JP2002230827A

JP2002230827A - 相変化型光情報記録媒体

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Publication number: JP2002230827A
Application number: JP2001026094A
Authority: JP
Inventors: Masanori Kato; 将紀加藤; Yuki Nakamura; 有希中村; Katsuyuki Yamada; 勝幸山田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-02-01
Filing date: 2001-02-01
Publication date: 2002-08-16

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】媒体の相変化臨界相対速度を規定すること
で、マルチスピードで記録可能であり、高い記録線速度
で記録した際の記録特性、繰り返し記録特性の良好な相
変化型光情報記録媒体を実現すること。【解決手段】情報記録時の記録装置と媒体の相対速度
をｖ_Wとし、媒体の記録可能な最高相対速度がｖ_WH、最
低相対速度がｖ_WLで表わされる相変化型光情報記録媒体
において、記録・再生波長λ＝７８９ｎｍ、開口数ＮＡ
＝０．４９である記録装置を用いて、装置と媒体が相対
速度ｖで移動しているとき、記録相対速度ｖ_WHでの媒体
の最適記録パワーＰ_0Hに対して、Ｐ_E＝０．７５Ｐ_0Hの
パワーで記録装置から電磁波をＤＣ照射し、該記録装置
で測定した反射率Ｒが相対速度ｖに対してその微分係数
−ｄＲ／ｄｖが、最大値をとる相対速度である相変化臨
界相対速度ｖ₀が、ｖ₀≧０．７ｖ _WHの範囲にあることを
特徴とする相変化型光情報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光情報記
録媒体に関し、詳しくは、ＣＤ−ＲＷ、ＰＤ、ＤＶＤ−
ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷに代表される相変化型光ディスクに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術として特開平１１−１１５３
１３号公報に記載の光記録媒体およびそれを用いた記録
方法は、本発明と類似のパラメータで規定しているが、
規定範囲に重なりは無い。また、高い記録相対速度にま
で対応していない。

【０００３】また、オレンジブックパートIII vol.１ v
er. ２．０のＣＤ−ＲＷディスクを拡張して８×(相対
速度９．６ｍ／ｓ)までの記録を想定した光情報記録媒
体は、マルチスピードに対応するために、再結晶化上限
線速度を規定している。しかし、本発明の範囲では、記
録線速度９．６ｍ／ｓ以上で、繰り返し記録特性が悪化
するという問題点が残る。また、同様な記録相対速度を
想定した別の相変化型光記録媒体として、オレンジブッ
クパートIII vol.１ ver. ２．０準拠の別のＣＤ−ＲＷ
ディスクは、マルチスピードに対応するために、再結晶
化上限速度を規定している。しかし、本発明の範囲で
は、記録線速度４．８ｍ／ｓ以上の高速記録は考慮され
ていない。

【０００４】ＣＤ−ＲＷ、ＰＤ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ
＋ＲＷに代表される相変化型の光情報記録媒体では、繰
り返し情報を記録できるという点から、広く普及してき
ているが、異なる記録線速（マルチスピード）で記録、
繰り返し記録（オーバーライト）、消去することが困難
であった。しかし、市場の要求、駆動装置の進歩によ
り、マルチスピードに対応した光情報記録媒体の需要が
高まっている。現状では、ＣＤ−ＲＷのマルチスピード
対応が実現されており、記録線速度は１．２ｍ／ｓ〜
４．８ｍ／ｓとなっている。また、高密度化、高速記録
化の需要も高く、より高い記録線速度で記録できる光情
報記録媒体が必要となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、媒体
の相変化臨界相対速度を規定することで、マルチスピー
ドで記録可能であり、高い記録線速度で記録した際の記
録特性、繰り返し記録特性の良好な相変化型光情報記録
媒体を実現することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の
（１）「電磁波で情報を記録および再生し、再生に反射
率の差を用い、情報記録時の記録装置と媒体の相対速度
をｖ_Wとし、媒体の記録可能な最高相対速度がｖ_WH、最
低相対速度がｖ_WLで表わされる相変化型光情報記録媒体
において、記録・再生波長λ＝７８９ｎｍ、開口数ＮＡ
＝０．４９である記録装置を用いて、装置と媒体の相対
速度ｖで媒体または記録装置が移動しているとき、記録
相対速度ｖ_WHでの媒体の最適記録パワーＰ_0Hに対して、
Ｐ_E＝０．７５Ｐ_0Hのパワーで記録装置から電磁波をＤ
Ｃ照射し、該記録装置で測定した反射率Ｒが相対速度ｖ
に対して図２に示すようにｖを減少させたときのＲの飽
和値Ｒ_Aから、ｖを増加させたときの飽和値Ｒ_Bまで変動
し、その微分係数−ｄＲ／ｄｖが、図２に示すように最
大値をとる相対速度である相変化臨界相対速度ｖ₀が、
ｖ₀≧０．７ｖ_WHの範囲にあることを特徴とする相変化
型光情報記録媒体」、（２）「相変化臨界相対速度ｖ₀
がｖ₀≦３．０ｖ_WLであることを特徴とする前記第
（１）項に記載の相変化型光情報記録媒体」、（３）
「相変化臨界相対速度マージンΔｖ₀が、Δｖ₀／ｖ₀＜
０．４であることを特徴とする前記第（１）項又は第
（２）項に記載の相変化型光情報記録媒体」、（４）
「情報の読み出しに用いる反射率Ｒが、相対速度につい
て、低速側でＲ_Aに飽和し、高速側でＲ_Bに飽和し、Ｒ_A
＞Ｒ_Bのときに０．１＜Ｒ_B／Ｒ_A＜０．６であることを
特徴とする前記第（１）項乃至第（３）項のいずれかに
記載の相変化型光情報記録媒体」、（５）「記録層材料
にすくなくとも、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含有し、そ
の原子パーセントで表記される組成がＡｇαＩｎβＳｂ
γＴｅδのとき、０．１≦α≦３．０５．０≦β≦１２．０６０．０≦γ≦７２．０２２．０≦δ≦３０．０（単位：原子パーセント）であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（４）項
のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体」、（６）
「ｖ_WH／ｖ_WL≧２．５であることを特徴とする請求項１
乃至５のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体」に
よって解決される。

【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
相変化型光情報記録媒体は、支持基盤上に少なくとも１
層以上の相変化材料からなる記録層を有する。図１は、
本発明の相変化型光情報記録媒体の層構成の１例を示し
たものである。本発明の記録媒体は、基板（１）上に、
下部保護層（２）、記録層（３）、上部保護層（４）、
反射放熱層（５）を順次形成することで得られる。さら
に反射放熱層（５）の上にオーバーコート層（６）を、
基板（１）の下面にハードコート層（７）を形成しても
良い。

【０００８】基板（１）は媒体を支持することを主目的
とし、記録、読み出しに用いる電磁波を基板面から入射
する場合、入射する電磁波の波長領域で透明であること
が必要である。基板（１）の透明基板材料としてはガラ
ス、セラミックス、樹脂等を用いることができ、透明性
および成型の容易さから、樹脂を用いるのが好ましく、
樹脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−ス
チレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレ
ン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹
脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、成型性、光学特
性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリ
ル系樹脂が好ましい。透明基板上には案内溝（グルー
ブ）が形成されていてもかまわない。

【０００９】下部保護層（２）、上部保護層（４）は熱
特性、光学特性の点から誘電体を用いる。誘電体として
は、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｉ
ｎ₂Ｏ ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂等の酸化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ₂
Ｓ₃、ＴａＳ₄硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、
ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物またはダイヤモンド状炭素が
挙げられ、これらの誘電体単体、もしくは２種以上の混
合物が用いられる。

【００１０】保護層は真空成膜を用いて成膜され、成膜
方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法、ＣＶＤ法等が用いられ、生産性・低コ
スト性から、スパッタリング法を用いるのが好ましい。

