JP2002222401A - 補強板付き非接触ｉｃカード - Google Patents
補強板付き非接触ｉｃカードInfo
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- JP2002222401A JP2002222401A JP2001019754A JP2001019754A JP2002222401A JP 2002222401 A JP2002222401 A JP 2002222401A JP 2001019754 A JP2001019754 A JP 2001019754A JP 2001019754 A JP2001019754 A JP 2001019754A JP 2002222401 A JP2002222401 A JP 2002222401A
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- card
- lsi
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- reinforcing plate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄型で強度の高い非接触ＩＣカードを提供す
る。 【解決手段】電磁波等のエネルギーを使用して、非接触
でリーダライタと通信を行う非接触ＩＣカードであっ
て、少なくとも1つ以上のＬＳＩ３０２を内蔵してお
り、前記ＬＳＩには少なくともひとつの補強板３０１が
設けられており、前記補強版は波形である非接触ＩＣカ
ード。
る。 【解決手段】電磁波等のエネルギーを使用して、非接触
でリーダライタと通信を行う非接触ＩＣカードであっ
て、少なくとも1つ以上のＬＳＩ３０２を内蔵してお
り、前記ＬＳＩには少なくともひとつの補強板３０１が
設けられており、前記補強版は波形である非接触ＩＣカ
ード。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】プラスチックカード基体に電
子部品等からなるインレットを挿入してなる非接触ＩＣ
カードに関する。
子部品等からなるインレットを挿入してなる非接触ＩＣ
カードに関する。
【０００２】
【従来の技術】非接触ＩＣカードはカード内部に通信に
必要なアンテナとＬＳＩとを内蔵し、リーダライタとの
通信を非接触で行うことができ、近年、鉄道の定期券な
どへの応用が期待されている。従来の接点付きＩＣカー
ドでは接点への静電気の影響や汚れなどにより、破壊や
通信不良などが発生したが非接触ＩＣカードの場合は汚
れや静電気に強く、耐環境性に優れている。
必要なアンテナとＬＳＩとを内蔵し、リーダライタとの
通信を非接触で行うことができ、近年、鉄道の定期券な
どへの応用が期待されている。従来の接点付きＩＣカー
ドでは接点への静電気の影響や汚れなどにより、破壊や
通信不良などが発生したが非接触ＩＣカードの場合は汚
れや静電気に強く、耐環境性に優れている。
【０００３】しかし、ＩＳＯやＪＩＳに規格があるプラ
スチックカードはその厚みが０．７６ｍｍ程度に制限さ
れており、そのなかにＬＳＩを内蔵することは非常に困
難であった。電磁波を利用する非接触ＩＣカードではア
ンテナも内蔵する必要がある。そこでＬＳＩを薄く削っ
たり、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）に使用す
る基板を薄くするなどの工夫がなされた。また、ＣＯＢ
の基板にフィルムを使用したり、そのフィルムにアンテ
ナパターンを形成したりすることで、一体化し、全体の
厚みを薄くし、簡単にカード化できるモジュールの開発
がなされた。
スチックカードはその厚みが０．７６ｍｍ程度に制限さ
れており、そのなかにＬＳＩを内蔵することは非常に困
難であった。電磁波を利用する非接触ＩＣカードではア
ンテナも内蔵する必要がある。そこでＬＳＩを薄く削っ
たり、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）に使用す
る基板を薄くするなどの工夫がなされた。また、ＣＯＢ
の基板にフィルムを使用したり、そのフィルムにアンテ
ナパターンを形成したりすることで、一体化し、全体の
厚みを薄くし、簡単にカード化できるモジュールの開発
がなされた。
【０００４】図１にモジュール（１０６）のＬＳＩ実装
部分の断面図を示す。基板（１０４）にＬＳＩ（１０
３）が実装されており、ＬＳＩ（１０３）と基板（１０
４）は金ワイヤ（図示せず）によるワイヤーボンディン
グあるいは実装パッドにバンプ（図示せず）を設け、フ
ェイスダウン実装されている。ＬＳＩ（１０３）の上に
樹脂封止を設け、さらにその上に補強板（１０１）を設
ける。
部分の断面図を示す。基板（１０４）にＬＳＩ（１０
３）が実装されており、ＬＳＩ（１０３）と基板（１０
４）は金ワイヤ（図示せず）によるワイヤーボンディン
グあるいは実装パッドにバンプ（図示せず）を設け、フ
ェイスダウン実装されている。ＬＳＩ（１０３）の上に
樹脂封止を設け、さらにその上に補強板（１０１）を設
ける。
【０００５】封止樹脂（１０２）はエポキシ系の樹脂に
フィラーが入ったものが用いられることが多い。封止樹
脂（１０２）をポッティング法にてＬＳＩ（１０３）上
に滴下した後、補強板（１０１）を載せ、その状態で接
着剤を恒温槽等で硬化させる。
フィラーが入ったものが用いられることが多い。封止樹
脂（１０２）をポッティング法にてＬＳＩ（１０３）上
に滴下した後、補強板（１０１）を載せ、その状態で接
着剤を恒温槽等で硬化させる。
【０００６】図２はモジュール（１０６）をカード基体
（１０５）内に実装したときの、断面図を示したもので
ある。カードの両端が図のように変形すると、その力が
モジュール（１０６）に加わり、モジュール（１０６）
内部のＬＳＩ（１０３）が破壊される。補強板（１０
１）を用いることで、補強板（１０１）が無い状態より
も強度は上がっている。しかし、より強度が高いモジュ
ールが望まれている。
（１０５）内に実装したときの、断面図を示したもので
ある。カードの両端が図のように変形すると、その力が
モジュール（１０６）に加わり、モジュール（１０６）
内部のＬＳＩ（１０３）が破壊される。補強板（１０
１）を用いることで、補強板（１０１）が無い状態より
も強度は上がっている。しかし、より強度が高いモジュ
ールが望まれている。
【０００７】特開平１１−１１０６０においては、キャ
ップ状の補強を設けることで、強度を向上させようとし
ている。また、特開平１１−１１０６１においては、補
強材にさらにそれを保護する部材を取り付けることで、
強度を向上させようとしている。これらのＬＳＩ上の補
強部は樹脂やセラミック、金属などで考案されている
が、カードの厚みの制限があるため、単なる平板では補
強材そのものが変形してしまい、十分な補強効果は得ら
れない。キャップ状にすることで、ＬＳＩ上部からの力
に対してキャップ周辺に力が分散されることも考えられ
るが、ＬＳＩ上部に十分な厚さがないと、やはり、補強
材そのものが変形し、平板のときの同じような状態とな
ってしまう。
ップ状の補強を設けることで、強度を向上させようとし
ている。また、特開平１１−１１０６１においては、補
強材にさらにそれを保護する部材を取り付けることで、
強度を向上させようとしている。これらのＬＳＩ上の補
強部は樹脂やセラミック、金属などで考案されている
が、カードの厚みの制限があるため、単なる平板では補
強材そのものが変形してしまい、十分な補強効果は得ら
れない。キャップ状にすることで、ＬＳＩ上部からの力
に対してキャップ周辺に力が分散されることも考えられ
るが、ＬＳＩ上部に十分な厚さがないと、やはり、補強
材そのものが変形し、平板のときの同じような状態とな
ってしまう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の課題を
鑑みてなされたもので、薄型で強度の高い非接触ＩＣカ
ードを提供することを課題とする。
鑑みてなされたもので、薄型で強度の高い非接触ＩＣカ
ードを提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】課題を解決する第一の非
接触ＩＣカードは、カード内に少なくとも1つ以上のＬ
ＳＩを内蔵しており、前記ＬＳＩには少なくともひとつ
の補強板が設けられており、前記補強版は波形であるこ
とにより薄型で強度の高い非接触ＩＣカードを提供す
る。さらに、ＩＣカードないの前記ＬＳＩの上下に二つ
の補強板が設けられており、前記補強版は波形であり、
かつ、上下補強板の波形が交差するように設けること
で、より強度の高い非接触ＩＣカードを提供することが
できる。
接触ＩＣカードは、カード内に少なくとも1つ以上のＬ
ＳＩを内蔵しており、前記ＬＳＩには少なくともひとつ
の補強板が設けられており、前記補強版は波形であるこ
とにより薄型で強度の高い非接触ＩＣカードを提供す
る。さらに、ＩＣカードないの前記ＬＳＩの上下に二つ
の補強板が設けられており、前記補強版は波形であり、
かつ、上下補強板の波形が交差するように設けること
で、より強度の高い非接触ＩＣカードを提供することが
できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の非接触ＩＣカードの構造
を以下に説明する。図３は本発明の非接触ＩＣカードに
よる波形補強板を実装する部分の斜視図を示している。
図３では基板（３０３）にＬＳＩ（３０２）が実装され
ており、その上に波形補強板（３０１）を載せることを
説明している。
を以下に説明する。図３は本発明の非接触ＩＣカードに
よる波形補強板を実装する部分の斜視図を示している。
図３では基板（３０３）にＬＳＩ（３０２）が実装され
ており、その上に波形補強板（３０１）を載せることを
説明している。
【００１１】図４は図３において波形補強板（３０１）
を実装した後の断面を示している。ＬＳＩ（３０２）は
基板（３０３）上に実装されており、その上に封止樹脂
（３０４）があり、さらにその上に波形補強板（３０
１）が設けられている。基板（３０３）はガラスエポキ
シなどの一般的なプリント配線板用のものが使用でき
る。その他ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔ）などに使用されている、銅貼ポリイ
ミドフィルムやＰＥＴフィルムに導体が貼り付けられて
いるものなど、一般的なプリント配線板材料が使用可能
である。
を実装した後の断面を示している。ＬＳＩ（３０２）は
基板（３０３）上に実装されており、その上に封止樹脂
（３０４）があり、さらにその上に波形補強板（３０
１）が設けられている。基板（３０３）はガラスエポキ
シなどの一般的なプリント配線板用のものが使用でき
る。その他ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔ）などに使用されている、銅貼ポリイ
ミドフィルムやＰＥＴフィルムに導体が貼り付けられて
いるものなど、一般的なプリント配線板材料が使用可能
である。
【００１２】ＬＳＩ（３０２）は非接触ＩＣカード用の
もので、１ｍｍ角以下の小さいものから６ｍｍ角以上の
ものまで様々である。少なくともひとつは必要であるが
複数あってもよい。厚さは５０μｍ程度のごく薄いもの
から４００μｍ程度のものがＩＣカード用途としては一
般的である。ＬＳＩ（３０２）は基板（３０３）に実装
され金ワイヤ等で接続される（ワイヤボンディング
法）。ＬＳＩ（３０２）の接続パッド（図示せず）にバ
ンプ（図示せず）を設け、ＬＳＩ（３０２）のフェイス
面（配線パターンが設けられた面）を基板（３０３）側
に向けて実装する方法(フェイスダウン法)で実装しても
良い。（図4ではＬＳＩ（３０２）と基板（３０３）の
接続部分は図示しない。）
もので、１ｍｍ角以下の小さいものから６ｍｍ角以上の
ものまで様々である。少なくともひとつは必要であるが
複数あってもよい。厚さは５０μｍ程度のごく薄いもの
から４００μｍ程度のものがＩＣカード用途としては一
般的である。ＬＳＩ（３０２）は基板（３０３）に実装
