JP2002203306A - 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノイズ特性に優れ、かつ熱揺らぎ現象が起こ
りにくい磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録
再生装置を提供する。 【解決手段】 非磁性基板１上に、軟磁性材料からなる
軟磁性下地膜２と、直上の膜の配向性を制御する配向制
御膜３と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した
垂直磁性膜４と、保護膜５とが設けられ、配向制御膜３
は、Ｂ２構造をなす第１配向制御層３ａ上に、ｈｃｐ構
造をなす第２配向制御層３ｂを設けた構成とされ、第１
配向制御層３ａの厚さが０．１〜２０ｎｍとされ、第２
配向制御層の厚さが０．１〜５０ｎｍとされている。
りにくい磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録
再生装置を提供する。 【解決手段】 非磁性基板１上に、軟磁性材料からなる
軟磁性下地膜２と、直上の膜の配向性を制御する配向制
御膜３と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した
垂直磁性膜４と、保護膜５とが設けられ、配向制御膜３
は、Ｂ２構造をなす第１配向制御層３ａ上に、ｈｃｐ構
造をなす第２配向制御層３ｂを設けた構成とされ、第１
配向制御層３ａの厚さが０．１〜２０ｎｍとされ、第２
配向制御層の厚さが０．１〜５０ｎｍとされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、そ
の製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録
再生装置に関するものである。
の製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録
再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在市販されている磁気記録媒体は、磁
性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面
内磁気記録媒体がほとんどである。このような面内磁気
記録媒体では、高記録密度化するとビット体積が小さく
なりすぎ、熱揺らぎ効果により記録再生特性が悪化する
可能性がある。また、高記録密度化した際に、記録ビッ
ト境界での反磁界の影響により媒体ノイズが増加する。
これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向し
た、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際
にも、ビット境界での反磁界の影響が小さく、境界が鮮
明な記録磁区が形成されるため低ノイズ化が可能であ
り、しかも比較的ビット体積が大きくても高記録密度化
が可能であることから熱揺らぎ効果にも強く、近年大き
な注目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の構造
が提案されている。
性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面
内磁気記録媒体がほとんどである。このような面内磁気
記録媒体では、高記録密度化するとビット体積が小さく
なりすぎ、熱揺らぎ効果により記録再生特性が悪化する
可能性がある。また、高記録密度化した際に、記録ビッ
ト境界での反磁界の影響により媒体ノイズが増加する。
これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向し
た、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際
にも、ビット境界での反磁界の影響が小さく、境界が鮮
明な記録磁区が形成されるため低ノイズ化が可能であ
り、しかも比較的ビット体積が大きくても高記録密度化
が可能であることから熱揺らぎ効果にも強く、近年大き
な注目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の構造
が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年では、磁気記録媒
体の更なる高記録密度化が要望されており、垂直磁性膜
に対する書き込み能力に優れる単磁極ヘッドを用いるた
めに、記録層である垂直磁性膜と基板との間に、裏打ち
層と称される軟磁性材料からなる層を設け、単磁極ヘッ
ドと、磁気記録媒体の間の磁束の出入りの効率を向上さ
せた磁気記録媒体が提案されている。しかしながら、従
来の磁気記録媒体は、上記裏打ち層を設けた場合でも、
記録再生時の記録再生特性や、耐熱減磁耐性、記録分解
能において満足できるものではなく、これらの特性に優
れる磁気記録媒体が要望されていた。本発明は、上記事
情に鑑みてなされたもので、記録再生特性、耐熱減磁耐
性、および記録分解能を向上させ高密度の情報の記録再
生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記
録再生装置を提供することを目的とする。
体の更なる高記録密度化が要望されており、垂直磁性膜
に対する書き込み能力に優れる単磁極ヘッドを用いるた
めに、記録層である垂直磁性膜と基板との間に、裏打ち
層と称される軟磁性材料からなる層を設け、単磁極ヘッ
ドと、磁気記録媒体の間の磁束の出入りの効率を向上さ
せた磁気記録媒体が提案されている。しかしながら、従
来の磁気記録媒体は、上記裏打ち層を設けた場合でも、
記録再生時の記録再生特性や、耐熱減磁耐性、記録分解
能において満足できるものではなく、これらの特性に優
れる磁気記録媒体が要望されていた。本発明は、上記事
情に鑑みてなされたもので、記録再生特性、耐熱減磁耐
性、および記録分解能を向上させ高密度の情報の記録再
生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記
録再生装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の磁気記
録媒体は、非磁性基板上に少なくとも軟磁性下地膜と直
上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が
基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜と
が設けられ、前記配向制御膜がＢ２構造をなす第１配向
制御層上に、ｈｃｐ構造をなす第２配向制御層を設けた
構成とされており、第１配向制御層の厚さが０．１〜２
０ｎｍであり、第２配向制御層の厚さが０．１〜５０ｎ
ｍであることを特徴とする。さらに第１配向制御層の厚
さは１．５〜１０ｎｍであることが好ましい。さらに第
２配向制御層の厚さは２〜２５ｎｍであることが好まし
い。本発明の磁気記録媒体は、第１配向制御層はＮｉＡ
ｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒ、ＮｉＴｉ、ＡｌＣ
ｏ、ＡｌＲｕ、ＣｏＴｉのうち１種または２種以上の合
金を主成分とする材料からなるものであることが好まし
い。本発明の磁気記録媒体は、第２配向制御層はＴｉ、
Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｆのうち
１種以上または２種以上を主成分とする材料からなるも
のであることが好ましい。本発明の磁気記録媒体は、軟
磁性下地膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と該軟磁性下地膜
の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が４０
（Ｔ・ｎｍ）以上であることが好ましい。さらに軟磁性
下地膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と該軟磁性下地膜の膜
厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が６０（Ｔ・
ｎｍ）以上であることが好ましい。本発明の磁気記録媒
体は、配向制御膜と垂直磁性膜との間に非磁性材料から
なる非磁性中間膜が設けられていることが好ましい。本
発明の磁気記録媒体は、軟磁性下地膜の垂直磁性膜側の
表面の１部または全面が酸化されているが好ましい。本
発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、少
なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜
の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に
対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設け
る磁気記録媒体の製造方法であって、配向制御膜を、Ｂ
２構造をなす第１配向制御層上に、ｈｃｐ構造をなす第
２配向制御層を設けた構成とし、第１配向制御層の厚さ
を、０．１〜２０ｎｍとし、第２配向制御層の厚さを、
０．１〜５０ｎｍとすることを特徴とする。さらに第１
配向制御層の厚さが、１．５〜１０ｎｍであることが好
ましい。さらに第２配向制御層の厚さが、２〜２５ｎｍ
であることが好ましい。本発明の磁気記録媒体の製造方
法は、軟磁性下地膜の表面を酸化させる工程を含むこと
が好ましい。本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒
体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッド
とを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単
磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、非磁性基板上に少
なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜
の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に
対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設け
られ、配向制御膜はＢ２構造をなす第１配向制御層上
に、ｈｃｐ構造をなす第２配向制御層を設けた構成とさ
れており、第１配向制御層の厚さが０．１〜２０ｎｍで
あり、第２配向制御層の厚さが０．１〜５０ｎｍである
ことを特徴とする。さらに第１配向制御層の厚さが、
１．５〜１０ｎｍであることが好ましい。さらに第２配
向制御層の厚さが、２〜２５ｎｍであることが好まし
い。
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の磁気記
録媒体は、非磁性基板上に少なくとも軟磁性下地膜と直
上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が
基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜と
が設けられ、前記配向制御膜がＢ２構造をなす第１配向
制御層上に、ｈｃｐ構造をなす第２配向制御層を設けた
構成とされており、第１配向制御層の厚さが０．１〜２
０ｎｍであり、第２配向制御層の厚さが０．１〜５０ｎ
ｍであることを特徴とする。さらに第１配向制御層の厚
さは１．５〜１０ｎｍであることが好ましい。さらに第
２配向制御層の厚さは２〜２５ｎｍであることが好まし
い。本発明の磁気記録媒体は、第１配向制御層はＮｉＡ
ｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒ、ＮｉＴｉ、ＡｌＣ
ｏ、ＡｌＲｕ、ＣｏＴｉのうち１種または２種以上の合
金を主成分とする材料からなるものであることが好まし
い。本発明の磁気記録媒体は、第２配向制御層はＴｉ、
Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｆのうち
１種以上または２種以上を主成分とする材料からなるも
のであることが好ましい。本発明の磁気記録媒体は、軟
磁性下地膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と該軟磁性下地膜
の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が４０
（Ｔ・ｎｍ）以上であることが好ましい。さらに軟磁性
下地膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と該軟磁性下地膜の膜
厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が６０（Ｔ・
ｎｍ）以上であることが好ましい。本発明の磁気記録媒
体は、配向制御膜と垂直磁性膜との間に非磁性材料から
なる非磁性中間膜が設けられていることが好ましい。本
発明の磁気記録媒体は、軟磁性下地膜の垂直磁性膜側の
表面の１部または全面が酸化されているが好ましい。本
発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、少
なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜
の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に
対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設け
る磁気記録媒体の製造方法であって、配向制御膜を、Ｂ
２構造をなす第１配向制御層上に、ｈｃｐ構造をなす第
