JP2002208593A - シリコン酸窒化膜形成方法 - Google Patents
シリコン酸窒化膜形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン酸化膜をプラズマ窒化した際に膜中
の結晶欠陥を低減し、例えば、ＭＯＳキャパシタの絶縁
膜として用いた場合、酸化膜と同程度のフラットバンド
電圧を得ることができるシリコンのプラズマ酸窒化膜形
成方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板上に形成されたシリコン酸
化膜をプラズマ窒化してシリコン酸窒化膜を形成する際
に、窒素およびアルゴンからなるプロセスガスに水素を
同伴させる。
の結晶欠陥を低減し、例えば、ＭＯＳキャパシタの絶縁
膜として用いた場合、酸化膜と同程度のフラットバンド
電圧を得ることができるシリコンのプラズマ酸窒化膜形
成方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板上に形成されたシリコン酸
化膜をプラズマ窒化してシリコン酸窒化膜を形成する際
に、窒素およびアルゴンからなるプロセスガスに水素を
同伴させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン酸窒化膜
形成方法に関する。
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンの熱酸化膜は、メモリ用のＭＯ
ＳＦＥＴのゲート絶縁膜やＤＲＡＭのキャパシタ絶縁膜
等に用いられる。近年の半導体デバイスの集積度の高度
化に伴い、ＭＯＳＦＥＴ等の占有面積を小さくする必要
があるが、そのためには一定の静電容量を保つためにシ
リコンの熱酸化膜の膜厚を薄くすることが求められ、ま
た、素子の微細化に伴うスケーリングの要請から、昨今
では、数十Å程度までの熱酸化膜の薄膜化が要求され
る。
ＳＦＥＴのゲート絶縁膜やＤＲＡＭのキャパシタ絶縁膜
等に用いられる。近年の半導体デバイスの集積度の高度
化に伴い、ＭＯＳＦＥＴ等の占有面積を小さくする必要
があるが、そのためには一定の静電容量を保つためにシ
リコンの熱酸化膜の膜厚を薄くすることが求められ、ま
た、素子の微細化に伴うスケーリングの要請から、昨今
では、数十Å程度までの熱酸化膜の薄膜化が要求され
る。
【０００３】このようなシリコンの熱酸化膜の薄膜化
は、一方で、半導体デバイスの集積度の高度化の前提と
して求められる膜の性能や信頼性の向上が損なわれると
いう問題を顕在化させることになる。
は、一方で、半導体デバイスの集積度の高度化の前提と
して求められる膜の性能や信頼性の向上が損なわれると
いう問題を顕在化させることになる。
【０００４】このため、シリコンの熱酸化膜に代わる良
好な絶縁膜として、例えば、構造が緻密なシリコンの窒
化膜が検討されている。
好な絶縁膜として、例えば、構造が緻密なシリコンの窒
化膜が検討されている。
【０００５】シリコン窒化膜形成方法としては、プロセ
スガスとして、例えば、アンモニアおよびモノシランを
用いた、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法および光ＣＶＤ
法等の各種ＣＶＤ法や、プロセスガスとして窒素を用い
て熱またはプラズマ法により窒化する方法等が考えられ
ている。
スガスとして、例えば、アンモニアおよびモノシランを
用いた、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法および光ＣＶＤ
法等の各種ＣＶＤ法や、プロセスガスとして窒素を用い
て熱またはプラズマ法により窒化する方法等が考えられ
ている。
【０００６】しかしながら、これらのシリコン窒化膜形
成方法は、界面特性や膜質の点で必ずしも良好ではな
い。
成方法は、界面特性や膜質の点で必ずしも良好ではな
い。
【０００７】上記シリコン窒化膜形成方法方法に代え
て、シリコンの熱酸化膜を形成した後、熱酸化膜をＮ２
ガスを用いてプラズマ窒化してシリコンの酸窒化膜を形
成する方法がある。
て、シリコンの熱酸化膜を形成した後、熱酸化膜をＮ２
ガスを用いてプラズマ窒化してシリコンの酸窒化膜を形
成する方法がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のシリコン酸窒化膜形成方法によって形成された
シリコン酸窒化膜のなかには、例えば、この膜を絶縁膜
とするＭＯＳキャパシタの場合、フラットバンド電圧が
シフトする現象を生じるものがある。
た従来のシリコン酸窒化膜形成方法によって形成された
シリコン酸窒化膜のなかには、例えば、この膜を絶縁膜
とするＭＯＳキャパシタの場合、フラットバンド電圧が
シフトする現象を生じるものがある。
【０００９】通常、デバイスは、熱酸化膜を基準に設計
が行われており、動作電圧の閾値の制御は、基板の不純
物濃度を調整することによって行われている。このと
き、上記したように、酸窒化膜を熱酸化膜に代えて用い
ることによりフラットバンド電圧がシフトすると、動作
電圧の閾値が変わるため、デバイスの動作不良を起こす
原因となる。
が行われており、動作電圧の閾値の制御は、基板の不純
物濃度を調整することによって行われている。このと
き、上記したように、酸窒化膜を熱酸化膜に代えて用い
ることによりフラットバンド電圧がシフトすると、動作
電圧の閾値が変わるため、デバイスの動作不良を起こす
原因となる。
【００１０】上記した現象は、ダングリングボンド（未
結合手）によるもの、すなわち、シリコン基板との界面
における凹凸や膜中の結晶欠陥に起因するものと考えら
れる。このような結晶欠陥は、上記した現象を顕著には
生じない従来の他のシリコン酸窒化膜形成方法によって
形成されたシリコン酸窒化膜についても生じ得る。
結合手）によるもの、すなわち、シリコン基板との界面
における凹凸や膜中の結晶欠陥に起因するものと考えら
れる。このような結晶欠陥は、上記した現象を顕著には
生じない従来の他のシリコン酸窒化膜形成方法によって
形成されたシリコン酸窒化膜についても生じ得る。
【００１１】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、シリコン酸窒化膜形成と同時にダングリング
ボンドを水素により低減し、ＭＯＳキャパシタの絶縁膜
として用いた場合、フラットバンド電圧を制御して熱酸
化膜と同程度のフラットバンド電圧を得ることができる
シリコン酸窒化膜形成方法を提供することを目的とす
る。
のであり、シリコン酸窒化膜形成と同時にダングリング
ボンドを水素により低減し、ＭＯＳキャパシタの絶縁膜
として用いた場合、フラットバンド電圧を制御して熱酸
化膜と同程度のフラットバンド電圧を得ることができる
シリコン酸窒化膜形成方法を提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るシリコン酸
窒化膜形成方法は、シリコン基板上に形成されたシリコ
ン酸化膜をプラズマ窒化してシリコン酸窒化膜を形成す
るシリコン酸窒化膜形成方法において、プロセスガスに
水素を同伴させることを特徴とする。
窒化膜形成方法は、シリコン基板上に形成されたシリコ
ン酸化膜をプラズマ窒化してシリコン酸窒化膜を形成す
るシリコン酸窒化膜形成方法において、プロセスガスに
水素を同伴させることを特徴とする。
【００１３】これにより、シリコンの熱酸化膜をプラズ
マ窒化した際に膜中の結晶欠陥を低減することができ
る。したがって、このシリコン酸窒化膜を、例えば、Ｍ
ＯＳキャパシタの絶縁膜として用いた場合、水素流量を
調整してフラットバンド電圧を制御し、熱酸化膜と同程
度のフラットバンド電圧を得ることができ、このため、
デバイス製造プロセスにおいて熱酸化膜と同様の取り扱
いをすることができて好適である。なお、シリコン酸窒
化膜は、素子分離などにも好適に用いることができる。
マ窒化した際に膜中の結晶欠陥を低減することができ
る。したがって、このシリコン酸窒化膜を、例えば、Ｍ
ＯＳキャパシタの絶縁膜として用いた場合、水素流量を
調整してフラットバンド電圧を制御し、熱酸化膜と同程
度のフラットバンド電圧を得ることができ、このため、
デバイス製造プロセスにおいて熱酸化膜と同様の取り扱
いをすることができて好適である。なお、シリコン酸窒
化膜は、素子分離などにも好適に用いることができる。
【００１４】この場合、前記プロセスガスに対する前記
水素の比率を体積基準で４％以下とすると好適である。
水素の比率を体積基準で４％以下とすると好適である。
【００１５】また、この場合、前記プロセスガスは、窒
素およびアルゴンであると、例えば、アンモニアとモノ
シランを用いるプラズマＣＶＤ法を採用する場合に比べ
て、界面特性や膜質の点でより好適である。
素およびアルゴンであると、例えば、アンモニアとモノ
シランを用いるプラズマＣＶＤ法を採用する場合に比べ
て、界面特性や膜質の点でより好適である。
【００１６】また、この場合、前記窒素を１００〜２０
０ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、前記アルゴンを９００〜１１
００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、前記水素を４０ｃｍ
３（Ｎ）／ｍｉｎ以下の各流量で３０〜６００ｓ流通さ
せると好適である。
０ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、前記アルゴンを９００〜１１
００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、前記水素を４０ｃｍ
３（Ｎ）／ｍｉｎ以下の各流量で３０〜６００ｓ流通さ
せると好適である。
【００１７】なお、一般的に、プラズマ照射を行った
後、還元性ガスを用いてアニーリングすることが行われ
ており、シリコン熱酸化膜のプラズマ窒化方法に関して
も、同様に、還元性ガスとして水素を用いてアニーリン
グすることが考えられる。しかしながら、その場合、ア
ニーリング操作の前に既に形成された酸窒化膜の高いバ
リヤ性によって酸窒化膜内への水素の浸透拡散が阻止さ
れアニ−ル効果が低く、本発明のような効果は十分に得
ることはできないものと思われる。
後、還元性ガスを用いてアニーリングすることが行われ
ており、シリコン熱酸化膜のプラズマ窒化方法に関して
も、同様に、還元性ガスとして水素を用いてアニーリン
グすることが考えられる。しかしながら、その場合、ア
ニーリング操作の前に既に形成された酸窒化膜の高いバ
リヤ性によって酸窒化膜内への水素の浸透拡散が阻止さ
れアニ−ル効果が低く、本発明のような効果は十分に得
ることはできないものと思われる。
【００１８】なお、本発明の水素を同伴する技術は、温
度や処理時間（反応時間）等のプロセス条件によってさ
らに検討を加えることにより、フラットバンド電圧の制
御バラツキを小さくするとともにリーク電流の増加を抑
制することのできる最適解を得ることにより、基板の不
純物濃度を調整する方法に代えて動作電圧の閾値を調整
する方法として用いることも実現可能と考えられる。
度や処理時間（反応時間）等のプロセス条件によってさ
らに検討を加えることにより、フラットバンド電圧の制
御バラツキを小さくするとともにリーク電流の増加を抑
制することのできる最適解を得ることにより、基板の不
純物濃度を調整する方法に代えて動作電圧の閾値を調整
する方法として用いることも実現可能と考えられる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明に係るシリコン酸窒化膜形
成方法の好適な実施の形態について、ＭＯＳＦＥＴのゲ
ート絶縁膜を例にとって、以下に説明する。
成方法の好適な実施の形態について、ＭＯＳＦＥＴのゲ
ート絶縁膜を例にとって、以下に説明する。
【００２０】まず、酸化膜の形成方法について説明す
る。
る。
【００２１】酸化膜の形成は、例えば、縦形の酸化炉を
用いて行われる。酸化炉内には、シリコン基板を配置す
るための石英ポート、石英ポートを加熱するための電気
炉、石英ポートを電気炉から挿脱するためのポートロー
ダ等が設けられる。
用いて行われる。酸化炉内には、シリコン基板を配置す
るための石英ポート、石英ポートを加熱するための電気
炉、石英ポートを電気炉から挿脱するためのポートロー
ダ等が設けられる。
【００２２】プロセスガスとして、例えば、塩酸を添加
したドライ酸素を用い、例えば、０．１ＭＰａ程度の圧
力下、プロセスガス流量５０００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ
程度を温度８５０℃程度で０．５ｍｉｎ程度酸化炉内を
流通させる。
したドライ酸素を用い、例えば、０．１ＭＰａ程度の圧
力下、プロセスガス流量５０００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ
程度を温度８５０℃程度で０．５ｍｉｎ程度酸化炉内を
流通させる。
【００２３】これにより、シリコン基板表面に、例え
ば、２ｎｍ程度の厚みの酸化膜が形成される。
ば、２ｎｍ程度の厚みの酸化膜が形成される。
【００２４】以上の方法で形成された酸化膜（熱酸化
膜）を、本実施の形態例のシリコン酸窒化膜形成方法で
酸窒化膜に形成する方法について、以下説明する。
膜）を、本実施の形態例のシリコン酸窒化膜形成方法で
酸窒化膜に形成する方法について、以下説明する。
【００２５】酸窒化膜形成は、プラズマ発生装置を用い
て行われる。
て行われる。
【００２６】プラズマ発生装置は、例えば、処理容器と
マイクロ波発生器とを有する。
マイクロ波発生器とを有する。
【００２７】処理容器は、基板を載置する載置台が内部
に設けられるとともに、マイクロ波導入口が形成されて
いる。また、処理容器は、流量制御されたプロセスガス
を供給するためのガス供給ノズルが設けられている。さ
らに、マイクロ波発生器にて発生したマイクロ波を処理
容器に導くための導波管が設けられるとともに、導波管
に接続され、載置台と対向するように、マイクロ波導入
口に平面アンテナ部材が設けられている。
に設けられるとともに、マイクロ波導入口が形成されて
いる。また、処理容器は、流量制御されたプロセスガス
を供給するためのガス供給ノズルが設けられている。さ
らに、マイクロ波発生器にて発生したマイクロ波を処理
容器に導くための導波管が設けられるとともに、導波管
に接続され、載置台と対向するように、マイクロ波導入
口に平面アンテナ部材が設けられている。
【００２８】マイクロ波発生器で発生したマイクロ波
は、導波管内を伝播して平面アンテナ部材に到達する。
さらに、平面アンテナ部材の中心部から放射状に周辺部
にマイクロ波伝播する間に、平面アンテナ部材に同心円
状に多数形成されたスリット間に静電界が生じ、これに
より、平面アンテナ直下に静電場が形成される。この静
電場により励起されたプロセスガスがプラズマ化し、基
板の表面が処理される。
は、導波管内を伝播して平面アンテナ部材に到達する。
さらに、平面アンテナ部材の中心部から放射状に周辺部
にマイクロ波伝播する間に、平面アンテナ部材に同心円
状に多数形成されたスリット間に静電界が生じ、これに
より、平面アンテナ直下に静電場が形成される。この静
電場により励起されたプロセスガスがプラズマ化し、基
板の表面が処理される。
【００２９】上記のプラズマ発生装置を用いた本実施の
形態例のシリコン酸窒化膜形成方法は、以下の手順で行
う。
形態例のシリコン酸窒化膜形成方法は、以下の手順で行
う。
【００３０】処理容器に搬入されたシリコン基板は、酸
化膜を形成した面を上に向けて載置台上に載置される。
そして、処理容器内の圧力を、例えば、２０〜２００Ｐ
ａ程度に、また、処理容器内の温度を、例えば、２００
〜４００℃程度に維持して、プロセスガスとして、窒素
およびアルゴンとともに水素を同伴させて流量制御しつ
つ処理容器に供給する。このときの各ガスの流量は、窒
素を１００〜２００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、アルゴンを
９００〜１１００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、水素を４０ｃ
ｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ以下とする。
化膜を形成した面を上に向けて載置台上に載置される。
そして、処理容器内の圧力を、例えば、２０〜２００Ｐ
ａ程度に、また、処理容器内の温度を、例えば、２００
〜４００℃程度に維持して、プロセスガスとして、窒素
およびアルゴンとともに水素を同伴させて流量制御しつ
つ処理容器に供給する。このときの各ガスの流量は、窒
素を１００〜２００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、アルゴンを
９００〜１１００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、水素を４０ｃ
ｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ以下とする。
【００３１】同時に、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周
波電力を５００〜２５００Ｗ印加する。
波電力を５００〜２５００Ｗ印加する。
【００３２】プラズマが安定状態になった後、引き続き
各ガスを３０〜６００ｓ流通させて処理を終了する（こ
の時間を反応時間とよぶ。）。
各ガスを３０〜６００ｓ流通させて処理を終了する（こ
の時間を反応時間とよぶ。）。
【００３３】図１に具体的な実験結果を示す。
【００３４】この場合、実験条件としては、水素流量の
みを０、２０、４０ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎの３水準で変
更し、他の条件は、略一定値とした。すなわち、圧力を
５０Ｐａ、温度を３００℃、ギャップを６５ｍｍ、窒素
流量を２００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、アルゴン流量を１
０００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、高周波電力を１５００
Ｗ、反応時間を９０ｓとした。
みを０、２０、４０ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎの３水準で変
更し、他の条件は、略一定値とした。すなわち、圧力を
５０Ｐａ、温度を３００℃、ギャップを６５ｍｍ、窒素
流量を２００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、アルゴン流量を１
０００ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎ、高周波電力を１５００
Ｗ、反応時間を９０ｓとした。
【００３５】このような条件で形成されたシリコン酸窒
化膜の評価結果を図１に示す。この場合、評価指標とし
てフラットバンド電圧を用いた。
化膜の評価結果を図１に示す。この場合、評価指標とし
てフラットバンド電圧を用いた。
【００３６】図１は、横軸に水素流量（単位：ｃｍ
３（Ｎ）／ｍｉｎ）を示し、縦軸にフラットバンド電圧
Ｖｆｂ（単位：Ｖ）を示す。なお、図中、各点を中心と
する上下幅は、データ数６個の３σ値を示す。
３（Ｎ）／ｍｉｎ）を示し、縦軸にフラットバンド電圧
Ｖｆｂ（単位：Ｖ）を示す。なお、図中、各点を中心と
する上下幅は、データ数６個の３σ値を示す。
【００３７】図１によれば、水素流量が０ｃｍ３（Ｎ）
／ｍｉｎの条件では、フラットバンド電圧は約−０．８
６４Ｖである。これに対して、水素流量が２０ｃｍ
３（Ｎ）／ｍｉｎの条件では、フラットバンド電圧は約
−０．７７８Ｖに上昇し、さらに、水素流量が４０ｃｍ
３（Ｎ）／ｍｉｎの条件では、フラットバンド電圧は約
−０．７６８Ｖに上昇している。
／ｍｉｎの条件では、フラットバンド電圧は約−０．８
６４Ｖである。これに対して、水素流量が２０ｃｍ
３（Ｎ）／ｍｉｎの条件では、フラットバンド電圧は約
−０．７７８Ｖに上昇し、さらに、水素流量が４０ｃｍ
３（Ｎ）／ｍｉｎの条件では、フラットバンド電圧は約
−０．７６８Ｖに上昇している。
【００３８】この場合、対応する酸化膜のフラットバン
ド電圧は、約０．８１Ｖであるため、この値に比べて、
参考例となる水素流量が０ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎの条件
のもの、すなわち、水素無添加の酸窒化膜はフラットバ
ンド電圧が負方向にシフトし、および、本発明の実施例
である水素をプロセスガスに添加（同伴）して形成した
酸窒化膜はフラットバンド電圧が正方向にシフトし、酸
化膜のフラットバンド電圧を超える値となることがわか
る。また、この場合、水素流量が約２０ｃｍ３（Ｎ）／
ｍｉｎを越える領域では、フラットバンド電圧が略一定
値に収束することがわかる。
ド電圧は、約０．８１Ｖであるため、この値に比べて、
参考例となる水素流量が０ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉｎの条件
のもの、すなわち、水素無添加の酸窒化膜はフラットバ
ンド電圧が負方向にシフトし、および、本発明の実施例
である水素をプロセスガスに添加（同伴）して形成した
酸窒化膜はフラットバンド電圧が正方向にシフトし、酸
化膜のフラットバンド電圧を超える値となることがわか
る。また、この場合、水素流量が約２０ｃｍ３（Ｎ）／
ｍｉｎを越える領域では、フラットバンド電圧が略一定
値に収束することがわかる。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係るシリコン酸窒化膜形成方法
によれば、シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜
をプラズマ窒化してシリコン酸窒化膜を形成するため、
シリコンの酸化膜をプラズマ窒化した際に膜中の結晶欠
陥を低減することができる。したがって、このシリコン
酸窒化膜を、例えば、ＭＯＳキャパシタの絶縁膜として
用いた場合、水素流量を調整してフラットバンド電圧を
制御することにより、熱酸化膜と同程度のフラットバン
ド電圧を得ることができる。
によれば、シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜
をプラズマ窒化してシリコン酸窒化膜を形成するため、
シリコンの酸化膜をプラズマ窒化した際に膜中の結晶欠
陥を低減することができる。したがって、このシリコン
酸窒化膜を、例えば、ＭＯＳキャパシタの絶縁膜として
用いた場合、水素流量を調整してフラットバンド電圧を
制御することにより、熱酸化膜と同程度のフラットバン
ド電圧を得ることができる。
【００４０】また、本発明に係るシリコン酸窒化膜形成
方法によれば、不純物の拡散を表面側で止め易い等のプ
ラズマ酸窒化膜の利点を生かすことができるまた、本発
明に係るシリコン酸窒化膜形成方法によれば、プロセス
ガスは、窒素およびアルゴンであるため、例えば、アン
モニアとモノシランを用いるプラズマＣＶＤ法を採用す
る場合に比べて、界面特性や膜質の点でより好適であ
る。
方法によれば、不純物の拡散を表面側で止め易い等のプ
ラズマ酸窒化膜の利点を生かすことができるまた、本発
明に係るシリコン酸窒化膜形成方法によれば、プロセス
ガスは、窒素およびアルゴンであるため、例えば、アン
モニアとモノシランを用いるプラズマＣＶＤ法を採用す
る場合に比べて、界面特性や膜質の点でより好適であ
る。
【図１】本実施の形態に係るシリコン酸窒化膜形成方法
によって形成したゲート絶縁膜のフラットバンド電圧を
測定した結果を示す図である。
によって形成したゲート絶縁膜のフラットバンド電圧を
測定した結果を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松山 征嗣 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 本郷 俊明 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F058 BA11 BC11 BF72 BF74 BJ02 5F140 AA06 AC32 BA01 BD09 BE07 BE08
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコン基板上に形成されたシリコン酸
化膜をプラズマ窒化してシリコン酸窒化膜を形成するシ
リコン酸窒化膜形成方法において、 プロセスガスに水素を同伴させることを特徴とするシリ
コン酸窒化膜形成方法。 - 【請求項２】 前記プロセスガスに対する前記水素の比
率を体積基準で４％以下としたことを特徴とする請求項
１記載のシリコン酸窒化膜形成方法。 - 【請求項３】 前記プロセスガスは、窒素およびアルゴ
ンであることを特徴とする請求項１記載のシリコン酸窒
化膜形成方法。 - 【請求項４】 前記窒素を１００〜２００ｃｍ３（Ｎ）
／ｍｉｎ、前記アルゴンを９００〜１１００ｃｍ
３（Ｎ）／ｍｉｎ、前記水素を４０ｃｍ３（Ｎ）／ｍｉ
ｎ以下の各流量で３０〜６００ｓ流通させることを特徴
とする請求項３記載のシリコン酸窒化膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004128A JP2002208593A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | シリコン酸窒化膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004128A JP2002208593A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | シリコン酸窒化膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208593A true JP2002208593A (ja) | 2002-07-26 |
Family
ID=18872359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001004128A Pending JP2002208593A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | シリコン酸窒化膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002208593A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003015151A1 (en) * | 2001-08-02 | 2003-02-20 | Tokyo Electron Limited | Base material treating method and electron device-use material |
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