JP2010135578A - マスクホルダおよび露光装置 - Google Patents

マスクホルダおよび露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010135578A
JP2010135578A JP2008310580A JP2008310580A JP2010135578A JP 2010135578 A JP2010135578 A JP 2010135578A JP 2008310580 A JP2008310580 A JP 2008310580A JP 2008310580 A JP2008310580 A JP 2008310580A JP 2010135578 A JP2010135578 A JP 2010135578A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
mask holder
stencil
stencil mask
side wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008310580A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5262648B2 (ja
Inventor
Takenori Aida
丈範 合田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2008310580A priority Critical patent/JP5262648B2/ja
Publication of JP2010135578A publication Critical patent/JP2010135578A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5262648B2 publication Critical patent/JP5262648B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】取り回しに優れ、転写面側へ近接することが可能なマスクホルダを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によるマスクホルダによれば、ステンシルマスクの側壁面とマスクホルダの保持部の側壁面とに傾斜形状を持たせることにより、両者が面接触で保持されることから、ステンシルマスクをマスクホルダに保持することが出来、取り外しも容易である。このとき、ステンシルマスクの転写面側表面は、マスクホルダの転写面側底面よりも転写面側へ突き出した状態で保持することができる。
【選択図】 図2

Description

本発明は、ステンシルマスクを保持するマスクホルダおよび、該マスクホルダを備えた露光装置に関する。
荷電粒子ビーム転写型リソグラフィの露光には、電子線が透過する部分に電子線透過孔を備えたステンシルマスクを用いる。ステンシルマスクのメンブレンにはパターンに対応して電子線透過用の多数の孔が形成され、これらの孔を通って電子線がシリコンウエハ上のレジスト膜に入射されるようになっている。このため、露光装置は、ステンシルマスクを保持するマスクホルダを備える。
荷電粒子ビーム転写型リソグラフィには、ステンシルマスクに形成されているパターンと同じ大きさのパターンが転写基板に転写される等倍露光方式と数分の一から数十分の一に縮小されて転写される縮小露光方式がある。このとき、等倍露光方式では、転写基板に対してステンシルマスクを非常に近接させる必要がある。これは、ギャップをあけすぎると電子線の散乱による解像性の低下につながるためである。
ステンシルマスクを用いて転写を行なう場合、ステンシルマスクを転写基板の真上に設置する必要がある。
特に、ギャップが非常に狭い等倍露光方式では、ステンシルマスクを転写面側へ近接させ、かつ、ステンシルマスクを固定するマスクホルダが転写面に接触しないようにする必要があり、ステンシルマスクの微細な位置制御が要求される。
ステンシルマスクをマスクホルダに固定する方法としては、マスクホルダに対しステンシルマスクの裏面を接着する方法がある(特許文献1)。
しかしながら、この方法ではマスクホルダにステンシルマスクを一度装着するとステンシルマスクを交換することが不可能となり、ステンシルマスクごとにマスクホルダを作製しなければならない。
また、ステンシルマスクの表面端部を支えるストッパ層をマスクホルダに備えることで固定する方法がある(特許文献2)。
しかしながら、転写面側のストッパ層の厚み以下に転写側へ近接することが出来ない。このため、近接させるためにストッパ層を薄膜で形成した場合、ストッパ層にたわみが発生してしまう問題がある。
特に、この問題は、ギャップ間を非常に近接する必要がある等倍露光方式では、致命的な突き出し部分となる。ギャップ間を短距離(具体的には、100μm以下程度)に保つ為に、数十μmと非常に薄い金属薄膜でステンシルマスクを保持しようとすると、ステンシルマスクの自重でストッパ層は撓んでしまうため、ギャップ距離を短距離に保つことは非常に困難である。
特開平9−5984号公報 特開2000−331917号公報
そこで、本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、取り回しに優れ、転写面側へ近接することが可能なマスクホルダを提供することを目的とする。
請求項1に記載の本発明は、ステンシルマスクを保持するマスクホルダにおいて、保持対象である前記ステンシルマスクを収容する開口部と、前記開口部の周囲を取り巻き前記ステンシルマスクと接する保持部と、を備え、前記ステンシルマスクの側壁面は傾斜しており、前記保持部の側壁面は傾斜しており、前記保持部は水平方向に可動することを特徴とするマスクホルダである。
請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載のマスクホルダであって、保持対象であるステンシルマスクの転写面側表面は、マスクホルダの転写面側底面よりも転写面側へ突き出していることを特徴とするマスクホルダである。
