JP2002236147A - 半導体集積回路及びその検査方法 - Google Patents
半導体集積回路及びその検査方法Info
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Abstract
ために検査困難であった論理回路部の検査を完全にディ
ジタル判定可能とする半導体集積回路及びその検査方法
を提供する。 【解決手段】階調電圧無効回路(トランジスタスイッチ
1)と、試験装置14のコンパレータ19で識別可能な
パルス電圧を出力するパルス発生回路2と、パルス電圧
を複数の基準電圧ライン5へ単位時間ごとにシフトして
供給するパルスシフト回路3と、を液晶ドライバLSI
33に設け、階調電圧の供給を階調電圧無効回路(トラ
ンジスタスイッチ1)で無効にして、パルス電圧をパル
スシフト回路3で第1の単位時間ごとにシフトして複数
の基準電圧ライン5へ供給するとともに、第2の単位時
間ごとに基準電圧ライン5の電圧出力端子12への接続
をDAコンバータ回路20aで切り替えながら、電圧出
力端子12から出力されたパルス電圧の出力値と期待値
との比較をコンパレータ19で行う。
Description
を出力する機能と、DAコンバータを有する半導体集積
回路及び半導体集積回路の検査方法に関する。
液晶パネルに搭載される液晶ドライバLSIは、多出力
化・多階調化が進む傾向にある。液晶ドライバLSIの
液晶パネルに対して切り替え可能な階調レベル数は、現
在64階調から256階調であるが、今後は1024階
調まで進むと予想される。また、液晶パネルに対する液
晶ドライバLSIの出力数は、現在400出力程度であ
るが、近い将来1000出力を超えると予想される。
準電圧発生回路としてデバイス内部に内蔵されたガンマ
補正抵抗回路の基準電源入力端子から印加された電圧に
対する抵抗分割比により決定される。よって、この分割
比が細分化されるほど、多階調化が進む。また、液晶ド
ライバLSIはこの多階調表示を行うために、階調レベ
ル数に対応したDAコンバータ(Digital Analog Conve
rter;以下、DACと称する。)を内蔵し、階調電圧を
出力する。
Iには、6bitDACが内蔵されており、256階調
表示用液晶ドライバLSIには、8bitDACが内蔵
されている。また、1024階調表示用液晶ドライバに
は、10bitDACが内蔵されることになる。
LSIに対しては、DACから出力されるそれぞれの階
調電圧比の全てが、各レベルのディジタル画像データに
対応して正しく変換された電圧値を出力しているかどう
か、また、各DAC間において出力される階調電圧が、
それぞれ互いに均一であるかどうか等の検査を行ってい
る。
した液晶ドライバLSIを例に、従来の検査方法を説明
する。図12は、高精度電圧測定器を用いた従来の液晶
ドライバLSIの検査方法を示した概略の構成図であ
る。液晶ドライバLSI13の液晶制御用出力端子12
(12−1〜12−m)を、半導体試験装置14の検査
信号入力端子15(15−1〜15−m)にそれぞれ接
続する。
る。)14の図外の出力端子から液晶ドライバLSI1
3のデータ入力端子9のD1端子乃至D6端子のそれぞ
れに、事前に設定している全出力端子数分の階調ディジ
タルデータを、階調レベルごとに順次入力する。各レベ
ルの階調ディジタルデータは、液晶ドライバLSI13
に内蔵されたDAC回路7でDA変換されて、階調デー
タに対応した基準電圧が選択される。そして、出力アン
プ6(6−1〜6−m)を介して階調出力電圧としてア
ナログ電圧が液晶制御用出力端子12(12−1〜12
−m)から出力される。
的には全出力・全階調分のデータをメモリ17に格納す
る。この結果、メモリ17には、m×n個分の電圧数値
データが格納されることになる。メモリ17に格納され
た全ての電圧値データは、テスタ14に内蔵されている
演算装置18を用いて演算し、各出力における各階調電
圧値の試験を行う。
SI13の1液晶制御用出力端子、1アナログ階調電圧
値の測定方法を説明する。図13は、DAC回路の詳細
な構成を示した従来の液晶ドライバLSIの概略構成図
である。なお、図13では、液晶ドライバLSI13の
1液晶制御用出力端子12及びこの端子に接続したトラ
ンジスタスイッチ21の構成を記載し、他の液晶制御用
出力端子及びトランジスタスイッチは省略している。液
晶ドライバLSI13において、DAC回路7は、階調
選択回路8、トランジスタスイッチ21、ガンマ補正抵
抗22を備える。階調選択回路8には、データ入力端子
9のD1端子乃至D6端子とラッチパルス入力端子LS
10とが接続されている。
る複数の抵抗が直列に接続された構成である。ガンマ補
正抵抗22には、直列に接続された所定の抵抗ごとに基
準電圧入力端子11が設けられている。図13において
は、10レベルの基準電圧入力端子V1〜V10が設け
られている。ガンマ補正抵抗22の各抵抗の端部は、複
数の階調電圧ラインである複数の基準電圧ライン5にそ
れぞれ接続されている。基準電圧入力端子11から入力
された電圧は、ガンマ補正抵抗22によって分圧され
て、基準電圧ライン5の各ラインへ、それぞれ異なる6
4階調電圧として供給される。
ンジスタによって構成され、6bit入力(64階調)
の場合は、64個のトランジスタによって構成される。
トランジスタスイッチ21の各トランジスタは、オペア
ンプ6の入力端子と各基準電圧ライン5とを接続するた
めのものであり、階調選択回路8から出力された信号に
応じてトランジスタスイッチ21はオンオフをする。
から入力された階調データは、ラッチパルス入力端子L
S10から入力された信号により取り込まれ、階調選択
回路8にて64階調選択信号に変換される。この64階
調選択信号によって、DAC回路7の64個のトランジ
スタスイッチ21のうち1つだけがオンし、他の63個
はオフのままとなる。
れた基準電圧は、ガンマ補正抵抗22を通過して、64
階調のアナログ電圧値へと変換されており、上記のよう
に、オンしたトランジスタ21のみが、オペアンプ6を
介して液晶制御用出力端子12へアナログ電圧値を出力
する。そして、出力されたアナログ電圧値を、テスタ1
4の高精度アナログ測定器16によって電圧測定を行
う。
SIの試験に関しては、以下のような問題があった。す
なわち、 (1) 半導体集積回路の機能動作精度に関するテスト精度
保証について 多階調化が進むことにより、各階調レベル間の出力電位
差は大幅に縮小される。これは、前記のように基準電圧
生成回路としてデバイス内部に内蔵されたガンマ補正抵
抗回路において、基準電源入力端子から印加された電圧
に対する抵抗分割比により決定され、この分割比が細分
化されるほど、多階調化が進むことによる。つまり、6
4階調の6〔V〕駆動液晶ドライバの隣接階調間の出力
階調電位差が93.75〔mV〕(=6000〔mV〕
/64〔階調〕)であったのに対し、256階調の6
〔V〕駆動の液晶ドライバLSIでは、23.44〔m
V〕(=6000〔mV〕/256〔階調〕)となる。
したがって、各階調レベルごとの隣接階調間における出
力電位差が、出力電圧偏差(端子間のばらつき)よりも
小さい場合、上記の判定値では、データの読み込みなど
の論理回路不良による1階調レベル化けなど、高精度電
圧測定器16による検査であっても、各階調レベルごと
の出力電圧が入力画像ディジタルデータに対応している
ことに関する検査精度の信頼性確保が困難となる。
ついて 通常テスタには、高精度電圧測定器は1台から4台程度
しか搭載されていないが、コンパレータは、500台程
度も搭載されている。よって、テスタが備えるコンパレ
ータを用いた判定の利点は、液晶ドライバLSIの液晶
制御用出力端子12の同時測定と同時判定とが可能とな
ることにある。
〔V〕以下の階調出力電圧レベル差を識別することは不
可能であるため、液晶ドライバLSIの論理回路に関す
るテスト精度を保証することは困難である。
の階調レベルで3.0〔V〕を出力する場合、この階調
レベルのコンパレータ判定の判定上限値はコンパレータ
の精度から、最大値で3.1〔V〕、判定下限値は最小
値で2.9〔V〕となる。つまり、この2つの判定レベ
ルの電位差は0.2〔V〕であり、上記の例で示した2
56階調の6〔V〕駆動液晶ドライバLSIでは、1階
調当たりの階調出力電位差が23.44〔mV〕である
ため、この2つの判定レベル間には、8〜9階調分の階
調出力レベルが含まれてしまう。よって、1階調レベル
の入力データに対応する個別の階調出力電圧に対象を絞
ったテストが実施できないという問題がある。
トの増加について 液晶ドライバLSIの多出力化・多階調化が進むことに
より、従来の検査方法では、テスト時間の大幅な増加と
高精度電圧測定器を搭載する高価なテスタが必要とな
る。よって、テストコストは激増する一方となってきて
いる。
バLSIでは、テスト時間が5秒程度であるのに対し、
400出力256階調の液晶ドライバLSIでは25秒
程度となる。また、1000出力1024階調の液晶ド
ライバLSIでは、1チップ当たりのテスト時間が10
0秒を超えると予想される。
は、今後の多出力化・多階調化する液晶ドライバLSI
の検査に関しても高い検査精度を確保し、且つ短時間で
検査が可能な技術の確立が必要不可欠である。
めに創作されたものであり、その目的は、アナログ測定
を基本として液晶ドライバLSIの検査を実施している
ために検査困難であった論理回路部の検査を完全にディ
ジタル判定可能とする半導体集積回路及びその検査方法
を提供することである。
を解決するための手段として、以下の構成を備えてい
る。
複数の抵抗により複数の異なる電圧値の階調電圧に分圧
し、各階調電圧をそれぞれ異なる階調電圧ラインへ供給
する階調電圧生成回路と、データ入力端子から入力した
ディジタルデータに応じて、電圧出力端子から出力する
階調電圧を供給する該階調電圧ラインを選択可能なDA
C回路と、を備えた半導体集積回路において、該階調電
圧生成回路から該複数の階調電圧ラインへの階調電圧の
供給を無効にする階調電圧無効回路と、試験装置のコン
パレータで識別可能な電圧幅のパルス電圧を出力するパ
ルス発生回路と、該パルス発生回路から出力されたパル
ス電圧を単位時間ごとにシフトして該複数の階調電圧ラ
インへ供給するパルスシフト回路と、を備えたことを特
徴とする。
準電圧入力端子から印加した電圧を複数の抵抗により複
数の異なる電圧値の階調電圧に分圧し、各階調電圧をそ
れぞれ異なる階調電圧ラインへ供給する階調電圧生成回
路と、データ入力端子からディジタルデータを入力し
て、電圧出力端子から出力する階調電圧を選択可能なD
AC回路と、を備えており、階調電圧生成回路から複数
の階調電圧ラインへの階調電圧の供給を階調電圧無効回
路で無効に切り替え可能であり、試験装置が備えるコン
パレータで識別可能な電圧幅のパルス電圧を出力するパ
ルス発生回路から出力されたパルス電圧を、複数の階調
電圧ラインへ単位時間ごとにパルスシフト回路でシフト
して供給する。したがって、試験装置のコンパレータに
より半導体集積回路の内部論理回路のディジタル判定が
可能となり、高速且つ確実に半導体集積回路の検査を行
うことが可能となる。
圧ラインへの階調電圧の供給を無効にするパルス電圧無
効回路を備えたことを特徴とする。
ルスシフト回路から複数の階調電圧ラインへのパルス電
圧の供給を無効に切り替え可能なパルス電圧無効回路を
備えている。したがって、半導体集積回路を通常の方法
で使用している場合には、パルスシフト回路からパルス
電圧が誤って供給されたとしても、パルス電圧無効回路
によってその供給を無効にすることが可能となり、半導
体集積回路は問題なく使用できる。
路の検査方法であって、前記階調電圧生成回路から複数
の階調電圧ラインへの階調電圧の供給を前記階調電圧無
効回路で無効に切り替えて、前記パルス発生回路で発生
させたパルス電圧を、前記パルスシフト回路で第1の単
位時間ごとにシフトして前記複数の階調電圧ラインへ供
給するとともに、前記データ入力端子から入力するディ
ジタルデータを第2の単位時間ごとに切り替えて、前記
階調電圧ラインを前記DAC回路で選択し、前記試験装
置のコンパレータで前記電圧出力端子から出力されたパ
ルス電圧の出力値と期待値とを比較することを特徴とす
る。
装置のコンパレータで検査する際には、階調電圧生成回
路から複数の階調電圧ラインへの階調電圧の供給を階調
電圧無効回路で無効に切り替えて、パルス発生回路で発
生させたパルス電圧を、パルスシフト回路で第1の単位
時間ごとにシフトして複数の階調電圧ラインへ供給する
とともに、データ入力端子から入力するディジタルデー
タを第2の単位時間ごとに切り替えて、電圧出力端子か
ら出力する階調電圧を供給する階調電圧ラインをDAC
回路で選択し、電圧出力端子から出力されたパルス電圧
の出力値と期待値との比較を行う。したがって、電圧出
力端子から出力する階調電圧を供給する階調電圧ライン
をDAC回路で選択した状態で、各階調電圧ラインへパ
ルス電圧を供給して検査を行い、DAC回路で別の階調
電圧ラインを選択した状態で、各階調電圧ラインへパル
ス電圧を供給して検査を行う、という検査を全階調電圧
ラインに対して行うことが可能となり、確実に半導体集
積回路の内部論理回路を検査することができる。
半導体集積回路である液晶ドライバLSIの概略の構成
を示した回路図である。本発明の液晶ドライバLSI3
3は、従来の液晶ドライバLSI13のDAC7に、階
調電圧無効回路であるトランジスタスイッチ1、パルス
発生回路2、パルスシフト回路3及びパルス電圧無効回
路であるトランジスタスイッチ4を設けて、DAC回路
20aとしたものである。なお、液晶ドライバLSI3
3において、従来の液晶ドライバLSI13と同一部分
には、同一符号を付して詳細な説明を省略する。また、
図1には、図13と同様に、液晶ドライバLSI33の
電圧出力端子である液晶制御用出力端子12の1端子及
びこの端子に接続したトランジスタスイッチ21の構成
を記載し、他の液晶制御用出力端子及びトランジスタス
イッチは省略している。
回路である基準電圧入力端子11及びガンマ補正抵抗2
2を無効にするものであり、アナログ回路部である基準
電圧入力端子11とガンマ補正抵抗22とを、液晶ドラ
イバLSI33から切り離す。液晶ドライバLSI33
では、トランジスタスイッチ1をオフにすることで、基
準電圧入力端子11とガンマ補正抵抗22とを切り離す
ことができる。
実現するために、液晶ドライバLSI13はパルス発生
回路2を備えるとともに、その発生したパルスが階調電
圧ラインである基準電圧ライン5を単位時間(クロック
端子TCK23に入力するクロックパルスTCKのサイ
クル)ごとにシフトしていくように、パルスシフト回路
3を備えている。
作時には、パルス発生回路2及びパルスシフト回路3の
誤動作などが、液晶ドライバLSI33に影響を与えな
いように、これらの回路を切り離すためのパルス電圧無
効回路であるトランジスタスイッチ4を備えている。液
晶ドライバLSI33では、トランジスタスイッチ4を
オフにすることで、パルス発生回路2及びパルスシフト
回路3を切り離すことができる。
査時における各波形のタイミングチャートである。図2
に示したように、各基準電圧ライン5に印加されるパル
ス電圧は、ラッチパルス入力端子LS10からラッチパ
ルスLSが入力され、クロック端子TCK23から入力
されたクロックパルスTCKが立ち上がるごとに、シフ
トして入力される。なお、クロック端子TCK23から
入力するクロックパルスTCKは、液晶ドライバLSI
33が本来内蔵している基準クロックを使用してもよい
が、専用端子としてクロック端子TCK23を設けるこ
とにより、液晶制御用出力端子12の駆動能力を考慮し
たテストを行うことができる。
から入力した6bit(64階調)の階調データは、ラ
ッチパルス入力端子LS10から入力されたラッチパル
スLSにより取り込まれ、階調選択回路8において64
階調選択信号に変換される。この64階調選択信号によ
り、DAC回路20a内の64個のトランジスタスイッ
チ21が1つだけオンされ、他の63個のトランジスタ
スイッチはオフのままとなる。
れて、基準電圧入力端子11及びガンマ補正抵抗22は
回路(各基準電圧ライン5)から切り離されているた
め、階調電圧は供給されない。また、トランジスタスイ
ッチ4はオンに設定され、パルス発生回路2及びパルス
シフト回路3は、各基準電圧ライン5に接続されてい
る。
れたラッチパルスLSに同期して、パルス発生回路2か
ら発生したパルス信号は、パルスシフト回路3を介して
クロックパルス端子TCK23から入力されたクロック
パルスTCKの単位時間ごとに基準電圧ライン5にシフ
トして供給される。そのため、液晶制御用出力端子12
には、1つだけオンしているトランジスタスイッチ21
と接続された基準電圧ライン5のパルスが出力される。
it(256階調)のDACを内蔵する液晶ドライバの
検査を行うための構成を示した構成図である。テスタ1
4の図外の出力端子から液晶ドライバLSI43のデー
タ入力端子9のD1端子乃至D8端子に、480出力分
の階調ディジタルデータを階調レベルごとに順次入力す
ると、各レベルの階調ディジタルデータは、図2に示し
たようなパルス電圧として出力される。これらのディジ
タル電圧は、テスタ14に内蔵されているコンパレータ
19(19−1〜19−480)を用いて、480出力
同時に測定して判定を行う。この操作をトランジスタス
イッチ21の各トランジスタについて、第1の単位時間
ごとに256階調分繰り返して行い、内部論理回路部の
試験を行う。
ータを入力して、トランジスタスイッチ21のあるトラ
ンジスタのみをオンにして、1つの基準電圧ライン5を
DAC回路20bで選択した状態で、上記の操作を25
6階調分繰り返して行う。さらに、この操作をトランジ
スタスイッチ21の各トランジスタについて、第2の単
位時間(=第1の単位時間×256階調分)ごとに25
6階調分繰り返して行い、内部論理回路部の試験を行
う。
回路部の試験を、電圧出力端子から出力する階調電圧を
供給する基準電圧ラインをDAC回路で選択した状態
で、各基準電圧ラインへパルス電圧を供給して検査を行
い、DAC回路で別の基準電圧ラインを選択した状態
で、各基準電圧ラインへパルス電圧を供給して検査を行
うことにより、検査を全基準電圧ラインに対して行うこ
とが可能となり、確実に半導体集積回路の内部論理回路
を検査することができる。
力の従来の液晶ドライバLSIの出力例と、図3に示し
た8bit入力(256階調)の本発明の液晶ドライバ
LSIの出力例とを比較して説明する。図4は、従来の
液晶ドライバLSIに階調″0″の8bitデータ″0
0000000″入力した場合のタイミングチャートで
ある。図5は、従来の液晶ドライバLSIに階調″12
8″の8bitデータ″10000000″を入力した
場合のタイミングチャートである。図6は、従来の液晶
ドライバLSIに階調″255″の8bitデータ″1
1111111″を入力した場合のタイミングチャート
である。図4においては、入力したデータに対応するア
ナログ電圧値0.0Vが、液晶制御用出力端子から出力
される。また、図5においては、入力データに対応する
アナログ電圧値3.0Vが、液晶制御用出力端子から出
力される。さらに、図6においては、入力したデータに
対応するアナログ電圧値6.0Vが、液晶制御用出力端
子から出力される。
Iに階調″0″の8bitデータ″00000000″
を入力した場合のタイミングチャートである。図8は、
本発明の液晶ドライバLSIに階調″128″の8bi
tデータ″10000000″を入力した場合のタイミ
ングチャートである。図9は、本発明の液晶ドライバL
SIに階調″255″の8bitデータ″111111
11″を入力した場合のタイミングチャートである。
は、パルス発生回路2から0Vと6Vの2電圧値を基準
とするパルス電圧を発生する。図7においては、ラッチ
パルス入力端子LS10からラッチパルスLSが入力さ
れ、クロックパルス端子TCK23から入力されたクロ
ックパルスTCKが入力されて0単位時間後に、液晶制
御用出力端子12から電圧パルスが出力される。図8に
おいては、ラッチパルス入力端子LS10からラッチパ
ルスLSが入力され、クロックパルス端子TCK23か
ら入力されたクロックパルスTCKが入力されて128
単位時間後に、液晶制御用出力端子12から電圧パルス
が出力される。さらに、図8においては、ラッチパルス
入力端子LS10からラッチパルスLSが入力され、ク
ロックパルス端子TCK23から入力されたクロックパ
ルスTCKが入力されて255単位時間後に、液晶制御
用出力端子12から電圧パルスが出力される。
液晶制御用出力からは、0.0Vから6.0Vまでのア
ナログ電圧値が出力されていたが、本発明を用いること
で、0.0Vと6.0Vの2値のみを出力するパルス電
圧として、ディジタル値が出力される。また、液晶制御