され金ワイヤ等で接続される（ワイヤボンディング
法）。ＬＳＩ（３０２）の接続パッド（図示せず）にバ
ンプ（図示せず）を設け、ＬＳＩ（３０２）のフェイス
面（配線パターンが設けられた面）を基板（３０３）側
に向けて実装する方法(フェイスダウン法)で実装しても
良い。（図4ではＬＳＩ（３０２）と基板（３０３）の
接続部分は図示しない。）
【００１３】その後、ＬＳＩ（３０２）には封止樹脂
（３０４）またはそれに類する合成樹脂等を塗布し、波
形補強板（３０１）を載せる。封止樹脂（３０４）はＬ
ＳＩのプラスチックパッケージに使用するエポキシ系の
合成樹脂が使用できる。その他アクリル系、シリコン系
などの合成樹脂が使用できるが、ワイヤボンディング法
にてＬＳＩを実装した場合は、ＬＳＩのフェイス面が接
着剤と触れるので、接着剤に含まれる塩素イオンや金属
系のイオンなどには十分注意が必要である。樹脂封止に
トランスファモールド法を用いて封止樹脂を硬化した後
に、補強板の接着のみに接着剤を使っても良い。このと
きはＬＳＩのフェイス面は保護されているので、任意の
接着剤の使用が可能である。
（３０４）またはそれに類する合成樹脂等を塗布し、波
形補強板（３０１）を載せる。封止樹脂（３０４）はＬ
ＳＩのプラスチックパッケージに使用するエポキシ系の
合成樹脂が使用できる。その他アクリル系、シリコン系
などの合成樹脂が使用できるが、ワイヤボンディング法
にてＬＳＩを実装した場合は、ＬＳＩのフェイス面が接
着剤と触れるので、接着剤に含まれる塩素イオンや金属
系のイオンなどには十分注意が必要である。樹脂封止に
トランスファモールド法を用いて封止樹脂を硬化した後
に、補強板の接着のみに接着剤を使っても良い。このと
きはＬＳＩのフェイス面は保護されているので、任意の
接着剤の使用が可能である。
【００１４】封止樹脂（３０４）が硬化前に波形補強板
（３０１）を載せることで波形補強板（３０１）の波形
部分に入り込み、図4の断面図のようになる。その後、
封止樹脂（３０４）の硬化温度で硬化させ、モジュール
（３０５）を得ることができる。
（３０１）を載せることで波形補強板（３０１）の波形
部分に入り込み、図4の断面図のようになる。その後、
封止樹脂（３０４）の硬化温度で硬化させ、モジュール
（３０５）を得ることができる。
【００１５】補強板は波型加工されたものを使用する。
ＳＵＳなどの金属材料が加工の上で簡単であるが、高分
子樹脂やそれにフィラーを添加したもの、ガラス繊維に
樹脂を含浸させたものなどでもよい。また、セラミック
なども使用可能である。波形補強板（３０１）によって
ＬＳＩ（３０２）への力が分散されるので、ＬＳＩ（３
０２）の上からの力に対して、割れにくくなる。
ＳＵＳなどの金属材料が加工の上で簡単であるが、高分
子樹脂やそれにフィラーを添加したもの、ガラス繊維に
樹脂を含浸させたものなどでもよい。また、セラミック
なども使用可能である。波形補強板（３０１）によって
ＬＳＩ（３０２）への力が分散されるので、ＬＳＩ（３
０２）の上からの力に対して、割れにくくなる。
【００１６】また、波形の直交方向での曲げに対して
は、非常に強固になる。このことを利用して図5のよう
にＬＳＩ（５０２）の上下に、上側波形補強板（５０２
ａ）と下側波形補強板（５０１ｂ）をお互いに波形が直
交する方向で設けることにより、図6のようにカードの
短辺方向及び長辺方向の曲げに対してより強固にするこ
とができる。
は、非常に強固になる。このことを利用して図5のよう
にＬＳＩ（５０２）の上下に、上側波形補強板（５０２
ａ）と下側波形補強板（５０１ｂ）をお互いに波形が直
交する方向で設けることにより、図6のようにカードの
短辺方向及び長辺方向の曲げに対してより強固にするこ
とができる。
【００１７】
【実施例】＜実施例1＞本発明による非接触ＩＣカード
の実施の一例を以下に示す。 １、厚さ０．１ｍｍの銅貼ガラスエポキシ基板にエッチ
ング法にパターンを設けて基板を得た。ＬＳＩの実装パ
ッド部分に金ワイヤを用いてボールボンディング法にて
