JP2002237587A - ３−５族化合物半導体用電極の透明化方法 - Google Patents
３−５族化合物半導体用電極の透明化方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】３−５族化合物半導体に用いる電極を透明化す
る方法を提供する。 【解決手段】(1) ＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）
で表される３−５族化合物半導体に用いられる電極の透
明化方法であって、３−５族化合物半導体の上に電極材
料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４
００℃以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合
物半導体用電極の透明化方法。 (2) 熱処理を６００℃以上１１００℃以下で実施する
ことを特徴とする上記(1)の方法。 (3) ｘが、０．１≦ｘ≦１であることを特徴とする上
記(1)または(2)の方法。 (4) 保護層が、酸化硅素、窒化硅素及び錫添加酸化イ
ンジウムからなる群から選ばれた少なくとも１種からな
る層であることを特徴とする上記(1)〜(3)の方法。
る方法を提供する。 【解決手段】(1) ＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）
で表される３−５族化合物半導体に用いられる電極の透
明化方法であって、３−５族化合物半導体の上に電極材
料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４
００℃以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合
物半導体用電極の透明化方法。 (2) 熱処理を６００℃以上１１００℃以下で実施する
ことを特徴とする上記(1)の方法。 (3) ｘが、０．１≦ｘ≦１であることを特徴とする上
記(1)または(2)の方法。 (4) 保護層が、酸化硅素、窒化硅素及び錫添加酸化イ
ンジウムからなる群から選ばれた少なくとも１種からな
る層であることを特徴とする上記(1)〜(3)の方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は３−５族化合物半導体用
電極の透明化方法に関する。
電極の透明化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外もしくは青色の発光ダイオード（以
下、ＬＥＤと記すことがある。）又は紫外もしくは青色
のレーザダイオード等の発光デバイスの材料として、一
般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−
５族化合物半導体が知られている。該化合物半導体を用
いた発光素子について、概略を図１により説明する。図
１の例は、ｎ型のＩｎxＧａy Ａｌz ＮからなるＮ層２
と、ｐ型のＩｎx'Ｇａy'Ａｌz'ＮからなるＰ層３との界
面にｐ−ｎ接合を有する例である。ｎ電極４とｐ電極５
にそれぞれマイナス、プラスの電圧を加えると、接合の
順方向に電流が流れる。
下、ＬＥＤと記すことがある。）又は紫外もしくは青色
のレーザダイオード等の発光デバイスの材料として、一
般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−
５族化合物半導体が知られている。該化合物半導体を用
いた発光素子について、概略を図１により説明する。図
１の例は、ｎ型のＩｎxＧａy Ａｌz ＮからなるＮ層２
と、ｐ型のＩｎx'Ｇａy'Ａｌz'ＮからなるＰ層３との界
面にｐ−ｎ接合を有する例である。ｎ電極４とｐ電極５
にそれぞれマイナス、プラスの電圧を加えると、接合の
順方向に電流が流れる。
【０００３】ところで一般的に、ＬＥＤの作製の容易さ
からは、電極側から光を取り出せることが望ましい。た
とえば、図１の状態で検査を行なう場合、電極への電気
的接触は電極側から行ない、また基板は一般に粘着フィ
ルム等に支えられている。電極側から発光を取り出せる
場合は、この光をモニターすることで検査が容易に行な
える。一方、基板側から発光を取り出す場合には、粘着
フィルム等を通して発光を観察せねばならず、こうして
観察された発光は強度が弱められており、検査の信頼
性、容易さなどの点から問題がある。電極側から発光を
取り出すためには、電極金属の占める面積をなるべく小
さくすることが望ましく、また発光が素子全体に広がっ
ていることが望ましい。ところが、電極面積が小さい場
合、電流は素子全体に広がらず、電極周辺の限られた接
合部分のみから発光し、接合の一部分のみしか発光には
寄与しなくなる。つまり素子の形状に比べて不均一な発
光パターンとなり、表示用素子としての価値が下がる。
からは、電極側から光を取り出せることが望ましい。た
とえば、図１の状態で検査を行なう場合、電極への電気
的接触は電極側から行ない、また基板は一般に粘着フィ
ルム等に支えられている。電極側から発光を取り出せる
場合は、この光をモニターすることで検査が容易に行な
える。一方、基板側から発光を取り出す場合には、粘着
フィルム等を通して発光を観察せねばならず、こうして
観察された発光は強度が弱められており、検査の信頼
性、容易さなどの点から問題がある。電極側から発光を
取り出すためには、電極金属の占める面積をなるべく小
さくすることが望ましく、また発光が素子全体に広がっ
ていることが望ましい。ところが、電極面積が小さい場
合、電流は素子全体に広がらず、電極周辺の限られた接
合部分のみから発光し、接合の一部分のみしか発光には
寄与しなくなる。つまり素子の形状に比べて不均一な発
光パターンとなり、表示用素子としての価値が下がる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、一般
式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５
族化合物半導体に用いる透明な電極材料の透明化方法を
提供して、電極を通して電極方向への光の取り出しを可
能とし、ＬＥＤの製造における検査工程を容易でしかも
信頼性の高いものとするものである。
式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５
族化合物半導体に用いる透明な電極材料の透明化方法を
提供して、電極を通して電極方向への光の取り出しを可
能とし、ＬＥＤの製造における検査工程を容易でしかも
信頼性の高いものとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な事情をみて鋭意検討した結果、３−５族化合物半導体
の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成
したのち、特定の条件で熱処理することにより電極とし
ての機能を保持したまま電極が透明になることを見出
し、本発明を完成するに至った。
な事情をみて鋭意検討した結果、３−５族化合物半導体
の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成
したのち、特定の条件で熱処理することにより電極とし
ての機能を保持したまま電極が透明になることを見出
し、本発明を完成するに至った。
【０００６】即ち、本発明は、次に記す発明である。 （１）ＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される
３−５族化合物半導体に用いられる電極の透明化方法で
あって、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成
後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃以
上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体
用電極の透明化方法。 （２）熱処理を６００℃以上１１００℃以下で実施する
ことを特徴とする上記（１）記載の方法。 （３）ｘが、０．１≦ｘ≦１であることを特徴とする上
記（１）または（２）記載の方法。
１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される
３−５族化合物半導体に用いられる電極の透明化方法で
あって、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成
後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃以
上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体
用電極の透明化方法。 （２）熱処理を６００℃以上１１００℃以下で実施する
ことを特徴とする上記（１）記載の方法。 （３）ｘが、０．１≦ｘ≦１であることを特徴とする上
記（１）または（２）記載の方法。
【０００７】（４）保護層が、酸化硅素、窒化硅素及び
錫添加酸化インジウムからなる群から選ばれた少なくと
も１種からなる層であることを特徴とする上記（１）〜
（３）いずれかに記載の方法。 （５）電極材料がＡｕであることを特徴とする上記
（１）〜（４）いずれかに記載方法。 （６）電極材料がＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮｉから
なる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金であ
ることを特徴とする上記（１）〜（４）いずれかに記載
方法。
錫添加酸化インジウムからなる群から選ばれた少なくと
も１種からなる層であることを特徴とする上記（１）〜
（３）いずれかに記載の方法。 （５）電極材料がＡｕであることを特徴とする上記
（１）〜（４）いずれかに記載方法。 （６）電極材料がＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮｉから
なる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金であ
ることを特徴とする上記（１）〜（４）いずれかに記載
方法。
【０００８】次に、本発明を詳細に説明する。本発明に
おける３−５族化合物半導体とは、一般式Ｉｎx Ｇａy
Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体
である。該化合物半導体は、可視光領域から紫外線領域
に、３族元素の組成によって制御できるバンドギャップ
を持っており、そのバンド構造はすべての３族元素の組
成において高い発光効率が期待できる直接遷移型であ
る。特に、Ｉｎの濃度が１０モル％以上のものは、発光
波長が紫色又はそれより長波長の可視領域にすることが
できるため、表示用途への応用上好ましい。
おける３−５族化合物半導体とは、一般式Ｉｎx Ｇａy
Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体
である。該化合物半導体は、可視光領域から紫外線領域
に、３族元素の組成によって制御できるバンドギャップ
を持っており、そのバンド構造はすべての３族元素の組
成において高い発光効率が期待できる直接遷移型であ
る。特に、Ｉｎの濃度が１０モル％以上のものは、発光
波長が紫色又はそれより長波長の可視領域にすることが
できるため、表示用途への応用上好ましい。
【０００９】本発明の３−５族化合物半導体結晶は、好
ましくは基板の上に成長させて得られるが、用いる基板
については、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、スピネル、Ｚ
ｎＯ等を用いることができる。また、サファイア上には
ＡｌＮ等の薄膜をバッファ層とすることで結晶性の高い
ＧａＮ層を成長させることができる。ＧａＮと該３- ５
族化合物半導体は格子定数が比較的近いので、このＧａ
Ｎ上に該３−５族化合物半導体を成長させることもでき
る。
ましくは基板の上に成長させて得られるが、用いる基板
については、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、スピネル、Ｚ
ｎＯ等を用いることができる。また、サファイア上には
ＡｌＮ等の薄膜をバッファ層とすることで結晶性の高い
ＧａＮ層を成長させることができる。ＧａＮと該３- ５
族化合物半導体は格子定数が比較的近いので、このＧａ
Ｎ上に該３−５族化合物半導体を成長させることもでき
る。
【００１０】該３−５族化合物半導体の製造方法として
は、有機金属気相成長（以下、ＭＯＶＰＥと記すことが
ある。）法、分子線エピタキシー（以下、ＭＢＥと記す
ことがある。）法、ハイドライド気相成長（以下、ＨＶ
ＰＥと記すことがある。）法などが挙げられる。なお、
ＭＢＥ法を用いる場合、窒素原料としては、窒素ガス、
アンモニア又はその他の窒素化合物を気体状態で供給す
る方法である気体ソース分子線エピタキシー（以下、Ｇ
ＳＭＢＥと記すことがある。）法が一般的に用いられて
いる。この場合、窒素原料が化学的に不活性で、窒素原
子が結晶中に取り込まれにくいことがある。その場合に
は、マイクロ波などにより窒素原料を励起して、活性状
態にして供給することで、窒素の取り込み効率を上げる
ことができる。
は、有機金属気相成長（以下、ＭＯＶＰＥと記すことが
ある。）法、分子線エピタキシー（以下、ＭＢＥと記す
ことがある。）法、ハイドライド気相成長（以下、ＨＶ
ＰＥと記すことがある。）法などが挙げられる。なお、
ＭＢＥ法を用いる場合、窒素原料としては、窒素ガス、
アンモニア又はその他の窒素化合物を気体状態で供給す
る方法である気体ソース分子線エピタキシー（以下、Ｇ
ＳＭＢＥと記すことがある。）法が一般的に用いられて
いる。この場合、窒素原料が化学的に不活性で、窒素原
子が結晶中に取り込まれにくいことがある。その場合に
は、マイクロ波などにより窒素原料を励起して、活性状
態にして供給することで、窒素の取り込み効率を上げる
ことができる。
【００１１】これらの製造方法のなかでＭＯＶＰＥ法
は、均一性が高く、量産にも向いていることから特に好
ましい。ＭＯＶＰＥ法を用いて本発明における３−５族
化合物半導体を製造する場合には、以下のような原料を
用いることができる。すなわち、３族元素の原料として
は、トリメチルガリウム〔Ｇａ（ＣＨ3 ）3、以下、Ｔ
ＭＧと記すことがある。〕、トリエチルガリウム〔Ｇａ
（Ｃ2 Ｈ5 ） 3 〕等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｇａ（ここ
で、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキル基）で表されるト
リアルキルガリウム；トリメチルアルミニウム〔Ａｌ
（ＣＨ3 ） 3 、以下、ＴＭＡと記すことがある。〕、ト
リエチルアルミニウム〔Ａｌ（Ｃ2Ｈ5 ）3 〕、トリイ
ソブチルアルミニウム〔Ａｌ（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 〕等の
一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ａｌ（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は
低級アルキル基）で表されるトリアルキルアルミニウ
ム；トリメチルアミンアラン〔ＡｌＨ3 Ｎ（ＣＨ
3 ）3〕；トリメチルインジウム〔Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 、
以下、ＴＭＩと記すことがある。〕、トリエチルインジ
ウム〔Ｉｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 〕等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｉ
ｎ（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキル基）で表
されるトリアルキルインジウム等が挙げられる。これら
は単独または混合して用いられる。
は、均一性が高く、量産にも向いていることから特に好
ましい。ＭＯＶＰＥ法を用いて本発明における３−５族
化合物半導体を製造する場合には、以下のような原料を
用いることができる。すなわち、３族元素の原料として
は、トリメチルガリウム〔Ｇａ（ＣＨ3 ）3、以下、Ｔ
ＭＧと記すことがある。〕、トリエチルガリウム〔Ｇａ
（Ｃ2 Ｈ5 ） 3 〕等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｇａ（ここ
で、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキル基）で表されるト
リアルキルガリウム；トリメチルアルミニウム〔Ａｌ
（ＣＨ3 ） 3 、以下、ＴＭＡと記すことがある。〕、ト
リエチルアルミニウム〔Ａｌ（Ｃ2Ｈ5 ）3 〕、トリイ
ソブチルアルミニウム〔Ａｌ（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 〕等の
一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ａｌ（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は
低級アルキル基）で表されるトリアルキルアルミニウ
ム；トリメチルアミンアラン〔ＡｌＨ3 Ｎ（ＣＨ
3 ）3〕；トリメチルインジウム〔Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 、
以下、ＴＭＩと記すことがある。〕、トリエチルインジ
ウム〔Ｉｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 〕等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｉ
ｎ（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキル基）で表
されるトリアルキルインジウム等が挙げられる。これら
は単独または混合して用いられる。
【００１２】次に、５族元素の原料としては、アンモニ
ア、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１、１−ジメチル
ヒドラジン、１、２−ジメチルヒドラジン、ｔ−ブチル
アミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。これらは
単独または混合して用いられる。
ア、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１、１−ジメチル
ヒドラジン、１、２−ジメチルヒドラジン、ｔ−ブチル
アミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。これらは
単独または混合して用いられる。
【００１３】次に、本発明における３−５族化合物半導
体に用いられるｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｅ、Ｓ、Ｏが挙げられ、中でもＳｉ、Ｇｅが好ましく、
Ｓｉがさらに好ましい。ｐ型不純物としては、Ｍｇ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｈｇが挙げられ、中でもＭｇ、Ｚｎが
好ましく、Ｍｇがさらに好ましい。これらの不純物をド
ープする方法としては、ＧＳＭＢＥ法により該３−５族
化合物半導体を製造する場合で、不純物の単体そのもの
が成長装置内で他の分子線の妨げにならないような蒸気
圧に制御できる場合には、これらの単体をそのまま用い
ることができる。ＭＯＶＰＥの場合には公知のこれらの
不純物を含む化合物を反応炉に導入して、不純物をドー
プした化合物半導体を得ることができる。
体に用いられるｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｅ、Ｓ、Ｏが挙げられ、中でもＳｉ、Ｇｅが好ましく、
Ｓｉがさらに好ましい。ｐ型不純物としては、Ｍｇ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｈｇが挙げられ、中でもＭｇ、Ｚｎが
好ましく、Ｍｇがさらに好ましい。これらの不純物をド
ープする方法としては、ＧＳＭＢＥ法により該３−５族
化合物半導体を製造する場合で、不純物の単体そのもの
が成長装置内で他の分子線の妨げにならないような蒸気
圧に制御できる場合には、これらの単体をそのまま用い
ることができる。ＭＯＶＰＥの場合には公知のこれらの
不純物を含む化合物を反応炉に導入して、不純物をドー
プした化合物半導体を得ることができる。
【００１４】本発明における３−５族化合物半導体用電
極材料は、Ａｕ金属、又はＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及び
Ｎｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの
合金が好ましい。Ａｕとの合金として、さらに好ましく
はＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少
なくとも１種とＡｕとの合金である。Ａｕとの合金とし
て具体的には、Ａｕ−Ｍｇ、Ａｕ−Ｚｎ、Ａｕ−Ｓｉ、
Ａｕ−Ｇｅ、Ａｕ−Ｎｉ合金などが挙げられる。特にＡ
ｕ−Ｍｇ合金が好ましい。これらの電極材料はｐ型不純
物をドープした該化合物半導体と接触抵抗の小さい電極
となるので好ましい。
極材料は、Ａｕ金属、又はＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及び
Ｎｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの
合金が好ましい。Ａｕとの合金として、さらに好ましく
はＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少
なくとも１種とＡｕとの合金である。Ａｕとの合金とし
て具体的には、Ａｕ−Ｍｇ、Ａｕ−Ｚｎ、Ａｕ−Ｓｉ、
Ａｕ−Ｇｅ、Ａｕ−Ｎｉ合金などが挙げられる。特にＡ
ｕ−Ｍｇ合金が好ましい。これらの電極材料はｐ型不純
物をドープした該化合物半導体と接触抵抗の小さい電極
となるので好ましい。
【００１５】本発明の３−５族化合物半導体用電極の透
明化方法について、例を挙げて具体的に説明する。初め
に、例えば公知の方法により、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌ
z Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体を成
長させ、次いで電極材料を蒸着する。３−５族化合物半
導体に電子線を照射するか又は４００℃以上に加熱する
ことにより熱処理した後、本発明の電極材料を成膜して
もよい。蒸着方法は特に限定されないが、例えばＡｕと
Ｇｅとの合金の場合には、Ａｕ−Ｇｅ合金をタングステ
ンボートを用いて、抵抗加熱方式により真空蒸着する方
法が挙げられる。また、別々の蒸発源からＡｕとＧｅと
を同時に蒸着してもよい。また、Ａｕと他の金属とを、
真空蒸着、又はスパッタリング法等により順次成膜した
積層膜を、膜形成後に熱処理により合金化することもで
きる。
明化方法について、例を挙げて具体的に説明する。初め
に、例えば公知の方法により、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌ
z Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体を成
長させ、次いで電極材料を蒸着する。３−５族化合物半
導体に電子線を照射するか又は４００℃以上に加熱する
ことにより熱処理した後、本発明の電極材料を成膜して
もよい。蒸着方法は特に限定されないが、例えばＡｕと
Ｇｅとの合金の場合には、Ａｕ−Ｇｅ合金をタングステ
ンボートを用いて、抵抗加熱方式により真空蒸着する方
法が挙げられる。また、別々の蒸発源からＡｕとＧｅと
を同時に蒸着してもよい。また、Ａｕと他の金属とを、
真空蒸着、又はスパッタリング法等により順次成膜した
積層膜を、膜形成後に熱処理により合金化することもで
きる。
【００１６】成膜する電極材料の膜厚は、１０Å以上５
μｍ以下が好ましい。電極の膜厚が１０Åより小さい場
合には均一な薄膜を得ることができず、良好な電極にな
らないので好ましくない。また、５μｍより大きい場合
には、以下に述べる熱処理によっても透明になりにくい
ので好ましくない。さらに好ましくは１００Å以上２μ
ｍ以下である。なお、電極金属は保護層を形成しないで
熱処理した場合には凝集してしまい、電極として使用す
ることが困難となる。本発明の方法によれば、保護層形
成後に電極金属を熱処理することで、電極材料の凝集が
見られず、伝導性を保持したまま電極が透明になるので
好ましい。ここで、電極が透明であるとは、電極が、３
−５族化合物半導体からの発光の取り出しを著しく妨げ
ない程度であることをいい、具体的には、可視光領域で
の光の透過率が、可視光領域でのどの部分においても光
の透過率が３０％以上のものをいう。
μｍ以下が好ましい。電極の膜厚が１０Åより小さい場
合には均一な薄膜を得ることができず、良好な電極にな
らないので好ましくない。また、５μｍより大きい場合
には、以下に述べる熱処理によっても透明になりにくい
ので好ましくない。さらに好ましくは１００Å以上２μ
ｍ以下である。なお、電極金属は保護層を形成しないで
熱処理した場合には凝集してしまい、電極として使用す
ることが困難となる。本発明の方法によれば、保護層形
成後に電極金属を熱処理することで、電極材料の凝集が
見られず、伝導性を保持したまま電極が透明になるので
好ましい。ここで、電極が透明であるとは、電極が、３
−５族化合物半導体からの発光の取り出しを著しく妨げ
ない程度であることをいい、具体的には、可視光領域で
の光の透過率が、可視光領域でのどの部分においても光
の透過率が３０％以上のものをいう。
【００１７】本発明に使用するこれらの保護層の性質と
しては、ピンホールがないこと、熱処理時に物理的な剥
げ落ちなどの欠陥を生じないこと、および熱処理時に電
極材料の導電性を消失させないことが必要な条件であ
る。このような要件を満たす場合には、保護層には特別
に良好な結晶性は必要なく、構成元素の欠陥、不純物等
を含んでいてもよい。また、単一の層からなるものだけ
でなく、複数の層の積層構造でもよい。なお、検査時、
または製品として使用する場合に、この保護層を通して
発光素子からの発光を取り出す場合には、目的とする波
長範囲で光吸収が問題とならない程度に小さいことが好
ましい。このような条件を満たす材料としては酸化硅素
（以下、ＳｉＯ2 と記す。）、窒化硅素（以下、Ｓｉ3
Ｎ4 と記す。）および錫添加酸化インジウム（一般にＩ
ＴＯと呼ばれるものである。）が挙げられる。このう
ち、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 は高温の熱処理に対しても化
学的に安定なので好ましい。さらにＳｉＯ2 は耐薬品性
にも優れており特に好ましい。保護層の厚さは、１０Å
以上１０μｍ以下が好ましい。保護層の厚さが１０Åよ
り小さい場合には、ピンホールのない保護層を形成する
ことが難しく、１０μｍを越える場合には膜形成に時間
がかかるので実用的でなく、好ましくない。保護層の厚
さは、さらに好ましくは１００Å以上２μｍ以下であ
る。
しては、ピンホールがないこと、熱処理時に物理的な剥
げ落ちなどの欠陥を生じないこと、および熱処理時に電
極材料の導電性を消失させないことが必要な条件であ
る。このような要件を満たす場合には、保護層には特別
に良好な結晶性は必要なく、構成元素の欠陥、不純物等
を含んでいてもよい。また、単一の層からなるものだけ
でなく、複数の層の積層構造でもよい。なお、検査時、
または製品として使用する場合に、この保護層を通して
発光素子からの発光を取り出す場合には、目的とする波
長範囲で光吸収が問題とならない程度に小さいことが好
ましい。このような条件を満たす材料としては酸化硅素
（以下、ＳｉＯ2 と記す。）、窒化硅素（以下、Ｓｉ3
Ｎ4 と記す。）および錫添加酸化インジウム（一般にＩ
ＴＯと呼ばれるものである。）が挙げられる。このう
ち、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 は高温の熱処理に対しても化
学的に安定なので好ましい。さらにＳｉＯ2 は耐薬品性
にも優れており特に好ましい。保護層の厚さは、１０Å
以上１０μｍ以下が好ましい。保護層の厚さが１０Åよ
り小さい場合には、ピンホールのない保護層を形成する
ことが難しく、１０μｍを越える場合には膜形成に時間
がかかるので実用的でなく、好ましくない。保護層の厚
さは、さらに好ましくは１００Å以上２μｍ以下であ
る。
【００１８】該電極材料の保護層の成膜方法は公知の方
法によることができる。成膜方法としては、スパッタリ
ング、真空蒸着、気相熱分解法（以下、ＣＶＤ法と記
す）、プラズマＣＶＤ法などを用いることができる。ス
パッタリング法により成膜する場合、ターゲットとして
はＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＩＴＯを用いることができ
る。また、ＳｉターゲットをＮ2 雰囲気、又はＯ2 雰囲
気でスパッタリングして成膜する、いわゆる反応性スパ
ッタリング法を用いてもよい。ＩＴＯの場合にはＩｎと
Ｓｎとの合金、又はＩｎのターゲットとＳｎのターゲッ
トを同時にＯ2 雰囲気中でスパッタリングすることがで
きる。Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＩＴＯをターゲットとす
る場合もＮ2 又はＯ2 雰囲気でスパッタリングしてもよ
い。
法によることができる。成膜方法としては、スパッタリ
ング、真空蒸着、気相熱分解法（以下、ＣＶＤ法と記
す）、プラズマＣＶＤ法などを用いることができる。ス
パッタリング法により成膜する場合、ターゲットとして
はＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＩＴＯを用いることができ
る。また、ＳｉターゲットをＮ2 雰囲気、又はＯ2 雰囲
気でスパッタリングして成膜する、いわゆる反応性スパ
ッタリング法を用いてもよい。ＩＴＯの場合にはＩｎと
Ｓｎとの合金、又はＩｎのターゲットとＳｎのターゲッ
トを同時にＯ2 雰囲気中でスパッタリングすることがで
きる。Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＩＴＯをターゲットとす
る場合もＮ2 又はＯ2 雰囲気でスパッタリングしてもよ
い。
【００１９】ＳｉＯ2 又はＩＴＯを真空蒸着により成膜
する場合には、それぞれ、ＳｉＯ2又はＳｎＯ2 、Ｉｎ2
Ｏ3 を真空中で電子ビームや抵抗加熱法で加熱して蒸
着することができる。この場合、Ｏ2 を蒸着装置内に導
入することでＯの欠陥の発生を低減することができる。
ＩＴＯについてはＯ2 雰囲気中でＩｎ、Ｓｎを蒸着させ
る方法によってもよい。
する場合には、それぞれ、ＳｉＯ2又はＳｎＯ2 、Ｉｎ2
Ｏ3 を真空中で電子ビームや抵抗加熱法で加熱して蒸
着することができる。この場合、Ｏ2 を蒸着装置内に導
入することでＯの欠陥の発生を低減することができる。
ＩＴＯについてはＯ2 雰囲気中でＩｎ、Ｓｎを蒸着させ
る方法によってもよい。
【００２０】ＣＶＤ法では、３００〜８００℃に加熱し
た基板上で原料ガスを反応させ、目的の保護層を得るこ
とができる。Ｓｉ3 Ｎ4 の場合には、Ｓｉ原料としてＳ
ｉＨ 4 、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｎ原料としてＮ
Ｈ3 を用いることができる。ＳｉＯ2 の場合には、前述
のＳｉ原料とＯ原料としてＯ2 、Ｎ2 Ｏ、ＣＯ2 などを
用いることができる。また、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 のよ
うな化合物を単独で用いることもできる。また、ＩＴＯ
の場合には、例えば、ＩｎＣｌ3 とＳｎＣｌ4 の水溶液
にエタノールと塩酸を加え、加熱した基板に噴霧して薄
膜を得ることができる。プラズマＣＶＤでは、ＳｉＨ4
やＳｉＣｌ4 をＮＨ3 又はＯ2 プラズマ中で反応させる
ことでＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 の膜を得ることができる。
これらの成膜方法のうちでは、スパッタリング法は簡便
に均一な膜が形成できるので好ましい。さらにマグネト
ロンスパッタリング法は成膜速度が大きく、特に好まし
い。
た基板上で原料ガスを反応させ、目的の保護層を得るこ
とができる。Ｓｉ3 Ｎ4 の場合には、Ｓｉ原料としてＳ
ｉＨ 4 、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｎ原料としてＮ
Ｈ3 を用いることができる。ＳｉＯ2 の場合には、前述
のＳｉ原料とＯ原料としてＯ2 、Ｎ2 Ｏ、ＣＯ2 などを
用いることができる。また、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 のよ
うな化合物を単独で用いることもできる。また、ＩＴＯ
の場合には、例えば、ＩｎＣｌ3 とＳｎＣｌ4 の水溶液
にエタノールと塩酸を加え、加熱した基板に噴霧して薄
膜を得ることができる。プラズマＣＶＤでは、ＳｉＨ4
やＳｉＣｌ4 をＮＨ3 又はＯ2 プラズマ中で反応させる
ことでＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 の膜を得ることができる。
これらの成膜方法のうちでは、スパッタリング法は簡便
に均一な膜が形成できるので好ましい。さらにマグネト
ロンスパッタリング法は成膜速度が大きく、特に好まし
い。
【００２１】本発明において保護層形成後の熱処理温度
は、４００℃以上であり、４００℃以上１２００℃以下
が好ましい。熱処理温度が４００℃より低い場合には、
本発明による効果が十分でないので好ましくない。１２
００℃以下の場合には、該化合物半導体の熱分解があま
り起こらず、また電極材料も変質しないのでより好まし
い。さらに好ましくは６００℃以上１１００℃以下であ
り、８００℃以上１１００℃以下が特に好ましい。熱処
理時間は熱処理温度にもよるが、１秒以上２時間以下が
好ましい。さらに好ましくは２秒以上３０分以下であ
る。熱処理時間が短か過ぎると充分な効果が得られず、
また長過ぎると素子の構成材料が変性を起こし、素子特
性の低下を引き起こしたり、また生産性が悪くなるので
好ましくない。
は、４００℃以上であり、４００℃以上１２００℃以下
が好ましい。熱処理温度が４００℃より低い場合には、
本発明による効果が十分でないので好ましくない。１２
００℃以下の場合には、該化合物半導体の熱分解があま
り起こらず、また電極材料も変質しないのでより好まし
い。さらに好ましくは６００℃以上１１００℃以下であ
り、８００℃以上１１００℃以下が特に好ましい。熱処
理時間は熱処理温度にもよるが、１秒以上２時間以下が
好ましい。さらに好ましくは２秒以上３０分以下であ
る。熱処理時間が短か過ぎると充分な効果が得られず、
また長過ぎると素子の構成材料が変性を起こし、素子特
性の低下を引き起こしたり、また生産性が悪くなるので
好ましくない。
【００２２】本発明により得られた電極は保護層が形成
されているため、保護層がない場合に比べて熱処理の雰
囲気の影響は少ないが、熱処理中に該電極を変質させる
ような雰囲気は好ましくない。具体的な雰囲気として
は、充分精製された窒素やアルゴン等の不活性ガス、又
は充分精製された水素などが好ましい。なお、熱処理後
に保護層を部分的にまたは全面的に取り除き、外部から
の電気的接触を取ることができる。
されているため、保護層がない場合に比べて熱処理の雰
囲気の影響は少ないが、熱処理中に該電極を変質させる
ような雰囲気は好ましくない。具体的な雰囲気として
は、充分精製された窒素やアルゴン等の不活性ガス、又
は充分精製された水素などが好ましい。なお、熱処理後
に保護層を部分的にまたは全面的に取り除き、外部から
の電気的接触を取ることができる。
【００２３】
【実施例】以下実施例により本発明を詳しく説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。窒化ガ
リウム系半導体をＭＯＶＰＥ法による気相成長により作
製した。用いた原料ガスは、ＮＨ3 とキャリアガス（Ｈ
2 およびＮ2 ）、トリメチルガリウム〔（ＣＨ3 ）3 Ｇ
ａ、ＴＭＧ〕、トリメチルアルミニウム〔（ＣＨ3 ）3
Ａｌ、ＴＭＡ〕、トリメチルインジウム〔（ＣＨ3 ）3
Ｉｎ、ＴＭＩ〕、ビスメチルシクロペンタジエニルマグ
ネシウム〔（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ、以下、ＭＣｐ2
Ｍｇと記す。〕である。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。窒化ガ
リウム系半導体をＭＯＶＰＥ法による気相成長により作
製した。用いた原料ガスは、ＮＨ3 とキャリアガス（Ｈ
2 およびＮ2 ）、トリメチルガリウム〔（ＣＨ3 ）3 Ｇ
ａ、ＴＭＧ〕、トリメチルアルミニウム〔（ＣＨ3 ）3
Ａｌ、ＴＭＡ〕、トリメチルインジウム〔（ＣＨ3 ）3
Ｉｎ、ＴＭＩ〕、ビスメチルシクロペンタジエニルマグ
ネシウム〔（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ、以下、ＭＣｐ2
Ｍｇと記す。〕である。
【００２４】実施例１ 有機洗浄したＣ面を主面とする単結晶のサファイア基板
をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたグラファイト製
サセプタに装着した。次に、常圧の水素雰囲気中で高周
波加熱によりサセプタを１１００℃に加熱し、この状態
でサファイア基板を１０分間保持してサファイア基板を
気相クリーニングした。次に、温度を６００℃まで低下
させて、ＮＨ3 とＴＭＡを供給して約５００Åの厚さの
ＡｌＮのバッファ層を形成した。次に、ＴＭＡのみの供
給を停止して、サファイア基板の温度を１１００℃まで
昇温し、温度が安定したのち、ＴＭＧとＭＣｐ2 Ｍｇを
供給し、ＭｇをドープしたＧａＮ層を３μｍ成長した。
作製した基板を窒素中、６５０℃で２０分間アニール処
理をした。こうして、キャリア濃度１×１０18／ｃｍ3
のｐ型ＧａＮ膜を得た。この試料について２ｍｍ離れた
２点間の抵抗を測定したところ５００ｋΩであった。
をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたグラファイト製
サセプタに装着した。次に、常圧の水素雰囲気中で高周
波加熱によりサセプタを１１００℃に加熱し、この状態
でサファイア基板を１０分間保持してサファイア基板を
気相クリーニングした。次に、温度を６００℃まで低下
させて、ＮＨ3 とＴＭＡを供給して約５００Åの厚さの
ＡｌＮのバッファ層を形成した。次に、ＴＭＡのみの供
給を停止して、サファイア基板の温度を１１００℃まで
昇温し、温度が安定したのち、ＴＭＧとＭＣｐ2 Ｍｇを
供給し、ＭｇをドープしたＧａＮ層を３μｍ成長した。
作製した基板を窒素中、６５０℃で２０分間アニール処
理をした。こうして、キャリア濃度１×１０18／ｃｍ3
のｐ型ＧａＮ膜を得た。この試料について２ｍｍ離れた
２点間の抵抗を測定したところ５００ｋΩであった。
【００２５】こうして得られたｐ型ＧａＮ膜に、蒸着法
によりＡｕＭｇ（Ｍｇ濃度５重量％）、ＡｕＺｎ（Ｚｎ
濃度５重量％）、ＡｕＧｅ（Ｇｅ濃度１２重量％）、Ａ
ｕＳｉ（Ｓｉ濃度１０重量％）、ＡｕＮｉ（Ｎｉ濃度５
重量％）、及びＡｕ電極をそれぞれ２０００Å成膜し
た。さらに、この試料にマグネトロンスパッタ法により
ＳｉＯ2 を１μｍ成膜した。スパッタ条件は、ＳｉＯ2
をターゲットとして用い、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍ、真空
度１．６Ｐａ、高周波パワー３００Ｗであった。ここ
で、「ｓｃｃｍ」とは気体の流量の単位で、１ｓｃｃｍ
は０℃、１気圧で１ｃｃの体積を占める重量の気体が流
れていることを示す。さらに、これらの試料を窒素中、
１０００℃で５分間熱処理したところ、どの電極材料と
も透明になった。図２にＡｕＭｇ電極について熱処理の
前後での透過スペクトルを示す。熱処理前では透過率の
最大値はせいぜい０．２％しかないのに対して、熱処理
により４００ｎｍから７５０ｎｍの領域で透過率が４０
％以上に向上していることがわかる。これらの試料を沸
酸で処理してＳｉＯ2 の保護層を取り除き、２ｍｍ離れ
た２点間の抵抗を測定したところ、どの電極でも５０ｋ
Ω以下であり、電極として機能することを確かめた。Ｓ
ｉＯ2 のかわりにＩＴＯを用いても同様の効果を示す。
によりＡｕＭｇ（Ｍｇ濃度５重量％）、ＡｕＺｎ（Ｚｎ
濃度５重量％）、ＡｕＧｅ（Ｇｅ濃度１２重量％）、Ａ
ｕＳｉ（Ｓｉ濃度１０重量％）、ＡｕＮｉ（Ｎｉ濃度５
重量％）、及びＡｕ電極をそれぞれ２０００Å成膜し
た。さらに、この試料にマグネトロンスパッタ法により
ＳｉＯ2 を１μｍ成膜した。スパッタ条件は、ＳｉＯ2
をターゲットとして用い、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍ、真空
度１．６Ｐａ、高周波パワー３００Ｗであった。ここ
で、「ｓｃｃｍ」とは気体の流量の単位で、１ｓｃｃｍ
は０℃、１気圧で１ｃｃの体積を占める重量の気体が流
れていることを示す。さらに、これらの試料を窒素中、
１０００℃で５分間熱処理したところ、どの電極材料と
も透明になった。図２にＡｕＭｇ電極について熱処理の
前後での透過スペクトルを示す。熱処理前では透過率の
最大値はせいぜい０．２％しかないのに対して、熱処理
により４００ｎｍから７５０ｎｍの領域で透過率が４０
％以上に向上していることがわかる。これらの試料を沸
酸で処理してＳｉＯ2 の保護層を取り除き、２ｍｍ離れ
た２点間の抵抗を測定したところ、どの電極でも５０ｋ
Ω以下であり、電極として機能することを確かめた。Ｓ
ｉＯ2 のかわりにＩＴＯを用いても同様の効果を示す。
【００２６】比較例１ 保護層がないことを除いては実施例１と同様にしてＡｕ
電極を設け、実施例１と同様に熱処理したところ、電極
材料が微細なボール上になって半導体表面に凝集し、電
極として使用できなくなった。
電極を設け、実施例１と同様に熱処理したところ、電極
材料が微細なボール上になって半導体表面に凝集し、電
極として使用できなくなった。
【００２７】実施例２ 実施例１と同様にして得たｐ型ＧａＮ膜に、Ｍｇ、Ａｕ
をこの順番にそれぞれ、２００Å、２０００Å真空蒸着
して電極としたのち、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ3 Ｎ
4 を１０００Å成膜した。成膜条件は、真空度：１３３
パスカル、シランを４％含むＡｒの流量：２０ｓｃｃ
ｍ、ＮＨ3 流量：２０ｓｃｃｍ、基板の温度：３００
℃、高周波パワー：１５０Ｗであった。実施例１と同様
に熱処理したところ、やはり導電性を保持したまま透明
になった。
をこの順番にそれぞれ、２００Å、２０００Å真空蒸着
して電極としたのち、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ3 Ｎ
4 を１０００Å成膜した。成膜条件は、真空度：１３３
パスカル、シランを４％含むＡｒの流量：２０ｓｃｃ
ｍ、ＮＨ3 流量：２０ｓｃｃｍ、基板の温度：３００
℃、高周波パワー：１５０Ｗであった。実施例１と同様
に熱処理したところ、やはり導電性を保持したまま透明
になった。
【００２８】実施例３ ＭＣｐ2 Ｍｇを導入しないことを除いては実施例１と同
様にしてノンドープの窒化ガリウムを３μｍ成長し、さ
らに、ＴＭＩ、ＴＭＧ及びＮＨ3 を用いてＩｎ 0.1 Ｇａ
0.9 Ｎ膜を１８００Å成長した。このようにして得られ
たＩｎＧａＮ膜にＡｕ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｍｇ電極を
蒸着して実施例１と同様の評価した結果、やはりどの電
極も導電性を保ったまま透明になることがわかった。
様にしてノンドープの窒化ガリウムを３μｍ成長し、さ
らに、ＴＭＩ、ＴＭＧ及びＮＨ3 を用いてＩｎ 0.1 Ｇａ
0.9 Ｎ膜を１８００Å成長した。このようにして得られ
たＩｎＧａＮ膜にＡｕ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｍｇ電極を
蒸着して実施例１と同様の評価した結果、やはりどの電
極も導電性を保ったまま透明になることがわかった。
【００２９】
【発明の効果】本発明の方法により得られた電極は、一
般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−
