JP2002228759A - Image detector and solid imaging system using the same - Google Patents

Image detector and solid imaging system using the same

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JP2002228759A
JP2002228759A JP2001023868A JP2001023868A JP2002228759A JP 2002228759 A JP2002228759 A JP 2002228759A JP 2001023868 A JP2001023868 A JP 2001023868A JP 2001023868 A JP2001023868 A JP 2001023868A JP 2002228759 A JP2002228759 A JP 2002228759A
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electrodes
electrode
substrate
image detection
detection device
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JP2001023868A
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Kengo Emoto
健吾 江本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the generation of crosstalk, or to reduce the influence of the crosstalk by reading image information having the predetermined number of pixels even if a positional displacement is generated in a sticking process of an X-ray sensing unit to a reading unit. SOLUTION: This image detector is formed by sticking a first substrate having a semiconductor layer for converting the incident energy to electrical charge and several first electrodes for outputting the electrical charge to a second substrate having several second electrodes, in which the electrical charge outputted from the several first electrodes is inputted, and electrically connecting the first substrate to the second substrate. The number of the first electrode and the number of the second electrodes are different.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光や放射線等の入
射エネルギーより得られる画像を検出する画像検出装置
および固体撮像システムに関し、特に、X線像を検出す
る画像検出装置に好適に用いられる画像検出装置および
固体撮像システムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image detecting apparatus and a solid-state imaging system for detecting an image obtained from incident energy such as light and radiation, and more particularly, to an image detecting apparatus for detecting an X-ray image. The present invention relates to an image detection device and a solid-state imaging system.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、非晶質シリコン(a−Si)に代
表される光電変換半導体材料の開発により、光電変換素
子を大面積基板上に2次元に多数形成した2次元センサ
の開発が進み、実用化されている。このような2次元セ
ンサの中には、主に医療用の診断装置としてX線像を画
像化するX線用2次元センサがある。
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of a photoelectric conversion semiconductor material represented by amorphous silicon (a-Si), the development of a two-dimensional sensor in which a large number of photoelectric conversion elements are formed two-dimensionally on a large-area substrate has been advanced. Has been put to practical use. Among such two-dimensional sensors, there is an X-ray two-dimensional sensor for imaging an X-ray image mainly as a medical diagnostic device.

【0003】このX線用2次元センサには、X線の変換
方式の違いにより主に間接変換方式と直接変換方式の2
方式に分けられる。間接変換方式は、X線センシング部
でX線を可視光に変換し、この可視光を光電変換素子に
よって電荷に変換し、蓄積された電荷をトランジスタを
介して読み出すものである。一方、直接方式はX線セン
シング部でX線を電荷に変換し、蓄積された電荷をトラ
ンジスタを介して読み出すものである。
The two-dimensional X-ray sensor mainly has two types, an indirect conversion method and a direct conversion method, depending on the difference in the X-ray conversion method.
Divided into methods. In the indirect conversion method, X-rays are converted into visible light by an X-ray sensing unit, the visible light is converted into charges by a photoelectric conversion element, and the stored charges are read out via a transistor. On the other hand, in the direct method, an X-ray sensing unit converts X-rays into electric charges and reads out the stored electric charges via a transistor.

【0004】図3は、画素がマトリクス状に配置された
直接変換方式2次元センサの配列方向の断面を模式的に
示した模式断面図である。図3において、X線センシン
グ部10は、絶縁性基板11、共通電極となる上電極1
2、入射X線を電荷に変換する半導体層としてのpin
ダイオード13、保護膜14、下電極15を有してい
る。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view schematically showing a cross section in the arrangement direction of a direct conversion type two-dimensional sensor in which pixels are arranged in a matrix. 3, an X-ray sensing unit 10 includes an insulating substrate 11, an upper electrode 1 serving as a common electrode.
2. Pin as a semiconductor layer that converts incident X-rays into charges
It has a diode 13, a protective film 14, and a lower electrode 15.

【0005】読み出し部20は、導通電極21、キャパ
シタ部22、TFT(薄膜トランジスタ部)23、絶縁
性基板24を有している。
The read section 20 has a conductive electrode 21, a capacitor section 22, a TFT (thin film transistor section) 23, and an insulating substrate 24.

【0006】そして、X線センシング部10の下電極1
5と、読み出し部20の導通電極21とが、下電極15
および導通電極21の配列方向の幅Rに渡り異方性導電
接着剤等の導電性部材8によって電気的に接続されて1
画素を構成している。また、隣接する下電極15間およ
び導通電極21間には配列方向において幅Qの非導通部
があり、電気的に分離されている。
The lower electrode 1 of the X-ray sensing unit 10
5 and the conductive electrode 21 of the reading unit 20 are connected to the lower electrode 15.
And electrically connected by a conductive member 8 such as an anisotropic conductive adhesive over a width R in the arrangement direction of the conductive electrodes 21.
A pixel. There is a non-conductive portion having a width Q in the arrangement direction between the adjacent lower electrodes 15 and between the conductive electrodes 21 and is electrically separated.