高さ３５μｍのバンプを形成した。 ２、前記基板にＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を仮貼りし、ＬＳＩを搭
載し、２５０℃、１０Ｎにて２０秒間加熱加圧してＬＳ
Ｉを実装した。 ３、ＬＳＩ実装部分にポッティング法にて、エポキシ系
封止剤を塗布し、その上から波形に加工した厚さ１００
μmのステンレス板を載せ、１７０℃、３０分恒温槽にて
加熱して封止剤を硬化させ、モジュールを得た。 ４、前記モジュールに直径０．１１ｍｍの３ターンのポ
リエステル絶縁皮膜マグネットワイヤを接続し、インレ
ット得た。 ５、前記インレットの上下を２８０μmの非晶性ポリエ
ステル（ＰＥＴ−Ｇ、イーストマン・コダック社製）シ
ートで挟み込み、１５０℃、３０分間、加熱・加圧しＰ
ＥＴ−Ｇを融着させ、コアシートを得た。 ６、前記コアシートの上下を１５０μmの白色耐熱ＰＥ
Ｔ−Ｇシートで挟み込み、熱ラミネート法で熱融着さ
せ、所定の寸法に金型を用いて打ち抜き非接触ＩＣカー
ドを得た。
の実施の一例を以下に示す。 １、厚さ０．１ｍｍの銅貼ガラスエポキシ基板にエッチ
ング法にパターンを設けて基板を得た。ＬＳＩの実装パ
ッド部分に金ワイヤを用いてボールボンディング法にて
高さ３５μｍのバンプを形成した。 ２、前記基板にＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を仮貼りし、ＬＳＩを搭
載し、２５０℃、１０Ｎにて２０秒間加熱加圧してＬＳ
Ｉを実装した。 ３、ＬＳＩ実装部分にポッティング法にて、エポキシ系
封止剤を塗布し、その上から波形に加工した厚さ１００
μmのステンレス板を載せ、１７０℃、３０分恒温槽にて
加熱して封止剤を硬化させ、モジュールを得た。 ４、前記モジュールに直径０．１１ｍｍの３ターンのポ
リエステル絶縁皮膜マグネットワイヤを接続し、インレ
ット得た。 ５、前記インレットの上下を２８０μmの非晶性ポリエ
ステル（ＰＥＴ−Ｇ、イーストマン・コダック社製）シ
ートで挟み込み、１５０℃、３０分間、加熱・加圧しＰ
ＥＴ−Ｇを融着させ、コアシートを得た。 ６、前記コアシートの上下を１５０μmの白色耐熱ＰＥ
Ｔ−Ｇシートで挟み込み、熱ラミネート法で熱融着さ
せ、所定の寸法に金型を用いて打ち抜き非接触ＩＣカー
ドを得た。
【００１８】前記非接触ＩＣカードをＩＳＯ/ＩＥＣ
１４４４３−１にしたがって、曲げ及びねじり試験を実
施したところ、1万回以上行ってもＬＳＩの破損は見ら
れず、強度の高い非接触ＩＣカードを得ることができ
た。
１４４４３−１にしたがって、曲げ及びねじり試験を実
施したところ、1万回以上行ってもＬＳＩの破損は見ら
れず、強度の高い非接触ＩＣカードを得ることができ
た。
【００１９】＜実施例2＞本発明による非接触ＩＣカー
ドの実施の一例を以下に示す。 １、厚さ２５μmの銅貼ポリイミドフィルム基板にエッ
チング法にパターンを設けて基板を得た。パターンはＬ
ＳＩの実装用とアンテナを同時に形成した。ＬＳＩの実
装パッド部分に金ワイヤを用いてボールボンディング法
にて高さ３５μmのバンプを形成した。 ２、前記基板にＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を仮貼りし、ＬＳＩを搭
載し、２５０℃、１０Ｎにて２０秒間加熱加圧してＬＳ
Ｉを実装した。 ３、ＬＳＩ実装部分にポッティング法にて、エポキシ系
封止剤を塗布し、その上から波形に加工した厚さ７０μ
mのステンレス板を載せ、ＬＳＩ実装部のフィルム基板
の裏側にも同様にエポキシ系封止材を塗布し、厚さ７０
μmのステンレス板を前記ステンレス板とは波形方向が
直交するように載せ、１７０℃、３０分恒温槽にて加熱
して封止剤を硬化させ、モジュールを得た。 ４、前記モジュールの上下を２８０μmのＰＥＴ−Ｇシ
ートで挟み込み、１５０℃、３０分間、加熱・加圧しPET
-Gシートを融着させ、コアシートを得た。 ５、 前記コアシートの上下を１５０μmの白色耐熱ＰＥ
Ｔ−Ｇシートで挟み込み、熱ラミネート法で熱融着さ
せ、所定の寸法に金型を用いて打ち抜き非接触ＩＣカー
ドを得た。
ドの実施の一例を以下に示す。 １、厚さ２５μmの銅貼ポリイミドフィルム基板にエッ
チング法にパターンを設けて基板を得た。パターンはＬ
ＳＩの実装用とアンテナを同時に形成した。ＬＳＩの実
装パッド部分に金ワイヤを用いてボールボンディング法
にて高さ３５μmのバンプを形成した。 ２、前記基板にＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を仮貼りし、ＬＳＩを搭
載し、２５０℃、１０Ｎにて２０秒間加熱加圧してＬＳ
Ｉを実装した。 ３、ＬＳＩ実装部分にポッティング法にて、エポキシ系
封止剤を塗布し、その上から波形に加工した厚さ７０μ
mのステンレス板を載せ、ＬＳＩ実装部のフィルム基板
の裏側にも同様にエポキシ系封止材を塗布し、厚さ７０
μmのステンレス板を前記ステンレス板とは波形方向が
直交するように載せ、１７０℃、３０分恒温槽にて加熱
して封止剤を硬化させ、モジュールを得た。 ４、前記モジュールの上下を２８０μmのＰＥＴ−Ｇシ
ートで挟み込み、１５０℃、３０分間、加熱・加圧しPET
-Gシートを融着させ、コアシートを得た。 ５、 前記コアシートの上下を１５０μmの白色耐熱ＰＥ
Ｔ−Ｇシートで挟み込み、熱ラミネート法で熱融着さ
せ、所定の寸法に金型を用いて打ち抜き非接触ＩＣカー
ドを得た。
【００２０】前記非接触ＩＣカードをＩＳＯ/ＩＥＣ
１４４４３−１にしたがって、曲げ及びねじり試験を実
施したところ、1万回以上行ってもＬＳＩの破損は見ら
れなかった。また、半径５ｍｍの鉄球をモジュールのＬ
ＳＩ実装部分に100Nの力で圧力を加えたがＬＳＩの破損
は見られず、強度の高い非接触ＩＣカードを得ることが
できた。
１４４４３−１にしたがって、曲げ及びねじり試験を実
施したところ、1万回以上行ってもＬＳＩの破損は見ら
れなかった。また、半径５ｍｍの鉄球をモジュールのＬ
ＳＩ実装部分に100Nの力で圧力を加えたがＬＳＩの破損
は見られず、強度の高い非接触ＩＣカードを得ることが
できた。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、薄型で強度の高い非接
触ＩＣカードを得ることができる。カードの強度を向上
させるために従来から補強板を設けることは実施されて
おり、その補強板を波形に加工するだけでよく、コスト
アップにならず、従来からの生産設備を利用することも
可能である。薄い補強板で十分な効果が得られるので、
熱ラミネート時にＬＳＩ実装部分が厚いと、カード表面
に凹凸が見られることがあるが、それらも解消できる。
触ＩＣカードを得ることができる。カードの強度を向上
させるために従来から補強板を設けることは実施されて
おり、その補強板を波形に加工するだけでよく、コスト
アップにならず、従来からの生産設備を利用することも
可能である。薄い補強板で十分な効果が得られるので、
熱ラミネート時にＬＳＩ実装部分が厚いと、カード表面
に凹凸が見られることがあるが、それらも解消できる。
【図１】従来のモジュールの断面図。
【図２】従来のモジュールを内蔵したカードの断面図。
【図３】本発明による非接触ＩＣカードに内蔵するモジ
ュールのＬＳＩ部分に波形補強板を載せることを説明す
る斜視図。
ュールのＬＳＩ部分に波形補強板を載せることを説明す
る斜視図。
【図４】本発明による非接触ＩＣカードに内蔵するモジ
ュールの断面図。
ュールの断面図。
【図５】本発明による非接触ＩＣカード内蔵するモジュ
ールのＬＳＩ部分の上下に波形補強板を直交させて載せ
ることを説明する斜視図。
ールのＬＳＩ部分の上下に波形補強板を直交させて載せ
ることを説明する斜視図。
【図６】本発明による非接触ＩＣカードの曲げ試験を説
明する斜視図。
明する斜視図。
１０１…従来モジュールの補強板 １０２…従来モジュールの封止樹脂 １０３…従来モジュールのＬＳＩ １０４…従来モジュールの基板 １０５…従来モジュールを内蔵したカード基体 １０６…従来モジュール ３０１…本発明によるモジュールの波形補強板 ３０２…本発明によるモジュールのＬＳＩ ３０３…本発明によるモジュールの基板 ３０４…本発明によるモジュールの封止樹脂 ３０５…本発明によるモジュール ５０１ａ…本発明によるモジュールの上側波形補強板 ５０１ｂ…本発明によるモジュールの下側波形補強板 ５０２…本発明によるモジュールのＬＳＩ ５０３…本発明によるモジュールの基板 ５０４…本発明によるモジュール ５０５…本発明によるモジュールを内蔵した非接触ＩＣ
カード
カード
Claims (2)
- 【請求項１】電磁波等のエネルギーを使用して、非接触
でリーダライタと通信を行う非接触ＩＣカードであっ
て、少なくとも1つ以上のＬＳＩを内蔵しており、前記
ＬＳＩには少なくともひとつの補強板が設けられてお
り、前記補強版は波形であることを特徴とする非接触Ｉ
Ｃカード。 - 【請求項２】電磁波等のエネルギーを使用して、非接触
でリーダライタと通信を行う非接触ＩＣカードであっ
て、少なくとも1つ以上のＬＳＩを内蔵しており、前記
ＬＳＩの上下に二つの補強板が設けられており、前記補
強版は波形であり、かつ、上下補強板の波形が交差する
ように設けられたことを特徴とする非接触ＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019754A JP2002222401A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 補強板付き非接触ｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019754A JP2002222401A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 補強板付き非接触ｉｃカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002222401A true JP2002222401A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18885576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001019754A Pending JP2002222401A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 補強板付き非接触ｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002222401A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007094634A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | Ｒｆｉｄタグ |
| JP2011181151A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 電子基板および磁気ディスク装置 |
-
2001
- 2001-01-29 JP JP2001019754A patent/JP2002222401A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007094634A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | Ｒｆｉｄタグ |
| JP2011181151A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 電子基板および磁気ディスク装置 |
| US8300365B2 (en) | 2010-03-02 | 2012-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic substrate and magnetic disk apparatus |
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