JP2002217090A - 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
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- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の偏向器の間に生成される電界を遮蔽す
ることにより、複数の電子ビームを精度よくウェハに照
射することができる電子ビーム露光装置及び電子ビーム
偏向装置を提供する。 【解決手段】 複数の電子ビームにより、ウェハにパタ
ーンを露光する電子ビーム露光装置であって、複数の電
子ビームを発生する電子ビーム発生部と、複数の電子ビ
ームをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する偏向部
と、複数の偏向器の間に、電子ビームの照射方向に沿っ
て、偏向器の一端より電子ビーム発生部に近い位置か
ら、偏向器の一端よりウェハに近い位置まで設けられた
第１遮蔽電極を有する遮蔽部とを備える。
ることにより、複数の電子ビームを精度よくウェハに照
射することができる電子ビーム露光装置及び電子ビーム
偏向装置を提供する。 【解決手段】 複数の電子ビームにより、ウェハにパタ
ーンを露光する電子ビーム露光装置であって、複数の電
子ビームを発生する電子ビーム発生部と、複数の電子ビ
ームをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する偏向部
と、複数の偏向器の間に、電子ビームの照射方向に沿っ
て、偏向器の一端より電子ビーム発生部に近い位置か
ら、偏向器の一端よりウェハに近い位置まで設けられた
第１遮蔽電極を有する遮蔽部とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光装
置及び電子ビーム偏向装置に関する。特に本発明は、複
数の電子ビームをそれぞれ偏向する複数の偏向器が間に
生成される電界を遮蔽する遮蔽部を備える電子ビーム露
光装置及び電子ビーム偏向装置に関する。
置及び電子ビーム偏向装置に関する。特に本発明は、複
数の電子ビームをそれぞれ偏向する複数の偏向器が間に
生成される電界を遮蔽する遮蔽部を備える電子ビーム露
光装置及び電子ビーム偏向装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来の電子ビーム露光装置にお
ける電子ビーム偏向装置４００の構成を示す。電子ビー
ム偏向装置４００は、基板５００と、基板５００に設け
られた開口部６００、６１０、及び６２０と、開口部の
それぞれに設けられた偏向器５１０、５２０、及び５３
０とを備える。電子ビーム偏向装置４００において、偏
向器５１０、５２０、及び５３０が有する偏向電極に電
圧を印加するすることにより、開口部６００、６１０、
及び６２０を通過する電子ビームを独立に偏向する。
ける電子ビーム偏向装置４００の構成を示す。電子ビー
ム偏向装置４００は、基板５００と、基板５００に設け
られた開口部６００、６１０、及び６２０と、開口部の
それぞれに設けられた偏向器５１０、５２０、及び５３
０とを備える。電子ビーム偏向装置４００において、偏
向器５１０、５２０、及び５３０が有する偏向電極に電
圧を印加するすることにより、開口部６００、６１０、
及び６２０を通過する電子ビームを独立に偏向する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
偏向器５１０、５２０、及び５３０を備える電子ビーム
偏向装置４００において、所定の偏向器によって生成さ
れた電界が、当該所定の偏向器を通過する電子ビーム以
外の電子ビームに影響を及ぼしてしまうという問題があ
る。具体的には、開口部６００を通過する電子ビームを
偏向すべく偏向器５１０が有する偏向電極に負の電圧を
印加し、開口部６２０を通過する電子ビームを偏向すべ
く偏向器５３０が有する偏向電極に正の電圧を印加す
る。また、開口部６１０を通過する電子ビームを直進さ
せるべく、偏向器５２０が有する偏向電極には電圧を印
加しない。しかし、図１に示すように、偏向器５１０と
偏向器５３０との電位差により、偏向器５２０を通過す
る電子ビームの軌道上に電界が生成され、偏向器５２０
を通過する電子ビームは、正の電位が印加された偏向器
５３０の方向に偏向されてしまう。
偏向器５１０、５２０、及び５３０を備える電子ビーム
偏向装置４００において、所定の偏向器によって生成さ
れた電界が、当該所定の偏向器を通過する電子ビーム以
外の電子ビームに影響を及ぼしてしまうという問題があ
る。具体的には、開口部６００を通過する電子ビームを
偏向すべく偏向器５１０が有する偏向電極に負の電圧を
印加し、開口部６２０を通過する電子ビームを偏向すべ
く偏向器５３０が有する偏向電極に正の電圧を印加す
る。また、開口部６１０を通過する電子ビームを直進さ
せるべく、偏向器５２０が有する偏向電極には電圧を印
加しない。しかし、図１に示すように、偏向器５１０と
偏向器５３０との電位差により、偏向器５２０を通過す
る電子ビームの軌道上に電界が生成され、偏向器５２０
を通過する電子ビームは、正の電位が印加された偏向器
５３０の方向に偏向されてしまう。
【０００４】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置
を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範
囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成
される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規
定する。
とのできる電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置
を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範
囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成
される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規
定する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第１の形
態によると、複数の電子ビームにより、ウェハにパター
ンを露光する電子ビーム露光装置であって、複数の電子
ビームを発生する電子ビーム発生部と、複数の電子ビー
ムをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する偏向部と、
複数の偏向器の間に、電子ビームの照射方向に沿って、
偏向器の一端より電子ビーム発生部に近い位置から、偏
向器の一端よりウェハに近い位置まで設けられた第１遮
蔽電極を有する遮蔽部とを備える。
態によると、複数の電子ビームにより、ウェハにパター
ンを露光する電子ビーム露光装置であって、複数の電子
ビームを発生する電子ビーム発生部と、複数の電子ビー
ムをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する偏向部と、
複数の偏向器の間に、電子ビームの照射方向に沿って、
偏向器の一端より電子ビーム発生部に近い位置から、偏
向器の一端よりウェハに近い位置まで設けられた第１遮
蔽電極を有する遮蔽部とを備える。
【０００６】第１遮蔽電極は、複数の偏向器のそれぞれ
の間に格子状に設けられてもよい。第１遮蔽電極は、複
数の偏向器のそれぞれの周囲に設けられてもよい。
の間に格子状に設けられてもよい。第１遮蔽電極は、複
数の偏向器のそれぞれの周囲に設けられてもよい。
【０００７】偏向部は、電子ビームの照射方向と略垂直
に設けられ、複数の偏向器が設けられた偏向器基板をさ
らに有し、第１遮蔽電極は、偏向器基板に保持されても
よい。
に設けられ、複数の偏向器が設けられた偏向器基板をさ
らに有し、第１遮蔽電極は、偏向器基板に保持されても
よい。
【０００８】第１遮蔽電極は、偏向器より電子ビーム発
生部に近い位置から、偏向器よりウェハに近い位置まで
設けられてもよい。
生部に近い位置から、偏向器よりウェハに近い位置まで
設けられてもよい。
【０００９】偏向部は、電子ビームの照射方向と略垂直
に設けられ、複数の偏向器が設けられた偏向器基板をさ
らに有し、遮蔽部は、偏向器基板と略平行に設けられ、
第１遮蔽電極を保持する第１遮蔽基板をさらに有しても
よい。
に設けられ、複数の偏向器が設けられた偏向器基板をさ
らに有し、遮蔽部は、偏向器基板と略平行に設けられ、
第１遮蔽電極を保持する第１遮蔽基板をさらに有しても
よい。
【００１０】遮蔽部は、偏向器基板を挟んで第１遮蔽電
極と対向する位置に、電子ビームの照射方向に沿って設
けられた第２遮蔽電極と、偏向器基板を挟んで第１遮蔽
基板と対向する位置に、偏向器基板と略平行に設けら
れ、第２遮蔽電極を保持する第２遮蔽基板とをさらに備
えてもよい。
極と対向する位置に、電子ビームの照射方向に沿って設
けられた第２遮蔽電極と、偏向器基板を挟んで第１遮蔽
基板と対向する位置に、偏向器基板と略平行に設けら
れ、第２遮蔽電極を保持する第２遮蔽基板とをさらに備
えてもよい。
【００１１】第１遮蔽電極は、電子ビームの照射方向と
略垂直な方向に複数の開口部を有してもよい。第１遮蔽
電極は、網目状であってもよい。
略垂直な方向に複数の開口部を有してもよい。第１遮蔽
電極は、網目状であってもよい。
【００１２】複数の電子ビームが通過する複数の第１開
口部を含む第１磁性導体部と、第１磁性導体部と略平行
に設けられ、第１開口部のそれぞれを通過した複数の電
子ビームがそれぞれ通過する複数の第２開口部を含む第
２磁性導体部とを有し、複数の電子ビームを独立に集束
する電子レンズ部をさらに備え、偏向器は、第１開口部
の内側に設けられており、第１遮蔽電極は、第１磁性導
体部と第２磁性導体部との間に設けられてもよい。
口部を含む第１磁性導体部と、第１磁性導体部と略平行
に設けられ、第１開口部のそれぞれを通過した複数の電
子ビームがそれぞれ通過する複数の第２開口部を含む第
２磁性導体部とを有し、複数の電子ビームを独立に集束
する電子レンズ部をさらに備え、偏向器は、第１開口部
の内側に設けられており、第１遮蔽電極は、第１磁性導
体部と第２磁性導体部との間に設けられてもよい。
【００１３】複数の電子ビームが通過する複数の第１開
口部を含む第１磁性導体部と、第１磁性導体部と略平行
に設けられ、第１開口部のそれぞれを通過した複数の電
子ビームがそれぞれ通過する複数の第２開口部を含む第
２磁性導体部とを有し、複数の電子ビームを独立に集束
する電子レンズ部をさらに備え、偏向器は、第１開口部
の内側に設けられており、第１遮蔽電極は、第２磁性導
体部において複数の第２開口部の間に、第２磁性導体部
からウェハの方向に設けられており、遮蔽部は、第１磁
性導体部において複数の第１開口部の間に、第１磁性導
体部から電子ビーム発生部の方向に設けられた第２遮蔽
電極と、複数の第１開口部の間に、且つ第１磁性導体部
と第２磁性導体部との間に電子ビームの照射方向に沿っ
て設けられた第３遮蔽電極とをさらに有してもよい。
口部を含む第１磁性導体部と、第１磁性導体部と略平行
に設けられ、第１開口部のそれぞれを通過した複数の電
子ビームがそれぞれ通過する複数の第２開口部を含む第
２磁性導体部とを有し、複数の電子ビームを独立に集束
する電子レンズ部をさらに備え、偏向器は、第１開口部
の内側に設けられており、第１遮蔽電極は、第２磁性導
体部において複数の第２開口部の間に、第２磁性導体部
からウェハの方向に設けられており、遮蔽部は、第１磁
性導体部において複数の第１開口部の間に、第１磁性導
体部から電子ビーム発生部の方向に設けられた第２遮蔽
電極と、複数の第１開口部の間に、且つ第１磁性導体部
と第２磁性導体部との間に電子ビームの照射方向に沿っ
て設けられた第３遮蔽電極とをさらに有してもよい。
【００１４】遮蔽部は、第２磁性導体部と略平行に設け
られ、第１遮蔽電極を保持する第１遮蔽基板と、第１磁
性導体部と略平行に設けられ、第２遮蔽電極を保持する
第２遮蔽基板とをさらに有してもよい。
られ、第１遮蔽電極を保持する第１遮蔽基板と、第１磁
性導体部と略平行に設けられ、第２遮蔽電極を保持する
第２遮蔽基板とをさらに有してもよい。
【００１５】本発明の第２の形態によると、複数の電子
ビームを独立に偏向する電子ビーム偏向装置であって、
基板と、基板に設けられた複数の開口部と、基板におい
て、複数の開口部のそれぞれに設けられた複数の偏向器
と、基板において、複数の開口部の間に設けられた第１
遮蔽電極とを備える。
ビームを独立に偏向する電子ビーム偏向装置であって、
基板と、基板に設けられた複数の開口部と、基板におい
て、複数の開口部のそれぞれに設けられた複数の偏向器
と、基板において、複数の開口部の間に設けられた第１
遮蔽電極とを備える。
【００１６】偏向器は、基板から、基板と略垂直な方向
である第１の方向に沿って設けられており、第１遮蔽電
極は、基板から、第１の方向に沿って偏向器より長く設
けられてもよい。
である第１の方向に沿って設けられており、第１遮蔽電
極は、基板から、第１の方向に沿って偏向器より長く設
けられてもよい。
【００１７】基板を挟んで第１遮蔽電極と対向する位置
に、第１の方向に沿って設けられた第２遮蔽電極をさら
に備えてもよい。
に、第１の方向に沿って設けられた第２遮蔽電極をさら
に備えてもよい。
【００１８】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図２は、本発明の一実施形
態に係る電子ビーム露光装置１００の構成を示す。電子
ビーム露光装置１００は、電子ビームによりウェハに所
定の露光処理を施す露光部１５０と、露光部１５０に含
まれる各構成の動作を制御する制御系１４０を備える。
施の形態について説明する。図２は、本発明の一実施形
態に係る電子ビーム露光装置１００の構成を示す。電子
ビーム露光装置１００は、電子ビームによりウェハに所
定の露光処理を施す露光部１５０と、露光部１５０に含
まれる各構成の動作を制御する制御系１４０を備える。
【００２０】露光部１５０は、筐体８内部において複数
の電子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に
成形する電子ビーム成形手段１１０と、複数の電子ビー
ムをウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビ
ームに対して独立に切替える照射切替手段１１２と、ウ
ェハ４４に転写されるパターンの像の向き及びサイズを
調整するウェハ用投影系１１４を含む電子光学系を備え
る。また、露光部１５０は、パターンを露光すべきウェ
ハ４４を載置するウェハステージ４６と、ウェハステー
ジ４６を駆動するウェハステージ駆動部４８とを含むス
テージ系を備える。さらに、露光部１５０は、ウェハ４
４又はウェハステージ４６に設けられるマーク部５０に
照射された電子ビームにより、マーク部から放射された
２次電子や反射電子等を検出する電子検出部４０を備え
る。電子検出部４０は、マーク部５０から放射された電
子を検出して、検出した電子量に対応した検出信号を反
射電子処理部９４に出力する。
の電子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に
成形する電子ビーム成形手段１１０と、複数の電子ビー
ムをウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビ
ームに対して独立に切替える照射切替手段１１２と、ウ
ェハ４４に転写されるパターンの像の向き及びサイズを
調整するウェハ用投影系１１４を含む電子光学系を備え
る。また、露光部１５０は、パターンを露光すべきウェ
ハ４４を載置するウェハステージ４６と、ウェハステー
ジ４６を駆動するウェハステージ駆動部４８とを含むス
テージ系を備える。さらに、露光部１５０は、ウェハ４
４又はウェハステージ４６に設けられるマーク部５０に
照射された電子ビームにより、マーク部から放射された
２次電子や反射電子等を検出する電子検出部４０を備え
る。電子検出部４０は、マーク部５０から放射された電
子を検出して、検出した電子量に対応した検出信号を反
射電子処理部９４に出力する。
【００２１】電子ビーム成形手段１１０は、複数の電子
ビームを発生させる電子ビーム発生部１０と、電子ビー
ムを通過させることにより、照射された電子ビームの断
面形状を成形する複数の開口部を有する第１成形部材１
４及び第２成形部材２２と、複数の電子ビームをそれぞ
れ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第
１多軸電子レンズ１６と、第１成形部材１４を通過した
複数の電子ビームを独立に偏向する第１成形偏向部１８
及び第２成形偏向部２０と、第１成形偏向部１８及び第
２成形偏向部２０が有する複数の偏向器の間に設けられ
た遮蔽部３００とを有する。
ビームを発生させる電子ビーム発生部１０と、電子ビー
ムを通過させることにより、照射された電子ビームの断
面形状を成形する複数の開口部を有する第１成形部材１
４及び第２成形部材２２と、複数の電子ビームをそれぞ
れ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第
１多軸電子レンズ１６と、第１成形部材１４を通過した
複数の電子ビームを独立に偏向する第１成形偏向部１８
及び第２成形偏向部２０と、第１成形偏向部１８及び第
２成形偏向部２０が有する複数の偏向器の間に設けられ
た遮蔽部３００とを有する。
【００２２】照射切替手段１１２は、複数の電子ビーム
を独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第
２多軸電子レンズ２４と、複数の電子ビームをそれぞれ
独立に偏向させることにより、それぞれの電子ビームを
ウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビーム
に対して独立に切替えるブランキング電極アレイ２６
と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、ブラ
ンキング電極アレイ２６で偏向された電子ビームを遮蔽
する電子ビーム遮蔽部材２８とを有する。他の例におい
てブランキング電極アレイ２６は、ブランキング・アパ
ーチャ・アレイ・デバイスであってもよい。
を独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第
２多軸電子レンズ２４と、複数の電子ビームをそれぞれ
独立に偏向させることにより、それぞれの電子ビームを
ウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビーム
に対して独立に切替えるブランキング電極アレイ２６
と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、ブラ
ンキング電極アレイ２６で偏向された電子ビームを遮蔽
する電子ビーム遮蔽部材２８とを有する。他の例におい
てブランキング電極アレイ２６は、ブランキング・アパ
ーチャ・アレイ・デバイスであってもよい。
【００２３】ウェハ用投影系１１４は、複数の電子ビー
ムをそれぞれ独立に集束し、電子ビームの照射径を縮小
する第３多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームをそ
れぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整す
る第４多軸電子レンズ３６と、複数の電子ビームをウェ
ハ４４の所望の位置に、それぞれの電子ビームに対して
独立に偏向する偏向部３８と、偏向部３８が含む複数の
偏向器と間に設けられた遮蔽部と、ウェハ４４に対する
対物レンズとして機能し、複数の電子ビームをそれぞれ
独立に集束する第５多軸電子レンズ５２とを有する。
ムをそれぞれ独立に集束し、電子ビームの照射径を縮小
する第３多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームをそ
れぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整す
る第４多軸電子レンズ３６と、複数の電子ビームをウェ
ハ４４の所望の位置に、それぞれの電子ビームに対して
独立に偏向する偏向部３８と、偏向部３８が含む複数の
偏向器と間に設けられた遮蔽部と、ウェハ４４に対する
対物レンズとして機能し、複数の電子ビームをそれぞれ
独立に集束する第５多軸電子レンズ５２とを有する。
【００２４】制御系１４０は、個別制御部１２０及び統
括制御部１３０を備える。個別制御部１２０は、電子ビ
ーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、成形
偏向制御部８４と、ブランキング電極アレイ制御部８６
と、偏向制御部９２と、反射電子処理部９４と、ウェハ
ステージ制御部９６とを有する。統括制御部１３０は、
例えばワークステーションであって、個別制御部１２０
に含まれる各制御部を統括制御する。
括制御部１３０を備える。個別制御部１２０は、電子ビ
ーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、成形
偏向制御部８４と、ブランキング電極アレイ制御部８６
と、偏向制御部９２と、反射電子処理部９４と、ウェハ
ステージ制御部９６とを有する。統括制御部１３０は、
例えばワークステーションであって、個別制御部１２０
に含まれる各制御部を統括制御する。
【００２５】電子ビーム制御部８０は、電子ビーム発生
部１０を制御する。多軸電子レンズ制御部８２は、第１
多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多
軸電子レンズ３４、第４多軸電子レンズ３６、及び第５
多軸電子レンズ５２に供給する電流を制御する。成形偏
向制御部８４は、第１成形偏向部１８及び第２成形偏向
部２０を制御する。ブランキング電極アレイ制御部８６
は、ブランキング電極アレイ２６に含まれる偏向電極に
印加する電圧を制御する。偏向制御部９２は、偏向部３
８に含まれる複数の偏向器が有する偏向電極に印加する
電圧を制御する。反射電子処理部９４は、電子検出部４
０の電子検出部から出力された検出信号を統括制御部１
３０に出力する。ウェハステージ制御部９６は、ウェハ
ステージ駆動部４８を制御し、ウェハステージ４６を所
定の位置に移動させる。また、電子ビーム露光装置１０
０は、筐体８に設けられた複数の排気口７００と、排気
口７００に接続され、筐体８内部を減圧する減圧手段を
さらに備える。当該減圧手段は、筐体８内部の圧力を大
気圧より低い圧力に保つ。
部１０を制御する。多軸電子レンズ制御部８２は、第１
多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多
軸電子レンズ３４、第４多軸電子レンズ３６、及び第５
多軸電子レンズ５２に供給する電流を制御する。成形偏
向制御部８４は、第１成形偏向部１８及び第２成形偏向
部２０を制御する。ブランキング電極アレイ制御部８６
は、ブランキング電極アレイ２６に含まれる偏向電極に
印加する電圧を制御する。偏向制御部９２は、偏向部３
８に含まれる複数の偏向器が有する偏向電極に印加する
電圧を制御する。反射電子処理部９４は、電子検出部４
０の電子検出部から出力された検出信号を統括制御部１
３０に出力する。ウェハステージ制御部９６は、ウェハ
ステージ駆動部４８を制御し、ウェハステージ４６を所
定の位置に移動させる。また、電子ビーム露光装置１０
０は、筐体８に設けられた複数の排気口７００と、排気
口７００に接続され、筐体８内部を減圧する減圧手段を
さらに備える。当該減圧手段は、筐体８内部の圧力を大
気圧より低い圧力に保つ。
【００２６】本実施形態に係る電子ビーム露光装置１０
０の動作について説明する。まず、電子ビーム発生部１
０は、複数の電子ビームを生成する。第１成形部材１４
は、電子ビーム発生部１０により発生され、第１成形部
材１４に照射された複数の電子ビームを、第１成形部材
１４に設けられた複数の開口部を通過させることにより
成形する。他の例においては、電子ビーム発生部１０に
おいて発生した電子ビームを複数の電子ビームに分割す
る手段を更に有することにより、複数の電子ビームを生
成してもよい。
０の動作について説明する。まず、電子ビーム発生部１
０は、複数の電子ビームを生成する。第１成形部材１４
は、電子ビーム発生部１０により発生され、第１成形部
材１４に照射された複数の電子ビームを、第１成形部材
１４に設けられた複数の開口部を通過させることにより
成形する。他の例においては、電子ビーム発生部１０に
おいて発生した電子ビームを複数の電子ビームに分割す
る手段を更に有することにより、複数の電子ビームを生
成してもよい。
【００２７】第１多軸電子レンズ１６は、矩形に成形さ
れた複数の電子ビームを独立に集束し、第２成形部材２
２に対する電子ビームの焦点を、電子ビーム毎に独立に
調整する。第１成形偏向部１８は、第１成形部材１４に
おいて矩形形状に成形された複数の電子ビームを、第２
成形部材における所望の位置に照射するように、それぞ
れ独立に偏向する。
れた複数の電子ビームを独立に集束し、第２成形部材２
２に対する電子ビームの焦点を、電子ビーム毎に独立に
調整する。第１成形偏向部１８は、第１成形部材１４に
おいて矩形形状に成形された複数の電子ビームを、第２
成形部材における所望の位置に照射するように、それぞ
れ独立に偏向する。
【００２８】第２成形偏向部２０は、第１成形偏向部１
８で偏向された複数の電子ビームを、第２成形部材２２
に対して略垂直な方向にそれぞれ偏向し、第２成形部材
２２に照射する。そして矩形形状を有する複数の開口部
を含む第２成形部材２２は、第２成形部材２２に照射さ
れた矩形の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェ
ハ４４に照射すべき所望の断面形状を有する電子ビーム
にさらに成形する。
８で偏向された複数の電子ビームを、第２成形部材２２
に対して略垂直な方向にそれぞれ偏向し、第２成形部材
２２に照射する。そして矩形形状を有する複数の開口部
を含む第２成形部材２２は、第２成形部材２２に照射さ
れた矩形の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェ
ハ４４に照射すべき所望の断面形状を有する電子ビーム
にさらに成形する。
【００２９】第２多軸電子レンズ２４は、複数の電子ビ
ームを独立に集束して、ブランキング電極アレイ２６に
対する電子ビームの焦点を、それぞれ独立に調整する。
