の周囲に設けられた接触面と、前記マ
スク本体を前記接触面に面接触させた状態で保持するた
めの接着部とを有し、前記接着部は、前記接触面よりも
上面が低い凸形状に形成され、当該凸形状の上面と前記
接触面に面接触される前記マスク本体との間に充填され
る接着剤によって当該マスク本体を保持することを特徴
としている。
【0009】即ち、前記マスクホルダにマスク本体を接
着する場合には、前記接着部の凸形状の上面に接着剤を
載せ、その後、マスク本体をマスクホルダの接触面に面
接触させるとともに前記接着剤に押し当てる。このと
き、前記接着部の凸形状の上面はマスクホルダの接触面
よりも低いため、マスク本体をマスクホルダの接触面に
面接触させた状態で、接着剤の厚みを確保することがで
きる。また、前記接着部の凸形状の上面に載せられた接
着剤は、マスク本体が押し当てられると、凸形状の上面
から溢れるが、溢れた接着剤は、凸形状を構成する周囲
の溝部に流れる。これにより、接着剤がマスク本体とマ
スクホルダの接触面との間に入り込むことを未然に防止
することができる。
【0010】前記接着部は、本願請求項2に示すように
前記マスク本体の外周近傍の内側であって、前記マスク
ホルダの中心に対して等距離かつ等角度の位置に3箇所
設けられていることを特徴としている。この接着部の位
置及び数により、マスク本体をマスクホルダに確実に接
着するとともに、接着に伴うマスク本体にかかる応力を
最小限にするようにしている。
【0011】本願請求項3に示すように前記接着部の凸
形状の上面の中央部には、前記接着剤を充填するための
穴が形成されていることを特徴としている。これによ
り、前記接着部の凸形状の上面に接着剤を載せやすくし
ている。
【0012】前記接着部の凸形状を構成する周囲の溝部
は、本願請求項4に示すように前記マスク本体の接着時
に密閉されないように当該マスク本体の外周部に通じて
いることを特徴としている。即ち、転写用マスクを真空
中で使用できるようにするために、前記接着部に空気溜
まりができないようにしている。また、真空中での使用
に耐える接着剤は、その接着剤の硬化に大気が必要であ
るが、上記構成により接着剤を良好に大気に触れさせる
ようにしている。
【0013】前記マスクホルダは、本願請求項5に示す
ように導電性部材から構成されることを特徴としてい
る。また、前記マスク本体は、本願請求項6、7に示す
ようにダイヤモンド、炭化ケイ素(SiC)又は単結晶
のケイ素(Si)から構成され、ダイヤモンド又は炭化
ケイ素(SiC)の場合には、その表面に導電性の薄膜
が形成されていることを特徴としている。即ち、前記マ
スクホルダを接地することにより、マスクホルダ及びマ
スク本体への帯電を防止することができ、これにより電
子ビームへの影響を防止することができる。
【0014】本願請求項8に係る転写用マスクの検査方
法は、光波干渉計の測定対象として基準面上に平行平面
板を載せる工程と、前記光波干渉計から得られる干渉縞
が0次となるように当該光波干渉計と基準面とを相対的
に調整する工程と、前記基準面上に前記平行平面板に代
えて転写用マスクを載せる工程とを含み、前記光波干渉
計から得られる干渉縞によって前記基準面に対する前記
転写用マスクの傾き及び面形状を検査することを特徴と
している。また、本願請求項9に係る転写用マスクの検
査方法は、請求項1乃至7のいずれかに記載の転写用マ
スクに対して上記検査方法を適用している。
【0015】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る転写用マスク及び転写用マスクの検査方法の好ましい
実施の形態について説明する。
【0016】図1は本発明に係る転写用マスクを構成す
るマスクホルダの平面図であり、図2は図1の2−2線
に沿う断面図である。
【0017】図2に示すように転写用マスク50は、マ
スクパターンを有するマスク本体60と、このマスク本
体60を保持するマスクホルダ70とから構成されてお
り、図11に示したように電子ビームを用いて転写用マ
スクのマスクパターンを半導体ウエハ上のレジスト層に
等倍転写する電子ビーム露光装置に使用される。
【0018】まず、マスク本体60について説明する。
【0019】図2に示すようにマスク本体60は、厚さ
t1が2mmであり、中央部の薄膜部60A(25mm
×25mm)にマスクパターンが形成されている。ま
た、図3に示すように薄膜部60Aの厚さt2は0.5 μ
mであり、ここに0.1 μm以下の線幅Wのマスクパター
ンが形成される。
【0020】また、マスク本体60は、ダイヤモンド、
炭化ケイ素(SiC)又は単結晶のケイ素(Si)から
構成されており、ダイヤモンド又はSiCの場合には、
その表面(マスクパターンも含む)には、電子が帯電し
ないように導電性の薄膜62が形成されている。
【0021】上記マスク本体60を保持するマスクホル
ダ70は、導電性部材から構成されており、マスク本体
60のマスクパターンに電子ビームを照射するために中
央部に設けられた開口部72と、マスク本体60を面接
