JP2002230820A - 光ピックアップ - Google Patents

光ピックアップ

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JP2002230820A
JP2002230820A JP2001020865A JP2001020865A JP2002230820A JP 2002230820 A JP2002230820 A JP 2002230820A JP 2001020865 A JP2001020865 A JP 2001020865A JP 2001020865 A JP2001020865 A JP 2001020865A JP 2002230820 A JP2002230820 A JP 2002230820A
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JP
Japan
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semiconductor laser
pickup
end opening
photodiode
half mirror
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Application number
JP2001020865A
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English (en)
Inventor
Hideaki Funakoshi
秀明 船越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Funai Electric Co Ltd
Original Assignee
Funai Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 メンテナンス作業が容易で安価に製作するこ
とができ読み取り誤差が生じないようにすること。 【解決手段】 半導体レーザLDからレーザ光をハーフ
ミラー3、コリメータレンズQWP及び対物レンズOL
を介してディスクDに投射し、その反射光をハーフミラ
ー3を介してフォトダイオードPDで受光することによ
り、ディスクDに記録されている情報を読み取るように
した光ピックアップにおいて、前記ピックアップ本体1
が合成樹脂材により成形され、該ピックアップ本体1の
一端開口部2aに接近して分岐孔4が形成され、該分岐
孔4に収納される半導体レーザLDの金属製基板5と一
端開口部2aに配置されているフォトダイオードPDの
金属製基板6とが接近または当接されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばDVDなど
のディスクプレーヤーに使用される光ピックアップに関
し、特にメンテナンス作業が容易で安価に製作すること
ができ読み取り誤差が生じないようにしたものである。
【0002】
【従来の技術】光ピックアップの技術として実開昭62
−73328号公報などに記載した技術があり、その一
例を図4に基づいて説明すると、これは、ピックアップ
本体1の光通過孔2内にハーフミラー3が傾斜状態で配
置され、光通過孔2の一端開口部2aにフォトダイオー
ドPDが配置されると共に、該フォトダイオードPDの
金属製基板5がピックアップ本体1に固定され、そのピ
ックアップ本体1の他端開口部2bにコリメータレンズ
QWPと対物レンズOLとが配置され、ピックアップ本
体1の側面に形成した分岐孔4に半導体レーザLDが収
納されており、該半導体レーザLDからレーザ光をハー
フミラー3、コリメータレンズQWP及び対物レンズO
Lを介してディスクDに投射し、その反射光をハーフミ
ラー3を介してフォトダイオードPDで受光することに
より、ディスクDに記録されている情報を読み取るよう
になっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
一端開口部2aに配置したフォトダイオードPDから分
岐孔4に収納した半導体レーザLDまでの間隔hが大き
く設定されており、該半導体レーザLDに対向するハー
フミラー3が光通過孔2内のほぼ中央部に深く配置され
ているため、一端開口部2aからハーフミラー3を取り
外すのに手間がかかり、メンテナンス作業が面倒であ
り、また、フォトダイオードPDからハーフミラー3が
離されているため、該ハーフミラー3として幅dが大き
い大型のものが必要であり、材料費が高くつく。
【0004】更に、ピックアップ本体1を安価に量産す
るために、該ピックアップ本体1を金属製から合成樹脂
材製に変更することが考えられるが、その合成樹脂材で
は放熱効果が小さいため、半導体レーザLDの発熱によ
りピックアップ本体1が熱膨張して変形されることによ
り(図4仮想線参照)、フォトダイオードPDと対物レ
ンズOLとを結ぶ光軸Oが曲がるなどして読み取り誤差
が生じるおそれがある。
【0005】本発明は、上記従来の欠点に鑑み、メンテ
ナンス作業が容易で安価に製作することができ読み取り
誤差が生じないようにした光ピックアップを提供するこ
とを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、ピックアップ本体のハーフ
ミラー付き光通過孔の一端開口部にフォトダイオードが
配置されると共に、その他端開口部にコリメータレンズ
と対物レンズとが配置され、ピックアップ本体の側面に
形成した分岐孔に半導体レーザが収納されており、該半
導体レーザからレーザ光をハーフミラー、コリメータレ
ンズ及び対物レンズを介してディスクに投射し、その反
射光をハーフミラーを介してフォトダイオードで受光す
ることにより、ディスクに記録されている情報を読み取
るようにした光ピックアップにおいて、前記ピックアッ
プ本体が合成樹脂材により成形され、該ピックアップ本
体の一端開口部に接近して前記分岐孔が形成され、該分
岐孔に収納される半導体レーザの金属製基板と前記一端
開口部に配置されているフォトダイオードの金属製基板
とが接近または当接されていることを特徴としている。
【0007】上記構成によれば、一端開口部に配置した
フォトダイオードと分岐孔に収納した半導体レーザとの
間の間隔が小さく設定されており、前記半導体レーザに
対向するハーフミラーが光通過孔内の一端開口部に接近
した位置に浅く配置されているため、その一端開口部か
らハーフミラーを容易に取り外すことができ、メンテナ
ンス作業を能率良く行なうことができる。また、フォト
ダイオードに接近してハーフミラーが配置されているた
め、該ハーフミラーとして幅が小さい小型のもので十分
であり、材料費が安くつく。更に、ピックアップ本体が
合成樹脂材により成形されているので、該ピックアップ
本体を安価に量産することができる。しかも、分岐孔を
一端開口部に接近して形成することにより、該分岐孔に
収納される半導体レーザの金属製基板と一端開口部に配
置されているフォトダイオードの金属製基板とを接近ま
たは当接させており、その両金属製基板により半導体レ
ーザの発熱が大気中に積極的に放散されるので、半導体
レーザの発熱により合成樹脂材製ピックアップ本体が熱
膨張して変形されるおそれがなく、従来の金属製ピック
アップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを
結ぶ光軸を所定通りに直線状に維持して読み取り誤差の
発生を防止することができ、これによって、安価で高精
度の光ピックアップを製作することができる。
【0008】請求項2記載の発明は、ピックアップ本体
のハーフミラー付き光通過孔の一端開口部にフォトダイ
オードが配置されると共に、その他端開口部にコリメー
タレンズと対物レンズとが配置され、ピックアップ本体
の側面に形成した分岐孔に半導体レーザが収納されてお
り、該半導体レーザからレーザ光をハーフミラー、コリ
メータレンズ及び対物レンズを介してディスクに投射
し、その反射光をハーフミラーを介してフォトダイオー
ドで受光することにより、ディスクに記録されている情
報を読み取るようにした光ピックアップにおいて、前記
ピックアップ本体が合成樹脂材により成形され、該ピッ
クアップ本体の一端開口部に接近して前記分岐孔が形成
され、該分岐孔に収納される半導体レーザの金属製基板
とフォトダイオードの金属製基板とが一体形成されてい
ることを特徴としている。
【0009】上記構成によれば、一端開口部に配置した
フォトダイオードと分岐孔に収納した半導体レーザとの
間の間隔が小さく設定されており、前記半導体レーザに
対向するハーフミラーが光通過孔内の一端開口部に接近
した位置に浅く配置されているため、その一端開口部か
らハーフミラーを容易に取り外すことができ、メンテナ
ンス作業を能率良く行なうことができる。また、フォト
ダイオードに接近してハーフミラーが配置されているた
め、該ハーフミラーとして幅が小さい小型のもので十分
であり、材料費が安くつく。更に、ピックアップ本体が
合成樹脂材により成形されているので、該ピックアップ
本体を安価に量産することができる。しかも、分岐孔を
一端開口部に接近して形成することにより、該分岐孔に
収納される半導体レーザの金属製基板と一端開口部に配
置されているフォトダイオードの金属製基板とが一体形
成されており、その一体型金属製基板により半導体レー
ザの発熱が大気中に積極的に放散されるので、半導体レ
ーザの発熱により合成樹脂材製ピックアップ本体が熱膨
張して変形されるおそれがなく、従来の金属製ピックア
ップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結
ぶ光軸を所定通りに直線状に維持して読み取り誤差の発
生を防止することができ、これによって、安価で高精度
の光ピックアップを製作することができる。また更に、
半導体レーザ用金属製基板とフォトダイオード用金属製
基板とが1枚の金属板で形成されているから、部品点数
が少なくて製作費が安くつくと共に、その1枚の金属板
を所定形状に打ち抜いた後に直角に折り曲げるだけで、
両金属製基板を同時に製作することができ、製作が極め
て容易である。
【0010】請求項3記載の発明は、ピックアップ本体
のハーフミラー付き光通過孔の一端開口部にフォトダイ
オードが配置されると共に、その他端開口部にコリメー
タレンズと対物レンズとが配置され、ピックアップ本体
の側面に形成した分岐孔に半導体レーザが収納されてお
り、該半導体レーザからレーザ光をハーフミラー、コリ
メータレンズ及び対物レンズを介してディスクに投射
し、その反射光をハーフミラーを介してフォトダイオー
ドで受光することにより、ディスクに記録されている情
報を読み取るようにした光ピックアップにおいて、前記
ピックアップ本体の一端開口部に接近して前記分岐孔が
形成されていることを特徴としている。
【0011】上記構成によれば、一端開口部に配置した
フォトダイオードと分岐孔に収納した半導体レーザとの
間の間隔が小さく設定されており、前記半導体レーザに
対向するハーフミラーが光通過孔内の一端開口部に接近
した位置に浅く配置されているため、その一端開口部か
らハーフミラーを容易に取り外すことができ、メンテナ
ンス作業を能率良く行なうことができる。また、フォト
ダイオードに接近してハーフミラーが配置されているた
め、該ハーフミラーとして幅が小さい小型のもので十分
であり、材料費が安くつく。
【0012】請求項4記載の発明は、請求項3記載の発
明において、前記ピックアップ本体が合成樹脂材により
成形され、前記分岐孔に収納される半導体レーザの金属
製基板と前記一端開口部に配置されているフォトダイオ
ードの金属製基板とが接近または当接されていることを
特徴としている。
【0013】上記構成によれば、ピックアップ本体が合
成樹脂材により成形されているので、該ピックアップ本
体を安価に量産することができる。しかも、分岐孔を一
端開口部に接近して形成することにより、該分岐孔に収
納される半導体レーザの金属製基板と一端開口部に配置
されているフォトダイオードの金属製基板とを接近また
は当接させており、その両金属製基板により半導体レー
ザの発熱が大気中に積極的に放散されるので、半導体レ
ーザの発熱により合成樹脂材製ピックアップ本体が熱膨
張して変形されるおそれがなく、従来の金属製ピックア
ップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結
ぶ光軸を所定通りに直線状に維持して読み取り誤差の発
生を防止することができ、これによって、安価で高精度
の光ピックアップを製作することができる。
【0014】請求項5記載の発明は、請求項3記載の発
明において、前記ピックアップ本体が合成樹脂材により
成形され、前記分岐孔に収納される半導体レーザの金属
製基板と前記一端開口部に配置されているフォトダイオ
ードの金属製基板とが一体形成されていることを特徴と
している。
【0015】上記構成によれば、ピックアップ本体が合
成樹脂材により成形されているので、該ピックアップ本
体を安価に量産することができる。しかも、分岐孔を一
端開口部に接近して形成することにより、該分岐孔に収
納される半導体レーザの金属製基板と一端開口部に配置
されているフォトダイオードの金属製基板とが一体形成
されており、その一体型金属製基板により半導体レーザ
の発熱が大気中に積極的に放散されるので、半導体レー
ザの発熱により合成樹脂材製ピックアップ本体が熱膨張
して変形されるおそれがなく、従来の金属製ピックアッ
プ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結ぶ
光軸を所定通りに直線状に維持して読み取り誤差の発生
を防止することができ、これによって、安価で高精度の
光ピックアップを製作することができる。また更に、半
導体レーザ用金属製基板とフォトダイオード用金属製基
板とが1枚の金属板で形成されているから、部品点数が
少なくて製作費が安くつくと共に、その1枚の金属板を
所定形状に打ち抜いた後に直角に折り曲げるだけで、両