用出力端子から出力される電位差が6.0Vとなったこ
とで、テスタが内蔵するコンパレータによる内部分離回
路のディジタル判定が可能となる。
イバLSIの検査時において、階調″170″の8bi
tデータ″10101010″を入力したときの液晶制
御用出力端子からの出力と、テスタのコンパレータの期
待値と、を示したタイミングチャートである。液晶ドラ
イバLSI43に対して階調データ″170″を入力す
ることで、液晶制御用出力端子12からは、ラッチパル
スLSの入力後、クロックパルスTCKの170サイク
ルまでは0Vが出力される。その後、クロックパルスT
CK1サイクルだけ6Vが出力され、その後にクロック
パルスTCK85サイクルの間0Vが出力される。
期待値は、ラッチパルスLSの立ち上がりからクロック
パルスTCK170サイクルまでは、L期待(0V期
待)である。また、次のクロックパルスTCK1サイク
ルだけH期待(6V期待)、そして、クロックパルスT
CK85サイクルは、L期待(0V期待)となってい
る。そのため、それぞれが完全に一致しており、テスタ
14のコンパレータ19による判定は良品判定となる。
晶ドライバLSIの検査時において、階調″170″の
8bitデータ″10101010″を入力した時に、
内部論理回路が故障していた場合の液晶制御用出力端子
からの出力と、コンパレータの期待値と、を示したタイ
ミングチャートである。図11は、入力した8bitデ
ータが1bitだけ取り込みミスをしてしまう故障例を
示したものである。つまり、入力した8bitデータ″
10101010″は、″10101011″と内部回
路に取り込まれてしまう。この場合、取り込まれたデー
タは、″10101011″となっているため、液晶制
御用出力端子12からはラッチパルスLSの入力後、ク
ロックパルスTCKが開始してから171サイクルまで
は0Vが出力される。その後、クロックパルスTCKの
1サイクルだけ6Vが出力され、さらにその後にクロッ
クパルスTCK84サイクルの間は0Vが出力される。
クロックパルスTCK170サイクル目は、コンパレー
タの期待値がH期待値であるのに対して、液晶制御用出
力端子12からは0Vが出力される。また、クロックパ
ルスTCK171サイクル目はL期待値であるのに対し
て、液晶制御用出力端子12からは6Vが出力される。
そのため、テスタ14のコンパレータ19による判定は
不良となる。
ータによって、液晶ドライバLSIの内部回路の検証を
完全に行うことが可能である。また、本発明において
は、試験時間の短時間化を同時に実現することが可能と
なる。
いて、高精度電圧計によるテスト時間は、液晶ドライバ
LSIの階調出力電圧を1階調ずつ、1液晶制御用出力
端子ごとに測定していた。例えば、480出力で256
階調の液晶ドライバLSIの検査時間は、この液晶ドラ
イバLSIの階調出力電圧駆動時間(出力遅延)を20
〔mS〕とすると、高精度電圧計による電圧計測時間
は、高精度アナログ測定器が1台の場合、 ((液晶制御用出力端子数)/(テスタが有するアナロ
グ測定器数))×(階調数)×(階調出力電圧駆動時
間)=(480/1)×256×20=2457.6
〔mS〕となる。
あり、実際の総テスト時間は各電圧データのメモリ格納
時間と演算処理時間とが、別途加算されたものとなるた
め、さらに長くなる。
においては、コンパレータ判定が可能であり、液晶ドラ
イバLSIの各階調出力を全液晶制御用出力端子に対し
て同時測定・同時判定できることから、コンパレータ判
定によるテスト時間は次のようになる。すなわち、コン
パレータ判定に必要な電圧立ち上がり時間(第1の単位
時間)を10〔μS〕とすると、階調選択回路の入力端
子9から所定の信号を入力して、トランジスタスイッチ
21の1つのトランジスタのみをオンさせる。そして、
前記のように、パルス発生回路2で発生されたパルスを
クロックパルスTCKによって決まる第1の単位時間ご
とに、パルスシフト回路3でシフトさせて、各基準電圧
ライン(256階調)について検査を行う。この検査を
トランジスタスイッチ21の各トランジスタについて行
う。
タは、階調選択回路8によって第2の単位時間ごとに切
り替えられることとなり、256倍の時間が必要である
が、コンパレータ判定によるテスト時間は全出力一括同
時判定でできる。したがって、時系列を用いたディジタ
ル出力化を行っているため、 (階調数)×(電圧立ち上がり時間)×(パルスシフト回数)‥‥(式1) =256×10×256=655.4〔mS〕となる。
る高精度電圧計を用いた検査時間に対して、本発明の液
晶ドライバLSIの検査時間は約1/4に短縮すること
ができる。
は、本発明では常に階調数と同数である。また、本発明
の液晶ドライバLSIの検査に用いたコンパレータ判定
に必要な電圧の立ち上がり時間は、液晶制御用出力端子
12に接続されたオペアンプ6の能力によって決定され
るものである。よって、より短時間にテストが実施でき
るようにDFT(Design For Test )設計することも可
能である。
る。
から印加した電圧を複数の抵抗により複数の異なる電圧
値の階調電圧に分圧し、各階調電圧をそれぞれ異なる階
調電圧ラインへ供給する階調電圧生成回路と、データ入
力端子からディジタルデータを入力して、電圧出力端子
から出力する階調電圧を選択可能なDAC回路と、を備
えており、階調電圧生成回路から複数の階調電圧ライン
への階調電圧の供給を階調電圧無効回路で無効に切り替
え可能であり、試験装置が備えるコンパレータで識別可
能な電圧幅のパルス電圧を出力するパルス発生回路から
出力されたパルス電圧を、複数の階調電圧ラインへ単位
時間ごとにパルスシフト回路でシフトして供給すること
によって、試験装置のコンパレータにより半導体集積回
路の内部論理回路のディジタル判定が可能となり、高速
且つ確実に半導体集積回路の検査を行うことができる。
から複数の階調電圧ラインへのパルス電圧の供給を無効
に切り替え可能なパルス電圧無効回路を備えているた
め、半導体集積回路を通常の方法で使用している場合に
は、パルスシフト回路からパルス電圧が誤って供給され
たとしても、パルス電圧無効回路によってその供給を無
効にすることができるので、半導体集積回路は問題なく
使用できる。
ータで検査する際には、階調電圧生成回路から複数の階
調電圧ラインへの階調電圧の供給を階調電圧無効回路で
無効に切り替えて、パルス発生回路で発生させたパルス
電圧を、パルスシフト回路で第1の単位時間ごとにシフ
トして複数の階調電圧ラインへ供給するとともに、デー
タ入力端子から入力するディジタルデータを第2の単位
時間ごとに切り替えて、電圧出力端子から出力する階調
電圧を供給する階調電圧ラインをDAC回路で選択し、
電圧出力端子から出力されたパルス電圧の出力値と期待
値との比較を行うので、電圧出力端子から出力する階調
電圧を供給する階調電圧ラインをDAC回路で選択した
状態で、各階調電圧ラインへパルス電圧を供給して検査
を行い、DAC回路で別の階調電圧ラインを選択した状
態で、各階調電圧ラインへパルス電圧を供給して検査を
行う、という検査を全階調電圧ラインに対して行うこと
が可能となり、確実に半導体集積回路の内部論理回路を
検査することができる。
概略の構成を示した回路図である。
各波形のタイミングチャートである。
階調)のDACを内蔵する液晶ドライバの検査を行うた
めの構成を示した構成図である。
itデータ″00000000″入力した場合のタイミ
ングチャートである。
8bitデータ″10000000″を入力した場合の
タイミングチャートである。
8bitデータ″11111111″を入力した場合の
タイミングチャートである。
bitデータ″00000000″を入力した場合のタ
イミングチャートである。
の8bitデータ″10000000″を入力した場合
のタイミングチャートである。
の8bitデータ″11111111″を入力した場合
のタイミングチャートである。
て、階調″170″の8bitデータ″1010101
0″を入力したときの液晶制御用出力端子からの出力
と、テスタのコンパレータの期待値と、を示したタイミ
ングチャートである。
て、階調″170″の8bitデータ″1010101
0″を入力した時に、内部論理回路が故障していた場合
の液晶制御用出力端子からの出力と、コンパレータの期
待値と、を示したタイミングチャートである。
バLSIの検査方法を示した概略の構成図である。
イバLSIの概略構成図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 基準電圧入力端子から印加した電圧を複
数の抵抗により複数の異なる電圧値の階調電圧に分圧
し、各階調電圧をそれぞれ異なる階調電圧ラインへ供給
する階調電圧生成回路と、データ入力端子から入力した
ディジタルデータに応じて、電圧出力端子から出力する
階調電圧を供給する該階調電圧ラインを選択可能なDA
コンバータ回路と、を備えた半導体集積回路において、 該階調電圧生成回路から該複数の階調電圧ラインへの階
調電圧の供給を無効にする階調電圧無効回路と、試験装
置のコンパレータで識別可能な電圧幅のパルス電圧を出
力するパルス発生回路と、該パルス発生回路から出力さ
れたパルス電圧を単位時間ごとにシフトして該複数の階
調電圧ラインへ供給するパルスシフト回路と、を備えた
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項2】 前記シフト回路から前記複数の階調電圧
ラインへの階調電圧の供給を無効にするパルス電圧無効
回路を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体
集積回路。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の半導体集積回
路の検査方法であって、 前記階調電圧生成回路から複数の階調電圧ラインへの階
調電圧の供給を前記階調電圧無効回路で無効に切り替え
て、 前記パルス発生回路で発生させたパルス電圧を、前記パ
ルスシフト回路で第1の単位時間ごとにシフトして前記
複数の階調電圧ラインへ供給するとともに、 前記データ入力端子から入力するディジタルデータを第
2の単位時間ごとに切り替えて、前記階調電圧ラインを
前記DAコンバータ回路で選択し、前記試験装置のコン
パレータで前記電圧出力端子から出力されたパルス電圧
の出力値と期待値とを比較することを特徴とする半導体
集積回路の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001030982A JP3553509B2 (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | 半導体集積回路及びその検査方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2002236147A true JP2002236147A (ja) | 2002-08-23 |
JP3553509B2 JP3553509B2 (ja) | 2004-08-11 |
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JP (1) | JP3553509B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006047315A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Magnachip Semiconductor Ltd | Lcd駆動用ic内のデジタル/アナログ変換器のテスト装置 |
KR100824158B1 (ko) * | 2003-11-07 | 2008-04-21 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 시험 방법 |
US7474290B2 (en) | 2003-11-07 | 2009-01-06 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and testing method thereof |
-
2001
- 2001-02-07 JP JP2001030982A patent/JP3553509B2/ja not_active Expired - Fee Related
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