触させるために開口部72の周囲に設けられた接触面7
4と、マスク本体60を接触面74に面接触させた状態
で保持するための3つの接着部76とを有している。
【0022】3つの接着部76は、それぞれマスク本体
60(図1上では接触面74)の外周近傍の内側であっ
て、マスクホルダ70の中心Cに対して等距離かつ等角
度(中心角が120°)の位置に設けられている。
【0023】図4は図1に示した接着部76を拡大した
平面図であり、図5は図4の5−5線に沿う断面図であ
る。
【0024】これらの図面に示すように、接着部76
は、その周囲に設けられた溝部78によって凸形状に形
成されるとともに、凸形状の接着部76の上面76Aが
マスクホルダ70の接触面74よりも寸法Lだけ低くな
るように形成されている。この寸法Lは、後述するよう
にマスク本体60との間に接着剤を充填するための隙間
を確保するためのものである。また、接着部76の上面
76Aの中央部には、接着剤を充填するための穴76B
が形成されている。
【0025】上記凸形状の接着部76を構成する溝部7
8は、マスク本体60の接着時に密閉されないようにマ
スク本体60の外周部(図4、図5上では接触面74の
外周側面74A)に通じている。尚、溝部78の深さM
(接触面74からの溝部78の深さ)は、接触面74か
ら接着部76の上面76Aまでの寸法Lよりも大きい
(M>L)ことは言うまでもない。
【0026】次に、マスクホルダ70にマスク本体60
を接着する場合の手順について説明する。
【0027】まず、図6に示すようにマスクホルダ70
の接着部76の上面76Aに、適量の接着剤80を載せ
る。このとき、上面76Aの中央部の穴76Bの上に接
着剤80を載せることにより、接着部76を上面76A
の中心に正確に載せることができる。
【0028】続いて、図7に示すようにマスク本体60
をマスクホルダ70の接触面74に面接触させるととも
に、接着部76上の接着剤80に押し当てる。このと
き、接着部76の凸形状の上面76Aはマスクホルダ7
0の接触面74よりも低いため、マスク本体60をマス
クホルダ70の接触面74Aに面接触させた状態で、接
着剤80の厚みが確保される。また、接着部76の凸形
状の上面76Aに載せられた接着剤80は、マスク本体
60が押し当てられると、凸形状の上面76Aから溢れ
るが、この溢れた接着剤は、接着部76の周囲に形成さ
れている溝部78に流れる。尚、接着剤80の量は、接
着部76の上面76A全体を覆うことができ、かつ溝部
78を埋め尽くさないように決定する。
【0029】上記溝部78により接着剤80がマスク本
体60とマスクホルダ70の接触面74との間に入り込
むことを未然に防止することができ、マスク本体60を
マスクホルダ70の接触面74に良好に面接触させ、マ
スク本体60の平面性を精度よく維持できるようにして
いる。
【0030】また、溝部78は、マスク本体60の外周
部に通じているため、マスク本体60の接着時に溝部7
8内に空気溜まりができないようにしている。転写用マ
スク50内に空気溜まりがあると、真空中での使用時に
不具合が生じるからである。また、真空中での使用に耐
える接着剤は、その接着剤の硬化に大気が必要である
が、上記溝部78の構成により接着剤80を良好に大気
に触れさせるようにしている。
【0031】上記のようにしてマスク本体60は、マス
クホルダ70の接触面74に面接触した状態でマスクホ
ルダ70の3箇所の接着部76(図1参照)で接着され
る。3箇所の接着部76では、接着剤80によるマスク
本体60への接着面積、形状及び厚さが等しくなり、ま
た、3箇所の接着部76は、マスクホルダ70の中心C
に対して等距離かつ等角度の位置にあるため、接着に伴
うマスク本体60にかかる応力を均等にすることができ
る。接着部76を3箇所とした理由は、マスク本体60
をマスクホルダ70に確実に接着し、かつ接着箇所を最
小限にしたためである。
【0032】尚、マスクホルダの接着部の上面の形状や
接着部の上面の中央部に設けられた穴の形状は、この実
施の形態に限定されない。また、接着部の上面の中央部
の穴は、省略してもよい。
【0033】次に、本発明に係る転写用マスクの検査方
法について説明する。
【0034】まず、図8を用いて転写用マスクの検査方
法に使用する光波干渉計について説明する。
【0035】同図に示すように光波干渉計90は、測定
対象95の平面精度及び角度精度に応じたフィゾー干渉
縞を発生させるもので、主として光源91と、レンズ9
2と、ビームスプリッタ93と、透過平面鏡94とから
構成されている。
【0036】光源91から発せられたレーザー光などの
可干渉な光は、レンズ92により平行光に変換され、ビ
ームスプリッタ93を介して透過平面鏡94に入射す
る。透過平面鏡94に入射した光は、その一部が透過平
面鏡94に設けられた半透膜(参照面)94Aで反射
し、残りが透過して測定対象95に入射する。
【0037】前記透過平面鏡94の参照面94Aで反射
した光と測定対象95の表面で反射した光は、それぞれ
ビームスプリッタ93で合成され、撮像装置96に入射
する。
【0038】参照面94Aで反射した光と測定対象95
の表面で反射した光は、それぞれビームスプリッタ93
で合成されて干渉し合い、測定対象95の平面精度や参
照面94Aに対する測定対象95の傾きに対応したフィ
ゾー干渉縞として現れる。このフィゾー干渉縞は、撮像
装置96によって撮影される。
【0039】次に、上記光波干渉計90を使用して転写
用マスク50のマスクパターンのパターン面の基準面に
対する傾き、及びパターン面の面形状を検査する方法に
ついて説明する。
【0040】図9に示すように、基準面としてのスペー
サ97上に平行平面板98を載せる。この平行平面板9
8は、その平行度及び平面度が精度よく製作されたもの
であある。
【0041】続いて、光波干渉計90から得られる干渉
縞が0次となるように光波干渉計90と平行平面板98
とを相対的に調整する。即ち、光波干渉計90によって
干渉縞を観察しながら干渉縞が現れないように調整す
る。これにより、光波干渉計90の透過平面鏡94(図
8参照)と平行平面板98の上面とが平行になるように
調整される。
【0042】この調整後、スペーサ97上の平行平面板
98に代えて、図10に示すように転写用マスク50を
載せる。
【0043】このとき、光波干渉計90によって観察さ
れるフィゾー干渉縞により、転写用マスク50のマスク
パターンのパターン面の傾き、及びパターン面の面形状
を検査することができる。例えば、フィゾー干渉縞が等
間隔で平行な場合には、転写用マスク50のパターン面
は、干渉縞が並んでいる方向に傾斜していることが分か
る。尚、干渉縞の数が多い程、転写用マスク50のパタ
ーン面の傾きも大きい。また、フィゾー干渉縞がリング
状の場合には、転写用マスク50のパターン面の中央部
と周辺部とに高低差があることが分かる。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
スクホルダに設けた接着部を凸形状とするとともに接着
部の上面をマスクホルダの接触面よりも低いため、マス
ク本体をマスクホルダの接触面に面接触させた状態で精
度よく接着することができる。特に、凸形状の上面から
溢れた接着剤は、凸形状を構成する周囲の溝部に流れる
ため、接着剤がマスク本体とマスクホルダの接触面との
間に入り込むことを未然に防止することができる。
【0045】また、接着部の凸形状を構成する周囲の溝
部は、マスク本体の外周部に通じるように形成されてい
るため、接着部に空気溜まりができず、転写用マスクを
真空中で使用することができ、更に真空中での使用に耐
える接着剤は、その接着剤の硬化に大気が必要である
が、接着剤を良好に大気に触れさせることができる。更
にまた、マスクホルダを導電性部材から構成するととも
に、ダイヤモンド等の非導電性部材から構成されたマス
ク本体の表面に導電性の薄膜を形成するようにしたた
め、マスクホルダ及びマスク本体への帯電を防止するこ
とができ、電子ビーム露光装置の電子ビームへの影響を
防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る転写用マスクを構成するマスクホ
ルダの平面図
【図2】図1の2−2線に沿う断面図
【図3】マスク本体のマスクパターンが形成される薄膜
部の拡大断面図
【図4】図1に示した接着部を拡大した平面図
【図5】図4の5−5線に沿う断面図
【図6】図5に示した接着部に接着剤を載せた状態を示
す断面図
【図7】図6に示した接着部上の接着剤にマスク本体を
押し当てた状態を示す断面図
【図8】本発明に係る転写用マスクの検査方法に使用す
る光波干渉計の一例を示す図
【図9】図8に示した光波干渉計を用いた転写用マスク
の検査方法を説明するために用いた図
【図10】図8に示した光波干渉計を用いた転写用マス
クの検査方法を説明するために用いた図
【図11】本発明に係る転写用マスクが適用される電子
ビーム露光装置の基本構成図
【符号の説明】
50…転写用マスク、60…マスク本体、60A…薄膜
部、62…導電性の薄膜、70…マスクホルダ、72…
開口部、74…接触面、74A…接触面の外周側面、7
6…接着部、76A…接着部の上面、76B…穴、78
…溝部、80…接着剤、90…光波干渉計、97…スペ
ーサ、98…平行平面板

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクパターンを有するマスク本体と、
    該マスク本体を保持するマスクホルダとから構成され、
    電子ビーム露光装置に使用される転写用マスクにおい
    て、 前記マスクホルダは、前記マスク本体のマスクパターン
    に電子ビームを照射するために中央部に設けられた開口
    部と、前記マスク本体を面接触させるために前記開口部
    の周囲に設けられた接触面と、前記マスク本体を前記接
    触面に面接触させた状態で保持するための接着部とを有
    し、 前記接着部は、前記接触面よりも上面が低い凸形状に形
