JP2002246865A - バラン - Google Patents
バランInfo
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- JP2002246865A JP2002246865A JP2001041330A JP2001041330A JP2002246865A JP 2002246865 A JP2002246865 A JP 2002246865A JP 2001041330 A JP2001041330 A JP 2001041330A JP 2001041330 A JP2001041330 A JP 2001041330A JP 2002246865 A JP2002246865 A JP 2002246865A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- primary coil
- balun
- signal
- primary
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 出力信号に生ずるひずみを抑制したバランを
提供することを目的とする。 【解決手段】 この目的を達成するために本発明は、一
次コイル１３と、この一次コイル１３の両側にほぼ等間
隔で同一次コイル１３と略平行に設けられた第一の二次
コイル１６、第二の二次コイル１９を備える構成を有し
ており、この構成により一次側により一次側の回路と二
次側の回路が直接接続されることがないので、直流バイ
アスの影響を受けず、その結果、出力信号のひずみを抑
制することが出来る。
提供することを目的とする。 【解決手段】 この目的を達成するために本発明は、一
次コイル１３と、この一次コイル１３の両側にほぼ等間
隔で同一次コイル１３と略平行に設けられた第一の二次
コイル１６、第二の二次コイル１９を備える構成を有し
ており、この構成により一次側により一次側の回路と二
次側の回路が直接接続されることがないので、直流バイ
アスの影響を受けず、その結果、出力信号のひずみを抑
制することが出来る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として移動体通
信機器等の高周波回路に用いられるバランに関するもの
である。
信機器等の高周波回路に用いられるバランに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】例として図７に従来のバラン（メガネ型
バラン）の回路図を示す。メガネ型バランは両端に信号
端子２５、２６を有するコイル２９と、それと平行して
一端にグラウンド端子２７、他端に信号端子２８を有す
るコイル３０と、一端を前記コイル２９の信号端子２５
と共有し他端を、前記コイル３０のグラウンド端子２７
と共有し、その中点をグラウンド端子３２に接続したコ
イル３１とにより構成されていた。
バラン）の回路図を示す。メガネ型バランは両端に信号
端子２５、２６を有するコイル２９と、それと平行して
一端にグラウンド端子２７、他端に信号端子２８を有す
るコイル３０と、一端を前記コイル２９の信号端子２５
と共有し他端を、前記コイル３０のグラウンド端子２７
と共有し、その中点をグラウンド端子３２に接続したコ
イル３１とにより構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図７において信号端子
２５から入力された不平衡信号（例えば音声）は信号端
子２６、２８から平衡信号（例えばＩＣで処理できる信
号）として出力される。逆に信号端子２６、２８から入
力された平衡信号は信号端子２５から不平衡信号として
出力される。
２５から入力された不平衡信号（例えば音声）は信号端
子２６、２８から平衡信号（例えばＩＣで処理できる信
号）として出力される。逆に信号端子２６、２８から入
力された平衡信号は信号端子２５から不平衡信号として
出力される。
【０００４】しかし、メガネ型バランは上記のように入
力と出力が直接接続されるため、例えば信号端子２５か
ら入力された不平衡信号が信号端子２６、２８から平衡
信号として出力される場合、出力側に接続されるＩＣ回
路等を動作させるために用いる直流電源の直流バイアス
が例えばコイル２９内の信号に重畳する。この結果、信
号端子２５からの出力信号にひずみが生じるという問題
を有していた。
力と出力が直接接続されるため、例えば信号端子２５か
ら入力された不平衡信号が信号端子２６、２８から平衡
信号として出力される場合、出力側に接続されるＩＣ回
路等を動作させるために用いる直流電源の直流バイアス
が例えばコイル２９内の信号に重畳する。この結果、信
号端子２５からの出力信号にひずみが生じるという問題
を有していた。
【０００５】そこで、本発明は出力信号に生ずるひずみ
を抑制することを目的とするものである。
を抑制することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そして、この目的を達成
するために、本発明は以下の構成を有するものである。
するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【０００７】本発明の請求項１に記載の発明は、一次コ
