JP2002203977A - 高効率シリコン−ゲルマニウム太陽電池 - Google Patents
高効率シリコン−ゲルマニウム太陽電池Info
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- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 3
- 238000000038 ultrahigh vacuum chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- -1 that is Chemical compound 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、シリコンｐ−ｎダイオード接合部
の空間電荷帯域中に作用ベース層としての量子井戸構造
体を有するシリコン−ゲルマニウム薄層太陽電池を内容
とする。 【解決手段】 量子井戸構造体は、シリコン及びゲルマ
ニウムからなる層順序から構成されている。 【効果】 本発明の方法により、シリコン太陽電池中に
高吸収性ベース層が製造される。
の空間電荷帯域中に作用ベース層としての量子井戸構造
体を有するシリコン−ゲルマニウム薄層太陽電池を内容
とする。 【解決手段】 量子井戸構造体は、シリコン及びゲルマ
ニウムからなる層順序から構成されている。 【効果】 本発明の方法により、シリコン太陽電池中に
高吸収性ベース層が製造される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、請求項１の上位概
念による太陽電池並びに請求項６の上位概念による方法
に関するものである。
念による太陽電池並びに請求項６の上位概念による方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄層太陽電池の場合、その効率は、該薄
層太陽電池の吸収能によって決定される。しかしなが
ら、シリコン太陽電池においては、経済的な検討の末に
縮小された作用領域の膜厚が、短絡電流を減少させるこ
とになった。他方で、これを補うために、電池の作用領
域において、できるだけ高い吸収能を有する層系が使用
されなければならなかった。この場合、シリコンよりも
少ないバンド間隔を有する材料、即ち、ゲルマニウムの
使用に大きな期待がかけられている。シリコン−ゲルマ
ニウム化合物（ＳｉＧｅ）は、殊に、純粋なシリコン半
導体テクノロジーに対する適合性によって、既に、しば
らく前から、傑出した性能により知られている。
層太陽電池の吸収能によって決定される。しかしなが
ら、シリコン太陽電池においては、経済的な検討の末に
縮小された作用領域の膜厚が、短絡電流を減少させるこ
とになった。他方で、これを補うために、電池の作用領
域において、できるだけ高い吸収能を有する層系が使用
されなければならなかった。この場合、シリコンよりも
少ないバンド間隔を有する材料、即ち、ゲルマニウムの
使用に大きな期待がかけられている。シリコン−ゲルマ
ニウム化合物（ＳｉＧｅ）は、殊に、純粋なシリコン半
導体テクノロジーに対する適合性によって、既に、しば
らく前から、傑出した性能により知られている。
【０００３】Ｓａｉｄ他（Ｄｅｓｉｇｎ，Ｆａｂｒｉｃ
ａｔｉｏｎ，ａｎｄ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉ−ＳｉＧｅ Ｈｅｔｅｒｏｓｔ
ｒｕｃｔｕｒｅ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｓｏｌａｒ Ｃ
ｅｌｌｓ、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｅｌｅｃｔ
ｒ．Ｄｅｖ．、第４６巻、第１０号、第２１０３頁（１
９９９））の文献には、Ｓｉ／ＳｉＧｅ−ヘテロ構造層
から構成された太陽電池が記載されている。ヘテロ層の
使用によって、電池の効率の飛躍的な向上が期待されて
いる。確かに、ゲルマニウム含量の増大の際には、シリ
コン基板に関するゲルマニウムの格子欠陥適合のため
に、層をエピタキシャル析出させる困難が克服されてい
る。特に、欠陥適合から結果として生じる転位が妨げら
れていることが判明している。電池の吸収領域（ｐ−ｎ
空間電荷帯域）における転位密度の増大、殊に表面に添
って延びるいわゆる貫通転位（英語、ｔｈｒｅａｄｉｎ
ｇ ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｓ（貫通転位））によっ
て、暗流が増大する；これは、電池の開放端子電圧（Ｖ
ｏｃ）の減衰及び劣った占積率に直接つながっている。
同様に、バンド構造、ひいては効率に対してマイナスの
影響を直接及ぼす格子適合の緩和は望ましいことではな
い。
ａｔｉｏｎ，ａｎｄ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉ−ＳｉＧｅ Ｈｅｔｅｒｏｓｔ
ｒｕｃｔｕｒｅ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｓｏｌａｒ Ｃ
ｅｌｌｓ、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｅｌｅｃｔ
ｒ．Ｄｅｖ．、第４６巻、第１０号、第２１０３頁（１
９９９））の文献には、Ｓｉ／ＳｉＧｅ−ヘテロ構造層
から構成された太陽電池が記載されている。ヘテロ層の
使用によって、電池の効率の飛躍的な向上が期待されて
いる。確かに、ゲルマニウム含量の増大の際には、シリ
コン基板に関するゲルマニウムの格子欠陥適合のため
に、層をエピタキシャル析出させる困難が克服されてい
る。特に、欠陥適合から結果として生じる転位が妨げら
れていることが判明している。電池の吸収領域（ｐ−ｎ
空間電荷帯域）における転位密度の増大、殊に表面に添
って延びるいわゆる貫通転位（英語、ｔｈｒｅａｄｉｎ
ｇ ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｓ（貫通転位））によっ
て、暗流が増大する；これは、電池の開放端子電圧（Ｖ
ｏｃ）の減衰及び劣った占積率に直接つながっている。
同様に、バンド構造、ひいては効率に対してマイナスの
影響を直接及ぼす格子適合の緩和は望ましいことではな
い。
【０００４】特にゲルマニウム層系は、Ｂｒｕｎｈｅｓ
他の刊行物（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ
ｏｆ Ｇｅ／Ｓｉ ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ
ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、第７７巻、第１２号、第
１８２２頁（２０００年））に記載されている。発光ダ
イオードの製造のために、シリコン基板上に島状にゲル
マニウムが載置されていた。Ｇｅインゼルは、１．４〜
１．５μｍの間の波長領域における共鳴によるエレクト
ロルミネセンス及びホトルミネセンスを増大させる。
他の刊行物（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ
ｏｆ Ｇｅ／Ｓｉ ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ
ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、第７７巻、第１２号、第
１８２２頁（２０００年））に記載されている。発光ダ
イオードの製造のために、シリコン基板上に島状にゲル
マニウムが載置されていた。Ｇｅインゼルは、１．４〜
１．５μｍの間の波長領域における共鳴によるエレクト
ロルミネセンス及びホトルミネセンスを増大させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明には、シリコン
−ゲルマニウム太陽電池の効率を改善するという課題が
課されている。
−ゲルマニウム太陽電池の効率を改善するという課題が
課されている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１及び
６の特徴部によって再現されている。他の請求項には、
本発明の有利な実施態様及び変法が記載されている。
６の特徴部によって再現されている。他の請求項には、
本発明の有利な実施態様及び変法が記載されている。
【０００７】本発明は、シリコンｐ−ｎダイオード接合
部の空間電荷帯域内に量子井戸構造体を有するシリコン
（Ｓｉ）／シリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ／Ｇｅ）薄層
太陽電池を内容としている。量子井戸構造体は、シリコ
ンとゲルマニウムとからなる層順序から構成されてい
る。こうして、高吸収性ベース層がシリコンベース太陽
電池中で製造される。
部の空間電荷帯域内に量子井戸構造体を有するシリコン
（Ｓｉ）／シリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ／Ｇｅ）薄層
太陽電池を内容としている。量子井戸構造体は、シリコ
ンとゲルマニウムとからなる層順序から構成されてい
る。こうして、高吸収性ベース層がシリコンベース太陽
電池中で製造される。
【０００８】量子井戸構造体の層順序は、一方では、自
己組織化ゲルマニウムインゼルのエピタキシャル成長及
び／又は僅かな原子単層（ＭＬ）シリコン及びゲルマニ
ウムの析出によって形成される。他方で、ｐ−ドープさ
れたシリコン基板上には、エピタキシャルＳｉｎＧｅｍ
超薄層過剰格子（ｍＭＬＳｉ、ｎＭｌＧｅ；１ＭＬ＝
０．１４ｎｍ）が形成される。エピタクシー法として
は、分子線エピタクシー（ＭＢＥ）、低圧気相エピタク
シー（ＬＰ−ＣＶＤ）又は超高真空気相エピタクシー
（ＵＨＶ−ＣＶＤ）が使用されている。
己組織化ゲルマニウムインゼルのエピタキシャル成長及
び／又は僅かな原子単層（ＭＬ）シリコン及びゲルマニ
ウムの析出によって形成される。他方で、ｐ−ドープさ
れたシリコン基板上には、エピタキシャルＳｉｎＧｅｍ
超薄層過剰格子（ｍＭＬＳｉ、ｎＭｌＧｅ；１ＭＬ＝