そして、第２多軸電子レンズ２４により焦点がそれぞれ
調整された複数の電子ビームは、ブランキング電極アレ
イ２６に含まれる複数のアパーチャを通過する。
ームを独立に集束して、ブランキング電極アレイ２６に
対する電子ビームの焦点を、それぞれ独立に調整する。
そして、第２多軸電子レンズ２４により焦点がそれぞれ
調整された複数の電子ビームは、ブランキング電極アレ
イ２６に含まれる複数のアパーチャを通過する。
【００３０】ブランキング電極アレイ制御部８６は、ブ
ランキング電極アレイ２６における各アパーチャの近傍
に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを制御す
る。ブランキング電極アレイ２６は、偏向電極に印加さ
れる電圧に基づいて、電子ビームをウェハ４４に照射さ
せるか否かを切替える。
ランキング電極アレイ２６における各アパーチャの近傍
に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを制御す
る。ブランキング電極アレイ２６は、偏向電極に印加さ
れる電圧に基づいて、電子ビームをウェハ４４に照射さ
せるか否かを切替える。
【００３１】ブランキング電極アレイに２６により偏向
されない電子ビームは、第３多軸電子レンズ３４を通過
する。そして第３多軸電子レンズ３４は、第３多軸電子
レンズ３４を通過する電子ビームの電子ビーム径を縮小
する。縮小された電子ビームは、電子ビーム遮蔽部材２
８に含まれる開口部を通過する。また、電子ビーム遮蔽
部材２８は、ブランキング電極アレイ２６により偏向さ
れた電子ビームを遮蔽する。電子ビーム遮蔽部材２８を
通過した電子ビームは、第４多軸電子レンズ３６に入射
される。そして第４多軸電子レンズ３６は、入射された
電子ビームをそれぞれ独立に集束し、偏向部３８に対す
る電子ビームの焦点をそれぞれ調整する。第４多軸電子
レンズ３６により焦点が調整された電子ビームは、偏向
部３８に入射される。
されない電子ビームは、第３多軸電子レンズ３４を通過
する。そして第３多軸電子レンズ３４は、第３多軸電子
レンズ３４を通過する電子ビームの電子ビーム径を縮小
する。縮小された電子ビームは、電子ビーム遮蔽部材２
８に含まれる開口部を通過する。また、電子ビーム遮蔽
部材２８は、ブランキング電極アレイ２６により偏向さ
れた電子ビームを遮蔽する。電子ビーム遮蔽部材２８を
通過した電子ビームは、第４多軸電子レンズ３６に入射
される。そして第４多軸電子レンズ３６は、入射された
電子ビームをそれぞれ独立に集束し、偏向部３８に対す
る電子ビームの焦点をそれぞれ調整する。第４多軸電子
レンズ３６により焦点が調整された電子ビームは、偏向
部３８に入射される。
【００３２】偏向制御部９２は、偏向部３８に含まれる
複数の偏向器を制御し、偏向部３８に入射されたそれぞ
れの電子ビームを、ウェハ４４に対して照射すべき位置
にそれぞれ独立に偏向する。第５多軸電子レンズ５２
は、第５多軸電子レンズ５２を通過するそれぞれの電子
ビームのウェハ４４に対する焦点を調整する。そしてウ
ェハ４４に照射すべき断面形状を有するそれぞれの電子
ビームは、ウェハ４４に対して照射すべき所望の位置に
照射される。
複数の偏向器を制御し、偏向部３８に入射されたそれぞ
れの電子ビームを、ウェハ４４に対して照射すべき位置
にそれぞれ独立に偏向する。第５多軸電子レンズ５２
は、第５多軸電子レンズ５２を通過するそれぞれの電子
ビームのウェハ４４に対する焦点を調整する。そしてウ
ェハ４４に照射すべき断面形状を有するそれぞれの電子
ビームは、ウェハ４４に対して照射すべき所望の位置に
照射される。
【００３３】露光処理中、ウェハステージ駆動部４８
は、ウェハステージ制御部９６からの指示に基づき、一
定方向にウェハステージ４６を連続移動させるのが好ま
しい。そして、ウェハ４４の移動に合わせて、電子ビー
ムの断面形状をウェハ４４に照射すべき形状に成形し、
ウェハ４４に照射すべき電子ビームを通過させるアパー
チャを定め、さらに偏向部３８によりそれぞれの電子ビ
ームをウェハ４４に対して照射すべき位置に偏向させる
ことにより、ウェハ４４に所望の回路パターンを露光す
ることができる。
は、ウェハステージ制御部９６からの指示に基づき、一
定方向にウェハステージ４６を連続移動させるのが好ま
しい。そして、ウェハ４４の移動に合わせて、電子ビー
ムの断面形状をウェハ４４に照射すべき形状に成形し、
ウェハ４４に照射すべき電子ビームを通過させるアパー
チャを定め、さらに偏向部３８によりそれぞれの電子ビ
ームをウェハ４４に対して照射すべき位置に偏向させる
ことにより、ウェハ４４に所望の回路パターンを露光す
ることができる。
【００３４】図３は、第１成形偏向部１８及び遮蔽部３
００の構成を示す。図３（ａ）は、第１成形偏向部１８
及び遮蔽部３００の断面図である。図３（ｂ）は、第１
成形偏向部１８及び遮蔽部３００の上面図である。以
下、第１成形偏向部１８を用いて説明するが、第２成形
偏向部２０及びブランキング電極アレイ２６も、第１成
形偏向部１８と同様の構成を有することが好ましい。
００の構成を示す。図３（ａ）は、第１成形偏向部１８
及び遮蔽部３００の断面図である。図３（ｂ）は、第１
成形偏向部１８及び遮蔽部３００の上面図である。以
下、第１成形偏向部１８を用いて説明するが、第２成形
偏向部２０及びブランキング電極アレイ２６も、第１成
形偏向部１８と同様の構成を有することが好ましい。
【００３５】第１成形偏向部１８は、電子ビームの照射
方向に略垂直に設けられた偏向器基板２０２と、偏向器
基板２０２に設けられた開口部２０６と、開口部２０６
のそれぞれに電子ビームの照射方向に沿って設けられた
偏向器２０４とを有する。また、遮蔽部３００は、電子
ビームの照射方向に略垂直に設けられた第１遮蔽基板３
０２と、第１遮蔽基板３０２に電子ビームの照射方向に
沿って設けられた第１遮蔽電極３０４と、偏向器基板２
０２を挟んで第１遮蔽基板３０２と対向する位置に、電
子ビームの照射方向と略垂直に設けられた第２遮蔽基板
３０８と、第２遮蔽基板３０８に電子ビームの照射方向
に沿って設けられた第２遮蔽電極３１０とを有する。
方向に略垂直に設けられた偏向器基板２０２と、偏向器
基板２０２に設けられた開口部２０６と、開口部２０６
のそれぞれに電子ビームの照射方向に沿って設けられた
偏向器２０４とを有する。また、遮蔽部３００は、電子
ビームの照射方向に略垂直に設けられた第１遮蔽基板３
０２と、第１遮蔽基板３０２に電子ビームの照射方向に
沿って設けられた第１遮蔽電極３０４と、偏向器基板２
０２を挟んで第１遮蔽基板３０２と対向する位置に、電
子ビームの照射方向と略垂直に設けられた第２遮蔽基板
３０８と、第２遮蔽基板３０８に電子ビームの照射方向
に沿って設けられた第２遮蔽電極３１０とを有する。
【００３６】第１遮蔽電極３０４は、複数の偏向器２０
４の間に、電子ビームの照射方向に沿って、偏向器２０
４の一端より電子ビーム発生部１０（図２参照）に近い
位置から、偏向器２０４の一端よりウェハ４４（図２参
照）に近い位置まで設けられることが好ましい。また、
第１遮蔽電極３０４は、接地されることが好ましい。第
２遮蔽電極３１０は、偏向器基板２０２を挟んで第１遮
蔽電極と対向する位置に、電子ビームの照射方向に沿っ
て設けられることが好ましい。また、第２遮蔽電極３１
０は、接地されることが好ましい。また、図３（ｂ）に
示すように、第１遮蔽電極３０４及び第２遮蔽電極３１
０は、複数の偏向器２０４のそれぞれの間に格子状に設
けられることが好ましい。
４の間に、電子ビームの照射方向に沿って、偏向器２０
４の一端より電子ビーム発生部１０（図２参照）に近い
位置から、偏向器２０４の一端よりウェハ４４（図２参
照）に近い位置まで設けられることが好ましい。また、
第１遮蔽電極３０４は、接地されることが好ましい。第
２遮蔽電極３１０は、偏向器基板２０２を挟んで第１遮
蔽電極と対向する位置に、電子ビームの照射方向に沿っ
て設けられることが好ましい。また、第２遮蔽電極３１
０は、接地されることが好ましい。また、図３（ｂ）に
示すように、第１遮蔽電極３０４及び第２遮蔽電極３１
０は、複数の偏向器２０４のそれぞれの間に格子状に設
けられることが好ましい。
【００３７】図４は、第１遮蔽電極３０４及び第２遮蔽
電極３１０の構成を示す。第１遮蔽電極３０４及び第２
遮蔽電極３１０は、電子ビームの照射方向と略垂直な方
向に複数の開口部を有することが好ましい。また、図４
に示すように、第１遮蔽電極３０４及び第２遮蔽電極３
１０は、網目状であることがさらに好ましい。筐体８内
部に設けられた第１遮蔽電極３０４及び第２遮蔽電極３
１０に開口部を設けることにより、筐体８の真空排気の
コンダクタンスを下げることなく、複数の偏向器によっ
て生成される電界による電子ビームへの干渉を防ぎ、電
子ビームを精度よく照射させることができる。
電極３１０の構成を示す。第１遮蔽電極３０４及び第２
遮蔽電極３１０は、電子ビームの照射方向と略垂直な方
向に複数の開口部を有することが好ましい。また、図４
に示すように、第１遮蔽電極３０４及び第２遮蔽電極３
１０は、網目状であることがさらに好ましい。筐体８内
部に設けられた第１遮蔽電極３０４及び第２遮蔽電極３
１０に開口部を設けることにより、筐体８の真空排気の
コンダクタンスを下げることなく、複数の偏向器によっ
て生成される電界による電子ビームへの干渉を防ぎ、電
子ビームを精度よく照射させることができる。
【００３８】図５は、第１成形偏向部１８及び遮蔽部３
００の構成の他の例を示す。図５（ａ）及び（ｂ）に示
すように、第１遮蔽電極３０６は、複数の偏向器２０４
のそれぞれの周囲に円筒形状に設けられてもよい。ま
た、遮蔽電極は、所定の第１成形偏向部１８によって生
成された電界が、当該所定の第１成形偏向部１８の開口
部２０６を通過する電子ビーム以外の電子ビームに影響
を及ぼさないように、所定の第１成形偏向部１８と他の
第１成形偏向部１８とにより生成される電界を遮蔽する
形状であればよい。
００の構成の他の例を示す。図５（ａ）及び（ｂ）に示
すように、第１遮蔽電極３０６は、複数の偏向器２０４
のそれぞれの周囲に円筒形状に設けられてもよい。ま
た、遮蔽電極は、所定の第１成形偏向部１８によって生
成された電界が、当該所定の第１成形偏向部１８の開口
部２０６を通過する電子ビーム以外の電子ビームに影響
を及ぼさないように、所定の第１成形偏向部１８と他の
第１成形偏向部１８とにより生成される電界を遮蔽する
形状であればよい。
【００３９】図６は、第１成形偏向部１８の構成の他の
例を示す。図６（ａ）に示すように、本例による第１成
形偏向部１８は、電子ビームの照射方向に略垂直に設け
られた偏向器基板２０２、偏向器基板２０２に設けられ
た開口部２０６と、開口部２０６のそれぞれに電子ビー
ムの照射方向に沿って設けられた偏向器２０４と、複数
の開口部２０６のそれぞれの間に設けられた第１遮蔽電
極２０８と、偏向器基板２０２を挟んで第１遮蔽電極２
０８と対向する位置に、偏向器基板２０２と略垂直な方
向に沿って設けられた第２遮蔽電極２１０とを有する。
偏向器２０４は、偏向器基板２０２から、偏向器基板２
０２と略垂直な方向である第１の方向に沿って設けられ
ており、第１遮蔽電極２０８は、偏向器基板２０２か
ら、当該第１の方向に沿って偏向器２０４より長く設け
られることが好ましい。第１遮蔽電極２０８及び第２遮
蔽電極２１０は、複数の開口部２０６のそれぞれの間に
格子状に設けられてもよい。また、第１遮蔽電極２０８
及び第２遮蔽電極２１０は、複数の開口部２０６のそれ
ぞれの周囲に設けられてもよい。さらに、第１遮蔽電極
２０８及び第２遮蔽電極２１０は、偏向器基板２０２と
略垂直な方向に複数の開口部を有してもよい。また、第
１遮蔽電極２０８及び第２遮蔽電極２１０は、網目状で
あることがさらに好ましい。また、第１遮蔽電極２０８
及び第２遮蔽電極２１０は、偏向器基板２０２の上面及
び下面のそれぞれに、複数の開口部のそれぞれの間に設
けられていればよい。
例を示す。図６（ａ）に示すように、本例による第１成
形偏向部１８は、電子ビームの照射方向に略垂直に設け
られた偏向器基板２０２、偏向器基板２０２に設けられ
た開口部２０６と、開口部２０６のそれぞれに電子ビー
ムの照射方向に沿って設けられた偏向器２０４と、複数
の開口部２０６のそれぞれの間に設けられた第１遮蔽電
極２０８と、偏向器基板２０２を挟んで第１遮蔽電極２
０８と対向する位置に、偏向器基板２０２と略垂直な方
向に沿って設けられた第２遮蔽電極２１０とを有する。
偏向器２０４は、偏向器基板２０２から、偏向器基板２
０２と略垂直な方向である第１の方向に沿って設けられ
ており、第１遮蔽電極２０８は、偏向器基板２０２か
ら、当該第１の方向に沿って偏向器２０４より長く設け
られることが好ましい。第１遮蔽電極２０８及び第２遮
蔽電極２１０は、複数の開口部２０６のそれぞれの間に
格子状に設けられてもよい。また、第１遮蔽電極２０８
及び第２遮蔽電極２１０は、複数の開口部２０６のそれ
ぞれの周囲に設けられてもよい。さらに、第１遮蔽電極
２０８及び第２遮蔽電極２１０は、偏向器基板２０２と
略垂直な方向に複数の開口部を有してもよい。また、第
１遮蔽電極２０８及び第２遮蔽電極２１０は、網目状で
あることがさらに好ましい。また、第１遮蔽電極２０８
及び第２遮蔽電極２１０は、偏向器基板２０２の上面及
び下面のそれぞれに、複数の開口部のそれぞれの間に設
けられていればよい。
【００４０】図７は、偏向部３８、第５多軸電子レンズ
５２、及び遮蔽部８００の構成を示す。図７（ａ）に示
すように、偏向部３８は、偏向器基板３８０と、第５多
軸電子レンズ５２のレンズ開口部の内部に設けられた複
数の偏向器３８２とを有する。また、第５多軸電子レン
ズ５２は、複数の電子ビームが通過する複数の第１開口
部を含む第１磁性導体部５２０と、第１磁性導体部５２
０と略平行に設けられ、第１開口部のそれぞれを通過し
た複数の電子ビームのそれぞれが通過する複数の第２開
口部を含む第２磁性導体部５２２とを有する。また、遮
蔽部８００は、第１磁性導体部５２０から電子ビーム発
生部１０（図２参照）の方向に設けられた第１遮蔽電極
９０２と、第１磁性導体部５２０と略平行に設けられ、
第１遮蔽電極を保持する第１遮蔽基板９０４と、第２磁
性導体部５２２からウェハ４４（図２参照）の方向に設
けられた第２遮蔽電極９１０と、第２磁性導体部５２２
と略平行に設けられ、第２遮蔽電極９１０を保持する第
２遮蔽基板９０８と、第１磁性導体部５２０と第２磁性
導体部５２２との間に設けられた第３遮蔽電極９０６と
を有する。
５２、及び遮蔽部８００の構成を示す。図７（ａ）に示
すように、偏向部３８は、偏向器基板３８０と、第５多
軸電子レンズ５２のレンズ開口部の内部に設けられた複
数の偏向器３８２とを有する。また、第５多軸電子レン
ズ５２は、複数の電子ビームが通過する複数の第１開口
部を含む第１磁性導体部５２０と、第１磁性導体部５２
０と略平行に設けられ、第１開口部のそれぞれを通過し
た複数の電子ビームのそれぞれが通過する複数の第２開
口部を含む第２磁性導体部５２２とを有する。また、遮
蔽部８００は、第１磁性導体部５２０から電子ビーム発
生部１０（図２参照）の方向に設けられた第１遮蔽電極
９０２と、第１磁性導体部５２０と略平行に設けられ、
第１遮蔽電極を保持する第１遮蔽基板９０４と、第２磁
性導体部５２２からウェハ４４（図２参照）の方向に設
けられた第２遮蔽電極９１０と、第２磁性導体部５２２
と略平行に設けられ、第２遮蔽電極９１０を保持する第
２遮蔽基板９０８と、第１磁性導体部５２０と第２磁性
導体部５２２との間に設けられた第３遮蔽電極９０６と
を有する。
【００４１】第１遮蔽電極９０２、第２遮蔽電極９１
０、及び第３遮蔽電極９０６は、複数のレンズ開口部の
それぞれの間に格子状に設けられてもよい。また、第１
遮蔽電極９０２、第２遮蔽電極９１０、及び第３遮蔽電
極９０６は、複数のレンズ開口部のそれぞれの周囲に設
けられてもよい。さらに、第１遮蔽電極９０２、第２遮
蔽電極９１０、及び第３遮蔽電極９０６は、偏向器基板
３８０と略垂直な方向に複数の開口部を有してもよい。
また、第１遮蔽電極９０２、第２遮蔽電極９１０、及び
第３遮蔽電極９０６は、網目状であることがさらに好ま
しい。また、遮蔽部９００は、第１遮蔽基板９０４を有
さず、第１遮蔽電極９０２は偏向器基板３８０に保持さ
れてもよい。また、遮蔽部９００は、第２遮蔽基板９０
８を有さず、第２遮蔽電極９１０は第２磁性導体部５２
２に保持されてもよい。また、図７（ｂ）に示すよう
に、偏向器３８２が第２磁性導体部５２２よりウェハ４
４（図２参照）の方向に突出しない場合には、第２遮蔽
電極９１０は設けられなくてもよい。
０、及び第３遮蔽電極９０６は、複数のレンズ開口部の
それぞれの間に格子状に設けられてもよい。また、第１
遮蔽電極９０２、第２遮蔽電極９１０、及び第３遮蔽電
極９０６は、複数のレンズ開口部のそれぞれの周囲に設
けられてもよい。さらに、第１遮蔽電極９０２、第２遮
蔽電極９１０、及び第３遮蔽電極９０６は、偏向器基板
３８０と略垂直な方向に複数の開口部を有してもよい。
また、第１遮蔽電極９０２、第２遮蔽電極９１０、及び
第３遮蔽電極９０６は、網目状であることがさらに好ま
しい。また、遮蔽部９００は、第１遮蔽基板９０４を有
さず、第１遮蔽電極９０２は偏向器基板３８０に保持さ
れてもよい。また、遮蔽部９００は、第２遮蔽基板９０
８を有さず、第２遮蔽電極９１０は第２磁性導体部５２
２に保持されてもよい。また、図７（ｂ）に示すよう
に、偏向器３８２が第２磁性導体部５２２よりウェハ４
４（図２参照）の方向に突出しない場合には、第２遮蔽
電極９１０は設けられなくてもよい。
【００４２】図８は、第１成形偏向部１８において複数
の偏向器２０４により形成される電界の一例を示す。本
実施形態における電子ビーム露光装置１００によれば、
所定の偏向器によって生成された電界が、当該所定の偏
向器を通過する電子ビーム以外の電子ビームに及ぼす影
響を大幅に低減することができる。具体的な例として、
開口部９５０を通過する電子ビームを偏向すべく偏向器
２０４ａが有する偏向電極に負の電圧を印加し、また開
口部９７０を通過する電子ビームを偏向すべく偏向器２
０４ｃが有する偏向電極に正の電圧を印加し、さらに開
口部９６０を通過する電子ビームを直進させるべく偏向
器２０４ｂが有する偏向電極には電圧を印加しないよう
な場合である。このとき、図８に示すように、第１遮蔽
電極２０８及び第２遮蔽電極２１０は、偏向器２０４ａ
及び偏向器２０４ｃによって生成される電界を遮蔽し
て、偏向器２０４ａ及び偏向器２０４ｃが偏向器２０４
ｂを通過する電子ビームへの影響を大幅に低減させるこ
とができ、複数の電子ビームを精度よくウェハに照射さ
せることができる。
の偏向器２０４により形成される電界の一例を示す。本
実施形態における電子ビーム露光装置１００によれば、
所定の偏向器によって生成された電界が、当該所定の偏
向器を通過する電子ビーム以外の電子ビームに及ぼす影
響を大幅に低減することができる。具体的な例として、
開口部９５０を通過する電子ビームを偏向すべく偏向器
２０４ａが有する偏向電極に負の電圧を印加し、また開
口部９７０を通過する電子ビームを偏向すべく偏向器２
０４ｃが有する偏向電極に正の電圧を印加し、さらに開
口部９６０を通過する電子ビームを直進させるべく偏向
器２０４ｂが有する偏向電極には電圧を印加しないよう
な場合である。このとき、図８に示すように、第１遮蔽
電極２０８及び第２遮蔽電極２１０は、偏向器２０４ａ
及び偏向器２０４ｃによって生成される電界を遮蔽し
て、偏向器２０４ａ及び偏向器２０４ｃが偏向器２０４
ｂを通過する電子ビームへの影響を大幅に低減させるこ
とができ、複数の電子ビームを精度よくウェハに照射さ
せることができる。
【００４３】図９は、第１成形偏向部１８の構成の他の
例を示す。本例において、各電子ビームは隣接する他の
電子ビームに対して狭い間隔に設けられる。例えば、全
ての電子ビームが、ウェハ４４に設けられるべき１つの
チップの領域に収まるような間隔であってよい。したが
って、本例における第１成形偏向部１８は、非常に狭い
間隔で設けられた複数の偏向部を有してよい。また、本
例における第１成形偏向部１８は、半導体プロセスによ
り製造されることが好ましい。
例を示す。本例において、各電子ビームは隣接する他の
電子ビームに対して狭い間隔に設けられる。例えば、全
ての電子ビームが、ウェハ４４に設けられるべき１つの
チップの領域に収まるような間隔であってよい。したが
って、本例における第１成形偏向部１８は、非常に狭い
間隔で設けられた複数の偏向部を有してよい。また、本
例における第１成形偏向部１８は、半導体プロセスによ
り製造されることが好ましい。
【００４４】本例における第１成形偏向部１８は、電子
ビームが通過する複数のアパーチャ１６６、及び通過す
る電子ビームを偏向する複数の偏向電極１６８を含む偏
向部１８０と、接地電極であって複数の偏向部の間に生
成される電界を遮蔽する遮蔽電極１７０と、成形偏向制
御部８４（図２参照）と偏向部１８０とを電気的に接続
する複数の偏向電極パッド１６２と、接地された遮蔽電
極パッド１６４と、遮蔽電極１７０と遮蔽電極パッド１
６４とを電気的に接続する第１配線層１９０ａと、複数
の偏向電極１６８のそれぞれと複数の偏向電極パッド１
６２のそれぞれとを電気的に接続する第２配線層１９０
ｂ、第３配線層１９０ｃ、第４配線層１９０ｄ、第５配
線層１９０ｅ、第６配線層１９０ｆ、第７配線層１９０
ｇ、第８配線層１９０ｈ、及び第９配線層１９０ｉと、
配線層と配線層とを電気的に絶縁する複数の第１絶縁層
１８５ａ、第２絶縁層１８５ｂ、第３絶縁層１８５ｃ、
第４絶縁層１８５ｄ、第５絶縁層１８５ｅ、第６絶縁層
１８５ｆ、第７絶縁層１８５ｇ、第８絶縁層１８５ｈ、
及び第９絶縁層１８５ｉとを有する。第２絶線層１８５
ｂ、第４絶線層１８５ｄ、及び第６絶線層１８５ｆは、
所定の厚さを有しており、第３絶線層１８５ｃ、第５絶
線層１８５ｅ、及び第７絶線層１８５ｇは、当該所定の
厚さより厚いことが好ましい。
ビームが通過する複数のアパーチャ１６６、及び通過す
る電子ビームを偏向する複数の偏向電極１６８を含む偏
向部１８０と、接地電極であって複数の偏向部の間に生
成される電界を遮蔽する遮蔽電極１７０と、成形偏向制
御部８４（図２参照）と偏向部１８０とを電気的に接続
する複数の偏向電極パッド１６２と、接地された遮蔽電
極パッド１６４と、遮蔽電極１７０と遮蔽電極パッド１
６４とを電気的に接続する第１配線層１９０ａと、複数
の偏向電極１６８のそれぞれと複数の偏向電極パッド１
６２のそれぞれとを電気的に接続する第２配線層１９０
ｂ、第３配線層１９０ｃ、第４配線層１９０ｄ、第５配
線層１９０ｅ、第６配線層１９０ｆ、第７配線層１９０
ｇ、第８配線層１９０ｈ、及び第９配線層１９０ｉと、
配線層と配線層とを電気的に絶縁する複数の第１絶縁層
１８５ａ、第２絶縁層１８５ｂ、第３絶縁層１８５ｃ、
第４絶縁層１８５ｄ、第５絶縁層１８５ｅ、第６絶縁層
１８５ｆ、第７絶縁層１８５ｇ、第８絶縁層１８５ｈ、
及び第９絶縁層１８５ｉとを有する。第２絶線層１８５
ｂ、第４絶線層１８５ｄ、及び第６絶線層１８５ｆは、
所定の厚さを有しており、第３絶線層１８５ｃ、第５絶
線層１８５ｅ、及び第７絶線層１８５ｇは、当該所定の
厚さより厚いことが好ましい。
【００４５】複数の偏向電極１６８は、アパーチャ１６
６毎に設けられる。また、偏向電極パッド１６２及び遮
蔽電極パッド１６４は、偏向電極１６８と略等しい長さ
を有することが好ましい。また、第１成形偏向部１８
は、１つの偏向部１８０が有する偏向電極１６８の数と
等しい数の配線層を有することが好ましい。さらに、複
数の配線層及び絶縁層が設けられる領域２００は、遮蔽
電極１７０が設けられる領域２０５に比べて十分に薄い
ことが好ましい。
６毎に設けられる。また、偏向電極パッド１６２及び遮
蔽電極パッド１６４は、偏向電極１６８と略等しい長さ
を有することが好ましい。また、第１成形偏向部１８
は、１つの偏向部１８０が有する偏向電極１６８の数と
等しい数の配線層を有することが好ましい。さらに、複
数の配線層及び絶縁層が設けられる領域２００は、遮蔽
電極１７０が設けられる領域２０５に比べて十分に薄い
ことが好ましい。
【００４６】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、上記実施形態はクレームにかかる発明を限定する
ものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴
の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは
限らない。また、本発明の技術的範囲は上記実施形態に
記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な
変更又は改良を加えることができる。そのような変更又
は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得る
ことが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
たが、上記実施形態はクレームにかかる発明を限定する
ものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴
の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは
限らない。また、本発明の技術的範囲は上記実施形態に
記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な
変更又は改良を加えることができる。そのような変更又
は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得る
ことが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４７】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明の
電子ビーム露光装置によれば、複数の偏向器の間に生成
される電界を遮蔽することにより、複数の電子ビームを
精度よくウェハに照射することができる。
電子ビーム露光装置によれば、複数の偏向器の間に生成
される電界を遮蔽することにより、複数の電子ビームを
精度よくウェハに照射することができる。
【図１】従来の電子ビーム露光装置における電子ビーム
偏向装置４００の構成を示す図である。
偏向装置４００の構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置
１００の構成を示す図である。
１００の構成を示す図である。
【図３】第１成形偏向部１８及び遮蔽部３００の構成を
示す図である。
示す図である。
【図４】第１遮蔽電極３０４及び第２遮蔽電極３１０の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図５】第１成形偏向部１８及び遮蔽部３００の構成の
他の例を示す図である。
他の例を示す図である。
【図６】第１成形偏向部１８の構成の他の例を示す図で
ある。
ある。
【図７】偏向部３８、第５多軸電子レンズ５２、及び遮
蔽部８００の構成を示す図である。
蔽部８００の構成を示す図である。
【図８】第１成形偏向部１８において複数の偏向器２０
４により形成される電界の一例を示す図である。
４により形成される電界の一例を示す図である。
【図９】第１成形偏向部１８の構成の他の例を示す図で
ある。
ある。
８・・筐体、１０・・電子ビーム発生部、１４・・第１
成形部材、１６・・第１多軸電子レンズ、１８・・第１
成形偏向部、２０・・第２成形偏向部、２２・・第２成
形部材、２４・・第２多軸電子レンズ、２６・・ブラン
キング電極アレイ、２８・・電子ビーム遮蔽部材、３４
・・第３多軸電子レンズ、３６・・第４多軸電子レン
ズ、３８・・偏向部、４０・・電子検出部、４４・・ウ
ェハ、４６・・ウェハステージ、４８・・ウェハステー
ジ駆動部、５２・・第５多軸電子レンズ、８０・・電子
ビーム制御部、８２・・多軸電子レンズ制御部、８４・
・成形偏向制御部、８６・・ブランキング電極アレイ制
御部、９２・・偏向制御部、９４・・反射電子処理部、
９６・・ウェハステージ制御部、１００・・電子ビーム
露光装置、１１０・・電子ビーム成形手段、１１２・・
照射切替手段、１１４・・ウェハ用投影系、１２０・・
個別制御部、１３０・・統括制御部、１４０・・制御
系、１５０・・露光部、２０２・・偏向器基板、２０４
・・偏向器、２０６・・開口部、３００・・遮蔽部、３
０２・・第１遮蔽基板、３０４・・第１遮蔽電極、３０
６・・第１遮蔽電極、３０８・・第２遮蔽基板、３１０
・・第２遮蔽電極、７００・・排気口
成形部材、１６・・第１多軸電子レンズ、１８・・第１
成形偏向部、２０・・第２成形偏向部、２２・・第２成
形部材、２４・・第２多軸電子レンズ、２６・・ブラン
キング電極アレイ、２８・・電子ビーム遮蔽部材、３４
・・第３多軸電子レンズ、３６・・第４多軸電子レン
ズ、３８・・偏向部、４０・・電子検出部、４４・・ウ
ェハ、４６・・ウェハステージ、４８・・ウェハステー
ジ駆動部、５２・・第５多軸電子レンズ、８０・・電子
ビーム制御部、８２・・多軸電子レンズ制御部、８４・
・成形偏向制御部、８６・・ブランキング電極アレイ制
御部、９２・・偏向制御部、９４・・反射電子処理部、
９６・・ウェハステージ制御部、１００・・電子ビーム
露光装置、１１０・・電子ビーム成形手段、１１２・・
照射切替手段、１１４・・ウェハ用投影系、１２０・・
個別制御部、１３０・・統括制御部、１４０・・制御
系、１５０・・露光部、２０２・・偏向器基板、２０４
・・偏向器、２０６・・開口部、３００・・遮蔽部、３
０２・・第１遮蔽基板、３０４・・第１遮蔽電極、３０
６・・第１遮蔽電極、３０８・・第２遮蔽基板、３１０
・・第２遮蔽電極、７００・・排気口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｗ
Claims (15)
- 【請求項１】 複数の電子ビームにより、ウェハにパタ
ーンを露光する電子ビーム露光装置であって、 前記複数の電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、 前記複数の電子ビームをそれぞれ偏向する複数の偏向器
を有する偏向部と、 前記複数の偏向器の間に、前記電子ビームの照射方向に
沿って、前記偏向器の一端より前記電子ビーム発生部に
近い位置から、前記偏向器の前記一端より前記ウェハに
近い位置まで設けられた第１遮蔽電極を有する遮蔽部と
を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項２】 前記第１遮蔽電極は、前記複数の偏向器
のそれぞれの間に格子状に設けられることを特徴とする
請求項１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項３】 前記第１遮蔽電極は、前記複数の偏向器
のそれぞれの周囲に設けられることを特徴とする請求項
１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項４】 前記偏向部は、前記電子ビームの照射方
向と略垂直に設けられ、前記複数の偏向器が設けられた
偏向器基板をさらに有し、 前記第１遮蔽電極は、前記偏向器基板に保持されること
を特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項５】 前記第１遮蔽電極は、前記偏向器より前
記電子ビーム発生部に近い位置から、前記偏向器より前
記ウェハに近い前記位置まで設けられることを特徴とす
る請求項４に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項６】 前記偏向部は、前記電子ビームの照射方
向と略垂直に設けられ、前記複数の偏向器が設けられた
偏向器基板をさらに有し、 前記遮蔽部は、前記偏向器基板と略平行に設けられ、前
記第１遮蔽電極を保持する第１遮蔽基板をさらに有する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装
置。 - 【請求項７】 前記遮蔽部は、 前記偏向器基板を挟んで前記第１遮蔽電極と対向する位
置に、前記電子ビームの照射方向に沿って設けられた第
２遮蔽電極と、 前記偏向器基板を挟んで前記第１遮蔽基板と対向する位
置に、前記偏向器基板と略平行に設けられ、前記第２遮
蔽電極を保持する第２遮蔽基板とをさらに備えることを
特徴とする請求項６に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項８】 前記第１遮蔽電極は、前記電子ビームの
照射方向と略垂直な方向に複数の開口部を有することを
特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項９】 前記第１遮蔽電極は、網目状であること
を特徴とする請求項８に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項１０】 前記複数の電子ビームが通過する複数
の第１開口部を含む第１磁性導体部と、 前記第１磁性導体部と略平行に設けられ、前記第１開口
部のそれぞれを通過した前記複数の電子ビームがそれぞ
れ通過する複数の第２開口部を含む第２磁性導体部とを
有し、前記複数の電子ビームを独立に集束する電子レン
ズ部をさらに備え、 前記偏向器は、前記第１開口部の内側に設けられてお
り、 前記第１遮蔽電極は、前記第１磁性導体部と前記第２磁
性導体部との間に設けられることを特徴とする請求項１
に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項１１】 前記複数の電子ビームが通過する複数
の第１開口部を含む第１磁性導体部と、 前記第１磁性導体部と略平行に設けられ、前記第１開口
部のそれぞれを通過した前記複数の電子ビームがそれぞ
れ通過する複数の第２開口部を含む第２磁性導体部とを
有し、前記複数の電子ビームを独立に集束する電子レン
ズ部をさらに備え、 前記偏向器は、前記第１開口部の内側に設けられてお
り、 前記第１遮蔽電極は、前記第２磁性導体部において前記
複数の第２開口部の間に、前記第２磁性導体部から前記
ウェハの方向に設けられており、 前記遮蔽部は、 前記第１磁性導体部において前記複数の第１開口部の間
に、前記第１磁性導体部から前記電子ビーム発生部の方
向に設けられた第２遮蔽電極と、 前記複数の第１開口部の間に、且つ前記第１磁性導体部
と前記第２磁性導体部との間に前記電子ビームの照射方
向に沿って設けられた第３遮蔽電極とをさらに有するこ
とを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項１２】 前記遮蔽部は、 前記第２磁性導体部と略平行に設けられ、前記第１遮蔽
電極を保持する第１遮蔽基板と、 前記第１磁性導体部と略平行に設けられ、前記第２遮蔽
電極を保持する第２遮蔽基板とをさらに有することを特
徴とする請求項１１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項１３】 複数の電子ビームを独立に偏向する電
子ビーム偏向装置であって、 基板と、 前記基板に設けられた複数の開口部と、 前記基板において、前記複数の開口部のそれぞれに設け
られた複数の偏向器と、 前記基板において、前記複数の開口部の間に設けられた
第１遮蔽電極とを備えることを特徴とする電子ビーム偏
向装置。 - 【請求項１４】 前記偏向器は、前記基板から、前記基
板と略垂直な方向である第１の方向に沿って設けられて
おり、 前記第１遮蔽電極は、前記基板から、前記第１の方向に
沿って前記偏向器より長く設けられることを特徴とする
請求項１３に記載の電子ビーム偏向装置。 - 【請求項１５】 前記基板を挟んで前記第１遮蔽電極と
対向する位置に、前記第１の方向に沿って設けられた第
２遮蔽電極をさらに備えることを特徴とする請求項１４
に記載の電子ビーム偏向装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001010817A JP4246401B2 (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置 |
| PCT/JP2002/000226 WO2002058118A1 (en) | 2001-01-18 | 2002-01-16 | Electron beam exposure device and electron beam deflection device |
| TW091100551A TW523806B (en) | 2001-01-18 | 2002-01-16 | Electron beam exposure device and electron beam deflection device |
| US10/422,304 US6804288B2 (en) | 2001-01-18 | 2003-04-23 | Electron beam exposure apparatus and electron beam deflection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001010817A JP4246401B2 (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217090A true JP2002217090A (ja) | 2002-08-02 |
| JP4246401B2 JP4246401B2 (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=18878064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001010817A Expired - Fee Related JP4246401B2 (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6804288B2 (ja) |
| JP (1) | JP4246401B2 (ja) |
| TW (1) | TW523806B (ja) |
| WO (1) | WO2002058118A1 (ja) |
Cited By (2)
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| KR20200076646A (ko) * | 2018-12-19 | 2020-06-29 | 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 | 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 디바이스를 위한 상호교환가능한 다중-애퍼쳐 배열, 및 하전 입자 빔 디바이스를 동작시키기 위한 방법 |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100851901B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2008-08-13 | 삼성전자주식회사 | 이온 빔 추출장치 |
| JP5048283B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2012-10-17 | キヤノン株式会社 | 偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法 |
| DE102007020742B8 (de) * | 2007-04-28 | 2009-06-18 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zum Schalten großer elektrischer Ströme über eine Gasentladung |
| CN102361888B (zh) | 2009-01-23 | 2013-11-20 | 株式会社普利司通 | 用多氰基化合物官能化的聚合物 |
| KR101725299B1 (ko) * | 2010-10-26 | 2017-04-10 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 변조 디바이스 및 이를 사용하는 하전 입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템 |
| US20120112091A1 (en) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | National Taiwan University | Method for adjusting status of particle beams for patterning a substrate and system using the same |
| NL2007392C2 (en) * | 2011-09-12 | 2013-03-13 | Mapper Lithography Ip Bv | Assembly for providing an aligned stack of two or more modules and a lithography system or a microscopy system comprising such an assembly. |
| DE102015202172B4 (de) | 2015-02-06 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts |
| US10840056B2 (en) * | 2017-02-03 | 2020-11-17 | Kla Corporation | Multi-column scanning electron microscopy system |
| DE102018202421B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
| DE102018202428B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-05-09 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenmikroskop |
| WO2019166331A2 (en) | 2018-02-27 | 2019-09-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Charged particle beam system and method |
| US10811215B2 (en) | 2018-05-21 | 2020-10-20 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Charged particle beam system |
| DE102018007455B4 (de) | 2018-09-21 | 2020-07-09 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt |
| DE102018007652B4 (de) | 2018-09-27 | 2021-03-25 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen |
| DE102018124044B3 (de) | 2018-09-28 | 2020-02-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
| TWI743626B (zh) | 2019-01-24 | 2021-10-21 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品 |
| CN111477530B (zh) | 2019-01-24 | 2023-05-05 | 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 | 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法 |
| GB2613168A (en) * | 2021-11-25 | 2023-05-31 | Aquasium Tech Limited | Electron beam deflector |
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