JP2002212775A

JP2002212775A - 希土類系永久磁石の電気Ｎｉめっき方法

Info

Publication number: JP2002212775A
Application number: JP2001013288A
Authority: JP
Inventors: Kazuhide Oshima; 一英大島
Original assignee: Sumitomo Special Metals Co Ltd
Current assignee: Hitachi Metals Ltd
Priority date: 2001-01-22
Filing date: 2001-01-22
Publication date: 2002-07-31
Anticipated expiration: 2021-01-22
Also published as: JP4538959B2

Abstract

(57)【要約】【課題】新規な組成のＮｉめっき液を使用して希土類
系磁石の表面に均一電着性や緻密性や外観などに優れた
Ｎｉめっき被膜を形成するための電気Ｎｉめっき方法を
提供すること。【解決手段】希土類系永久磁石の電気Ｎｉめっき方法
において、Ｎｉイオン濃度の塩素イオン濃度に対する重
量比（Ｎｉ^２＋／Ｃｌ⁻）が０．１９〜１１．４になる
ような含量でのＮｉイオンと塩素イオン、緩衝剤として
コハク酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、酢酸および
これらの塩から選ばれる少なくとも１種を０．０３ｍｏ
ｌ／ｌ〜１．０ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸を０〜１５ｇ／ｌ、
含むめっき液を使用して磁石表面にＮｉめっき被膜を形
成することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な組成のＮｉ
めっき液を使用して希土類系磁石の表面に均一電着性や
緻密性や外観などに優れたＮｉめっき被膜を形成するた
めの電気Ｎｉめっき方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石に代表される
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石などの希土類系永久磁石は、高
い磁気特性を有しているが、大気中で酸化腐食されやす
い金属種（特にＲ）を含むので、表面処理を行わずに使
用した場合には、わずかな酸やアルカリや水分などの影
響によって表面から腐食が進行して錆が発生し、それに
伴って、磁気特性の劣化やばらつきを招くことになる。
さらに、磁気回路などの装置に組み込んだ磁石に錆が発
生した場合、錆が飛散して周辺部品を汚染する恐れがあ
る。従って、これらの問題点を回避するために、従来か
ら、該磁石に要求される耐食性を付与すべく電気Ｎｉめ
っきにより、耐食性被膜としてのＮｉめっき被膜をその
表面に形成することが行われている。希土類系永久磁石
の電気Ｎｉめっきにおいては、例えば、特開平６−１３
２１８号公報に記載されているめっき液のように、ホウ
酸を含んだめっき液が広く採用されている。ホウ酸含有
Ｎｉめっき液は、ホウ酸が優れた緩衝作用を有してお
り、希土類系永久磁石のめっき処理に適したｐＨ（概ね
４〜８）環境を容易に作り出すことができることや、該
めっき液を使用して形成されるＮｉめっき被膜が均一電
着性や緻密性や外観などに優れることから、希土類系永
久磁石の表面にＮｉめっき被膜を形成するためのめっき
液として最良とされており、また、電流効率や操業性に
優れること、薬液コストが低いことといったような利点
も有している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ホウ酸含有
Ｎｉめっき液において、ホウ酸の作用を如何なく発揮さ
せるためには、一般的にはホウ酸をめっき液中に３０ｇ
／ｌ程度含ませることが必要とされている。前記公報に
記載されたＮｉめっき液はホウ酸の含有量が比較的少な
いが、それでも実施例に記載されためっき液でホウ酸の
含有量が最も少ないものでもその含有量は１５ｇ／ｌで
ある。環境問題への対応が不可欠な近年においては、水
質汚濁を防止するためにもめっき液の排水問題への対応
が重要課題となっており、ホウ酸含有Ｎｉめっき液につ
いても、環境に好ましいとはいえないホウ酸の含有量を
低減化させる必要がある。一方、希土類系永久磁石表面
に直接Ｎｉめっき被膜を形成する場合、特に、バレル式
電気めっきを行う場合、全ての磁石に均一に通電される
までにＮｉが置換析出することがある。表面にＮｉが置
換析出した磁石に電気Ｎｉめっきを行っても、形成され
るＮｉめっき被膜は均一電着性に劣り、結果として磁石
の耐食性に影響を及ぼすことになる。従って、Ｎｉめっ
き被膜形成の効率は維持しつつもめっき液に含まれるＮ
ｉイオン濃度はできるだけ低減化させる必要がある。そ
こで本発明は、新規な組成のＮｉめっき液を使用して希
土類系磁石の表面に均一電着性や緻密性や外観などに優
れたＮｉめっき被膜を形成するための電気Ｎｉめっき方
法を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の点
に鑑み種々の検討を行った結果、Ｎｉめっき液に含まれ
るＮｉイオン濃度と塩素イオン濃度の重量比、ホウ酸に
代わる緩衝剤の使用とその含有量を調整することによ
り、Ｎｉめっき液中のホウ酸の含有量を低減させても、
従来量のホウ酸を含有するＮｉめっき液を使用して形成
されるＮｉめっき被膜が有する均一電着性や緻密性や外
観などの優れた特性を維持したＮｉめっき被膜を形成す
ることができることやＮｉの置換析出を抑制して均一電
着性に優れたＮｉめっき被膜を形成することができるこ
とを知見した。