金属製基板を同時に製作することができ、製作が極めて
容易である。
【0016】
【発明の実施の形態】図1及び図2は本発明の実施の一
形態である光ピックアップを示すものであって、ピック
アップ本体1が合成樹脂材により成形され、該ピックア
ップ本体1の一端開口部2aに接近して分岐孔4が形成
され、該分岐孔4に収納される半導体レーザLDの金属
製基板6と一端開口部2aに配置されているフォトダイ
オードPDの金属製基板5とが接近または当接されてい
る。上記以外の構成は図4に示す構成とほぼ同じである
から、同一部分に同一符号を付してその説明を省略す
る。
【0017】前記フォトダイオードPDの金属製基板5
は、矩形状であって、その周縁部が固定ビス7によりピ
ックアップ本体1に固定され、該基板5の中央部に略コ
字状のスリット8を形成することにより切り残された弾
性変形可能な舌片5aにフォトダイオードPDが固着さ
れており、該舌片5aを貫通してピックアップ本体1の
ねじ孔9に螺合する調整ねじ10のねじ込み量を調整す
ることにより、舌片5aを介してフォトダイオードPD
の位置を微調整することができる。
【0018】前記半導体レーザLDの金属製基板6は、
矩形状であって、固定ビス12によりピックアップ本体
1に固着されており、その上縁がフォトダイオードPD
の金属製基板5に接近または当接されている。
【0019】上記構成によれば、一端開口部2aに配置
したフォトダイオードPDと分岐孔4に収納した半導体
レーザLDとの間の間隔hが例えば6mmから4mm程
度に小さく設定されており、半導体レーザLDに対向す
るハーフミラー3が光通過孔2内の一端開口部2aに接
近した位置に浅く配置されているため、その一端開口部
2aからハーフミラー3を容易に取り外すことができ、
メンテナンス作業を能率良く行なうことができる。
【0020】また、フォトダイオードPDに接近してハ
ーフミラー3が配置されているため、該ハーフミラー3
として幅dが小さい小型のもので十分であり、材料費が
安くつく。
【0021】更に、ピックアップ本体1が合成樹脂材に
より成形されているので、該ピックアップ本体1を安価
に量産することができる。
【0022】しかも、分岐孔4を一端開口部2aに接近
して形成することにより、該分岐孔4に収納される半導
体レーザLDの金属製基板6と一端開口部2aに配置さ
れているフォトダイオードPDの金属製基板5とを接近
または当接させており、その両金属製基板5,6により
半導体レーザLDの発熱が大気中に積極的に放散される
ので、半導体レーザLDの発熱により合成樹脂材製ピッ
クアップ本体1が熱膨張して変形されるおそれがなく、
従来の金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオー
ドPDと対物レンズOLとを結ぶ光軸Oを所定通りに直
線状に維持して読み取り誤差の発生を防止することがで
き、これによって、安価で高精度の光ピックアップを製
作することができる。
【0023】図3は本発明の実施の他の形態である光ピ
ックアップを示すものであって、半導体レーザLDの金
属製基板6とフォトダイオードPDの金属製基板5とが
一体形成されている。上記以外の構成は図1及び図2に
示す実施の一形態とほぼ同じであるから、同一部分に同
一符号を付してその説明を省略する。
【0024】上記構成によれば、図1及び図2に示す実
施の一形態と同一の効果を得ることができることは勿論
のこと、半導体レーザLD用金属製基板6とフォトダイ
オードPD用金属製基板5とが1枚の金属板で形成され
ているから、部品点数が少なくて製作費が安くつくと共
に、その1枚の金属板を所定形状に打ち抜いた後に直角
に折り曲げるだけで、両金属製基板5,6を同時に製作
することができ、製作が極めて容易である。
【0025】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、一端開口
部に配置したフォトダイオードと分岐孔に収納した半導
体レーザとの間の間隔が小さく設定されており、前記半
導体レーザに対向するハーフミラーが光通過孔内の一端
開口部に接近した位置に浅く配置されているため、その
一端開口部からハーフミラーを容易に取り外すことがで
き、メンテナンス作業を能率良く行なうことができる。
また、フォトダイオードに接近してハーフミラーが配置
されているため、該ハーフミラーとして幅が小さい小型
のもので十分であり、材料費が安くつく。更に、ピック
アップ本体が合成樹脂材により成形されているので、該
ピックアップ本体を安価に量産することができる。しか
も、分岐孔を一端開口部に接近して形成することによ
り、該分岐孔に収納される半導体レーザの金属製基板と
一端開口部に配置されているフォトダイオードの金属製
基板とを接近または当接させており、その両金属製基板
により半導体レーザの発熱が大気中に積極的に放散され
るので、半導体レーザの発熱により合成樹脂材製ピック
アップ本体が熱膨張して変形されるおそれがなく、従来
の金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと
対物レンズとを結ぶ光軸を所定通りに直線状に維持して
読み取り誤差の発生を防止することができ、これによっ
て、安価で高精度の光ピックアップを製作することがで
きる。
【0026】請求項2記載の発明によれば、一端開口部
に配置したフォトダイオードと分岐孔に収納した半導体
レーザとの間の間隔が小さく設定されており、前記半導
体レーザに対向するハーフミラーが光通過孔内の一端開
口部に接近した位置に浅く配置されているため、その一
端開口部からハーフミラーを容易に取り外すことがで
き、メンテナンス作業を能率良く行なうことができる。
また、フォトダイオードに接近してハーフミラーが配置
されているため、該ハーフミラーとして幅が小さい小型
のもので十分であり、材料費が安くつく。更に、ピック
アップ本体が合成樹脂材により成形されているので、該
ピックアップ本体を安価に量産することができる。しか
も、分岐孔を一端開口部に接近して形成することによ
り、該分岐孔に収納される半導体レーザの金属製基板と
一端開口部に配置されているフォトダイオードの金属製
基板とが一体形成されており、その一体型金属製基板に
より半導体レーザの発熱が大気中に積極的に放散される
ので、半導体レーザの発熱により合成樹脂材製ピックア
ップ本体が熱膨張して変形されるおそれがなく、従来の
金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対
物レンズとを結ぶ光軸を所定通りに直線状に維持して読
み取り誤差の発生を防止することができ、これによっ
て、安価で高精度の光ピックアップを製作することがで
きる。また更に、半導体レーザ用金属製基板とフォトダ
イオード用金属製基板とが1枚の金属板で形成されてい
るから、部品点数が少なくて製作費が安くつくと共に、
その1枚の金属板を所定形状に打ち抜いた後に直角に折
り曲げるだけで、両金属製基板を同時に製作することが
でき、製作が極めて容易である。
【0027】請求項3記載の発明によれば、一端開口部
に配置したフォトダイオードと分岐孔に収納した半導体
レーザとの間の間隔が小さく設定されており、前記半導
体レーザに対向するハーフミラーが光通過孔内の一端開
口部に接近した位置に浅く配置されているため、その一
端開口部からハーフミラーを容易に取り外すことがで
き、メンテナンス作業を能率良く行なうことができる。
また、フォトダイオードに接近してハーフミラーが配置
されているため、該ハーフミラーとして幅が小さい小型
のもので十分であり、材料費が安くつく。
【0028】請求項4記載の発明によれば、ピックアッ
プ本体が合成樹脂材により成形されているので、該ピッ
クアップ本体を安価に量産することができる。しかも、
分岐孔を一端開口部に接近して形成することにより、該
分岐孔に収納される半導体レーザの金属製基板と一端開
口部に配置されているフォトダイオードの金属製基板と
を接近または当接させており、その両金属製基板により
半導体レーザの発熱が大気中に積極的に放散されるの
で、半導体レーザの発熱により合成樹脂材製ピックアッ
プ本体が熱膨張して変形されるおそれがなく、従来の金
属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対物
レンズとを結ぶ光軸を所定通りに直線状に維持して読み
取り誤差の発生を防止することができ、これによって、
安価で高精度の光ピックアップを製作することができ
る。
【0029】請求項5記載の発明によれば、ピックアッ
プ本体が合成樹脂材により成形されているので、該ピッ
クアップ本体を安価に量産することができる。しかも、
分岐孔を一端開口部に接近して形成することにより、該
分岐孔に収納される半導体レーザの金属製基板と一端開
口部に配置されているフォトダイオードの金属製基板と
が一体形成されており、その一体型金属製基板により半
導体レーザの発熱が大気中に積極的に放散されるので、
半導体レーザの発熱により合成樹脂材製ピックアップ本
体が熱膨張して変形されるおそれがなく、従来の金属製
ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対物レン
ズとを結ぶ光軸を所定通りに直線状に維持して読み取り
誤差の発生を防止することができ、これによって、安価
で高精度の光ピックアップを製作することができる。ま
た更に、半導体レーザ用金属製基板とフォトダイオード
用金属製基板とが1枚の金属板で形成されているから、
部品点数が少なくて製作費が安くつくと共に、その1枚
の金属板を所定形状に打ち抜いた後に直角に折り曲げる
だけで、両金属製基板を同時に製作することができ、製
作が極めて容易である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の一形態である光ピックアップ
を示す概略縦断面図である。
【図2】 同斜視図である。
【図3】 本発明の実施の他の形態である光ピックアッ
プを示す斜視図である。
【図4】 従来例を示す概略縦断面図である。
【符号の説明】
1 ピックアップ本体 2 光通過孔 2a 光通過孔の一端開口部 2b 光通過孔の他端開口部 3 ハーフミラー 4 分岐孔 5 フォトダイオードの金属製基板 6 半導体レーザの金属製基板 PD フォトダイオード QWP コリメータレンズ OL 対物レンズ LD 半導体レーザ D ディスク

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ピックアップ本体のハーフミラー付き光
    通過孔の一端開口部にフォトダイオードが配置されると
    共に、その他端開口部にコリメータレンズと対物レンズ
    とが配置され、ピックアップ本体の側面に形成した分岐
    孔に半導体レーザが収納されており、該半導体レーザか
    らレーザ光をハーフミラー、コリメータレンズ及び対物
    レンズを介してディスクに投射し、その反射光をハーフ
    ミラーを介してフォトダイオードで受光することによ
    り、ディスクに記録されている情報を読み取るようにし
    た光ピックアップにおいて、前記ピックアップ本体が合
    成樹脂材により成形され、該ピックアップ本体の一端開
    口部に接近して前記分岐孔が形成され、該分岐孔に収納
    される半導体レーザの金属製基板と前記一端開口部に配
    置されているフォトダイオードの金属製基板とが接近ま
    たは当接されていることを特徴とする光ピックアップ。
  2. 【請求項2】 ピックアップ本体のハーフミラー付き光
    通過孔の一端開口部にフォトダイオードが配置されると
    共に、その他端開口部にコリメータレンズと対物レンズ
    とが配置され、ピックアップ本体の側面に形成した分岐
    孔に半導体レーザが収納されており、該半導体レーザか
    らレーザ光をハーフミラー、コリメータレンズ及び対物
    レンズを介してディスクに投射し、その反射光をハーフ
    ミラーを介してフォトダイオードで受光することによ
    り、ディスクに記録されている情報を読み取るようにし
    た光ピックアップにおいて、前記ピックアップ本体が合
    成樹脂材により成形され、該ピックアップ本体の一端開
    口部に接近して前記分岐孔が形成され、該分岐孔に収納
    される半導体レーザの金属製基板とフォトダイオードの
    金属製基板とが一体形成されていることを特徴とする光
    ピックアップ。
  3. 【請求項3】 ピックアップ本体のハーフミラー付き光
    通過孔の一端開口部にフォトダイオードが配置されると
    共に、その他端開口部にコリメータレンズと対物レンズ
    とが配置され、ピックアップ本体の側面に形成した分岐
    孔に半導体レーザが収納されており、該半導体レーザか
    らレーザ光をハーフミラー、コリメータレンズ及び対物
    レンズを介してディスクに投射し、その反射光をハーフ
    ミラーを介してフォトダイオードで受光することによ
    り、ディスクに記録されている情報を読み取るようにし
    た光ピックアップにおいて、前記ピックアップ本体の一
    端開口部に接近して前記分岐孔が形成されていることを
    特徴とする光ピックアップ。
  4. 【請求項4】 前記ピックアップ本体が合成樹脂材によ
    り成形され、前記分岐孔に収納される半導体レーザの金
    属製基板と前記一端開口部に配置されているフォトダイ
    オードの金属製基板とが接近または当接されていること
    を特徴とする請求項3記載の光ピックアップ。
  5. 【請求項5】 前記ピックアップ本体が合成樹脂材によ
    り成形され、前記分岐孔に収納される半導体レーザの金
    属製基板と前記一端開口部に配置されているフォトダイ
    オードの金属製基板とが一体形成されていることを特徴
    とする請求項3記載の光ピックアップ。
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