【００１１】下部保護層、上部保護層の材料・膜厚は独
立に任意に設定でき、光学特性、熱特性から最適値を設
定する。膜厚としては、１０ｎｍ〜５０００ｎｍ程度で
ある。

【００１２】記録層（３）には相変化材料を用いる。光
情報記録媒体に適している相変化材料としては、合金系
の材料を用いるが好ましく、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、
ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳ
ｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−（Ｓ
ｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、
ＡｇＩｎＳｂＴｅ等の合金系が挙げられる。各合金系の
組成比は、記録線速度によって最適化される。

【００１３】また、上記の元素を主成分とする合金系に
任意の元素を不純物として混入しても良く、混入する不
純物としては、Ｂ、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｇｅ、
Ｓｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等が例
示できる。

【００１４】特に、記録層にＡｇＩｎＳｂＴｅを用いた
場合、記録によって形成される安定相（結晶化相）と準
安定相（アモルファス相）の境界が明瞭なため、マーク
エッジ記録方式を用いた記録方式には適しており、不純
物として微量のＮを添加することで、記録線速マージン
を広く取ることが可能である。

【００１５】記録層は真空成膜法で積層され、真空成膜
法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法、ＣＶＤ法等が用いられ、生産性・低コ
ストからスパッタリング法を利用するのが望ましい。

【００１６】反射放熱層（５）は、記録再生光の反射お
よび記録時に発生する熱を放熱する機能をもつ。反射放
熱層の材料としては金属および合金が用いられ、例とし
てＡｇ、Ａｕ、Ａｌまたはこれらの金属にＴｉ、Ｓｉ、
Ｃｒ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃ等を１種以上混合した合金
が挙げられ、熱的特性、光学的特性、および生産性を考
慮すると、Ａｌを主成分とする合金を用いるのが好まし
い。合金の組成および反射層の膜厚は任意に設定でき、
熱的特性および光学的特性から最適化するのが望まし
い。

【００１７】オーバーコート層（７）は、光硬化樹脂、
電子線硬化樹脂等を主成分とする樹脂材料を用いる。こ
れらの樹脂としては、成膜性、硬化の簡易性から光硬化
樹脂を主成分とする樹脂材料を用いることが望ましい。
光硬化樹脂としては、紫外線硬化樹脂が一般的である。
また、成膜方法としては、ディッピング法、スピンコー
ト法等が用いられる。

【００１８】本発明の相変化型光情報記録媒体では、相
変化臨界相対速度によって特徴付けられる。以下に、相
変化臨界相対速度について説明する。相変化臨界相対速
度を測定する装置は下記の条件を満たすものである。記録・再生波長：７８９ｎｍ開口数（ＮＡ）：０．４９記録時の媒体と記録装置の相対速度をｖ_Wとし、最高記
録相対速度をｖ_WH、最低記録相対速度をｖ_WLとする。記
録相対速度ｖ_WHでの最適記録パワーをＰ_0Hとするとき、
相変化臨界相対速度ｖ₀を測定する際に用いるＰ_Eは、Ｐ_E＝０．７５Ｐ_0H と定義する。測定は、相対速度ｖで媒体または記録装置
を移動させ、パワーＰ_Eで記録光を照射する。このと
き、通常の相変化型光情報記録媒体の記録に用いられる
ようなパルス発光は用いずに、ＤＣ発光にて照射を行な
い、照射部の反射率を再生装置（記録装置との兼用も可
能）で測定を行なう。このときの再生光の波長での反射
率測定値をＲ（ｖ）とする。

【００１９】図２は、本発明の光情報記録媒体におけ
る、Ｒ（ｖ）とその微分係数−ｄＲ／ｄｖのｖに対する
変化を示す。ｖが上昇するにつれて、Ｒは減少してい
き、最終的にはある点で飽和し、ｖが低下するとＲは上
昇し、ある点で飽和する。それぞれの飽和点をＲ_A、Ｒ_B
とする。このときの、微分係数−ｄＲ／ｄｖが最大とな
る点ｖ₀を相変化臨界相対速度と定義し、−ｄＲ／ｄｖ
の最大値に対する半値幅を相変化臨界速度マージンΔｖ
₀と定義する。

【００２０】本発明の光情報記録媒体では、媒体の保証
する記録相対速度の最高値ｖ_WHと相変化臨界相対速度ｖ
₀との間に、以下の関係が成立しなくてはならない。ｖ₀≧０．７ｖ_WH この範囲にｖ₀を設定することで、記録装置を用いて相
対速度ｖ_WHで記録情報の消去、書き換え（オーバーライ
ト）を行なったとき、書き込まれていた記録マークを効
率よく消去することができ、ｖ_WHでの繰り返し記録に優
れる光情報記録媒体を得ることができる。

【００２１】上記範囲外に設定された場合、ｖ_WHでの消
去、オーバーライトを行なうと、記録マークの消去、重
ね記録が著しく困難になり、オーバーライトの特性が悪
化してしまう。つまり、Ｒ_Bの状態にあるマーク（また
はランド）をＲ_Aの状態であるランド（またはマーク）
に戻すことが困難になるためである。

【００２２】また、ｖ₀は最低記録相対速度ｖ_WLに対し
て以下の関係にあることが望ましい。ｖ₀≦３．０ｖ_WL 上記範囲内とすることで、相対速度ｖ_WLで情報を記録し
たときに、より低い記録光の出力でマークを形成するこ
とができ、高感度で高いオーバーライト性能の光情報記
録媒体を得ることができる。

【００２３】微分係数−ｄＲ／ｄｖのピーク半値幅Δｖ
₀は相対速度に対する媒体の不安定になりやすい領域を
示す。Δｖ₀が高いと、ｖ₀近傍の記録相対速度で記録後
の読み出し信号振幅が記録パワーの揺らぎに対して大き
く変化するため、特性が悪化しやすくなる。つまり、ｖ
_WHでの記録信号が悪化する傾向にある。従ってΔｖ₀が
以下の範囲とすることが望ましい。 Δｖ₀／ｖ₀＜０．４上記範囲内にすることで、ｖ_WHで記録、オーバーライト
したときの、相対速度および記録パワーに対する安定性
が向上する。

【００２４】相対速度に対する反射率Ｒの飽和値Ｒ_A、
Ｒ_Bは記録時に形成されるマーク（またはランド）のコ
ントラストに大きく影響する。高いコントラストの読み
出し信号を得るために、Ｒ_A、Ｒ_Bが以下の範囲であるこ
とが望ましい。０．１＜Ｒ_B／Ｒ_A＜０．６また、ｖ_WH、ｖ_WLの比を、ｖ_WH／ｖ_WL≧２．５とするこ
とで、現在主流となっている直径１２０ｍｍの光ディス
クにおいて、角速度一定回転を行ったときに、直径４
６．５ｍｍから１１６ｍｍまでの記録相対速度での記録
が可能となるため好ましい。

【００２５】

【実施例】以下に、本発明の実施例を示す。なお、本発
明は実施例により限定されるものではない。＜実施例１＞連続案内溝（グルーブ）をらせん状に形成
したポリカーボネート製ＣＤ−ＲＷ用透明基板に下部保
護層、記録層、上部保護層、反射放熱層を順次形成し
た。記録層には、ＡｇＩｎＳｂＴｅに微量のＮを添加し
た合金を用い、上部保護層および下部保護層にはＺｎ
Ｓ、ＳｉＯ₂の混合物を用い、反射放熱層にはＡｌＴｉ
合金を用いた。上部保護層および下部保護層は高周波ス
パッタリング法で成膜し、記録層、反射放熱層はＤＣマ
グネトロンスパッタリング法で成膜した。上部保護層お
よび下部保護層は熱的、光学的特性から最適値を設定
し、それぞれ８０ｎｍ、３０ｎｍとした。また、反射放
熱層の膜厚は１４０ｎｍとした。記録層材料組成、記録
層膜厚を調整することで、ｖ₀、Δｖ₀、Ｒ_A、Ｒ_Bの異な
るサンプルをＡ〜Ｈの８種類作成した。

【００２６】記録層膜厚は、１３〜１７ｎｍ、記録層組
成はＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδとしたとき、０．１≦α≦３．０５．０≦β≦１２．０６０．０≦γ≦７２．０２２．０≦δ≦３０．０（単位：原子パーセント）の範囲内であった。

【００２７】上記サンプルの反射放熱層上に市販のコン
パクトディスク用ＵＶ硬化樹脂をスピンコート法により
成膜し、ＵＶを照射することで硬化させ、保護層を形成
した。保護層の膜厚は８〜１０μｍであった。

【００２８】作成したサンプルを、ＣＤ−ＲＷ用初期化
装置にて下記の条件で初期化を行なった。パワー：６５０ｍＷ線速：３．０ｍ／ｓ作成したサンプルについて、臨界相変化相対速度を測定
した。測定にはパルステック工業株式会社製光ディスク
評価装置、ＤＤＵ１０００を用いた。

【００２９】記録および再生に用いたピックアップの使
用は下記のとおりである。波長：７８９ｎｍＮＡ：０．４９スポット径：０．７８μｍ（半値）パワー：０．７ｍＷ（再生時）５．０〜２１．０ｍＷ（記録、消去時）

【００３０】本実施例に用いた評価機は、記録相対速度
４．８ｍ／ｓ（通常コンパクトディスクの４倍速）か
ら、１２．０ｍ／ｓ（通常コンパクトディスクの１０倍
速）の範囲で、ＥＦＭ（eight to fourteen modulatio
n）信号を記録できる。再生は相対速度１．２ｍ／ｓで
行ない、反射率、変調度等のコンパクトディスク規格に
記載の項目を測定可能である。

【００３１】上記評価装置を用いて、臨界相変化相対速
度ｖ₀の測定を行なった。作成したサンプルのｖ_WH、ｖ
_WL、Ｐ_Eを以下のように設定した。ｖ_WH＝１２．０ｍ／ｓｖ_WL＝４．８ｍ／ｓＰ_E＝０．７５×Ｐ₀＝１５．０ｍＷここで、Ｐ₀はＣＤ−ＲＷの標準規格書であるオレンジ
ブックパートIIIに記載の、γ法を用いて決定した値で
ある。

【００３２】作成したＡ〜Ｅの各サンプルの、臨界相変
化相対速度ｖ₀、相変化臨界速度マージンΔｖ₀、飽和反
射率Ｒ_A、Ｒ_Bの測定を実施した。反射率Ｒの相対速度ｖ
に対する変動を図３に示し、Ｒの微分係数−ｄＲ／ｄｖ
のｖに対する変動を図４に示す。これらの測定結果か
ら、算出したｖ₀、Δｖ₀、Ｒ_A、Ｒ_Bを表１に示す。

【００３３】これらのＡ〜Ｈのサンプルについてｖ_WH＝
１２．０ｍ／ｓで媒体に情報を記録し記録特性を測定し
た。記録は、１回記録、１０００回の繰り返し記録（オ
ーバーライト）の２種類を行なった。また、記録はＰ₀
±１０％、つまり１８〜２２ｍＷの範囲内で行なった。
測定項目は書き換え型コンパクトディスクの標準規格書
であるオレンジブックパートIIIに記載の項目のうち、
以下の項目である。１１Ｔ変調度３Ｔランドジッタ３Ｔピットジッタ各項目の測定結果をＡ〜Ｅについて図５〜図７に示す。
同サンプルについてＰ₀＝２０．０ｍＷでの１０００回
までの繰り返し記録を行なったときの、３Ｔランドジッ
タの変動を図８に示す。

【００３４】図５の変調度は読み出し信号振幅を表わし
ており、高いほど、Ｓ／Ｎ比の高い良好な読み出し信号
といえる。オレンジブックパートIIIでは１１Ｔ変調度
が０．５５以上とされている。図６、７、８に示すジッ
タはデジタル信号の時間方向の揺らぎ量を反映してお
り、この値が低いほど、良質な読み出し信号といえる。
コンパクトディスクの標準規格書である、レッドブック
によると３５ｎｓ以下とされている。

【００３５】サンプルＡ〜Ｈの測定結果を表１に示す。
この測定結果から、繰り返し記録１０００回後のジッタ
が３５ｎｓ以下である条件を選別すると、Ｂ、Ｃ、Ｅ、
Ｆ、Ｇ、Ｈとなる。したがって、ｖ₀＞８．４ｍ／ｓで
あり、Δｖ₀＜０．４ｖ_WHとなる。従って以下の範囲が
相対速度ｖ_WHでの記録特性が良好になっている。ｖ₀≧８．４ｍ／ｓ＝０．７ｖ_WH Δｖ₀＜０．４ｖ_WH また、上記範囲内の条件で、１１Ｔ変調度が良好である
ものを選択すると、Ｂ、Ｃ、Ｆ、Ｇ、Ｈとなる。Ｒ_A、
Ｒ_Bについて考えると、Ｒ_B／Ｒ_A＜０．６の範囲が十分な変調度が出ている。

【００３６】＜実施例２＞実施例１と同様のサンプルを
用いて、ｖ_WL＝４．８ｍ／ｓでの記録特性を評価した。
記録はＰ₀＝１９．０ｍＷとして行ない、３Ｔランドジ
ッタ、３Ｔピットジッタの各項目の測定を行なった。ま
た、１０００回までの繰り返し記録を、記録パワー１
９．０ｍＷにて行なったのち、同様に３Ｔランドジッタ
の測定を行なった。図９にサンプルＡ〜Ｃの３Ｔランド
ジッタの記録パワーに対する変動を、図１０に同サンプ
ルの３Ｔピットジッタの記録パワーに対する変動を示
す。また、図１１に同サンプルの１０００回までの繰り
返し記録を行なったときの３Ｔランドジッタの変動を示
す。サンプルＡ、Ｂ、Ｃを比較すると、相変化臨界相対
速度ｖ₀の最も低いＡのジッタが低く、良好な記録媒体
であることがわかる。一方、ｖ₀の最も高い、サンプル
Ｃは、ジッタが高く、繰り返し記録回数が３００回程度
で、３Ｔランドジッタが３５ｎｓを超えていることがわ
かる。実施例１と同様にＡ〜Ｈの全サンプルの１０００
回記録後の３Ｔランドジッタ（表１）が３５ｎｓ以下で
あるｖ₀の範囲を考慮すると、下記の範囲でｖ_WLでの記
録信号が良好であった。Ｖ₀≦１４．４ｍ／ｓ＝３．０ｖ_WL

【００３７】

【表１】

【００３８】

【発明の効果】以上、詳細且つ具体的な説明より明らか
なように、本発明の光情報記録媒体においては相変化臨
界相対速度ｖ₀が、記録装置との相対速度の最高値ｖ_WH
に対して最適化されているため、最高記録相対速度での
記録で、繰り返し記録特性の良好な相変化型光情報記録
媒体を得ることができ、かつ、相変化臨界相対速度ｖ₀
が、記録装置との相対速度の最低値ｖ_WLに対して最適化
されているため、最低記録相対速度での記録で、繰り返
し記録特性の良好な光情報記録媒体を得ることができ
る。また、相変化臨界速度マージンΔｖ₀を、最適化し
ているため、ｖ₀に近い記録相対速度であるｖ_WHで記録
した際の記録信号特性を良好にすることができる。ま
た、１＜Ｒ_B／Ｒ_A＜０．６としているので、高いコント
ラストでＳ／Ｎ比の高い読み出し信号を得ることができ
る。また、記録層に用いる記録層材料に、高い記録感度
を有する元素組成を用いているので、高い記録相対速度
でも振幅の高い再生信号を得ることができる。また、最
高記録相対速度と最低記録相対速度との比をｖ_WH／ｖ_WL
≧２．５としているので、直径１２０ｍｍの一般的なデ
ィスク型光情報記録媒体において、角速度一定回転（Ｃ
ＡＶ）での記録が可能であるという優れた効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の相変化型光情報記録媒体の層構成の１
例を示した図である。

【図２】本発明の光情報記録媒体における、Ｒ（ｖ）と
その微分係数−ｄＲ／ｄｖのｖに対する変化を示す図で
ある。

【図３】本発明の光情報記録媒体における、反射率Ｒの
相対速度ｖに対する変動を示す図である。

【図４】本発明の光情報記録媒体における、Ｒの微分係
数−ｄＲ／ｄｖのｖに対する変動を示す図である。

【図５】各サンプルの１１Ｔ変調度の記録パワーに対す
る変動を示す図である。

【図６】各サンプルの３Ｔランドジッタの記録パワーに
対する変動を示す図である。

【図７】各サンプルの３Ｔピットジッタの記録パワーに
対する変動を示す図である。

【図８】各サンプルの繰り返し記録を行なったときの、
３Ｔランドジッタの変動を示す図である。

【図９】サンプルＡ〜Ｃの３Ｔランドジッタの記録パワ
ーに対する変動を示す図である。

【図１０】サンプルＡ〜Ｃの３Ｔピットジッタの記録パ
ワーに対する変動を示す図である。

【図１１】サンプルＡ〜Ｃの繰り返し記録を行なったと
きの、３Ｔランドジッタの変動を示す図である。

【符号の説明】

１基板２下部保護層３記録層４上部保護層５反射放熱層６オーバーコート層７ハードコート層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山田勝幸東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内Ｆターム(参考） 2H111 EA03 FA01 FB09 FB12 FB17 FB21 5D029 JA01 JB46 JB48 JC18 5D090 AA01 BB05 CC01 DD03 EE01 FF21 HH01 KK03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電磁波で情報を記録および再生し、再生
に反射率の差を用い、情報記録時の記録装置と媒体の相
対速度をｖ_Wとし、媒体の記録可能な最高相対速度がｖ
_WH、最低相対速度がｖ_WLで表わされる相変化型光情報記
録媒体において、記録・再生波長λ＝７８９ｎｍ、開口
数ＮＡ＝０．４９である記録装置を用いて、装置と媒体
の相対速度ｖで媒体または記録装置が移動していると
き、記録相対速度ｖ_WHでの媒体の最適記録パワーＰ_0Hに
対して、Ｐ_E＝０．７５Ｐ_0Hのパワーで記録装置から電
磁波をＤＣ照射し、該記録装置で測定した反射率Ｒが相
対速度ｖに対して図２に示すようにｖを減少させたとき
のＲの飽和値Ｒ_Aから、ｖを増加させたときの飽和値Ｒ_B
まで変動し、その微分係数−ｄＲ／ｄｖが、図２に示す
ように最大値をとる相対速度である相変化臨界相対速度
ｖ₀が、ｖ₀≧０．７ｖ_WHの範囲にあることを特徴とする
相変化型光情報記録媒体。
【請求項２】相変化臨界相対速度ｖ₀がｖ₀≦３．０ｖ
_WLであることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光
情報記録媒体。
【請求項３】相変化臨界相対速度マージンΔｖ₀が、
Δｖ₀／ｖ₀＜０．４であることを特徴とする請求項１又
は２に記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項４】情報の読み出しに用いる反射率Ｒが、相
対速度について、低速側でＲ_Aに飽和し、高速側でＲ_Bに
飽和し、Ｒ_A＞Ｒ_Bのときに０．１＜Ｒ_B／Ｒ_A＜０．６で
あることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載
の相変化型光情報記録媒体。
【請求項５】記録層材料にすくなくとも、Ａｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含有し、その原子パーセントで表記さ
れる組成がＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδのとき、０．１≦α≦３．０５．０≦β≦１２．０６０．０≦γ≦７２．０２２．０≦δ≦３０．０（単位：原子パーセント）であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記
載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項６】ｖ_WH／ｖ_WL≧２．５であることを特徴と
する請求項１乃至５のいずれかに記載の相変化型光情報
記録媒体。