JP2002246350A - 平面研磨方法 - Google Patents

平面研磨方法

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JP2002246350A
JP2002246350A JP2001043767A JP2001043767A JP2002246350A JP 2002246350 A JP2002246350 A JP 2002246350A JP 2001043767 A JP2001043767 A JP 2001043767A JP 2001043767 A JP2001043767 A JP 2001043767A JP 2002246350 A JP2002246350 A JP 2002246350A
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JP
Japan
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grindstone
wafer
workpiece
polishing
temperature
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JP2001043767A
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English (en)
Inventor
Takayuki Nogi
貴之 野木
Hiromi Nishihara
浩巳 西原
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Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 平板状の被加工物の表面を砥石を用いて研磨
する際に、高い加工速度及び平坦度を実現することがで
きる平面研磨方法を提供する。 【解決手段】 ウエーハ1はターンテーブル2の上面に
吸着される。ターンテーブル2の上方には研磨ヘッド6
が配置され、研磨ヘッド6の下面に砥石5が装着され
る。研磨ヘッド6は、水平面内で駆動され、ウエーハ1
のほぼ中心を通る軌道上で往復旋回運動を行う。ウエー
ハ1の表面温度を測定するため、ターンテーブル2の上
方には、放射温度計15が配置されている。放射温度計
15は、砥石5が通過した直後のウエーハ1の表面温度
を測定する。加工中にウエーハ1の表面温度を監視し、
その値が所定の基準値に一致するように砥石5とウエー
ハ1の間の加圧力を制御する。これによって、砥石5の
自生作用が適正な状態に保たれ、高い加工速度及び平坦
度が実現される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエーハ
などの平板状の被加工物の表面を平坦に加工するための
平面研磨方法に係り、特に、砥石を使用してCMP加工
を行う際の平面研磨方法に係る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体回路の微細化、多層化が進
む中、パターン形成に使用される露光装置のビーム波長
が短波長化され、フォトリソグラフィの際の焦点深度の
マージンが次第に小さくなって来ている。このため、ウ
エーハ表面の段差をグローバルに減少させる平坦化技術
は、多層配線を行う上で必要不可欠なものになりつつあ
る。そこで、グローバルに且つ精度良くウエーハ表面を
平坦化する方法として、CMP( Chemical Mechanical
Polishing )加工が注目されている。
【0003】CMP装置では、一般に、研磨布または砥
石などの研磨工具をウエーハの表面に押し付けた状態
で、研磨工具及びウエーハを回転させ、必要に応じて薬
液、純水またはそれらに砥粒を混入した流体を研磨面に
供給しながら、研磨加工を行っている。
【0004】CMP装置において大口径のウエーハを研
磨する場合、ウエーハと比べて小さな径の研磨工具が使
用される。研磨工具を旋回機構あるいは直動機構で保持
し、ウエーハの表面に対して平行な平面内で往復運動を
与えることによって、ウエーハの表面全体の研磨が行わ
れる。
【0005】特に、研磨工具として砥石を使用する場合
には、砥粒の脱落による砥石の自生作用によって、適切
な頻度で新たな砥粒を発生させることが好ましい。しか
し、砥石の自生作用を適正に生じさせるための加工条件
は、砥石の表面状態、砥粒を結合しているボンド材の種
類やボンド材の分散状態などによって変動する。適正な
自生作用が生じていない場合には、研磨速度が低下した
り、研磨速度の変動により被加工面の平坦度が低下する
などの問題が発生する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な砥石を用いた平面研磨方法の問題点に鑑みなされたも
ので、本発明の目的は、平板状の被加工物の表面を砥石
を用いて研磨する際、砥石の自生作用を適正な状態で維
持することによって、高い加工速度及び平坦度を実現す
ることができる平面研磨方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の平面研磨方法
は、平板状の被加工物の表面を砥石を用いて研磨する平
面研磨方法であって、加工中に前記砥石または前記被加
工物のいずれかの表面温度を測定し、その値が所定の基
準温度範囲内に収まるように、前記砥石と前記被加工物
の間の加圧力を制御することを特徴とする。
【0008】本願発明者等は、種々の実験を行い、砥石
の自生作用が生ずる条件について調査をした。その結
果、砥石の自生作用が、被加工物に対する砥石の加圧力
に関係すると同時に、自生作用の適否が加工面の温度に
現れることを見出した。本発明は、このような知見に基
づいてなされたものである。
【0009】本発明の平面研磨方法によれば、平板状の
被加工物の表面を砥石を用いて研磨する際、上記いずれ
かの温度が所定の目標温度範囲の中に収まるように加圧
力を制御することによって、砥石の自生作用が適正な状
態で維持される。その結果、加工速度を高い水準で安定
させるとともに、研磨後の被加工面の平坦度を向上させ
ることができる。
【0010】特に、平板状の被加工物の表面を被加工物
と比べて小さな径の砥石を用いて研磨する場合には、例
えば、加工中に前記被加工物の表面温度を測定し、その
値が所定の基準温度範囲内に収まるように加圧力を制御
する。
【0011】この場合、好ましくは、前記砥石が通過し
た直後の前記被加工物の表面温度を測定し、その値が所
定の基準温度範囲内に収まるように加圧力を制御する。
【0012】なお、上記の温度範囲は、例えば、30〜
33℃であり、その値は、砥石及び被加工物の種類、上
記表面温度の測定位置などによって異なる。
【0013】
【発明の実施の形態】図1に、本発明に基づく平面研磨
方法が適用されるCMP装置の概略構成の一例を示す。
図中、1はウエーハ、2はターンテ−ブル、3はガイド
リング、5は砥石、6は研磨ヘッド、15は放射温度計
を表す。
【0014】被加工物であるウエーハ1は、ターンテー
ブル2の上面に真空吸着される(または、静電吸着によ
り若しくはバッキングパッドを介して吸着される)。タ
ーンテーブル2の上面の周縁部には、ウエーハ1の外周
に沿ってガイドリング3が取り付けられている。ターン
テーブル2の上方には研磨ヘッド6が配置され、研磨ヘ
ッド6の下面には円盤型の砥石5が装着されている。こ
の例では、ウエーハ1よりも小さな径の砥石5が使用さ
れている。
【0015】ターンテーブル2の上方には旋回アーム1
1が張り出されている。旋回アーム11の先端の下側に
は、直動ガイド12及びエアシリンダ13を介してモー
タ8のハウジング部分が保持されている。前記の研磨ヘ
ッド6は、モータ8の駆動軸7の先端(下端)に接続さ
れている。研磨ヘッド6は、旋回アーム11によって水
平面内で駆動され、ウエーハ1のほぼ中心を通る軌道上
を、ウエーハ1の一方の縁から他方の縁までの間で往復
旋回運動を行う。
【0016】ターンテーブル2及び研磨ヘッド6を回転
するとともに、研磨ヘッド6に水平面内で往復旋回運動
を与え、その状態で、エアシリンダ13を駆動して、砥
石5をウエーハ1の表面に対して押し付けることによっ
て、ウエーハ1の表面の研磨が行われる。
【0017】ウエーハ1の表面温度を測定するため、タ
ーンテーブル2の上方には、放射温度計15が配置され
ている。放射温度計15は、ウエーハ1の表面温度を測
定し、砥石5が通過した直後にそのデータを取り込ん
で、当該装置の制御ユニット(図示せず)へ送る。
【0018】なお、上記の様に、放射温度計15を用い
てウエーハ1の表面温度を測定する代わりに、サーモグ
ラフィーを用いてウエーハ1の表面温度分布を測定して
もよい。更に、砥石5の内部に温度計を埋め込んで、砥
石5の加工面近傍の温度を測定してもよい。
【0019】図2に、図1に示したCMP装置を用い
て、加工時間の経過に伴うウエーハの表面温度の変化を
測定した結果を示す。なお、ウエーハ1に対する砥石5
の加圧力を、3つの水準で設定した。このとき、使用し
た砥石は、CeO砥粒をフェノール樹脂で結合したも
のである。なお、加工開始時点のウエーハの表面温度は
25℃であった。
【0020】図中、Aは加圧力が低く、砥石の自生作用
が発生しない場合の表面温度の変化である。このとき、
ウエーハの表面温度は僅かしか上昇しなかった。
【0021】Bは、加圧力をAの場合よりも高く設定し
て、自生作用を発生させた場合の表面温度の変化であ
る。ただし、この場合には、加圧力が不十分で自生作用
が不安定である。この場合には、加工開始直後に表面温
度が上昇したが、30℃付近に到達した以降は表面温度
が上下に振動した。
【0022】Cは、加圧力をBの場合よりも更に高くし
て、自生作用を適正に発生させた場合の表面温度の変化
である。この場合には、加工開始直後に表面温度が上昇
し、30℃付近に到達した以降は表面温度が安定し、そ
の後の温度の変動は僅かであった。
【0023】以上の結果より、砥石5の自生作用を適正
な状態で生じさせるためには、加工中のウエーハ1の表
面温度(または、砥石5の表面近傍温度でもよい)を測
定し、その温度が一定の値で安定するように、ウエーハ
1に対する砥石5の加圧力を制御すれば良いことが分か
る。
【0024】なお、ウエーハ1の表面温度が安定する条
件は、砥石5の砥粒や結合剤の種類、被加工物の材質、
砥石と被加工物の間の相対速度、研磨剤の種類などの加
工条件により異なるので、加工条件毎に、予め求めてお
くことが必要である。
【0025】図3に、ウエーハ1の表面温度が目標とす
る基準値に一致するように加圧力を制御するフローの一
例を示す。先ず、予め求めておいた基準値θを設定す
る。所定の加工条件で加工を行い、加工中のウエーハ1
の表面温度を測定し、その測定値θと基準値θとを比
較する。両者が等しければ、そのままの加工条件で加工
を続ける。測定値θが基準値θよりも低いときは、砥
石5の面圧を上げるように加圧力を増やし、測定値θが
基準値θより高いときは、面圧を下げるように加工圧
を減らし、両者を等しくする。このようにして、砥石5
の自生作用を適正な状態に保つことができる。
【0026】
【発明の効果】本発明の平面研磨方法によれば、加工中
の砥石または被加工物の表面温度が所定の基準温度範囲
内で安定するように、砥石と被加工物の間の加圧力を制
御することによって、砥石の自生作用を適正な状態で維
持することができる。この結果、砥石を用いた加工の適
正化、効率化及び安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に基づく平面研磨方法が適用されるCM
P装置の一例を示す概略構成図。
【図2】加工時間の経過に伴うウエーハの表面温度の変
化を、三水準の加圧力について測定した結果を示す図。
【図3】本発明に基づく平面研磨方法を実施するための
制御方法のフローチャート。
【符号の説明】
1・・・ウエーハ、 2・・・ターンテーブル、 3・・・ガイドリング、 5・・・砥石、 6・・・研磨ヘッド、 7・・・駆動軸、 8・・・モータ、 11・・・旋回アーム、 12・・・直動ガイド、 13・・・エアシリンダ、 15・・・放射温度計。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平板状の被加工物の表面を砥石を用いて
    研磨する平面研磨方法であって、 加工中に前記砥石または前記被加工物のいずれかの表面
    温度を測定し、その値が所定の基準温度範囲内に収まる
    ように、前記砥石と前記被加工物の間の加圧力を制御す
    ることを特徴とする平面研磨方法。
  2. 【請求項2】 平板状の被加工物の表面を被加工物と比
    べて小さな径の砥石を用いて研磨する平面研磨方法であ
    って、 加工中に前記被加工物の表面温度を測定し、その値が所
    定の基準温度範囲内に収まるように、前記砥石と前記被
    加工物の間の加圧力を制御することを特徴とする平面研
    磨方法。
  3. 【請求項3】 前記砥石が通過した直後の前記被加工物
    の表面温度を測定し、その値が所定の基準温度範囲内に
    収まるように、前記砥石と前記被加工物の間の加圧力を
    制御することを特徴とする請求項2に記載の平面研磨方
    法。
JP2001043767A 2001-02-20 2001-02-20 平面研磨方法 Pending JP2002246350A (ja)

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