イルと、この一次コイルの両側にほぼ等間隔で同一次コ
イルと略平行に第一、第二の二次コイルとを備える構成
としたものであり、以上の構成をとれば一次側の回路と
二次側の回路が直接接続されることがないので、直流バ
イアスの影響を受けず、その結果、出力信号のひずみを
抑制することが出来る。
イルと、この一次コイルの両側にほぼ等間隔で同一次コ
イルと略平行に第一、第二の二次コイルとを備える構成
としたものであり、以上の構成をとれば一次側の回路と
二次側の回路が直接接続されることがないので、直流バ
イアスの影響を受けず、その結果、出力信号のひずみを
抑制することが出来る。
【０００８】本発明の請求項２に記載の発明は、一次コ
イル、及び第一、第二の二次コイルを、１層のセラミッ
ク基板上に渦巻き状に巻き線したものであって、これに
よりバランの高さの小型化が図れる。
イル、及び第一、第二の二次コイルを、１層のセラミッ
ク基板上に渦巻き状に巻き線したものであって、これに
よりバランの高さの小型化が図れる。
【０００９】本発明の請求項３に記載の発明は、一次コ
イル、及び第一、第二の二次コイルを、多層セラミック
基板のそれぞれ異なる層上に渦巻き状に巻き線したもの
であって、これによりバランの底面積の小型化が図れ
る。
イル、及び第一、第二の二次コイルを、多層セラミック
基板のそれぞれ異なる層上に渦巻き状に巻き線したもの
であって、これによりバランの底面積の小型化が図れ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、実施の形
態１を用いて、本発明の請求項１に記載の発明について
説明する。
態１を用いて、本発明の請求項１に記載の発明について
説明する。
【００１１】図１において、１３は一次コイルで、この
一次コイル１３の両側にほぼ等間隔で同一次コイル１３
と略平行に第一の二次コイル１６、第二の二次コイル１
９とが設けられている。前記一次コイル１３は一端に信
号端子１１、他端にグラウンド端子１２を有する。前記
第一の二次コイル１６は一端に信号端子１４、他端にグ
ラウンド端子１５を有し、前記第二の二次コイル１９は
一端に信号端子１７、他端にグラウンド端子１８を有す
る。ここで、前記第一の二次コイル１６に流れる信号が
一次コイル１３に流れる信号に対して同位相になり、か
つ、前記第二の二次コイル１９に流れる信号が一次コイ
ル１３に流れる信号に対して逆位相になるように、前記
一次コイル１３及び第一の二次コイル１６、第二の二次
コイル１９は配置されている。
一次コイル１３の両側にほぼ等間隔で同一次コイル１３
と略平行に第一の二次コイル１６、第二の二次コイル１
９とが設けられている。前記一次コイル１３は一端に信
号端子１１、他端にグラウンド端子１２を有する。前記
第一の二次コイル１６は一端に信号端子１４、他端にグ
ラウンド端子１５を有し、前記第二の二次コイル１９は
一端に信号端子１７、他端にグラウンド端子１８を有す
る。ここで、前記第一の二次コイル１６に流れる信号が
一次コイル１３に流れる信号に対して同位相になり、か
つ、前記第二の二次コイル１９に流れる信号が一次コイ
ル１３に流れる信号に対して逆位相になるように、前記
一次コイル１３及び第一の二次コイル１６、第二の二次
コイル１９は配置されている。
【００１２】以上のように本実施の形態１におけるバラ
ンの回路は、一次コイル１３と、この一次コイルの両側
にほぼ等間隔で同一次コイルと略平行に設けられた第一
の二次コイル１６、第二の二次コイル１９とを備える構
成を特徴とする。この構成により、各コイルは独立し、
従来のメガネ型バランのように一次側の回路と二次側の
回路が直接接続されることがないので、直流バイアスの
影響を受けることはなく、その結果、出力信号のひずみ
を抑制することが出来る。
ンの回路は、一次コイル１３と、この一次コイルの両側
にほぼ等間隔で同一次コイルと略平行に設けられた第一
の二次コイル１６、第二の二次コイル１９とを備える構
成を特徴とする。この構成により、各コイルは独立し、
従来のメガネ型バランのように一次側の回路と二次側の
回路が直接接続されることがないので、直流バイアスの
影響を受けることはなく、その結果、出力信号のひずみ
を抑制することが出来る。
【００１３】なお、同一コイルを３本用いれば、全体と
して一次コイル１３と二次コイル１６、１９の巻き線比
が１：２となるが、二次コイル１６、１９の巻き数を一
次コイル１３の２倍、３倍とすれば、巻き線比を１：
４、１：６とすることも可能である。
して一次コイル１３と二次コイル１６、１９の巻き線比
が１：２となるが、二次コイル１６、１９の巻き数を一
次コイル１３の２倍、３倍とすれば、巻き線比を１：
４、１：６とすることも可能である。
【００１４】以下、本発明の請求項２に記載の発明につ
いて図２〜図４を用いて説明する。
いて図２〜図４を用いて説明する。
【００１５】図２に示すごとく、一次コイル１３、第一
の二次コイル１６、第二の二次コイル１９は、１層のセ
ラミック基板２２上に過巻き状に巻き線されている。各
コイル間には結晶化ガラス２１が充填され各コイルは絶
縁されている。また一次コイル１３、第一の二次コイル