請求項3に記載の本発明は、請求項1または2のいずれかに記載のマスクホルダであって、保持部は、リン青銅、アルミニウム、パラジウム、タングステン、モリブデン、からなる群から選ばれた1つ以上の材料よりなることを特徴とするマスクホルダである。
請求項4に記載の本発明は、請求項1または2のいずれかに記載のマスクホルダであって、保持部は、シリコンであることを特徴とするマスクホルダである。
請求項5に記載の本発明は、請求項4に記載のマスクホルダであって、保持対象であるステンシルマスクの側壁面は、シリコンの(111)面であり、保持部の側壁面は、57.4度であることを特徴とするマスクホルダである。
請求項6に記載の本発明は、請求項4または5のいずれかに記載のマスクホルダであって、保持部の側壁面に導電膜がコートされており、前記導電膜は、Pt、Pd、Ti、からなる群から選ばれた1つ以上の材料よりなることを特徴とするマスクホルダである。
請求項7に記載の本発明は、請求項1から6のいずれかに記載のマスクホルダを備えた露光装置である。
本発明によるマスクホルダによれば、ステンシルマスクの側壁面とマスクホルダの保持部の側壁面とに傾斜形状を持たせることにより、両者が面接触で保持されることから、ステンシルマスクをマスクホルダに保持することが出来、かつ取り外しも容易である。このとき、ステンシルマスクの転写面側表面は、マスクホルダの転写面側底面よりも転写面側へ突き出した状態であっても保持することができる。また、保持部を水平方向に可動することにより、マスクホルダ底面に対するステンシルマスク表面の高さを精度良く制御することが出来、微細な位置制御を行うことが出来る。
以下、本発明のマスクホルダについて、図1を用いながら、説明を行う。
図1において、(a)は概略上面図であり、(b)概略断面図である。
中央部に保持対象であるステンシルマスクを収容する開口部4が設けられており、開口部の周囲を取り巻きステンシルマスクと接する保持部側壁5は、順テーパ形状となっている。
本発明では、保持対象のステンシルマスクの側壁面は傾斜しており、保持部の側壁面は傾斜しており、前記保持部は水平方向に可動する。本発明によるマスクホルダによれば、ステンシルマスクの側壁面とマスクホルダの保持部の側壁面とに傾斜形状を持たせることにより、両者が面接触で保持されることから、ステンシルマスクをマスクホルダに保持することが出来、取り外しも容易である。このとき、ステンシルマスクの転写面側表面は、マスクホルダの転写面側底面よりも転写面側へ突き出した状態であっても保持することができる。また、保持部を水平方向に可動することにより、マスクホルダ底面に対するステンシルマスク表面の高さを精度良く制御することが出来、微細な位置制御を行うことが出来る。
保持部を水平方向に可動させる方法としては、既知の機構を適宜用いて良い。
一例として、図1では、可動側保持部2に調製ネジ3を備えた構成を示す。調製ネジ3は可動側保持部2と連結しており、調整ネジ3を締めることにより、可動側保持部2の位置を調整でき、また、その位置で固定することが出来る。可動部2は図1(b)に示すように左右に平行に動かすことができ、開口部4の大きさを微調整することができる。開口部4が狭くなる方向に動かして固定すると、マスクのマスクホルダ内での高さを高い方向に調整することができる。逆に開口部4が広くなる方向に動かして固定すると、マスクのマスクホルダ内での高さを低い方向に調整することができる。すなわち、この構造とすることによりマスクホルダ内でのマスクの高さの位置を調整することができ、転写基板とマスクのギャップを調整することができる。
また、保持部は、リン青銅、アルミニウム、パラジウム、タングステン、モリブデン、からなる群から選ばれた1つ以上の材料よりなることが好ましい。上記材料は、導電性および機械加工性に優れ、荷電粒子線照射によるマスク及びマスクホルダの帯電を防止することから、荷電粒子線照射装置に用いるマスクホルダに好適に用いることが出来る。
また、保持部は、シリコンであっても良い。ステンシルマスクは、一般的に単結晶シリコンウエハを加工して作製される。ステンシルマスクの側壁に異方性ウエットエッチングを用いた場合、シリコンの(111)面が優先的に表出し、その傾斜角はシリコンの結晶方位54.7度となる。
このため、マスクホルダとステンシルマスクをシリコンで作製することにより、両者の側壁の傾斜角度を高精度で揃えることが出来る。
マスクホルダをシリコンにより作製した場合、保持部の側壁面に導電膜をコートすることが望ましい。これにより、荷電粒子線照射によるマスク及びマスクホルダの帯電を防止することが出来る。前記導電膜としては、導電性および加工性の観点から、Pt、Pd、Ti、からなる群から選ばれた1つ以上の材料よりなることが好ましい。上記材料は、成膜方法として、スパッタリング法や真空蒸着法、CVD法、メッキ法などを用いて薄膜形成することが出来る。特に、スパッタリング法は付着力が強く、好適である。
以下、本発明のマスクホルダについて、図2を用いながら、実施の一例として使用方法を示す。図2において、(a)は概略上面図であり、(b)概略断面図である。
まず、本発明のマスクホルダ1に上面側からステンシルマスク6を挿入した。
このとき、使用したマスクホルダ1は、リン青銅製であり、機械的に加工により開口4の端部の側壁5を54.7度に成形されており、可動側保持部2が調整ネジ3で調整できるものであった。
また、保持対象であるステンシルマスク6は、図2(b)に示すように異方性ウエットエッチングの加工により、端部の側壁を57.4度の逆テーパとした。
まず、マスク6表面とマスクホルダ底面が平行になるように可動部2の位置を調整ネジ3を回して調節した。次に、調整ネジ3を回して、開口部4が広がる方向に可動部2の位置を50μm動かしたところ、マスク表面はマスクホルダ底面から70μm突き出た状態でマスクを保持することが確認できた。
本発明のマスクホルダの一例を示す概略図であり、(a)概略上面図、(b)概略断面図である。 本発明のマスクホルダの実施の一例を示す概略図であり、(a)概略上面図、(b)概略断面図である。
符号の説明
1…マスクホルダ
2…可動側保持部
3…調整ネジ
4…開口部
5…保持部側壁
6…ステンシルマスク

