JP2002220658A - 光ディスク用スパッタリングターゲットとその製造法 - Google Patents
光ディスク用スパッタリングターゲットとその製造法Info
- Publication number
- JP2002220658A JP2002220658A JP2001019313A JP2001019313A JP2002220658A JP 2002220658 A JP2002220658 A JP 2002220658A JP 2001019313 A JP2001019313 A JP 2001019313A JP 2001019313 A JP2001019313 A JP 2001019313A JP 2002220658 A JP2002220658 A JP 2002220658A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- elements
- sputtering target
- sputtering
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｇを含むカルコゲナイド系元素を主成分と
する光ディスク用ターゲットにおいて、放電が容易なタ
ーゲットおよびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｓｂ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素と
Ａｇを必須として含み、Ａｇの一部またはすべてが他の
元素と化合せずにターゲット中に分散されて存在するこ
とを特徴とするスパッタリングターゲット。
する光ディスク用ターゲットにおいて、放電が容易なタ
ーゲットおよびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｓｂ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素と
Ａｇを必須として含み、Ａｇの一部またはすべてが他の
元素と化合せずにターゲット中に分散されて存在するこ
とを特徴とするスパッタリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ａｇを含むカルコ
ゲナイド系のスパッタリングターゲットおよびその製造
方法に関する。特に、直流でスパッタすることが容易で
あるスパッタリングターゲットに関するものである。
ゲナイド系のスパッタリングターゲットおよびその製造
方法に関する。特に、直流でスパッタすることが容易で
あるスパッタリングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータなどの進歩により、
情報記録媒体として光ディスクが盛んに利用されてい
る。特に、ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷな
どのディスクは、記録層にＡｇＩｎＳｂＴｅ系のカルコ
ゲン系の薄膜を使用している。この記録層が、光スポッ
トの熱で結晶−非晶質の相変化を起こすことで情報の記
録再生をしている。上記、光ディスクのＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ系薄膜の形成は、通常、スパッタリング法によって行
なわれている。このスパッタリング法では、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ系合金からなるスパッタリングターゲットが使用
される。
情報記録媒体として光ディスクが盛んに利用されてい
る。特に、ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷな
どのディスクは、記録層にＡｇＩｎＳｂＴｅ系のカルコ
ゲン系の薄膜を使用している。この記録層が、光スポッ
トの熱で結晶−非晶質の相変化を起こすことで情報の記
録再生をしている。上記、光ディスクのＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ系薄膜の形成は、通常、スパッタリング法によって行
なわれている。このスパッタリング法では、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ系合金からなるスパッタリングターゲットが使用
される。
【０００３】このターゲットは、図１に示すような方法
により製造される。まず、原料であるＡｇ，Ｉｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｅを所定量秤量する。次に、これをるつぼにい
れ、不活性ガス雰囲気中で溶融させて鋳造し、合金とす
る。この合金インゴットを室温まで冷却した後、Ａｒガ
ス雰囲気中でハンマーミルを用いて粉砕して粉体とす
る。この得られた粉体を金型に充填し、Ａｒガス中で加
温加圧し、ターゲットに成形する。
により製造される。まず、原料であるＡｇ，Ｉｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｅを所定量秤量する。次に、これをるつぼにい
れ、不活性ガス雰囲気中で溶融させて鋳造し、合金とす
る。この合金インゴットを室温まで冷却した後、Ａｒガ
ス雰囲気中でハンマーミルを用いて粉砕して粉体とす
る。この得られた粉体を金型に充填し、Ａｒガス中で加
温加圧し、ターゲットに成形する。