１６、第二の二次コイル１９が配置された層の上には、
絶縁層としてオーバーコート層２０が設けられ、外部と
の絶縁が図られている。
の二次コイル１６、第二の二次コイル１９は、１層のセ
ラミック基板２２上に過巻き状に巻き線されている。各
コイル間には結晶化ガラス２１が充填され各コイルは絶
縁されている。また一次コイル１３、第一の二次コイル
１６、第二の二次コイル１９が配置された層の上には、
絶縁層としてオーバーコート層２０が設けられ、外部と
の絶縁が図られている。
【００１６】以上のように構成されたバランについて、
以下にその製造方法を図３、図４を参照しながら説明す
る。まず、図３に示すような大判基板上に各コイルをプ
リントし、切断マーカ２３に沿って切断し、個片（例え
ば、図３の点線に囲まれた四角形が個片の１個）とす
る。次にこの個片の端部に露出した、各コイル部に図４
に示すごとく、端面電極２４が形成され、これによって
外部回路との接続が行えるように構成される。
以下にその製造方法を図３、図４を参照しながら説明す
る。まず、図３に示すような大判基板上に各コイルをプ
リントし、切断マーカ２３に沿って切断し、個片（例え
ば、図３の点線に囲まれた四角形が個片の１個）とす
る。次にこの個片の端部に露出した、各コイル部に図４
に示すごとく、端面電極２４が形成され、これによって
外部回路との接続が行えるように構成される。
【００１７】以上のバランは、特に一次コイル１３、第
一の二次コイル１６、第二の二次コイル１９が、１層の
セラミック基板上に過巻き状に巻き線されており、これ
によりバランの高さの小型化が図れる。
一の二次コイル１６、第二の二次コイル１９が、１層の
セラミック基板上に過巻き状に巻き線されており、これ
によりバランの高さの小型化が図れる。
【００１８】なお、使用周波数範囲は数百ＭＨｚから可
能であり、携帯電話等超精密電子機器への電子部品の提
供に適する。
能であり、携帯電話等超精密電子機器への電子部品の提
供に適する。
【００１９】本発明の請求項３に記載の発明について図
５、図６を用いて説明する。
５、図６を用いて説明する。
【００２０】図５に示すごとく、一次コイル１３は中間
層に形成され、一次コイル１３の上層に同一次コイル１
３と略平行に第一の二次コイル１６、下層に前記一次コ
イル１３と略平行に第二の二次コイル１９が形成されて
いる。前記一次コイル１３は一端に信号端子１１、他端
にグラウンド端子１８を有する。前記第一の二次コイル
１６は一端に信号端子１４、他端にグラウンド端子１５
を有し、前記第二の二次コイル１９は一端に信号端子１
７、他端にグラウンド端子１８を有する。ここで、前記
第一の二次コイル１６に流れる信号が一次コイル１３に
流れる信号に対して逆位相になり、かつ、前記第二の二
次コイル１９に流れる信号が一次コイル１３に流れる信
号に対して同位相になるように、前記一次コイル１３及
び第一の二次コイル１６、第二の二次コイル１９は配置
されている。
層に形成され、一次コイル１３の上層に同一次コイル１
３と略平行に第一の二次コイル１６、下層に前記一次コ
イル１３と略平行に第二の二次コイル１９が形成されて
いる。前記一次コイル１３は一端に信号端子１１、他端
にグラウンド端子１８を有する。前記第一の二次コイル
１６は一端に信号端子１４、他端にグラウンド端子１５
を有し、前記第二の二次コイル１９は一端に信号端子１
７、他端にグラウンド端子１８を有する。ここで、前記
第一の二次コイル１６に流れる信号が一次コイル１３に
流れる信号に対して逆位相になり、かつ、前記第二の二
次コイル１９に流れる信号が一次コイル１３に流れる信
号に対して同位相になるように、前記一次コイル１３及
び第一の二次コイル１６、第二の二次コイル１９は配置
されている。
【００２１】また、図６に示すごとく、中間層に一次コ
イル１３、一次コイル１３の上層の第一の二次コイル１
６、一次コイル１３の下層の第二の二次コイル１９各層
のコイルの間にはそれぞれ結晶化ガラス２１が充填され
絶縁されている。さらに最上層上に絶縁層としてオーバ
ーコート層２０が設けられ、外部との絶縁が図られてい
る。
イル１３、一次コイル１３の上層の第一の二次コイル１
６、一次コイル１３の下層の第二の二次コイル１９各層
のコイルの間にはそれぞれ結晶化ガラス２１が充填され
絶縁されている。さらに最上層上に絶縁層としてオーバ
ーコート層２０が設けられ、外部との絶縁が図られてい
る。
【００２２】以上のバランは、特に一次コイル１３と同
一次コイル１３の上下層にほぼ等間隔で一次コイル１３
と略平行に設けられた第一の二次コイル１６、第二の二
次コイル１９を備える構成を有しており、これによりバ
ランの底面積の小型化が図れる。
一次コイル１３の上下層にほぼ等間隔で一次コイル１３
と略平行に設けられた第一の二次コイル１６、第二の二
次コイル１９を備える構成を有しており、これによりバ
ランの底面積の小型化が図れる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によるバランは、
一次コイルと、この一次コイルの両側にほぼ等間隔で同
一次コイルと略平行に設けられた第一、第二の二次コイ
ルとを備え、前記一次コイル、及び第一、第二の二次コ