Claims (7)

  1. ステンシルマスクを保持するマスクホルダにおいて、
    保持対象である前記ステンシルマスクを収容する開口部と、
    前記開口部の周囲を取り巻き前記ステンシルマスクと接する保持部と、を備え、
    前記ステンシルマスクの側壁面は傾斜しており、
    前記保持部の側壁面は傾斜しており、
    前記保持部は水平方向に可動すること
    を特徴とするマスクホルダ。
  2. 請求項1に記載のマスクホルダであって、
    保持対象であるステンシルマスクの転写面側表面は、マスクホルダの転写面側底面よりも転写面側へ突き出していること
    を特徴とするマスクホルダ。
  3. 請求項1または2のいずれかに記載のマスクホルダであって、
    保持部は、リン青銅、アルミニウム、パラジウム、タングステン、モリブデン、からなる群から選ばれた1つ以上の材料よりなること
    を特徴とするマスクホルダ。
  4. 請求項1または2のいずれかに記載のマスクホルダであって、
    保持部は、シリコンであること
    を特徴とするマスクホルダ。
  5. 請求項4に記載のマスクホルダであって、
    保持対象であるステンシルマスクの側壁面は、シリコンの(111)面であり、
    保持部の側壁面は、57.4度であること
    を特徴とするマスクホルダ。
  6. 請求項4または5のいずれかに記載のマスクホルダであって、
    保持部の側壁面に導電膜がコートされており、
    前記導電膜は、Pt、Pd、Ti、からなる群から選ばれた1つ以上の材料よりなること
    を特徴とするマスクホルダ。
  7. 請求項1から6のいずれかに記載のマスクホルダを備えた露光装置。
JP2008310580A 2008-12-05 2008-12-05 マスクホルダおよび露光装置 Expired - Fee Related JP5262648B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008310580A JP5262648B2 (ja) 2008-12-05 2008-12-05 マスクホルダおよび露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008310580A JP5262648B2 (ja) 2008-12-05 2008-12-05 マスクホルダおよび露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010135578A true JP2010135578A (ja) 2010-06-17
JP5262648B2 JP5262648B2 (ja) 2013-08-14