５族化合物半導体に対して透明な電極として用いること
ができ、発光素子の製造工程を容易にし信頼性を高める
ことができるので、紫外もしくは青色のＬＥＤ又は紫外
もしくは青色のレーザーダイオード等の発光デバイスの
電極として工業的価値が大きい。本発明の方法によれ
ば、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表され
る３−５族化合物半導体に対する電極を透明化し得、発
光素子の製造工程を容易にし信頼性を高めることができ
るので、紫外もしくは青色のＬＥＤ又は紫外もしくは青
色のレーザーダイオード等の発光デバイス分野における
工業的価値が大きい。
般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−
５族化合物半導体に対して透明な電極として用いること
ができ、発光素子の製造工程を容易にし信頼性を高める
ことができるので、紫外もしくは青色のＬＥＤ又は紫外
もしくは青色のレーザーダイオード等の発光デバイスの
電極として工業的価値が大きい。本発明の方法によれ
ば、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表され
る３−５族化合物半導体に対する電極を透明化し得、発
光素子の製造工程を容易にし信頼性を高めることができ
るので、紫外もしくは青色のＬＥＤ又は紫外もしくは青
色のレーザーダイオード等の発光デバイス分野における
工業的価値が大きい。
【図１】発光素子の構造を示す概略図。
【図２】熱処理前後での透過スペクトルの変化を示す
図。
図。
１・・・サファイア基板 ２・・・ｎ型Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ ３・・・ｐ型Ｉｎx'Ｇａy'Ａｌz'Ｎ ４・・・ｎ電極 ５・・・ｐ電極 ６・・・熱処理前 ７・・・熱処理後
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 朋幸 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 4M104 AA04 BB10 DD79 EE05 EE15 EE16 EE17 GG04 5F041 AA43 AA46 CA02 CA03 CA12 CA34 CA46 CA53 CA54 CA56 CA57 CA65 CA66 CA73 CA83 CA85 CA88 FF01 5F073 AA61 CA17 CB22 DA05 DA06 DA16 DA35 HA03 HA04 HA10
Claims (6)
- 【請求項１】ＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表さ
れる３−５族化合物半導体に用いられる電極の透明化方
法であって、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形
成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃
以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導
体用電極の透明化方法。 - 【請求項２】熱処理を６００℃以上１１００℃以下で実
施することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】ｘが、０．１≦ｘ≦１であることを特徴と
する請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】保護層が、酸化硅素、窒化硅素及び錫添加
酸化インジウムからなる群から選ばれた少なくとも１種
からなる層であることを特徴とする請求項１〜３いずれ
かに記載の方法。 - 【請求項５】電極材料がＡｕであることを特徴とする請
求項１〜４いずれかに記載の方法。 - 【請求項６】電極材料がＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮ
ｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合
金であることを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載
の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001393675A JP2002237587A (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | ３−５族化合物半導体用電極の透明化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001393675A JP2002237587A (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | ３−５族化合物半導体用電極の透明化方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9232394A Division JP3339178B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | ３−５族化合物半導体用電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237587A true JP2002237587A (ja) | 2002-08-23 |
Family
ID=19188794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001393675A Pending JP2002237587A (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | ３−５族化合物半導体用電極の透明化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002237587A (ja) |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001393675A patent/JP2002237587A/ja active Pending
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