２配向制御層を設けた構成とし、第１配向制御層の厚さ
を、０．１〜２０ｎｍとし、第２配向制御層の厚さを、
０．１〜５０ｎｍとすることを特徴とする。さらに第１
配向制御層の厚さが、１．５〜１０ｎｍであることが好
ましい。さらに第２配向制御層の厚さが、２〜２５ｎｍ
であることが好ましい。本発明の磁気記録媒体の製造方
法は、軟磁性下地膜の表面を酸化させる工程を含むこと
が好ましい。本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒
体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッド
とを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単
磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、非磁性基板上に少
なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜
の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に
対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設け
られ、配向制御膜はＢ２構造をなす第１配向制御層上
に、ｈｃｐ構造をなす第２配向制御層を設けた構成とさ
れており、第１配向制御層の厚さが０．１〜２０ｎｍで
あり、第２配向制御層の厚さが０．１〜５０ｎｍである
ことを特徴とする。さらに第１配向制御層の厚さが、
１．５〜１０ｎｍであることが好ましい。さらに第２配
向制御層の厚さが、２〜２５ｎｍであることが好まし
い。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
第１の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体
は、非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜
３と、垂直磁性膜４と、保護膜５と潤滑膜６とが順次形
成されて構成されている。非磁性基板１としては、アル
ミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属
基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコ
ン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料か
らなる非金属基板を用いてもよい。ガラス基板として
は、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモル
ファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アル
ミノケートガラス、アルミノシリケートガラスを使用で
きる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化
ガラスを用いることができる。セラミック基板として
は、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化
珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物
などが使用可能である。非磁性基板１としては、上記金
属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法によ
りＮｉＰ膜が形成されたものを用いることもできる。基
板１表面の平均粗さＲａは、０．０１〜２ｎｍ（好まし
くは０．０５〜１．５ｎｍ）が好ましい。表面平均粗さ
Ｒａが上記範囲未満であると磁気ヘッドの媒体への吸着
や磁気ヘッドの振動が起こりやすくなり、上記範囲を越
えるとグライド特性が不充分となりやすい。
第１の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体
は、非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜
３と、垂直磁性膜４と、保護膜５と潤滑膜６とが順次形
成されて構成されている。非磁性基板１としては、アル
ミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属
基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコ
ン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料か
らなる非金属基板を用いてもよい。ガラス基板として
は、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモル
ファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アル
ミノケートガラス、アルミノシリケートガラスを使用で
きる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化
ガラスを用いることができる。セラミック基板として
は、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化
珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物
などが使用可能である。非磁性基板１としては、上記金
属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法によ
りＮｉＰ膜が形成されたものを用いることもできる。基
板１表面の平均粗さＲａは、０．０１〜２ｎｍ（好まし
くは０．０５〜１．５ｎｍ）が好ましい。表面平均粗さ
Ｒａが上記範囲未満であると磁気ヘッドの媒体への吸着
や磁気ヘッドの振動が起こりやすくなり、上記範囲を越
えるとグライド特性が不充分となりやすい。
【０００６】軟磁性下地膜２は、磁気ヘッドから出る磁
束の基板垂直方向成分を大きくするとともに、情報が記
録される垂直磁性膜４の磁化を、より強固に基板１と垂
直な方向に固定するために設けられているものである。
この作用は特に、記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記
録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著なものと
なる。
束の基板垂直方向成分を大きくするとともに、情報が記
録される垂直磁性膜４の磁化を、より強固に基板１と垂
直な方向に固定するために設けられているものである。
この作用は特に、記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記
録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著なものと
なる。
【０００７】上記軟磁性下地膜２は、軟磁性材料からな
るもので、この材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む
材料を用いることができる。この材料としては、ＦｅＣ
ｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合
金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉ
Ｓｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳ
ｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡ
ｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴ
ｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、
ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（Ｆｅ
ＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、Ｆ
ｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系
合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金
などを挙げることができる。またＦｅを６０ａｔ％以上
含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺ
ｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリ
クス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用
いてもよい。軟磁性下地膜２の材料としては、上記のほ
か、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有し、アモルフ
ァス構造を有するＣｏ合金を用いることができる。この
材料としては、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴ
ａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なも
のとして挙げることができる。
るもので、この材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む
材料を用いることができる。この材料としては、ＦｅＣ
ｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合
金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉ
Ｓｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳ
ｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡ
ｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴ
ｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、
ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（Ｆｅ
ＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、Ｆ
ｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系
合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金
などを挙げることができる。またＦｅを６０ａｔ％以上
含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺ
ｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリ
クス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用
いてもよい。軟磁性下地膜２の材料としては、上記のほ
か、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有し、アモルフ
ァス構造を有するＣｏ合金を用いることができる。この
材料としては、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴ
ａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なも
のとして挙げることができる。
【０００８】軟磁性下地膜２の保磁力Ｈｃは２００（Ｏ
ｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好
ましい。この保磁力Ｈｃが上記範囲を超えると、軟磁気
特性が不十分となり、再生波形がいわゆる矩形波から歪
みをもった波形になるため好ましくない。軟磁性下地膜
２の飽和磁束密度Ｂｓは、０．４Ｔ以上（好ましくは１
Ｔ以上）とするのが好ましい。このＢｓが上記範囲未満
であると、再生波形がいわゆる矩形波から歪みをもった
波形になるため好ましくない。また、軟磁性下地膜２の
飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と軟磁性下地膜２の膜厚ｔ（ｎ
ｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）は、４０（Ｔ・ｎｍ）
以上（好ましくは６０（Ｔ・ｎｍ）以上）であること好
ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲未満であると、再生波
形が歪みをもつようになるため好ましくない。また、軟
磁性下地膜２の最大透磁率は、１０００〜１０００００
０（好ましくは１０００００〜５０００００）とするの
が好ましい。最大透磁率が上記範囲未満であると、記録
時に磁気記録媒体への書き込みが不十分となり、十分な
記録再生特性を得られなくなるおそれがある。なお、透
磁率はＣＧＳ単位系で表した値である。
ｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好
ましい。この保磁力Ｈｃが上記範囲を超えると、軟磁気
特性が不十分となり、再生波形がいわゆる矩形波から歪
みをもった波形になるため好ましくない。軟磁性下地膜
２の飽和磁束密度Ｂｓは、０．４Ｔ以上（好ましくは１
Ｔ以上）とするのが好ましい。このＢｓが上記範囲未満
であると、再生波形がいわゆる矩形波から歪みをもった
波形になるため好ましくない。また、軟磁性下地膜２の
飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と軟磁性下地膜２の膜厚ｔ（ｎ
ｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）は、４０（Ｔ・ｎｍ）
以上（好ましくは６０（Ｔ・ｎｍ）以上）であること好
ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲未満であると、再生波
形が歪みをもつようになるため好ましくない。また、軟
磁性下地膜２の最大透磁率は、１０００〜１０００００
０（好ましくは１０００００〜５０００００）とするの
が好ましい。最大透磁率が上記範囲未満であると、記録
時に磁気記録媒体への書き込みが不十分となり、十分な
記録再生特性を得られなくなるおそれがある。なお、透
磁率はＣＧＳ単位系で表した値である。
【０００９】軟磁性下地膜２の最表面（配向制御膜３側
の面）は、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的、あ
るいは完全に酸化されていることが好ましい。つまり、
軟磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の面）およびそ
の近傍（表面から所定の深さの領域）は、軟磁性下地膜
２を構成する材料が部分的または全体的に酸化されて形
成されていることが好ましい。これにより、軟磁性下地
膜２の表面の磁気的な揺らぎを抑えることができるの
で、この磁気的な揺らぎに起因するノイズを低減して、
磁気記録媒体の記録再生特性を改善することができる。
また、軟磁性下地膜２上に形成される配向制御膜３の結
晶粒を微細化して、記録再生特性を改善することができ
る。また酸化により形成された酸化膜のバリア層的機能
により、軟磁性下地膜２または非磁性基板１から腐食性
物質が媒体表面に移動するのを抑え、媒体表面の腐食の
発生を抑えることができる。
の面）は、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的、あ
るいは完全に酸化されていることが好ましい。つまり、
軟磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の面）およびそ
の近傍（表面から所定の深さの領域）は、軟磁性下地膜
２を構成する材料が部分的または全体的に酸化されて形
成されていることが好ましい。これにより、軟磁性下地
膜２の表面の磁気的な揺らぎを抑えることができるの
で、この磁気的な揺らぎに起因するノイズを低減して、
磁気記録媒体の記録再生特性を改善することができる。
また、軟磁性下地膜２上に形成される配向制御膜３の結
晶粒を微細化して、記録再生特性を改善することができ
る。また酸化により形成された酸化膜のバリア層的機能
により、軟磁性下地膜２または非磁性基板１から腐食性
物質が媒体表面に移動するのを抑え、媒体表面の腐食の
発生を抑えることができる。
【００１０】この軟磁性下地膜２の表面の酸化部分は、
例えば軟磁性下地膜２を形成した後、その表面を酸素を
含む雰囲気に曝す方法や、軟磁性下地膜２の表面に近い
部分を成膜する際のプロセス中に酸素を導入する方法に
より形成することができる。具体的には、軟磁性下地膜
２の表面を酸素に曝す場合、ディスク（基板１上に軟磁
性下地膜２を形成したもの）を、純酸素、あるいは酸素
をアルゴンや窒素などのガスで希釈したガス雰囲気中に
０．１〜３０秒程度放置しておけばよい。また、上記デ
ィスクを大気に曝すこともできる。導入する酸素の量、
酸素への曝露時間を適宜設定することにより、軟磁性下
地膜２の酸化度合いを調節することができる。例えば、
１０-4〜１０-6Ｐａの真空度に対し、１０-3Ｐａ以上の
酸素ガス圧の雰囲気に、上記ディスクを０．１〜３０秒
間曝すことによって、所定の酸化状態を得ることができ
る。特に酸素をアルゴンや窒素などのガスで希釈したガ
スを用いる場合には、酸素の希釈度を適宜設定すること
によって、軟磁性下地膜２表面の酸化の度合いの調節が
容易になるので、安定した製造を行うことができる。ま
た、軟磁性下地膜２の成膜用のガスに酸素を導入する場
合には、例えば成膜法としてスパッタ法を用いるなら
ば、成膜時間の１部のみに酸素を導入したプロセスガス
を用いてスパッタを行えばよい。このプロセスガスとし
ては、例えばアルゴンに酸素を体積率で０．０５％〜５
０％（好ましくは０．１〜２０％）程度混合したガスが
好適に用いられる。酸化膜の厚さは、例えば透過型電子
顕微鏡（ＴＥＭ）による観察によって得られた断面図か
ら求めることができる。また酸化された状態は、オージ
ェ電子分光法、ＳＩＭＳ法などにより確認することがで
きる。
例えば軟磁性下地膜２を形成した後、その表面を酸素を
含む雰囲気に曝す方法や、軟磁性下地膜２の表面に近い
部分を成膜する際のプロセス中に酸素を導入する方法に
より形成することができる。具体的には、軟磁性下地膜
２の表面を酸素に曝す場合、ディスク（基板１上に軟磁
性下地膜２を形成したもの）を、純酸素、あるいは酸素
をアルゴンや窒素などのガスで希釈したガス雰囲気中に
０．１〜３０秒程度放置しておけばよい。また、上記デ
ィスクを大気に曝すこともできる。導入する酸素の量、
酸素への曝露時間を適宜設定することにより、軟磁性下
地膜２の酸化度合いを調節することができる。例えば、
１０-4〜１０-6Ｐａの真空度に対し、１０-3Ｐａ以上の
酸素ガス圧の雰囲気に、上記ディスクを０．１〜３０秒
間曝すことによって、所定の酸化状態を得ることができ
る。特に酸素をアルゴンや窒素などのガスで希釈したガ
スを用いる場合には、酸素の希釈度を適宜設定すること
によって、軟磁性下地膜２表面の酸化の度合いの調節が
容易になるので、安定した製造を行うことができる。ま
た、軟磁性下地膜２の成膜用のガスに酸素を導入する場
合には、例えば成膜法としてスパッタ法を用いるなら
ば、成膜時間の１部のみに酸素を導入したプロセスガス
を用いてスパッタを行えばよい。このプロセスガスとし
ては、例えばアルゴンに酸素を体積率で０．０５％〜５
０％（好ましくは０．１〜２０％）程度混合したガスが
好適に用いられる。酸化膜の厚さは、例えば透過型電子
顕微鏡（ＴＥＭ）による観察によって得られた断面図か
ら求めることができる。また酸化された状態は、オージ
ェ電子分光法、ＳＩＭＳ法などにより確認することがで
きる。
【００１１】配向制御膜３は、直上に設けられた垂直磁
性膜４の配向性や粒径を制御するもので、第１配向制御
層３ａ上に第２配向制御層３ｂを設けた２層構造を有す
る。第１配向制御膜３ａにはＢ２構造をなす材料が用い
られる。Ｂ２構造をなす材料としては、ＮｉＡｌ、Ｆｅ
Ａｌ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒ、ＮｉＴｉ、ＡｌＣｏ、Ａｌ
Ｒｕ、ＣｏＴｉのうち１種または２種以上の合金を主成
分とするものが使用できる。また、これらの合金にＣ
ｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、Ｂ、Ｏ、Ｎ、Ｒｕ、Ｎｄ等の
の元素を添加した材料を用いることもできる。上記２元
系合金（ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒ、Ｎ
ｉＴｉ、ＡｌＣｏ、ＡｌＲｕ、ＣｏＴｉ）を用いる場合
には、この合金を構成する２つの成分の含有率を、いず
れも４０〜６０ａｔ％（好ましくは４５〜５５ａｔ％）
とするのが好ましい。
性膜４の配向性や粒径を制御するもので、第１配向制御
層３ａ上に第２配向制御層３ｂを設けた２層構造を有す
る。第１配向制御膜３ａにはＢ２構造をなす材料が用い
られる。Ｂ２構造をなす材料としては、ＮｉＡｌ、Ｆｅ
Ａｌ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒ、ＮｉＴｉ、ＡｌＣｏ、Ａｌ
Ｒｕ、ＣｏＴｉのうち１種または２種以上の合金を主成
分とするものが使用できる。また、これらの合金にＣ
ｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、Ｂ、Ｏ、Ｎ、Ｒｕ、Ｎｄ等の
の元素を添加した材料を用いることもできる。上記２元
系合金（ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒ、Ｎ
ｉＴｉ、ＡｌＣｏ、ＡｌＲｕ、ＣｏＴｉ）を用いる場合
には、この合金を構成する２つの成分の含有率を、いず
れも４０〜６０ａｔ％（好ましくは４５〜５５ａｔ％）
とするのが好ましい。
【００１２】第１配向制御層３ａの厚さは、次のように
定めるのが好ましい。図２は、上記構成の磁気記録媒体
において、第１配向制御層３ａの厚さと、垂直磁性膜４
の（０００２）面の配向性との関係を示すグラフであ
る。このグラフにおいて、横軸は第１配向制御層３ａの
厚さを示し、縦軸は垂直磁性膜４の（０００２）面に相
当するＸ線回折強度を示す。このグラフに示すように、
Ｘ線回折強度は、第１配向制御層３ａの厚さが０．１〜
２０ｎｍであるときに高い値を示し、以後、第１配向制
御層３ａの厚さが大きくなるにつれて低くなる。このグ
ラフより、垂直磁性膜４の垂直配向性は、第１配向制御
層３ａの厚さが０．１〜２０ｎｍ（特に１．５〜１０ｎ
ｍ）であるときに高くなり、厚さをさらに大きくすると
徐々に低下することがわかる。
定めるのが好ましい。図２は、上記構成の磁気記録媒体
において、第１配向制御層３ａの厚さと、垂直磁性膜４
の（０００２）面の配向性との関係を示すグラフであ
る。このグラフにおいて、横軸は第１配向制御層３ａの
厚さを示し、縦軸は垂直磁性膜４の（０００２）面に相
当するＸ線回折強度を示す。このグラフに示すように、
Ｘ線回折強度は、第１配向制御層３ａの厚さが０．１〜
２０ｎｍであるときに高い値を示し、以後、第１配向制
御層３ａの厚さが大きくなるにつれて低くなる。このグ
ラフより、垂直磁性膜４の垂直配向性は、第１配向制御
層３ａの厚さが０．１〜２０ｎｍ（特に１．５〜１０ｎ
ｍ）であるときに高くなり、厚さをさらに大きくすると
徐々に低下することがわかる。
【００１３】このため、本実施形態の磁気記録媒体で
は、第１配向制御層３ａの厚さを０．１〜２０ｎｍとす
る。特に第１配向制御層３ａの厚さが１．５〜１０ｎｍ
の範囲であるとき、垂直磁性膜４の垂直配向性が高くな
り、かつ記録時における磁気ヘッドと軟磁性下地膜２と
の距離を小さくすることができるので、再生信号の分解
能を低下させることなく記録再生特性を高めることがで
きる。この厚さが上記範囲未満であると、垂直磁性膜４
における垂直配向性が低下し、記録再生特性および熱揺
らぎ耐性が劣化する。また、この厚さが上記範囲を超え
ると、垂直磁性膜４における垂直配向性が低下し、ノイ
ズ特性および熱揺らぎ耐性が劣化する。また記録時にお
ける磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなる
ため、再生信号の分解能が低下するため好ましくない。
は、第１配向制御層３ａの厚さを０．１〜２０ｎｍとす
る。特に第１配向制御層３ａの厚さが１．５〜１０ｎｍ
の範囲であるとき、垂直磁性膜４の垂直配向性が高くな
り、かつ記録時における磁気ヘッドと軟磁性下地膜２と
の距離を小さくすることができるので、再生信号の分解
能を低下させることなく記録再生特性を高めることがで
きる。この厚さが上記範囲未満であると、垂直磁性膜４
における垂直配向性が低下し、記録再生特性および熱揺
らぎ耐性が劣化する。また、この厚さが上記範囲を超え
ると、垂直磁性膜４における垂直配向性が低下し、ノイ
ズ特性および熱揺らぎ耐性が劣化する。また記録時にお
ける磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなる
ため、再生信号の分解能が低下するため好ましくない。
【００１４】第２配向制御層３ｂには、ｈｃｐ構造をな
す材料が用いられる。このｈｃｐ構造をなす材料として
は、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、
Ｈｆのうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
なかでも特にＲｕを用いると、垂直磁性膜４の垂直配向
性を高めることができるのが好ましい。この材料として
は、垂直磁性膜４に対する格子の整合性を考慮して、こ
れらの材料にＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ等を添加した合金
を用いることができる。またこの材料としては、結晶粒
子の観点から、これらの材料にＣ、Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂを
添加した合金を用いることもできる。
す材料が用いられる。このｈｃｐ構造をなす材料として
は、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、
Ｈｆのうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
なかでも特にＲｕを用いると、垂直磁性膜４の垂直配向
性を高めることができるのが好ましい。この材料として
は、垂直磁性膜４に対する格子の整合性を考慮して、こ
れらの材料にＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ等を添加した合金
を用いることができる。またこの材料としては、結晶粒
子の観点から、これらの材料にＣ、Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂを
添加した合金を用いることもできる。
【００１５】第２配向制御層３ｂの厚さは、０．１〜５
０ｎｍ（好ましくは２〜２５ｎｍ）とする。この厚さが
上記範囲未満であると、垂直磁性膜４における垂直配向
性が低下し記録再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化す
る。またこの厚さが上記範囲を超えると、第２配向制御
層３ｂにおいて結晶粒子が粗大化し、垂直磁性膜４にお
いて結晶粒子が粗大化し記録再生特性が悪化する。また
記録再生時における、磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との
距離が大きくなることから、再生信号の分解能が低下す
るため好ましくない。
０ｎｍ（好ましくは２〜２５ｎｍ）とする。この厚さが
上記範囲未満であると、垂直磁性膜４における垂直配向
性が低下し記録再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化す
る。またこの厚さが上記範囲を超えると、第２配向制御
層３ｂにおいて結晶粒子が粗大化し、垂直磁性膜４にお
いて結晶粒子が粗大化し記録再生特性が悪化する。また
記録再生時における、磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との
距離が大きくなることから、再生信号の分解能が低下す
るため好ましくない。
【００１６】配向制御膜３の表面形状は、垂直磁性膜
４、保護膜５の表面形状に影響を与えるため、磁気記録
媒体の表面凹凸を小さくして、記録再生時における磁気
ヘッド浮上高さを低くするには、配向制御膜３の表面平
均粗さＲａを２ｎｍ以下とするのが好ましい。この表面
平均粗さＲａを２ｎｍ以下とすることによって、磁気記
録媒体の表面凹凸を小さくし、記録再生時における磁気
ヘッド浮上高さを十分に低くし、記録密度を高めること
ができる。
４、保護膜５の表面形状に影響を与えるため、磁気記録
媒体の表面凹凸を小さくして、記録再生時における磁気
ヘッド浮上高さを低くするには、配向制御膜３の表面平
均粗さＲａを２ｎｍ以下とするのが好ましい。この表面
平均粗さＲａを２ｎｍ以下とすることによって、磁気記
録媒体の表面凹凸を小さくし、記録再生時における磁気
ヘッド浮上高さを十分に低くし、記録密度を高めること
ができる。
【００１７】配向制御膜３を形成する際には、第１配向
制御層３ａや第２配向制御層３ｂの成膜用のガスに酸素
や窒素を導入し、その表面に酸化膜または窒化膜を形成
してもよい。例えば、成膜法としてスパッタ法を用いる
ならば、プロセスガスとしては、アルゴンに酸素を体積
率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２０％）程
度混合したガス、アルゴンに窒素を体積率で０．０１〜
２０％（好ましくは０．０２〜１０％）程度混合したガ
スが好適に用いられる。
制御層３ａや第２配向制御層３ｂの成膜用のガスに酸素
や窒素を導入し、その表面に酸化膜または窒化膜を形成
してもよい。例えば、成膜法としてスパッタ法を用いる
ならば、プロセスガスとしては、アルゴンに酸素を体積
率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２０％）程
度混合したガス、アルゴンに窒素を体積率で０．０１〜
２０％（好ましくは０．０２〜１０％）程度混合したガ
スが好適に用いられる。
【００１８】垂直磁性膜４は、その磁化容易軸が基板に
対し主に垂直に配向した磁性膜であり、磁性材料からな
るものとすることができ、その材料としては、ＣｏＣｒ
系、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＸ
１系、ＣｏＰｔＸ１系（Ｘ１：Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃ
ｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、およびＢ
のうち１種または２種以上）の合金を用いるのが好まし
い。特に、垂直磁性膜４の垂直磁気異方性を高めるため
に、ＣｏＣｒＰｔＸ１系、ＣｏＰｔＸ１系（Ｘ１：Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓ
ｉ、Ｏ、Ｎ、およびＢのうち１種または２種以上）の合
金で、Ｐｔ含有量が８〜２４ａｔ％であるものを用いる
ことが好ましい。また、垂直磁性膜４には、遷移金属
（Ｃｏ、Ｃｏ合金，Ｆｅ、Ｆｅ合金など）と貴金属材料
（Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ｐｔ、Ｐｔ合金）とを多数回にわた
って積層した構造を採用できる。例えば、Ｃｏ、ＣｏＸ
２、Ｆｅ、ＦｅＸ２のいずれかからなる層と、Ｐｄ、Ｐ
ｄＸ２、Ｐｔ、ＰｔＸ２（Ｘ２：Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、
Ｂ、Ｏ、Ｒｕ、Ｓｉのうち１種または２種以上）のいず
れかからなる層を多数回にわたって積層した構造を採用
することができる。上記に挙げたＣｏＣｒ系、ＣｏＣｒ
Ｐｔ系、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＸ１系、ＣｏＰ
ｔＸ１系や積層構造型の垂直磁性膜はいずれも多結晶構
造であるが、本発明の磁気記録媒体は、非晶質構造の垂
直磁性膜を適用することもできる。非晶質構造をなす材
料としては、特に限定されるものではないが、ＴｂＦｅ
Ｃｏ系合金などの希土類元素を含む合金を用いることが
できる。
対し主に垂直に配向した磁性膜であり、磁性材料からな
るものとすることができ、その材料としては、ＣｏＣｒ
系、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＸ
１系、ＣｏＰｔＸ１系（Ｘ１：Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃ
ｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、およびＢ
のうち１種または２種以上）の合金を用いるのが好まし
い。特に、垂直磁性膜４の垂直磁気異方性を高めるため
に、ＣｏＣｒＰｔＸ１系、ＣｏＰｔＸ１系（Ｘ１：Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓ
ｉ、Ｏ、Ｎ、およびＢのうち１種または２種以上）の合
金で、Ｐｔ含有量が８〜２４ａｔ％であるものを用いる
ことが好ましい。また、垂直磁性膜４には、遷移金属
（Ｃｏ、Ｃｏ合金，Ｆｅ、Ｆｅ合金など）と貴金属材料
（Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ｐｔ、Ｐｔ合金）とを多数回にわた
って積層した構造を採用できる。例えば、Ｃｏ、ＣｏＸ
２、Ｆｅ、ＦｅＸ２のいずれかからなる層と、Ｐｄ、Ｐ
ｄＸ２、Ｐｔ、ＰｔＸ２（Ｘ２：Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、
Ｂ、Ｏ、Ｒｕ、Ｓｉのうち１種または２種以上）のいず
れかからなる層を多数回にわたって積層した構造を採用
することができる。上記に挙げたＣｏＣｒ系、ＣｏＣｒ
Ｐｔ系、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＸ１系、ＣｏＰ
ｔＸ１系や積層構造型の垂直磁性膜はいずれも多結晶構
造であるが、本発明の磁気記録媒体は、非晶質構造の垂
直磁性膜を適用することもできる。非晶質構造をなす材
料としては、特に限定されるものではないが、ＴｂＦｅ
Ｃｏ系合金などの希土類元素を含む合金を用いることが
できる。
【００１９】垂直磁性膜４の厚さは、３〜１００ｎｍ
（好ましくは５〜５０ｎｍ）とするのが好ましい。垂直
磁性膜４の厚さが上記範囲未満であると、十分な磁束が
得られず、再生出力が低下する。また、垂直磁性膜４の
厚さが上記範囲を超えると、垂直磁性膜４内の磁性粒子
の粗大化が起き、記録再生特性が低下するため好ましく
ない。
（好ましくは５〜５０ｎｍ）とするのが好ましい。垂直
磁性膜４の厚さが上記範囲未満であると、十分な磁束が
得られず、再生出力が低下する。また、垂直磁性膜４の
厚さが上記範囲を超えると、垂直磁性膜４内の磁性粒子
の粗大化が起き、記録再生特性が低下するため好ましく
ない。
【００２０】なお、垂直磁性膜４は、組成、構造が異な
る層を２層以上重ね合わせたものとしてもよい。例え
ば、垂直磁性膜４は、複数の磁性層とそれら各磁性層間
に形成されている中間層とからなり、前記中間層には結
晶構造がＢ２構造である構成またはｈｃｐ構造である構
成を用いることもできる。このときの、磁性層の組成、
構造は互いに同じものとしても、異なるものとしてもよ
い。中間膜の材料としては限定されるものではないが、
格子の整合性を考慮すると、ＲｕやＲｕにＣｏ、Ｃｒ、
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂ等を添加した合金
や、ＣｏＣｒにＦｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃ、
Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂ等を添加した合金を用いるのが特に好
ましい。
る層を２層以上重ね合わせたものとしてもよい。例え
ば、垂直磁性膜４は、複数の磁性層とそれら各磁性層間
に形成されている中間層とからなり、前記中間層には結
晶構造がＢ２構造である構成またはｈｃｐ構造である構
成を用いることもできる。このときの、磁性層の組成、
構造は互いに同じものとしても、異なるものとしてもよ
い。中間膜の材料としては限定されるものではないが、
格子の整合性を考慮すると、ＲｕやＲｕにＣｏ、Ｃｒ、
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂ等を添加した合金
や、ＣｏＣｒにＦｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃ、
Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂ等を添加した合金を用いるのが特に好
ましい。
【００２１】垂直磁性膜４の保磁力は、３０００（Ｏ
ｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が３０００（Ｏ
ｅ）より小さい磁気記録媒体は、高記録密度には不適で
あり、また熱揺らぎ耐性にも劣るため好ましくない。
ｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が３０００（Ｏ
ｅ）より小さい磁気記録媒体は、高記録密度には不適で
あり、また熱揺らぎ耐性にも劣るため好ましくない。
【００２２】垂直磁性膜４は、結晶粒子の平均粒径が５
〜１５ｎｍであることが好ましい。この平均粒径は、例
えば垂直磁性膜４の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微
鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求める
ことができる。
〜１５ｎｍであることが好ましい。この平均粒径は、例
えば垂直磁性膜４の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微
鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求める
ことができる。
【００２３】保護膜５は垂直磁性膜４の腐食を防ぐとと
もに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損
傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例
えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2を含むものが使用可能であ
る。保護膜５の厚さは、１〜１０ｎｍとするのが望まし
い。潤滑剤６には、パーフルオロポリエーテル、フッ素
化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好
ましい。
もに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損
傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例
えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2を含むものが使用可能であ
る。保護膜５の厚さは、１〜１０ｎｍとするのが望まし
い。潤滑剤６には、パーフルオロポリエーテル、フッ素
化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好
ましい。
【００２４】上記構成の磁気記録媒体を製造するには、
基板１上に、軟磁性下地膜２、配向制御膜３、垂直磁性
膜４を順次、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレー
ティングなどにより形成する。次いで保護膜５を、好ま
しくはプラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタリ
ング法により形成する。潤滑剤６を形成するには、ディ
ッピング法、スピンコート法などの従来公知の方法を採
用することができる。
基板１上に、軟磁性下地膜２、配向制御膜３、垂直磁性
膜４を順次、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレー
ティングなどにより形成する。次いで保護膜５を、好ま
しくはプラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタリ
ング法により形成する。潤滑剤６を形成するには、ディ
ッピング法、スピンコート法などの従来公知の方法を採
用することができる。
【００２５】上記構成の磁気記録媒体にあっては、配向
制御膜３が、Ｂ２構造をなす第１配向制御層３ａ上に、
ｈｃｐ構造をなす第２配向制御層３ｂを設けた構造を有
し、第１配向制御層３ａの厚さが０．１〜２０ｎｍ（好
ましくは１．５〜１０ｎｍ）であるので、熱揺らぎ耐性
を高めるとともに、記録再生特性、記録分解能を高める
ことができる。第１配向制御層３ａの厚さを上記範囲と
することによって熱揺らぎ耐性を高めることができるの
は以下の理由によると考えられる。すなわち、Ｂ２構造
をなす第１配向制御層３ａの厚さを上記範囲としたと
き、この第１配向制御層３ａが垂直磁性膜４の配向性を
最も高め得る表面状態となり、その結果、垂直磁性膜４
における垂直磁性を向上し（図２参照）、磁気異方性を
高めることができる。このため、優れた熱揺らぎ耐性が
得られる。なお、熱揺らぎとは、記録ビットが不安定と
なり記録したデータの熱消失が起こる現象をいい、磁気
記録媒体装置においては、記録したデータの再生出力の
経時的な減衰として現れる。
制御膜３が、Ｂ２構造をなす第１配向制御層３ａ上に、
ｈｃｐ構造をなす第２配向制御層３ｂを設けた構造を有
し、第１配向制御層３ａの厚さが０．１〜２０ｎｍ（好
ましくは１．５〜１０ｎｍ）であるので、熱揺らぎ耐性
を高めるとともに、記録再生特性、記録分解能を高める
ことができる。第１配向制御層３ａの厚さを上記範囲と
することによって熱揺らぎ耐性を高めることができるの
は以下の理由によると考えられる。すなわち、Ｂ２構造
をなす第１配向制御層３ａの厚さを上記範囲としたと
き、この第１配向制御層３ａが垂直磁性膜４の配向性を
最も高め得る表面状態となり、その結果、垂直磁性膜４
における垂直磁性を向上し（図２参照）、磁気異方性を
高めることができる。このため、優れた熱揺らぎ耐性が
得られる。なお、熱揺らぎとは、記録ビットが不安定と
なり記録したデータの熱消失が起こる現象をいい、磁気
記録媒体装置においては、記録したデータの再生出力の
経時的な減衰として現れる。
【００２６】第１配向制御層３ａの厚さを上記範囲とす
ることによって記録再生特性を向上させることができる
のは、この第１配向制御層３ａの影響下で成長する第２
配向制御層３ｂ、垂直磁性膜４では、結晶粒子の微細
化、孤立化、均一化が進行するためだと考えられる。
ることによって記録再生特性を向上させることができる
のは、この第１配向制御層３ａの影響下で成長する第２
配向制御層３ｂ、垂直磁性膜４では、結晶粒子の微細
化、孤立化、均一化が進行するためだと考えられる。
【００２７】第１配向制御膜３ａの厚さを上記範囲とす
ることによって記録分解能を向上させることができるの
は、磁気ヘッドと軟磁性膜２の距離を大きくすることな
く垂直磁性膜４の垂直配向性を高めることができるため
だと考えられる。
ることによって記録分解能を向上させることができるの
は、磁気ヘッドと軟磁性膜２の距離を大きくすることな
く垂直磁性膜４の垂直配向性を高めることができるため
だと考えられる。
【００２８】図３は本発明の磁気記録媒体の第２の実施
形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体では、配向
制御膜３と垂直磁性膜４との間に、非磁性中間膜７が設
けられている。非磁性中間膜７にはｈｃｐ構造を有する
非磁性材料を用いるのが好ましい。非磁性中間膜７に
は、非磁性のＣｏＣｒ合金やＣｏＣｒＸ３合金やＣｏＸ
３合金（Ｘ３：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、
Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち
１種または２種以上）を用いるのが好適である。非磁性
中間膜７の厚さは、垂直磁性膜４における磁性粒子の粗
大化による記録再生特性の悪化や、磁気ヘッドと軟磁性
下地膜２との距離が大きくなることによる記録分解能の
低下を起こさないようにするために、２０ｎｍ以下（好
ましくは１０ｎｍ以下）とするのが好ましい。本実施形
態の磁気記録媒体においては、非磁性中間膜７を設ける
ことによって、垂直磁性膜４の垂直配向性を高めること
ができるので、垂直磁性膜４の保磁力Ｈｃを高め、記録
再生特性および熱揺らぎ耐性をさらに向上させることが
できる。
形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体では、配向
制御膜３と垂直磁性膜４との間に、非磁性中間膜７が設
けられている。非磁性中間膜７にはｈｃｐ構造を有する
非磁性材料を用いるのが好ましい。非磁性中間膜７に
は、非磁性のＣｏＣｒ合金やＣｏＣｒＸ３合金やＣｏＸ
３合金（Ｘ３：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、
Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち
１種または２種以上）を用いるのが好適である。非磁性
中間膜７の厚さは、垂直磁性膜４における磁性粒子の粗
大化による記録再生特性の悪化や、磁気ヘッドと軟磁性
下地膜２との距離が大きくなることによる記録分解能の
低下を起こさないようにするために、２０ｎｍ以下（好
ましくは１０ｎｍ以下）とするのが好ましい。本実施形
態の磁気記録媒体においては、非磁性中間膜７を設ける
ことによって、垂直磁性膜４の垂直配向性を高めること
ができるので、垂直磁性膜４の保磁力Ｈｃを高め、記録
再生特性および熱揺らぎ耐性をさらに向上させることが
できる。
【００２９】図４は、本発明の磁気記録媒体の第３の実
施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体では、非
磁性基板１と軟磁性下地膜２との間に、磁気異方性が主
に面内方向を向いた硬磁性膜８が設けられている。硬磁
性下地膜８にはＣｏＳｍ合金や、ＣｏＣｒＣｏＸ４合金
（Ｘ４：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、
Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち１種または２
種以上）を用いるのが好適である。硬磁性膜８は、保磁
力Ｈｃが５００（Ｏｅ）以上（好ましくは１０００（Ｏ
ｅ）以上）であることが好ましい。硬磁性膜８の厚さ
は、２０〜１５０ｎｍ（好ましくは４０〜７０ｎｍ）で
あることが好ましい。２０ｎｍ未満であると、エラーレ
ートを低くする効果が低下し、硬磁性下地膜８の厚さが
１５０ｎｍを超えると、配向制御膜３の表面平均粗さＲ
ａが大きくなるため好ましくない。硬磁性膜８は、軟磁
性下地膜２と交換結合しており、磁化方向が基板半径方
向に向けられた構成とするのが好ましい。硬磁性下地膜
８を設けることによって、より効果的に軟磁性下地膜２
での巨大な磁区の形成を抑えることができるので、磁壁
によるスパイクノイズの発生を防止して、記録再生時の
エラーレートを十分に低くすることができる。
施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体では、非
磁性基板１と軟磁性下地膜２との間に、磁気異方性が主
に面内方向を向いた硬磁性膜８が設けられている。硬磁
性下地膜８にはＣｏＳｍ合金や、ＣｏＣｒＣｏＸ４合金
（Ｘ４：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、
Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち１種または２
種以上）を用いるのが好適である。硬磁性膜８は、保磁
力Ｈｃが５００（Ｏｅ）以上（好ましくは１０００（Ｏ
ｅ）以上）であることが好ましい。硬磁性膜８の厚さ
は、２０〜１５０ｎｍ（好ましくは４０〜７０ｎｍ）で
あることが好ましい。２０ｎｍ未満であると、エラーレ
ートを低くする効果が低下し、硬磁性下地膜８の厚さが
１５０ｎｍを超えると、配向制御膜３の表面平均粗さＲ
ａが大きくなるため好ましくない。硬磁性膜８は、軟磁
性下地膜２と交換結合しており、磁化方向が基板半径方
向に向けられた構成とするのが好ましい。硬磁性下地膜
８を設けることによって、より効果的に軟磁性下地膜２
での巨大な磁区の形成を抑えることができるので、磁壁
によるスパイクノイズの発生を防止して、記録再生時の
エラーレートを十分に低くすることができる。
【００３０】図５は、本発明の磁気記録媒体の第４の実
施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体では、垂
直磁性膜４と保護膜５との間に軟磁性材料からなる磁化
安定膜９が設けられている。磁化安定膜９の材料として
は、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、Ｆ
ｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣ
ｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、
ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲ
ｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、Ｆ
ｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（Ｆ
ｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合
金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮな
ど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、
ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、Ｆｅ
Ｂ系合金などを挙げることができる。またＦｅを６０ａ
ｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａ
Ｎ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒
子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有す
る材料を用いてもよい。磁化安定膜９の材料としては、
上記のほか、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有
し、アモルファス構造を有するＣｏ合金を用いることが
できる。この材料としては、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、
ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏ系合金など
を好適なものとして挙げることができる。
施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体では、垂
直磁性膜４と保護膜５との間に軟磁性材料からなる磁化
安定膜９が設けられている。磁化安定膜９の材料として
は、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、Ｆ
ｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣ
ｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、
ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲ
ｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、Ｆ
ｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（Ｆ
ｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合
金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮな
ど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、
ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、Ｆｅ
Ｂ系合金などを挙げることができる。またＦｅを６０ａ
ｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａ
Ｎ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒
子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有す
る材料を用いてもよい。磁化安定膜９の材料としては、
上記のほか、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有
し、アモルファス構造を有するＣｏ合金を用いることが
できる。この材料としては、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、
ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏ系合金など
を好適なものとして挙げることができる。
【００３１】磁化安定膜９の保磁力Ｈｃは２００（Ｏ
ｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好
ましい。磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓは、０．４Ｔ
以上（好ましくは１Ｔ以上）とするのが好ましい。ま
た、磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と膜厚ｔ
（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）は７．２（Ｔ・ｎ
ｍ）以下であること好ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲
を超えると、再生出力が低下するため好ましくない。ま
た、磁化安定膜９の最大透磁率は、１０００〜１０００
０００（好ましくは１０００００〜５０００００）とす
るのが好ましい。
ｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好
ましい。磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓは、０．４Ｔ
以上（好ましくは１Ｔ以上）とするのが好ましい。ま
た、磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と膜厚ｔ
（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）は７．２（Ｔ・ｎ
ｍ）以下であること好ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲
を超えると、再生出力が低下するため好ましくない。ま
た、磁化安定膜９の最大透磁率は、１０００〜１０００
０００（好ましくは１０００００〜５０００００）とす
るのが好ましい。
【００３２】磁化安定膜９は、磁化安定膜９を構成する
材料が部分的、あるいは完全に酸化されて構成されてい
ることが好ましい。つまり、磁化安定膜９の表面（保護
膜５側もしくは垂直磁性膜４側の面）およびその近傍
（表面から所定の深さの領域）において、磁化安定膜９
を構成する材料が部分的または全体的に酸化されている
のが好ましい。これにより、磁化安定膜９の表面の磁気
的な揺らぎを抑えることができるので、この磁気的な揺
らぎに起因するノイズの低減して、磁気記録媒体の記録
再生特性を改善することができる。
材料が部分的、あるいは完全に酸化されて構成されてい
ることが好ましい。つまり、磁化安定膜９の表面（保護
膜５側もしくは垂直磁性膜４側の面）およびその近傍
（表面から所定の深さの領域）において、磁化安定膜９
を構成する材料が部分的または全体的に酸化されている
のが好ましい。これにより、磁化安定膜９の表面の磁気
的な揺らぎを抑えることができるので、この磁気的な揺
らぎに起因するノイズの低減して、磁気記録媒体の記録
再生特性を改善することができる。
【００３３】垂直磁性膜４と保護膜５との間に軟磁性材
料からなる磁化安定膜９を設けることにより、熱揺らぎ
耐性の向上、再生出力の増加を図ることができる。これ
は、垂直磁性膜４の表面に存在する磁化の揺らぎを、こ
の磁化安定化膜９が安定化することにより、漏れ磁束が
揺らぎの影響を受けなくなり、再生出力が増加するため
であると考えられる。また、この磁化安定膜９が設けら
れていることにより、垂直磁性膜４の基板１に垂直な方
向の磁化と、軟磁性下地膜２および磁化安定膜９の面内
方向の磁化が、閉回路を形成する。この作用により、垂
直磁性膜４の磁化がより強固に固定されるので、熱揺ら
ぎ耐性が向上すると考えられる。
料からなる磁化安定膜９を設けることにより、熱揺らぎ
耐性の向上、再生出力の増加を図ることができる。これ
は、垂直磁性膜４の表面に存在する磁化の揺らぎを、こ
の磁化安定化膜９が安定化することにより、漏れ磁束が
揺らぎの影響を受けなくなり、再生出力が増加するため
であると考えられる。また、この磁化安定膜９が設けら
れていることにより、垂直磁性膜４の基板１に垂直な方
向の磁化と、軟磁性下地膜２および磁化安定膜９の面内
方向の磁化が、閉回路を形成する。この作用により、垂
直磁性膜４の磁化がより強固に固定されるので、熱揺ら
ぎ耐性が向上すると考えられる。
【００３４】図３〜図５に示す構成の磁気記録媒体は、
図１に示す磁気記録媒体の製造工程（基板１上にスパッ
タ法などにより、軟磁性下地膜２を形成中、または形成
後に軟磁性下地膜２の表面を酸化処理を施し、次いで配
向制御膜３、垂直磁性膜４をスパッタ法などにより形成
し、次いで保護膜５をＣＶＤ法、イオンビーム法、スパ
ッタ法などにより形成する。次いで、ディッピング法、
スピンコート法などにより潤滑膜６を形成する）におい
て、必要に応じて基板１と軟磁性下地膜２との間に硬磁
性膜８を形成する工程や、配向制御膜３と垂直磁性膜４
との間に非磁性中間膜７を形成する工程や、垂直磁性膜
４と保護膜５との間に磁化安定膜９を形成する工程や、
磁化安定膜９の表面を酸化処理する工程を行うことによ
って製造することができる。
図１に示す磁気記録媒体の製造工程（基板１上にスパッ
タ法などにより、軟磁性下地膜２を形成中、または形成
後に軟磁性下地膜２の表面を酸化処理を施し、次いで配
向制御膜３、垂直磁性膜４をスパッタ法などにより形成
し、次いで保護膜５をＣＶＤ法、イオンビーム法、スパ
ッタ法などにより形成する。次いで、ディッピング法、
スピンコート法などにより潤滑膜６を形成する）におい
て、必要に応じて基板１と軟磁性下地膜２との間に硬磁
性膜８を形成する工程や、配向制御膜３と垂直磁性膜４
との間に非磁性中間膜７を形成する工程や、垂直磁性膜
４と保護膜５との間に磁化安定膜９を形成する工程や、
磁化安定膜９の表面を酸化処理する工程を行うことによ
って製造することができる。
【００３５】図６は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を
回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気記録媒体１０に
情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、ヘッド駆動部１
３と、記録再生信号処理系１４とを備えている。記録再
生信号処理系１４は、入力されたデータを処理して記録
信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気ヘッド１２から
の再生信号を処理してデータを出力することができるよ
うになっている。磁気ヘッド１２としては、垂直記録用
の単磁極ヘッドを例示することができる。図６（ｂ）に
示すように、この単磁極ヘッドとしては、主磁極１２ａ
と、補助磁極１２ｂと、これら連結部１２ｃに設けられ
たコイル１２ｄとを有する構成のものを好適に用いるこ
とができる。
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を
回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気記録媒体１０に
情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、ヘッド駆動部１
３と、記録再生信号処理系１４とを備えている。記録再
生信号処理系１４は、入力されたデータを処理して記録
信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気ヘッド１２から
の再生信号を処理してデータを出力することができるよ
うになっている。磁気ヘッド１２としては、垂直記録用
の単磁極ヘッドを例示することができる。図６（ｂ）に
示すように、この単磁極ヘッドとしては、主磁極１２ａ
と、補助磁極１２ｂと、これら連結部１２ｃに設けられ
たコイル１２ｄとを有する構成のものを好適に用いるこ
とができる。
【００３６】上記磁気記録再生装置によれば、上記磁気
記録媒体１０を用いるので、熱揺らぎ耐性および記録再
生特性を高めることができる。従って、データ消失など
のトラブルを未然に防ぐとともに、高記録密度化を図る
ことができる。なお、本明細書において、主成分とは当
該成分を５０ａｔ％を超えて含むことを指す。
記録媒体１０を用いるので、熱揺らぎ耐性および記録再
生特性を高めることができる。従って、データ消失など
のトラブルを未然に防ぐとともに、高記録密度化を図る
ことができる。なお、本明細書において、主成分とは当
該成分を５０ａｔ％を超えて含むことを指す。
【００３７】
【実施例】以下、実施例を示して本発明の作用効果を明
確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定される
ものではない。 （実施例１）洗浄済みのガラス基板１（オハラ社製、外
径２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容し
て、到達真空度１×１０-5Ｐａとなるまで成膜チャンバ
内を排気した後、このガラス基板上に８９ａｔ％Ｃｏ−
４ａｔ％Ｚｒ−７ａｔ％Ｎｂのターゲットを用いて、１
００℃以下の基板温度で１００ｎｍの軟磁性下地膜２を
スパッタリングにより成膜した。この膜の飽和磁束密度
Ｂｓ（Ｔ）と膜厚ｔ（ｎｍ）の積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）
が２００（Ｔ・ｎｍ）であることを振動式磁気特性測定
装置（ＶＳＭ）で確認した。次いで、基板を２００℃に
加熱して、上記軟磁性下地膜２上に、５０ａｔ％Ｎｉ−
５０ａｔ％Ａｌからなる第１配向制御層３ａ（厚さ８ｎ
ｍ）と、Ｒｕからなる第２配向制御層３ｂ（厚さ２０ｎ
ｍ）とからなる配向制御膜３を形成し、その後、６２ａ
ｔ％Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％
Ｂからなる垂直磁性膜４（厚さ３０ｎｍ）を形成した。
上記スパッタリング工程においては、成膜用のプロセス
ガスとしてアルゴンを用い、ガス圧力０．５Ｐａにて成
膜を行った。次いで、ＣＶＤ法により５ｎｍの保護膜５
を形成した。次いで、ディッピング法によりパーフルオ
ロポリエーテルからなる潤滑膜６を形成し、磁気記録媒
体を得た。
確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定される
ものではない。 （実施例１）洗浄済みのガラス基板１（オハラ社製、外
径２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容し
て、到達真空度１×１０-5Ｐａとなるまで成膜チャンバ
内を排気した後、このガラス基板上に８９ａｔ％Ｃｏ−
４ａｔ％Ｚｒ−７ａｔ％Ｎｂのターゲットを用いて、１
００℃以下の基板温度で１００ｎｍの軟磁性下地膜２を
スパッタリングにより成膜した。この膜の飽和磁束密度
Ｂｓ（Ｔ）と膜厚ｔ（ｎｍ）の積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）
が２００（Ｔ・ｎｍ）であることを振動式磁気特性測定
装置（ＶＳＭ）で確認した。次いで、基板を２００℃に
加熱して、上記軟磁性下地膜２上に、５０ａｔ％Ｎｉ−
５０ａｔ％Ａｌからなる第１配向制御層３ａ（厚さ８ｎ
ｍ）と、Ｒｕからなる第２配向制御層３ｂ（厚さ２０ｎ
ｍ）とからなる配向制御膜３を形成し、その後、６２ａ
ｔ％Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％
Ｂからなる垂直磁性膜４（厚さ３０ｎｍ）を形成した。
上記スパッタリング工程においては、成膜用のプロセス
ガスとしてアルゴンを用い、ガス圧力０．５Ｐａにて成
膜を行った。次いで、ＣＶＤ法により５ｎｍの保護膜５
を形成した。次いで、ディッピング法によりパーフルオ
ロポリエーテルからなる潤滑膜６を形成し、磁気記録媒
体を得た。
【００３８】（実施例２〜１５）実施例２〜１５とし
て、第１配向制御層３ａ、第２配向制御層３ｂの材料と
厚さを表１に示すようにした以外は、実施例１と同様の
作製工程にて磁気記録媒体を作製した（表１を参照）。
て、第１配向制御層３ａ、第２配向制御層３ｂの材料と
厚さを表１に示すようにした以外は、実施例１と同様の
作製工程にて磁気記録媒体を作製した（表１を参照）。
【００３９】（比較例１〜４）比較例１〜４として、第
１配向制御膜３ａの厚さを０．１〜２０ｎｍの範囲外、
または第２配向制御膜３ｂの厚さを０．１〜５０ｎｍの
範囲外に設定した以外は、実施例１と同様の作製工程に
て磁気記録媒体を作製した（表１を参照）。
１配向制御膜３ａの厚さを０．１〜２０ｎｍの範囲外、
または第２配向制御膜３ｂの厚さを０．１〜５０ｎｍの
範囲外に設定した以外は、実施例１と同様の作製工程に
て磁気記録媒体を作製した（表１を参照）。
【００４０】（実施例１６〜１９）実施例１６〜１９と
して、軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と軟磁
性下地膜２の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎ
ｍ）を表２に示すように設定した以外は、実施例１と同
様の作製工程にて磁気記録媒体を作製した（表２を参
照）。
して、軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と軟磁
性下地膜２の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎ
ｍ）を表２に示すように設定した以外は、実施例１と同
様の作製工程にて磁気記録媒体を作製した（表２を参
照）。
【００４１】（実施例２０〜２３）実施例２０〜２３と
して、軟磁性下地膜２の材料として表２に示すものを用
いた以外は、実施例１と同様の作製工程にて磁気記録媒
体を作製した（表２を参照）。
して、軟磁性下地膜２の材料として表２に示すものを用
いた以外は、実施例１と同様の作製工程にて磁気記録媒
体を作製した（表２を参照）。
【００４２】（比較例５）比較例５として、軟磁性下地
膜２を設けない以外は、実施例１と同様の作製工程にて
磁気記録媒体を作製した（表２を参照）。
膜２を設けない以外は、実施例１と同様の作製工程にて
磁気記録媒体を作製した（表２を参照）。
【００４３】（実施例２４〜３１）実施例２４〜３１と
して、垂直磁性膜４の材料と厚さを表３に示すようにし
た以外は、実施例１と同様の作製工程にて磁気記録媒体
を作製した（表３を参照）。
して、垂直磁性膜４の材料と厚さを表３に示すようにし
た以外は、実施例１と同様の作製工程にて磁気記録媒体
を作製した（表３を参照）。
【００４４】（実施例３２〜３８）実施例３２〜３８と
して、配向制御層３と垂直磁性膜４との間に非磁性中間
膜７を設け、この非磁性中間膜７の材料と厚さを表４に
示すようにした以外は、実施例１と同様の作製工程にて
磁気記録媒体を作製した（表４を参照）。
して、配向制御層３と垂直磁性膜４との間に非磁性中間
膜７を設け、この非磁性中間膜７の材料と厚さを表４に
示すようにした以外は、実施例１と同様の作製工程にて
磁気記録媒体を作製した（表４を参照）。
【００４５】（実施例３９〜４３）実施例３９〜４３と
して、基板１と軟磁性下地膜２との間に硬磁性膜８を設
け、この硬磁性膜８の材料と厚さを、表５に示すように
した以外は、実施例１と同様の作製工程にて磁気記録媒
体を作製した（表５を参照）。
して、基板１と軟磁性下地膜２との間に硬磁性膜８を設
け、この硬磁性膜８の材料と厚さを、表５に示すように
した以外は、実施例１と同様の作製工程にて磁気記録媒
体を作製した（表５を参照）。
【００４６】（実施例４４〜４９）実施例４４〜４９と
して、垂直磁性膜４と保護膜６との間に磁化安定膜９を
設け、この磁化安定膜９の材料と厚さを表６に示すよう
にした以外は、実施例１と同様の作製工程にて磁気記録
媒体を作製した（表６を参照）。
して、垂直磁性膜４と保護膜６との間に磁化安定膜９を
設け、この磁化安定膜９の材料と厚さを表６に示すよう
にした以外は、実施例１と同様の作製工程にて磁気記録
媒体を作製した（表６を参照）。
【００４７】（実施例４９）軟磁性下地膜２を形成した
後、チャンバ内に純酸素（１００ｖｏｌ％Ｏ2）を導入
し、軟磁性下地膜２の表面を酸素に曝露し（曝露工
程）、軟磁性下地膜２の表面に酸化膜を形成して磁気記
録媒体を作製した（表７を参照）。
後、チャンバ内に純酸素（１００ｖｏｌ％Ｏ2）を導入
し、軟磁性下地膜２の表面を酸素に曝露し（曝露工
程）、軟磁性下地膜２の表面に酸化膜を形成して磁気記
録媒体を作製した（表７を参照）。
【００４８】（実施例５０）曝露工程において、軟磁性
下地膜２を酸素に曝露する時間を変えることによって、
酸化膜の厚さを変化させて磁気記録媒体を作製した（表
７を参照）。
下地膜２を酸素に曝露する時間を変えることによって、
酸化膜の厚さを変化させて磁気記録媒体を作製した（表
７を参照）。
【００４９】（実施例５１）曝露工程において、軟磁性
下地膜２を曝露するガスとして、純酸素に代えて表１に
示すガスを用いて磁気記録媒体を作製した（表７を参
照）。
下地膜２を曝露するガスとして、純酸素に代えて表１に
示すガスを用いて磁気記録媒体を作製した（表７を参
照）。
【００５０】（実施例５２、５３）曝露工程を行わず、
これに代えて、軟磁性下地膜２を形成する成膜工程に用
いるプロセスガスとして、酸素含有アルゴンガスを用い
ることにより酸化膜を形成して磁気記録媒体を作製した
（表７を参照）。
これに代えて、軟磁性下地膜２を形成する成膜工程に用
いるプロセスガスとして、酸素含有アルゴンガスを用い
ることにより酸化膜を形成して磁気記録媒体を作製した
（表７を参照）。
【００５１】（実施例５４、５５）軟磁性下地膜の材料
として表７に示すものを用いること以外は実施例４９と
同様にして磁気記録媒体を作製した（表７を参照）。
として表７に示すものを用いること以外は実施例４９と
同様にして磁気記録媒体を作製した（表７を参照）。
【００５２】上記磁気記録媒体の静磁気特性をｋｅｒｒ
効果測定装置を用いて測定した。また、これら磁気記録
媒体の記録再生特性および熱揺らぎ耐性をＧＵＺＩＫ社
製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピ
ンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。記録再生
特性の評価には、磁気ヘッドとして、図６（ｂ）に示す
ものと同様の垂直記録用の単磁極ヘッドを用い、再生出
力を線記録密度５０ｋＦＣＩにて、エラーレートを線記
録密度６００ｋＦＣＩにて測定した。また、熱揺らぎ耐
性の評価は、基板を７０℃に加熱して線記録密度５０ｋ
ＦＣＩにて書き込みをおこなった後、書き込み後１秒後
の再生出力に対する出力の低下率（％／ｄｅｃａｄｅ）
を、（Ｓｏ−Ｓ）×１００／（Ｓｏ×３）に基づいて算
出した。この式において、Ｓｏは磁気記録媒体に信号記
録後１秒経過時の再生出力を示し、Ｓは１０００秒後の
再生出力を示す。
効果測定装置を用いて測定した。また、これら磁気記録
媒体の記録再生特性および熱揺らぎ耐性をＧＵＺＩＫ社
製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピ
ンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。記録再生
特性の評価には、磁気ヘッドとして、図６（ｂ）に示す
ものと同様の垂直記録用の単磁極ヘッドを用い、再生出
力を線記録密度５０ｋＦＣＩにて、エラーレートを線記
録密度６００ｋＦＣＩにて測定した。また、熱揺らぎ耐
性の評価は、基板を７０℃に加熱して線記録密度５０ｋ
ＦＣＩにて書き込みをおこなった後、書き込み後１秒後
の再生出力に対する出力の低下率（％／ｄｅｃａｄｅ）
を、（Ｓｏ−Ｓ）×１００／（Ｓｏ×３）に基づいて算
出した。この式において、Ｓｏは磁気記録媒体に信号記
録後１秒経過時の再生出力を示し、Ｓは１０００秒後の
再生出力を示す。
【００５３】またＸ線回折試験および電子線回折の結
果、各実施例において、第１配向制御膜３ａがＢ２構造
をなすものであり、第２配向制御膜３ｂがｈｃｐ構造を
なすものであることが確認できた。各磁気記録媒体の静
磁気特性、記録再生特性の測定結果を表１〜表７に示
す。なお。表１〜表７中、Ｃｏ（０００２）強度は垂直
磁性膜４の（０００２）面に相当するＸ線回折強度を示
す。
果、各実施例において、第１配向制御膜３ａがＢ２構造
をなすものであり、第２配向制御膜３ｂがｈｃｐ構造を
なすものであることが確認できた。各磁気記録媒体の静
磁気特性、記録再生特性の測定結果を表１〜表７に示
す。なお。表１〜表７中、Ｃｏ（０００２）強度は垂直
磁性膜４の（０００２）面に相当するＸ線回折強度を示
す。
【００５４】
【表１】
【００５５】
【表２】
【００５６】
【表３】
【００５７】
【表４】
【００５８】
【表５】
【００５９】
【表６】
【００６０】
【表７】
【００６１】表１の結果より、配向制御膜３が、Ｂ２構
造をなす第１配向制御層３ａ上に、ｈｃｐ構造をなす第
２配向制御層３ｂを設けた構成とされており、第１配向
制御層３ａの厚さが０．１〜２０ｎｍであり、第２配向
制御層３ｂの厚さが０．１〜５０ｎｍである実施例１〜
１５の磁気記録媒体は、上記層３ａ、３ｂを範囲外の厚
さとした比較例１〜４の磁気記録媒体に比べて、エラー
レートが大きく改善した。
造をなす第１配向制御層３ａ上に、ｈｃｐ構造をなす第
２配向制御層３ｂを設けた構成とされており、第１配向
制御層３ａの厚さが０．１〜２０ｎｍであり、第２配向
制御層３ｂの厚さが０．１〜５０ｎｍである実施例１〜
１５の磁気記録媒体は、上記層３ａ、３ｂを範囲外の厚
さとした比較例１〜４の磁気記録媒体に比べて、エラー
レートが大きく改善した。
【００６２】表２の結果より、軟磁性下地膜２を設けた
磁気記録媒体は、軟磁性下地膜２を設けなかった比較例
５の磁気記録媒体に比べて、エラーレートが大きく改善
した。特に、軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）
と軟磁性下地膜２の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ
・ｎｍ）を４０（Ｔ・ｎｍ）以上に設定した磁気記録媒
体は、再生波形の歪みがなく、エラーレートの改善効果
が大きい。
磁気記録媒体は、軟磁性下地膜２を設けなかった比較例
５の磁気記録媒体に比べて、エラーレートが大きく改善
した。特に、軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）
と軟磁性下地膜２の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ
・ｎｍ）を４０（Ｔ・ｎｍ）以上に設定した磁気記録媒
体は、再生波形の歪みがなく、エラーレートの改善効果
が大きい。
【００６３】表３の結果より、垂直磁性膜４を所定の組
成、構造にした磁気記録媒体は、高いエラーレートを得
ることができた。垂直磁性膜４の厚さを３〜１００ｎｍ
の範囲とした磁気記録媒体は、特に高いエラーレートを
得ることができた。
成、構造にした磁気記録媒体は、高いエラーレートを得
ることができた。垂直磁性膜４の厚さを３〜１００ｎｍ
の範囲とした磁気記録媒体は、特に高いエラーレートを
得ることができた。
【００６４】表４の結果より、非磁性中間膜７を設けた
磁気記録媒体は、高いエラーレートを得ることができ、
熱揺らぎ耐性も改善した。非磁性中間膜７の厚さを２０
ｎｍ以下とした磁気記録媒体は、特に高いエラーレート
を得ることができた。
磁気記録媒体は、高いエラーレートを得ることができ、
熱揺らぎ耐性も改善した。非磁性中間膜７の厚さを２０
ｎｍ以下とした磁気記録媒体は、特に高いエラーレート
を得ることができた。
【００６５】表５の結果より、硬磁性膜８を設けた磁気
記録媒体は、高いエラーレートを得ることができた。
記録媒体は、高いエラーレートを得ることができた。
【００６６】表６の結果より、磁化安定膜９を設けた磁
気記録媒体は高いエラーレート、再生出力を得ることが
でき、熱揺らぎ耐性も改善した。磁化安定膜９の飽和磁
束密度Ｂｓ（Ｔ）と磁化安定膜９の膜厚ｔ（ｎｍ）との
積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が２．４〜７．２（Ｔ・ｎｍ）
の範囲に設定した磁気記録媒体は、特に高い再生出力を
得ることができ、熱揺らぎ耐性も大きく改善した。
気記録媒体は高いエラーレート、再生出力を得ることが
でき、熱揺らぎ耐性も改善した。磁化安定膜９の飽和磁
束密度Ｂｓ（Ｔ）と磁化安定膜９の膜厚ｔ（ｎｍ）との
積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が２．４〜７．２（Ｔ・ｎｍ）
の範囲に設定した磁気記録媒体は、特に高い再生出力を
得ることができ、熱揺らぎ耐性も大きく改善した。
【００６７】表７の結果より、軟磁性下地膜２の表面を
酸化させた磁気記録媒体は、エラーレートが大きく改善
した。
酸化させた磁気記録媒体は、エラーレートが大きく改善
した。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体にあっては、少なくとも軟磁性材料からなる軟磁性
下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、
磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜
と、保護膜とが設けられ、配向制御膜が、Ｂ２構造をな
す第１配向制御層上に、ｈｃｐ構造をなす第２配向制御
層を設けた構成とされており、第１配向制御層の厚さが
０．１〜２０ｎｍであり、第２配向制御層の厚さが０．
１〜５０ｎｍであるので、記録再生特性を向上させると
ともに、熱揺らぎ耐性を向上することができる。
媒体にあっては、少なくとも軟磁性材料からなる軟磁性
下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、
磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜
と、保護膜とが設けられ、配向制御膜が、Ｂ２構造をな
す第１配向制御層上に、ｈｃｐ構造をなす第２配向制御
層を設けた構成とされており、第１配向制御層の厚さが
０．１〜２０ｎｍであり、第２配向制御層の厚さが０．
１〜５０ｎｍであるので、記録再生特性を向上させると
ともに、熱揺らぎ耐性を向上することができる。
【図１】 本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を
示す１部断面図である。
示す１部断面図である。
【図２】 第１配向制御層の厚さと、垂直磁性膜の
（０００２）面の配向性との関係を示すグラフである。
（０００２）面の配向性との関係を示すグラフである。
【図３】 本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を
示す１部断面図である。
示す１部断面図である。
【図４】 本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を
示す１部断面図である。
示す１部断面図である。
【図５】 本発明の磁気記録媒体の第４の実施形態を示
す１部断面図である。
す１部断面図である。
【図６】 本発明の磁気記録再生装置の１例を示す概略
図であり、（ａ）は全体構成を示し、（ｂ）は磁気ヘッ
ドを示す。
図であり、（ａ）は全体構成を示し、（ｂ）は磁気ヘッ
ドを示す。
１…非磁性基板、２…軟磁性下地膜、３…配向制御膜、
３ａ…第１配向制御層、３ｂ…第２配向制御層、４…垂
直磁性膜、５…保護膜、６…潤滑膜、７…非磁性中間
膜、８…硬磁性膜、９…磁化安定膜、１０…磁気記録媒
体、１１…媒体駆動部、１２…磁気ヘッド、１２ａ…主
磁極、１２ｂ…補助磁極、１２ｃ…連結部、１２ｄ…コ
イル、１３…ヘッド駆動部、１４…記録再生信号処理系
３ａ…第１配向制御層、３ｂ…第２配向制御層、４…垂
直磁性膜、５…保護膜、６…潤滑膜、７…非磁性中間
膜、８…硬磁性膜、９…磁化安定膜、１０…磁気記録媒
体、１１…媒体駆動部、１２…磁気ヘッド、１２ａ…主
磁極、１２ｂ…補助磁極、１２ｃ…連結部、１２ｄ…コ
イル、１３…ヘッド駆動部、１４…記録再生信号処理系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/26 Ｈ０１Ｆ 10/26 41/14 41/14
Claims (17)
- 【請求項１】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御す
る配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配
向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、 配向制御膜は、Ｂ２構造をなす第１配向制御層上に、ｈ
ｃｐ構造をなす第２配向制御層を設けた構成とされてお
り、第１配向制御層の厚さが０．１〜２０ｎｍであり、
第２配向制御層の厚さが０．１〜５０ｎｍであることを
特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 第１配向制御層の厚さが、１．５〜１
０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項３】 第２配向制御層の厚さが、２〜２５ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１または２記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項４】 第１配向制御層は、ＮｉＡｌ、ＦｅＡ
ｌ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒ、ＮｉＴｉ、ＡｌＣｏ、ＡｌＲ
ｕ、ＣｏＴｉのうち１種または２種以上の合金を主成分
とする材料からなることを特徴とする請求項１乃至３記
載のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 第２配向制御層は、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｆのうち１種または
２種以上を主成分とする材料からなることを特徴とする
請求項１乃至４記載のうちいずれか１項記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項６】 軟磁性下地膜の飽和磁束密度Ｂｓ
（Ｔ）と該軟磁性下地膜の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・
ｔ（Ｔ・ｎｍ）が４０（Ｔ・ｎｍ）以上であることを特
徴とする請求項１乃至５記載のうちいずれか１項記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項７】 軟磁性下地膜の飽和磁束密度Ｂｓ
（Ｔ）と該軟磁性下地膜の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・
ｔ（Ｔ・ｎｍ）が６０（Ｔ・ｎｍ）以上であることを特
徴とする請求項１乃至６記載のうちいずれか１項記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項８】 配向制御膜と垂直磁性膜との間に、非
磁性材料からなる非磁性中間膜が設けられていることを
特徴とする請求項１乃至７記載のうちいずれか１項記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 軟磁性下地膜の垂直磁性膜側の表面の
１部または全面が酸化されていることを特徴とする請求
項１乃至８記載のうちいずれか１項記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項１０】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性
材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御
する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に
配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設ける磁気記録媒体
の製造方法であって、 配向制御膜を、Ｂ２構造をなす第１配向制御層上に、ｈ
ｃｐ構造をなす第２配向制御層を設けた構成とし、第１
配向制御層の厚さを、０．１〜２０ｎｍとし、第２配向
制御層の厚さを、０．１〜５０ｎｍとすることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 第１配向制御膜の厚さが１．５〜１
０ｎｍであることを特徴とする請求項１０記載の磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 第２配向制御層の厚さが２〜２５ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１０または１１記載の
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１３】 軟磁性下地膜の表面を酸化させる工
程を含むことを特徴とする請求項１０乃至１２記載のう
ちいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に
情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生
装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気
記録媒体が、非磁性基板上に少なくとも軟磁性材料から
なる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向
制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した
垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、配向制御膜は、Ｂ
２構造をなす第１配向制御層上に、ｈｃｐ構造をなす第
２配向制御層を設けた構成とされており、第１配向制御
層の厚さが０．１〜２０ｎｍであり、第２配向制御層の
厚さが０．１〜５０ｎｍであることを特徴とする磁気記
録再生装置。 - 【請求項１５】 磁気記録媒体が、第１配向制御層の
厚さが、１．５〜１０ｎｍであることを特徴とする請求
項１４記載の磁気記録再生装置。 - 【請求項１６】 磁気記録媒体が、第２配向制御層の
厚さが、２〜２５ｎｍであることを特徴とする請求項１
４または１５いずれか１項記載の磁気記録再生装置。 - 【請求項１７】 磁気記録媒体が、軟磁性下地膜の垂
直磁性膜側の表面の１部または全面が酸化されているこ
とを特徴とする請求項１４乃至１６のうちいずれか１項
記載の磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401139A JP4409085B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
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|---|---|---|---|
| JP2000401139A JP4409085B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203306A true JP2002203306A (ja) | 2002-07-19 |
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|---|---|---|---|
| JP2000401139A Expired - Fee Related JP4409085B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075178A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Fujitsu Limited | 垂直磁気記録媒体 |
| EP1553565A1 (en) * | 2003-03-05 | 2005-07-13 | Fujitsu Limited | Multilayer structure film and process for producing the same |
| US6942936B2 (en) | 2002-08-14 | 2005-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording/reproduction apparatus |
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| KR100748195B1 (ko) * | 2005-03-21 | 2007-08-10 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 다층 구조막 및 그 제조 방법 |
| EP1887568A1 (en) * | 2006-08-02 | 2008-02-13 | Po-Cheng Kuo | Heat assisted magnetic recording medium and method for fabricating the same |
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| US7510788B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-03-31 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium utilizing a first cobalt magnetic layer and a second Pd-SiOx layer and method of manufacturing same |
| US7838135B2 (en) | 2006-03-13 | 2010-11-23 | Po-Cheng Kuo | Heat assisted magnetic recording medium and method for fabricating the same |
| US8722212B2 (en) | 2009-03-19 | 2014-05-13 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium with a non-magnetic granular layer under a plurality of granular magnetic layers and storage apparatus |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9064519B2 (en) | 2011-07-06 | 2015-06-23 | Hitachi Metals, Ltd. | Soft magnetic under layer |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000401139A patent/JP4409085B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2004075178A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Fujitsu Limited | 垂直磁気記録媒体 |
| CN100373457C (zh) * | 2003-02-20 | 2008-03-05 | 富士通株式会社 | 垂直磁性记录介质 |
| EP1553565A1 (en) * | 2003-03-05 | 2005-07-13 | Fujitsu Limited | Multilayer structure film and process for producing the same |
| EP1553565A4 (en) * | 2003-03-05 | 2005-10-12 | Fujitsu Ltd | MULTILAYER STRUCTURE FILM AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE |
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| KR100748195B1 (ko) * | 2005-03-21 | 2007-08-10 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 다층 구조막 및 그 제조 방법 |
| US7838135B2 (en) | 2006-03-13 | 2010-11-23 | Po-Cheng Kuo | Heat assisted magnetic recording medium and method for fabricating the same |
| EP1887568A1 (en) * | 2006-08-02 | 2008-02-13 | Po-Cheng Kuo | Heat assisted magnetic recording medium and method for fabricating the same |
| US8722212B2 (en) | 2009-03-19 | 2014-05-13 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium with a non-magnetic granular layer under a plurality of granular magnetic layers and storage apparatus |
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