JP2002203507A - 凹凸像形成装置及び電子線分析装置 - Google Patents
凹凸像形成装置及び電子線分析装置Info
- Publication number
- JP2002203507A JP2002203507A JP2000401224A JP2000401224A JP2002203507A JP 2002203507 A JP2002203507 A JP 2002203507A JP 2000401224 A JP2000401224 A JP 2000401224A JP 2000401224 A JP2000401224 A JP 2000401224A JP 2002203507 A JP2002203507 A JP 2002203507A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample surface
- height
- image
- electron beam
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 20
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 5
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000177 wavelength dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100333170 Oryza sativa subsp. japonica EHD1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 定量的な凹凸像を求める凹凸像作成装置を提
供し、定量的な凹凸像によって正確な高さ補正を行う電
子線分析装置を提供する。 【解決手段】 複数の反射電子検出器２ａと、反射電子
検出器から得られる反射電子信号の強度分布から試料表
面上の法線ベクトルを求める手段２と、試料表面上の基
準点における高さを求める手段３と、試料表面の定量的
な凹凸像を求める手段４とを備えた構成とし、指向性の
高い反射電子を用いて試料表面上で局所的な法線ベクト
ルを求め、この法線ベクトルと基準位置の高さデータを
基にして試料表面の定量的な凹凸像を作成し、求めた定
量的凹凸像を用いて正確な高さ補正を行う。
供し、定量的な凹凸像によって正確な高さ補正を行う電
子線分析装置を提供する。 【解決手段】 複数の反射電子検出器２ａと、反射電子
検出器から得られる反射電子信号の強度分布から試料表
面上の法線ベクトルを求める手段２と、試料表面上の基
準点における高さを求める手段３と、試料表面の定量的
な凹凸像を求める手段４とを備えた構成とし、指向性の
高い反射電子を用いて試料表面上で局所的な法線ベクト
ルを求め、この法線ベクトルと基準位置の高さデータを
基にして試料表面の定量的な凹凸像を作成し、求めた定
量的凹凸像を用いて正確な高さ補正を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小領域の定量的
な凹凸像の作成、及び線分析やマッピング分析を行う電
子線分析装置に関する。
な凹凸像の作成、及び線分析やマッピング分析を行う電
子線分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＤＸ（エネルギー分散Ｘ線分光）やＷ
ＤＸ（波長分散Ｘ線分光）を用いた電子マイクロアナラ
イザー（ＥＰＭＡ）や走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）など
の電子線分析装置は、試料上に電子線を照射し、これに
よって放出される二次電子線、反射電子線、Ｘ線等を検
出することによって試料の表面分析を行う。このような
電子線分析装置では、試料上に照射する電子線を走査す
ることによって、二次電子線像、反射電子線像、Ｘ線像
の線分析像やマッピング像によって形状や組成分布を得
ることができる。
ＤＸ（波長分散Ｘ線分光）を用いた電子マイクロアナラ
イザー（ＥＰＭＡ）や走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）など
の電子線分析装置は、試料上に電子線を照射し、これに
よって放出される二次電子線、反射電子線、Ｘ線等を検
出することによって試料の表面分析を行う。このような
電子線分析装置では、試料上に照射する電子線を走査す
ることによって、二次電子線像、反射電子線像、Ｘ線像
の線分析像やマッピング像によって形状や組成分布を得
ることができる。
【０００３】電子線分析装置で線分析やマッピング分析
を行う場合、凹凸のある試料面において、点分析、線分
析、マッピング分析を精度良く行うために、各分析位置
において試料面の高さ制御を行う必要がある。例えばＷ
ＤＸでは、試料面の高さを分光器の集光条件を満足する
ように常に試料ステージの高さを補正する自動高さ補正
を適用するものが知られている。
を行う場合、凹凸のある試料面において、点分析、線分
析、マッピング分析を精度良く行うために、各分析位置
において試料面の高さ制御を行う必要がある。例えばＷ
ＤＸでは、試料面の高さを分光器の集光条件を満足する
ように常に試料ステージの高さを補正する自動高さ補正
を適用するものが知られている。
【０００４】従来、高さ検出器によってあらかじめ試料
表面の高さを求めておき、この高さ情報によって試料表
面を近似し、近似データに基づいて試料ステージの高さ
位置を調整する方法や、さらに、光学像から分析点の高
さを求め、これによって試料ステージの高さを補正する
ことが行われている。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で
は、試料面の立体的な像を得る装置として、測定用の二
次電子検出器を兼用したものが知られている。
表面の高さを求めておき、この高さ情報によって試料表
面を近似し、近似データに基づいて試料ステージの高さ
位置を調整する方法や、さらに、光学像から分析点の高
さを求め、これによって試料ステージの高さを補正する
ことが行われている。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で
は、試料面の立体的な像を得る装置として、測定用の二
次電子検出器を兼用したものが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】走査型電子顕微鏡が備
える二次電子検出器を用いた装置は、本来、試料表面の
定量的な高さを求めることを目的とするものでないた
め、測定用の二次電子検出器を兼用して構成している。
この二次電子信号を用いて試料の高さを求める装置で
は、二次電子信号の指向性が低いため、試料表面の面方
向を定量的な演算には不向きであるという問題がある。
また、二次電子信号にはエッジ効果が大量に含まれ、該
エッジ効果の量は試料の組成に大きく依存しているた
め、正確な高さ情報が得にくいという問題がある。
える二次電子検出器を用いた装置は、本来、試料表面の
定量的な高さを求めることを目的とするものでないた
め、測定用の二次電子検出器を兼用して構成している。
この二次電子信号を用いて試料の高さを求める装置で
は、二次電子信号の指向性が低いため、試料表面の面方
向を定量的な演算には不向きであるという問題がある。
また、二次電子信号にはエッジ効果が大量に含まれ、該
エッジ効果の量は試料の組成に大きく依存しているた
め、正確な高さ情報が得にくいという問題がある。
【０００６】また、従来知られている高さ検出器では、
複雑な凹凸面を正確にかつ容易に求めることが困難であ
るという問題がある。また、光学像を用いて高さ制御を
補正する方法では、試料面の明るさが低い場合には高精
度で焦点位置を求めることが困難であるいため、良好な
補正を行うことができないという問題がある。したがっ
て、従来の装置で得られる凹凸像は定性的なものであっ
て、良好な高さ情報が得がたいという問題があり、この
ような定性的凹凸像を用いて高さ調整では正確な高さ補
正が得にくいという問題がある。
複雑な凹凸面を正確にかつ容易に求めることが困難であ
るという問題がある。また、光学像を用いて高さ制御を
補正する方法では、試料面の明るさが低い場合には高精
度で焦点位置を求めることが困難であるいため、良好な
補正を行うことができないという問題がある。したがっ
て、従来の装置で得られる凹凸像は定性的なものであっ
て、良好な高さ情報が得がたいという問題があり、この
ような定性的凹凸像を用いて高さ調整では正確な高さ補
正が得にくいという問題がある。
【０００７】そこで、本発明は前記した従来の問題点を
解決し、定量的な凹凸像を求める凹凸像作成装置を提供
することを目的とし、定量的な凹凸像によって正確な高
さ補正を行う電子線分析装置を提供することを目的とす
る。
解決し、定量的な凹凸像を求める凹凸像作成装置を提供
することを目的とし、定量的な凹凸像によって正確な高
さ補正を行う電子線分析装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、指向性の高い
反射電子を用いて試料表面上で局所的な法線ベクトルを
求め、この法線ベクトルと基準位置の高さデータを基に
して試料表面の定量的な凹凸像を作成し、求めた定量的
凹凸像を用いて正確な高さ補正を行うものである。指向
性の高い反射電子を用いることによって、高精度の定量
的凹凸像を得ることができる。
反射電子を用いて試料表面上で局所的な法線ベクトルを
求め、この法線ベクトルと基準位置の高さデータを基に
して試料表面の定量的な凹凸像を作成し、求めた定量的
凹凸像を用いて正確な高さ補正を行うものである。指向
性の高い反射電子を用いることによって、高精度の定量
的凹凸像を得ることができる。
【０００９】図１は本発明による凹凸像作成を説明する
ための図である。図１（ａ）において、試料Ｓ上の点Ｐ
に電子ビームｅを照射すると、点Ｐで反射した電子は反
射電子線として検出される。反射電子線ベクトルβは反
射電子の進行方向を示しており、法線ベクトルαを対称
位置軸として電子ビームｅと対称の方向に反射する。法
線ベクトルαは試料表面の傾斜を表しているので、電子
ビームｅに入射方向が既知であれば、反射電子線ベクト
ルβから法線ベクトルαを求め、該法線ベクトルαから
点Ｐでの試料表面の傾斜を求めることができる。
ための図である。図１（ａ）において、試料Ｓ上の点Ｐ
に電子ビームｅを照射すると、点Ｐで反射した電子は反
射電子線として検出される。反射電子線ベクトルβは反
射電子の進行方向を示しており、法線ベクトルαを対称
位置軸として電子ビームｅと対称の方向に反射する。法
線ベクトルαは試料表面の傾斜を表しているので、電子
ビームｅに入射方向が既知であれば、反射電子線ベクト
ルβから法線ベクトルαを求め、該法線ベクトルαから
点Ｐでの試料表面の傾斜を求めることができる。
【００１０】図１（ｂ）で示すように、試料表面上の各
点で法線ベクトルαを求めることによって、試料Ｓの表
面の凹凸状態を求めることができる。また、試料表面上
の基準点の３次元座標を求めることによって、試料全体
の傾きを補正するとともに基準位置からの高さ求めて、
試料表面の凹凸像を求めることができる。
点で法線ベクトルαを求めることによって、試料Ｓの表
面の凹凸状態を求めることができる。また、試料表面上
の基準点の３次元座標を求めることによって、試料全体
の傾きを補正するとともに基準位置からの高さ求めて、
試料表面の凹凸像を求めることができる。
【００１１】本発明の反射電子線を用いた凹凸像装置と
して、複数の反射電子検出器と、反射電子検出器から得
られる反射電子信号の強度分布から試料表面上の法線ベ
クトルを求める手段と、試料表面上の基準点における高
さを求める手段と、試料表面の定量的な凹凸像を求める
手段とを備えた構成とする。
して、複数の反射電子検出器と、反射電子検出器から得
られる反射電子信号の強度分布から試料表面上の法線ベ
クトルを求める手段と、試料表面上の基準点における高
さを求める手段と、試料表面の定量的な凹凸像を求める
手段とを備えた構成とする。
【００１２】本発明の凹凸像作成装置は、図２のフロー
チャートに従って試料表面の凹凸像を作成する。複数の
反射電子検出器によって反射電子線を検出し、該反射電
子線の強度分布から試料表面上の各点の法線ベクトルを
求めるとともに（ステップＳ１）、光学顕微鏡等のフォ
ーカス機能を備える光学的焦点位置検出装置によって試
料表面上の基準点における高さを求める（ステップＳ
２）。
チャートに従って試料表面の凹凸像を作成する。複数の
反射電子検出器によって反射電子線を検出し、該反射電
子線の強度分布から試料表面上の各点の法線ベクトルを
求めるとともに（ステップＳ１）、光学顕微鏡等のフォ
ーカス機能を備える光学的焦点位置検出装置によって試
料表面上の基準点における高さを求める（ステップＳ
２）。
【００１３】ある点での法線ベクトルから得られるその
点における傾斜情報を用いて近傍点の高さを求める。求
めた近傍点での高さとその近傍点での法線ベクトルを用
いてさらに他の近傍点の高さを求める。この操作を順次
繰り返すことによって試料表面の凹凸形状を求める（ス
テップＳ３）。試料表面上の基準点における高さから、
試料表面の基準位置からの高さ及び試料全体の傾きを求
め、ステップＳ３で求めた凹凸形状と組み合わせて試料
表面の定量的な凹凸像を求める（ステップＳ４）。
点における傾斜情報を用いて近傍点の高さを求める。求
めた近傍点での高さとその近傍点での法線ベクトルを用
いてさらに他の近傍点の高さを求める。この操作を順次
繰り返すことによって試料表面の凹凸形状を求める（ス
テップＳ３）。試料表面上の基準点における高さから、
試料表面の基準位置からの高さ及び試料全体の傾きを求
め、ステップＳ３で求めた凹凸形状と組み合わせて試料
表面の定量的な凹凸像を求める（ステップＳ４）。
【００１４】また、本発明の電子線分析装置は、本発明
の凹凸像作成装置で求めた定量的凹凸像から試料表面の
高さデータを求め、該高さデータを用いて試料ステージ
の高さ方向を制御して試料面を分析位置に位置合わせす
ることによって、正確な高さ補正を行う。本発明の電子
線分析装置によれば、表面が凹凸形状の試料について、
ＷＤＸ（波長分散型Ｘ線分光器）等において試料ステー
ジを制御して、分布位置を自動補正しながらマッピング
分布を行うことができる。
の凹凸像作成装置で求めた定量的凹凸像から試料表面の
高さデータを求め、該高さデータを用いて試料ステージ
の高さ方向を制御して試料面を分析位置に位置合わせす
ることによって、正確な高さ補正を行う。本発明の電子
線分析装置によれば、表面が凹凸形状の試料について、
ＷＤＸ（波長分散型Ｘ線分光器）等において試料ステー
ジを制御して、分布位置を自動補正しながらマッピング
分布を行うことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
を参照しながら詳細に説明する。図３は本発明の凹凸像
作成装置を説明するための図である。なお、図３は電子
線分析装置においてＸ線を検出する場合について示して
いる。電子線分析装置１において、フィラメント等の電
子銃８から発生された電子ビームｅは、コンデンサレン
ズや対物レンズ（図示していない）及び反射電子検出器
２ａを通って、試料ステージ９上に配置された試料に照
射される。試料表面で反射した反射電子は反射電子検出
器２ａで検出され、試料から放出されるＸ線はＸ線分光
器７で検出される。反射電子は試料表面の凹凸形状を求
めるために用い、Ｘ線は試料分析に用いる。なお、試料
分析はＸ線に限らず他の信号を検出して行う構成とする
こともできる。
を参照しながら詳細に説明する。図３は本発明の凹凸像
作成装置を説明するための図である。なお、図３は電子
線分析装置においてＸ線を検出する場合について示して
いる。電子線分析装置１において、フィラメント等の電
子銃８から発生された電子ビームｅは、コンデンサレン
ズや対物レンズ（図示していない）及び反射電子検出器
２ａを通って、試料ステージ９上に配置された試料に照
射される。試料表面で反射した反射電子は反射電子検出
器２ａで検出され、試料から放出されるＸ線はＸ線分光
器７で検出される。反射電子は試料表面の凹凸形状を求
めるために用い、Ｘ線は試料分析に用いる。なお、試料
分析はＸ線に限らず他の信号を検出して行う構成とする
こともできる。
【００１６】試料ステージ９は、試料ステージ駆動制御
手段６によってＺ軸方向、及びＸ，Ｙ軸方向の駆動を行
う。試料ステージ駆動制御手段６は、図示しないコンピ
ュータからの制御コマンドによって、Ｚ軸方向の高さ調
整やＸ，Ｙ軸方向の位置決めを行うことができる。電子
線分析装置１は凹凸像を作成する構成として、法線ベク
トル形成手段２、基準高さ形成手段３、凹凸像形成手段
４を備える。
手段６によってＺ軸方向、及びＸ，Ｙ軸方向の駆動を行
う。試料ステージ駆動制御手段６は、図示しないコンピ
ュータからの制御コマンドによって、Ｚ軸方向の高さ調
整やＸ，Ｙ軸方向の位置決めを行うことができる。電子
線分析装置１は凹凸像を作成する構成として、法線ベク
トル形成手段２、基準高さ形成手段３、凹凸像形成手段
４を備える。
【００１７】法線ベクトル形成手段２は、複数の検出面
を有した反射電子検出器２ａと法線ベクトル算出手段２
ｂとを備える。反射電子検出器２ａは反射電子の強度分
布を求め、法線ベクトル算出手段２ｂは反射電子の強度
分布から反射電子の進行方向を示す反射電子線ベクトル
βを算出し、この反射電子線ベクトルβから法線ベクト
ルαを算出する。基準高さ形成手段３は、試料表面の基
準点における高さを求めるものであり、ＣＣＤカメラ等
の撮像装置を備えた光学顕微鏡等の光学観察手段３ａで
試料表面を撮像し、高さ算出手段３ｂで試料表面の高さ
を求める。高さ算出手段３ｂは、オートフォーカス機能
によって光学的焦点位置を検出する合焦信号検出形成機
能、及びＺ軸フィードバック制御信号形成機能を備え
る。合焦信号検出形成機能は、光学観察手段３ａで撮像
した光学像信号から焦点合わせに用いる合焦信号を形成
し、Ｚ軸フィードバック制御信号形成機能は、合焦信号
を用いてＺ軸フィードバック制御信号を形成して試料ス
テージ駆動制御手段６にフィードバックし、試料ステー
ジ９のＺ軸方向の制御を行って像の焦点を合わせるとと
もに、試料の高さデータを取得する。
を有した反射電子検出器２ａと法線ベクトル算出手段２
ｂとを備える。反射電子検出器２ａは反射電子の強度分
布を求め、法線ベクトル算出手段２ｂは反射電子の強度
分布から反射電子の進行方向を示す反射電子線ベクトル
βを算出し、この反射電子線ベクトルβから法線ベクト
ルαを算出する。基準高さ形成手段３は、試料表面の基
準点における高さを求めるものであり、ＣＣＤカメラ等
の撮像装置を備えた光学顕微鏡等の光学観察手段３ａで
試料表面を撮像し、高さ算出手段３ｂで試料表面の高さ
を求める。高さ算出手段３ｂは、オートフォーカス機能
によって光学的焦点位置を検出する合焦信号検出形成機
能、及びＺ軸フィードバック制御信号形成機能を備え
る。合焦信号検出形成機能は、光学観察手段３ａで撮像
した光学像信号から焦点合わせに用いる合焦信号を形成
し、Ｚ軸フィードバック制御信号形成機能は、合焦信号
を用いてＺ軸フィードバック制御信号を形成して試料ス
テージ駆動制御手段６にフィードバックし、試料ステー
ジ９のＺ軸方向の制御を行って像の焦点を合わせるとと
もに、試料の高さデータを取得する。
【００１８】通常、光学的焦点位置検出機能を備える高
さ算出手段３ｂは試料上の焦点位置と、Ｘ線分光器の試
料上における集光条件を満足する分析位置とが一致する
よう設定し、光学像の焦点合わせを行うことによってＸ
線分光器の集光条件を合わせる。Ｚ軸フィードバック制
御信号形成機能によって取得した高さデータはＺ軸座標
に変換され、Ｘ軸座標値及びＹ軸座標値とともに基準位
置データ記憶手段３ｃに記憶される。
さ算出手段３ｂは試料上の焦点位置と、Ｘ線分光器の試
料上における集光条件を満足する分析位置とが一致する
よう設定し、光学像の焦点合わせを行うことによってＸ
線分光器の集光条件を合わせる。Ｚ軸フィードバック制
御信号形成機能によって取得した高さデータはＺ軸座標
に変換され、Ｘ軸座標値及びＹ軸座標値とともに基準位
置データ記憶手段３ｃに記憶される。
【００１９】凹凸像形成手段４は、凹凸形状算出手段４
ａと凹凸像作成手段４ｂとを備える。凹凸形状算出手段
４ａは、法線ベクトル算出手段２ｂで求めた法線ベクト
ルαに基づいて試料表面の凹凸形状を算出する。該凹凸
形状の算出は、ある点において、その法線ベクトルから
その点における傾斜情報を求め、該傾斜を用いて近傍点
の高さを求める。求めた近傍点での高さと近傍点での法
線ベクトルを用いてさらに他の近傍点の高さを求める。
この操作を順次繰り返すことによって試料表面の凹凸形
状を求める。
ａと凹凸像作成手段４ｂとを備える。凹凸形状算出手段
４ａは、法線ベクトル算出手段２ｂで求めた法線ベクト
ルαに基づいて試料表面の凹凸形状を算出する。該凹凸
形状の算出は、ある点において、その法線ベクトルから
その点における傾斜情報を求め、該傾斜を用いて近傍点
の高さを求める。求めた近傍点での高さと近傍点での法
線ベクトルを用いてさらに他の近傍点の高さを求める。
この操作を順次繰り返すことによって試料表面の凹凸形
状を求める。
【００２０】凹凸像作成手段４ｂは、凹凸形状算出手段
４ａで算出した凹凸形状と基準位置データ記憶手段３ｃ
に格納された基準位置データとから凹凸像を作成する。
凹凸像作成手段４ｂは、基準位置データから試料表面の
基準位置からの高さ及び試料全体の傾きを求め、凹凸形
状と組み合わせて試料表面の定量的な凹凸像を求める。
形成された凹凸像は試料ステージ駆動制御手段６にフィ
ードバックされ、試料ステージの高さ制御の補正に用い
られる。また、凹凸像は画像データ保存・表示手段５に
送られ、凹凸像の保存あるいは任意の表示手段で表示さ
れる。
４ａで算出した凹凸形状と基準位置データ記憶手段３ｃ
に格納された基準位置データとから凹凸像を作成する。
凹凸像作成手段４ｂは、基準位置データから試料表面の
基準位置からの高さ及び試料全体の傾きを求め、凹凸形
状と組み合わせて試料表面の定量的な凹凸像を求める。
形成された凹凸像は試料ステージ駆動制御手段６にフィ
ードバックされ、試料ステージの高さ制御の補正に用い
られる。また、凹凸像は画像データ保存・表示手段５に
送られ、凹凸像の保存あるいは任意の表示手段で表示さ
れる。
【００２１】図４は本発明による凹凸像の作成手順を説
明するためのフローチャートであり、図５は反射電子の
検出を説明するための概略図である。はじめに、試料ス
テージ駆動制御手段６によって試料をｘ，ｙ方向に移動
し、試料表面上で電子ビームｅが照射する位置を定め
る。図５（ａ）中の点Ｐは電子ビームｅの照射位置を示
している（ステップＳ１１）。照射された電子ビームｅ
は点Ｐで反射し、該点Ｐの面傾斜に応じた反射電子線ベ
クトルβの方向に進む。この反射電子線ベクトルβは、
点Ｐにおける電子ビームｅの入射方向及び法線ベクトル
αで定まる。一般に、反射電子は強い指向特性を備え
る。図５（ａ）中の斜線領域は反射電子の指向特性を示
し、反射電子線ベクトルβは該指向特性を包括して概括
的に示している。
明するためのフローチャートであり、図５は反射電子の
検出を説明するための概略図である。はじめに、試料ス
テージ駆動制御手段６によって試料をｘ，ｙ方向に移動
し、試料表面上で電子ビームｅが照射する位置を定め
る。図５（ａ）中の点Ｐは電子ビームｅの照射位置を示
している（ステップＳ１１）。照射された電子ビームｅ
は点Ｐで反射し、該点Ｐの面傾斜に応じた反射電子線ベ
クトルβの方向に進む。この反射電子線ベクトルβは、
点Ｐにおける電子ビームｅの入射方向及び法線ベクトル
αで定まる。一般に、反射電子は強い指向特性を備え
る。図５（ａ）中の斜線領域は反射電子の指向特性を示
し、反射電子線ベクトルβは該指向特性を包括して概括
的に示している。
【００２２】反射電子検出器２ａは複数の検出面を備え
る。図５（ｂ）は反射電子検出器２ａの一構成例であ
り、４つの検出面Ａ１〜Ａ４を備えた例を示している。
検出面Ａ１〜Ａ４はそれぞれｘ軸あるいはｙ軸方向に配
置され、中心に形成した開口部を通って電子ビームｅを
通過させ、試料表面で反射した反射電子を受光し、受光
面積に対応した検出強度を出力する（ステップＳ１
２）。
る。図５（ｂ）は反射電子検出器２ａの一構成例であ
り、４つの検出面Ａ１〜Ａ４を備えた例を示している。
検出面Ａ１〜Ａ４はそれぞれｘ軸あるいはｙ軸方向に配
置され、中心に形成した開口部を通って電子ビームｅを
通過させ、試料表面で反射した反射電子を受光し、受光
面積に対応した検出強度を出力する（ステップＳ１
２）。
【００２３】反射電子検出器２ａで検出した検出強度か
ら反射電子線ベクトルβを求める。図６は反射電子検出
器による反射電子の検出状態を説明する図である。図６
（ａ）は、反射電子検出器２ａの検出面上におけるの反
射電子の受光分布Ｒを示している。図６（ｂ）の斜視図
及び図６（ｃ）の平面図に示すように、反射電子の受光
分布Ｒの検出面上での位置は反射電子線ベクトルβに対
応しており、反射電子の受光分布Ｒの中心位置から反射
電子線ベクトルβのｘ成分及びｙ成分を求めることがで
きる。この反射電子の受光分布Ｒの中心位置は、各検出
器Ａ１〜Ａ４上に照射される反射電子の面積から求める
ことができ、この反射電子の照射面積は、分割した各検
出器Ａ１〜Ａ４の検出強度から算出することができる。
図５（ｂ）に示す検出面の構成では、照射面積と検出強
度はほぼ比例関係にあるとすることができる。
ら反射電子線ベクトルβを求める。図６は反射電子検出
器による反射電子の検出状態を説明する図である。図６
（ａ）は、反射電子検出器２ａの検出面上におけるの反
射電子の受光分布Ｒを示している。図６（ｂ）の斜視図
及び図６（ｃ）の平面図に示すように、反射電子の受光
分布Ｒの検出面上での位置は反射電子線ベクトルβに対
応しており、反射電子の受光分布Ｒの中心位置から反射
電子線ベクトルβのｘ成分及びｙ成分を求めることがで
きる。この反射電子の受光分布Ｒの中心位置は、各検出
器Ａ１〜Ａ４上に照射される反射電子の面積から求める
ことができ、この反射電子の照射面積は、分割した各検
出器Ａ１〜Ａ４の検出強度から算出することができる。
図５（ｂ）に示す検出面の構成では、照射面積と検出強
度はほぼ比例関係にあるとすることができる。
【００２４】したがって、検出器Ａ１〜Ａ４の検出強度
から反射電子線ベクトルβのｘ成分Ｉｘ及びｙ成分Ｉｙ
を求めることができる。なお、反射電子線ベクトルβを
単位ベクトルとすると、ｚ成分Ｉｚばｘ成分Ｉｘ及びｙ
成分Ｉｙから求めることができる。
から反射電子線ベクトルβのｘ成分Ｉｘ及びｙ成分Ｉｙ
を求めることができる。なお、反射電子線ベクトルβを
単位ベクトルとすると、ｚ成分Ｉｚばｘ成分Ｉｘ及びｙ
成分Ｉｙから求めることができる。
【００２５】反射電子検出器は図５（ｂ）に示す構成に
限らず他の構成とすることができる。図７は反射電子検
出器の他の構成例である。図７（ａ）に示す第２の構成
例は図５（ｂ）に示す第１の構成例と同様に放射状に４
分割する構成例であるが、配置位置を異ならせて検出面
Ｂ１〜Ｂ４をそれぞれ第１象限〜第４象限に配置したも
のである。図７（ｂ），（ｃ）に示す第２，３の構成例
は放射状に３分割した検出面Ｃ１〜Ｃ３の例、及び放射
状に８分割した検出面Ｄ１〜Ｄ８の例である。また、図
７（ｄ）に示す第４の構成例は放射状及び同心円状に分
割した検出面Ｅ１〜Ｅ１２の例である。なお、各反射電
子検出器を用いた場合の反射電子線ベクトルβの算出
は、各検出面の構成に対応して行う（ステップＳ１
３）。
限らず他の構成とすることができる。図７は反射電子検
出器の他の構成例である。図７（ａ）に示す第２の構成
例は図５（ｂ）に示す第１の構成例と同様に放射状に４
分割する構成例であるが、配置位置を異ならせて検出面
Ｂ１〜Ｂ４をそれぞれ第１象限〜第４象限に配置したも
のである。図７（ｂ），（ｃ）に示す第２，３の構成例
は放射状に３分割した検出面Ｃ１〜Ｃ３の例、及び放射
状に８分割した検出面Ｄ１〜Ｄ８の例である。また、図
７（ｄ）に示す第４の構成例は放射状及び同心円状に分
割した検出面Ｅ１〜Ｅ１２の例である。なお、各反射電
子検出器を用いた場合の反射電子線ベクトルβの算出
は、各検出面の構成に対応して行う（ステップＳ１
３）。
【００２６】試料表面上において電子ビームｅの照射位
置をずらしながら、試料の測定領域内の全測定点につい
て上記ステップＳ１１〜ステップＳ１２を繰り返して、
全測定点の反射電子線ベクトルβを求める（ステップＳ
１４）。求めた反射電子線ベクトルβから、試料表面上
の各測定点における法線ベクトルαを求める。反射電子
線ベクトルβは、法線ベクトルαに対して電子ビームｅ
の入射方向と幾何学的に対称であるため、法線ベクトル
αは反射電子線ベクトルβと電子ビームｅの入射方向
（通常試料ステージ上の座標系に対して垂直な方向とな
る）とから幾何学的に算出することができる（ステップ
Ｓ１５）。
置をずらしながら、試料の測定領域内の全測定点につい
て上記ステップＳ１１〜ステップＳ１２を繰り返して、
全測定点の反射電子線ベクトルβを求める（ステップＳ
１４）。求めた反射電子線ベクトルβから、試料表面上
の各測定点における法線ベクトルαを求める。反射電子
線ベクトルβは、法線ベクトルαに対して電子ビームｅ
の入射方向と幾何学的に対称であるため、法線ベクトル
αは反射電子線ベクトルβと電子ビームｅの入射方向
（通常試料ステージ上の座標系に対して垂直な方向とな
る）とから幾何学的に算出することができる（ステップ
Ｓ１５）。
【００２７】次に、法線ベクトルαを用いて試料表面の
凹凸形状を求める。凹凸形状の算出は、以下に示す算出
例のように、ある点の法線ベクトルαから近傍の点の高
さを算出する演算を点をずらしながら繰り返すことによ
って行うことができる。図８は凹凸形状及び凹凸像の算
出を説明するための図である。
凹凸形状を求める。凹凸形状の算出は、以下に示す算出
例のように、ある点の法線ベクトルαから近傍の点の高
さを算出する演算を点をずらしながら繰り返すことによ
って行うことができる。図８は凹凸形状及び凹凸像の算
出を説明するための図である。
【００２８】図８（ａ）において、ある点Ｐ１における
法線ベクトルをα１とし、近傍の点Ｐ２における法線ベ
クトルをα２とし、点Ｐ１と点Ｐ２との横方向の距離を
ΔＬとする。このとき、点Ｐ１における傾斜面（図８
（ａ）の断面中の破線）と法線ベクトルα１とは垂直関
係にあることから、点Ｐ１と近傍点Ｐ２との高さの差Δ
ｈは法線ベクトルα及び距離ΔＬを用いて算出すること
ができる。図８（ｂ）は試料表面の一ライン（図中の破
線で示す）上の法線ベクトルαを用いた場合であり、上
記算出によってライン上の高さを求めることができ、試
料表面に一断面の凹凸形状を求めることができる。同様
の算出を試料表面上で二次元的に繰り返すことによって
試料表面の３次元の凹凸形状を求めることができる（ス
テップＳ１６）。
法線ベクトルをα１とし、近傍の点Ｐ２における法線ベ
クトルをα２とし、点Ｐ１と点Ｐ２との横方向の距離を
ΔＬとする。このとき、点Ｐ１における傾斜面（図８
（ａ）の断面中の破線）と法線ベクトルα１とは垂直関
係にあることから、点Ｐ１と近傍点Ｐ２との高さの差Δ
ｈは法線ベクトルα及び距離ΔＬを用いて算出すること
ができる。図８（ｂ）は試料表面の一ライン（図中の破
線で示す）上の法線ベクトルαを用いた場合であり、上
記算出によってライン上の高さを求めることができ、試
料表面に一断面の凹凸形状を求めることができる。同様
の算出を試料表面上で二次元的に繰り返すことによって
試料表面の３次元の凹凸形状を求めることができる（ス
テップＳ１６）。
【００２９】ステップＳ１６で求めた凹凸形状は、任意
の点の高さをｚ軸方向の基準としており、試料ステージ
上の座標系との関係が定められていない。また、試料全
体が試料ステージに対して傾斜している場合がある。そ
のため、試料表面の凹凸像を求めるには、試料ステージ
上の座標系と関係付けを行う必要がある。そこで、基準
高さ検出手段３によって、試料表面上の基準点における
高さを求め（ステップＳ１７）、この高さデータから試
料全体の傾斜を求めるとともに、基準点における高さを
定めることによって、凹凸形状に高さデータを付加して
定量的な凹凸像を求めることができる。図８（ｃ）は図
８（ｂ）における一断面について求めた凹凸像の例であ
り、両端における基準点の高さＷＤ１及びＷＤ２を用い
て、傾斜を求めるともに各点に高さデータを付加して凹
凸像を求める（ステップＳ１８）。
の点の高さをｚ軸方向の基準としており、試料ステージ
上の座標系との関係が定められていない。また、試料全
体が試料ステージに対して傾斜している場合がある。そ
のため、試料表面の凹凸像を求めるには、試料ステージ
上の座標系と関係付けを行う必要がある。そこで、基準
高さ検出手段３によって、試料表面上の基準点における
高さを求め（ステップＳ１７）、この高さデータから試
料全体の傾斜を求めるとともに、基準点における高さを
定めることによって、凹凸形状に高さデータを付加して
定量的な凹凸像を求めることができる。図８（ｃ）は図
８（ｂ）における一断面について求めた凹凸像の例であ
り、両端における基準点の高さＷＤ１及びＷＤ２を用い
て、傾斜を求めるともに各点に高さデータを付加して凹
凸像を求める（ステップＳ１８）。
【００３０】本発明の実施態様によれば、定量的な凹凸
像を得ることができるため、試料ステージの高さを連続
的に制御することができ、凹凸が存在する試料について
ＷＤＸ分析を自動で行うことができる。
像を得ることができるため、試料ステージの高さを連続
的に制御することができ、凹凸が存在する試料について
ＷＤＸ分析を自動で行うことができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の凹凸像作
成装置によれば定量的な凹凸像を求めることができ、本
発明の凹凸像作成装置を備えた電子線分析装置によれば
定量的な凹凸像によって正確な高さ補正を行うことがで
きる。
成装置によれば定量的な凹凸像を求めることができ、本
発明の凹凸像作成装置を備えた電子線分析装置によれば
定量的な凹凸像によって正確な高さ補正を行うことがで
きる。
【図１】本発明による凹凸像作成を説明するための図で
ある。
ある。
【図２】試料表面の凹凸像を作成する手順を説明するた
めのフローチャートである。
めのフローチャートである。
【図３】本発明の凹凸像作成装置を説明するための図で
ある。
ある。
【図４】本発明による凹凸像の作成手順を説明するため
のフローチャートである。
のフローチャートである。
【図５】反射電子の検出を説明するための概略図であ
る。
る。
【図６】反射電子検出器による反射電子の検出状態を説
明する図である。
明する図である。
【図７】反射電子検出器の他の構成例である。
【図８】凹凸形状及び凹凸像の算出を説明するための図
である。
である。
１…電子線分析装置、２…法線ベクトル形成手段、２ａ
…反射電子検出器、２ｂ…法線ベクトル算出手段、３…
基準高さ検出手段、３ａ…光学観察系、３ｂ…高さ算出
手段、３ｃ…基準位置データ記憶手段、４…凹凸像形成
手段、４ａ…凹凸形状算出手段、４ｂ…凹凸像作成手
段、５…分析データ保存手段、６…試料ステージ駆動制
御手段、７…Ｘ線分光器、８…電子銃、α…法線ベクト
ル、β…反射電子線ベクトル、ｅ…電子ビーム。
…反射電子検出器、２ｂ…法線ベクトル算出手段、３…
基準高さ検出手段、３ａ…光学観察系、３ｂ…高さ算出
手段、３ｃ…基準位置データ記憶手段、４…凹凸像形成
手段、４ａ…凹凸形状算出手段、４ｂ…凹凸像作成手
段、５…分析データ保存手段、６…試料ステージ駆動制
御手段、７…Ｘ線分光器、８…電子銃、α…法線ベクト
ル、β…反射電子線ベクトル、ｅ…電子ビーム。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/20 Ｈ０１Ｊ 37/20 Ｄ 37/244 37/244 37/28 37/28 Ｂ (72)発明者 青島 利裕 福岡県北九州市小倉北区中島２丁目１番１ 号 東陶機器株式会社内 Ｆターム(参考） 2F067 AA23 AA45 FF13 HH06 JJ05 KK08 LL00 LL16 PP12 RR30 TT01 2G001 AA03 BA05 BA15 CA01 CA03 GA01 GA08 HA13 KA01 KA20 MA10 PA11 PA14 5C001 AA04 CC04 CC05 5C033 NN02 NP06 PP02 PP04 PP05 UU03 UU04 UU05
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の反射電子検出器と、該反射電子検
出器から得られる反射電子信号の強度分布から試料表面
上の法線ベクトルを求める手段と、試料表面上の基準点
における高さを求める手段と、試料表面の定量的な凹凸
像を求める手段とを備え、前記定量的凹凸像を求める手
段は、試料表面上の各点における法線ベクトルによって
順次求めた試料表面の凹凸形状と、基準点における高さ
とに基づいて試料表面の定量的な凹凸像を求めることを
特徴とする、凹凸像作成装置。 - 【請求項２】 前記凹凸像形成装置で求めた定量的な凹
凸像から試料表面の高さデータを求め、該高さデータを
用いて試料ステージの高さ方向を制御して試料面を分析
位置に位置合わせすることを特徴とする、請求項１記載
の電子線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401224A JP4372339B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 凹凸像形成装置及び電子線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401224A JP4372339B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 凹凸像形成装置及び電子線分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203507A true JP2002203507A (ja) | 2002-07-19 |
| JP4372339B2 JP4372339B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=18865696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000401224A Expired - Fee Related JP4372339B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 凹凸像形成装置及び電子線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4372339B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008108592A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線応用装置および試料検査方法 |
| JP2008286735A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Jeol Ltd | 蛍光ｘ線分析装置のｅｄｓヘッド保護方法及び保護機構 |
| JP2009042174A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Sharp Corp | 斜出射電子線プローブマイクロｘ線分析方法およびそれに用いられるプログラム、並びに、斜出射電子線プローブマイクロｘ線分析装置 |
| JP2009181922A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
| JP2012124052A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Honda Motor Co Ltd | 走査型電子顕微鏡 |
| JP2013143364A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料の内部構造を観察する荷電粒子線装置 |
| JPWO2016047538A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2017-07-20 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | エネルギー弁別電子検出器及びそれを用いた走査電子顕微鏡 |
| JP2020139829A (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 株式会社堀場製作所 | 三次元画像生成装置、及び三次元画像生成装置の係数算出方法 |
| JP2022185757A (ja) * | 2021-06-03 | 2022-12-15 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置および画像取得方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0261953A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 走査型顕微鏡における表面形状算出方法 |
| JP2000100367A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 走査型電子顕微鏡装置 |
| JP2000346815A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Shimadzu Corp | 電子線分析装置 |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000401224A patent/JP4372339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0261953A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 走査型顕微鏡における表面形状算出方法 |
| JP2000100367A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 走査型電子顕微鏡装置 |
| JP2000346815A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Shimadzu Corp | 電子線分析装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008108592A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線応用装置および試料検査方法 |
| JP2008286735A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Jeol Ltd | 蛍光ｘ線分析装置のｅｄｓヘッド保護方法及び保護機構 |
| JP2009042174A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Sharp Corp | 斜出射電子線プローブマイクロｘ線分析方法およびそれに用いられるプログラム、並びに、斜出射電子線プローブマイクロｘ線分析装置 |
| JP2009181922A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
| JP2012124052A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Honda Motor Co Ltd | 走査型電子顕微鏡 |
| US8610061B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-12-17 | Honda Motor Co., Ltd. | Scanning electron microscope |
| JP2013143364A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料の内部構造を観察する荷電粒子線装置 |
| JPWO2016047538A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2017-07-20 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | エネルギー弁別電子検出器及びそれを用いた走査電子顕微鏡 |
| US10121633B2 (en) | 2014-09-24 | 2018-11-06 | National Institute For Materials Science | Energy discriminating electron detector and scanning electron microscope using the same |
| JP2020139829A (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 株式会社堀場製作所 | 三次元画像生成装置、及び三次元画像生成装置の係数算出方法 |
| JP2022185757A (ja) * | 2021-06-03 | 2022-12-15 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置および画像取得方法 |
| JP7323574B2 (ja) | 2021-06-03 | 2023-08-08 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置および画像取得方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4372339B2 (ja) | 2009-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1276134B1 (en) | A method for determining depression/protrusion of sample and charged particle beam apparatus therefor | |
| US20050285034A1 (en) | Method and apparatus for measuring three-dimensional shape of specimen by using SEM | |
| US7361896B2 (en) | Scanning electron microscope and a method for adjusting a focal point of an electron beam of said scanning electron microscope | |
| KR20060004963A (ko) | 샘플의 이미징동안 초점위치를 결정하는 방법 및 어레이 | |
| JP4383950B2 (ja) | 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置 | |
| US8258471B2 (en) | Pattern measuring apparatus and pattern measuring method | |
| US20060043293A1 (en) | Charged particle beam adjustment method and apparatus | |
| US20110233400A1 (en) | Pattern measurement apparatus and pattern measurement method | |
| JP2007187538A (ja) | 荷電粒子線装置及びそれを用いた画像取得方法 | |
| JP6581940B2 (ja) | 電子顕微鏡装置 | |
| US10867771B2 (en) | Electron microscope and specimen tilt angle adjustment method | |
| JP4538421B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JP4372339B2 (ja) | 凹凸像形成装置及び電子線分析装置 | |
| KR20210086500A (ko) | 자동 결정띠축 정렬을 위한 방법 및 시스템 | |
| US8772714B2 (en) | Transmission electron microscope and method of observing TEM images | |
| JP6876418B2 (ja) | 画像取得方法および電子顕微鏡 | |
| JP5070074B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| US11756764B2 (en) | Charged particle beam apparatus and method of controlling charged particle beam apparatus | |
| EP3905302A1 (en) | Scanning transmission electron microscope and adjustment method of optical system | |
| JP2022155554A (ja) | 三次元電子回折データを取得するための方法およびシステム | |
| KR20200109246A (ko) | 결정띠축 정렬을 위한 방법 및 시스템 | |
| JP2020119667A (ja) | 電子顕微鏡 | |
| JP4431624B2 (ja) | 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置 | |
| JP4871350B2 (ja) | パターン寸法測定方法、及びパターン寸法測定装置 | |
| JP2000346815A (ja) | 電子線分析装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070413 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090422 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090616 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090901 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090902 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130911 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |