JP2002238875A - 磁界外乱補償を有する磁気共鳴撮影装置 - Google Patents
磁界外乱補償を有する磁気共鳴撮影装置Info
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Abstract
によって磁界変化を判定し、MRI装置における磁界変
化を能動的に相殺して結果として生じる画像を改善す
る。 【解決手段】 磁界変化を感知し、磁界変化信号を生成
するセンサ(32)は、内部に転送機能を有する制御回
路に結合される。制御回路(12)を使用して、磁界変
化信号に応答する補償信号が生成される。補償信号(1
2)は、装置の第1の磁石部分及び第2の磁石部分によ
り配置される補償コイルに結合されても良い。また、補
償信号(12)は、時間依存バイアスを生成したり、搬
送周波数を変更したりして、磁気外乱を相殺しても良
い。
Description
共鳴撮影に関し、特に、磁気撮影装置における磁界外乱
の検出・補償に関する。
の陽子が、静磁界の下でこの撮影対象物に印加される高
周波磁界により励起されて共鳴する。静磁界は、クライ
オジェンに浸漬され、電流で通電された超伝導線の複数
のコイルを有する超伝導磁石により生成されても良い。
数テスラの電界強度は、ほぼ電力を消費することなしに
達成される。
陽子の共鳴振動数は、磁界の強度及び陽子の一定の特性
に依存する。
界よりも強度の低い個々の傾斜磁界が被撮影体に印加さ
れ、撮影対象物内の各陽子の位置に従って陽子の共鳴の
移相及び振動数の偏移を行なう。続いて、共鳴する陽子
により生成された結合信号は、数学的に分析され、被撮
影体を貫いた「断面」に沿って被撮影体の画像を生成す
る。
鳴の位相及び振動数に依存する。静磁界が均一である場
合、この位相及び振動数は、傾斜磁界の陽子の位置にの
み依存する。静磁界が均一でない場合、陽子の見かけの
位置は、その共鳴の位相及び振動数により判定されて変
更される。これにより、被撮影体の再構成された画像に
アーティファクト又はその他のひずみがもたらされる。
このようなアーティファクトを除去するには、MRIで
使用される静磁界が極めて均一であることが必要であ
る。撮影体積中、数ppmに満たない磁界均一性が要求
される。
ばならない。1つのMRI断面画像のためのデータを収
集するのに必要とされる時間は、撮影技術によっては、
数分である。磁石又は磁石構造の機械的外乱により、磁
界強度における時間依存の変化が生じる。このような機
械的外乱は、磁界変化を引き起こし、MR撮影において
ゴーストアーティファクトを生成する恐れがある。駆動
する機械的機能によっては、これらの外乱は、更に、磁
石構造の振動を引き起こし、磁界強度の発振を生じる結
果となる恐れがある。磁界変化は、空間的に独立してい
ても良く、ある空間軸に対する直線依存性又は磁石の撮
影体積内のある空間軸に対する二乗などのより高い次数
での依存性のような空間的依存条件を追加的に有しても
良い。磁石の機械的外乱は、建物の振動などの環境外乱
により生じる可能性もあり、又は、MR撮影中の磁界傾
斜のパルシングによりMRIシステムに自己導入される
可能性もある。
界強度の変動により生じた磁界における望ましくないア
ーティファクト又はひずみを低減することが望ましいで
あろう。
目的は、磁石構造の運動又は磁界変化を検出することに
よって磁界変化を判定し、MRI装置における磁界変化
を能動的に相殺して結果として生じる画像を改善するこ
とである。
る装置は、第1の磁性物質と、第1の磁性物質から所定
の間隔だけ離間して配置された第2の磁性物質とを含
む。感知するセンサは、第1の磁性物質及び第2の磁性
物質に対して所定の関係で配置される。センサは、磁界
変化を示す磁界変化信号を生成する。制御回路がセンサ
に結合され、磁界変化信号に応答して補償信号を生成す
る。
動的に相殺する。
用して補償信号を受信し、変化した磁界の能動的な相殺