０．１４ｎｍ）が形成される。エピタクシー法として
は、分子線エピタクシー（ＭＢＥ）、低圧気相エピタク
シー（ＬＰ−ＣＶＤ）又は超高真空気相エピタクシー
（ＵＨＶ−ＣＶＤ）が使用されている。
【０００９】本発明の１つの利点は、殊に太陽光の長波
領域（λ＞λｇ Ｓｉ）におけるベース中での本質的に改
善された吸収能による、従来のシリコン太陽電池に比し
て効率の改善にある。Ｓｉ／ＳｉＧｅ境界面における欠
陥適合転位を形成せずに、ベースにおけるＳｉＧｅ量子
井戸（ＱＷ‘ｓ）及び自己組織化して成長するＧｅイン
ゼルの上記のエピタクシー析出によって、電池の短絡電
流は増大するが、Ｓｉ参照電池に比して端子電圧が著し
く低下することはない。本発明によるＳｉ基板上に析出
され弾性固定された（仮像）Ｓｉ／ＳｉＧｅ層順序は、
長波光子をＳｉバンドギャップの下方で吸収する、Ｓｉ
に比して少ないバンドギャップを有している。この結
果、不変の活性層厚の場合に、電池の短絡電流は著しく
増大するが、その際に、暗流が本質的に増大することは
ない。
領域（λ＞λｇ Ｓｉ）におけるベース中での本質的に改
善された吸収能による、従来のシリコン太陽電池に比し
て効率の改善にある。Ｓｉ／ＳｉＧｅ境界面における欠
陥適合転位を形成せずに、ベースにおけるＳｉＧｅ量子
井戸（ＱＷ‘ｓ）及び自己組織化して成長するＧｅイン
ゼルの上記のエピタクシー析出によって、電池の短絡電
流は増大するが、Ｓｉ参照電池に比して端子電圧が著し
く低下することはない。本発明によるＳｉ基板上に析出
され弾性固定された（仮像）Ｓｉ／ＳｉＧｅ層順序は、
長波光子をＳｉバンドギャップの下方で吸収する、Ｓｉ
に比して少ないバンドギャップを有している。この結
果、不変の活性層厚の場合に、電池の短絡電流は著しく
増大するが、その際に、暗流が本質的に増大することは
ない。
【００１０】以下に、本発明を、有利な実施例に基づい
て図面における略符号に関連して詳細に説明する。
て図面における略符号に関連して詳細に説明する。
【００１１】
【実施例】図１に記載の第一の実施例は、シリコン、＜
１００＞基板上のＧｅインゼルの層構造を示している：
１００＞基板上のＧｅインゼルの層構造を示している：
【００１２】
【表１】
【００１３】作用領域は、高吸収性ベース層として、相
対的に低いＧｅ含量、例えば１６ＭＬ＝２．２ｎｍＳｉ
Ｇｅ０．３を有する幅広の平面的Ｓｉ１ - ｘＧｅｘＱＷ
層４１と、湿潤層として用いる高いＧｅ含量を有するよ
り薄い層４２、例えば４ＭＬＧｅの２つの部分からな
る。また、前記の部分は、種々のＧｅ含量又は２Ｓｉ ｍ
Ｇｅｎを有する２Ｓｉ１ - ｘＧｅｘＱＷ合金層（又はＧ
ｅｍ／Ｓｉ２０／Ｇｅ ｍ、ｎ＝２．４）又は種々の有効
Ｇｅ含量を有する過剰格子から構成されている。
対的に低いＧｅ含量、例えば１６ＭＬ＝２．２ｎｍＳｉ
Ｇｅ０．３を有する幅広の平面的Ｓｉ１ - ｘＧｅｘＱＷ
層４１と、湿潤層として用いる高いＧｅ含量を有するよ
り薄い層４２、例えば４ＭＬＧｅの２つの部分からな
る。また、前記の部分は、種々のＧｅ含量又は２Ｓｉ ｍ
Ｇｅｎを有する２Ｓｉ１ - ｘＧｅｘＱＷ合金層（又はＧ
ｅｍ／Ｓｉ２０／Ｇｅ ｍ、ｎ＝２．４）又は種々の有効
Ｇｅ含量を有する過剰格子から構成されている。
【００１４】第二の部分は、平面的に成長したＧｅ湿潤
層の上に適当な析出パラメータ（ＭＢＥ、約Ｔ＝７００
℃）の選択の際に、その下に存在するヘテロ境界面（Ｓ
ｉ／ＳｉＧｅ０．３又はＳｉＧｅ０．３／Ｇｅ）での欠
陥適合転位を生じさせることなく核化している立体的Ｇ
ｅインゼル４３からなる。湿潤層４２上での立体的Ｇｅ
インゼル４３の成長は、いわゆるストランスキー・クラ
スタノフモデルにより行われるが、その際、格子欠陥適
合した半導体層系の層表面におけるエネルギー挙動の結
果、エピタキシャルインゼル成長が行われる。温度が、
固体表面上での拡散メカニズムを制御するが、これは、
層製造の際の特に重要なパラメータである。析出は、有
利に５００〜７００℃の温度範囲内で行われる。僅かに
ｐ−ドープされたベース層（２ １０１５ｃｍ- ３；図
１、３、４参照）とｎ−ドープされたエミッタ層との間
には、５００〜７５０ｎｍの厚さのｐ−ドープされたＳ
ｉ分離層が存在しており、該分離層が、ｐ−ｎ接合部
を、Ｓｉ／ＳｉＧｅヘテロ接合部から空間的に分離し、
同様に、作用層を、エミッタ表面に対して適切な間隔を
あけて配置している（Ｋ．Ｓａｉｄ他、ＩＥＥＥ ＥＤ
Ｌ４６、第２１０３頁（１９９９）参照）。ドープ水準
は、ＳｉＧｅ量子井戸が空間電荷幅の範囲内に存在する
ように選択されている。
層の上に適当な析出パラメータ（ＭＢＥ、約Ｔ＝７００
℃）の選択の際に、その下に存在するヘテロ境界面（Ｓ
ｉ／ＳｉＧｅ０．３又はＳｉＧｅ０．３／Ｇｅ）での欠
陥適合転位を生じさせることなく核化している立体的Ｇ
ｅインゼル４３からなる。湿潤層４２上での立体的Ｇｅ
インゼル４３の成長は、いわゆるストランスキー・クラ
スタノフモデルにより行われるが、その際、格子欠陥適
合した半導体層系の層表面におけるエネルギー挙動の結
果、エピタキシャルインゼル成長が行われる。温度が、
固体表面上での拡散メカニズムを制御するが、これは、
層製造の際の特に重要なパラメータである。析出は、有
利に５００〜７００℃の温度範囲内で行われる。僅かに
ｐ−ドープされたベース層（２ １０１５ｃｍ- ３；図
１、３、４参照）とｎ−ドープされたエミッタ層との間
には、５００〜７５０ｎｍの厚さのｐ−ドープされたＳ
ｉ分離層が存在しており、該分離層が、ｐ−ｎ接合部
を、Ｓｉ／ＳｉＧｅヘテロ接合部から空間的に分離し、
同様に、作用層を、エミッタ表面に対して適切な間隔を
あけて配置している（Ｋ．Ｓａｉｄ他、ＩＥＥＥ ＥＤ
Ｌ４６、第２１０３頁（１９９９）参照）。ドープ水準
は、ＳｉＧｅ量子井戸が空間電荷幅の範囲内に存在する
ように選択されている。
【００１５】外部Ｓｉセルのエミッタ空間電荷帯域中へ
の前記の層の導入によって、上記のように、図２中に記
載したバンド経過曲線が生じる。Ｇｅ／ＳｉＧｅもしく
はＳｉＧｅ二重ポット中で発光し、局在化した孔は、Ｓ
ｉ価電子帯中への局在化した状態の熱放出又はトンネル
による僅かに深いＧｅ／ＳｉＧｅ量子井戸ポットの局在
化した状態の空間電荷帯域中での強力な電界（強力なバ
ンド屈曲）及び外部Ｓｉ接点への拡散電圧によって拡大
し、これによって、光電流の一部となり、Ｓｉ参照電池
に比して電池の効率を決定的に向上させる。
の前記の層の導入によって、上記のように、図２中に記
載したバンド経過曲線が生じる。Ｇｅ／ＳｉＧｅもしく
はＳｉＧｅ二重ポット中で発光し、局在化した孔は、Ｓ
ｉ価電子帯中への局在化した状態の熱放出又はトンネル
による僅かに深いＧｅ／ＳｉＧｅ量子井戸ポットの局在
化した状態の空間電荷帯域中での強力な電界（強力なバ
ンド屈曲）及び外部Ｓｉ接点への拡散電圧によって拡大
し、これによって、光電流の一部となり、Ｓｉ参照電池
に比して電池の効率を決定的に向上させる。
【００１６】図３によるもう１つの実施例は、シリコン
＜１００＞基板上にＧｅ及びＳｉ量子井戸層を有する太
陽電池の層構造を示している：
＜１００＞基板上にＧｅ及びＳｉ量子井戸層を有する太
陽電池の層構造を示している：
【００１７】
【表２】
【００１８】図４によるもう１つの実施例は、シリコン
＜１００＞基板上にＳｉnＧｅm超薄層過剰格子を有する
太陽電池の層構造を示している：
＜１００＞基板上にＳｉnＧｅm超薄層過剰格子を有する
太陽電池の層構造を示している：
【００１９】
【表３】
【図１】図１は、Ｇｅインゼル太陽電池の略示的層構造
を示す。
を示す。
【図２】図２は、Ｇｅインゼル太陽電池のバンド経過曲
線を示す。
線を示す。
【図３】図３は、Ｇｅ及びＳｉ量子井戸層を有する太陽
電池の略示的層構造を示す。
電池の略示的層構造を示す。
【図４】ＳｉｎＧｅｍ超薄層過剰格子を有する太陽電池
の略示的層構造
の略示的層構造
【符号の説明】 １ 基板、 ２ 基板、 ３ 基板、 ４１ 量子井戸
構造層（ベース層）、４２ 湿潤層（ベース層）、 ４
３ Ｇｅインゼル層（ベース層）、 ４４量子井戸層
（ベース層）、 ４５ Ｇｅ層（ベース層）、 ４６
Ｓｉ層（ベース層）、 ４７ Ｇｅ層（ベース層）、
４８ ベース層、 ４９ Ｇｅ層、４１０ Ｓｉ層（ベ
ース層）、 ４１１ ベース層、 ４１２ ベース層、
４１３ ベース層、 ５ Ｓｉ被覆層（ベース層）、
６ ダイオード接合部（分離層）、 ７ ダイオード
接合部（放出層）、 ８ エミッタ層
構造層（ベース層）、４２ 湿潤層（ベース層）、 ４
３ Ｇｅインゼル層（ベース層）、 ４４量子井戸層
（ベース層）、 ４５ Ｇｅ層（ベース層）、 ４６
Ｓｉ層（ベース層）、 ４７ Ｇｅ層（ベース層）、
４８ ベース層、 ４９ Ｇｅ層、４１０ Ｓｉ層（ベ
ース層）、 ４１１ ベース層、 ４１２ ベース層、
４１３ ベース層、 ５ Ｓｉ被覆層（ベース層）、
６ ダイオード接合部（分離層）、 ７ ダイオード
接合部（放出層）、 ８ エミッタ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウルフ ケーニッヒ ドイツ連邦共和国 ウルム シュルテトゥ スヴェーク ２ (72)発明者 ヨハネス コンレ ドイツ連邦共和国 フェーリンゲン ヒル シュシュトラーセ ９ (72)発明者 ハルトムート プレスティング ドイツ連邦共和国 ブラウシュタイン エ ルハルト−グレツィンガー−シュトラーセ 64 Ｆターム(参考） 5F051 AA02 CB11 CB12 DA03 DA13
Claims (6)
- 【請求項１】 シリコン−ゲルマニウム薄層太陽電池に
おいて、シリコン基板（１、２、３）の上に、シリコン
とゲルマニウムとからの層順序から構成された量子井戸
構造体が、シリコンｐ−ｎダイオード接合部（６、７）
の空間電荷帯域中に対応配置されていることを特徴とす
る、シリコン−ゲルマニウム薄層太陽電池。 - 【請求項２】 量子井戸構造層（４１）、湿潤層（４
２）、Ｇｅインゼル層（４３）及び、シリコンよりも僅
かなバンドギャップを有する量子井戸構造体を有するＳ
ｉ被覆層（５）の繰り返し順序からなる層順序から構成
されている、請求項１に記載の太陽電池。 - 【請求項３】 第一の量子井戸層（４４）、Ｇｅ層（４
５）、第一のＳｉ層（４６）、第二のＧｅ層（４７）、
第二の量子井戸層（４８）及び、シリコンよりも僅かな
バンドギャップを有する量子井戸構造体を有するＳｉ被
覆層（５）の繰り返し順序からなる層順序から構成され
ている、請求項１に記載の太陽電池。 - 【請求項４】 Ｇｅ層（４９）、Ｓｉ層（４１０）の第
一の繰り返し順序及び、第一の順序と、シリコンよりも
僅かなバンドギャップを有する量子井戸構造体を有する
Ｓｉ被覆層（５）とからなる第二の繰り返し順序からな
る層順序から構成されている、請求項１に記載の太陽電
池。 - 【請求項５】 該順序が、各層の１０〜２０回の繰り返
しを含む、請求項２から４までのいずれか１項に記載の
太陽電池。 - 【請求項６】 層順序を、分子線エピタクシー（ＭＢ
Ｅ）、低圧気相エピタクシー（ＬＰ−ＣＶＤ）又は超高
真空気相エピタクシー（ＵＨＶ−ＣＶＤ）を用いて製造
する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の太陽
電池の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10061192.3 | 2000-12-08 | ||
| DE10061192 | 2000-12-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203977A true JP2002203977A (ja) | 2002-07-19 |
Family
ID=7666367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001374692A Abandoned JP2002203977A (ja) | 2000-12-08 | 2001-12-07 | 高効率シリコン−ゲルマニウム太陽電池 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6670544B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002203977A (ja) |
| DE (1) | DE10139509A1 (ja) |
| FR (1) | FR2818014B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006114815A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Fujitsu Ltd | 太陽電池 |
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| WO2006090994A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-31 | Siliconfile Technologies Inc. | Solar cell having silicon-germanium junction |
| JP2007519237A (ja) * | 2004-01-20 | 2007-07-12 | シリアム・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | エピタキシャルに成長させた量子ドット材料を有する太陽電池 |
| US9018515B2 (en) | 2004-01-20 | 2015-04-28 | Cyrium Technologies Incorporated | Solar cell with epitaxially grown quantum dot material |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7645517B2 (en) * | 2000-08-08 | 2010-01-12 | Translucent, Inc. | Rare earth-oxides, rare earth nitrides, rare earth phosphides and ternary alloys with silicon |
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| WO2005101530A1 (en) | 2004-04-19 | 2005-10-27 | Edward Sargent | Optically-regulated optical emission using colloidal quantum dot nanocrystals |
| US7742322B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-06-22 | Invisage Technologies, Inc. | Electronic and optoelectronic devices with quantum dot films |
| US7746681B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-06-29 | Invisage Technologies, Inc. | Methods of making quantum dot films |
| US7773404B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-08-10 | Invisage Technologies, Inc. | Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same |
| US20060049464A1 (en) | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Rao G R Mohan | Semiconductor devices with graded dopant regions |
| CA2519608A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-07 | Edward Sargent | Quantum dot-polymer nanocomposite photodetectors and photovoltaics |
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| US20090194152A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-06 | National Taiwan University | Thin-film solar cell having hetero-junction of semiconductor and method for fabricating the same |
| US8093488B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-01-10 | Seagate Technology Llc | Hybrid photovoltaic cell using amorphous silicon germanium absorbers with wide bandgap dopant layers and an up-converter |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB9122197D0 (en) | 1991-10-18 | 1991-11-27 | Imperial College | A concentrator solar cell |
| JP2615404B2 (ja) * | 1993-04-16 | 1997-05-28 | 工業技術院長 | 太陽電池 |
| DE19620761A1 (de) * | 1996-05-23 | 1997-11-27 | Daimler Benz Ag | Optoelektrisches Bauelement mit einer modulationsdotierten Schichtstruktur |
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| ES2149137B1 (es) * | 1999-06-09 | 2001-11-16 | Univ Madrid Politecnica | Celula solar fotovoltaica de semiconductor de banda intermedia. |
-
2001
- 2001-08-10 DE DE10139509A patent/DE10139509A1/de not_active Ceased
- 2001-12-06 US US10/008,631 patent/US6670544B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-07 JP JP2001374692A patent/JP2002203977A/ja not_active Abandoned
- 2001-12-07 FR FR0115840A patent/FR2818014B1/fr not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2818014A1 (fr) | 2002-06-14 |
| US6670544B2 (en) | 2003-12-30 |
| DE10139509A1 (de) | 2002-06-27 |
| US20020112755A1 (en) | 2002-08-22 |
| FR2818014B1 (fr) | 2005-08-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041029 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050927 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060612 |