【0007】次に、図3を参照しながら直接変換方式2
次元センサの動作について説明する。絶縁性基板11を
透過したX線がpinダイオード13に照射されると内
部に電荷が発生する。このとき、上電極12とキャパシ
タ部22間に電圧が印加されていると、pinダイオー
ド13に発生した電荷が下電極15、導電性部材8、導
通電極21を介して、pinダイオード13と電気的に
直列に接続されているキャパシタ部22に蓄積される。
キャパシタ部21に蓄積された電荷は、TFT部23の
ゲートをONすることによりソース・ドレイン電極を介
して外部に読み出される。この動作が2次元に配置され
た全画素で行われることにより、2次元画像データを得
ることができる。
Next, referring to FIG.
The operation of the dimensional sensor will be described. When the X-ray transmitted through the insulating substrate 11 is applied to the pin diode 13, electric charges are generated inside. At this time, when a voltage is applied between the upper electrode 12 and the capacitor unit 22, the electric charge generated in the pin diode 13 is electrically connected to the pin diode 13 via the lower electrode 15, the conductive member 8, and the conductive electrode 21. Are stored in the capacitor unit 22 connected in series with the.
The charge stored in the capacitor unit 21 is read out to the outside via the source / drain electrodes by turning on the gate of the TFT unit 23. This operation is performed for all pixels arranged two-dimensionally, so that two-dimensional image data can be obtained.

【0008】図4はX線センシング部と読み出し部の断
面を模式的に示した図である。図4において、上基板ア
ライメントマーク19はX線センシング部10に設けら
れていて、下基板アライメントマーク29は読み出し部
20に設けられている。下電極15、ならびに導通電極
21は、共に画素ピッチmで並んでおり、その数は等し
い。図4では、それぞれ6つずつ並んでいる。尚、図4
において図3と同一部位には同一符号を付しここでの説
明を省略する。
FIG. 4 is a diagram schematically showing a cross section of the X-ray sensing unit and the reading unit. In FIG. 4, the upper substrate alignment mark 19 is provided on the X-ray sensing unit 10, and the lower substrate alignment mark 29 is provided on the reading unit 20. The lower electrode 15 and the conductive electrode 21 are both arranged at a pixel pitch m, and the numbers thereof are equal. In FIG. 4, six are arranged in each case. FIG.
In FIG. 7, the same parts as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0009】ここで、図4(a)を参照しながらX線セ
ンシング部と読み出し部の貼り合わせ工程について説明
する。
Here, the step of bonding the X-ray sensing unit and the reading unit will be described with reference to FIG.

【0010】先ず、貼り合わせ工程ではX線センシング
部10と読み出し部20の各基板を、真空密着等の方法
によって不図示のステージに固定する。このとき、図4
(a)のごとく各々の下電極15と導通電極21は対向
しており、下電極15と導通電極21の間には不図示の
異方性導電性接着剤等の導電性部材が配されている。次
に、観察手段を用いて上基板アライメントマーク19
と、下基板アライメントマーク29が一致するように各
基板が固定されているステージを動かしてアライメント
を行う。
First, in the bonding step, the substrates of the X-ray sensing unit 10 and the reading unit 20 are fixed to a stage (not shown) by a method such as vacuum adhesion. At this time, FIG.
As shown in (a), each lower electrode 15 and the conductive electrode 21 face each other, and a conductive member such as an anisotropic conductive adhesive (not shown) is disposed between the lower electrode 15 and the conductive electrode 21. I have. Next, the upper substrate alignment mark 19 is
Then, the alignment is performed by moving the stage on which each substrate is fixed so that the lower substrate alignment mark 29 matches.

【0011】アライメント後、X線センシング部10と
読み出し部20を近づけていき、下電極15と導通電極
21で導電性部材を挟持し、圧着や熱処理等によってX
線センシング部10と読み出し部20を貼り合わせる。
このとき、X線センシング部10の下電極15の1つに
対して、読み出し部20の導通電極21の1つが導電性
部材を介して電気的に接続される。
After the alignment, the X-ray sensing unit 10 and the readout unit 20 are brought closer to each other, and the lower electrode 15 and the conductive electrode 21 sandwich a conductive member.
The line sensing unit 10 and the reading unit 20 are attached.
At this time, one of the conductive electrodes 21 of the reading unit 20 is electrically connected to one of the lower electrodes 15 of the X-ray sensing unit 10 via a conductive member.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように圧着や熱処理等によって貼り合わせを行う場合、
面内での圧力ムラやセンサ部材の熱膨張等によって電気
的接続部の位置ずれが発生する場合がある。また、アラ
イメント誤差によっても位置ずれは起きる。
However, when bonding is performed by pressure bonding or heat treatment as in the past,
In some cases, displacement of the electrical connection portion may occur due to uneven pressure in the plane, thermal expansion of the sensor member, or the like. In addition, misalignment also occurs due to an alignment error.

【0013】ここで、位置ずれが起きた場合の影響を考
える。
Here, consider the effect of a position shift.

【0014】図4(b)は、X線センシング部10と読
み出し部20が、画素ピッチmの1/2だけ位置ずれが
起きたときの図である。この場合、例えば読み出し部2
0の導通電極21aと21bはX線センシング部10の
下電極15bを介して、導通電極21bと21cは下電
極15cを介して電気的に接続してしまう、いわゆる導
通電極間のショートが発生する。このように、X線セン
シング部のある下電極を介して、読み出し部の1対の導
通電極が導電性部材を介して電気的に接続する構成で
は、位置ずれにより下電極1つに導通電極2つが電気的
に接続されてしまうと、導通電極間のショートが発生し
て真の画像データが得られなくなってしまう。
FIG. 4B is a diagram when the X-ray sensing unit 10 and the reading unit 20 are displaced by a half of the pixel pitch m. In this case, for example, the reading unit 2
The zero conductive electrodes 21a and 21b are electrically connected via the lower electrode 15b of the X-ray sensing unit 10, and the conductive electrodes 21b and 21c are electrically connected via the lower electrode 15c. . As described above, in the configuration in which the pair of conducting electrodes of the reading unit are electrically connected to each other through the conductive member via the lower electrode having the X-ray sensing unit, the conducting electrode 2 is connected to one of the lower electrodes due to displacement. If the two are electrically connected, a short circuit occurs between the conductive electrodes, and true image data cannot be obtained.

【0015】また、図4(c)に示すように画素ピッチ
mだけ位置ずれが起きると、下電極15aは読み出し部
20と電気的に接続されない。このため、本来は有効画
素である下電極15aの画像情報が読み出せないといっ
た、有効画素エリア内の画像情報が一部読み出せなくな
るという問題が生じる。尚、上記の従来例では 位置ずれ量>R の関係が成り立つ位置ずれが起こると、画像情報の一部
が読み出せなくなる。
When a displacement occurs by a pixel pitch m as shown in FIG. 4C, the lower electrode 15a is not electrically connected to the read section 20. For this reason, there arises a problem that the image information in the effective pixel area cannot be partially read, such that the image information of the lower electrode 15a which is originally an effective pixel cannot be read. In the above-described conventional example, when a positional deviation that satisfies the relationship of positional deviation amount> R occurs, a part of the image information cannot be read.

【0016】また、近年では画像の高精細化と共に画素
ピッチが小さくなってきており、これに伴い貼り合わせ
工程でのアライメント精度に対する要求が厳しくなって
きている。アライメント精度に対する要求が厳しい、す
なわち位置ずれ許容量が少ないと、製造歩留まり悪化等
の問題が生じる。
Further, in recent years, the pixel pitch has become smaller as the definition of an image has become higher, and accordingly, the requirements for alignment accuracy in the bonding step have become stricter. If the requirement for alignment accuracy is strict, that is, if the allowable amount of displacement is small, problems such as a decrease in manufacturing yield occur.

【0017】こうした貼り合わせ時の位置ずれに起因す
る問題を防ぐには、高精度の部材や貼り合わせ装置等を
用い、工程管理を厳しく行い位置ずれ量を少なくする、
すなわちアライメント精度を上げることが挙げられる。
しかしながら高精度の部材や装置は高価であり、製造コ
ストの上昇という新たな問題が生じる。また、工程管理
を厳しくすると、製造コストの上昇や工程のスループッ
ト低下等の問題が生じる。
In order to prevent such a problem caused by misalignment at the time of bonding, a high-precision member, a bonding apparatus or the like is used to strictly control the process and reduce the amount of misalignment.
That is, raising the alignment accuracy can be mentioned.
However, high-precision members and devices are expensive, and a new problem of increasing manufacturing costs arises. If the process control is strict, problems such as an increase in manufacturing cost and a decrease in the throughput of the process will occur.

【0018】本発明の目的は、センシング部と読み出し
部の貼り合わせ工程において位置ずれが起きた場合で
も、画質の劣化を最小限にとどめた2次元画像検出装置
を提供することである。
An object of the present invention is to provide a two-dimensional image detecting apparatus which minimizes deterioration of image quality even when a positional shift occurs in a bonding step between a sensing unit and a reading unit.

【0019】また、位置ずれが起きた場合でも、有効画
素エリアの全ての画像情報が読み出せる2次元画像検出
装置を提供することである。
It is another object of the present invention to provide a two-dimensional image detecting apparatus capable of reading out all image information in an effective pixel area even when a position shift occurs.

【0020】さらに、位置ずれ許容量を多くして、製造
歩留まりを向上させる2次元画像検出装置を提供するこ
とである。
It is still another object of the present invention to provide a two-dimensional image detecting device which increases the allowable amount of displacement and improves the production yield.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するもの
として、入射したエネルギーを電荷に変換する半導体層
と該電荷を出力するための複数個の第1の電極とを有す
る第1の基板と、前記複数個の第1の電極から出力され
た電荷が入力される複数個の第2の電極を有する第2の
基板と、が貼り合わされて、前記複数個の第1の電極と
前記複数個の第2の電極とが電気的に接続される画像検
出装置であって、前記複数個の第1の電極の数と前記複
数個の第2の電極の数とが異なる。
In order to achieve the above object, a first substrate having a semiconductor layer for converting incident energy into electric charges and a plurality of first electrodes for outputting the electric charges is provided. A second substrate having a plurality of second electrodes to which electric charges output from the plurality of first electrodes are input; and bonding the plurality of first electrodes to the plurality of second electrodes. Wherein the number of the plurality of first electrodes is different from the number of the plurality of second electrodes.

【0022】本発明の一態様においては、前記複数個の
第1の電極および前記複数個の第2の電極がライン状ま
たはマトリクス状に配列されている。
In one embodiment of the present invention, the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes are arranged in a line or a matrix.

【0023】本発明の一態様においては、前記複数個の
第1の電極と前記複数個の第2の電極とのうち電極の数
の少ない方の数をxとし、前記複数個の第1の電極と前
記複数個の第2の電極とのうち電極の数が多い方の数を
yとすると、x個の電極がy個の電極のうちのx個にそ
れぞれ接続されるように、前記第1の基板と前記第2の
基板とを貼り合わせてなる。
In one embodiment of the present invention, the smaller number of the electrodes among the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes is x, and the plurality of first electrodes Assuming that the larger number of electrodes among the electrodes and the plurality of second electrodes is y, the x electrodes are connected to x of y electrodes, respectively. The first substrate and the second substrate are attached to each other.

【0024】本発明の一態様においては、前記複数個の
第1の電極の数が前記複数個の第2の電極の数よりも多
い。
In one embodiment of the present invention, the number of the plurality of first electrodes is larger than the number of the plurality of second electrodes.

【0025】本発明の一態様においては、配列方向にお
いて、前記第1の電極の幅が隣接する前記第2の電極間
の幅より小さい。
In one embodiment of the present invention, in the arrangement direction, the width of the first electrode is smaller than the width between the adjacent second electrodes.

【0026】本発明の一態様においては、1個の前記第
2の電極に対し、複数個の前記第1の電極が電気的に接
続される。
In one embodiment of the present invention, a plurality of the first electrodes are electrically connected to one second electrode.

【0027】本発明の一態様においては、1個の前記第
2の電極に対し、5個以上の前記第1の電極が電気的に
接続される。
In one embodiment of the present invention, five or more first electrodes are electrically connected to one second electrode.

【0028】本発明の一態様においては、前記第2の基
板は、電荷を蓄積するためのキャパシタ部と、薄膜トラ
ンジスタ部とをさらに有し、前記半導体層で変換された
電荷は、前記第1の電極および前記第2の電極を介して
前記キャパシタ部に蓄積され、該蓄積された電荷を前記
薄膜トランジスタ部を介して読み出される。
[0028] In one embodiment of the present invention, the second substrate further includes a capacitor portion for accumulating electric charge and a thin film transistor portion, and the electric charge converted by the semiconductor layer is the first electric charge. The charge is stored in the capacitor unit via the electrode and the second electrode, and the stored charge is read out via the thin film transistor unit.

【0029】本発明の一態様においては、上記の画像検
出装置と、前記放射線撮像装置からの信号を処理する信
号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録する
ための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示
するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を
伝送するための伝送処理手段と、前記放射線を発生させ
るための放射線源とを具備することを特徴とする固体撮
像システムである。
In one aspect of the present invention, the above-described image detection device, signal processing means for processing a signal from the radiation imaging apparatus, recording means for recording a signal from the signal processing means, Display means for displaying a signal from the signal processing means, transmission processing means for transmitting a signal from the signal processing means, and a radiation source for generating the radiation. This is a solid-state imaging system.

【0030】本発明によれば、貼り合わせ時に位置ずれ
が起きても所望の画素数すべての画像情報を読み出すこ
とができる。
According to the present invention, it is possible to read out all pieces of image information of a desired number of pixels even if displacement occurs during bonding.

【0031】また、本発明によれば、下電極の数nと、
導通電極の数Nがn>Nであるため、貼り合わせ時に位
置ずれが起きても所望の画素数全ての画像情報を読み出
すことができるとともに、導通電極を多く配した場合に
比べ、後段のアンプやA/D変換等の電気回路を多く配
する必要が無く、安価に作ることができる。
Further, according to the present invention, the number n of the lower electrodes,
Since the number N of conducting electrodes is n> N, image information of all desired number of pixels can be read out even if misalignment occurs at the time of bonding, and the amplifier at the subsequent stage can be compared with the case where many conducting electrodes are arranged. It is not necessary to arrange many electric circuits for A / D conversion and the like, and it can be manufactured at low cost.

【0032】また、本発明によれば、配列方向における
下電極の長さSと、隣接する導通電極間の長さQが、S
<Qの関係であるため、位置ずれが起きても一方の電極
1つに他方の電極2つが電気的に接続されてしまうこと
はなく、クロストークによる解像度やコントラストの低
下といった画質の劣化は起きない。このため、位置ずれ
許容量を大きくすることができ、製造歩留まりを向上す
ることができる。
Further, according to the present invention, the length S of the lower electrode in the arrangement direction and the length Q between the adjacent conductive electrodes are S
Because of <Q, even if a displacement occurs, one electrode is not electrically connected to two other electrodes, and image quality degradation such as resolution and contrast degradation due to crosstalk occurs. Absent. For this reason, the allowable amount of displacement can be increased, and the manufacturing yield can be improved.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】以下、本発明の画像検出装置の実
施形態について説明する。なお、以下の実施形態には下
電極および導通電極がマトリクス状に配置された構成の
2次元画像検出装置が適用されているが、本発明の画像
検出装置は2次元のものに限定されず、ラインセンサ等
の1次元の画像検出装置にも適用可能である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of an image detecting device according to the present invention will be described. In the following embodiments, a two-dimensional image detection device having a configuration in which lower electrodes and conductive electrodes are arranged in a matrix is applied, but the image detection device of the present invention is not limited to a two-dimensional image detection device. The present invention is also applicable to a one-dimensional image detecting device such as a line sensor.

【0034】(第1の実施形態)以下、本発明の一実施
形態としての第1の実施形態について図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
(First Embodiment) Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0035】図1は本発明による第1の実施形態のX線
センシング部と読み出し部の断面を模式的に示した図で
あり、図4に示す従来例と同一の部材または部位には同
一番号を付し、ここでの説明を省略する。
FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross section of an X-ray sensing section and a reading section according to a first embodiment of the present invention. The same members or parts as those in the conventional example shown in FIG. And description thereof is omitted here.

【0036】図4との違いは、図4ではX線センシング
部10の下電極15と読み出し部20の導通電極21の
数が等しいのに対し、本実施形態では第1の基板である
X線センシング部10が有する第1の電極としての下電
極15の数と第2の基板である読み出し部20が有する
第2の電極としての導通電極21の数とが異なり、読み
出し部20の導通電極21の数が多い点である。
4 is different from FIG. 4 in that the number of lower electrodes 15 of the X-ray sensing unit 10 and the number of conducting electrodes 21 of the reading unit 20 are equal in FIG. The number of the lower electrodes 15 as the first electrodes of the sensing unit 10 and the number of the conductive electrodes 21 as the second electrodes of the reading unit 20 as the second substrate are different. Is a large number of

【0037】図1の例では下電極は下電極15a〜15
fの6個(すなわち、下電極の数と導通電極の数とのう
ち電極数の少ない方の数であるxが6個)あり、導通電
極は導通電極21a〜21hの8個(すなわち下電極の
数と導通電極の数とのうち電極の数が多い方の数である
yが8個)あり、6個の下電極15a〜15fが8個の
導通電極21a〜21hのうちの6個の導通電極21a
〜21fにそれぞれ接続される構成になっている。
In the example shown in FIG. 1, the lower electrodes are lower electrodes 15a to 15a.
f (that is, x, which is the smaller number of electrodes among the number of lower electrodes and the number of conductive electrodes, is six), and the number of conductive electrodes is eight of conductive electrodes 21a to 21h (ie, lower electrode). The number y of the larger number of the electrodes is 8 among the number of the conductive electrodes 21 and the number of the conductive electrodes 21), and the six lower electrodes 15a to 15f are the six of the eight conductive electrodes 21a to 21h. Conducting electrode 21a
To 21f.

【0038】従って、図1(a)に示すように上基板ア
ライメントマーク19と下基板アライメントマーク29
が略一致している場合、導通電極21aおよび21hに
対向する下電極は無い。すなわち、本実施形態では、有
効画素エリアの外側に多く導通電極を配している。この
ため、図1(b)に示すごとく、X線センシング部10
が配列方向に画素ピッチmだけ位置ずれが起きても、X
線センシング部10の全ての下電極15が読み出し部2
0と電気的に接続され、有効画素エリア内の全ての画像
情報を読み出すことができる。
Therefore, as shown in FIG. 1A, the upper substrate alignment mark 19 and the lower substrate alignment mark 29
Are substantially the same, there is no lower electrode facing the conductive electrodes 21a and 21h. That is, in this embodiment, many conductive electrodes are arranged outside the effective pixel area. Therefore, as shown in FIG. 1B, the X-ray sensing unit 10
Is shifted by a pixel pitch m in the arrangement direction, X
All the lower electrodes 15 of the line sensing unit 10 are readout units 2
0, and can read all image information in the effective pixel area.

【0039】このように、本実施形態では、X線センシ
ング部10の下電極15と読み出し部20の導通電極2
1の数が異なり、読み出し部20の導通電極21を多く
配することにより、位置ずれが起きても全ての画像情報
を読み出すことができる。
As described above, in the present embodiment, the lower electrode 15 of the X-ray sensing unit 10 and the conductive electrode 2 of the readout unit 20
By disposing the conductive electrodes 21 of the reading unit 20 in large numbers, the entire number of image information can be read even if a positional shift occurs.

【0040】尚、多く配する導通電極の数は、貼り合わ
せ工程でのアライメント精度に応じて適当に決めればよ
い。
It should be noted that the number of conductive electrodes arranged in large numbers may be appropriately determined according to the alignment accuracy in the bonding step.

【0041】また、上記の第1の実施形態では、読み出
し部20の導通電極21を多く配しているが、他の実施
形態として、X線センシング部10の下電極15を多く
配する構成にしてもよい。この場合は、上記の構成とは
逆に有効画素エリアの外側には多く下電極15が配され
ていることになる。第1の基板であるX線センシング部
10の下電極15の数をn個、第2の基板である読み出
し部20の導通電極21の数をN個とすると、 n>N とし、下電極の数を導通電極の数よりも多くしてもよ
い。この場合、第1の実施形態と同様の効果が得られる
だけでなく、読み出し部20の導通電極21を多く配し
た場合に比べ、後段のアンプやA/D変換等の電気回路
を多く配する必要が無く、安価に作ることができる。
In the first embodiment, a large number of conductive electrodes 21 of the reading unit 20 are provided. However, as another embodiment, a configuration in which a large number of lower electrodes 15 of the X-ray sensing unit 10 are provided. You may. In this case, contrary to the above configuration, many lower electrodes 15 are arranged outside the effective pixel area. Assuming that the number of lower electrodes 15 of the X-ray sensing unit 10 as the first substrate is n and the number of conductive electrodes 21 of the readout unit 20 as the second substrate is N, n> N. The number may be larger than the number of conductive electrodes. In this case, not only the same effects as in the first embodiment are obtained, but also more electric circuits such as amplifiers and A / D converters in the subsequent stage are arranged than in the case where more conductive electrodes 21 of the reading unit 20 are arranged. There is no need to make it inexpensively.

【0042】(第2の実施形態)次に、本発明の一実施
形態としての第2の実施形態について図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment as one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0043】図2は本発明による第2の実施形態のX線
センシング部と読み出し部の断面を模式的に示した図で
あり、図4と同一の部材および部位には同一番号を付
し、ここでの説明を省略する。本実施形態では、特に、
配列方向における下電極の幅をSとし、隣接する導通電
極間の幅をQとして、mは導通電極間のピッチとする。
FIG. 2 is a diagram schematically showing a cross section of an X-ray sensing unit and a reading unit according to a second embodiment of the present invention. The same members and parts as those in FIG. The description here is omitted. In the present embodiment,
S is the width of the lower electrode in the arrangement direction, Q is the width between adjacent conductive electrodes, and m is the pitch between the conductive electrodes.

【0044】図4との違いはX線センシング部10の下
電極15と読み出し部20の導通電極21の数が等しい
のに対し、本実施形態では第1の基板であるX線センシ
ング部10が有する第1の電極としての下電極15の数
と第2の基板である読み出し部20が有する第2の電極
としての導通電極21の数とが異なり、X線センシング
部10の下電極15の数が多い点と、配列方向における
下電極の幅と導通電極の幅および隣接する下電極間の幅
と導通電極間の幅が異なる点である。
The difference from FIG. 4 is that the number of the lower electrodes 15 of the X-ray sensing unit 10 and the number of the conductive electrodes 21 of the reading unit 20 are equal, whereas in the present embodiment, the X-ray sensing unit 10 as the first substrate is The number of the lower electrodes 15 as the first electrodes of the X-ray sensing unit 10 is different from the number of the lower electrodes 15 of the X-ray sensing unit 10 because the number of the lower electrodes 15 as the first electrodes and the number of the conductive electrodes 21 as the second electrodes of the reading unit 20 as the second substrate differ And the point that the width of the lower electrode and the width of the conductive electrode in the arrangement direction and the width between the adjacent lower electrodes and the width between the conductive electrodes are different.

【0045】すなわち、第1の基板であるX線センシン
グ部10の下電極15の数をn個、第2の基板である読
み出し部20の導通電極21の数をN個とすると、 n>N の関係が成り立っており、導通電極の数よりも下電極1
5の数が多い構成になっている。
That is, assuming that the number of lower electrodes 15 of the X-ray sensing unit 10 as the first substrate is n and the number of conducting electrodes 21 of the readout unit 20 as the second substrate is N, n> N And the lower electrode 1 is smaller than the number of conductive electrodes.
The number of 5 is large.

【0046】また、図2(a)に示すように上基板アラ
イメントマーク19と下基板アライメントマーク29が
略一致している場合、本実施形態では、導通電極21a
に対しては下電極15a〜15eの5つが電気的に接続
される構成になっている。この数は特に限定されるもの
でなく、スペースが許す限り2以上の下電極を接続する
ことが可能である。
In the present embodiment, when the upper substrate alignment mark 19 and the lower substrate alignment mark 29 substantially coincide with each other as shown in FIG.
, Five lower electrodes 15a to 15e are electrically connected. The number is not particularly limited, and two or more lower electrodes can be connected as long as space permits.

【0047】さらに、本実施形態では、配列方向におけ
る隣接する導通電極21間の幅Qと、下電極15の幅S
は Q>S の関係を有しており、配列方向における下電極15の幅
が、隣接する導通電極21間の幅よりも小さくなってい
る。
Further, in this embodiment, the width Q between the adjacent conductive electrodes 21 in the arrangement direction and the width S of the lower electrode 15
Has a relationship of Q> S, and the width of the lower electrode 15 in the arrangement direction is smaller than the width between the adjacent conductive electrodes 21.

【0048】ここで、図2(b)を参照しながら本実施
形態において画素ピッチmの1/2だけ位置ずれが起き
た場合について説明する。
Here, with reference to FIG. 2B, description will be given of a case where a displacement has occurred by a half of the pixel pitch m in the present embodiment.

【0049】図2(b)は、X線センシング部10が紙
面右方向に画素ピッチmの1/2だけ位置ずれを起こし
ており、このとき、例えば導通電極21aには下電極1
5d〜gの4つが電気的に接続される。また、このとき
下電極15hは、導通電極21aおよび21bのどちら
にも電気的に接続されない。
FIG. 2B shows that the X-ray sensing unit 10 is displaced in the right direction on the paper by 1/2 of the pixel pitch m. At this time, for example, the lower electrode 1 is connected to the conductive electrode 21a.
Four of 5d-g are electrically connected. At this time, the lower electrode 15h is not electrically connected to either of the conductive electrodes 21a and 21b.

【0050】このように、本実施形態においては、隣接
する導通電極21間の非導通部の長さQと、下電極15
の長さSが、Q>Sの関係であるため、位置ずれが起き
ても下電極1つに導通電極2つが電気的に接続されてし
まうことはない。従って、読み出し部の導通電極1つに
対し、電気的に接続されるX線センシング部の下電極の
数が減ることによる開口率の低下はあるものの、導通電
極間ショートによる画質の劣化は起きない。
As described above, in this embodiment, the length Q of the non-conductive portion between the adjacent conductive electrodes 21 and the length of the lower electrode 15
Since the length S has a relationship of Q> S, two conductive electrodes are not electrically connected to one lower electrode even if a positional shift occurs. Therefore, although the aperture ratio is reduced due to the decrease in the number of lower electrodes of the X-ray sensing unit electrically connected to one conductive electrode of the readout unit, the image quality does not deteriorate due to the short circuit between the conductive electrodes. .

【0051】このように、本実施形態によれば、貼り合
わせ時の位置ずれによる導通電極間のショートが発生し
ないため、位置ずれ許容量が大きくすることができ、製
造歩留まりを向上することができる。
As described above, according to the present embodiment, a short circuit between the conductive electrodes due to a displacement during bonding does not occur, so that the allowable displacement can be increased, and the manufacturing yield can be improved. .

【0052】以上の説明において、有効画素エリアと
は、下電極と導通電極とが接続している画像検出装置の
エリアを意味し、上記第1および第2の実施形態では、
どのエリアが有効画素エリアになるかは貼り合わせられ
た時に決まる。図1および図2ではAで示す領域にな
る。
In the above description, the effective pixel area means the area of the image detecting device where the lower electrode and the conductive electrode are connected, and in the first and second embodiments,
Which area is to be an effective pixel area is determined at the time of bonding. In FIGS. 1 and 2, the area is indicated by A.

【0053】(第3の実施形態)以下、図5に基づいて
本発明に係る第3の実施形態について説明する。図5
は、第1および第2の実施形態において説明した画像検
出装置を用いた固体撮像システムの構成図である。本実
施形態において、画像検出装置は画像検出装置6040
として適用される。
(Third Embodiment) Hereinafter, a third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
1 is a configuration diagram of a solid-state imaging system using an image detection device described in the first and second embodiments. In the present embodiment, the image detecting device is an image detecting device 6040.
Applied as

【0054】X線チューブ6050で発生したX線60
60は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透
過し、シンチレーターを上部に実装した画像検出装置6
040に入射する。この入射したX線には患者6061
の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応して
シンチレーターは発光し、これを光電変換して、電気的
情報を得る。この情報はディジタルに変換されイメージ
プロセッサ6070により画像処理され制御室のディス
プレイ6080で観察できる。
X-ray 60 generated in X-ray tube 6050
Reference numeral 60 denotes an image detection device 6 which transmits through a chest 6062 of a patient or a subject 6061 and has a scintillator mounted on an upper portion thereof.
040. This incident X-ray contains the patient 6061
Contains information about the inside of the body. The scintillator emits light in response to the incidence of X-rays, and photoelectrically converts the light to obtain electrical information. This information is converted into digital data, image-processed by an image processor 6070, and can be observed on a display 6080 in the control room.

【0055】また、この情報は電話回線6090等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ6081に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ6
100によりフィルム6110に記録することもでき
る。
This information can be transferred to a remote place by a transmission means such as a telephone line 6090, displayed on a display 6081 such as a doctor's room in another place, or stored in a storage means such as an optical disk. It is also possible to make a diagnosis. Also film processor 6
100 can also be recorded on the film 6110.

【0056】なお、放射線とはX線やα,β,γ線等を
いい、光は光電変換素子により検出可能な波長領域の電
磁波であり、可視光を含む。
Note that radiation refers to X-rays, α, β, γ-rays, and the like, and light is electromagnetic waves in a wavelength range that can be detected by a photoelectric conversion element, and includes visible light.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下電極の数と、導通電極の数とが異なるため、貼り合わ
せ時に位置ずれが起きても有効画素エリア内の全ての画
像情報を読み出すことができ、所望の画素出力を得るこ
とができる。
As described above, according to the present invention,
Since the number of lower electrodes is different from the number of conductive electrodes, all image information in the effective pixel area can be read even if a positional shift occurs during bonding, and a desired pixel output can be obtained.

【0058】また、本発明によれば、導通電極の数より
も下電極の数が多いため、貼り合わせ時に位置ずれが起
きても有効画素エリア内の全ての画像情報を読み出すこ
とができるとともに、導通電極を多く配した場合に比
べ、後段のアンプやA/D変換等の電気回路を多く配す
る必要が無く、安価に作ることができる。
Further, according to the present invention, since the number of lower electrodes is larger than the number of conductive electrodes, all image information in the effective pixel area can be read out even if displacement occurs during bonding. Compared to the case where a large number of conductive electrodes are provided, there is no need to provide a large number of electric circuits such as amplifiers and A / D converters at the subsequent stage, and the device can be manufactured at low cost.

【0059】また、本発明によれば、配列方向における
下電極の幅よりも隣接する導通電極間の幅が大きいた
め、位置ずれが起きても下電極1つに導通電極2つが電
気的に接続されてしまうことはなく、導通電極間ショー
トによる画質の劣化は起きない。このため、位置ずれ許
容量が大きくすることができ、製造歩留まりを向上する
ことができる。
Further, according to the present invention, since the width between adjacent conductive electrodes is larger than the width of the lower electrode in the arrangement direction, two conductive electrodes are electrically connected to one lower electrode even if a positional shift occurs. The image quality is not degraded due to the short circuit between the conductive electrodes. Therefore, the allowable amount of displacement can be increased, and the manufacturing yield can be improved.

【0060】尚、本発明はX線画像を検出する画像検出
装置に限定されるものではなく、可視光や赤外線光、も
しくは他の放射線(α,β,γ線)等の画像を検出する
画像検出装置においても同様の効果が得られる。
The present invention is not limited to an image detecting apparatus for detecting an X-ray image, but may be an image detecting apparatus for detecting an image such as visible light, infrared light, or other radiation (α, β, γ-ray). Similar effects can be obtained in the detection device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る画像検出装置の第1の実施形態の
X線センシング部と読み出し部の配列方向の断面を模式
的に示した図である。
FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross section in an arrangement direction of an X-ray sensing unit and a read-out unit of a first embodiment of an image detection device according to the present invention.

【図2】本発明に係る画像検出装置の第2の実施形態の
X線センシング部と読み出し部の配列方向の断面を模式
的に示した図である。
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a cross section of an image detection apparatus according to a second embodiment of the present invention in an arrangement direction of an X-ray sensing unit and a reading unit.

【図3】直接変換方式2次元センサの断面を模式的に示
した模式断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view schematically illustrating a cross-section of a direct conversion type two-dimensional sensor.

【図4】従来のX線センシング部と読み出し部の配列方
向の断面を模式的に示した図である。
FIG. 4 is a diagram schematically showing a cross section in the arrangement direction of a conventional X-ray sensing unit and a reading unit.

【図5】本発明による画像検出装置のX線診断システム
への応用例を示したものである。
FIG. 5 shows an application example of an image detection device according to the present invention to an X-ray diagnostic system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

8 導電性部材 10 X線センシング部 15 下電極 19 上基板アライメントマーク 20 読み出し部 21 導通電極 29 下基板アライメントマーク 6040 画像検出装置 6050 X線チューブ 6060 X線 6061 被験者 6062 胸部 6070 イメージプロセッサ 6080 制御室のディスプレイ 6090 電話回線 6081 ドクタールームのディスプレイ 6100 フィルムプロセッサ 6110 フィルム Reference Signs List 8 Conductive member 10 X-ray sensing unit 15 Lower electrode 19 Upper substrate alignment mark 20 Readout unit 21 Conductive electrode 29 Lower substrate alignment mark 6040 Image detector 6050 X-ray tube 6060 X-ray 6061 Subject 6062 Chest 6070 Image processor 6080 Control room Display 6090 Telephone line 6081 Doctor's room display 6100 Film processor 6110 Film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 31/09 H01L 27/14 F H04N 5/32 31/00 A Fターム(参考) 2G088 EE02 FF02 FF04 FF05 FF06 GG19 GG21 JJ04 JJ05 JJ31 JJ33 4M118 AA10 AB01 BA05 BA19 CA05 CB06 FB13 FB16 GA10 HA24 HA32 5C024 AX12 CY47 CY49 GX09 GX16 GX18 5F088 AA03 AB05 BA18 BB03 BB07 EA03 EA04 EA08 JA17 KA08 LA07 LA08 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 31/09 H01L 27/14 F H04N 5/32 31/00 A F term (Reference) 2G088 EE02 FF02 FF04 FF05 FF06 GG19 GG21 JJ04 JJ05 JJ31 JJ33 4M118 AA10 AB01 BA05 BA19 CA05 CB06 FB13 FB16 GA10 HA24 HA32 5C024 AX12 CY47 CY49 GX09 GX16 GX18 5F088 AA03 AB05 BA18 BB03 BB07 EA03 LA07

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入射したエネルギーを電荷に変換する半
導体層と該電荷を出力するための複数個の第1の電極と
を有する第1の基板と、前記複数個の第1の電極から出
力された電荷が入力される複数個の第2の電極を有する
第2の基板と、が貼り合わされて、前記複数個の第1の
電極と前記複数個の第2の電極とが電気的に接続される
画像検出装置であって、 前記複数個の第1の電極の数と前記複数個の第2の電極
の数とが異なる画像検出装置。
1. A first substrate having a semiconductor layer for converting incident energy into electric charge and a plurality of first electrodes for outputting the electric charge, and a first substrate output from the plurality of first electrodes. And a second substrate having a plurality of second electrodes to which the charged electric charges are input, and the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes are electrically connected to each other. An image detection device, wherein the number of the plurality of first electrodes is different from the number of the plurality of second electrodes.
【請求項2】 前記複数個の第1の電極および前記複数
個の第2の電極がライン状またはマトリクス状に配列さ
れている請求項1記載の画像検出装置。
2. The image detection device according to claim 1, wherein the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes are arranged in a line or a matrix.
【請求項3】 前記複数個の第1の電極の数と前記複数
個の第2の電極の数とのうち電極数の少ない方の数をx
とし、前記複数個の第1の電極の数と前記複数個の第2
の電極の数とのうち電極の数が多い方の数をyとしたと
き、電極数x個の第1のまたは第2の電極が電極数y個
の第2または第1の電極のうちのx個の電極にそれぞれ
接続されるように、前記第1の基板と前記第2の基板と
を貼り合わせてなる請求項1または2記載の画像検出装
置。
3. The number of the plurality of first electrodes and the number of the second electrodes, the smaller of the number of electrodes being x
And the number of the plurality of first electrodes and the number of the second electrodes
When the number of the electrodes having the larger number of the electrodes is y, the first or the second electrode having the number of the electrodes x is equal to the number of the second or the first electrode having the number y of the electrodes. The image detection device according to claim 1, wherein the first substrate and the second substrate are attached to each other so as to be connected to x electrodes.
【請求項4】 前記複数個の第1の電極の数が前記複数
個の第2の電極の数よりも多い請求項1から3のいずれ
か1項に記載の画像検出装置。
4. The image detection apparatus according to claim 1, wherein the number of the plurality of first electrodes is larger than the number of the plurality of second electrodes.
【請求項5】 配列方向において、前記第1の電極の幅
が隣接する前記第2の電極間の幅より小さい請求項2ま
たは4に記載の画像検出装置。
5. The image detection device according to claim 2, wherein a width of the first electrode is smaller than a width between the adjacent second electrodes in the arrangement direction.
【請求項6】 1個の前記第2の電極に対し、複数個の
前記第1の電極が電気的に接続される請求項5記載の画
像検出装置。
6. The image detection device according to claim 5, wherein a plurality of said first electrodes are electrically connected to one said second electrode.
【請求項7】 1個の前記第2の電極に対し、5個以上
の前記第1の電極が電気的に接続される請求項5記載の
画像検出装置。
7. The image detection apparatus according to claim 5, wherein five or more first electrodes are electrically connected to one second electrode.
【請求項8】 前記第2の基板は、電荷を蓄積するため
のキャパシタ部と、薄膜トランジスタ部とをさらに有
し、 前記半導体層で変換された電荷は、前記第1の電極およ
び前記第2の電極を介して前記キャパシタ部に蓄積さ
れ、該蓄積された電荷を前記薄膜トランジスタ部を介し
て読み出される請求項1から7のいずれか1項に記載の
画像検出装置。
8. The second substrate further includes a capacitor unit for accumulating electric charge and a thin film transistor unit, and the electric charge converted in the semiconductor layer is applied to the first electrode and the second electrode. The image detection device according to claim 1, wherein the charge is stored in the capacitor unit via an electrode, and the stored charge is read out via the thin film transistor unit.
【請求項9】 請求項1から8のいずれか1項に記載の
画像検出装置と、 前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段
と、 前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、 前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
と、 前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
手段と、 前記放射線を発生させるための放射線源とを具備するこ
とを特徴とする固体撮像システム。
9. An image detecting apparatus according to claim 1, a signal processing unit for processing a signal from the radiation imaging apparatus, and a signal processing unit for recording a signal from the signal processing unit. Recording means; display means for displaying a signal from the signal processing means; transmission processing means for transmitting a signal from the signal processing means; and a radiation source for generating the radiation. A solid-state imaging system, characterized in that:
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