イルは一端に信号端子、他端にグラウンド端子をそれぞ
れ有し、前記第一の二次コイルに流れる信号が一次コイ
ルに流れる信号に対して逆位相になり、前記第二の二次
コイルに流れる信号が一次コイルに流れる信号に対して
同位相になるように、前記一次コイル及び第一、第二の
二次コイルを配置することにより、一次側の回路と二次
側の回路が直接接続されることがなく、直流バイアスの
影響を受けず、その結果として出力信号のひずみを抑制
することが出来る。
一次コイルと、この一次コイルの両側にほぼ等間隔で同
一次コイルと略平行に設けられた第一、第二の二次コイ
ルとを備え、前記一次コイル、及び第一、第二の二次コ
イルは一端に信号端子、他端にグラウンド端子をそれぞ
れ有し、前記第一の二次コイルに流れる信号が一次コイ
ルに流れる信号に対して逆位相になり、前記第二の二次
コイルに流れる信号が一次コイルに流れる信号に対して
同位相になるように、前記一次コイル及び第一、第二の
二次コイルを配置することにより、一次側の回路と二次
側の回路が直接接続されることがなく、直流バイアスの
影響を受けず、その結果として出力信号のひずみを抑制
することが出来る。
【図１】本発明の実施の形態１におけるバランを示す回
路図
路図
【図２】同バランの断面図
【図３】同バランを製造するための大判基板の上面図
【図４】同バランの斜視図
【図５】本発明の他のバランの分解斜視図
【図６】本発明の同バランの断面図
【図７】従来のメガネ型バランの回路図
１１ 信号端子 １２ グラウンド端子 １３ 一次コイル １４ 信号端子 １５ グラウンド端子 １６ 第一の二次コイル １７ 信号端子 １８ グラウンド端子 １９ 第二の二次コイル ２０ オーバーコート層 ２１ 結晶化ガラス ２２ セラミック基板 ２３ 切断マーカ ２４ 端面電極
Claims (3)
- 【請求項１】 一次コイルと、この一次コイルの両側に
ほぼ等間隔で同一次コイルと略平行に設けられた第一、
第二の二次コイルとを備え、 前記第一次コイル、及び第一、第二の二次コイルは一端
に信号端子、他端にグラウンド端子をそれぞれ有し、 前記第一の二次コイルに流れる信号が一次コイルに流れ
る信号に対して逆位相になり、前記第二の二次コイルに
流れる信号が一次コイルに流れる信号に対して同位相に
なるように、前記一次コイル及び第一、第二の二次コイ
ルを配置したバラン。 - 【請求項２】 一次コイル、及び第一、第二の二次コイ
ルは、１層のセラミック基板上に渦巻き状に巻き線して
構成されている請求項１に記載のバラン。 - 【請求項３】 一次コイル、及び第一、第二の二次コイ
ルは、多層セラミック基板のそれぞれ異なる層上に渦巻
状に巻き線して構成されている請求項１に記載のバラ
ン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001041330A JP2002246865A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | バラン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001041330A JP2002246865A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | バラン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246865A true JP2002246865A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18903788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001041330A Pending JP2002246865A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | バラン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246865A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012519287A (ja) * | 2009-03-02 | 2012-08-23 | マイクロ−エプシロン・メステヒニク・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カー・ゲー | 位置センサ |
-
2001
- 2001-02-19 JP JP2001041330A patent/JP2002246865A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012519287A (ja) * | 2009-03-02 | 2012-08-23 | マイクロ−エプシロン・メステヒニク・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カー・ゲー | 位置センサ |
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