    成され、当該凸形状の上面と前記接触面に面接触される
    前記マスク本体との間に充填される接着剤によって当該
    マスク本体を保持することを特徴とする転写用マスク。
  2. 【請求項2】 前記接着部は、前記マスク本体の外周近
    傍の内側であって、前記マスクホルダの中心に対して等
    距離かつ等角度の位置に3箇所設けられていることを特
    徴とする請求項1の記載の転写用マスク。
  3. 【請求項3】 前記接着部の凸形状の上面の中央部に
    は、前記接着剤を充填するための穴が形成されているこ
    とを特徴とする請求項1又は2に記載の転写用マスク。
  4. 【請求項4】 前記接着部の凸形状を構成する周囲の溝
    部は、前記マスク本体の接着時に密閉されないように当
    該マスク本体の外周部に通じていることを特徴とする請
    求項1乃至3のいずれかに記載の転写用マスク。
  5. 【請求項5】 前記マスクホルダは、導電性部材から構
    成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに
    記載の転写用マスク。
  6. 【請求項6】 前記マスク本体は、ダイヤモンド又は炭
    化ケイ素(SiC)から構成されるとともに、その表面
    に導電性の薄膜が形成されていることを特徴とする請求
    項1乃至5のいずれかに記載の転写用マスク。
  7. 【請求項7】 前記マスク本体は、単結晶のケイ素(S
    i)から構成されていることを特徴とする請求項1乃至
    6のいずれかに記載の転写用マスク。
  8. 【請求項8】 光波干渉計の測定対象として基準面上に
    平行平面板を載せる工程と、 前記光波干渉計から得られる干渉縞が0次となるように
    当該光波干渉計と基準面とを相対的に調整する工程と、 前記基準面上に前記平行平面板に代えて転写用マスクを
    載せる工程とを含み、 前記光波干渉計から得られる干渉縞によって前記基準面
    に対する前記転写用マスクの傾き及び面形状を検査する
    ことを特徴とする転写用マスクの検査方法。
  9. 【請求項9】 光波干渉計の測定対象として基準面上に
    平行平面板を載せる工程と、 前記光波干渉計から得られる干渉縞が0次となるように
    当該光波干渉計と基準面とを相対的に調整する工程と、 前記基準面上に前記平行平面板に代えて請求項1乃至7
    のいずれかに記載の転写用マスクを載せる工程とを含
    み、 前記光波干渉計から得られる干渉縞によって前記基準面
    に対する前記転写用マスクの傾き及び面形状を検査する
    ことを特徴とする転写用マスクの検査方法。
JP2001051925A 2001-02-27 2001-02-27 転写用マスク及び転写用マスクの検査方法 Pending JP2002252164A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001051925A JP2002252164A (ja) 2001-02-27 2001-02-27 転写用マスク及び転写用マスクの検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001051925A JP2002252164A (ja) 2001-02-27 2001-02-27 転写用マスク及び転写用マスクの検査方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002252164A true JP2002252164A (ja) 2002-09-06

Family

ID=18912634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001051925A Pending JP2002252164A (ja) 2001-02-27 2001-02-27 転写用マスク及び転写用マスクの検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002252164A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004068565A1 (ja) * 2003-01-29 2004-08-12 Leepl Corp. 荷電粒子露光用マスク
US6900878B2 (en) * 2002-08-05 2005-05-31 Nikon Corporation Reticle-holding pods and methods for holding thin, circular reticles, and reticle-handling systems utilizing same
JP2006216544A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Samsung Sdi Co Ltd 伝導性高分子パターン膜及びそのパターニング方法、並びにそれを利用する有機電界発光素子及びその製造方法
JP2006303446A (ja) * 2005-03-24 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd リソグラフィ用マスク及びその製造方法
JP2010135578A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Toppan Printing Co Ltd マスクホルダおよび露光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900878B2 (en) * 2002-08-05 2005-05-31 Nikon Corporation Reticle-holding pods and methods for holding thin, circular reticles, and reticle-handling systems utilizing same
WO2004068565A1 (ja) * 2003-01-29 2004-08-12 Leepl Corp. 荷電粒子露光用マスク
JP2006216544A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Samsung Sdi Co Ltd 伝導性高分子パターン膜及びそのパターニング方法、並びにそれを利用する有機電界発光素子及びその製造方法
JP2006303446A (ja) * 2005-03-24 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd リソグラフィ用マスク及びその製造方法
JP2010135578A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Toppan Printing Co Ltd マスクホルダおよび露光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8891172B2 (en) Optical element and method
US3718396A (en) System for photographic production of semiconductor micro structures
JPS6324618A (ja) 露光方法
TW201107905A (en) Measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method
JPH07153663A (ja) マスク保持方法、マスク及びマスクチャック、ならびにこれを用いた露光装置とデバイス製造方法
JPH05335218A (ja) X線マスクとその製造方法、並びに該x線マスクを用いたデバイス製造方法とx線露光装置
JPH01278019A (ja) リソグラフィ用マスクの構造体
JP2002252164A (ja) 転写用マスク及び転写用マスクの検査方法
JPS60201626A (ja) 位置合わせ装置
US20230236518A1 (en) Object holder, electrostatic sheet and method for making an electrostatic sheet
JP4005910B2 (ja) パターン描画方法及び描画装置
JPS63140989A (ja) 位置決め装置
CN103926797A (zh) 一种用于光刻装置的双面套刻系统及方法
JP4505662B2 (ja) 基準マーク構造体、その製造方法及びそれを用いた荷電粒子線露光装置
TWI265585B (en) Method and apparatus for applying alignment marks on a wafer, forming a reticle with offsets, and aligning a reticle to alignment markers
TW202238256A (zh) 模板、被加工構件及對準方法
JP2659203B2 (ja) パターン形成方法
CN110360941A (zh) 膜厚测定装置
JP2004356290A (ja) 露光装置及び露光方法
JP3953841B2 (ja) ギャップ測定方法及びギャップ測定装置、並びに露光装置
TW201416663A (zh) 偵測裝置,微影裝置,物品的製造方法以及偵測方法
JPH02168614A (ja) X線露光用マスクおよびそれを用いた露光方法
JP2023537456A (ja) 基板をアライメントするための装置および方法
JPH10289870A (ja) 半導体露光装置およびデバイス製造方法
JPH08153773A (ja) 基板ホルダ、基板の保持方法、基板処理装置、基板の処理方法、基板検査装置及び基板の検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060124