【０００５】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
ものであり、本発明の電気Ｎｉめっき方法は、請求項１
記載の通り、希土類系永久磁石の電気Ｎｉめっき方法に
おいて、Ｎｉイオン濃度の塩素イオン濃度に対する重量
比（Ｎｉ^２＋／Ｃｌ⁻）が０．１９〜１１．４になるよ
うな含量でのＮｉイオンと塩素イオン、緩衝剤としてコ
ハク酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、酢酸およびこ
れらの塩から選ばれる少なくとも１種を０．０３ｍｏｌ
／ｌ〜１．０ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸を０〜１５ｇ／ｌ、含
むめっき液を使用して磁石表面にＮｉめっき被膜を形成
することを特徴とする。また、請求項２記載の電気Ｎｉ
めっき方法は、請求項１記載の電気Ｎｉめっき方法にお
いて、前記めっき液がＮｉイオンを１５ｇ／ｌ〜８０ｇ
／ｌ、塩素イオンを７ｇ／ｌ〜８０ｇ／ｌ含むことを特
徴とする。また、請求項３記載の電気Ｎｉめっき方法
は、請求項１または２記載の電気Ｎｉめっき方法におい
て、前記めっき液がホウ酸を０〜１０ｇ／ｌ含むことを
特徴とする。また、請求項４記載の電気Ｎｉめっき方法
は、請求項３記載の電気Ｎｉめっき方法において、磁石
表面に多層めっき被膜層を形成するに際しての第２層目
以降にＮｉめっき被膜を形成するための電気Ｎｉめっき
であることを特徴とする。また、請求項５記載の電気Ｎ
ｉめっき方法は、請求項１記載の電気Ｎｉめっき方法に
おいて、磁石表面に直接Ｎｉめっき被膜を形成するに際
しての前記めっき液のＮｉイオン濃度の塩素イオン濃度
に対する重量比が０．１９〜４．０であることを特徴と
する。また、請求項６記載の電気Ｎｉめっき方法は、請
求項１乃至５のいずれかに記載の電気Ｎｉめっき方法に
おいて、パルス電解を行いながら電気Ｎｉめっきを行う
ことを特徴とする。また、請求項７記載の電気Ｎｉめっ
き方法は、請求項１乃至６のいずれかに記載の電気Ｎｉ
めっき方法において、希土類系永久磁石がＲ−Ｆｅ−Ｂ
系永久磁石であることを特徴とする。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の電気Ｎｉめっき方法は、
希土類系永久磁石の電気Ｎｉめっき方法において、Ｎｉ
イオン濃度の塩素イオン濃度に対する重量比（Ｎｉ^２＋
／Ｃｌ⁻）が０．１９〜１１．４になるような含量での
Ｎｉイオンと塩素イオン、緩衝剤としてコハク酸、マロ
ン酸、クエン酸、リンゴ酸、酢酸およびこれらの塩から
選ばれる少なくとも１種を０．０３ｍｏｌ／ｌ〜１．０
ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸を０〜１５ｇ／ｌ、含むめっき液を
使用して磁石表面にＮｉめっき被膜を形成することを特
徴とするものである。

【０００７】本発明の電気Ｎｉめっき方法において使用
されるＮｉめっき液には、Ｎｉイオン濃度の塩素イオン
濃度に対する重量比（Ｎｉ^２＋／Ｃｌ⁻）が０．１９〜
１１．４になるようにＮｉイオンと塩素イオンを含ませ
る。Ｎｉイオン濃度の塩素イオン濃度に対する重量比が
０．１９よりも小さい場合、磁石表面に塩素イオンが残
留したり、形成されるＮｉめっき被膜の内部応力が高く
なりすぎるなどの問題が生じる恐れがあり、１１．４よ
りも大きい場合、Ｎｉめっき液の電気伝導度に影響を及
ぼす恐れがある。このような重量比に調整するために
は、例えば、めっき液中にＮｉイオンを１５ｇ／ｌ〜８
０ｇ／ｌ、塩素イオンを７ｇ／ｌ〜８０ｇ／ｌ含ませれ
ばよい。なお、Ｎｉイオンの供給源としては、硫酸ニッ
ケル、塩化ニッケル、スルファミン酸ニッケル、臭化ニ
ッケル、酢酸ニッケルなどがある。また、塩素イオンの
供給源としては、前記の塩化ニッケルの他、塩化アンモ
ニウムや塩化ナトリウムなどがある。

【０００８】緩衝剤としてはコハク酸、マロン酸、クエ
ン酸、リンゴ酸、酢酸およびこれらの塩から選ばれる少
なくとも１種を０．０３ｍｏｌ／ｌ〜１．０ｍｏｌ／ｌ
含ませる。これらの緩衝剤の含有量が０．０３ｍｏｌ／
ｌよりも少ない場合、緩衝作用が十分に発揮されない恐
れがあり、１．０ｍｏｌ／ｌよりも多い場合、Ｎｉめっ
き液の長期安定性に影響を及ぼす恐れがある。磁石表面
に直接Ｎｉめっき被膜を形成する場合には緩衝剤は０．
２ｍｏｌ／ｌ〜１．０ｍｏｌ／ｌ含ませることがＮｉの
置換析出を極力抑制する観点から望ましい。緩衝剤の中
ではクエン酸およびその塩が形成されるＮｉめっき被膜
の緻密性の点において望ましい。なお、コハク酸、マロ
ン酸、クエン酸、リンゴ酸、酢酸の塩としては、ナトリ
ウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、ニッケル塩など
がある。

【０００９】Ｎｉめっき液に含まれるＮｉイオン濃度と
塩素イオン濃度の重量比、ホウ酸に代わる緩衝剤の使用
とその含有量を上記のように調整することにより、Ｎｉ
めっき液中のホウ酸の含有量を１５ｇ／ｌ以下として
も、従来量のホウ酸を含有するめっき液を使用して形成
されるＮｉめっき被膜が有する均一電着性や緻密性や外
観などの優れた特性を維持したＮｉめっき被膜を形成す
ることができる。

【００１０】希土類系永久磁石表面に直接Ｎｉめっき被
膜を形成する場合、高い電流効率を確保して迅速にＮｉ
めっき被膜を形成することが肝要であることから、Ｎｉ
めっき液中にはホウ酸を最大１５ｇ／ｌの範囲内で含ま
せることが望ましいが、本発明の電気Ｎｉめっき方法に
おいて、特に、Ｎｉめっき液中のホウ酸の含有量が１０
ｇ／ｌ以下の場合、即ち、究極的にはめっき液中にホウ
酸を含ませない場合でも優れた特性を有するＮｉめっき
被膜を形成することができることは、めっき液の排水問
題への対応において非常に望ましいことであり、磁石表
面に多層めっき被膜層を形成するに際しての第２層目以
降にＮｉめっき被膜を形成する場合に効果を発揮する。

【００１１】また、希土類系永久磁石表面に直接Ｎｉめ
っき被膜を形成するに際してのＮｉめっき液のＮｉイオ
ン濃度の塩素イオン濃度に対する重量比を０．１９〜
４．０に調整することにより、Ｎｉの置換析出を抑制し
て均一電着性に優れたＮｉめっき被膜を形成することが
できる。

【００１２】Ｎｉめっき液のｐＨは４〜８に調整するこ
とが望ましい。ｐＨ調整剤は、例えば、炭酸ニッケルや
硫酸など、めっき液の成分に応じた公知のものを使用す
ればよい。また、Ｎｉめっき液には優れた外観を有する
Ｎｉめっき被膜を形成するためや、電子部品への適用時
に要求される清浄性や接着性などを満たすために、ラウ
リル硫酸ナトリウム、２−ブチン１，４−ジオール、ベ
ンゼンスルホン酸、プロパギルアルコール、クマリンな
どの光沢剤のような各種自体公知の有機添加剤や無機添
加剤を添加してもよい。また、導電補助剤として、硫酸
ナトリウムや塩化アンモニウムなどを添加してもよい。

【００１３】本発明においては、電気Ｎｉめっきを行う
に際してのめっき浴の液温は３０℃〜７０℃に調整する
ことが望ましい。

【００１４】本発明においては、パルス電解を行いなが
ら電気Ｎｉめっきを行うことが望ましい。本発明におけ
るＮｉめっき液を使用してパルス電解を行いながら電気
Ｎｉめっきを行うことにより、金属結晶の微細緻密化や
形成されるＮｉめっき被膜の密着性向上などの効果が得
られる。パルス電解条件としては、パルス周期が２ｍｓ
ｅｃ〜１００ｍｓｅｃ、Ｔ_ＯＮが１ｍｓｅｃ〜９５ｍｓ
ｅｃ、Ｔ_ＯＦＦが１ｍｓｅｃ〜９５ｍｓｅｃ、ピーク電
流密度Ｉ_ｐが０．２Ａ／ｄｍ^２〜１００Ａ／ｄｍ^２なる
条件が挙げられる。

【００１５】本発明の電気Ｎｉめっき方法で形成される
Ｎｉめっき被膜の膜厚は、希土類系永久磁石表面にこの
Ｎｉめっき被膜のみを形成する場合は５μｍ〜３０μｍ
が望ましく、磁石表面に多層めっき被膜層を形成するに
際しての第１層目にこのＮｉめっき被膜を形成する場合
は０．２μｍ〜１０μｍが望ましく、第２層目以降にこ
のＮｉめっき被膜を形成する場合は１μｍ〜３０μｍが
望ましい。磁石表面に多層めっき被膜層を形成するに際
しての第２層目以降にこのＮｉめっき被膜を形成する場
合、第１層目にはＮｉめっき被膜の他、Ｃｕめっき被膜
やＳｎめっき被膜やＺｎめっき被膜などの異なる金属め
っき被膜を公知の成膜法にて形成してもよい。また、本
発明の電気Ｎｉめっき方法で形成されるＮｉめっき被膜
の上に、異なる金属めっき被膜を形成してもよいし、化
成処理被膜などの別種の被膜を形成してもよい。

【００１６】本発明に適用される希土類系永久磁石の
内、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石における希土類元素（Ｒ）
は、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｓｍのうち少なく
とも１種、あるいはさらに、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｅｒ、
Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙのうち少なくとも１種を含
むものが望ましい。また、通常はＲのうち１種をもって
足りるが、実用上は２種以上の混合物（ミッシュメタル
やジジムなど）を入手上の便宜などの理由によって使用
することもできる。さらに、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｂｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、
Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｇａのうち少なくとも
１種を添加することで、保磁力や減磁曲線の角型性の改
善、製造性の改善、低価格化を図ることが可能となる。
また、Ｆｅの一部をＣｏで置換することによって、得ら
れる磁石の磁気特性を損なうことなしに温度特性を改善
することができる。

【００１７】

【実施例】本発明を以下の実施例によってさらに詳細に
説明するが、本発明は以下の記載に何ら限定されるもの
ではない。

【００１８】実施例１：粉末冶金法により作製した１５
Ｎｄ−１Ｄｙ−７Ｂ−７７Ｆｅ（原子％）の組成をもつ
焼結体をアルゴン雰囲気中６００℃で２時間時効処理を
施し、厚さ３ｍｍ、幅１２ｍｍ、長さ３０ｍｍの平板状
に加工し、さらにバレル面取り加工を行って得られた焼
結磁石を希釈硝酸で酸洗清浄化した。この磁石に対し、
硫酸ニッケル・６水和物と塩化ニッケル・６水和物と塩
化アンモニウム（めっき液７についてはさらに塩化ナト
リウムを使用）で表１に示した各種の濃度に調整したＮ
ｉイオンと塩素イオン、緩衝剤としてクエン酸ナトリウ
ム・２水和物１４７ｇ／ｌ（０．５ｍｏｌ／ｌ）、ホウ
酸８ｇ／ｌ、添加剤としてラウリル硫酸ナトリウム０．
０２ｇ／ｌと２−ブチン１，４−ジオール０．５ｇ／ｌ
を含み、ｐＨを塩基性炭酸ニッケルを添加することによ
り５に調整した７種類のＮｉめっき液を使用し、めっき
浴の液温５０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ^２、陽極としてＮ
ｉ板という電気Ｎｉめっき条件にて、膜厚が１０μｍの
Ｎｉめっき被膜を磁石表面に形成した。形成されたＮｉ
めっき被膜の性能を表１に示す。

【００１９】表１における被膜健全性の評価はめっき被
膜の緻密性及び耐食性促進評価（発色反応試験）により
行った。評価方法を簡単に説明すると以下の通りであ
る。フェリシアン化カリウム３ｇ／ｌ、エタノール１０
０ｍｌ／ｌおよび塩酸にてｐＨ２に調整した試験液にめ
っき磁石サンプルを常温で浸漬して６０分間観察した。
磁石素材に腐食が至ったり被膜欠陥（ピンホールなど）
が存在する場合には青色斑点が発生するので、３０分浸
漬後も青色斑点の発生がない場合は◎、浸漬後２０〜３
０分で青色斑点が発生した場合は○、浸漬後１０分〜２
０分で青色斑点が発生した場合は△、浸漬後１０分未満
で青色斑点が発生した場合は×と評価した。

【００２０】表１におけるめっき付廻り性の評価は同一
めっき磁石サンプルの平面部の１０箇所観察によるめっ
き付着量（膜厚）のバラツキについて、バラツキが±１
０％以内の場合は○、バラツキが±１０％〜２０％の場
合は△、バラツキが±２０％を超える場合は×と評価す
ることで行った。

【００２１】

【表１】

【００２２】表１から明らかなように、Ｎｉめっき液に
おけるＮｉイオン濃度の塩素イオン濃度に対する重量比
（Ｎｉ^２＋／Ｃｌ⁻）を所定の重量比に調整すること
で、ホウ酸の含有量を従来のホウ酸含Ｎｉめっき液の含
有量より大幅に低減させても優れた特性のＮｉめっき被
膜を形成することができることがわかった（めっき液２
〜めっき液６）。

【００２３】実施例２：実施例１と同様の方法で得られ
た焼結磁石を希釈硝酸で酸洗清浄化した。この磁石に対
し、硫酸ニッケル・６水和物と塩化ニッケル・６水和物
と塩化アンモニウムで表２に示した各種の濃度に調整し
たＮｉイオンと塩素イオン、表２に示した各種の濃度に
調整した緩衝剤、ホウ酸８ｇ／ｌ、添加剤としてラウリ
ル硫酸ナトリウム０．０２ｇ／ｌと２−ブチン１，４−
ジオール０．５ｇ／ｌと１，３，６ナフタレントリスル
ホン酸ナトリウム２．０ｇ／ｌを含み、ｐＨを塩基性炭
酸ニッケルを添加することにより６に調整した１１種類
のＮｉめっき液を使用し、めっき浴の液温５０℃、電流
密度３Ａ／ｄｍ^２、陽極としてＮｉ板という電気Ｎｉめ
っき条件にて、膜厚が１０μｍのＮｉめっき被膜を磁石
表面に形成した。形成されたＮｉめっき被膜の性能を表
２に示す。

【００２４】表２における被膜健全性の評価は実施例１
と同様にして行った。耐食性の評価はプレッシャークッ
カー試験により行った。評価方法を簡単に説明すると以
下の通りである。めっき磁石サンプルを１２５℃、８５
％ＲＨ、２気圧の環境下に２００時間放置し、赤錆やフ
クレが発生しない場合は○、わずかな赤錆やフクレが発
生した場合は△、赤錆やフクレが多数発生した場合は×
と評価した。

【００２５】

【表２】

【００２６】表２から明らかなように、ホウ酸に代わる
クエン酸などの緩衝剤の含有量を０．０３ｍｏｌ／ｌ以
上に調整することで、ホウ酸の含有量を従来のホウ酸含
Ｎｉめっき液の含有量より大幅に低減させても優れた特
性のＮｉめっき被膜を形成することができることがわか
った（めっき液２〜めっき液１１）。

【００２７】実施例３：実施例１と同様の方法で得られ
た焼結磁石を希釈硝酸で酸洗清浄化した。この磁石に対
し、実施例１のＮｉめっき液４を使用し、実施例１と同
様の電気Ｎｉめっき条件にて、膜厚が３μｍのＮｉめっ
き被膜を磁石表面に形成した。次に、硫酸ニッケル・６
水和物と塩化ニッケル・６水和物と塩化アンモニウムで
表３に示した各種の濃度に調整したＮｉイオンと塩素イ
オン、表３に示した各種の濃度に調整した緩衝剤、添加
剤としてラウリル硫酸ナトリウム０．０２ｇ／ｌと２−
ブチン１，４−ジオール０．５ｇ／ｌを含み、ｐＨを塩
基性炭酸ニッケルを添加することにより５に調整した５
種類のＮｉめっき液を使用し、実施例１と同様の電気Ｎ
ｉめっき条件にて、第２層Ｎｉめっき被膜として膜厚が
１５μｍの被膜を第１層Ｎｉめっき被膜表面に形成し
た。形成されたＮｉめっき被膜の性能を表３に示す。

【００２８】表３における被膜健全性の評価は実施例１
と同様にして行った。耐食性の評価は実施例２と同様に
して行った。めっき密着性の評価はめっき磁石サンプル
にエポキシ系樹脂（ＳＷ２２１４：住友３Ｍ製の熱硬化
型エポキシ系接着剤で塗布接着後１２０℃、６０分で加
熱硬化）を塗布して鋼製治具と接着した後、１８０度剪
断圧縮試験にて破壊強度（めっき剥離強度）を測定し、
接着強度が４００ｋｇ／ｃｍ^２以上の場合は○、接着強
度が３００ｋｇ／ｃｍ^２〜４００ｋｇ／ｃｍ^２の場合は
△、接着強度が３００ｋｇ／ｃｍ^２未満の場合は×と評
価することで行った。

【００２９】

【表３】

【００３０】表３から明らかなように、Ｎｉめっき液に
ホウ酸を含ませなくても、Ｎｉめっき液におけるＮｉイ
オン濃度の塩素イオン濃度に対する重量比（Ｎｉ^２＋／
Ｃｌ ⁻）を所定の重量比に調整し、ホウ酸に代わるクエ
ン酸などの緩衝剤の含有量を調整することで、優れた特
性のＮｉめっき被膜を形成することができることがわか
った（めっき液１〜めっき液４）。

【００３１】実施例４：実施例１と同様の方法で得られ
た焼結磁石を希釈硝酸で酸洗清浄化した。この磁石に対
し、自体公知のアルカリ浴Ｃｕめっきを行って膜厚が３
μｍのＣｕめっき被膜を磁石表面に形成した。次に、硫
酸ニッケル・６水和物と塩化ニッケル・６水和物と塩化
アンモニウムで表４に示した各種の濃度に調整したＮｉ
イオンと塩素イオン、表４に示した各種の濃度に調整し
た緩衝剤、ホウ酸８ｇ／ｌ、添加剤としてラウリル硫酸
ナトリウム０．０２ｇ／ｌと２−ブチン１，４−ジオー
ル０．５ｇ／ｌを含み、ｐＨを塩基性炭酸ニッケルを添
加することにより４に調整した５種類のＮｉめっき液を
使用し、実施例１と同様の電気Ｎｉめっき条件にて、第
２層Ｎｉめっき被膜として膜厚が１０μｍの被膜を第１
層Ｃｕめっき被膜表面に形成した。最後に、硫酸ニッケ
ル・６水和物２００ｇ／ｌ、塩化ニッケル・６水和物４
０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム１０ｇ／ｌ（Ｎｉイオン濃
度の塩素イオン濃度に対する重量比は４．５）、クエン
酸２アンモニウム４５ｇ／ｌ（０．２ｍｏｌ／ｌ）、添
加剤としてベンゼンスルホン酸１ｇ／ｌとプロパギルア
ルコール０．５ｇ／ｌを含み、ｐＨを塩基性炭酸ニッケ
ルを添加することにより４に調整したＮｉめっき液を使
用し、めっき浴の液温５０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ^２、
陽極としてＮｉ板という電気Ｎｉめっき条件にて、第３
層Ｎｉめっき被膜として膜厚が２μｍのＮｉめっき被膜
を第２層Ｎｉめっき被膜表面に形成した。形成されたＮ
ｉめっき被膜の性能を表４に示す。なお、表４における
被膜健全性の評価は実施例１と同様にして行った。耐食
性の評価は実施例２と同様にして行った。

【００３２】

【表４】

【００３３】表４から明らかなように、Ｎｉめっき液に
おけるＮｉイオン濃度の塩素イオン濃度に対する重量比
（Ｎｉ^２＋／Ｃｌ⁻）を所定の重量比に調整し、ホウ酸
に代わるクエン酸などの緩衝剤の含有量を調整すること
で、優れた特性のＮｉめっき被膜を形成することができ
ることがわかった（めっき液２〜めっき液５）。

【００３４】実施例５：実施例１と同様の方法で得られ
た焼結磁石を希釈硝酸で酸洗清浄化した。この磁石に対
し、硫酸ニッケル・６水和物と塩化ニッケル・６水和物
と塩化アンモニウムで表５に示した各種の濃度に調整し
たＮｉイオンと塩素イオン、緩衝剤としてクエン酸ナト
リウム・２水和物１４７ｇ／ｌ（０．５ｍｏｌ／ｌ）、
ホウ酸８ｇ／ｌ、添加剤としてラウリル硫酸ナトリウム
０．０２ｇ／ｌと２−ブチン１，４−ジオール０．５ｇ
／ｌを含み、ｐＨを塩基性炭酸ニッケルを添加すること
により５に調整した各種のＮｉめっき液を使用し、実施
例１と同様の電気Ｎｉめっき条件のもと、各種のパルス
電解条件（パルス周期ＴとＴ_ＯＮとＴ_ＯＦＦ）、ピーク
電流密度Ｉ_ｐ＝１０Ａ／ｄｍ^２にてパルス電解を行いな
がら、膜厚が３μｍのＮｉめっき被膜を磁石表面に形成
した。次に、実施例４の第３層Ｎｉめっき被膜を形成す
るためのＮｉめっき液を使用し、実施例４と同様の電気
Ｎｉめっき条件にて、第２層Ｎｉめっき被膜として膜厚
が５μｍの被膜を第１層Ｎｉめっき被膜表面に形成し
た。形成されたＮｉめっき被膜の性能を表５に示す。な
お、表５における被膜健全性の評価は実施例１と同様に
して行った。耐食性の評価は実施例２と同様にして行っ
た。めっき密着性の評価は実施例３と同様にして行っ
た。

【００３５】

【表５】

【００３６】表５から明らかなように、パルス電解を行
いながら電気Ｎｉめっきを行うことにより、高電流密度
（短時間）での電気Ｎｉめっきが可能となり、高い耐食
性を有するＮｉめっき被膜を形成することができ、Ｎｉ
めっき被膜の膜厚の薄膜化、ひいては寸法精度の向上を
図ることができることがわかった（めっき液１〜めっき
液４）。

【００３７】

【発明の効果】本発明の電気Ｎｉめっき方法によれば、
Ｎｉめっき液に含まれるＮｉイオン濃度と塩素イオン濃
度の重量比、ホウ酸に代わる緩衝剤の使用とその含有量
を調整することにより、Ｎｉめっき液中のホウ酸の含有
量を低減させても、従来量のホウ酸を含有するＮｉめっ
き液を使用して形成されるＮｉめっき被膜が有する均一
電着性や緻密性や外観などの優れた特性を維持したＮｉ
めっき被膜を形成することができる。また、Ｎｉの置換
析出を抑制して均一電着性に優れたＮｉめっき被膜を形
成することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】希土類系永久磁石の電気Ｎｉめっき方法
において、Ｎｉイオン濃度の塩素イオン濃度に対する重
量比（Ｎｉ^２＋／Ｃｌ⁻）が０．１９〜１１．４になる
ような含量でのＮｉイオンと塩素イオン、緩衝剤として
コハク酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、酢酸および
これらの塩から選ばれる少なくとも１種を０．０３ｍｏ
ｌ／ｌ〜１．０ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸を０〜１５ｇ／ｌ、
含むめっき液を使用して磁石表面にＮｉめっき被膜を形
成することを特徴とする電気Ｎｉめっき方法。
【請求項２】前記めっき液がＮｉイオンを１５ｇ／ｌ
〜８０ｇ／ｌ、塩素イオンを７ｇ／ｌ〜８０ｇ／ｌ含む
ことを特徴とする請求項１記載の電気Ｎｉめっき方法。
【請求項３】前記めっき液がホウ酸を０〜１０ｇ／ｌ
含むことを特徴とする請求項１または２記載の電気Ｎｉ
めっき方法。
【請求項４】磁石表面に多層めっき被膜層を形成する
に際しての第２層目以降にＮｉめっき被膜を形成するた
めの電気Ｎｉめっきであることを特徴とする請求項３記
載の電気Ｎｉめっき方法。
【請求項５】磁石表面に直接Ｎｉめっき被膜を形成す
るに際しての前記めっき液のＮｉイオン濃度の塩素イオ
ン濃度に対する重量比が０．１９〜４．０であることを
特徴とする請求項１記載の電気Ｎｉめっき方法。
【請求項６】パルス電解を行いながら電気Ｎｉめっき
を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記
載の電気Ｎｉめっき方法。
【請求項７】希土類系永久磁石がＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久
磁石であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか
に記載の電気Ｎｉめっき方法。