JP2002246785A - 電磁波遮断材,電子機器,電磁波遮断塗布剤および電磁波遮断材の製造方法 - Google Patents
電磁波遮断材,電子機器,電磁波遮断塗布剤および電磁波遮断材の製造方法Info
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Telephone Set Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射波の悪影響のない、薄い電磁波シールド
を提供する。 【解決手段】 本携帯電話機におけるシールド層15
は、電磁波を吸収する複合体素子21の隙間に、電磁波
を反射する金属粉体22を配置している。そして、複合
体素子21の隙間を抜けた電磁波を金属粉体22によっ
て反射し、複合体素子21で再捕捉するようになってい
る。これにより、シールド層15では、少量の複合体素
子21で、効率よく電磁波を吸収できる。従って、電磁
波の遮断率(減衰率)に比して、その厚さを薄くでき
る。また、シールド層15では、照射された電磁波を吸
収するため、反射波の発生を抑制できる。
を提供する。 【解決手段】 本携帯電話機におけるシールド層15
は、電磁波を吸収する複合体素子21の隙間に、電磁波
を反射する金属粉体22を配置している。そして、複合
体素子21の隙間を抜けた電磁波を金属粉体22によっ
て反射し、複合体素子21で再捕捉するようになってい
る。これにより、シールド層15では、少量の複合体素
子21で、効率よく電磁波を吸収できる。従って、電磁
波の遮断率(減衰率)に比して、その厚さを薄くでき
る。また、シールド層15では、照射された電磁波を吸
収するため、反射波の発生を抑制できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話やパーソ
ナルコンピューター等の電子機器から発せられる電磁
波、あるいは、レーダー等に用いられている電磁波を遮
断するための電磁波遮断材(電磁波シールド)に関する
ものである。
ナルコンピューター等の電子機器から発せられる電磁
波、あるいは、レーダー等に用いられている電磁波を遮
断するための電磁波遮断材(電磁波シールド)に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来、携帯電話やパーソナルコンピュー
ター等の電子機器においては、これらから発生する電磁
波が、ユーザーや周囲の電子機器に悪影響を及ぼすこと
が知られている。
ター等の電子機器においては、これらから発生する電磁
波が、ユーザーや周囲の電子機器に悪影響を及ぼすこと
が知られている。
【0003】そこで、従来、電子機器における筐体の内
壁に、外部に対する電磁波の放出を防ぐための電磁波シ
ールドを設けるようになっている。また、このようなシ
ールドとしては、無電解法により得られたCu膜やNi
膜、真空蒸着やスパッタリング等で成膜されたCu膜,
Al膜,Ni膜,Fe膜が用いられている。
壁に、外部に対する電磁波の放出を防ぐための電磁波シ
ールドを設けるようになっている。また、このようなシ
ールドとしては、無電解法により得られたCu膜やNi
膜、真空蒸着やスパッタリング等で成膜されたCu膜,
Al膜,Ni膜,Fe膜が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなシールドは、機器の内部で発生した電磁波を、筐
体の内壁で反射させることによって遮断するものであ
る。このため、筐体の内壁で反射された電磁波(反射
波)が、内部の基板や内装部品における誘電体を分極さ
せてしまい、その特性値(電気容量やインダクタンス
等)の変化を招来して誤動作を引き起こすという問題が
あった。また、この問題は、電子機器(携帯電話等)の
使用周波数が高くなってきたために、より深刻な状況と
なっている。
ようなシールドは、機器の内部で発生した電磁波を、筐
体の内壁で反射させることによって遮断するものであ
る。このため、筐体の内壁で反射された電磁波(反射
波)が、内部の基板や内装部品における誘電体を分極さ
せてしまい、その特性値(電気容量やインダクタンス
等)の変化を招来して誤動作を引き起こすという問題が
あった。また、この問題は、電子機器(携帯電話等)の
使用周波数が高くなってきたために、より深刻な状況と
なっている。
【0005】この問題を回避するため、シールドとして
電磁波を吸収する材料を用いることも考えられるが、従
来の材料によって効果的な吸収率を得るためには、シー
ルドを厚くする必要があった。例えば、吸収材料として
フェライトタイルを用いる場合には、その厚さを6.3
mm程度、また、整合吸収材(積層型)を用いる場合に
は、その厚さを20〜30mm程度とする必要があっ
た。このため、従来の吸収材料を携帯用の電子機器等に
応用することは、実質的に不可能であった。
電磁波を吸収する材料を用いることも考えられるが、従
来の材料によって効果的な吸収率を得るためには、シー
ルドを厚くする必要があった。例えば、吸収材料として
フェライトタイルを用いる場合には、その厚さを6.3
mm程度、また、整合吸収材(積層型)を用いる場合に
は、その厚さを20〜30mm程度とする必要があっ
た。このため、従来の吸収材料を携帯用の電子機器等に
応用することは、実質的に不可能であった。
【0006】本発明は、上記のような従来の問題点を解
決するために成されたものである。そして、その目的
は、反射波による悪影響を招くことのない、薄い電磁波
シールドを提供することにある。
決するために成されたものである。そして、その目的
は、反射波による悪影響を招くことのない、薄い電磁波
シールドを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の電磁波遮断材(本遮断材)は、電磁波を
遮断するための電磁波遮断材において、電磁波を吸収す
る吸収材を含んでおり、さらに、吸収材の隙間に、電磁
波を反射する反射材を配置していることを特徴としてい
る。
めに、本発明の電磁波遮断材(本遮断材)は、電磁波を
遮断するための電磁波遮断材において、電磁波を吸収す
る吸収材を含んでおり、さらに、吸収材の隙間に、電磁
波を反射する反射材を配置していることを特徴としてい
る。
【0008】本遮断材は、電子機器およびその内装部品
・ケーブルから発生する電磁波、また、電磁波を利用し
たセンサーやレーダー等から発生する電磁波を遮断(減
衰)するものであり、電磁波における発生源の周囲、あ
るいは、電磁波の浸入を回避したい部材や施設の周囲に
形成するためのものである。
・ケーブルから発生する電磁波、また、電磁波を利用し
たセンサーやレーダー等から発生する電磁波を遮断(減
衰)するものであり、電磁波における発生源の周囲、あ
るいは、電磁波の浸入を回避したい部材や施設の周囲に
形成するためのものである。
【0009】そして、特に、本遮断材は、電磁波を吸収
する吸収材と、電磁波を反射する反射材とを備えてい
る。さらに、この反射材が、吸収材の隙間(電磁波の通
り抜けるような隙間)に配置されるようになっている。
すなわち、本遮断材では、照射された電磁波を吸収材に
よって吸収するとともに、吸収材の隙間を抜けた電磁波
を、反射材によって反射するようになっている。そし
て、反射された電磁波を、吸収材で捉えるように設定さ
れている。
する吸収材と、電磁波を反射する反射材とを備えてい
る。さらに、この反射材が、吸収材の隙間(電磁波の通
り抜けるような隙間)に配置されるようになっている。
すなわち、本遮断材では、照射された電磁波を吸収材に
よって吸収するとともに、吸収材の隙間を抜けた電磁波
を、反射材によって反射するようになっている。そし
て、反射された電磁波を、吸収材で捉えるように設定さ
れている。
【0010】このように、本遮断材では、吸収材の隙間
を抜けてしまった電磁波の進路を反射材で変更させるこ
とにより、この電磁波を、吸収材で再捕捉できるように
設定されている。
を抜けてしまった電磁波の進路を反射材で変更させるこ
とにより、この電磁波を、吸収材で再捕捉できるように
設定されている。
【0011】これにより、本遮断材では、少量の吸収材
で、効率よく電磁波を吸収できるようになっている。従
って、本遮断材では、電磁波の遮断率(減衰率)に比し
て、その厚さを薄くできる。また、本遮断材の吸収材と
して高価な材料を用いた場合でも、大量の吸収材を必要
としないので、製造コストの上昇を抑制することが可能
となっている。
で、効率よく電磁波を吸収できるようになっている。従
って、本遮断材では、電磁波の遮断率(減衰率)に比し
て、その厚さを薄くできる。また、本遮断材の吸収材と
して高価な材料を用いた場合でも、大量の吸収材を必要
としないので、製造コストの上昇を抑制することが可能
となっている。
【0012】また、本遮断材では、照射された電磁波を
吸収することで、電磁波の遮断を行うようになってい
る。これにより、本遮断材による反射波の発生を抑制で
きるので、周囲の機器(部品)に対する反射波による悪
影響を防止することが可能となる。
吸収することで、電磁波の遮断を行うようになってい
る。これにより、本遮断材による反射波の発生を抑制で
きるので、周囲の機器(部品)に対する反射波による悪
影響を防止することが可能となる。
【0013】また、本遮断材では、吸収材および反射材
を、粒状の物質から構成することが好ましい。この構成
では、複数の粒状の吸収材間にできる隙間に、反射材を
容易に配置できる。これにより、本遮断材を容易に作成
できる。
を、粒状の物質から構成することが好ましい。この構成
では、複数の粒状の吸収材間にできる隙間に、反射材を
容易に配置できる。これにより、本遮断材を容易に作成
できる。
【0014】また、本遮断材では、吸収材として、黒鉛
またはカーボンブラックと架橋型高分子と線状高分子と
アルカン系直鎖低分子有機化合物と無機化合物との複合
体からなり、架橋型高分子により全体が3次元網状構造
となっている複合体素子を用いることが好ましい。この
複合体素子は、非常に効率よく電磁波を吸収することが
可能なものである。従って、この複合体素子を吸収材と
して用いれば、本遮断材によって、より効率よく電磁波
を吸収することが可能となる。
またはカーボンブラックと架橋型高分子と線状高分子と
アルカン系直鎖低分子有機化合物と無機化合物との複合
体からなり、架橋型高分子により全体が3次元網状構造
となっている複合体素子を用いることが好ましい。この
複合体素子は、非常に効率よく電磁波を吸収することが
可能なものである。従って、この複合体素子を吸収材と
して用いれば、本遮断材によって、より効率よく電磁波
を吸収することが可能となる。
【0015】また、本遮断材では、電磁波の反射材とし
て、金属粉を用いることが好ましい。製造・取り扱いが
容易で安価な金属粉を反射材として利用することで、本
遮断材の製造工程を簡略化できるとともに、製造コスト
を低減できる。
て、金属粉を用いることが好ましい。製造・取り扱いが
容易で安価な金属粉を反射材として利用することで、本
遮断材の製造工程を簡略化できるとともに、製造コスト
を低減できる。
【0016】また、本遮断材では、吸収材に対する反射
材の割合を、30〜40%とすることが好ましい。この
割合で本遮断材を構成することで、電磁波を良好に吸収
できる。
材の割合を、30〜40%とすることが好ましい。この
割合で本遮断材を構成することで、電磁波を良好に吸収
できる。
【0017】また、本遮断材は、特に、携帯電話やパー
ソナルコンピューター等の電子機器に備えることが好ま
しい。これらの電子機器は、電磁波の発生源である一
方、電磁波(外部から照射された電磁波、あるいは自ら
の発する電磁波)の影響を受けやすいものである。
ソナルコンピューター等の電子機器に備えることが好ま
しい。これらの電子機器は、電磁波の発生源である一
方、電磁波(外部から照射された電磁波、あるいは自ら
の発する電磁波)の影響を受けやすいものである。
【0018】従って、電子機器の筐体や内装部品・ケー
ブル等に本遮断材を設けることで、電子機器の発生する
電磁波を外部に漏らすことを防止できるとともに、電子
機器に対する電磁波の影響を回避できる。
ブル等に本遮断材を設けることで、電子機器の発生する
電磁波を外部に漏らすことを防止できるとともに、電子
機器に対する電磁波の影響を回避できる。
【0019】また、本発明の電磁波遮断塗布剤(本塗布
剤)は、電磁波を遮断する電磁波遮断材を形成するため
の電磁波遮断塗布剤において、電磁波を吸収する吸収材
と、電磁波を反射する反射材と、これら吸収材および反
射材を固定させるための固定材とを溶剤で混合させてな
ることを特徴としている。
剤)は、電磁波を遮断する電磁波遮断材を形成するため
の電磁波遮断塗布剤において、電磁波を吸収する吸収材
と、電磁波を反射する反射材と、これら吸収材および反
射材を固定させるための固定材とを溶剤で混合させてな
ることを特徴としている。
【0020】本塗布剤は、上記した本遮断材の作成に用
いることのできる塗布剤であり、上記した吸収材および
反射材を、固定材とともに溶剤に混合させたものであ
る。ここで、塗布剤とは、物質の表面に塗布するための
液体であり、主材料(本塗布剤であれば吸収材,反射
材,固定材)を溶剤で薄めて、塗布し易くしたものであ
る。また、固定材とは、吸収材および反射材を、本遮断
材を形成したい基材に安定した状態で固定(固着)させ
るためのものであり、例えば、塗料から構成できるもの
である。
いることのできる塗布剤であり、上記した吸収材および
反射材を、固定材とともに溶剤に混合させたものであ
る。ここで、塗布剤とは、物質の表面に塗布するための
液体であり、主材料(本塗布剤であれば吸収材,反射
材,固定材)を溶剤で薄めて、塗布し易くしたものであ
る。また、固定材とは、吸収材および反射材を、本遮断
材を形成したい基材に安定した状態で固定(固着)させ
るためのものであり、例えば、塗料から構成できるもの
である。
【0021】そして、後述する本製造方法に示すよう
に、本塗布剤を用いることで、本遮断材を容易に形成す
ることが可能である。
に、本塗布剤を用いることで、本遮断材を容易に形成す
ることが可能である。
【0022】また、本発明の電磁波遮断材の製造方法
(本製造方法)は、電磁波を遮断する電磁波遮断材を製
造するための電磁波遮断材の製造方法において、電磁波
を吸収する吸収材と、電磁波を反射する反射材と、これ
ら吸収材および反射材を固定させるための固定材とを溶
剤で混合させてなる塗布剤を製造する混合工程と、上記
の塗布剤を基材に塗布する塗布工程と、塗布工程におい
て塗布した塗布剤を乾燥させて溶剤を蒸発させる乾燥工
程とを含んでいることを特徴としている。
(本製造方法)は、電磁波を遮断する電磁波遮断材を製
造するための電磁波遮断材の製造方法において、電磁波
を吸収する吸収材と、電磁波を反射する反射材と、これ
ら吸収材および反射材を固定させるための固定材とを溶
剤で混合させてなる塗布剤を製造する混合工程と、上記
の塗布剤を基材に塗布する塗布工程と、塗布工程におい
て塗布した塗布剤を乾燥させて溶剤を蒸発させる乾燥工
程とを含んでいることを特徴としている。
【0023】本製造方法は、本塗布剤を用いて、基材に
対して本遮断材を製造するための方法である。ここで、
基材とは、電子機器の筐体やケーブルの皮膜等、本遮断
材を形成したい対象物のことである。そして、本製造方
法では、本塗布剤を製造した後、本塗布剤を基材に塗布
し、さらに乾燥させることで、本遮断材を製造するよう
になっている。このように、本製造方法によれば、上記
のような基材上に、本遮断材を容易に形成することが可
能である。
対して本遮断材を製造するための方法である。ここで、
基材とは、電子機器の筐体やケーブルの皮膜等、本遮断
材を形成したい対象物のことである。そして、本製造方
法では、本塗布剤を製造した後、本塗布剤を基材に塗布
し、さらに乾燥させることで、本遮断材を製造するよう
になっている。このように、本製造方法によれば、上記
のような基材上に、本遮断材を容易に形成することが可
能である。
【0024】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について説
明する。図2は、本実施の形態にかかる携帯電話機(本
携帯電話機)の構成を示す説明図である。
明する。図2は、本実施の形態にかかる携帯電話機(本
携帯電話機)の構成を示す説明図である。
【0025】この図に示すように、本携帯電話機は、フ
ロント筐体10およびリヤー筐体11からなる筐体に、
液晶パネル12,部品基板13,アンテナ14および図
示しないキーボードを備えた構成である。
ロント筐体10およびリヤー筐体11からなる筐体に、
液晶パネル12,部品基板13,アンテナ14および図
示しないキーボードを備えた構成である。
【0026】フロント筐体(基材)10およびリヤー筐
体(基材)11は、本携帯電話機における他の部品を収
納・保護するためのものであり、ポリカーボネートある
いはABS樹脂(アクリロニトリル−ブタジエン−スチ
レン樹脂)等のプラスチックから構成されている。
体(基材)11は、本携帯電話機における他の部品を収
納・保護するためのものであり、ポリカーボネートある
いはABS樹脂(アクリロニトリル−ブタジエン−スチ
レン樹脂)等のプラスチックから構成されている。
【0027】キーボードは、ユーザーからの入力(電話
番号入力等)を受け付ける入力部である。液晶パネル1
2は、キーボードに対する入力結果や、本携帯電話機の
動作状況をユーザーに対して表示するものである。
番号入力等)を受け付ける入力部である。液晶パネル1
2は、キーボードに対する入力結果や、本携帯電話機の
動作状況をユーザーに対して表示するものである。
【0028】部品基板13は、本携帯電話機における種
々の電子部品を装着するための基板である。また、部品
基板13には、本携帯電話機の全動作を制御する制御部
(CPU;図示せず)も備えられている。
々の電子部品を装着するための基板である。また、部品
基板13には、本携帯電話機の全動作を制御する制御部
(CPU;図示せず)も備えられている。
【0029】この制御部は、ユーザーの入力指示に従っ
て、液晶パネル12の表示を設定するとともに、部品基
板13における他の電子部品を制御して、外部機器との
間の電話通信を実行させるものである。アンテナ14
は、制御部の指示に応じて、電話通信のための電波を送
受信するものである。
て、液晶パネル12の表示を設定するとともに、部品基
板13における他の電子部品を制御して、外部機器との
間の電話通信を実行させるものである。アンテナ14
は、制御部の指示に応じて、電話通信のための電波を送
受信するものである。
【0030】また、図2に示すように、フロント筐体1
0およびリヤー筐体11の内壁には、本携帯電話機にお
ける特徴的な構成である、シールド層15が設けられて
いる。このシールド層15は、本携帯電話機の内部(部
品基板13等)から発生する電磁波、あるいは、外部か
ら本携帯電話機に照射された電磁波を遮断(吸収)する
ためのものであり、筐体10・11における内壁の全面
に塗布形成されている。また、このシールド層15の厚
さは、10〜30μm程度である。
0およびリヤー筐体11の内壁には、本携帯電話機にお
ける特徴的な構成である、シールド層15が設けられて
いる。このシールド層15は、本携帯電話機の内部(部
品基板13等)から発生する電磁波、あるいは、外部か
ら本携帯電話機に照射された電磁波を遮断(吸収)する
ためのものであり、筐体10・11における内壁の全面
に塗布形成されている。また、このシールド層15の厚
さは、10〜30μm程度である。
【0031】ここで、シールド層(電磁波遮断材)15
について詳細に説明する。図1は、シールド層15の内
部構造を示す説明図である。この図に示すように、シー
ルド層15は、塗膜20内に、複合体素子21と金属粉
体22とが、混合・分散された状態で含まれている構成
である。すなわち、シールド層15では、塗膜20内
で、複合体素子21の隙間に、金属粉体22が埋め込ま
れるように配置されている。
について詳細に説明する。図1は、シールド層15の内
部構造を示す説明図である。この図に示すように、シー
ルド層15は、塗膜20内に、複合体素子21と金属粉
体22とが、混合・分散された状態で含まれている構成
である。すなわち、シールド層15では、塗膜20内
で、複合体素子21の隙間に、金属粉体22が埋め込ま
れるように配置されている。
【0032】塗膜(固定材)20は、高分子化合物から
なる塗料を主成分とする膜であり、複合体素子21およ
び金属粉体22を固定させるためのものである。金属粉
体(反射材)22は、Niの金属粉からなる粒子であ
り、照射された電磁波を反射(散乱)させるためのもの
である。また、この金属粉体22の粒径は、0.1〜5
μm程度である。
なる塗料を主成分とする膜であり、複合体素子21およ
び金属粉体22を固定させるためのものである。金属粉
体(反射材)22は、Niの金属粉からなる粒子であ
り、照射された電磁波を反射(散乱)させるためのもの
である。また、この金属粉体22の粒径は、0.1〜5
μm程度である。
【0033】複合体素子(吸収材;層間化合物複合体素
子,複合質素子)21は、黒鉛(カーボングラファイ
ト)またはカーボンブラック,架橋型高分子,線状高分
子化合物,低分子有機化合物,無機化合物の複合体から
なり、架橋型高分子によって全体が3次元網状化構造と
なっている粒子(粒径;0.1〜5μm程度)である。
そして、この複合体素子21は、照射された電磁波を吸
収する機能を有している。なお、この複合体素子21の
構成については後述する。
子,複合質素子)21は、黒鉛(カーボングラファイ
ト)またはカーボンブラック,架橋型高分子,線状高分
子化合物,低分子有機化合物,無機化合物の複合体から
なり、架橋型高分子によって全体が3次元網状化構造と
なっている粒子(粒径;0.1〜5μm程度)である。
そして、この複合体素子21は、照射された電磁波を吸
収する機能を有している。なお、この複合体素子21の
構成については後述する。
【0034】次に、シールド層15による電磁波遮断の
作用について説明する。図3は、この電磁波遮断作用を
示す説明図である。この図に破線で示すように、外部あ
るいは内部からシールド層15に突入した電磁波は、複
合体素子21あるいは金属粉体22に照射される。
作用について説明する。図3は、この電磁波遮断作用を
示す説明図である。この図に破線で示すように、外部あ
るいは内部からシールド層15に突入した電磁波は、複
合体素子21あるいは金属粉体22に照射される。
【0035】そして、複合体素子21に照射された電磁
波は、この複合体素子21によって吸収される。一方、
複合体素子21の隙間を抜けて金属粉体22に照射され
た電磁波は、金属粉体22によって反射・散乱され、そ
の近傍にある複合体素子21に捉えられるようになって
いる。
波は、この複合体素子21によって吸収される。一方、
複合体素子21の隙間を抜けて金属粉体22に照射され
た電磁波は、金属粉体22によって反射・散乱され、そ
の近傍にある複合体素子21に捉えられるようになって
いる。
【0036】次に、シールド層15の製造について説明
する。このシールド層15は、本実施の形態にかかる電
磁波遮断塗布剤(本塗布剤)を、筐体10・11の内壁
に、10〜30μm程度の厚さに塗布することで製造さ
れるものである。
する。このシールド層15は、本実施の形態にかかる電
磁波遮断塗布剤(本塗布剤)を、筐体10・11の内壁
に、10〜30μm程度の厚さに塗布することで製造さ
れるものである。
【0037】ここで、本塗布剤の製造方法について説明
する。本塗布剤の製造では、まず、特許公報第2686
559号に基づいて、黒鉛(カーボングラファイト)ま
たはカーボンブラック、架橋型高分子、線状高分子化合
物、アルカン系直鎖低分子有機化合物、および無機化合
物を用いて、複合体素子21を製造する。
する。本塗布剤の製造では、まず、特許公報第2686
559号に基づいて、黒鉛(カーボングラファイト)ま
たはカーボンブラック、架橋型高分子、線状高分子化合
物、アルカン系直鎖低分子有機化合物、および無機化合
物を用いて、複合体素子21を製造する。
【0038】その後、この複合体素子21、金属粉体2
2となる金属粉(Ni)、塗膜20となる高分子化合物
塗料、およびバインダー溶剤を混合し、3本ロールでよ
く練って塗布剤化(塗料化)することで、本塗布剤を得
ることができる。なお、本塗布剤における各材料の混合
比率は、例えば、複合体素子21(30部)、金属粉体
22(40部)、高分子化合物塗料(15部)、バイン
ダー溶剤(40部)である。
2となる金属粉(Ni)、塗膜20となる高分子化合物
塗料、およびバインダー溶剤を混合し、3本ロールでよ
く練って塗布剤化(塗料化)することで、本塗布剤を得
ることができる。なお、本塗布剤における各材料の混合
比率は、例えば、複合体素子21(30部)、金属粉体
22(40部)、高分子化合物塗料(15部)、バイン
ダー溶剤(40部)である。
【0039】そして、このように製造された本塗布剤
を、スプレーガンによって、筐体10・11の内壁に1
0〜30μm程度の厚さで塗布し、乾燥させてバインダ
ー溶剤を蒸発させることで、シールド層15を良好に製
造できる。
を、スプレーガンによって、筐体10・11の内壁に1
0〜30μm程度の厚さで塗布し、乾燥させてバインダ
ー溶剤を蒸発させることで、シールド層15を良好に製
造できる。
【0040】次に、シールド層15の電磁波遮断能力を
検証するための実験について説明する。図4は、この実
験に用いた電磁波減衰度測定装置(測定装置)29を示
す説明図である。この図に示すように、測定装置29
は、筐体30,シグナルジェネレーター(SG)31,
送信アンテナ(TX−ANT)32,サンプルホルダー
33,受信アンテナ(RX−ANT)34,スペクトラ
ムアナライザー(SP)35を備えた構成である。
検証するための実験について説明する。図4は、この実
験に用いた電磁波減衰度測定装置(測定装置)29を示
す説明図である。この図に示すように、測定装置29
は、筐体30,シグナルジェネレーター(SG)31,
送信アンテナ(TX−ANT)32,サンプルホルダー
33,受信アンテナ(RX−ANT)34,スペクトラ
ムアナライザー(SP)35を備えた構成である。
【0041】筐体30は、電磁波の反射を回避できる材
料から構成されている。SG31は、30〜1500M
Hzの範囲内で、測定者の所望とする周波数の信号を生
成するものである。なお、測定装置29では、目黒社の
NSG−2610を使用している。
料から構成されている。SG31は、30〜1500M
Hzの範囲内で、測定者の所望とする周波数の信号を生
成するものである。なお、測定装置29では、目黒社の
NSG−2610を使用している。
【0042】送信アンテナ32は、SG31の生成した
信号から電磁波を生成し、サンプルホルダー33に向け
て照射するものである。また、受信アンテナ34は、サ
ンプルホルダー33を抜けた電磁波を捉えるものであ
る。これらアンテナ32・34は、10〜2000MH
zを対応周波数とする広帯域アンテナである。また、こ
れらアンテナ32・34のインピーダンスは、50Ωで
ある。
信号から電磁波を生成し、サンプルホルダー33に向け
て照射するものである。また、受信アンテナ34は、サ
ンプルホルダー33を抜けた電磁波を捉えるものであ
る。これらアンテナ32・34は、10〜2000MH
zを対応周波数とする広帯域アンテナである。また、こ
れらアンテナ32・34のインピーダンスは、50Ωで
ある。
【0043】サンプルホルダー33は、電磁波を照射す
るサンプル(試料)Sを保持するめのものである。な
お、実験では、サンプルSとして、上述のように製造し
た本塗布剤を、筐体10・11の断片に、スプレーガン
によって10〜30μmの厚さで塗布し、乾燥させたも
のを使用している。
るサンプル(試料)Sを保持するめのものである。な
お、実験では、サンプルSとして、上述のように製造し
た本塗布剤を、筐体10・11の断片に、スプレーガン
によって10〜30μmの厚さで塗布し、乾燥させたも
のを使用している。
【0044】SP35は、受信アンテナ34によって捉
えられた電磁波の量を測定するものである。なお、より
詳細には、SP35は、受信アンテナ34に到達した電
磁波の電位を測定するように設定されている。また、測
定装置29では、HP社(ヒューレットパッカード社)
のHP−9581Aを使用している。
えられた電磁波の量を測定するものである。なお、より
詳細には、SP35は、受信アンテナ34に到達した電
磁波の電位を測定するように設定されている。また、測
定装置29では、HP社(ヒューレットパッカード社)
のHP−9581Aを使用している。
【0045】また、SG31と送信アンテナ32とを接
続するケーブル36、および、受信アンテナ34とSP
35とを接続するケーブル37は、50Ωのインピーダ
ンスを有する同軸ケーブルである。
続するケーブル36、および、受信アンテナ34とSP
35とを接続するケーブル37は、50Ωのインピーダ
ンスを有する同軸ケーブルである。
【0046】図5(a)(b)は、SG31から送信ア
ンテナ32に対して1000MHz(1GHz)の信号
(送信パワー1000mmV)を送信し、送信アンテナ
32からサンプルホルダー33に向けて1GHzの電磁
波を照射させた場合における、SP35の測定結果を示
す説明図である。
ンテナ32に対して1000MHz(1GHz)の信号
(送信パワー1000mmV)を送信し、送信アンテナ
32からサンプルホルダー33に向けて1GHzの電磁
波を照射させた場合における、SP35の測定結果を示
す説明図である。
【0047】なお、図5(a)は、サンプルホルダー3
3に何も保持させない場合、また、図5(b)は、サン
プルホルダー33に、上記したサンプルSを保持させた
場合における測定結果である。また、1GHzは、一般
的な携帯電話において用いられている周波数の1つであ
る。
3に何も保持させない場合、また、図5(b)は、サン
プルホルダー33に、上記したサンプルSを保持させた
場合における測定結果である。また、1GHzは、一般
的な携帯電話において用いられている周波数の1つであ
る。
【0048】図5(a)に示すように、サンプルホルダ
ー33にサンプルSを保持させない場合、受信アンテナ
34には、60デシベル(dB)の電磁波が到達する。
一方、図5(b)に示すように、サンプルホルダー33
にサンプルSを保持させた場合、受信アンテナ34に到
達する電磁波の量は、40dBに減少する。従って、サ
ンプルSによって、受信アンテナ34に到達する1GH
zの電磁波の量を、20デシベル(dB)減衰させられ
ることがわかる。
ー33にサンプルSを保持させない場合、受信アンテナ
34には、60デシベル(dB)の電磁波が到達する。
一方、図5(b)に示すように、サンプルホルダー33
にサンプルSを保持させた場合、受信アンテナ34に到
達する電磁波の量は、40dBに減少する。従って、サ
ンプルSによって、受信アンテナ34に到達する1GH
zの電磁波の量を、20デシベル(dB)減衰させられ
ることがわかる。
【0049】また、以下の表1は、デシベルと減衰率と
の換算表である。この表に示すように、20デシベルの
減衰は、90%の減衰率に相当する。従って、この実験
の結果より、シールド層15のサンプルSによって、1
GHzの電磁波を90%減衰させられることがわかる。
の換算表である。この表に示すように、20デシベルの
減衰は、90%の減衰率に相当する。従って、この実験
の結果より、シールド層15のサンプルSによって、1
GHzの電磁波を90%減衰させられることがわかる。
【0050】
【表1】
【0051】また、図6(a)(b)は、SG31から
送信アンテナ32に対して1500MHz(1.5GH
z)の信号(送信パワー1000mmV)を送信し、送
信アンテナ32からサンプルホルダー33に向けて1.
5GHzの電磁波を照射させた場合における、SP35
の測定結果を示す説明図である。
送信アンテナ32に対して1500MHz(1.5GH
z)の信号(送信パワー1000mmV)を送信し、送
信アンテナ32からサンプルホルダー33に向けて1.
5GHzの電磁波を照射させた場合における、SP35
の測定結果を示す説明図である。
【0052】なお、図6(a)は、サンプルホルダー3
3に何も保持させない場合、また、図6(b)は、サン
プルホルダー33に、上記したサンプルSを保持させた
場合における測定結果である。なお、1.5GHzは、
1GHzと同様、一般的な携帯電話において用いられて
いる周波数の1つである。また、図6(a)(b)に
は、1.5GHzの低周波である750MHzのピーク
も現れている。
3に何も保持させない場合、また、図6(b)は、サン
プルホルダー33に、上記したサンプルSを保持させた
場合における測定結果である。なお、1.5GHzは、
1GHzと同様、一般的な携帯電話において用いられて
いる周波数の1つである。また、図6(a)(b)に
は、1.5GHzの低周波である750MHzのピーク
も現れている。
【0053】図6(a)に示すように、サンプルホルダ
ー33にサンプルSを保持させない場合、受信アンテナ
34には、40デシベル(dB)の電磁波が到達する。
一方、図6(b)に示すように、サンプルホルダー33
にサンプルSを保持させた場合、受信アンテナ34に到
達する電磁波の量は、ノイズレベルである10dB程度
となる。
ー33にサンプルSを保持させない場合、受信アンテナ
34には、40デシベル(dB)の電磁波が到達する。
一方、図6(b)に示すように、サンプルホルダー33
にサンプルSを保持させた場合、受信アンテナ34に到
達する電磁波の量は、ノイズレベルである10dB程度
となる。
【0054】従って、サンプルSによって、受信アンテ
ナ34に到達する1.5GHzの電磁波の量を、少なく
とも30dB減衰させられることがわかる。また、表1
より、30dBは、約97%の減衰率に相当する(1−
1/31.623〜97%)。すなわち、この実験の結
果より、シールド層15のサンプルSによって、1.5
GHzの電磁波を、97%減衰させられることがわか
る。
ナ34に到達する1.5GHzの電磁波の量を、少なく
とも30dB減衰させられることがわかる。また、表1
より、30dBは、約97%の減衰率に相当する(1−
1/31.623〜97%)。すなわち、この実験の結
果より、シールド層15のサンプルSによって、1.5
GHzの電磁波を、97%減衰させられることがわか
る。
【0055】また、図7は、測定装置29により、従来
から電磁波吸収材として用いられているフェライトタイ
ル(厚さ;6.3mm)の電磁波遮断能力を測定した結
果を示す説明図である。この図に示すように、従来のフ
ェライトタイルでは、受信アンテナ34に到達する1G
Hzの電磁波を、3dB程度(減衰率29%程度)しか
減衰させられないことがわかる。
から電磁波吸収材として用いられているフェライトタイ
ル(厚さ;6.3mm)の電磁波遮断能力を測定した結
果を示す説明図である。この図に示すように、従来のフ
ェライトタイルでは、受信アンテナ34に到達する1G
Hzの電磁波を、3dB程度(減衰率29%程度)しか
減衰させられないことがわかる。
【0056】また、このフェライトタイル以外の従来の
電波吸収材(カーボン等)を薄膜にして測定装置29に
おいて測定したところ、1GHzの電磁波に対する減衰
率は、2dB程度であることもわかった。
電波吸収材(カーボン等)を薄膜にして測定装置29に
おいて測定したところ、1GHzの電磁波に対する減衰
率は、2dB程度であることもわかった。
【0057】以上のように、本携帯電話機におけるシー
ルド層15は、電磁波を吸収する複合体素子21を含ん
でおり、さらに、複合体素子21の隙間に、電磁波を反
射する金属粉体22を配置している。
ルド層15は、電磁波を吸収する複合体素子21を含ん
でおり、さらに、複合体素子21の隙間に、電磁波を反
射する金属粉体22を配置している。
【0058】そして、シールド層15では、本携帯電話
機において発生した電磁波(あるいは、外部から照射さ
れた電磁波)を複合体素子21によって吸収するととも
に、複合体素子21の隙間を抜けた電磁波を、金属粉体
22によって反射するようになっている。その後、反射
された電磁波を、複合体素子21で捉えるように設定さ
れている。
機において発生した電磁波(あるいは、外部から照射さ
れた電磁波)を複合体素子21によって吸収するととも
に、複合体素子21の隙間を抜けた電磁波を、金属粉体
22によって反射するようになっている。その後、反射
された電磁波を、複合体素子21で捉えるように設定さ
れている。
【0059】このように、シールド層15では、複合体
素子21の隙間を抜けてしまった電磁波の進路を金属粉
体22で変更させることにより、この電磁波を、複合体
素子21で再捕捉できるように設定されている。
素子21の隙間を抜けてしまった電磁波の進路を金属粉
体22で変更させることにより、この電磁波を、複合体
素子21で再捕捉できるように設定されている。
【0060】これにより、シールド層15では、少量の
複合体素子21で、効率よく電磁波を吸収できるように
なっている。従って、シールド層15では、電磁波の遮
断率(減衰率)に比して、その厚さを薄くできる。ま
た、シールド層15の複合体素子21として高価な材料
を用いた場合でも、大量の複合体素子21を必要としな
いので、製造コストの上昇を抑制できるようになってい
る。
複合体素子21で、効率よく電磁波を吸収できるように
なっている。従って、シールド層15では、電磁波の遮
断率(減衰率)に比して、その厚さを薄くできる。ま
た、シールド層15の複合体素子21として高価な材料
を用いた場合でも、大量の複合体素子21を必要としな
いので、製造コストの上昇を抑制できるようになってい
る。
【0061】また、シールド層15では、照射された電
磁波を吸収することで、電磁波の遮断を行うようになっ
ている。これにより、シールド層15による反射波の発
生を抑制できるので、本携帯電話機の内装部品に対す
る、反射波による悪影響を防止することが可能となって
いる。
磁波を吸収することで、電磁波の遮断を行うようになっ
ている。これにより、シールド層15による反射波の発
生を抑制できるので、本携帯電話機の内装部品に対す
る、反射波による悪影響を防止することが可能となって
いる。
【0062】なお、本実施の形態では、本塗布剤を筐体
10・11の内壁に塗布することでシールド層15を、
本携帯電話機における筐体10・11の内壁に設けると
している。
10・11の内壁に塗布することでシールド層15を、
本携帯電話機における筐体10・11の内壁に設けると
している。
【0063】しかしながら、これに限らず、シールド層
15を、本携帯電話機における他の部材を覆うように設
けてもよい。例えば、部品基板13に備えられている種
々の電子部品(電子基材を含む)に対して本塗布剤を塗
布することで、これらの電子部品のそれぞれにシールド
層15を形成するようにしてもよい。また、各電子部品
を接続するケーブルに本塗布剤を塗布し、各ケーブルに
シールド層15を形成するようにしてもよい。これによ
り、電子部品・ケーブルに対する電磁波の浸入を防止で
きるとともに、電子部品・ケーブルから発生する電磁波
の放出を抑制できる。
15を、本携帯電話機における他の部材を覆うように設
けてもよい。例えば、部品基板13に備えられている種
々の電子部品(電子基材を含む)に対して本塗布剤を塗
布することで、これらの電子部品のそれぞれにシールド
層15を形成するようにしてもよい。また、各電子部品
を接続するケーブルに本塗布剤を塗布し、各ケーブルに
シールド層15を形成するようにしてもよい。これによ
り、電子部品・ケーブルに対する電磁波の浸入を防止で
きるとともに、電子部品・ケーブルから発生する電磁波
の放出を抑制できる。
【0064】また、本実施の形態では、シールド層15
を、図2に示した携帯電話機に形成するとしている。し
かしながら、これに限らず、パーソナルコンピュータ
ー,テレビジョン受像機,オーディオ装置,携帯型ヘッ
ドフォンステレオ,ラジオ,モバイル装置,有線情報通
信機器,無線通信機器,精密計測機器,医療機器等の電
子機器における、筐体および機器内の電子部品(電子基
材を含む)・ケーブル(精密計測機器用ケーブルを含
む)に対し、本塗布剤を塗布してシールド層15を形成
することも可能である。これにより、これらの電子機
器,電子部品およびケーブルから発生する電磁波の放
出、および、これらに対する外部からの電磁波の浸入を
防止することが可能となる。
を、図2に示した携帯電話機に形成するとしている。し
かしながら、これに限らず、パーソナルコンピュータ
ー,テレビジョン受像機,オーディオ装置,携帯型ヘッ
ドフォンステレオ,ラジオ,モバイル装置,有線情報通
信機器,無線通信機器,精密計測機器,医療機器等の電
子機器における、筐体および機器内の電子部品(電子基
材を含む)・ケーブル(精密計測機器用ケーブルを含
む)に対し、本塗布剤を塗布してシールド層15を形成
することも可能である。これにより、これらの電子機
器,電子部品およびケーブルから発生する電磁波の放
出、および、これらに対する外部からの電磁波の浸入を
防止することが可能となる。
【0065】また、衣類(シャツ,ズボン,帽子等)の
内部にシールド層15を設け、電磁波発生源の近傍で作
業(あるいは居住)する者に装着させることで、人体に
対する電磁波の影響を軽減することもできる。また、家
屋の壁面・屋根・床にシールド層15を設けることで、
居住者に対する電磁波の影響を抑制することも可能であ
る。これにより、例えば、心臓に定期的な電気刺激を与
えるペースメーカーに対する電磁波の影響を抑制でき
る。
内部にシールド層15を設け、電磁波発生源の近傍で作
業(あるいは居住)する者に装着させることで、人体に
対する電磁波の影響を軽減することもできる。また、家
屋の壁面・屋根・床にシールド層15を設けることで、
居住者に対する電磁波の影響を抑制することも可能であ
る。これにより、例えば、心臓に定期的な電気刺激を与
えるペースメーカーに対する電磁波の影響を抑制でき
る。
【0066】また、自動車の後部に設置され、電磁波に
よって後方障害物の有無を知らせるバックセンサーや、
有料道路の料金所に設置され、電磁波によって通行する
車両のナンバーを読み取る自動料金システム、電磁波に
よって他の船舶(他の航空機)を検出する船舶レーダー
(航空レーダー)等は、大量の電磁波を外部に放出する
装置である。
よって後方障害物の有無を知らせるバックセンサーや、
有料道路の料金所に設置され、電磁波によって通行する
車両のナンバーを読み取る自動料金システム、電磁波に
よって他の船舶(他の航空機)を検出する船舶レーダー
(航空レーダー)等は、大量の電磁波を外部に放出する
装置である。
【0067】従って、これらの装置の動作する場所(お
よびその近傍)では、装置から発せられる電磁波による
悪影響を防止するために、他の電子機器の筐体、あるい
は、装置の動作(設置)場所と居住区域とを仕切る壁面
に、シールド層15を設けることが好ましい。
よびその近傍)では、装置から発せられる電磁波による
悪影響を防止するために、他の電子機器の筐体、あるい
は、装置の動作(設置)場所と居住区域とを仕切る壁面
に、シールド層15を設けることが好ましい。
【0068】また、本実施の形態では、シールド層15
の膜厚を、10〜30μmとしている。しかしながら、
シールド層15によってより確実に電磁波を遮断するた
めには、その厚さを20〜30μmとすることが好まし
い。
の膜厚を、10〜30μmとしている。しかしながら、
シールド層15によってより確実に電磁波を遮断するた
めには、その厚さを20〜30μmとすることが好まし
い。
【0069】また、本実施の形態では、シールド層15
を構成する金属粉体22の材料として、Niを用いると
している。しかしながら、これに限らず、金属粉体22
の材料として、Al(アルミニウム)、Cu(銅)、S
n(錫)、Fe(鉄)、Au(金)、Ag(銀)、Pd
(パラジウム)等を使用することもできる。
を構成する金属粉体22の材料として、Niを用いると
している。しかしながら、これに限らず、金属粉体22
の材料として、Al(アルミニウム)、Cu(銅)、S
n(錫)、Fe(鉄)、Au(金)、Ag(銀)、Pd
(パラジウム)等を使用することもできる。
【0070】また、本実施の形態では、本塗布剤を製造
する際、複合体素子21を30部、金属粉体22を40
部の割合で用いるとしている。しかしながら、シールド
層15における複合体素子21と金属粉体22との割合
は、これに限らない。シールド層15では、複合体素子
21に対する金属粉体22の割合を、30〜40%とす
ることが好ましい。これにより、シールド層15による
電磁波の遮断(吸収)を効率よく行える。
する際、複合体素子21を30部、金属粉体22を40
部の割合で用いるとしている。しかしながら、シールド
層15における複合体素子21と金属粉体22との割合
は、これに限らない。シールド層15では、複合体素子
21に対する金属粉体22の割合を、30〜40%とす
ることが好ましい。これにより、シールド層15による
電磁波の遮断(吸収)を効率よく行える。
【0071】また、本実施の形態では、シールド層15
を設けるために、筐体10・11の内壁に、スプレーガ
ンによって本塗布剤を塗布するとしている。しかしなが
ら、これに限らず、刷毛塗りや含浸によって、本塗布剤
を筐体10・11に付着させるようにしてもよい。
を設けるために、筐体10・11の内壁に、スプレーガ
ンによって本塗布剤を塗布するとしている。しかしなが
ら、これに限らず、刷毛塗りや含浸によって、本塗布剤
を筐体10・11に付着させるようにしてもよい。
【0072】また、本実施の形態では、シールド層15
が筐体10・11の内壁に形成されているとしている
が、このシールド層15では、シールド層15内での通
電を防止するために、一部がマスキングされていること
が好ましい。また、筐体10・11の内壁に、通電を防
止するためのスリット(シールド層15の形成されない
部分)を設けるようにしてもよい。
が筐体10・11の内壁に形成されているとしている
が、このシールド層15では、シールド層15内での通
電を防止するために、一部がマスキングされていること
が好ましい。また、筐体10・11の内壁に、通電を防
止するためのスリット(シールド層15の形成されない
部分)を設けるようにしてもよい。
【0073】また、本実施の形態では、筐体10・11
の内壁に、1層のシールド層15を形成するとしてい
る。しかしながら、これに限らず、筐体10・11の内
壁に、シールド層15を多層に形成するようにしてもよ
い。また、シールド層15を多層に形成する場合には、
1層の厚さをなるべく薄くすることが好ましい。
の内壁に、1層のシールド層15を形成するとしてい
る。しかしながら、これに限らず、筐体10・11の内
壁に、シールド層15を多層に形成するようにしてもよ
い。また、シールド層15を多層に形成する場合には、
1層の厚さをなるべく薄くすることが好ましい。
【0074】また、本実施の形態では、本塗布剤の製造
時、複合体素子21,金属粉体22,塗膜20,および
バインダー溶剤を混合し、3本ロールでよく練るとして
いる。これは、複合体素子21の2次凝集を防止し、そ
の粒径を0.1〜5μm程度に保つための措置である。
時、複合体素子21,金属粉体22,塗膜20,および
バインダー溶剤を混合し、3本ロールでよく練るとして
いる。これは、複合体素子21の2次凝集を防止し、そ
の粒径を0.1〜5μm程度に保つための措置である。
【0075】また、本実施の形態では、シールド層15
に含ませる電磁波吸収材として、複合体素子を用いると
している。しかしながら、シールド層15(本塗布剤)
に用いる電磁波吸収材としては、複合体素子に限らず、
カーボン、フェライト等を用いることが可能である。
に含ませる電磁波吸収材として、複合体素子を用いると
している。しかしながら、シールド層15(本塗布剤)
に用いる電磁波吸収材としては、複合体素子に限らず、
カーボン、フェライト等を用いることが可能である。
【0076】また、本実施の形態では、シールド層15
を、粒状の吸収材(複合体素子21)と、同じく粒状の
反射材(金属粉体22)とが、塗膜20内に分散されて
いるとしている。しかしながら、吸収材の隙間を抜けた
電磁波を反射材で反射させ、吸収材によって再捕捉でき
るような形態であれば、吸収材および反射材を、板状や
棒状等、粒状とは異なる形状としてもよい。
を、粒状の吸収材(複合体素子21)と、同じく粒状の
反射材(金属粉体22)とが、塗膜20内に分散されて
いるとしている。しかしながら、吸収材の隙間を抜けた
電磁波を反射材で反射させ、吸収材によって再捕捉でき
るような形態であれば、吸収材および反射材を、板状や
棒状等、粒状とは異なる形状としてもよい。
【0077】また、本発明の塗布剤を、黒鉛(カーボン
グラファイト)またはカーボンブラックと架橋型高分子
と線状高分子化合物とアルカン系直鎖低分子有機化合物
と、無機化合物との複合体からなり、前期架橋型高分子
により全体が3次元網状構造化されていることを特徴と
する複合質素子に金属粉体とバインダーおよび溶剤から
なるものを塗布剤化(塗料化)し、携帯電話、パソコン
などの電子機器、電子部品の筐体に塗布してシールドす
ることを特徴とするものである、と表現することもでき
る。
グラファイト)またはカーボンブラックと架橋型高分子
と線状高分子化合物とアルカン系直鎖低分子有機化合物
と、無機化合物との複合体からなり、前期架橋型高分子
により全体が3次元網状構造化されていることを特徴と
する複合質素子に金属粉体とバインダーおよび溶剤から
なるものを塗布剤化(塗料化)し、携帯電話、パソコン
などの電子機器、電子部品の筐体に塗布してシールドす
ることを特徴とするものである、と表現することもでき
る。
【0078】ここで、図1等に示したシールド層15の
複合体素子21の構成について説明する。上記したよう
に、複合体素子21は、黒鉛またはカーボンブラック,
架橋型高分子,線状高分子化合物,低分子有機化合物お
よび無機化合物の複合体からなり、架橋型高分子によっ
て全体が3次元網状化構造となっている粒子である(な
お、以下では、簡単のために、黒鉛およびカーボンブラ
ックを、カーボン物質と称する)。
複合体素子21の構成について説明する。上記したよう
に、複合体素子21は、黒鉛またはカーボンブラック,
架橋型高分子,線状高分子化合物,低分子有機化合物お
よび無機化合物の複合体からなり、架橋型高分子によっ
て全体が3次元網状化構造となっている粒子である(な
お、以下では、簡単のために、黒鉛およびカーボンブラ
ックを、カーボン物質と称する)。
【0079】また、この複合体素子21は、カーボン物
質に対して、架橋型高分子のモノマーと、低次元物質で
ある線状高分子化合物の微粉末(あるいは液状ポリマ
ー)と、低分子有機化合物とを配合し、さらに無機化合
物を配合し、有機溶媒とブレンドおよび重合することで
製造されるものである。
質に対して、架橋型高分子のモノマーと、低次元物質で
ある線状高分子化合物の微粉末(あるいは液状ポリマ
ー)と、低分子有機化合物とを配合し、さらに無機化合
物を配合し、有機溶媒とブレンドおよび重合することで
製造されるものである。
【0080】複合体素子21におけるカーボン物質とし
ては、天然黒鉛や人造黒鉛、ファーネスブラック、アセ
チレンブラックを使用できる。また、カーボン物質の粒
径は、1μm以下、特に0.1μm以下であることが好
ましい。
ては、天然黒鉛や人造黒鉛、ファーネスブラック、アセ
チレンブラックを使用できる。また、カーボン物質の粒
径は、1μm以下、特に0.1μm以下であることが好
ましい。
【0081】また、架橋型高分子としては、三次元構造
を形成する熱硬化性樹脂のモノマー(架橋型モノマー)
を用いることが可能である。このモノマーとしては、例
えば、エポキシ樹脂,メラミン樹脂,ポリウレタン樹
脂,シリコン樹脂、あるいはこれらの変成樹脂を使用で
きる。
を形成する熱硬化性樹脂のモノマー(架橋型モノマー)
を用いることが可能である。このモノマーとしては、例
えば、エポキシ樹脂,メラミン樹脂,ポリウレタン樹
脂,シリコン樹脂、あるいはこれらの変成樹脂を使用で
きる。
【0082】また、線状高分子としては、ポリエチレ
ン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン−塩化ビニ
ル共重合体、ポリプロピレン等のオレフィン系重合体、
液状ポリブタジェン等のジェン系重合体(ジェン系レジ
ン)、アイオノマレジン等を用いることが可能である。
また、液状のポリブタジェン、あるいは結晶性を有する
ポリエチレンの微粉末を使用することが好ましい。
ン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン−塩化ビニ
ル共重合体、ポリプロピレン等のオレフィン系重合体、
液状ポリブタジェン等のジェン系重合体(ジェン系レジ
ン)、アイオノマレジン等を用いることが可能である。
また、液状のポリブタジェン、あるいは結晶性を有する
ポリエチレンの微粉末を使用することが好ましい。
【0083】また、低分子有機化合物としては、炭素数
20以上のアルカン系直鎖炭化水素またはその脂肪酸を
用いることができる。
20以上のアルカン系直鎖炭化水素またはその脂肪酸を
用いることができる。
【0084】さらに、無機化合物としては、アルカリ金
属のハロゲン化金属(塩化ナトリウム,臭化ナトリウ
ム,塩化カリウム,臭化カリウム等)、アルカリ金属の
硫酸塩(硫酸ナトリウムおよび硫酸カリウム等)、アル
カリ土類金属の炭酸塩(炭酸バリウム等)、金属のハロ
ゲン化物(塩化第二鉄,塩化亜鉛,四塩化チタン,四塩
化スズ等)、遷移金属の酸化物(酸化クロム,酸化チタ
ン,酸化ジルコニウム等)、酸素酸(硝酸等)、ルイス
酸(塩化アンチモン等)を使用できる。
属のハロゲン化金属(塩化ナトリウム,臭化ナトリウ
ム,塩化カリウム,臭化カリウム等)、アルカリ金属の
硫酸塩(硫酸ナトリウムおよび硫酸カリウム等)、アル
カリ土類金属の炭酸塩(炭酸バリウム等)、金属のハロ
ゲン化物(塩化第二鉄,塩化亜鉛,四塩化チタン,四塩
化スズ等)、遷移金属の酸化物(酸化クロム,酸化チタ
ン,酸化ジルコニウム等)、酸素酸(硝酸等)、ルイス
酸(塩化アンチモン等)を使用できる。
【0085】また、有機溶媒や反応誘導剤としては、芳
香属炭化水素(ベンゼン,トルエン,キシレン等)、ア
ルコール類(n−ブタノール,n−プロパノール等)、
脂肪酸グリコール(エチレングリコール,プロピレング
リコール,(1,4)−ブタンジオール等)、脂環族ジ
オール(シクロベンタン−(1,2)−ジオール等)、
フェノール(ヒドロキノン等)、ケトン(メチルエチル
ケトン(MEK)等)、テトラヒドロフラン、ジエチレ
ングリコール、モノエチルエーテルアセテートを使用で
きる。
香属炭化水素(ベンゼン,トルエン,キシレン等)、ア
ルコール類(n−ブタノール,n−プロパノール等)、
脂肪酸グリコール(エチレングリコール,プロピレング
リコール,(1,4)−ブタンジオール等)、脂環族ジ
オール(シクロベンタン−(1,2)−ジオール等)、
フェノール(ヒドロキノン等)、ケトン(メチルエチル
ケトン(MEK)等)、テトラヒドロフラン、ジエチレ
ングリコール、モノエチルエーテルアセテートを使用で
きる。
【0086】ここで、複合体素子21を構成する物質の
混合比について説明する。カーボン物質と架橋型高分子
とで構成される導電性高次元物質では、この導電性高次
元物質100部に対し、カーボン物質を10〜60部、
架橋型高分子を30〜90部とすることが好ましい。
混合比について説明する。カーボン物質と架橋型高分子
とで構成される導電性高次元物質では、この導電性高次
元物質100部に対し、カーボン物質を10〜60部、
架橋型高分子を30〜90部とすることが好ましい。
【0087】線状(鎖状)高分子は、上記の導電性高次
元物質100部に対し、5〜100部を結合させること
が好ましい。低分子量有機化合物については、例えば上
述の炭化水素であれば、3〜30部を結合させることが
好ましい。無機化合物の結合量については、特に限定さ
れないが、上記の導電性高次元物質100部に対して、
1〜20部であることが好ましい。また、有機溶媒(反
応誘導材)の使用量は、少なくとも25部にすることが
好ましい。
元物質100部に対し、5〜100部を結合させること
が好ましい。低分子量有機化合物については、例えば上
述の炭化水素であれば、3〜30部を結合させることが
好ましい。無機化合物の結合量については、特に限定さ
れないが、上記の導電性高次元物質100部に対して、
1〜20部であることが好ましい。また、有機溶媒(反
応誘導材)の使用量は、少なくとも25部にすることが
好ましい。
【0088】
【発明の効果】以上のように、本発明の電磁波遮断材
(本遮断材)は、電磁波を遮断するための電磁波遮断材
において、電磁波を吸収する吸収材を含んでおり、さら
に、吸収材の隙間に、電磁波を反射する反射材を配置し
ている構成である。
(本遮断材)は、電磁波を遮断するための電磁波遮断材
において、電磁波を吸収する吸収材を含んでおり、さら
に、吸収材の隙間に、電磁波を反射する反射材を配置し
ている構成である。
【0089】本遮断材は、電磁波を吸収する吸収材と、
電磁波を反射する反射材とを備えている。さらに、この
反射材が、吸収材の隙間に配置されるようになってい
る。すなわち、本遮断材では、照射された電磁波を吸収
材によって吸収するとともに、吸収材の隙間を抜けた電
磁波を、反射材によって反射するようになっている。そ
して、反射された電磁波を、吸収材で捉えるように設定
されている。
電磁波を反射する反射材とを備えている。さらに、この
反射材が、吸収材の隙間に配置されるようになってい
る。すなわち、本遮断材では、照射された電磁波を吸収
材によって吸収するとともに、吸収材の隙間を抜けた電
磁波を、反射材によって反射するようになっている。そ
して、反射された電磁波を、吸収材で捉えるように設定
されている。
【0090】これにより、本遮断材では、少量の吸収材
で、効率よく電磁波を吸収できるようになっている。従
って、本遮断材では、電磁波の遮断率(減衰率)に比し
て、その厚さを薄くできる。また、本遮断材の吸収材と
して高価な材料を用いた場合でも、大量の吸収材を必要
としないので、製造コストの上昇を抑制することが可能
となっている。
で、効率よく電磁波を吸収できるようになっている。従
って、本遮断材では、電磁波の遮断率(減衰率)に比し
て、その厚さを薄くできる。また、本遮断材の吸収材と
して高価な材料を用いた場合でも、大量の吸収材を必要
としないので、製造コストの上昇を抑制することが可能
となっている。
【0091】また、本遮断材では、照射された電磁波を
吸収することで、電磁波の遮断を行うようになってい
る。これにより、本遮断材による反射波の発生を抑制で
きるので、周囲の機器(部品)に対する反射波による悪
影響を防止することが可能となる。
吸収することで、電磁波の遮断を行うようになってい
る。これにより、本遮断材による反射波の発生を抑制で
きるので、周囲の機器(部品)に対する反射波による悪
影響を防止することが可能となる。
【0092】また、本遮断材では、吸収材として、黒鉛
またはカーボンブラックと架橋型高分子と線状高分子と
アルカン系直鎖低分子有機化合物と無機化合物との複合
体からなり、架橋型高分子により全体が3次元網状構造
となっている複合体素子を用いることが好ましい。この
複合体素子は、非常に効率よく電磁波を吸収することが
可能なものである。従って、この複合体素子を吸収材と
して用いれば、本遮断材によって、より効率よく電磁波
を吸収することが可能となる。
またはカーボンブラックと架橋型高分子と線状高分子と
アルカン系直鎖低分子有機化合物と無機化合物との複合
体からなり、架橋型高分子により全体が3次元網状構造
となっている複合体素子を用いることが好ましい。この
複合体素子は、非常に効率よく電磁波を吸収することが
可能なものである。従って、この複合体素子を吸収材と
して用いれば、本遮断材によって、より効率よく電磁波
を吸収することが可能となる。
【0093】また、本遮断材では、電磁波の反射材とし
て、金属粉を用いることが好ましい。製造・取り扱いが
容易で安価な金属粉を反射材として利用することで、本
遮断材の製造工程を簡略化できるとともに、製造コスト
を低減できる。
て、金属粉を用いることが好ましい。製造・取り扱いが
容易で安価な金属粉を反射材として利用することで、本
遮断材の製造工程を簡略化できるとともに、製造コスト
を低減できる。
【0094】また、本遮断材では、吸収材に対する反射
材の割合を、30〜40%とすることが好ましい。この
割合で本遮断材を構成することで、電磁波を良好に吸収
できる。
材の割合を、30〜40%とすることが好ましい。この
割合で本遮断材を構成することで、電磁波を良好に吸収
できる。
【0095】また、本遮断材は、特に、携帯電話やパー
ソナルコンピューター等の電子機器に備えることが好ま
しい。これらの電子機器は、電磁波の発生源である一
方、電磁波の影響を受けやすいものである。従って、電
子機器の筐体や内装部品・ケーブル等に本遮断材を設け
ることで、電子機器の発生する電磁波を外部に漏らすこ
とを防止できるとともに、電子機器に対する電磁波の影
響を回避できる。
ソナルコンピューター等の電子機器に備えることが好ま
しい。これらの電子機器は、電磁波の発生源である一
方、電磁波の影響を受けやすいものである。従って、電
子機器の筐体や内装部品・ケーブル等に本遮断材を設け
ることで、電子機器の発生する電磁波を外部に漏らすこ
とを防止できるとともに、電子機器に対する電磁波の影
響を回避できる。
【0096】また、本発明の電磁波遮断塗布剤(本塗布
剤)は、電磁波を遮断する電磁波遮断材を形成するため
の電磁波遮断塗布剤において、電磁波を吸収する吸収材
と、電磁波を反射する反射材と、これら吸収材および反
射材を固定させるための固定材とを溶剤で混合させてな
る構成である。
剤)は、電磁波を遮断する電磁波遮断材を形成するため
の電磁波遮断塗布剤において、電磁波を吸収する吸収材
と、電磁波を反射する反射材と、これら吸収材および反
射材を固定させるための固定材とを溶剤で混合させてな
る構成である。
【0097】本塗布剤は、上記した本遮断材の作成に用
いることのできる塗布剤であり、上記した吸収材および
反射材を、固定材とともに溶剤に混合させたものであ
る。本塗布剤を用いることで、本遮断材を容易に形成す
ることが可能である。
いることのできる塗布剤であり、上記した吸収材および
反射材を、固定材とともに溶剤に混合させたものであ
る。本塗布剤を用いることで、本遮断材を容易に形成す
ることが可能である。
【0098】また、本発明の電磁波遮断材の製造方法
(本製造方法)は、電磁波を遮断する電磁波遮断材を製
造するための電磁波遮断材の製造方法において、電磁波
を吸収する吸収材と、電磁波を反射する反射材と、これ
ら吸収材および反射材を固定させるための固定材とを溶
剤で混合させてなる塗布剤を製造する混合工程と、上記
の塗布剤を基材に塗布する塗布工程と、塗布工程におい
て塗布した塗布剤を乾燥させて溶剤を蒸発させる乾燥工
程とを含んでいる方法である。本製造方法によれば、上
記のような基材上に、本遮断材を容易に形成することが
可能である。
(本製造方法)は、電磁波を遮断する電磁波遮断材を製
造するための電磁波遮断材の製造方法において、電磁波
を吸収する吸収材と、電磁波を反射する反射材と、これ
ら吸収材および反射材を固定させるための固定材とを溶
剤で混合させてなる塗布剤を製造する混合工程と、上記
の塗布剤を基材に塗布する塗布工程と、塗布工程におい
て塗布した塗布剤を乾燥させて溶剤を蒸発させる乾燥工
程とを含んでいる方法である。本製造方法によれば、上
記のような基材上に、本遮断材を容易に形成することが
可能である。
【図1】本発明の一実施形態にかかる携帯電話機の筐体
内壁に設けられているシールド層の内部構造を示す説明
図である。
内壁に設けられているシールド層の内部構造を示す説明
図である。
【図2】上記した携帯電話機の構成を示す説明図であ
る。
る。
【図3】図1に示したシールド層による電磁波遮断作用
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図4】図1に示したシールド層の電磁波遮断能力を検
証するための実験に用いた電磁波減衰度測定装置を示す
説明図である。
証するための実験に用いた電磁波減衰度測定装置を示す
説明図である。
【図5】図5(a)(b)は、図4に示した電磁波減衰
度測定装置によって測定された、1GHzの電磁波に関
する減衰度を示す説明図であり、図5(a)は、サンプ
ルホルダーに何も保持させない場合、また、図5(b)
は、サンプルホルダーに、図1に示したシールド層のサ
ンプルを保持させた場合における、減衰度を示す説明図
である。
度測定装置によって測定された、1GHzの電磁波に関
する減衰度を示す説明図であり、図5(a)は、サンプ
ルホルダーに何も保持させない場合、また、図5(b)
は、サンプルホルダーに、図1に示したシールド層のサ
ンプルを保持させた場合における、減衰度を示す説明図
である。
【図6】図6(a)(b)は、図4に示した電磁波減衰
度測定装置によって測定された、1.5GHzの電磁波
に関する減衰度を示す説明図であり、図6(a)は、サ
ンプルホルダーに何も保持させない場合、また、図6
(b)は、サンプルホルダーに、図1に示したシールド
層のサンプルを保持させた場合における、減衰度を示す
説明図である。
度測定装置によって測定された、1.5GHzの電磁波
に関する減衰度を示す説明図であり、図6(a)は、サ
ンプルホルダーに何も保持させない場合、また、図6
(b)は、サンプルホルダーに、図1に示したシールド
層のサンプルを保持させた場合における、減衰度を示す
説明図である。
【図7】図4に示した電磁波減衰度測定装置によって測
定された、1GHzの電磁波に関する減衰度を示す説明
図であり、サンプルホルダーに、従来の吸収材であるフ
ェライトタイルを保持させた場合における減衰度を示す
説明図である。
定された、1GHzの電磁波に関する減衰度を示す説明
図であり、サンプルホルダーに、従来の吸収材であるフ
ェライトタイルを保持させた場合における減衰度を示す
説明図である。
10 フロント筐体(基材) 11 リヤー筐体(基材) 13 部品基板 15 シールド層(電磁波遮断材) 20 塗膜(固定材) 21 複合体素子(吸収材) 22 金属粉体(反射材)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 501066255 岸田 紀三 大阪府和泉市王子町923番地 (71)出願人 501066266 大江 高彦 奈良県吉野郡大淀町大字北野120−5 (72)発明者 森 禮男 東京都葛飾区新小岩3丁目21番19号 (72)発明者 ▲高▼嶋 信夫 大阪府大阪市東住吉区駒川2丁目1番19号 (72)発明者 村上 広幸 大阪府堺市原山台5丁7−7−308 (72)発明者 岸田 紀三 大阪府和泉市王子町923番地 (72)発明者 大江 高彦 奈良県吉野郡大淀町大字北野120−5 Fターム(参考) 5E321 BB32 BB60 CC16 GG05 GG11 5K023 AA07 BB03 BB28 LL06 QQ05 RR06
Claims (7)
- 【請求項1】電磁波を遮断するための電磁波遮断材にお
いて、 電磁波を吸収する吸収材を含んでおり、 さらに、吸収材の隙間に、電磁波を反射する反射材を配
置していることを特徴とする電磁波遮断材。 - 【請求項2】上記吸収材が、黒鉛またはカーボンブラッ
クと架橋型高分子と線状高分子とアルカン系直鎖低分子
有機化合物と無機化合物との複合体からなり、架橋型高
分子により全体が3次元網状構造となっている複合体素
子であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮断
材。 - 【請求項3】上記反射材が金属粉であることを特徴とす
る請求項1に記載の電磁波遮断材。 - 【請求項4】上記吸収材に対する反射材の割合が、30
〜40%であることを特徴とする請求項1に記載の電磁
波遮断材。 - 【請求項5】請求項1〜4のいずれかに記載の電磁波遮
断材を備えていることを特徴とする電子機器。 - 【請求項6】電磁波を遮断する電磁波遮断材を形成する
ための電磁波遮断塗布剤において、 電磁波を吸収する吸収材と、電磁波を反射する反射材
と、これら吸収材および反射材を固定させるための固定
材とを溶剤で混合させてなることを特徴とする電磁波遮
断塗布剤。 - 【請求項7】電磁波を遮断するための電磁波遮断材を製
造する電磁波遮断材の製造方法において、 電磁波を吸収する吸収材と、電磁波を反射する反射材
と、これら吸収材および反射材を固定させるための固定
材とを溶剤で混合させてなる塗布剤を製造する混合工程
と、 上記の塗布剤を基材に塗布する塗布工程と、 塗布工程において塗布した塗布剤を乾燥させて溶剤を蒸
発させる乾燥工程とを含んでいることを特徴とする電磁
波遮断材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001040792A JP2002246785A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | 電磁波遮断材,電子機器,電磁波遮断塗布剤および電磁波遮断材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001040792A JP2002246785A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | 電磁波遮断材,電子機器,電磁波遮断塗布剤および電磁波遮断材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246785A true JP2002246785A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18903329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001040792A Pending JP2002246785A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | 電磁波遮断材,電子機器,電磁波遮断塗布剤および電磁波遮断材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246785A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023076745A1 (en) * | 2021-11-01 | 2023-05-04 | Bmic Llc | Roofing accessories with radiofrequency radiation shielding capabilities and methods of making and use thereof |
| CN120186982A (zh) * | 2025-03-12 | 2025-06-20 | 江苏凯嘉电子科技有限公司 | 一种多层芯片屏蔽结构及其制备方法 |
| WO2025154379A1 (ja) * | 2024-01-15 | 2025-07-24 | 株式会社フジクラ | アンテナ装置、アンテナ装置の組立方法 |
-
2001
- 2001-02-16 JP JP2001040792A patent/JP2002246785A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023076745A1 (en) * | 2021-11-01 | 2023-05-04 | Bmic Llc | Roofing accessories with radiofrequency radiation shielding capabilities and methods of making and use thereof |
| US11905710B2 (en) | 2021-11-01 | 2024-02-20 | Bmic Llc | Roofing accessories with radiofrequency radiation shielding capabilities and methods of making and use thereof |
| US12188233B2 (en) | 2021-11-01 | 2025-01-07 | Bmic Llc | Roofing accessories with radiofrequency radiation shielding capabilities and methods of making and use thereof |
| WO2025154379A1 (ja) * | 2024-01-15 | 2025-07-24 | 株式会社フジクラ | アンテナ装置、アンテナ装置の組立方法 |
| CN120186982A (zh) * | 2025-03-12 | 2025-06-20 | 江苏凯嘉电子科技有限公司 | 一种多层芯片屏蔽结构及其制备方法 |
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