JP2002245910A - 真空槽用光電スイッチ及び真空搬送装置 - Google Patents

真空槽用光電スイッチ及び真空搬送装置

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JP2002245910A
JP2002245910A JP2001043834A JP2001043834A JP2002245910A JP 2002245910 A JP2002245910 A JP 2002245910A JP 2001043834 A JP2001043834 A JP 2001043834A JP 2001043834 A JP2001043834 A JP 2001043834A JP 2002245910 A JP2002245910 A JP 2002245910A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 透光窓を1つ設けるだけで内部の被処理物を
検出できる真空槽を提供することにあり、また、それに
適した真空槽用光電スイッチを提供する。 【解決手段】 光電スイッチ本体10は、真空槽20の
外側に、投光部11及び受光部12を透光窓22に向け
た状態で、真空槽20の外壁面に固着されている。リフ
レクタ13は、真空槽20内であって、透光窓22が設
けられた壁面に対向する内壁面上に、反射面を透光窓2
2に向けた状態で、取り付け基板に形成された一対の取
付孔H,Hが真空槽20の軸方向に並ぶ向きで、それぞ
れの取付孔H,Hに例えばボルト等を通して固着されて
いる。ここでリフレクタ13は、取付孔H,Hの並列方
向と、反射面M1,M2の交線Lとは45度の角度をな
すように形成されているから、光電スイッチ本体10側
から見ると、一対の反射面は、真空槽20の軸方向に対
して45度傾いた状態で取付けられることになる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空槽内にある物
体を検出するための光電スイッチ及びそれを使用した真
空槽に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体製造装置では、囲壁に囲ま
れた真空槽内を通して半導体ウエハを移送する。この真
空槽内を移送される半導体ウエハを検出するためには光
電スイッチが利用され、次のような構成が採用されてい
た。真空槽を構成する囲壁の所定部位には対向する一対
の開口部が形成され、ここに透光板が気密に嵌め込まれ
て2つの透光窓が形成されている。一方の透光窓の外側
には投光部が配置され、他方の透光窓の外側には、その
投光部から出射された光を受ける受光部が配置される。
そして、真空槽内を半導体ウエハが通過すると、投光部
と受光部との間の光軸が半導体ウエハによって遮られる
ことで、これが検出される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、真空槽の透
光窓を構成する透光板は高価であり、これをウエハ検出
のために槽内の密閉性を保持しつつ2カ所に設けなけれ
ばならないため、真空槽が非常に高価になるという問題
があった。なお、真空槽の透光窓を1つにするには、投
光部及び受光部を並設した光電スイッチ本体と、その投
光部からの光を受光部に反射させるリフレクタとを備え
てなり、投光部は所定方向の偏光面を有する偏光を出射
し、受光部はその偏光とは90度回転した偏光面を有す
る偏光を選択的に受光する構成としたリフレクタ反射型
の光電スイッチを利用する構成が考えられる。そのリフ
レクタを真空槽内に配置すると共に、光電スイッチ本体
を真空槽外に配置して透光窓からリフレクタに向けて光
を出射するのである。半導体ウエハがないとき、光電ス
イッチ本体の投光部から出射した光は透光窓を通って真
空槽内のリフレクタに至り、ここで反射して再び同じ透
光窓を通って受光部に戻される。リフレクタの前を半導
体ウエハが通過すると、投光部からの光が半導体ウエハ
によって遮られて受光部に入射しなくなるから、これを
検出することができるはずである。しかしながら、リフ
レクタは一般にプラスチック製である。従って、これを
真空槽内に配置すると、ここからガスが発生して真空槽
内を汚染し、半導体ウエハに不純物が付着してしまうと
いう問題が生ずるため、実際にはこのような構成は実現
不可能であった。
【0004】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、透光窓を1つ設けるだけで内部の被処
理物を検出できる真空槽を提供することにあり、また、
それに適した真空槽用光電スイッチを提供することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明に係る真空槽用光電スイッチは、投
光部及び受光部を並設した光電スイッチ本体と、投光部
からの光を反射して受光部に返すリフレクタとからな
り、真空槽内で移動する被処理物を検出するための真空
槽用光電スイッチにおいて、光電スイッチ本体を真空槽
に形成した透光窓の外側に設けると共に、リフレクタを
金属製として真空槽内のうち光電スイッチ本体との間で
被処理物の通過経路を挟む位置に設け、光電スイッチ本
体の投光部から透光窓を通して真空槽内に光を出射し、
リフレクタで反射する光を光電スイッチ本体の受光部に
て受光するようにしたところに特徴を有する。
【0006】また、請求項2の発明は、請求項1に記載
の真空槽用光電スイッチにおいて、リフレクタは一対の
平面状の反射面を備えてその反射面間が直角となるよう
に構成されると共に、光電スイッチ本体の投光部は所定
方向の偏光面を有する偏光を出射し、受光部はその偏光
とは90度回転した偏光面を有する偏光を選択的に受光
する構成とされ、リフレクタは、その両反射面が交わる
線と、光電スイッチ本体の投光部から出射される偏光の
偏光面とがなす角度が、0度及び90度以外であってそ
れらの間の角度となるように取り付けられているところ
に特徴を有する。
【0007】さらに、請求項3の発明は、請求項1に記
載の真空槽用光電スイッチにおいて、リフレクタは、凹
部を有した金属部材であって、その凹部の内面に形成さ
れる反射面が頂角が90度の円錐状をなしているところ
に特徴を有する。
【0008】請求項4の発明に係る真空搬送装置は、囲
壁に透光窓が気密状態で形成され内部に被処理物を通過
させる真空槽と、投光部及び受光部を並設してなり透光
窓に対向して囲壁の外側に設けられる光電スイッチ本体
と、囲壁内のうち光電スイッチ本体との間で被処理物の
通過経路を挟む位置に設けられた金属製のリフレクタと
からなり、光電スイッチ本体の投光部から透光窓を通し
て囲壁内に光を出射し、リフレクタで反射する光を光電
スイッチ本体の受光部にて受光するようにしたところに
特徴を有する。
【0009】また、請求項5の発明は、請求項4に記載
の真空搬送装置において、リフレクタは一対の平面状の
反射面を備えてその反射面間が直角となるように構成さ
れると共に、光電スイッチ本体の投光部は所定方向の偏
光面を有する偏光を出射し、受光部はその偏光とは90
度回転した偏光面を有する偏光を選択的に受光する構成
とされ、リフレクタは、その両反射面が交わる線と、光
電スイッチ本体の投光部から出射される偏光の偏光面と
がなす角度が、0度及び90度以外であってそれらの間
の角度となるように取り付けられているところに特徴を
有する。
【0010】さらに、請求項6の発明は、請求項4に記
載の真空搬送装置において、リフレクタは、凹部を有し
た金属部材であって、その凹部の内面に形成される反射
面が頂角が90度の円錐状をなしているところに特徴を
有する。
【0011】なお、本発明でいう「直角」とは厳密な意
味での直角を必ずしも意味するものではない。一対の反
射面が直角をなすように構成したのは、投光部からの光
をその投光部に隣接した受光部に戻すためである。そし
て投光部からの光は実際には一定の幅(広がり)を有し
ており、両反射面を厳密的な意味での「直角」から多少
ずれた角度で構成されていてもその一部の光は受光部に
返すことができる。従って、本発明でいう「直角」と
は、投光部から出射される一定の幅を持った光をそれに
隣接した受光部に返すことができる実質的な意味での
「直角」を意味する。また、本発明でいう「円錐の頂角
が90度」とは厳密的な意味での90度を必ずしも意味
するものではない。このような構成としたのは、投光部
からの光をその投光部に隣接した受光部に戻すためであ
る。そして投光部からの光は実際には一定の幅(広が
り)を有しており、反射面を構成する円錐の頂角を厳密
的な意味での「90度」から多少ずれた角度で構成され
ていてもその一部の光は受光部に返すことができる。従
って、本発明でいう「円錐の頂角が90度」とは、投光
部から出射される一定の幅を持った光をそれに隣接した
受光部に返すことができる実質的な意味での「90度」
を意味する。
【0012】
【発明の作用】本発明の構成によれば、被処理物がない
とき、光電スイッチ本体の投光部から出射した光は透光
窓を通って真空槽内のリフレクタに至り、ここで反射し
て再び同じ透光窓を通って受光部に戻される。これに対
して、リフレクタの前を被処理物が通過すると、投光部
からの光が被処理物によって遮られて受光部に入射しな
くなるから、これを検出することができる。ここで、本
発明のリフレクタは金属製であって真空槽内に配しても
ガスを発生することはないから、真空槽内を汚染するこ
とがない。また、リフレクタを真空槽内に配したこと
で、真空槽には、光電スイッチ本体及びリフレクタ間で
形成される光軸を通すための窓部を1つ設ければ足りる
ため、従来よりも安価な真空槽とすることができる。
【0013】また、請求項2及び5の構成では、光電ス
イッチ本体の投光部から出射された光は、まずリフレク
タの一方の平面状の反射面で反射して他方の反射面に向
かい、ここで再び反射して光電スイッチ本体の受光部に
入射する。このとき、投光部は所定方向の偏光面を有す
る光を出射しており、リフレクタの両反射面は互いに9
0度の角度で交わる形態であるから、リフレクタにおい
て2回の反射を繰り返すことにより、偏光面は90度回
転して受光部に向かうことになる。そして、光電スイッ
チ本体の受光部は、投光部からの偏光とは90度回転し
た偏光面を有する偏光を選択的に受光する構成であるか
ら、リフレクタによって反射された光が受光部に入射す
ることになる。ここで、リフレクタの両反射面が交わる
線と、投光部から出射される偏光の偏光面とが、0度又
は90度の角度をなすようにリフレクタが取り付けられ
ていると、投光部からの偏光の偏光面は反射を繰り返し
ても回転しないが、本発明では、両者がそれらの角度を
避けるように取り付けられているから、偏光面は確実に
回転して受光部に入射する。なお、リフレクタの両反射
面が交わる線と、投光部から出射される偏光の偏光面と
がなす角度は45度とすることが最も好ましいが、0度
及び90度以外の角度なら受光部に光の入射を得られ
る。
【0014】そして、真空槽内で被処理物が移動して光
電スイッチ本体の投光部とリフレクタとの間の光軸を遮
るようになると、受光部への光の入射が断たれるから、
これに基づき検出動作が行われる。ここで、被処理物が
半導体ウエハのような鏡面反射性の物質であると、投光
部からの光は偏光面を保存して受光部に向けて反射され
る。ところが、本発明では、受光部は、投光部から出射
される偏光とは90度回転した偏光面を有する偏光を選
択的に受光する構成であるから、被処理物によって反射
された光は、偏光面が回転していないから、受光部に入
射することがなく、これに基づき検出動作が行われる。
【0015】なお、リフレクタを3面の反射面を互いに
直交するように組み合わせたいわゆるコーナキューブタ
イプとすると、金属製のリフレクタでは被処理物の鏡面
反射とリフレクタからの反射とを区別できなくなる。そ
の理由は、金属製のリフレクタでは反射時に偏光面が保
存されるから、コーナキューブタイプでは1回の反射に
よって60度ずつ偏光面が回転し、結局、3回の反射で
180度偏光面が回転して元に戻ることになり、被処理
物の鏡面反射と偏光面の向きが同じになるためである。
【0016】請求項3及び6の構成によれば、投光部か
らの光は、まずリフレクタの凹部の内面に形成された円
錐状の反射面で反射して、その円錐の中心軸側に向い、
その向い側の反射面で再び反射して受光部に入射する。
このとき、投光部は所定方向の偏光面を有する光を出射
しており、金属製のリフレクタの反射面を構成する円錐
は、その頂角が90度であるから、請求項2及び5の発
明と同様に、リフレクタにおいて2回の反射を繰り返す
ことにより、90度回転した偏光面を有する光が受光部
に向かうことになる。ここで、リフレクタの反射面は、
光電スイッチ本体側から見て上下左右方向に対称な円錐
形状をなしているから、この反射面に対して円錐の頂点
を中心とするあらゆる角度から投光部の光が入射して
も、上記の反射を繰り返してその全部又は一部の偏光面
が回転して受光部に戻すことが可能になる。これによ
り、受光部により一定の光量が受光され得るられるだけ
でなく、請求項2及び5の発明に比べて光電スイッチ本
体に対するリフレクタの取り付け作業が簡単になるとい
う効果がある。
【0017】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、真
空槽に透光窓を1つだけ設ければ済むから、真空槽を低
コスト化することができる。また、請求項2、請求項
3、請求項5及び請求項6の発明によれば、真空槽内の
被処理物が鏡面反射を行う場合であっても、被処理物か
らの反射光とリフレクタからの反射光とを区別して確実
な検出動作を行うことができるという効果が得られる。
【0018】
【発明の実施の形態】<第1実施形態>本発明の第1実
施形態を図1ないし図4によって説明する。本実施形態
に係る真空搬送装置1は、例えば半導体製造装置に備え
られ、囲壁25Aが気密状態で形成された真空槽25
と、その真空槽25内を通過する半導体ウエハWを検出
する真空槽用光電スイッチとからなる。まず、真空槽2
5は、図1に示すように、その囲壁25Aの所定部位に
開口部が形成され、その開口部に、透光板26が気密に
嵌め込まれた透光窓27がボルト締めされ、槽内の密閉
性が維持されている。
【0019】真空槽用光電スイッチは、図1に示すよう
に、光電スイッチ本体10と、光電スイッチ本体10に
対向して配されるリフレクタ13とを備えてなる。光電
スイッチ本体10には、リフレクタ13に向って光R1
を投光する投光部11と、リフレクタ13から返ってき
た反射光R2を受光する受光部12とが並設されてい
る。投光部11は、投光素子11Aと、投光素子11A
の前面に配された偏光フィルタ11Bとからなる。偏光
フィルタ11Bは、その投光素子11Aから出射された
光のうち例えば同図の上下方向を偏光面とした光(以下
「第1成分の光」という)のみの通過を許容する構造を
なしている。従って、投光部11から出射される光R1
は、第1成分の光のみで構成されたものとなる。一方、
受光部12は、受光素子12Aと、受光素子12Aの前
面に配された偏光フィルタ12Bとからなる。偏光フィ
ルタ12Bは、リフレクタ13から返された反射光R2
のうち前記第1成分の光とは90度回転した偏光面(同
図の図面の表裏方向)を有する光(以下「第2成分の
光」という)のみの通過を許容する構造をなしている。
従って、受光部12は、その第2成分の光とは偏光面の
向きが異なる光は受光しない。
【0020】さて、リフレクタ13は、例えば、図2に
示すように、円形の取り付け基板と、その取り付け基板
の片面側に突設された短円柱状の反射部とが一体成形さ
れた金属(例えば、ステンレスやアルミ等)製部材であ
る。反射部のうち前記光電スイッチ本体10に向けられ
る上面側には、断面V字型の一対の反射面M1,M2が
形成され、例えばリフレクタ13を切削後に必要に応じ
て電解研磨して鏡面を得ることができる。なお、両反射
面M1,M2がなす角度は直角をなすように形成されて
いる。また、前記取り付け基板には、反射部を挟むよう
に一対の取付孔H,Hが貫通形成れており、両取付孔
H,Hの並列方向と、反射部の両反射面M1,M2の交
わる線(以下、「交線L」という)とは45度の角度を
なす。
【0021】そして、光電スイッチ本体10は、真空槽
25の外側に、投光部11及び受光部12を透光窓27
に向けた状態で、例えば真空槽25の外壁面に図示しな
い取付け部材で固着されている。一方、リフレクタ13
は、真空槽25内であって、光電スイッチ本体10との
間で半導体ウエハWの通過経路を挟む位置、本実施形態
では、透光窓27が設けられた壁面に対向する内壁面上
に、反射面を透光窓27に向けた状態で、取り付け基板
に形成された一対の取付孔H,Hが真空槽25の軸方向
に並ぶ向きで、それぞれの取付孔H,Hに例えばボルト
等を通して固着されている。ここで、上述したように、
リフレクタ13は、取付孔H,Hの並列方向と、反射面
M1,M2の交線Lとは45度の角度をなすように形成
されているから、図2(A)に示すように光電スイッチ
本体10側から見ると、一対の反射面は、真空槽25の
軸方向に対して45度傾いた状態で取付けられることに
なる。
【0022】次に、本実施形態の作用について図3及び
図4を参照しつつ説明する。なお、図3及び図4におい
て、両矢印の記号は光R1及び反射光R2の偏光面の向
きを表したものである。まず、リフレクタ13の前面に
半導体ウエハWがないとき、投光部11から出射された
偏光R1は、透光窓27を通って真空槽25内のリフレ
クタ13の一方の反射面M1で反射して他方の反射面M
2に向い、ここで再び反射して光電スイッチ本体10の
受光部12に戻される。このとき、リフレクタ13の両
反射面M1,M2は、互いに90度の角度で交わる形態
であって共に金属で形成されている。従って、図3に示
すように、第1成分の光のみで構成された光R1は、そ
の偏光面が保存されつつ両反射面M1,M2での2回の
反射を繰り返すことにより、90度回転した偏光面を有
する光が受光部12に向うことになる。受光部12は、
上述したように第2の成分の光のみを受光する構成とさ
れているが、受光部12に戻される光R2には第1成分
の光だけでなく第2成分の光も含まれているから、その
光が受光部12に入射することになる。
【0023】ここで、本実施形態のように投光部11か
ら出射される光R1の偏光面と、リフレクタ13の両反
射面M1,M2の交線Lとが0度又は90度の角度をな
すようにリフレクタ13が取り付けられていると、図4
(B)及び(C)に示すように、2度の反射を繰り返し
ても偏光面は回転しない。従って、反射光R2は光R1
と同様に第1成分の光のみで構成された光として受光部
12に向うことになり、受光部12に入射しなくなって
しまう。しかしながら、本実施形態では、0度又は90
度の角度を避けて45度の角度をなすように構成されて
いるから上述のように偏光面は確実に回転して受光部1
2に入射させることが可能になる。なお、0度又は90
度以外の角度であれば、必ずしも45度でなくてもよい
が、45度の角度に設定した場合には、光R1のうち最
も多くの光が反射面M1,M2により回転されることが
実験的に認められている。従って、本実施形態では一対
の取付孔H,Hの並列方向と、反射部の交線Lとは45
度の角度をなすように形成することで、光電スイッチ本
体10とリフレクタ13との位置調整の際より簡単にそ
の角度に設定できるような工夫がしてある。
【0024】そして、真空槽25内で半導体ウエハWが
移動して光電スイッチ本体10の投光部11とリフレク
タ13との間の光軸を遮るようになるが、半導体ウエハ
Wのような鏡面反射性の物質では、投光部11からの光
R1は半導体ウエハWで回転せずに反射して受光部12
に向うことになる。しかしながら受光部12は、第2成
分の光のみの入射を許容して、光R1と同じ第1成分の
光は受光部12に入射しない。従って、受光部12の入
射の有無に基づいて検出動作を行うことが可能になる。
【0025】このように、本実施形態に係る真空搬送装
置によれば、リフレクタ13を、真空槽25内でガスを
発生するプラスチック製ではなく金属製として、真空槽
25内に配する構成とすることで、真空槽25に透光窓
27を1つだけ設ければ済むから、真空槽25を低コス
ト化することができる。
【0026】また、投光部11及び受光部12は互いに
位相が90度異なる光のみをそれぞれ投光及び受光する
ようにし、リフレクタ13は、直角をなす一対の反射面
M1,M2を備えて、両反射面M1,M2の交線Lと、
投光部11から出射される光R1の偏光面が0度又は9
0度を避けて45度の角度になるような向きにリフレク
タ13を配置した。これにより、半導体ウエハWのよう
に鏡面反射を行うものであっても、半導体ウエハWから
の反射光とリフレクタ13からの反射光とを区別して確
実な検出動作を行うことができる。
【0027】<第2実施形態>図5は第2実施形態を示
す。前記実施形態との相違は、光電スイッチの投光部1
1の投光素子11A及び受光部12の受光素子12Aの
それぞれから光ファイバF1,F2を導出させて、各光
ファイバF1,F2の先端を偏光フィルタ11B,12
Bを介して、リフレクタ13と対向する位置に設置した
ところにあり、その他の点は前記第1実施形態と同様で
ある。従って、第1実施形態と同一符号を付して詳細な
説明を省略し、異なるところのみを次に説明する。
【0028】この構成によれば、投光素子11Aから出
射された光は、光ファイバF1によて伝送されその先端
部から偏光フィルタ11Bを介して第1成分の光のみが
出射され、リフレクタ13から戻された光R2のうち、
第2成分の光のみが偏光フィルタ12Bを介して光ファ
イバF2の先端部に入光して、その光ファイバF2によ
って受光部12に伝送される。このような構成であって
も第1実施形態と同じ効果を得ることができる。
【0029】<第3実施形態>図6は第3実施形態に係
るリフレクタ30を示す。第1実施形態のリフレクタ1
3との相違は、交線Lに沿って溝31が形成されている
ところにある。この構成によれば、リフレクタ成形時に
溝31が加工逃げとして機能する。なお、その他の点は
前記第1実施形態と同様であり同様の効果を得ることが
できる。
【0030】<第4実施形態>図7は第4実施形態に係
るリフレクタ40を示す。一対の反射面M1,M2で構
成されるV字溝は第1実施形態のリフレクタ13のよう
に1列とは限られず、本実施形態のように複数列形成し
たものであっても前記第1実施形態と同様の効果を得る
ことができる。
【0031】<第5実施形態>図8は第5実施形態に係
るリフレクタ50を示す。第1実施形態のリフレクタ1
3との相違は、取り付け基板のうち取付孔の並列方向と
直角をなす方向の両端を切断した形状とした点にあり、
例えば真空槽の狭い内壁にも取付けることができる。
【0032】<第6実施形態>図9は第6実施形態に係
るリフレクタ60を示す。第1実施形態のリフレクタ1
3は、V字溝が交線に沿って貫かれた形状となっていた
が、リフレクタ60は、反射部の上面の周縁部を残しつ
つV字溝が形成され、その両端に壁面が残存した形状と
なっている。この構成であれば第1実施形態のリフレク
タ13に比べて外力による損傷を防止することができ
る。
【0033】<第7実施形態>図10は第7実施形態に
係るリフレクタ70を示す。一対の反射面M1,M2が
直角をなして構成されていれば、第6実施形態のリフレ
クタ60のように各反射面M1,M2の形状が矩形以外
でなくても、本実施形態に係るリフレクタ70のように
三角形であってもよい。
【0034】<第8実施形態>また、第6実施形態のリ
フレクタ以外に、図11に示す第8実施形態に係るリフ
レクタ80のように、半円形状のものであってもよい。
【0035】<第9実施形態>図12は第9実施形態に
係るリフレクタ90を示す。リフレクタ90は、図9に
示すように概ねS字状の金属板であって、その両端部分
に一対の取付孔H,Hを形成すると共に、両取付孔H,
Hで挟まれる中央部分を両取付孔H,Hの並列方向と4
5度の角度をなす方向に沿って互いに同方向に折り曲げ
て、第1実施形態のリフレクタ13同様の直角をなす一
対の反射面を構成するようにした。
【0036】<第10実施形態>図13は第10実施形
態に係るリフレクタ100を示す。リフレクタ100
は、第1実施形態のリフレクタ13の取り付け基板がな
い代わりに、反射面M1,M2が形成された面と反対の
面に、やはり一対のねじ穴が形成されている。
【0037】<第11実施形態>図14は第11実施形
態に係るリフレクタ110を示す。第1実施形態のリフ
レクタ13との相違は、取り付け基板及び反射部の平断
面が円形ではなく矩形をなしている。
【0038】<第12実施形態>図15は第12実施形
態に係るリフレクタ120を示す。第11実施形態のリ
フレクタ110との相違は、一対の取付孔H,Hが反射
面M1,M2が形成された面と面一をなす面から貫通形
成されている。
【0039】<第13実施形態>図16は第13実施形
態に係るリフレクタ130を示す。リフレクタ130
は、概ね直方体をなし、その一側面には長手方向に対し
て45度傾いた方向に沿って一対の反射面M1,M2が
やはり直角をなして形成されている。なお、その反射面
M1,M2とは反対側の面及びその側面には一対のねじ
穴N,Nがそれぞれ形成されている。
【0040】<第14実施形態>図17は第14実施形
態に係るリフレクタ140を示す。第13実施形態のリ
フレクタ130は、V字溝が交線に沿って貫かれた形状
となっていたが、リフレクタ140は、反射部の上面の
周縁部を残しつつV字溝が形成され、その両端に壁面が
残存した形状となっている。この構成であれば第13実
施形態のリフレクタ130に比べて外力による損傷を防
止することができる。
【0041】<第15実施形態>図18は第15実施形
態に係るリフレクタ150を示す。一対の反射面M1,
M2が直角をなして構成されていれば、第14実施形態
のリフレクタ140の各反射面M1,M2の形状と異な
り、本実施形態に係るリフレクタ70のように略台形で
あってもよい。
【0042】<第16実施形態>図19及び図20は
(請求項3及び6の発明に対応する)第16実施形態の
リフレクタ20を示す。前記第1実施形態とは、リフレ
クタの反射面の形状が異なり、その他の点は前記第1実
施形態と同様である。従って、第1実施形態と同一符号
を付して詳細な説明を省略し、異なるところのみを次に
説明する。リフレクタ20は、図19に示すように、全
体として円柱形をなし、その一方の端面に凹部が形成さ
れ、その凹部の内面に形成された面が頂角が90度の円
錐をなして反射面M3を構成している。なお、反射面M
3の円錐状の頂点に相当する部分には、取り付け基板の
裏側まで貫通した貫通孔21が形成されており、切削の
際、加工逃げとして機能する。
【0043】さて、本実施形態の作用について図20を
参照しつつ説明する。なお、図20において、両矢印の
記号は光R1及び反射光R2の偏光面の向きを表したも
のである。まず、リフレクタ20の前面に半導体ウエハ
Wがないとき、投光部11から出射された偏光R1は、
リフレクタ20の円錐形をなす反射面M3の一部で反射
して、その円錐の中心軸側に向い、その向い側の反射面
M3で再び反射して受光部12に戻される。リフレクタ
20の反射面M3を構成する円錐は、その頂角が90度
であって金属で形成されているから、図20に示すよう
に、第1実施形態のリフレクタ13と同様に、反射面M
3において2回の反射を繰り返すことにより、90度回
転した偏光面を有する光が受光部12に向かうことにな
る。ここで、リフレクタ20の反射面M3は、図20に
示すように、光電スイッチ本体10側から見て上下左右
方向に対称な円錐形状をなしているから、この反射面M
3に対して円錐の頂角を中心とするあらゆる角度から投
光部11の光R1が入射しても、上記の反射を繰り返し
てその全部又は一部の偏光面が回転して受光部12に戻
すことが可能になる。
【0044】そして、鏡面反射性の物体である半導体ウ
エハWが移動して投光部11及びリフレクタ20との間
の光軸を遮る場合では、第1実施形態と同様に、投光部
12からの光R1は半導体ウエハWでは回転せずに反射
して受光部12に戻されることになり、もって半導体ウ
エハWの検出が可能になる。このような構成であれば、
受光部12により一定の光量を受光することが可能にな
り鏡面反射を行う半導体ウエハ等であっても検出でき
る。さらに、本実施形態のリフレクタ20の反射面M3
は円錐で構成されその軸に対して上下・左右対称の形状
であって、その軸を中心としたあらゆる方向から投光部
11の光R1が入ってくる場合でも反射して受光部12
に戻すことができるから、光電スイッチ本体10に対す
るリフレクタ13の取り付け作業が第1実施形態に比べ
てより簡単になる。
【0045】<第17実施形態>図21は第17実施形
態に係るリフレクタ160を示す。第16実施形態のリ
フレクタ20との相違は、取り付け基板のうち取付孔の
並列方向と直角をなす方向の両端を切断した形状とした
点にあり、例えば狭い内壁等にも取付けることができ
る。
【0046】<第18実施形態>図22は第18実施形
態に係るリフレクタ170を示す。リフレクタ170
は、第16実施形態のリフレクタ20の取り付け基板が
ない代わりに、反射面M3が形成された面と反対の面
に、やはり一対のねじ穴N,Nが形成されている。
【0047】<第19実施形態>図23は第19実施形
態に係るリフレクタ180を示す。リフレクタ180
は、概ね直方体をなし、その一側面に形成した凹部の内
面に円錐状の反射面M3が形成されている。本実施形態
のように反射面M3はその全体が円錐である必要はな
く、実際に光を反射させる面のみが円錐形状の一部を構
成していればよい。なお、その反射面M3とは反対側の
面及びその側面には一対のねじ穴N,Nがそれぞれ形成
されている。
【0048】<第20実施形態>図24は第20実施形
態に係るリフレクタ190を示す。第19実施形態のリ
フレクタ180とは異なり、反射部の上面の周縁部を残
しつつ円錐形状が形成され、その両端に壁面が残存した
形状となっている。この構成であれば第19実施形態の
リフレクタ180に比べて外力による損傷を防止するこ
とができる。
【0049】<他の実施形態>本発明は、前記実施形態
に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するよ
うな実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、
下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することができる。 (1)上記各実施形態では、リフレクタを同一金属で一
体成形したが、例えば母体を安価なステンレスとして、
反射面のみ反射効率のよい他の金属とすることでリフレ
クタ全体として低コスト化を図ったものであってもよ
い。
【0050】(2)上記各実施形態の光電スイッチ10
の投光部11を偏光を出射する半導体レーザで構成して
もよい。この構成であれば、偏光フィルタ11Bが不要
になるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る真空搬送装置の構
成図
【図2】そのリフレクタの平面図等
【図3】光電センサ本体及びリフレクタ間の投受光を説
明するための説明図
【図4】リフレクタの設置角度による反射光の相違を説
明するための説明図
【図5】本発明の第2実施形態に係る真空搬送装置の構
成図
【図6】本発明の第3実施形態に係るリフレクタの平面
図等
【図7】本発明の第4実施形態に係るリフレクタの平面
図等
【図8】本発明の第5実施形態に係るリフレクタの平面
図等
【図9】本発明の第6実施形態に係るリフレクタの平面
図等
【図10】本発明の第7実施形態に係るリフレクタの平
面図等
【図11】本発明の第8実施形態に係るリフレクタの平
面図等
【図12】本発明の第9実施形態に係るリフレクタの平
面図等
【図13】本発明の第10実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【図14】本発明の第11実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【図15】本発明の第12実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【図16】本発明の第13実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【図17】本発明の第14実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【図18】本発明の第15実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【図19】本発明の第16実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【図20】光電センサ本体及びリフレクタ間の投受光を
説明するための説明図
【図21】本発明の第17実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【図22】本発明の第18実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【図23】本発明の第19実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【図24】本発明の第20実施形態に係るリフレクタの
平面図等
【符号の説明】
10…光電スイッチ本体 11…投光部 12…受光部 13,20,30,40,50,60,70,80,9
0,100,110,120,130,140,15
0,160,170,180,190…リフレクタ 25…真空槽 25A…囲壁 27…透光窓 L…交線 M1,M2,M3…反射面 R1…光 R2…反射光 W…半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/68 H01L 21/68 F

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 投光部及び受光部を並設した光電スイッ
    チ本体と、前記投光部からの光を反射して前記受光部に
    返すリフレクタとからなり、真空槽内で移動する被処理
    物を検出するための真空槽用光電スイッチにおいて、 前記光電スイッチ本体を前記真空槽に形成した透光窓の
    外側に設けると共に、前記リフレクタを金属製として前
    記真空槽内のうち前記光電スイッチ本体との間で前記被
    処理物の通過経路を挟む位置に設け、前記光電スイッチ
    本体の前記投光部から前記透光窓を通して前記真空槽内
    に光を出射し、前記リフレクタで反射する光を前記光電
    スイッチ本体の受光部にて受光するようにしたことを特
    徴とする真空槽用光電スイッチ。
  2. 【請求項2】 前記リフレクタは一対の平面状の反射面
    を備えてその反射面間が直角となるように構成されると
    共に、前記光電スイッチ本体の投光部は所定方向の偏光
    面を有する偏光を出射し、前記受光部はその偏光とは9
    0度回転した偏光面を有する偏光を選択的に受光する構
    成とされ、前記リフレクタは、その両反射面が交わる線
    と、前記光電スイッチ本体の投光部から出射される偏光
    の偏光面とがなす角度が、0度及び90度以外であって
    それらの間の角度となるように取り付けられていること
    を特徴とする請求項1記載の真空槽用光電スイッチ。
  3. 【請求項3】 前記リフレクタは、凹部を有した金属部
    材であって、その凹部の内面に形成される反射面が頂角
    が90度の円錐状をなしていることを特徴とする請求項
    1記載の真空槽用光電スイッチ。
  4. 【請求項4】 囲壁に透光窓が気密状態で形成され内部
    に被処理物を通過させる真空槽と、投光部及び受光部を
    並設してなり前記透光窓に対向して前記囲壁の外側に設
    けられる光電スイッチ本体と、前記囲壁内のうち前記光
    電スイッチ本体との間で前記被処理物の通過経路を挟む
    位置に設けられた金属製のリフレクタとからなり、前記
    光電スイッチ本体の前記投光部から前記透光窓を通して
    前記囲壁内に光を出射し、前記リフレクタで反射する光
    を前記光電スイッチ本体の受光部にて受光するようにし
    たことを特徴とする真空搬送装置。
  5. 【請求項5】 前記リフレクタは一対の平面状の反射面
    を備えてその反射面間が直角となるように構成されると
    共に、前記光電スイッチ本体の投光部は所定方向の偏光
    面を有する偏光を出射し、前記受光部はその偏光とは9
    0度回転した偏光面を有する偏光を選択的に受光する構
    成とされ、前記リフレクタは、その両反射面が交わる線
    と、前記光電スイッチ本体の投光部から出射される偏光
    の偏光面とがなす角度が、0度及び90度以外であって
    それらの間の角度となるように取り付けられていること
    を特徴とする請求項4記載の真空搬送装置。
  6. 【請求項6】 前記リフレクタは、凹部を有した金属部
    材であって、その凹部の内面に形成される反射面が頂角
    が90度の円錐状をなしていることを特徴とする請求項
    4記載の真空搬送装置。
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