JP2002231502A - Fillet-less chip resistor and method for manufacturing the same - Google Patents

Fillet-less chip resistor and method for manufacturing the same

Info

Publication number
JP2002231502A
JP2002231502A JP2001030013A JP2001030013A JP2002231502A JP 2002231502 A JP2002231502 A JP 2002231502A JP 2001030013 A JP2001030013 A JP 2001030013A JP 2001030013 A JP2001030013 A JP 2001030013A JP 2002231502 A JP2002231502 A JP 2002231502A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistor
thin film
electrode
chip resistor
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001030013A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideyuki Miyazawa
英之 宮澤
Original Assignee
Koa Corp
コーア株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koa Corp, コーア株式会社 filed Critical Koa Corp
Priority to JP2001030013A priority Critical patent/JP2002231502A/en
Publication of JP2002231502A publication Critical patent/JP2002231502A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fillet-less chip resistor high in moisture resistance and mass productivity and to provide its manufacturing method. SOLUTION: The fillet-less chip resistor is composed of a tantalum nitride thin film resistor 21 arranged on the top surface of an angular insulating board 12, thin film electrodes 22 of copper arranged on each side of the resistor 21, a protective film 23 which covers the major part of the resistor 21 and is formed of an inorganic material, and plating electrodes 24 formed on the thin film electrodes 22.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はチップ抵抗器及びそ
の製造方法に係り、特に印刷配線基板のランドに対し、
はんだフィレットによる固定を用いずに、チップ抵抗器
の上面に設けられた電極部のみのはんだ固定により実装
が可能な、いわゆるフィレットレス形のチップ抵抗器に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip resistor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a land of a printed wiring board.
The present invention relates to a so-called filletless type chip resistor that can be mounted by soldering only an electrode portion provided on an upper surface of a chip resistor without using a solder fillet.

【0002】[0002]

【従来の技術】チップ抵抗器は、従来から絶縁基板の長
手方向両端部の上面、端面、下面にそれぞれはんだめっ
き等を施しためっき電極を備え、この電極を印刷配線基
板のランド部にはんだによる固定で実装されていた。即
ち、このはんだによる接続及び固定は図3(a)に示す
ように主としてチップ抵抗器11の基板12の端面に設
けられた電極13と印刷配線基板14のランド部15と
をいわゆるはんだフィレット16によって接続してい
た。
2. Description of the Related Art Conventionally, chip resistors have conventionally been provided with plated electrodes on the upper surface, end surface, and lower surface of both ends in the longitudinal direction of an insulating substrate, and these electrodes are soldered to the lands of the printed wiring board. It was fixed and implemented. That is, as shown in FIG. 3 (a), the connection and fixation by the solder mainly consist of the so-called solder fillet 16 in which the electrode 13 provided on the end face of the substrate 12 of the chip resistor 11 and the land 15 of the printed wiring board 14 are connected. I was connected.

【0003】しかしながら、チップ抵抗器を使用する各
種電子機器の軽薄短小化に伴い、チップ抵抗器において
も、その実装密度の向上が求められている。従って、図
3(b)に示すように、はんだの専有面積を極力減らす
ことができるように、はんだフィレットを用いないチッ
プ抵抗器の実装方法が市場において要求されている。こ
のチップ抵抗器の実装方法は、図3(b)に示すよう
に、基板の上面に設けられた電極17をフェイスダウン
方式により印刷配線基板14のランド部15にはんだ1
9により接続するものであり、係る実装方法に対応が可
能ないわゆるフィレットレス形のチップ抵抗器が市場か
ら要求されている。
However, with the reduction in the size and weight of various electronic devices that use chip resistors, the mounting density of chip resistors is also required to be improved. Therefore, as shown in FIG. 3B, there is a demand in the market for a chip resistor mounting method that does not use a solder fillet so that the area occupied by solder can be reduced as much as possible. As shown in FIG. 3B, this chip resistor is mounted by soldering an electrode 17 provided on the upper surface of the substrate to a land 15 of a printed wiring board 14 by a face-down method.
The so-called filletless type chip resistors which can be connected by the mounting method 9 are required from the market.

【0004】しかしながら、このようなフィレットレス
形のチップ抵抗器においては、絶縁基板12の両端部に
設けられた電極17の厚さが、抵抗体及びこれを保護す
る保護膜18の厚さよりも厚い必要がある。そうしない
と、チップ抵抗器を印刷配線基板に実装する時に密着性
を損なうことになるからである。
However, in such a filletless type chip resistor, the thickness of the electrodes 17 provided at both ends of the insulating substrate 12 is larger than the thickness of the resistor and the protective film 18 for protecting the resistor. There is a need. Otherwise, the adhesion will be impaired when the chip resistor is mounted on the printed wiring board.

【0005】ところで、従来のチップ抵抗器において
は、保護膜として耐湿性の確保のために例えば40μm
程度の厚い樹脂膜が用いられ、抵抗体と保護膜との合計
厚さは、一般的にはんだめっきを施した電極部の厚さよ
りも厚くなる。電極部の厚さを厚くしようとすると、め
っき電極の厚さを厚くするか、下地電極の厚さを厚くす
るかである。下地電極の厚さを厚くしようとすると、こ
の下地電極は製造段階で隣接する基板領域とまたがって
形成されるため、基板を分割する時に割れにくい等のト
ラブルが生じる。また、はんだめっき等のめっき電極の
厚さを厚くしようとしても、剥がれ等が生じ、この膜厚
には一定の限界が存在する。
In a conventional chip resistor, for example, a protective film having a thickness of, for example, 40 μm is used to secure moisture resistance.
A thick resin film is used, and the total thickness of the resistor and the protection film is generally larger than the thickness of the electrode portion on which the solder plating is performed. In order to increase the thickness of the electrode portion, it is necessary to increase the thickness of the plating electrode or the thickness of the base electrode. If an attempt is made to increase the thickness of the base electrode, the base electrode is formed so as to straddle an adjacent substrate region in the manufacturing stage, so that problems such as difficulty in breaking when dividing the substrate occur. Further, even if an attempt is made to increase the thickness of a plating electrode such as solder plating, peeling or the like occurs, and this film thickness has a certain limit.

【0006】また、従来のニクロム等を用いた薄膜チッ
プ抵抗器の構造では、図3(b)に示すようなフェイス
ダウン実装を行うと、抵抗体保護膜上に付着したフラッ
クスなどの汚染により抵抗体が容易に電蝕断線をおこす
という問題がある。このため、フェイスダウン実装によ
るフィレットレス形チップ抵抗器は薄膜技術を用いて製
作すると、電蝕断線を起こし易いため、その製作が困難
であるという問題があった。
In the conventional structure of a thin-film chip resistor using nichrome or the like, if face-down mounting as shown in FIG. There is a problem that the body easily breaks due to electrolytic corrosion. For this reason, when a filletless type chip resistor manufactured by face-down mounting is manufactured using a thin film technology, there is a problem that it is difficult to manufacture the chip resistor because electric corrosion is easily broken.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
に鑑みて為されたもので、良好な耐湿性及び量産性を有
するフィレットレス形チップ抵抗器及びその製造方法を
提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a filletless type chip resistor having good moisture resistance and mass productivity and a method of manufacturing the same. I do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のチップ抵抗器
は、角型絶縁基板の上面に配置された窒化タンタル薄膜
からなる抵抗体と、該抵抗体の両端部に配置された銅か
らなる薄膜電極と、前記抵抗体の主要部を被覆する無機
材料からなる保護膜と、前記薄膜電極上に形成されため
っき電極とからなることを特徴とする。
A chip resistor according to the present invention comprises a resistor made of a tantalum nitride thin film disposed on an upper surface of a rectangular insulating substrate, and a thin film made of copper disposed at both ends of the resistor. An electrode, a protective film made of an inorganic material covering a main part of the resistor, and a plating electrode formed on the thin film electrode.

【0009】また、本発明のチップ抵抗器の製造方法
は、角型絶縁基板の上面に窒化タンタル薄膜からなる抵
抗体を配置し、該抵抗体の両端部に銅の薄膜電極を配置
し、前記銅の薄膜電極を含む両端部を除いて前記抵抗体
を無機絶縁材料からなる薄膜で被着し、露出した前記薄
膜電極上にめっき電極を形成することを特徴とする。
Further, according to the method of manufacturing a chip resistor of the present invention, a resistor made of a tantalum nitride thin film is arranged on an upper surface of a rectangular insulating substrate, and copper thin film electrodes are arranged on both ends of the resistor. The resistor is coated with a thin film made of an inorganic insulating material except for both ends including the copper thin film electrode, and a plating electrode is formed on the exposed thin film electrode.

【0010】上述した本発明によれば、抵抗体として
は、500Å−5000Å程度の窒化タンタル(Ta
N)薄膜を用い、その抵抗体を保護する保護膜としては
シリコン酸化膜(SiO)または、窒化シリコン膜
(SiN)を用いることで1−10μm程度の膜厚とす
ることができる。従って抵抗体と保護膜の厚さとしては
合計で10μm以下程度で比較的薄い膜厚とすることが
できる。そして、窒化タンタル薄膜からなる抵抗体と、
無機絶縁膜の組合せにより十分な耐湿性が得られ、はん
だフラックス等による電蝕断線を防止できる。一方で電
極部は、下地電極として窒化タンタル薄膜の上に設けら
れた銅の薄膜電極と、更にこの上にニッケルめっき及び
はんだめっきを施すことにより設けられためっき電極と
を配置しているので、このめっき電極の厚さは10−2
0μm程度となり、十分に抵抗体及び保護膜の合計厚さ
よりも厚くなる。従って、係る構造によりフィレットレ
ス形チップ抵抗器に好適な構造とすることが出来る。
According to the present invention, as the resistor, tantalum nitride (Ta) of about 500-5000 ° is used.
N) By using a thin film and using a silicon oxide film (SiO 2 ) or a silicon nitride film (SiN) as a protective film for protecting the resistor, the thickness can be made about 1-10 μm. Therefore, the total thickness of the resistor and the protective film is about 10 μm or less, and can be relatively thin. And a resistor made of a tantalum nitride thin film;
Sufficient moisture resistance can be obtained by the combination of the inorganic insulating films, and electric corrosion breakage due to solder flux or the like can be prevented. On the other hand, since the electrode portion has a copper thin film electrode provided on a tantalum nitride thin film as a base electrode and a plated electrode provided by applying nickel plating and solder plating thereon, The thickness of this plating electrode is 10-2
The thickness is about 0 μm, which is sufficiently larger than the total thickness of the resistor and the protective film. Therefore, such a structure can provide a structure suitable for a filletless type chip resistor.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の
実施の形態のフィレットレス形チップ抵抗器である。図
1(a)の上面図、及び(b)の断面図に示すように、
アルミナ等の角型絶縁基板12の上面に窒化タンタル
(TaN)薄膜からなる抵抗体21が配置されている。
ここで窒化タンタル膜の膜厚は例えば500−5000
Å程度である。抵抗体21の両端部上面には銅(Cu)
からなる薄膜電極22が配置されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a filletless chip resistor according to an embodiment of the present invention. As shown in the top view of FIG. 1A and the sectional view of FIG.
A resistor 21 made of a tantalum nitride (TaN) thin film is disposed on the upper surface of a square insulating substrate 12 such as alumina.
Here, the thickness of the tantalum nitride film is, for example, 500-5000.
About Å. Copper (Cu) is provided on the upper surface of both ends of the resistor 21.
Is disposed.

【0012】この銅の薄膜電極は、例えばスパッタリン
グにより形成され、その膜厚が1μm程度である。そし
て、抵抗体21の主要部は無機材料からなる保護膜23
により被覆されている。ここで、保護膜23はシリコン
酸化膜(SiO)、または窒化シリコン膜(SiN)
等の無機材料であり、その厚さは1−10μm程度であ
る。そして、基板12の長手方向両端部には銅の薄膜電
極22上にめっき電極24が配置されている。めっき電
極24は、厚さ5−10μm程度のニッケルめっき層
と、同様に厚さ5−10μm程度のはんだめっき層とか
ら構成されている。
The copper thin-film electrode is formed, for example, by sputtering and has a thickness of about 1 μm. The main part of the resistor 21 is a protective film 23 made of an inorganic material.
Coated with Here, the protective film 23 is a silicon oxide film (SiO 2 ) or a silicon nitride film (SiN)
And the like, and its thickness is about 1-10 μm. Further, plating electrodes 24 are disposed on the copper thin film electrodes 22 at both ends in the longitudinal direction of the substrate 12. The plating electrode 24 includes a nickel plating layer having a thickness of about 5 to 10 μm and a solder plating layer having a thickness of about 5 to 10 μm.

【0013】上記構成のチップ抵抗器によれば抵抗体2
1及び保護膜23の厚さが、1−2μmからせいぜい1
0μm程度と薄く、これに対してめっき電極は従来と同
様の電極構造を用いているので、その厚さが10−20
μm程度と大きくなる。従って、抵抗体と保護膜の合計
厚さがめっき電極の部分よりも遙かに薄くなりこれによ
りフィレットレス形チップ抵抗器として好ましい構造が
形成される。
According to the above-structured chip resistor, the resistor 2
1 and the thickness of the protective film 23 are at most 1 from 1-2 μm.
On the other hand, since the plating electrode has the same electrode structure as the conventional one, its thickness is 10-20.
It becomes as large as about μm. Therefore, the total thickness of the resistor and the protective film is much smaller than that of the plated electrode, thereby forming a structure preferable as a filletless chip resistor.

【0014】さらに、窒化タンタル膜の抵抗体は、湿度
に対する耐蝕性が高く、これを無機絶縁膜と組合せるこ
とにより良好な耐蝕性が得られる。従って、フェイスダ
ウン方式によりフィレットレス形のはんだ固定を行って
も、はんだフラックスによる電蝕断線が生じず、薄膜技
術を用いたフィレットレス形のチップ抵抗器が得られ
る。
Further, the resistor of the tantalum nitride film has high corrosion resistance to humidity, and good corrosion resistance can be obtained by combining this with an inorganic insulating film. Therefore, even if the filletless solder is fixed by the face-down method, no electrolytic corrosion breakage occurs due to the solder flux, and a filletless chip resistor using thin film technology can be obtained.

【0015】図1(c)は、上記チップ抵抗器の実装状
態を示す。このチップ抵抗器は、図1(b)に示す絶縁
基板12の上面を裏返しにして下面としてフェイスダウ
ンで印刷配線基板14に実装している。すなわち、印刷
配線基板14のランド部15に、チップ抵抗器11のめ
っき電極24がフィレットレス方式により接続固定され
る。そして、上述したように、保護膜23の膜厚はめっ
き電極24の部分の膜厚と比較して薄いので、めっき電
極24の片面が印刷配線基板14のランド部15に当接
することになり、保護膜23の下面は印刷配線基板14
の表面から浮いた状態に位置する。このようなはんだフ
ィレットを用いない接続固定方式によれば、従来のはん
だフィレットに相当する面積が不要となるので、実装密
度の向上が図れ、かつ浮遊容量が減少するので、回路の
高周波化にも対応が可能である。
FIG. 1C shows a mounting state of the chip resistor. The chip resistor is mounted face-down on the printed wiring board 14 with the upper surface of the insulating substrate 12 shown in FIG. That is, the plating electrode 24 of the chip resistor 11 is connected and fixed to the land 15 of the printed wiring board 14 by a filletless method. Then, as described above, since the thickness of the protective film 23 is smaller than the thickness of the portion of the plating electrode 24, one surface of the plating electrode 24 comes into contact with the land portion 15 of the printed wiring board 14, The lower surface of the protective film 23 is the printed wiring board 14
It is located in a state of floating from the surface. According to such a connection fixing method that does not use a solder fillet, an area equivalent to a conventional solder fillet is not required, so that mounting density can be improved and stray capacitance can be reduced. Response is possible.

【0016】次に、図2を参照して本発明の実施の形態
のチップ抵抗器の製造方法について説明する。まず、シ
ート上のアルミナ基板を準備し、各チップ領域に相当す
る部分に、(a)に示すように窒化タンタル薄膜からな
る抵抗体21を配置する。この抵抗体21の配置は、基
板全面にスパッタリング等により窒化タンタル膜を被着
し、これをフォトリソグラフィの技術を用いて所定パタ
ーンにエッチング加工する。次に、(b)に示すように
銅(Cu)の薄膜電極22を被着する。銅の薄膜電極
は、メタルマスク技術又はフォトリソグラフィの技術を
用いてスパッタリングにより1μm程度の膜厚で形成す
る。次に基板全面に無機絶縁膜23aの着膜を行う。こ
の着膜は、酸化シリコン膜(SiO)または窒化シリ
コン膜(SiN)等をCVDまたはスパッタリングによ
り1−10μm程度の厚さで被着して形成する。そし
て、メタルマスク技術又はフォトリソグラフィの技術を
用いて、(d)に示すように所定パターンに加工する。
これにより、無機絶縁膜による保護膜パターン23が形
成される。そして、(e)に示すように銅の薄膜電極2
2上にめっき電極24を形成する。このめっき電極24
は、電解めっきによりまずニッケル(Ni)めっきを5
乃至10μm程度の厚さで被着し、次にはんだめっきを
同様に5乃至10μm程度の厚さで被着する。これによ
り図1に示すフィレットレス形のチップ抵抗器が得られ
る。
Next, a method of manufacturing a chip resistor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. First, an alumina substrate on a sheet is prepared, and a resistor 21 made of a tantalum nitride thin film is arranged in a portion corresponding to each chip region as shown in FIG. The arrangement of the resistor 21 is such that a tantalum nitride film is deposited on the entire surface of the substrate by sputtering or the like, and this is etched into a predetermined pattern using a photolithography technique. Next, a thin film electrode 22 of copper (Cu) is deposited as shown in FIG. The copper thin film electrode is formed with a thickness of about 1 μm by sputtering using a metal mask technique or a photolithography technique. Next, an inorganic insulating film 23a is deposited on the entire surface of the substrate. This deposited film is formed by depositing a silicon oxide film (SiO 2 ) or a silicon nitride film (SiN) with a thickness of about 1 to 10 μm by CVD or sputtering. Then, using a metal mask technique or a photolithography technique, processing is performed into a predetermined pattern as shown in FIG.
Thereby, the protective film pattern 23 made of the inorganic insulating film is formed. Then, as shown in FIG.
A plating electrode 24 is formed on 2. This plating electrode 24
First, nickel (Ni) plating 5
Then, a solder plating is similarly applied to a thickness of about 5 to 10 μm. Thus, a filletless type chip resistor shown in FIG. 1 is obtained.

【0017】上述したフィレットレス形チップ抵抗器の
製造方法は、抵抗体パターンの形成が片面のみであり、
従来必要であったチップ下面側の電極及び端面電極を必
要としないため、その分の工程が不要となり、量産性が
良好であり製造コストを従来と比較して低減することが
できる。また、裏面及び端面電極が不要であるので、例
えば1mm程度以下の寸法の微細サイズのチップ抵抗器
にも容易に適用する事が可能となる。
In the above-described method for manufacturing a filletless type chip resistor, the resistor pattern is formed only on one side,
Since the electrode and the end face electrode on the lower surface of the chip, which are conventionally required, are not required, the corresponding steps are not required, the mass productivity is good, and the manufacturing cost can be reduced as compared with the related art. Further, since the back surface and the end surface electrodes are not required, it can be easily applied to a chip resistor having a fine size of, for example, about 1 mm or less.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、抵
抗体に窒化タンタル膜を用い、これを無機絶縁膜の保護
膜と組み合わせることにより、薄膜プロセスによって電
蝕断線を起こさないチップ抵抗器が得られる。係るチッ
プ抵抗器においては抵抗体と保護膜の部分の厚さを通常
のめっき電極の厚さよりも薄く形成することができるた
めフィレットレス形チップ抵抗器としてフェイスダウン
方式の実装に好適な構造が得られる。係る構造のフィレ
ットレス形チップ抵抗器においては信頼性が高く、かつ
量産性が良好であり、印刷配線基板に実装して使用する
ことにより実装密度の向上が図れ、高周波特性を改善で
きる。
As described above, according to the present invention, by using a tantalum nitride film for a resistor and combining it with a protective film of an inorganic insulating film, a chip resistor which does not cause electric corrosion and disconnection by a thin film process. Is obtained. In such a chip resistor, the thickness of the resistor and the protective film can be made thinner than the thickness of a normal plated electrode, so that a structure suitable for a face-down type mounting as a filletless type chip resistor is obtained. Can be The filletless type chip resistor having such a structure has high reliability and good mass productivity, and can be mounted on a printed wiring board to improve the mounting density and improve high-frequency characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態のフィレットレス形チップ
抵抗器の(a)は上面図、(b)は(a)のB−B線に
沿った断面図、(c)は上記フィレットレス形チップ抵
抗器を印刷配線基板に実装した状態を示す断面図であ
る。
FIG. 1A is a top view of a filletless chip resistor according to an embodiment of the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1A, and FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state where the chip resistor is mounted on a printed wiring board.

【図2】本発明の実施の形態のフィレットレス形チップ
抵抗器の製造工程を示す図であり、左欄は上面図であ
り、右欄はその長手方向中央部に沿った断面図である。
FIG. 2 is a view showing a process of manufacturing the filletless chip resistor according to the embodiment of the present invention, wherein the left column is a top view and the right column is a cross-sectional view along a longitudinal center portion thereof.

【図3】(a)はフィレットを用いたチップ抵抗器の実
装構造を示す図であり、(b)はフェイスダウンボンデ
ィングによるフィレットレス形チップ抵抗器を印刷配線
基盤に実装した状態を示す図である。
FIG. 3A is a diagram illustrating a mounting structure of a chip resistor using a fillet, and FIG. 3B is a diagram illustrating a state where a filletless type chip resistor by face-down bonding is mounted on a printed wiring board; is there.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 チップ抵抗器 12 基板 14 印刷配線基板 15 ランド部 21 窒化タンタル薄膜による抵抗体 22 銅の薄膜電極 23 無機絶縁体の保護膜 24 めっき電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Chip resistor 12 Substrate 14 Printed wiring board 15 Land portion 21 Resistor made of tantalum nitride thin film 22 Copper thin film electrode 23 Protective film of inorganic insulator 24 Plating electrode

Claims (2)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】 角型絶縁基板の上面に配置された窒化タ
    ンタル薄膜からなる抵抗体と、該抵抗体の両端部に配置
    された銅からなる薄膜電極と、前記抵抗体の主要部を被
    覆する無機材料からなる保護膜と、前記薄膜電極上に形
    成されためっき電極とからなることを特徴とするフィレ
    ットレス形チップ抵抗器。
    1. A resistor made of a tantalum nitride thin film disposed on an upper surface of a rectangular insulating substrate, a thin film electrode made of copper disposed at both ends of the resistor, and a main part of the resistor covered. A filletless chip resistor comprising a protective film made of an inorganic material and a plating electrode formed on the thin film electrode.
  2. 【請求項2】 角型絶縁基板の上面に窒化タンタル薄膜
    からなる抵抗体を配置し、該抵抗体の両端部に銅の薄膜
    電極を配置し、前記銅の薄膜電極を含む両端部を除いて
    前記抵抗体を無機絶縁材料からなる薄膜で被着し、露出
    した前記薄膜電極上にめっき電極を形成することを特徴
    とするフィレットレス形チップ抵抗器の製造方法。
    2. A resistor made of a tantalum nitride thin film is arranged on an upper surface of a rectangular insulating substrate, copper thin film electrodes are arranged on both ends of the resistor, and both ends including the copper thin film electrode are removed. A method for manufacturing a filletless chip resistor, comprising: depositing the resistor with a thin film made of an inorganic insulating material; and forming a plating electrode on the exposed thin film electrode.
JP2001030013A 2001-02-06 2001-02-06 Fillet-less chip resistor and method for manufacturing the same Pending JP2002231502A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001030013A JP2002231502A (en) 2001-02-06 2001-02-06 Fillet-less chip resistor and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001030013A JP2002231502A (en) 2001-02-06 2001-02-06 Fillet-less chip resistor and method for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002231502A true JP2002231502A (en) 2002-08-16

Family

ID=18894286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001030013A Pending JP2002231502A (en) 2001-02-06 2001-02-06 Fillet-less chip resistor and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002231502A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006030705A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chip-shaped electronic part
JP2007049142A (en) * 2005-08-03 2007-02-22 Samsung Electronics Co Ltd Chip type electric element and liquid crystal display module containing it
US7990734B2 (en) 2006-11-06 2011-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory module with reverse mounted chip resistor
WO2019102857A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-31 パナソニックIpマネジメント株式会社 Resistor

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006030705A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chip-shaped electronic part
JPWO2006030705A1 (en) * 2004-09-15 2008-05-15 松下電器産業株式会社 Chip-type electronic components
US7772961B2 (en) 2004-09-15 2010-08-10 Panasonic Corporation Chip-shaped electronic part
JP2007049142A (en) * 2005-08-03 2007-02-22 Samsung Electronics Co Ltd Chip type electric element and liquid crystal display module containing it
US7990734B2 (en) 2006-11-06 2011-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory module with reverse mounted chip resistor
WO2019102857A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-31 パナソニックIpマネジメント株式会社 Resistor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2724044B2 (en) Thin film surface mount fuse
JP2817717B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW480636B (en) Electronic component and semiconductor device, method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board and electronic equipment
US5243133A (en) Ceramic chip carrier with lead frame or edge clip
JP4844045B2 (en) Electronic component and manufacturing method thereof
KR100543481B1 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6943662B2 (en) Chip resistor
JP2615151B2 (en) Chip coil and method of manufacturing the same
JP4068628B2 (en) Wiring board, semiconductor device and display module
US7663225B2 (en) Method for manufacturing electronic components, mother substrate, and electronic component
JP3755453B2 (en) Inductor component and method for adjusting inductance value thereof
US7087987B2 (en) Tape circuit substrate and semiconductor chip package using the same
US6005474A (en) Chip network resistor and method for manufacturing same
US4300115A (en) Multilayer via resistors
JP2007088162A (en) Chip resistor
EP0337775B1 (en) Electronic apparatus
JP2008211257A (en) Printed circuit board assembly having integrated type fusible link
AU628256B2 (en) A multilayer structure and its fabrication method
US6328201B1 (en) Multilayer wiring substrate and method for producing the same
JP2007088161A (en) Chip resistor
JP3578964B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20160372293A1 (en) Fuse in chip design
US6703683B2 (en) Chip resistor and method for manufacturing the same
US6861941B2 (en) Chip resistor
JP2003031576A (en) Semiconductor element and manufacturing method therefor