を生成しても良い。本発明の更に別の面では、補償信号
をトランシーバ回路に結合してトランシーバ回路の搬送
周波数を変更し、その結果、磁界変化の作用を補償して
も良い。
から所定の間隔で配置された第1の磁性物質を有する磁
気共鳴撮影装置における磁界外乱を補償する方法は、磁
界における変化を示す磁界変化信号を生成する過程と、
磁界変化信号に応答して補償信号を判定する過程と、補
償信号に応答して磁界における変化を能動的に補償する
過程とから成る。
複してシステムに組み込んでも良い点である。
図面及び特許請求の範囲と関連させながら好適な実施例
の詳細な説明を考察した場合に明らかであろう。
て同一の構成要素を識別するのに同一の符号が使用され
る。種々の実施例及び代替例が提示されるが、当業者に
は、本発明の趣旨から逸脱しないその他の種々の代替例
も明らかなものであろう。
撮影(MRI)装置10が示される。制御回路12は、
MRI装置の種々の機能を制御する。以下で更に詳細に
説明するように、筐体14は、患者用の画像体積を形成
するための磁気構造を収容し、患者は、支持構造16上
でこの画像体積内へと移動させられる。
回路12の簡略ブロック図が示される。通常、磁気共鳴
撮影装置10は、磁石上半分20と、磁石下半分22
と、磁石上半分20を磁石下半分22から所定の間隔で
保持するための支柱24とを有する。磁石上半分20
は、磁石下半分22と直列に接続される。通常、磁石上
半分20及び磁石下半分22は、それぞれ、撮影傾斜コ
イル26、28及びRFコイル27、29を有する。磁
石上半分20と磁石下半分22との間には、撮影体積3
0がある。撮影体積30は、磁石上半分20と磁石下半
分22とを包囲し且つ磁界の作用を受ける領域のみなら
ず、撮影対象の患者の位置を含む。種々の機械的外乱が
原因で、磁石上半分20及び磁石下半分22の相対位置
の変化により、ゴースト及びその他の望ましくない撮影
効果が引き起こされる恐れがある。
変化に対して補償を行なうために加えられている。制御
回路12はセンサ32を含み、このセンサ32は支柱2
4上に配置されても良い。言うまでもなく、センサ32
の位置が、磁石上半分20上の位置32Aなどのその他
の種々の位置であっても良いことは、当業者には明らか
であろう。センサ32は、圧電センサ、加速度計、光フ
ァイバひずみゲージ、マイクロ波干渉計、レーザ干渉
計、超音波変換器及び圧力変換器のいずれを含んでも良
いが、これらに限定されるものではない。また、当業者
には、2個以上のセンサ32を使用して良いことも明ら
かなものであろう。2個以上のセンサが使用される場
合、これらのセンサは、異なる種類のセンサであって
も、異なる位置に配置されていても良い。センサ32
は、センサデータブロック34により表される磁界変化
信号を生成する。磁界変化信号は、磁界変化を直接測定
しても良いし、あるいは、支柱又はその他の機械構造の
ひずみ又は動きを感知することによって推定しても良
い。センサデータブロック34は、制御部36に結合さ
れる。
フィルタ又は自己回帰移動平均(ARMA)装置、ある
いはアナログ回路などのマイクロプロセッサ系制御装置
を含む種々の制御装置のうちの1つであっても良い。制
御部36は、補償回路に対して独立型であっても良い
し、あるいは、MRシステム制御部に組み込まれても良
い。当業者には明らかであろうが、センサからのセンサ
データの種類によって、アナログ/デジタル変換器及び
/又はフィルタリングなどのデジタル信号処理が必要と
される場合もある。制御部36は、内部に転送機能を有
する。この転送機能は予め定められており、センサデー
タ34を処理して補償信号に変換するのに使用されるの
が好ましい。補償信号34には、所望の補償の種類によ
って決まる多様な形態があっても良い。本発明の第1の
実施例では、補償信号は増幅器38に供給される。この
増幅器38は、補償信号に応答する相対的な磁気運動に
より生じた磁界変化を補償するために、補償コイル4
2、44に結合される。
傾斜コイル28に結合される。傾斜コイル26、28
は、磁界を生成するために駆動される電磁コイルである
のが好ましい。
御部36は、補償コイルを駆動し、磁石上半分20及び
磁石下半分22の相対的移動又は単一の磁石半分内の構
成要素の相対運動による磁界における変化を最小限にす
るのに使用される補償信号へと磁界変化を示すセンサ信
号を所定の転送機能を介して変換する。補償コイルの磁
界は、磁気干渉を能動的に相殺する。
ーバ回路46は磁気共鳴撮影装置10に含まれる。トラ
ンシーバ回路は、当業者には周知のRF増幅器及び送受
信スイッチを含んでも良い。トランシーバ46は、制御
信号をRFコイル27、29に送信する。トランシーバ
46は、画像情報を受信し、画像再構成回路48で画像
を生成する。送信された信号は、通常、搬送周波数を有
するRF信号である。しかし、制御部36を使用して、
磁石上半分20及び磁石下半分22の相対的な機械移
動、又は、磁石上半分20及び磁石下半分22内での構
成要素の移動による磁界変化を補償するためにトランシ
ーバ搬送周波数を変更する補償信号を生成しても良い。
して、傾斜増幅器40を介して傾斜コイル26、28の
駆動信号に加算された時間依存バイアスを有する補償信
号を生成する。上述の第2の実施例と同様に、時間依存
バイアスに基づく補償回路により、撮影傾斜コイル2
6、28は、磁石上半分20及び磁石下半分22の機械
移動による磁界変化を相殺することが可能である。
0が、撮影体積30の外側に組み込まれる。センサ50
を撮影体積の外側に配置することによって、撮影中の磁
界傾斜のパルシングによりもたらされた磁界変化の直接
検出は最小限になる。磁界センサ50は、センサ32の
代わりに使用されても良く、あるいは、センサ32と組
み合わせて使用されても良い信号を生成する。転送機能
は、制御部36中にプログラムされ、磁界センサ50を
使用して補償信号を提供しても良い。磁界センサ50
は、当業者には周知の多様な磁界センサのうちの1つで
あっても良い。好適な磁界センサ50の一例は、磁石上
半分20及び磁石下半分22の一部又は全体を包囲する
誘導コイルである。
は、上述の方法のうちの2つ又は全てを組み合わせても
良い。
信号との対比で磁界発振を示すために、発振振幅対傾斜
パルス後の経過時間の図が示される。本図に示すよう
に、本発明によるセンサ系補償信号を使用して、磁界発
振の作用をほぼ相殺しても良い。
特定のセンサ及び磁気共鳴撮影装置向けの転送機能が、
実験に基づいて判定される。転送機能は、磁石の特定の
形態と、使用センサと、センサ位置とを考慮する。磁界
における変化は、直接又は間接的に感知され、転送機能
を使用することで磁界変化信号に応答する補償信号を生
成する。磁界変化は、能動的に相殺されるか、あるい
は、補償信号に応答して補償される。
してきたが、当業者は、種々の変形例及び代替実施例を
想到しうるであろう。従って、本発明は、特許請求の範
囲においてのみ制限される。
装置の斜視図。
装置の高レベルブロック図。
界分離の図。
の磁石部分、22…第2の磁石部分、32…センサ、4
2…第1の補償コイル
Claims (22)
- 【請求項1】 磁気共鳴画像を生成する装置において、 第1の磁石部分(20)と、 前記第1の磁石部分の磁界変化を示す磁界変化信号を生
成するセンサ(32)と、 前記センサに結合され、前記磁界変化信号に応答して補
償信号を生成して前記磁界変化を補償する制御回路(1
2)とを具備する装置。 - 【請求項2】 前記制御部に結合されたトランシーバ回
路(46)を更に具備する請求項1記載の装置。 - 【請求項3】 前記補償信号は、前記トランシーバ回路
(46)の搬送周波数を変更する請求項2記載の装置。 - 【請求項4】 前記制御部に結合され且つ前記第1の磁
石部分に隣接して配置され、前記補償信号に応答して磁
界を生成し、前記磁界変化を補償する第1の補償コイル
(42)を更に具備する請求項1記載の装置。 - 【請求項5】 前記第1の補償コイルと前記制御回路と
の間に結合された増幅器回路(38)を更に具備する請
求項4記載の装置。 - 【請求項6】 前記第1の磁石部分から所定の間隔だけ
離間した配置で前記第1の磁石部分に結合された第2の
磁石部分(22)を更に具備する請求項4記載の装置。 - 【請求項7】 前記第2の磁石部分(22)に隣接して
配置され、前記補償信号を受信する第2の補償コイル
(44)を更に具備する請求項6記載の装置。 - 【請求項8】 前記第1の磁石部分(20)と前記第2
の磁石部分(22)との間に結合され、前記センサ(3
2)が結合された支柱(16)を更に具備する請求項7
記載の装置。 - 【請求項9】 前記磁石は、撮影傾斜コイル(26)を
具備し、前記制御部は、前記撮影傾斜コイルに結合さ
れ、前記補償信号は、前記傾斜コイルのための時間依存
バイアス信号を含む請求項1記載の装置。 - 【請求項10】 前記センサは、圧電センサと、加速度
計と、光ファイバひずみゲージと、マイクロ波干渉計
と、超音波干渉計と、圧力変換器とから成る群より選択
される請求項1記載の装置。 - 【請求項11】 前記制御部(36)は、転送機能を内
部に有し、前記転送機能に応答する前記補償信号と前記
磁界変化信号とを生成する請求項1記載の装置。 - 【請求項12】 前記センサは、磁界センサであり、前
記第1の磁石部分及び前記第2の磁石部分は、撮影体積
を定義し、前記磁界センサは、前記撮影体積の外側に配
置される請求項1記載の装置(32)。 - 【請求項13】 磁気共鳴画像を生成する装置におい
て、 第1の磁石部分(20)と、 前記第1の磁石部分(20)から所定の間隔だけ離間し
て配置された第2の磁石部分(22)と、 磁界変化を示す磁界変化信号を生成するセンサ(32)
と、 前記制御部に結合され、前記第1の磁石部分に隣接して
配置された第1の補償コイル(42)と、 センサに結合され、前記磁界変化信号に応答して補償信
号を生成する制御回路(12)とを具備する装置。 - 【請求項14】 前記第2の磁石部分(22)に隣接し
て配置され、前記補償信号を受信する第2の補償コイル
(44)を更に具備する請求項13記載の装置。 - 【請求項15】 前記センサ(32)は、圧電センサ
と、加速度計と、光ファイバひずみゲージと、マイクロ
波干渉計と、超音波干渉計と、圧力変換器とから成る群
より選択される請求項13記載の装置。 - 【請求項16】 前記制御部は、転送機能を内部に有
し、前記転送機能に応答する前記補償信号と前記磁界変
化信号とを生成する請求項13記載の装置(36)。 - 【請求項17】 前記センサ(32)は、磁界センサで
あり、前記第1の磁石部分及び前記第2の磁石部分は、
撮影体積を定義し、前記磁界センサは、前記撮影体積の
外側に配置される請求項13記載の装置。 - 【請求項18】 第1の磁石部分(20)を有する磁気
共鳴撮影装置(10)における磁界外乱を補償する方法
において、 前記第1の磁石部分の磁界における変化を示す磁界変化
信号を生成する過程と、 前記磁界変化信号に応答して前記補償信号を判定する過
程と、 前記補償信号に応答して前記磁界における変化を能動的
に補償する過程とから成る方法。 - 【請求項19】 前記判定過程は、転送機能を生成する
ことと、前記転送機能のうちの一機能としての前記補償
信号と前記磁界変化信号とを生成することとから成る請
求項18記載の方法。 - 【請求項20】 前記能動的補償過程は、補償コイルに
おいて磁界を生成する過程から成る請求項18記載の方
法。 - 【請求項21】 前記判定過程は、搬送周波数を偏移し
た補償信号を生成することから成る請求項18記載の方
法。 - 【請求項22】 前記判定過程は、時間依存バイアスを
有する補償信号を生成する過程から成る請求項18記載
の方法。
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