Family

ID=42346567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008310580A Expired - Fee Related JP5262648B2 (ja) 2008-12-05 2008-12-05 マスクホルダおよび露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5262648B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012079853A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hoya Corp 転写マスク、転写マスクの製造方法、転写マスク収容体、及び転写マスク収容体の製造方法
US11631813B2 (en) 2019-03-15 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition mask and methods of manufacturing and using a deposition mask

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63119234A (ja) * 1986-11-07 1988-05-23 Hitachi Ltd プロキシミテイ露光用マスク装置
JPH09265930A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Toshiba Corp アパーチャ絞り、その製造方法、及びこれを用いた荷電ビーム描画装置
JPH10242032A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Canon Inc マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体
JPH10242033A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Canon Inc マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体
JP2002252164A (ja) * 2001-02-27 2002-09-06 Riipuru:Kk 転写用マスク及び転写用マスクの検査方法
JP2004342850A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Sony Corp 露光方法、マスク、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008186995A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Dainippon Printing Co Ltd 露光用マスクブランクス、露光用マスクおよびそれらの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63119234A (ja) * 1986-11-07 1988-05-23 Hitachi Ltd プロキシミテイ露光用マスク装置
JPH09265930A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Toshiba Corp アパーチャ絞り、その製造方法、及びこれを用いた荷電ビーム描画装置
JPH10242032A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Canon Inc マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体
JPH10242033A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Canon Inc マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体
JP2002252164A (ja) * 2001-02-27 2002-09-06 Riipuru:Kk 転写用マスク及び転写用マスクの検査方法
JP2004342850A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Sony Corp 露光方法、マスク、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008186995A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Dainippon Printing Co Ltd 露光用マスクブランクス、露光用マスクおよびそれらの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012079853A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hoya Corp 転写マスク、転写マスクの製造方法、転写マスク収容体、及び転写マスク収容体の製造方法
US11631813B2 (en) 2019-03-15 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition mask and methods of manufacturing and using a deposition mask

Also Published As

Publication number Publication date
JP5262648B2 (ja) 2013-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060160026A1 (en) Device and method of forming film
JP7097821B2 (ja) シャドーマスク堆積システム及びその方法
US20130306878A1 (en) Electrode of electrostatic lens and method of manufacturing the same
CN104350423A (zh) 衬底保持装置、光刻设备以及器件制造方法
EP3411901A1 (en) Field curvature correction for multi-beam inspection systems
JP5262648B2 (ja) マスクホルダおよび露光装置
Broers Fabrication limits of electron beam lithography and of UV, X-ray and ion-beam lithographies
JP2008047797A (ja) インプリント方法
Fostner et al. Silicon nanostencils with integrated support structures
Olynick et al. Substrate cooling efficiency during cryogenic inductively coupled plasma polymer etching for diffractive optics on membranes
JP4333107B2 (ja) 転写マスク及び露光方法
TW202040746A (zh) 用於微影設備之靜電夾具
JP2004146721A (ja) ステンシルマスク及びその作製方法
Srinivasan et al. Ion beam etching of new absorber materials for sub-5nm EUV masks
US9724725B2 (en) Deposition apparatus and deposition method using the same
Rook et al. Ion beam processing for critical EUV photomask process steps: mask blank deposition and photomask absorber etch
Parekh et al. Estimation of scattered particle exposure in ion beam aperture array lithography
JP2005108867A (ja) 露光マスクおよび電子ビーム露光装置
EP4379783A1 (en) Electrostatic clamp, gripper assembly including the clamp, lithographic system comprising an electrostatic clamp, and method of making an electrostatic clamp
TWI818038B (zh) 濺鍍裝置
JP2004273689A (ja) 露光マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2002217094A (ja) 電子線露光用マスク及びその製造方法
Do et al. Three-dimensional nanofabrication using hydrogen silsesquioxane/poly (methylmethacrylate) bilayer resists
CN100447291C (zh) 物理气相沉积方法及其设备
JP2008218673A (ja) 転写マスクおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111118

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130314

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130415

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees