JP2002246740A - プリント配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤の検出法および残留活性剤のイオン性低下法 - Google Patents
プリント配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤の検出法および残留活性剤のイオン性低下法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子機器等に用いられるプリント配線基板の
はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤を容易
に、かつその分布状態を含めて検出できる残留活性剤の
検出法を得る。 【解決手段】 はんだ付け部に、純水とエタノールとの
混合溶剤に溶解した硝酸銀溶液を噴霧する第一のステッ
プと、次に純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した発
色剤を噴霧する第２のステップを有する。
はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤を容易
に、かつその分布状態を含めて検出できる残留活性剤の
検出法を得る。 【解決手段】 はんだ付け部に、純水とエタノールとの
混合溶剤に溶解した硝酸銀溶液を噴霧する第一のステッ
プと、次に純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した発
色剤を噴霧する第２のステップを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電子機器等に用い
られるプリント配線基板のはんだ付け部におけるフラッ
クス中の残留活性剤の検出法および残留活性剤のイオン
性低下法に関するものである。
られるプリント配線基板のはんだ付け部におけるフラッ
クス中の残留活性剤の検出法および残留活性剤のイオン
性低下法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線基板上に形成されたランド
に対して電子部品を接合するような場合、一般に接合剤
としてはんだが用いられる。そのはんだ付けに使用され
ているフラックスには、樹脂、アルコール等の溶剤や活
性剤等が含まれていて、その活性剤ははんだ付け面の表
面酸化物や汚れなどを溶解、除去する機能を有し、はん
だ付け面を良好な状態に保つ役割を果たしている。通常
フラックスには、はんだ付け性に優れたハロゲン系の活
性剤を含むものが多く使用されている。すなわち、活性
剤中の有機アミンのハロゲン酸塩が、はんだ付け時の温
度約２５０℃付近で分解して塩酸や臭化水素酸となり、
これらがはんだ付け面に存在する金属酸化物を溶かすの
であるが、はんだ付け後にも残留した状態に放置する
と、ハロゲンイオン等のイオン成分が電子部品の導体金
属のイオンマイグレーションの発生を加速し、配線間の
絶縁不良や、金属の腐食を発生しやすくし、その結果導
体金属が欠損したり断線したりする可能性がある。従っ
て、はんだ付け後のフラックス中の残留活性剤はできる
限り少なくするか、または除去することが望ましい。
に対して電子部品を接合するような場合、一般に接合剤
としてはんだが用いられる。そのはんだ付けに使用され
ているフラックスには、樹脂、アルコール等の溶剤や活
性剤等が含まれていて、その活性剤ははんだ付け面の表
面酸化物や汚れなどを溶解、除去する機能を有し、はん
だ付け面を良好な状態に保つ役割を果たしている。通常
フラックスには、はんだ付け性に優れたハロゲン系の活
性剤を含むものが多く使用されている。すなわち、活性
剤中の有機アミンのハロゲン酸塩が、はんだ付け時の温
度約２５０℃付近で分解して塩酸や臭化水素酸となり、
これらがはんだ付け面に存在する金属酸化物を溶かすの
であるが、はんだ付け後にも残留した状態に放置する
と、ハロゲンイオン等のイオン成分が電子部品の導体金
属のイオンマイグレーションの発生を加速し、配線間の
絶縁不良や、金属の腐食を発生しやすくし、その結果導
体金属が欠損したり断線したりする可能性がある。従っ
て、はんだ付け後のフラックス中の残留活性剤はできる
限り少なくするか、または除去することが望ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような観点からフ
ラックス中の残留活性剤対策として、はんだ付け後に基
板を洗浄することや、ハロゲン系の活性剤を全く含まな
いフラックスの使用などの方法が採用されている。しか
しながら、洗浄法は洗浄剤を含む排水が環境汚染するた
めに廃水処理装置を必要とし、そのため費用が高くなる
ことから、最近ではフラックスを洗浄しない工程が採用
されてきた。この場合、使用するフラックス中に含まれ
る活性剤の量をできるだけ少なくし、前述したはんだ付
け後の基板の品質低下を防止しようとするが、はんだ付
けの条件によっては濡れ広がりが不十分であったり、は
んだの切れが悪く端子間ではんだがつながるブリッジが
発生しやすくなるなど問題点があった。特に、鉛フリー
のはんだでは濡れ性や切れが悪くなり、問題が起こりや
すい。以上のことから、フラックス中の活性剤は量を多
くしてはんだ付けの信頼性、生産性を向上させるととも
に、はんだ付け後は洗浄工程を経ることなく活性剤が除
去された、もしくは残留活性剤の分布状況が簡単に把握
できるはんだ付け工程を得ることが望まれている。
ラックス中の残留活性剤対策として、はんだ付け後に基
板を洗浄することや、ハロゲン系の活性剤を全く含まな
いフラックスの使用などの方法が採用されている。しか
しながら、洗浄法は洗浄剤を含む排水が環境汚染するた
めに廃水処理装置を必要とし、そのため費用が高くなる
ことから、最近ではフラックスを洗浄しない工程が採用
されてきた。この場合、使用するフラックス中に含まれ
る活性剤の量をできるだけ少なくし、前述したはんだ付
け後の基板の品質低下を防止しようとするが、はんだ付
けの条件によっては濡れ広がりが不十分であったり、は
んだの切れが悪く端子間ではんだがつながるブリッジが
発生しやすくなるなど問題点があった。特に、鉛フリー
のはんだでは濡れ性や切れが悪くなり、問題が起こりや
すい。以上のことから、フラックス中の活性剤は量を多
くしてはんだ付けの信頼性、生産性を向上させるととも
に、はんだ付け後は洗浄工程を経ることなく活性剤が除
去された、もしくは残留活性剤の分布状況が簡単に把握
できるはんだ付け工程を得ることが望まれている。
【０００４】従来、はんだ付け後のプリント基板に残留
するフラックスの検出方法としては、 （１）ＪＩＳＺ３１９７に、基板を洗浄液で洗浄して、
この洗浄液の比抵抗を測定し、イオン性残渣量を求める
ことが規定されているが、この方法では基板全体の平均
値しか検出できないために、例えばマイグレーションや
絶縁不良の発生しやすい場所での残留活性剤を検出でき
ない。 （２）また、特開昭６０−１４９１９４号公報や特開平
２−１１７７９５号公報には、フラックス中に予め着色
剤を混入し、はんだ付け工程でのフラックスの広がりを
検出することが示されているが残留活性剤は検出できな
い。 （３）さらに、特開平９−２４８６９３号公報には、フ
ラックス中の活性剤としてカルボキシル基やスルホン酸
基を有する物の残留活性剤の分布を検出することが示さ
れているが、この例では特殊なフラックスに関するもの
であり、一般に多く使用されているフラックスに含まれ
るハロゲンイオンの検出はできない。
するフラックスの検出方法としては、 （１）ＪＩＳＺ３１９７に、基板を洗浄液で洗浄して、
この洗浄液の比抵抗を測定し、イオン性残渣量を求める
ことが規定されているが、この方法では基板全体の平均
値しか検出できないために、例えばマイグレーションや
絶縁不良の発生しやすい場所での残留活性剤を検出でき
ない。 （２）また、特開昭６０−１４９１９４号公報や特開平
２−１１７７９５号公報には、フラックス中に予め着色
剤を混入し、はんだ付け工程でのフラックスの広がりを
検出することが示されているが残留活性剤は検出できな
い。 （３）さらに、特開平９−２４８６９３号公報には、フ
ラックス中の活性剤としてカルボキシル基やスルホン酸
基を有する物の残留活性剤の分布を検出することが示さ
れているが、この例では特殊なフラックスに関するもの
であり、一般に多く使用されているフラックスに含まれ
るハロゲンイオンの検出はできない。
【０００５】この発明は以上のような問題点を解決する
ためになされたものであり、洗浄工程を経ることなくは
んだ付け後の基板の残留活性剤の分布を容易に把握する
ことが可能であり、かつまた、残留活性剤のイオン性を
低下させて安定した品質のプリント配線基盤を得ること
が可能なプリント配線基板はんだ付け部におけるフラッ
クス中の残留活性剤の検出法および残留活性剤のイオン
性低下法を提供することにある。
ためになされたものであり、洗浄工程を経ることなくは
んだ付け後の基板の残留活性剤の分布を容易に把握する
ことが可能であり、かつまた、残留活性剤のイオン性を
低下させて安定した品質のプリント配線基盤を得ること
が可能なプリント配線基板はんだ付け部におけるフラッ
クス中の残留活性剤の検出法および残留活性剤のイオン
性低下法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るプリント
配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性
剤の検出法は、純水とエタノールとの混合溶剤に溶解し
た硝酸銀溶液をはんだ付け部に噴霧するものである。
配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性
剤の検出法は、純水とエタノールとの混合溶剤に溶解し
た硝酸銀溶液をはんだ付け部に噴霧するものである。
【０００７】また、純水とエタノールとの混合溶剤に溶
解した硝酸銀溶液をはんだ付け部に噴霧し、次に、純水
とエタノールとの混合溶剤に溶解した発色剤を噴霧する
ステップを有するものである。
解した硝酸銀溶液をはんだ付け部に噴霧し、次に、純水
とエタノールとの混合溶剤に溶解した発色剤を噴霧する
ステップを有するものである。
【０００８】また、発色剤をフルオレセインまたはエオ
シンとするものである。
シンとするものである。
【０００９】また、純水とエタノールとの混合溶剤に溶
解した過硫酸アンモニウムの溶液を噴霧し、次に、純水
とエタノールとの混合溶剤に溶解した発色剤溶液を噴霧
するステップを有するものである。
解した過硫酸アンモニウムの溶液を噴霧し、次に、純水
とエタノールとの混合溶剤に溶解した発色剤溶液を噴霧
するステップを有するものである。
【００１０】また、発色剤をフェノールレッドまたはオ
ルトートリジンまたは、メチルオレンジとするものであ
る。
ルトートリジンまたは、メチルオレンジとするものであ
る。
【００１１】また、過硫酸アンモニウムに代わり、クロ
ム酸または過マンガン酸カリウム、または硝酸とするも
のである。
ム酸または過マンガン酸カリウム、または硝酸とするも
のである。
【００１２】また、この発明に係るプリント配線基板は
んだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤の検出法
は、基板上の部品端子間の電気抵抗を測定後に硝酸銀溶
液を噴霧し、次に、部品端子間の電気抵抗を測定するス
テップを有するものである。
んだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤の検出法
は、基板上の部品端子間の電気抵抗を測定後に硝酸銀溶
液を噴霧し、次に、部品端子間の電気抵抗を測定するス
テップを有するものである。
【００１３】また、この発明に係るプリント配線基板は
んだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤のイオン
性低下法は、はんだ付け後の基板に硝酸銀溶液を噴霧
し、イオン性のハロゲン系活性剤と反応して、非イオン
性のハロゲン化銀を発生するものである。
んだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤のイオン
性低下法は、はんだ付け後の基板に硝酸銀溶液を噴霧
し、イオン性のハロゲン系活性剤と反応して、非イオン
性のハロゲン化銀を発生するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１によるプリント配線基板、はんだ付け部に
おけるフラックス中の残留活性剤検出法について説明す
る。絶縁基板を母材とするプリント配線基板に電子端子
のチップ部品を搭載し、はんだ付けを行う。このとき用
いられるフラックスは、はんだ付け性に優れたハロゲン
系の活性剤を含む。そして、はんだ付け作業は自動化さ
れており、作業環境、はんだ付け時の諸条件等は予め設
定されたマニュアルに従っている。このマニュアルは、
試作段階や諸条件の開発段階において別途定められたも
のであり、後述するはんだ付け部で検出された活性剤の
残留量や、その分布状態に応じて評価検討され、見直さ
れているものである。このように定められたマニュアル
に従い、はんだ付けの終了した基板表面に、純水とエタ
ノールの混合溶剤に溶解した約１％の硝酸銀溶液を噴霧
する。これにより、基板表面のフラックス中の活性剤に
塩素イオンや臭素イオンが残留していると白濁すること
から、活性剤の残留量を目視で観察できる。基板の色に
よっては白濁の程度を目視で識別しにくい場合には、適
当な照明と受光装置を備えた光学系を用いて、フラック
スの存在しない部分と存在する部分の差を見ることによ
り、より明確に識別できる。白濁の程度とはんだ付け部
に存在する残留活性剤の量とは、試作、開発段階におい
てはんだ付け部の諸品質特性に対応して評価されてお
り、この実施の形態１の方法によってその評価基準をク
リアしていない場合には、不良品として選別されるかま
たは作業方法の見直し等が行われる。そして、例えば残
留活性剤量が基準より多いとみなされた場合、フラック
ス中の活性剤含有量の見直しを含めた他のフラックスの
採用の可否を検討する。さらにはんだ付け工程における
諸条件が適正に行われているか、つまりプロセス中に各
装置が正常に動作しているかなどの見直し、再検討のト
リガーにもなっている。なお、純水とエタノールとの混
合比は３：７または７：３程度でも良い。このようにこ
の実施の形態１では、はんだ付け後の基板表面に硝酸銀
溶液を噴霧するという簡単なプロセスを採用すること
で、はんだ付け部の残留活性剤の有無を識別できるとい
うすぐれた効果を奏する。
実施の形態１によるプリント配線基板、はんだ付け部に
おけるフラックス中の残留活性剤検出法について説明す
る。絶縁基板を母材とするプリント配線基板に電子端子
のチップ部品を搭載し、はんだ付けを行う。このとき用
いられるフラックスは、はんだ付け性に優れたハロゲン
系の活性剤を含む。そして、はんだ付け作業は自動化さ
れており、作業環境、はんだ付け時の諸条件等は予め設
定されたマニュアルに従っている。このマニュアルは、
試作段階や諸条件の開発段階において別途定められたも
のであり、後述するはんだ付け部で検出された活性剤の
残留量や、その分布状態に応じて評価検討され、見直さ
れているものである。このように定められたマニュアル
に従い、はんだ付けの終了した基板表面に、純水とエタ
ノールの混合溶剤に溶解した約１％の硝酸銀溶液を噴霧
する。これにより、基板表面のフラックス中の活性剤に
塩素イオンや臭素イオンが残留していると白濁すること
から、活性剤の残留量を目視で観察できる。基板の色に
よっては白濁の程度を目視で識別しにくい場合には、適
当な照明と受光装置を備えた光学系を用いて、フラック
スの存在しない部分と存在する部分の差を見ることによ
り、より明確に識別できる。白濁の程度とはんだ付け部
に存在する残留活性剤の量とは、試作、開発段階におい
てはんだ付け部の諸品質特性に対応して評価されてお
り、この実施の形態１の方法によってその評価基準をク
リアしていない場合には、不良品として選別されるかま
たは作業方法の見直し等が行われる。そして、例えば残
留活性剤量が基準より多いとみなされた場合、フラック
ス中の活性剤含有量の見直しを含めた他のフラックスの
採用の可否を検討する。さらにはんだ付け工程における
諸条件が適正に行われているか、つまりプロセス中に各
装置が正常に動作しているかなどの見直し、再検討のト
リガーにもなっている。なお、純水とエタノールとの混
合比は３：７または７：３程度でも良い。このようにこ
の実施の形態１では、はんだ付け後の基板表面に硝酸銀
溶液を噴霧するという簡単なプロセスを採用すること
で、はんだ付け部の残留活性剤の有無を識別できるとい
うすぐれた効果を奏する。
【００１５】実施の形態２．この実施の形態２は、前述
した実施の形態１による残留活性剤の識別をより容易に
するものである。はんだ付けの終了した基板表面に、ま
ず純水とエタノールの混合溶剤に溶解した硝酸銀の約１
％溶液を噴霧する。次に純水とエタノール混合溶剤に溶
解した発色剤であるフルオレセインの約１％溶液を噴霧
する。これにより、基板表面のフラックス中の活性剤と
して使用されている塩素イオンや臭素イオンが残留する
ときピンク色に変色することから、活性剤の残留量を目
視で検出できるとともに、その分布状態も検出すること
ができる。噴霧する溶液の量は、基板表面を薄く覆う程
度で溶液の厚さとしては１０μｍ程度以下が望ましい。
硝酸銀やフルオレセインの濃度は１％に限定されるもの
ではなく、基板に残留すると予想される活性剤の量によ
り選択するのが望ましい。例えば、フラックス固形分に
対して０．５％の塩素が含まれているフラックスを使用
する場合、はんだ付け工程でこのフラックスが全く分解
しないとすると、厚さ１０μｍのフラックスが塗布して
あると基板上の塩素の量は約５μｇ／ｃｍ ２になる。こ
の量の塩素は約５倍量の硝酸銀と反応して塩化銀を生成
する。これに必要な硝酸銀の量は１％の溶液を約２．５
μｍの厚さになるように噴霧した量に相当する。実際に
は、はんだ付け工程でフラックス中の活性剤ははんだ付
け温度（例えば２５０℃）に数秒間加熱されて分解する
ために、最初に含まれる塩素（臭素の場合もある）イオ
ンは少なくなっている。噴霧する液の量は残留すると予
想される塩素または臭素イオンの量と反応するのに必要
な量と同等かそれ以下が望ましい。発色剤としてフルオ
レセインを用いたが、ハロゲンイオンとの反応で発色ま
たは変色するその他の染料例えばエオシンを用いても良
い。
した実施の形態１による残留活性剤の識別をより容易に
するものである。はんだ付けの終了した基板表面に、ま
ず純水とエタノールの混合溶剤に溶解した硝酸銀の約１
％溶液を噴霧する。次に純水とエタノール混合溶剤に溶
解した発色剤であるフルオレセインの約１％溶液を噴霧
する。これにより、基板表面のフラックス中の活性剤と
して使用されている塩素イオンや臭素イオンが残留する
ときピンク色に変色することから、活性剤の残留量を目
視で検出できるとともに、その分布状態も検出すること
ができる。噴霧する溶液の量は、基板表面を薄く覆う程
度で溶液の厚さとしては１０μｍ程度以下が望ましい。
硝酸銀やフルオレセインの濃度は１％に限定されるもの
ではなく、基板に残留すると予想される活性剤の量によ
り選択するのが望ましい。例えば、フラックス固形分に
対して０．５％の塩素が含まれているフラックスを使用
する場合、はんだ付け工程でこのフラックスが全く分解
しないとすると、厚さ１０μｍのフラックスが塗布して
あると基板上の塩素の量は約５μｇ／ｃｍ ２になる。こ
の量の塩素は約５倍量の硝酸銀と反応して塩化銀を生成
する。これに必要な硝酸銀の量は１％の溶液を約２．５
μｍの厚さになるように噴霧した量に相当する。実際に
は、はんだ付け工程でフラックス中の活性剤ははんだ付
け温度（例えば２５０℃）に数秒間加熱されて分解する
ために、最初に含まれる塩素（臭素の場合もある）イオ
ンは少なくなっている。噴霧する液の量は残留すると予
想される塩素または臭素イオンの量と反応するのに必要
な量と同等かそれ以下が望ましい。発色剤としてフルオ
レセインを用いたが、ハロゲンイオンとの反応で発色ま
たは変色するその他の染料例えばエオシンを用いても良
い。
【００１６】実施の形態３．はんだ付けの終了した基板
表面に、純水とエタノールの混合溶剤に溶解した過硫酸
アンモニウムの約０．３％溶液を噴霧する。これに純水
とエタノール混合溶液に溶解した発色剤であるフェノー
ルレッドの約１％溶液を噴霧する。これにより、基板表
面のフラックス中の活性剤として使用されている塩素イ
オンや臭素イオンが残留するときフェノールレッドの色
が変化することから、活性剤の残留量を目視で観察でき
る。このとき用いる過硫酸アンモニウムの代わりに、ク
ロム酸、過マンガン酸カリウム、硝酸などを用いてもよ
い。フェノールレッドの代わりに他の発色剤であるオル
ト−トリジン（Ｏ−トリジン）、メチルオレンジなどを
用いても良い。
表面に、純水とエタノールの混合溶剤に溶解した過硫酸
アンモニウムの約０．３％溶液を噴霧する。これに純水
とエタノール混合溶液に溶解した発色剤であるフェノー
ルレッドの約１％溶液を噴霧する。これにより、基板表
面のフラックス中の活性剤として使用されている塩素イ
オンや臭素イオンが残留するときフェノールレッドの色
が変化することから、活性剤の残留量を目視で観察でき
る。このとき用いる過硫酸アンモニウムの代わりに、ク
ロム酸、過マンガン酸カリウム、硝酸などを用いてもよ
い。フェノールレッドの代わりに他の発色剤であるオル
ト−トリジン（Ｏ−トリジン）、メチルオレンジなどを
用いても良い。
【００１７】実施の形態４．まず、はんだ付けの終了し
た基板に設けられた部品端子間の電気抵抗を測定し、次
に基板表面にイオン性のハロゲン系活性剤と反応して非
イオン性のハロゲン化銀を生成する約１％の硝酸銀溶液
を噴霧して、噴霧前後の基板における部品端子間の抵抗
値を比較する。硝酸銀溶液を噴霧する前の抵抗値はフラ
ックス中のハロゲン系活性剤のイオン性が高いために低
い値であるが、硝酸銀を噴霧後はハロゲン系活性剤は非
イオン系の硝酸銀に変化して抵抗値が上昇するために、
その抵抗値の増加度合に応じた残留活性剤の存在を知る
ことができる。部品端子間の抵抗値が高すぎて測定が困
難な場合は、予め基板の中の部品を実装しない位置にく
し形電極を設置し、その抵抗値を測定しても良い。
た基板に設けられた部品端子間の電気抵抗を測定し、次
に基板表面にイオン性のハロゲン系活性剤と反応して非
イオン性のハロゲン化銀を生成する約１％の硝酸銀溶液
を噴霧して、噴霧前後の基板における部品端子間の抵抗
値を比較する。硝酸銀溶液を噴霧する前の抵抗値はフラ
ックス中のハロゲン系活性剤のイオン性が高いために低
い値であるが、硝酸銀を噴霧後はハロゲン系活性剤は非
イオン系の硝酸銀に変化して抵抗値が上昇するために、
その抵抗値の増加度合に応じた残留活性剤の存在を知る
ことができる。部品端子間の抵抗値が高すぎて測定が困
難な場合は、予め基板の中の部品を実装しない位置にく
し形電極を設置し、その抵抗値を測定しても良い。
【００１８】実施の形態５．この実施の形態５は、残留
する活性剤を非イオン性とするものである。はんだ付け
の終了した基板表面に、イオン性のハロゲン系活性剤と
反応して非イオン性のハロゲン化銀を発生する約１％の
硝酸銀溶液を噴霧する。これにより、はんだ付け後の基
板のフラックス中に残留する活性剤が非イオン性とされ
ることによりマイグレーションや腐食性を防止し、絶縁
抵抗の低下を防ぐことができる。従来、はんだ付けに使
用するフラックス中の活性剤の量を多くしてはんだの濡
れ性や切れを向上させ、はんだ付け工程の信頼性や生産
性を高めようとしても残留活性剤の影響によってはんだ
付け部の品質に不安が残ったが、この実施の形態５に示
した手法を採用することにより、たとえ活性剤の量を多
くしてもはんだ付け後に活性剤のイオン性を低下させる
ことができ、マイグレーションや、腐食、絶縁抵抗の低
下を防ぐことができるという優れた効果を奏する。な
お、このとき用いる硝酸銀の代わりに、ハロゲンイオン
と非イオン性の化合物を生成するものなら他のものを使
用しても良い。
する活性剤を非イオン性とするものである。はんだ付け
の終了した基板表面に、イオン性のハロゲン系活性剤と
反応して非イオン性のハロゲン化銀を発生する約１％の
硝酸銀溶液を噴霧する。これにより、はんだ付け後の基
板のフラックス中に残留する活性剤が非イオン性とされ
ることによりマイグレーションや腐食性を防止し、絶縁
抵抗の低下を防ぐことができる。従来、はんだ付けに使
用するフラックス中の活性剤の量を多くしてはんだの濡
れ性や切れを向上させ、はんだ付け工程の信頼性や生産
性を高めようとしても残留活性剤の影響によってはんだ
付け部の品質に不安が残ったが、この実施の形態５に示
した手法を採用することにより、たとえ活性剤の量を多
くしてもはんだ付け後に活性剤のイオン性を低下させる
ことができ、マイグレーションや、腐食、絶縁抵抗の低
下を防ぐことができるという優れた効果を奏する。な
お、このとき用いる硝酸銀の代わりに、ハロゲンイオン
と非イオン性の化合物を生成するものなら他のものを使
用しても良い。
【００１９】
【発明の効果】この発明は以上述べたような方法で残留
活性剤の検出およびイオン性低下を行っているので、以
下に示すような効果を奏することができる。
活性剤の検出およびイオン性低下を行っているので、以
下に示すような効果を奏することができる。
【００２０】純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した
硝酸銀溶液をはんだ付け部に噴霧するので、はんだ付け
作業に使用したフラックス中の残留活性剤量を目視観察
で検出できるとともに、はんだ作業プロセスの諸条件が
適切に行えているのか装置の動作状況が正常であるか否
かのチェックが行えるという優れた効果を奏する。
硝酸銀溶液をはんだ付け部に噴霧するので、はんだ付け
作業に使用したフラックス中の残留活性剤量を目視観察
で検出できるとともに、はんだ作業プロセスの諸条件が
適切に行えているのか装置の動作状況が正常であるか否
かのチェックが行えるという優れた効果を奏する。
【００２１】また、先ず純水とエタノールとの混合溶剤
に溶解した硝酸銀溶液を基板のはんだ付け部に噴霧し、
次に純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した発色剤を
噴霧するステップを有するので、残留活性剤をより容易
に検出できるとともに、はんだ付け部全面にわたっての
残留活性剤の分布状態がわかり、その結果、マイグレー
ションや絶縁抵抗の低下などに対して予め対策をたてる
ことが可能となるという効果がある。さらにははんだ付
け工程でのプロセスチェック、マニュアルチェックのト
リガーにもなり得る。
に溶解した硝酸銀溶液を基板のはんだ付け部に噴霧し、
次に純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した発色剤を
噴霧するステップを有するので、残留活性剤をより容易
に検出できるとともに、はんだ付け部全面にわたっての
残留活性剤の分布状態がわかり、その結果、マイグレー
ションや絶縁抵抗の低下などに対して予め対策をたてる
ことが可能となるという効果がある。さらにははんだ付
け工程でのプロセスチェック、マニュアルチェックのト
リガーにもなり得る。
【００２２】また、純水とエタノールとの混合溶剤に溶
解した過硫酸アンモニウムの０．３％溶液を噴霧し、次
に純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した発色剤溶液
を噴霧するステップを有するので、残留活性剤をより容
易に、かつ簡便に分布状態を含めて検出することができ
る。
解した過硫酸アンモニウムの０．３％溶液を噴霧し、次
に純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した発色剤溶液
を噴霧するステップを有するので、残留活性剤をより容
易に、かつ簡便に分布状態を含めて検出することができ
る。
【００２３】また、はんだ付け後の基板に設けられた部
品端子間の電気抵抗を測定し、次に硝酸銀溶液を噴霧
し、その後再び端子間の電気抵抗を測定するというステ
ップを有するので、残留活性剤の有無が電気抵抗値の増
加の有無によって知ることができ、前述と同様の優れた
効果を奏する。
品端子間の電気抵抗を測定し、次に硝酸銀溶液を噴霧
し、その後再び端子間の電気抵抗を測定するというステ
ップを有するので、残留活性剤の有無が電気抵抗値の増
加の有無によって知ることができ、前述と同様の優れた
効果を奏する。
【００２４】また、イオン性のハロゲン系活性剤と反応
して非イオン性のハロゲン化銀を発生する硝酸銀溶液を
噴霧して、残留活性剤のイオン性を低下させているの
で、マイグレーションや腐食性を防止し、絶縁抵抗の低
下を防ぐとともに、フラックス中の活性剤の量を多くし
て、はんだ付け作業性や生産性を向上させても、従来の
如く残留活性剤の影響を心配することもなくなり、より
安価で、安定した品質を有するはんだ付け部を提供でき
るという優れた効果を奏する。
して非イオン性のハロゲン化銀を発生する硝酸銀溶液を
噴霧して、残留活性剤のイオン性を低下させているの
で、マイグレーションや腐食性を防止し、絶縁抵抗の低
下を防ぐとともに、フラックス中の活性剤の量を多くし
て、はんだ付け作業性や生産性を向上させても、従来の
如く残留活性剤の影響を心配することもなくなり、より
安価で、安定した品質を有するはんだ付け部を提供でき
るという優れた効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42
Claims (8)
- 【請求項１】 次のステップを有することを特徴とする
プリント配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の
残留活性剤の検出法。 （１）純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した硝酸銀
の溶液を基板のはんだ付け部に噴霧するステップ。 - 【請求項２】 次のステップを有することを特徴とする
プリント配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の
残留活性剤の検出法。 （１）純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した硝酸銀
の溶液を基板のはんだ付け部に噴霧するステップ。 （２）純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した発色剤
を噴霧するステップ。 - 【請求項３】 発色剤をフルオレセインまたはエオシン
とすることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線
基板はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤の
検出法。 - 【請求項４】 次のステップを有することを特徴とする
プリント配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の
残留活性剤の検出法。 （１）純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した過硫酸
アンモニウムの溶液を噴霧するステップ。 （２）純水とエタノールとの混合溶剤に溶解した発色剤
溶液を噴霧するステップ。 - 【請求項５】 発色剤をフェノールレッドまたはオルト
−トリジン（Ｏ−トリジン）または、メチルオレンジと
することを特徴とする請求項４に記載のプリント基板は
んだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤の検出
法。 - 【請求項６】 過硫酸アンモニウムに代わり、クロム酸
または過マンガン酸カリウム、または硝酸とすることを
特徴とする請求項４に記載のフラックス中の残留活性剤
検出法。 - 【請求項７】 次のステップを有することを特徴とする
プリント配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の
残留活性剤の検出法。 （１）基板に設けられた部品端子間の電気抵抗値を測定
するステップ。 （２）硝酸銀溶液を噴霧するステップ。 （３）部品端子間の電気抵抗値を測定するステップ。 - 【請求項８】 はんだ付け後のプリント配線基板に、イ
オン性のハロゲン系活性剤と反応して非イオン性のハロ
ゲン化銀を発生する硝酸銀溶液を噴霧し、残留活性剤の
イオン性を低下させることを特徴とするプリント配線基
板はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤のイ
オン性低下法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001039330A JP2002246740A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | プリント配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤の検出法および残留活性剤のイオン性低下法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001039330A JP2002246740A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | プリント配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤の検出法および残留活性剤のイオン性低下法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246740A true JP2002246740A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18902144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001039330A Pending JP2002246740A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | プリント配線基板はんだ付け部におけるフラックス中の残留活性剤の検出法および残留活性剤のイオン性低下法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246740A (ja) |
-
2001
- 2001-02-16 JP JP2001039330A patent/JP2002246740A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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