【０００４】カルコゲン系のターゲットは基本的に半導
体である。したがって、ターゲットの電気伝導度がＡｌ
などに比べて低い。このため、安定した直流スパッタリ
ングがＡｌなどに比べて困難なことがある。光ディスク
は、一般的に枚葉型のスパッタ装置を使用するが、成膜
は数秒ごとの間欠放電である。しかし、ターゲット中に
不純物の介在物が存在したり、何らかの放電異常で突起
などができると、間欠放電に著しく支障をきたす。
体である。したがって、ターゲットの電気伝導度がＡｌ
などに比べて低い。このため、安定した直流スパッタリ
ングがＡｌなどに比べて困難なことがある。光ディスク
は、一般的に枚葉型のスパッタ装置を使用するが、成膜
は数秒ごとの間欠放電である。しかし、ターゲット中に
不純物の介在物が存在したり、何らかの放電異常で突起
などができると、間欠放電に著しく支障をきたす。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記従来技術に鑑みて、Ａｇを含むカルコゲナイド
系元素を主成分とする光ディスク用ターゲットにおい
て、放電が容易なターゲットおよびその製造方法を提供
することを目的とする。
は、上記従来技術に鑑みて、Ａｇを含むカルコゲナイド
系元素を主成分とする光ディスク用ターゲットにおい
て、放電が容易なターゲットおよびその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の
（１）「Ｓｂ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素とＡｇを
必須として含み、Ａｇの一部またはすべてが他の元素と
化合せずにターゲット中に分散されて存在することを特
徴とするスパッタリングターゲット」、（２）「ターゲ
ットの組成が下記式（化２）であることを特徴とする前
記第（１）項に記載のスパッタリングターゲット；
（１）「Ｓｂ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素とＡｇを
必須として含み、Ａｇの一部またはすべてが他の元素と
化合せずにターゲット中に分散されて存在することを特
徴とするスパッタリングターゲット」、（２）「ターゲ
ットの組成が下記式（化２）であることを特徴とする前
記第（１）項に記載のスパッタリングターゲット；
【０００７】
【化２】ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＧｅε α、β、γ、δ、εは原子％を表わし、以下の範囲にあ
る； ０．１≦α≦１０ １≦β≦２０ ５５≦γ≦８０ ０．１≦ε≦５ δ＝１００−α−β−γ−ε」により達成される。
る； ０．１≦α≦１０ １≦β≦２０ ５５≦γ≦８０ ０．１≦ε≦５ δ＝１００−α−β−γ−ε」により達成される。
【０００８】また、上記課題は、本発明の（３）「カル
コゲン元素は溶解するが、Ａｇは溶融しない温度におい
て、Ｓｂ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素とＡｇ以外の
構成元素を含む混合物を溶融し、この溶湯のるつぼに平
均粒径４０μｍ〜２００μｍ程度のＡｇ単体を一緒に投
入後冷却し、切断成形することを特徴とするスパッタリ
ングターゲットの製造方法」、（４）「Ｓｂ，Ｔｅの２
種類のカルコゲン元素とＡｇ以外の構成元素を含む混合
物を溶融して鋳造し、得られたインゴットを室温まで冷
却後に 所定量のＡｇを加えて不活性ガス中で粉砕した
後、加圧して成形することを特徴とするスパッタリング
ターゲットの製造方法」により達成される。
コゲン元素は溶解するが、Ａｇは溶融しない温度におい
て、Ｓｂ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素とＡｇ以外の
構成元素を含む混合物を溶融し、この溶湯のるつぼに平
均粒径４０μｍ〜２００μｍ程度のＡｇ単体を一緒に投
入後冷却し、切断成形することを特徴とするスパッタリ
ングターゲットの製造方法」、（４）「Ｓｂ，Ｔｅの２
種類のカルコゲン元素とＡｇ以外の構成元素を含む混合
物を溶融して鋳造し、得られたインゴットを室温まで冷
却後に 所定量のＡｇを加えて不活性ガス中で粉砕した
後、加圧して成形することを特徴とするスパッタリング
ターゲットの製造方法」により達成される。
【０００９】ターゲットは、組成がＡｇ，Ｓｂ，Ｔｅを
必須とし、Ａｇ以外の元素は、何らかの形で合金化して
いるか、Ａｇのみ単体で分散して存在する組織が特徴で
ある。また、ターゲットの製造方法は、Ａｇ以外の構成
元素の原料を秤量、混合して溶解して鋳造し、得られた
インゴットと、所定量のＡｇを加えて不活性ガス中で粉
砕した後、加圧して成形することを特徴とする。別の製
造方法は、８００℃以下のカルコゲン元素の溶湯に、所
定量のＡｇ粉体を加えて冷却してインゴットとする。こ
れを切断、成形してターゲットとすることを特徴とす
る。
必須とし、Ａｇ以外の元素は、何らかの形で合金化して
いるか、Ａｇのみ単体で分散して存在する組織が特徴で
ある。また、ターゲットの製造方法は、Ａｇ以外の構成
元素の原料を秤量、混合して溶解して鋳造し、得られた
インゴットと、所定量のＡｇを加えて不活性ガス中で粉
砕した後、加圧して成形することを特徴とする。別の製
造方法は、８００℃以下のカルコゲン元素の溶湯に、所
定量のＡｇ粉体を加えて冷却してインゴットとする。こ
れを切断、成形してターゲットとすることを特徴とす
る。
【００１０】ターゲットの構成元素のうち、Ａｇは単体
ではきわめて導電性が高い元素である。したがってＡｇ
を合金化させないで 単体でターゲット中に分散させて
存在させる。このためには、素材原料をるつぼに入れて
全元素の融点以上に加熱して溶融させず、Ａｇ以外の元
素のみで溶融させて、この溶湯に所定量のＡｇ粒子を投
入して冷却する。なお、溶湯の温度は４００〜６００℃
前後とする。カルコゲン系の元素や化合物は融点が低い
のでこの程度の温度で溶ける。しかし、Ａｇは単体の融
点が９６０℃前後であるから、この溶湯中に投入された
Ａｇは溶解しないで粉末のまま存在する。このインゴッ
トを冷却後、切断し、成形してターゲットとする。別の
作成法は、Ａｇ以外の元素をるつぼで溶融させ、合金化
させて冷却する。得られたインゴットに所定量の原料の
Ａｇを加え、不活性ガス中で粉砕して、この粉体を加熱
加圧成形してターゲットとする。
ではきわめて導電性が高い元素である。したがってＡｇ
を合金化させないで 単体でターゲット中に分散させて
存在させる。このためには、素材原料をるつぼに入れて
全元素の融点以上に加熱して溶融させず、Ａｇ以外の元
素のみで溶融させて、この溶湯に所定量のＡｇ粒子を投
入して冷却する。なお、溶湯の温度は４００〜６００℃
前後とする。カルコゲン系の元素や化合物は融点が低い
のでこの程度の温度で溶ける。しかし、Ａｇは単体の融
点が９６０℃前後であるから、この溶湯中に投入された
Ａｇは溶解しないで粉末のまま存在する。このインゴッ
トを冷却後、切断し、成形してターゲットとする。別の
作成法は、Ａｇ以外の元素をるつぼで溶融させ、合金化
させて冷却する。得られたインゴットに所定量の原料の
Ａｇを加え、不活性ガス中で粉砕して、この粉体を加熱
加圧成形してターゲットとする。
【００１１】Ａｇはターゲット中で合金化せずに分散す
る。したがって、高い導電性の部分がスパッタ装置内に
露出することになり、放電が極めて容易になる。間欠放
電させても、放電の立ち上がりのばらつきが減少するこ
とになる。なお、原料の元素を全く化合させずに粉砕し
て、そののち加圧成形したターゲットは、ターゲット中
の酸素濃度が高く、記録膜の特性が劣化する。このため
にＡｇ以外は合金化することが必要である。請求項２に
示すターゲットは、Ａｇは構成元素中、特に、気伝導度
が大きい元素であるのでＡｇが０．１％以上含まれるこ
とで 放電が安定化することになる。請求項３，４記載
のスパッタターゲット製造方法では、Ａｇを単体でター
ゲット中に分散させることができる。このため、得られ
たターゲットの直流の間欠放電が安定に行なえる。
る。したがって、高い導電性の部分がスパッタ装置内に
露出することになり、放電が極めて容易になる。間欠放
電させても、放電の立ち上がりのばらつきが減少するこ
とになる。なお、原料の元素を全く化合させずに粉砕し
て、そののち加圧成形したターゲットは、ターゲット中
の酸素濃度が高く、記録膜の特性が劣化する。このため
にＡｇ以外は合金化することが必要である。請求項２に
示すターゲットは、Ａｇは構成元素中、特に、気伝導度
が大きい元素であるのでＡｇが０．１％以上含まれるこ
とで 放電が安定化することになる。請求項３，４記載
のスパッタターゲット製造方法では、Ａｇを単体でター
ゲット中に分散させることができる。このため、得られ
たターゲットの直流の間欠放電が安定に行なえる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。 （実施例１）ターゲット組成が、Ａｇ５，Ｉｎ４，Ｓｂ
６０，Ｔｅ３１原子％となるように、原料のＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅをあらかじめ秤量した。次に、これらの
原料のうち、Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの３元素をカーボンるつ
ぼに入れ、Ａｒガス雰囲気の抵抗加熱炉を用いて６００
℃まで加熱して溶融させた。このるつぼに、平均粒径１
００μｍのＡｇ粉体を投入した。Ａｇの融点は９６０℃
であるから、ＩｎＳｂＴｅの溶湯には溶けなかった。溶
湯を攪拌後、鋳型に鋳込み、その後出来上がったインゴ
ットを加工して、直径２００ｍｍ、厚さ５ｍｍのスパッ
タターゲットとした。このターゲットをモリブデンのバ
ッキングプレートにＩｎでボンディングした。このター
ゲットをバルザース社 ビッグスプリンター スパッタ
装置の直流カソードに取り付けた。Ａｒガス流量１５ｓ
ｃｃｍ、直流電力０．３ｋＷで放電させた。０．５ｋＷ
ｈ連続放電させた後、３秒放電、８秒休止のサイクルを
１０００回繰り返した。３秒の放電時間のうち、プラズ
マの発生時間が２．５秒未満であった放電回数をカウン
トした。この結果を表１に示す。放電異常は５％以下で
ある。
６０，Ｔｅ３１原子％となるように、原料のＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅをあらかじめ秤量した。次に、これらの
原料のうち、Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの３元素をカーボンるつ
ぼに入れ、Ａｒガス雰囲気の抵抗加熱炉を用いて６００
℃まで加熱して溶融させた。このるつぼに、平均粒径１
００μｍのＡｇ粉体を投入した。Ａｇの融点は９６０℃
であるから、ＩｎＳｂＴｅの溶湯には溶けなかった。溶
湯を攪拌後、鋳型に鋳込み、その後出来上がったインゴ
ットを加工して、直径２００ｍｍ、厚さ５ｍｍのスパッ
タターゲットとした。このターゲットをモリブデンのバ
ッキングプレートにＩｎでボンディングした。このター
ゲットをバルザース社 ビッグスプリンター スパッタ
装置の直流カソードに取り付けた。Ａｒガス流量１５ｓ
ｃｃｍ、直流電力０．３ｋＷで放電させた。０．５ｋＷ
ｈ連続放電させた後、３秒放電、８秒休止のサイクルを
１０００回繰り返した。３秒の放電時間のうち、プラズ
マの発生時間が２．５秒未満であった放電回数をカウン
トした。この結果を表１に示す。放電異常は５％以下で
ある。
【００１３】（実施例２）ターゲット組成が、Ａｇ２，
Ｉｎ９，Ｓｂ６０，Ｔｅ２９原子％となるように原料の
Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅをあらかじめ秤量した。次に、
これらの原料のうち、Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの３元素をカー
ボンるつぼに入れ、Ａｒガス雰囲気の抵抗加熱炉を用い
て７００℃まで加熱して溶融させた。これを室温まで冷
却してるつぼから出した。このインゴットと所定量の原
料のＡｇを一緒にＡｒ雰囲気のハンマーミルに入れ、微
粉砕して粉体とした。この粉体を金型に充填し、３００
℃のＡｒ雰囲気で１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力を加えて直径
２００ｍｍ、厚さ５ｍｍのスパッタターゲットとした。
このターゲットをモリブデンのバッキングプレートにＩ
ｎでボンディングした。このターゲットをバルザース社
ビッグスプリンター スパッタ装置の直流カソードに
取り付けた。Ａｒガス流量１５ｓｃｃｍ、直流電力０．
３ｋＷで放電させた。１．５ｋＷｈ連続放電させた後、
３秒放電、８秒休止のサイクルを１０００回繰り返し
た。３秒の放電時間のうち、プラズマの発生時間が２．
５秒未満であった放電回数をカウントした。この結果を
表１に示す。放電異常は５％以下である。
Ｉｎ９，Ｓｂ６０，Ｔｅ２９原子％となるように原料の
Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅをあらかじめ秤量した。次に、
これらの原料のうち、Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの３元素をカー
ボンるつぼに入れ、Ａｒガス雰囲気の抵抗加熱炉を用い
て７００℃まで加熱して溶融させた。これを室温まで冷
却してるつぼから出した。このインゴットと所定量の原
料のＡｇを一緒にＡｒ雰囲気のハンマーミルに入れ、微
粉砕して粉体とした。この粉体を金型に充填し、３００
℃のＡｒ雰囲気で１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力を加えて直径
２００ｍｍ、厚さ５ｍｍのスパッタターゲットとした。
このターゲットをモリブデンのバッキングプレートにＩ
ｎでボンディングした。このターゲットをバルザース社
ビッグスプリンター スパッタ装置の直流カソードに
取り付けた。Ａｒガス流量１５ｓｃｃｍ、直流電力０．
３ｋＷで放電させた。１．５ｋＷｈ連続放電させた後、
３秒放電、８秒休止のサイクルを１０００回繰り返し
た。３秒の放電時間のうち、プラズマの発生時間が２．
５秒未満であった放電回数をカウントした。この結果を
表１に示す。放電異常は５％以下である。
【００１４】（実施例３）ターゲット組成が、Ａｇ２，
Ｉｎ５，Ｓｂ７０，Ｔｅ２３原子％となるように原料の
Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅをあらかじめ秤量した。次に、
これらの原料のうち、Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの３元素と所定
量の半分のＡｇをカーボンるつぼに入れ、Ａｒガス雰囲
気の抵抗加熱炉を用いて１０００℃まで加熱して溶融さ
せた。これを室温まで冷却してるつぼから出した。この
インゴットと残りの原料のＡｇを一緒にＡｒ雰囲気のハ
ンマーミルに入れ、微粉砕して粉体とした。この粉体を
金型に充填し、３００℃のＡｒ雰囲気で１ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力を加えて直径２００ｍｍ、厚さ５ｍｍのスパッ
タターゲットとした。このターゲットをモリブデンのバ
ッキングプレートにＩｎでボンディングした。このター
ゲットをバルザース社 ビッグスプリンター スパッタ
装置の直流カソードに取り付けた。Ａｒガス流量１５ｓ
ｃｃｍ、直流電力０．３ｋＷで放電させた。２．５ｋＷ
ｈ連続放電させた後、３秒放電、８秒休止のサイクルを
１０００回繰り返した。３秒の放電時間のうち、プラズ
マの発生時間が２．５秒未満であった放電回数をカウン
トした。この結果を表１に示す。放電異常は５％以下で
ある。
Ｉｎ５，Ｓｂ７０，Ｔｅ２３原子％となるように原料の
Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅをあらかじめ秤量した。次に、
これらの原料のうち、Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの３元素と所定
量の半分のＡｇをカーボンるつぼに入れ、Ａｒガス雰囲
気の抵抗加熱炉を用いて１０００℃まで加熱して溶融さ
せた。これを室温まで冷却してるつぼから出した。この
インゴットと残りの原料のＡｇを一緒にＡｒ雰囲気のハ
ンマーミルに入れ、微粉砕して粉体とした。この粉体を
金型に充填し、３００℃のＡｒ雰囲気で１ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力を加えて直径２００ｍｍ、厚さ５ｍｍのスパッ
タターゲットとした。このターゲットをモリブデンのバ
ッキングプレートにＩｎでボンディングした。このター
ゲットをバルザース社 ビッグスプリンター スパッタ
装置の直流カソードに取り付けた。Ａｒガス流量１５ｓ
ｃｃｍ、直流電力０．３ｋＷで放電させた。２．５ｋＷ
ｈ連続放電させた後、３秒放電、８秒休止のサイクルを
１０００回繰り返した。３秒の放電時間のうち、プラズ
マの発生時間が２．５秒未満であった放電回数をカウン
トした。この結果を表１に示す。放電異常は５％以下で
ある。
【００１５】（比較例）ターゲット組成が、Ａｇ２，Ｉ
ｎ５，Ｓｂ７０，Ｔｅ２３原子％となるように原料のＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅをあらかじめ秤量した。次に、こ
れらの原料の所定量すべてをカーボンるつぼに入れ、Ａ
ｒガス雰囲気の抵抗加熱炉を用いて１０００℃まで加熱
して溶融させた。これを室温まで冷却してるつぼから出
した。このインゴットをＡｒ雰囲気のハンマーミルに入
れ、微粉砕して粉体とした。この粉体を金型に充填し、
３００℃のＡｒ雰囲気で１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力を加え
て直径２００ｍｍ、厚さ５ｍｍのスパッタターゲットと
した。このターゲットをモリブデンのバッキングプレー
トにＩｎでボンディングした。このターゲットをバルザ
ース社 ビッグスプリンター スパッタ装置の直流カソ
ードに取り付けた。Ａｒガス流量１５ｓｃｃｍ、直流電
力０．３ｋＷで放電させた。３．５ｋＷｈ連続放電させ
た後、３秒放電、８秒休止のサイクルを１０００回繰り
返した。３秒の放電時間のうち、プラズマの発生時間が
２．５秒未満であった放電回数をカウントした。この結
果を表１に示す。放電異常は１０％程度である。放電異
常が増えている。
ｎ５，Ｓｂ７０，Ｔｅ２３原子％となるように原料のＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅをあらかじめ秤量した。次に、こ
れらの原料の所定量すべてをカーボンるつぼに入れ、Ａ
ｒガス雰囲気の抵抗加熱炉を用いて１０００℃まで加熱
して溶融させた。これを室温まで冷却してるつぼから出
した。このインゴットをＡｒ雰囲気のハンマーミルに入
れ、微粉砕して粉体とした。この粉体を金型に充填し、
３００℃のＡｒ雰囲気で１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力を加え
て直径２００ｍｍ、厚さ５ｍｍのスパッタターゲットと
した。このターゲットをモリブデンのバッキングプレー
トにＩｎでボンディングした。このターゲットをバルザ
ース社 ビッグスプリンター スパッタ装置の直流カソ
ードに取り付けた。Ａｒガス流量１５ｓｃｃｍ、直流電
力０．３ｋＷで放電させた。３．５ｋＷｈ連続放電させ
た後、３秒放電、８秒休止のサイクルを１０００回繰り
返した。３秒の放電時間のうち、プラズマの発生時間が
２．５秒未満であった放電回数をカウントした。この結
果を表１に示す。放電異常は１０％程度である。放電異
常が増えている。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明の請求項１のスパッタリングターゲッ
トによれば、Ａｇが一部またはすべて化合しない状態で
存在しているために、直流で安定して間欠的に放電させ
ることができる。請求項２のスパッタリングターゲット
によれば、主要成分がＳｂおよびＴｅなので、これらが
化合して安定した均一な組織のターゲットができる。こ
のために、ターゲット面内および深さ方向での組成分布
を小さくでき、スパッタ後の膜質が安定する。請求項
３、４のスパッタリングターゲットの製造方法によれ
ば、Ａｇの一部または全部をターゲット中に均一に分散
させることができる。
なように、本発明の請求項１のスパッタリングターゲッ
トによれば、Ａｇが一部またはすべて化合しない状態で
存在しているために、直流で安定して間欠的に放電させ
ることができる。請求項２のスパッタリングターゲット
によれば、主要成分がＳｂおよびＴｅなので、これらが
化合して安定した均一な組織のターゲットができる。こ
のために、ターゲット面内および深さ方向での組成分布
を小さくでき、スパッタ後の膜質が安定する。請求項
３、４のスパッタリングターゲットの製造方法によれ
ば、Ａｇの一部または全部をターゲット中に均一に分散
させることができる。
【図１】従来の光ディスク用スパッタリングターゲット
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ ５Ｄ１２１ 7/26 ５３１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 真貝 勝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 伊藤 和典 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 FB05 FB09 FB12 FB18 FB21 FB30 GA03 4K017 AA04 BA10 BB02 BB03 BB18 EA05 4K018 AA40 BA20 BD02 CA11 KA42 4K029 BA21 BD12 CA05 DC04 DC08 5D029 JA01 5D121 AA01 EE03 EE09 EE11 EE14
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｂ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素と
Ａｇを必須として含み、Ａｇの一部またはすべてが他の
元素と化合せずにターゲット中に分散されて存在するこ
とを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 ターゲットの組成が下記式（化１）であ
ることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングタ
ーゲット。 【化１】ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＧｅε α、β、γ、δ、εは原子％を表わし、以下の範囲にあ
る。 ０．１≦α≦１０ １≦β≦２０ ５５≦γ≦８０ ０．１≦ε≦５ δ＝１００−α−β−γ−ε - 【請求項３】 カルコゲン元素は溶解するが、Ａｇは溶
融しない温度において、Ｓｂ，Ｔｅの２種類のカルコゲ
ン元素とＡｇ以外の構成元素を含む混合物を溶融し、こ
の溶湯のるつぼに平均粒径４０μｍ〜２００μｍ程度の
Ａｇ単体を一緒に投入後冷却し、切断成形することを特
徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項４】 Ｓｂ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素と
Ａｇ以外の構成元素を含む混合物を溶融して鋳造し、得
られたインゴットを室温まで冷却後に所定量のＡｇを加
えて不活性ガス中で粉砕した後、加圧して成形すること
を特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019313A JP2002220658A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 光ディスク用スパッタリングターゲットとその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019313A JP2002220658A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 光ディスク用スパッタリングターゲットとその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002220658A true JP2002220658A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18885209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001019313A Pending JP2002220658A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 光ディスク用スパッタリングターゲットとその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002220658A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011146913A2 (en) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US8268665B2 (en) | 2006-11-02 | 2012-09-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antimony and germanium complexes useful for CVD/ALD of metal thin films |
| US8288198B2 (en) | 2006-05-12 | 2012-10-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature deposition of phase change memory materials |
| US8330136B2 (en) | 2008-12-05 | 2012-12-11 | Advanced Technology Materials, Inc. | High concentration nitrogen-containing germanium telluride based memory devices and processes of making |
| US8410468B2 (en) | 2009-07-02 | 2013-04-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Hollow GST structure with dielectric fill |
| US8617972B2 (en) | 2009-05-22 | 2013-12-31 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature GST process |
| US8674127B2 (en) | 2008-05-02 | 2014-03-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antimony compounds useful for deposition of antimony-containing materials |
| US8796068B2 (en) | 2008-02-24 | 2014-08-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials |
| US9012876B2 (en) | 2010-03-26 | 2015-04-21 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9640757B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-05-02 | Entegris, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
-
2001
- 2001-01-26 JP JP2001019313A patent/JP2002220658A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8679894B2 (en) | 2006-05-12 | 2014-03-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature deposition of phase change memory materials |
| US8288198B2 (en) | 2006-05-12 | 2012-10-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature deposition of phase change memory materials |
| US8268665B2 (en) | 2006-11-02 | 2012-09-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antimony and germanium complexes useful for CVD/ALD of metal thin films |
| US9219232B2 (en) | 2006-11-02 | 2015-12-22 | Entegris, Inc. | Antimony and germanium complexes useful for CVD/ALD of metal thin films |
| US8709863B2 (en) | 2006-11-02 | 2014-04-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antimony and germanium complexes useful for CVD/ALD of metal thin films |
| US9537095B2 (en) | 2008-02-24 | 2017-01-03 | Entegris, Inc. | Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials |
| US8796068B2 (en) | 2008-02-24 | 2014-08-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials |
| US9034688B2 (en) | 2008-05-02 | 2015-05-19 | Entegris, Inc. | Antimony compounds useful for deposition of antimony-containing materials |
| US8674127B2 (en) | 2008-05-02 | 2014-03-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antimony compounds useful for deposition of antimony-containing materials |
| US8330136B2 (en) | 2008-12-05 | 2012-12-11 | Advanced Technology Materials, Inc. | High concentration nitrogen-containing germanium telluride based memory devices and processes of making |
| US8617972B2 (en) | 2009-05-22 | 2013-12-31 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature GST process |
| US9070875B2 (en) | 2009-05-22 | 2015-06-30 | Entegris, Inc. | Low temperature GST process |
| US8410468B2 (en) | 2009-07-02 | 2013-04-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Hollow GST structure with dielectric fill |
| US9012876B2 (en) | 2010-03-26 | 2015-04-21 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| WO2011146913A2 (en) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9190609B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-11-17 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| WO2011146913A3 (en) * | 2010-05-21 | 2012-04-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9640757B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-05-02 | Entegris, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002220658A (ja) | 光ディスク用スパッタリングターゲットとその製造法 | |
| JP2970813B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法，およびそのターゲットを用いて形成された記録薄膜，光ディスク | |
| JPS61139637A (ja) | スパツタ用タ−ゲツトとその製造方法 | |
| JP2003160826A (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
| JP2004520481A (ja) | 物理蒸着用ターゲット及び形成法 | |
| JP4427831B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH1081962A (ja) | Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 | |
| JP4047552B2 (ja) | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット | |
| JP2003277923A (ja) | スパッタリング用Ｇｅ−Ｂｉ合金ターゲット及びその製造方法 | |
| JP6027699B1 (ja) | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP4606721B2 (ja) | 電気抵抗が高い相変化記録膜 | |
| JP4953168B2 (ja) | パーティクル発生の少ない光記録媒体膜形成用Ｔｅ系スパッタリングターゲット | |
| JP3916125B2 (ja) | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用してＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 | |
| JP3772971B2 (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
| JP4579224B2 (ja) | 相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP3882186B2 (ja) | 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2002358699A (ja) | 相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 | |
| JP4023136B2 (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
| TW474999B (en) | Sputtering target for forming reflective film for optical disk | |
| JP4172015B2 (ja) | 耐スパッタ割れ性に優れた相変化型メモリー膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP3803864B2 (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
| WO2004102553A1 (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
| JP4023135B2 (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
| JPH0425615B2 (ja) | ||
| JP2004327954A (ja) | 電気抵抗が高い相変化記録膜およびこの相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット |