JP2002202758A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
示装置を得ることを目的とし、他の目的は、信号線の入
力端子数を減らすことができる表示装置を得ること、デ
ータドライバの出力端子数を減らし、あるいは、データ
ドライバICの数を減らすことができる表示装置を得る
こと、また、高精細の表示装置においても、確実にドラ
イバICと信号線とを接続することが可能な表示装置を
得ることである。 【解決手段】 マトリックス状に配置された複数の画素
を含む表示領域を有する表示装置において、表示領域内
に、各画素行を選択する複数の走査線(G)と、走査線
によって選択される一つの画素行内の少なくとも2つの
画素に表示信号を送る、多重信号線(D)と、複数の走
査線と別に配設された選択線(E)と、を有し、選択線
は、多重信号線が表示信号を伝送する画素行内の複数の
画素の内、少なくとも一つの画素を選択する。
Description
配置された複数の画素を有する表示装置に関するもので
あり、特に、一つの画素列内の複数の画素に表示信号を
伝送する多重信号線を有する表示装置に関するものであ
る。
れる中・大型のディスプレイから、カーナビゲーション
や携帯電話に使用される小型のディスプレイに至るま
で、幅広い分野において液晶表示装置が利用されてい
る。その中で、表示特性の優秀さから、TFTやMIM
といったアクティブ素子を用いたアクティブ・マトリッ
クス液晶表示装置が注目を集めいている。アクティブ・
マトリックス液晶表示装置は、通常、マトリックス状に
配置されたアクティブ素子としてのTFTを有するTF
Tアレイ基板と、TFTアレイ基板に対向する対向基板
とを有し、その2つの基板の間に液晶が封入されてい
る。
示を行うためのカラーフィルタが、通常、対向基板に設
けられる。液晶表示装置は複数の画素から構成される表
示領域を有し、各画素が画素電極とTFTを有する。こ
の画素電極によって液晶に電界を印加することにより、
光の透過率を変化させて画像表示を行う。各画素はそれ
ぞれ、RGBいずれかの色表示を行う。
示信号電圧に基づき液晶に電界を印加する。このドライ
バICは、通常、TABによってTFTに接続される
が、直接TFTアレイのガラス基板上に設けられること
もある。通常、信号線用の複数のソース・ドライバIC
が、TFTアレイの1つの側に設けられ、ゲート電圧を
制御するゲート線用の複数のゲート・ドライバICが、
他の側に設けられる。ソース・ドライバICから入力さ
れる電圧が、TFTのソース/ドレインを介して画素電
極に送られ、画素電極が液晶に電界を印加する。この電
圧を変えることにより液晶への印加電圧を変化させるこ
とができ、液晶の透過率を制御する。
画質で高精細な表示を行なうためには、一般に画素数が
増加することは良く知られている。画素数の増加と共
に、液晶表示装置を駆動するドライバICの数が増加
し、その製造コストが上昇することも良く知られてい
る。あるいは、高精細化に伴ってドライバICと液晶表
示装置との接続がますます困難になることも大きな問題
となる。
らすことにより、高精細パネルの端子接続を容易なもの
とし、又、ドライバーのコスト削減を行なうために、例
えば、薄膜トランジスタ(TFT)を用いたアクティブ
マトリクス液晶ディスプレイにおいて、TFT基板の信
号入力端子と信号配線間にスイッチとなる能動素子をも
うけたことを特徴とするアクティブマトリクス液晶ディ
スプレイが、特開平6−138851号公報に開示され
ている。
用いるトランジスタには比較的に大きい電流を流せるも
のが求められる。これは、マルチプレクサ回路が表示領
域外に設けられ、各画素列に一つのトランジスタが接続
されているためである。従って、サイズの大きなトラン
ジスタが必要になり、製造歩留まりが比較的に低いとい
う問題があった。
トリックス状に配列し、行位置を選択する信号線と、列
方向に個々の画素情報を与える画素信号線とを設けてこ
れら信号線により与えられる信号により各画素の選択を
行い、選択された画素に与えられる画素情報により画素
表示を行うようにした表示装置において、各画素毎にそ
れぞれ設けられ画素毎に対応する信号線からの信号にて
動作する第1スイッチング素子と、各画素をブロック単
位で分けると共にこのブロック単位で分けた画素をブロ
ック単位で一括して選択するブロック選択手段と、各画
素毎に設けられ、前記ブロック選択手段にて選択された
ブロック対応の画素において動作して前記第1スイッチ
ング素子とにより自画素に対する画素情報を取得して画
素表示に供する第2スイッチング素子とを具備する装置
があり、これは、特開平9−329807号公報に開示
されている。
画素からなる画素ブロック毎に選択駆動することによ
り、書き換えの必要ない画素夫々に対して信号を出力す
ることを不要とし、消費電力を大幅に低減することを目
的としている。しかし、画素信号線は各画素列毎に設け
られているので、上記の高精細化に伴う問題を解決する
ことはできなかった。
のセルで構成して多階調表示を行なう時に、データ配線
を部分的に共通に用いてデータ配線ドライバの構成数の
増加を押えた、低コストの多階調用液晶表示装置が、特
開平5−341734号公報に開示されている。この装
置によって、確かにデータ配線ドライバの構成数の増加
を押えることが可能となるが、その一方、ゲート配線の
数が必然的に増加することになる問題があった。
提案されたもので、信号線の入力端子数を減らすことが
できる表示装置を得ることを一つの目的とする。本発明
の他の目的は、データドライバの出力端子数を減らし、
あるいは、データドライバICの数を減らすことができ
る表示装置を得ることである。本発明の他の目的は、高
精細の表示装置においても、確実にドライバICと信号
線とを接続することが可能な表示装置を得ることであ
る。
の表示装置は、画素行を選択する複数の走査線と、一つ
の画素行内の複数の画素に表示信号を送る多重信号線と
を有し、これらに加えて、選択線とを有する。走査線に
選択された一つの画素行において、多重信号線から表示
信号が送られる複数画素のうち、少なくとも一つの画素
を選択線が選択する。尚、後に記載する実施形態におけ
る対応要素を、本発明の理解の容易のために、以下の説
明のかっこ内に付した。これらは、本発明に含まれる一
例であることは言うまでもない。
マトリックス状に配置された複数の画素を含む表示領域
を有する表示装置において、表示領域内に、各画素行を
選択する複数の走査線(G)と、走査線によって選択さ
れる一つの画素行内の少なくとも2つの画素に表示信号
を送る、多重信号線(D)と、複数の走査線と別に配設
された選択線(E)と、を有し、選択線は、多重信号線
が表示信号を伝送する画素行内の複数の画素の内、少な
くとも一つの画素を選択する、ものである。
択される複数の画素から構成される。従って、一つの画
素行は必ずしも直線的に配置されるとは限らない。例え
ば、直線的に二行に配置された画素において、各行の半
分ずつを二つの走査線が選択することができる。この場
合において、各走査線が選択する複数の画素が一つの画
素行を構成する。又、画素行と画素列とは、それぞれ
が、表示装置における、縦方向、横方向のいずれにもな
りうるものである。
示装置において、多重信号線が表示信号を伝送する画素
行内の複数の画素は、選択線と走査線とに選択される第
1の画素(Ce,n+1m)と、選択線に選択されず走査線に
選択される第2の画素(Cn+ 1m)と、を含むものであ
る。
示装置において、第1の画素は、選択線が前記第1の画
素を選択し、かつ、走査線が第1の画素と第2の画素と
を選択したときに多重信号線から入力された表示信号を
維持し、第2の画素は、選択線が第1の画素を選択せ
ず、かつ、走査線が第1の画素と第2の画素を選択した
ときに多重信号線から入力された表示信号を維持する、
ものである。表示信号を維持するとは、画素が所望の画
像を表示するための信号として使用することを意味す
る。例えば、画素が一時的に異なる表示信号を受け取っ
ても、その信号は所望の画像表示のためには実質的に使
用されず、画素は、所定のタイミングで受信した表示信
号のみを維持して、所望の画像表示を行う。
示装置において、各画素行は、2つの画素毎に異なる多
重信号線から表示信号が送られ、同じ多重信号線から表
示信号を受けるそれぞれの2つの画素の内、一つの画素
は選択線とその画素が含まれる画素行の走査線とに選択
され、もう一方の画素は、走査線のみに選択されるもの
である。
示装置において、選択線は、複数の走査線とほぼ平行に
配置されたものである。
示装置において、それぞれ異なるタイミングで選択信号
を送る、第1系統の選択線(E0)と第2系統の選択線
(E1)とを有し、第1の選択線と第2の選択線とは、
多重信号線が表示信号を伝送する画素行内の画素の内、
それぞれ異なる画素を選択する、ものである。
示装置において、多重信号線が表示信号を伝送する画素
行内の画素は、第1の選択線(E0)に選択される第1
の画素(C0,n,m)と第2の選択線(E1)に選択される
第2の画素(C1,n,m)とを有し、第1の画素は、第1
の選択線と走査線とに選択されたときに入力された表示
信号を維持し、第2の画素は、第2の選択線と走査線と
に選択されたときに入力された表示信号を維持する、も
のである。
示装置において、各画素行は、2つの画素毎に異なる多
重信号線から表示信号が送られ、同じ多重信号線から表
示信号を受けるそれぞれの2つの画素の内、一つの画素
は第1の選択線とその画素が含まれる画素列の走査線と
に選択され、もう一方の画素は、第2の選択線と走査線
とに選択される、ものである。
示装置において、選択線と多重信号線とはほぼ平行に配
置され、かつ、各画素電極の間に交互に配置され、画素
電極の間には選択線と多重信号線とのいずれか一方のみ
が配置されている、ものである。
表示装置において、第1及び第2の選択線(E0、E1)
と異なるタイミングで選択信号を伝送する、第3の選択
線(E2)を有し、各画素行は、3つの画素毎に異なる
多重信号線から表示信号が送られ、同じ多重信号線から
表示信号を受けるそれぞれの3つの画素の内、一つの画
素は第1の選択線とその画素が含まれる画素行の走査線
とに選択され、もう一つの画素は、第2の選択線と走査
線とに選択され、最後の画素は第3の選択線と走査線と
に選択される、ものである。
ックス状に配置された複数の画素を有する、表示装置に
おいて、各画素行を選択する複数の走査線と、一つの画
素行内の少なくとも2つの画素に表示信号を送る、多重
信号線と、複数の走査線と別に配設された選択線と、を
有し、多重信号線が表示信号を送る画素行内の画素の一
つは、画素電極と、第1のスイッチング素子(201、
701)と、第2のスイッチング素子(202、70
2)とを有し、第2のスイッチング素子は、前記画素電
極と多重信号線とに接続され、第1のスイッチング素子
は、前記走査線と前記選択線とに接続され、第1のスイ
ッチング素子は、第2のスイッチング素子のON/OF
F状態の制御を行う、ものである。
の表示装置において、多重信号線は、同じ画素行内の第
1の画素と第2の画素とに表示信号を送り、第1の画素
は、画素電極と、第1のスイッチング素子(701)
と、第2のスイッチング素子(702)とを有し、第2
のスイッチング素子は、画素電極と多重信号線とに接続
され、第1のスイッチング素子は、走査線と選択線とに
接続され、第1のスイッチング素子は、第2のスイッチ
ング素子のON/OFF状態の制御を行い、第2の画素
は、画素電極と第3のスイッチング素子(703)とを
有し、第3のスイッチング素子は、第2の画素の画素電
極と、多重信号線と、走査線とに接続されている、もの
である。
又は12の表示装置において、多重信号線と画素電極と
は、第2のスイッチング素子のソース/ドレイン電極に
接続され、第1のスイッチング素子のソース/ドレイン
電極は前記第2のスイッチング素子のゲートに接続され
ている、ものである。
の表示装置において、第1の画素は、第2のスイッチン
グ素子が第1のスイッチング素子によってON状態にさ
れているときに多重信号線から伝送された表示信号を維
持し、第2の画素は、第2のスイッチング素子がOFF
状態で、第3のスイッチング素子がON状態のときに多
重信号線から伝送された表示信号を維持する、ものであ
る。
の表示装置において、それぞれ異なるタイミングで選択
信号を送る、第1系統の選択線と第2系統の選択線とを
有し、多重信号線は、同じ画素行内の第1の画素と第2
の画素とに表示信号を送り、第1の画素は、画素電極
と、第1のスイッチング素子(201)と、第2のスイ
ッチング素子(202)とを有し、第2のスイッチング
素子は、前記第1の画素の画素電極と多重信号線とに接
続され、第1のスイッチング素子は、走査線と第1の選
択線とに接続され、第1のスイッチング素子は、第2の
スイッチング素子のON/OFF状態の制御を行い、第
2の画素は、画素電極と、第3のスイッチング素子(2
03)と、第4のスイッチング素子(204)とを有
し、第4のスイッチング素子は、第2の画素画素電極と
多重信号線とに接続され、第3のスイッチング素子は、
走査線と第2の選択線とに接続され、第3のスイッチン
グ素子は、第4のスイッチング素子のON/OFF状態
の制御を行う、ものである。
の表示装置において、第2のスイッチング素子のゲート
電極は、第1のスイッチング素子のソース/ドレイン電
極に接続され、第2のスイッチング素子のソース/ドレ
イン電極は、第1の画素の画素電極と多重信号線とに、
それぞれ接続され、第4のスイッチング素子のゲート電
極は、第3のスイッチング素子のソース/ドレイン電極
に接続され、第4のスイッチング素子のソース/ドレイ
ン電極は、第2の画素の画素電極と多重信号線とに、そ
れぞれ接続された、ものである。
の表示装置において、選択線と多重信号線とはほぼ平行
に配置され、かつ、各画素電極の間に交互に配置され、
画素電極の間には選択線と多重信号線とのいずれか一方
のみが配置されている、ものである。
実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施の
形態においては、液晶表示装置が例として説明される。
ここで、液晶表示装置とは、2枚の対向基板の間に液晶
を封入した液晶パネル、液晶パネルにドライバ回路やバ
ックライト・ユニットを装着した液晶モジュール、最終
製品としての液晶ディスプレイ等を含むものである。本
形態における液晶パネルは、マトリックス状に配置され
た複数の画素によって構成される表示領域と、その外周
領域である額縁領域とを有している。この表示領域内に
は、複数の信号線であるデータ配線、走査線であるゲー
ト線が配置されている。又、これらの配線とは別に選択
配線であるイネーブル配線が配設されている。信号線は
多重信号線であって、画素行内の2つの画素に向けて、
同時に表示信号を伝送する。この2つの画素の内、ゲー
ト線とイネーブル配線との双方に選択された画素の画素
電極が、表示信号を受け取る。
ールの全体構成を説明するための斜視図である。 図1
は、サイドライト型のバックライト・ユニットを有する
液晶モジュール100の概略を示す、構成図である。図
に於いて、101はバックライト・ユニット、102は
駆動回路が取り付けられた液晶パネル(液晶セル)、1
03は光を拡散させ、液晶表示パネル面での明るさを均
一にする拡散シートである。104は光を集光すること
により、表示正面の輝度を向上させるプリズムシート、
105は光源からの光を導き拡散させる導光板、106
は導光板やプリズムシート等のバックライト・ユニット
11の部品を収納するフレームである。
置された複数の画素から構成される表示領域とその外周
領域である額縁領域とを有している。又、液晶パネル1
02は、アレイ回路が形成されたアレイ基板とその対向
基板とを有し(不図示)、その2つの基板の間に液晶が
封入されている。107は光源としての冷陰極管、10
8は液晶セル102とバックライト・ユニット101を
外側から保持、保護するベゼルである。拡散シート10
3、プリズムシート104、導光板105、フレーム1
06、そして冷陰極管107によって、バックライト・
ユニット101を構成する。冷陰極管107はフレーム
106の内側に配置されており、直接図面には記載され
ていない。
を説明するための概略図である。図2(a)は回路の一
部の概略構成を示すものであり、図2(b)は、回路に
おける動作タイミングを説明する図面である。以下、こ
れらの図を用いて説明する。尚、これら図面は、この本
実施形態を説明するためのものであり、実際の製品とは
その寸法・形状等において異なるものである。
03及び204は、スイッチング素子としてのアモルフ
ァス・シリコンTFT(Thin Film Transistor)、20
9は液晶に電界を印加する画素電極、205はゲート・
ドライバ、206はデータ・ドライバ、207はイネー
ブル配線ドライバである。アレイ基板上には、複数のゲ
ート・ドライバICとデータ・ドライバICが配置され
る。これらICによって、ドライバが構成される。図
は、各一つのゲート・ドライバICとデータ・ドライバ
ICの一部を示している。イネーブル配線ドライバ20
7は、ゲート・ドライバICやデータ・ドライバICと
は別に設けることも、ゲート・ドライバIC等に組み込
むことも可能である。イネーブル配線ドライバ207を
アレイ基板上に直接形成することも可能である。
E1とを有している。この2つの配線上を、独立に信号
が伝送される。イネーブル配線とゲート配線とによって
選択された画素に、データ配線から表示信号が送られ、
画素電極209はTFT202もしくは204を介して
この表示信号を受けとる。イネーブル配線(E0、E1)
は、データ配線(Dm;m=1、2、…)と並行に延び
ている。データ配線とイネーブル配線とは交互に配置さ
れ、各画素電極の間には、いずれか一方の一本の配線が
配置されている。1本のデータ配線には、1画素行内の
2つの画素が接続されている。また、これらの配線に接
続されたトランジスタ201、202、203、204
は、nチャンネル型のTFTである。また、イネーブル
配線のHレベルには、データ配線の最大電圧にTFTの
閾値による電圧降下分の2倍の電圧を加えた電圧以上の
電圧が供給される。また、ゲート配線には、データ配線
の最大電圧にTFTの閾値による電圧降下分の電圧を加
えた電圧以上の電圧が供給される。
201(203)、202(204)を備えている。デ
ータ配線と画素電極209は、TFT202(204)
のソース/ドレインに接続され、TFT201(20
3)のソース/ドレインの一方が、TFT202(20
4)のゲートに接続されている。TFT201(20
3)のゲートはイネーブル配線に接続され、TFT20
1(203)のソース/ドレインのもう一方は、ゲート
配線に接続されている。図には示されていないが、各画
素電極Cn+1(nは整数)とゲート配線Gnとの間に蓄積
容量が形成される。TFT201(203)のソース/
ドレインからの出力が、TFT202(204)のON
/OFFを制御し、イネーブル配線が、TFT201の
ON/OFFを制御する。ゲート配線は各画素行を順次
選択する。本実施の形態においては、各画素行は直線的
に配置された画素で構成されている。1画素行内の隣接
する画素は、対称的な画素構造を有している。又、1画
素列内の画素は、全て同じ画素構造を有している。
する。尚、以下の説明において、下付符合のカンマの後
に*が記入されている場合は、そこに入りうる全ての符
号・数字が含まれることを意味する。例えば、画素電極
C0,n,*と記載された場合は、E0とゲート配線Gnに接
続され、いずれかのデータ配線に接続された全ての画素
の画素電極を意味する。図2(b)は、ゲート配線Gn
とGn+1の画素行における表示動作について説明する図
面である。まず、Gn行の表示動作から説明する。t1に
おいて、ゲート配線GnがHでその他のゲート配線がL
の論理レベルにあり、また、イネーブル配線E0がH
で、E1がLのレベルにある。この状態において、全て
のデータ配線から表示信号が送られている。画素行Gn
において、画素電極C0,n,mに表示信号が送られる。こ
れらは、画素行Gn内の半数の画素に相当する。次に、
ゲート配線GnがLの論理レベルにされ、続いて、イネ
ーブル配線E0が、Lの論理レベルにされる。この後
に、データ線に送られる表示信号が次の表示信号に変化
する。画素電極C0,n,mは、受信した表示信号をほぼ1
フレームの間維持し、画像表示を行う。連続する表示信
号が、同じ電圧である場合も、もちろんありうる。尚、
表示信号の変化は、ゲート配線GnがLの論理レベルに
された後、イネーブル配線E0がLの論理レベルにされ
る前に行うことも可能である。
がHでその他がLの論理レベルにあり、また、イネーブ
ル配線E0がLで、E1がHのレベルにある。この状態に
おいて、全てのデータ配線から次の表示信号が送られて
いる。画素行Gnにおいて、画素電極C1,n,mに表示信号
が送られる。これらは、画素行Gn内の、他の半数の画
素に相当する。t2の表示信号は、t1の表示信号に対し
て、コモン電位について反転される。次に、ゲート配線
GnがLの論理レベルにされ、続いて、イネーブル配線
E1がLの論理レベルにされる。画素電極C1,n,mはこの
表示信号をほぼ1フレームの間維持し、画像表示を行
う。尚、表示信号をコモン電位について反転しなくとも
よい。
る。図2(b)のt3においてゲート配線Gn+1がHでそ
の他のゲート配線がLの論理レベルにある。また、イネ
ーブル配線E0がHで、E1がLのレベルにある。この状
態において、全てのデータ配線から表示信号が送られて
いる。画素行Gn+1において、画素電極C0,n+1,mに表示
信号が送られる。これらは、画素行Gn+1内の半数の画
素に相当する。次に、ゲート配線Gn+1がLの論理レベ
ルにされ、続いて、イネーブル配線E0が、Lの論理レ
ベルにされる。この後に、データ配線に送られる表示信
号が変化する。画素電極C0,n+1,mは、受信した表示信
号をほぼ1フレームの間維持し、画像表示を行う。
Hでその他ゲート配線がLの論理レベルにあり、また、
イネーブル配線E0がLで、E1がHのレベルとなる。こ
の状態において、全てのデータ配線から次の表示信号が
送られている。画素行Gn+1において、画素電極C
1,n+1,mに表示信号が送られる。次に、ゲート配線Gn+1
がLの論理レベルにされ、続いて、イネーブル配線E1
がLの論理レベルにされる。画素電極C1,n+1,mはこの
表示信号をほぼ1フレームの間維持し、画像表示を行
う。以下、順次、各画素行が選択されていく。
ート配線の信号とイネーブル配線の信号とのマルチプレ
クスによる時分割が実現でき、1本のデータ配線から複
数の画素列に所望の電位を供給することができる。これ
により、データ・ドライバの出力数を削減することがで
きる。又、このとき新たに必用なものは、イネーブル信
号電位生成回路と、データ・ドライバの1つの出力から
複数の画素列分の画素信号に対する電位を供給するため
のデータ・バッファ(不図示)だけである。製造プロセ
スは従来と大きく異なるものではないので、製造コスト
はこれらの回路を付加することにより増加することは無
い。又、データ配線からの表示信号を、一つのTFTの
みを介して画素電極に送ることにより、表示信号が2つ
のトランジスタを介して送られる場合に比較し、TFT
の大きさを小さくすることができる。これは、開口率の
向上につながる。
せずに、一部のデータ配線のみを多重データ配線とする
ことも可能である。イネーブル配線をゲート配線とほぼ
平行に配置することも可能である。又、表示信号のコモ
ン電圧に対する極性は、1つの画素行内において変化さ
せることも、1つの画素行内の全ての画素において同一
にすることも可能である。
目的を達成しうる範囲内において、アモルファス・シリ
コンTFTに限らず、ポリシリコンを使用したTFT
や、他のスイッチング素子を使用することも可能であ
る。トランジスタにnチャンネル型のTFTを用いる例
を示したが、それと同様の機能をPチャンネル型のTF
Tを用いて実現することができることは容易に理解でき
る。又、本実施形態においては、画素電極には、1つの
TFTを介してデータ配線から表示信号が送られるが、
2つのTFTを介することも可能である。この場合、2
つのTFTのそれぞれのゲートに、ゲート配線、もしく
はイネーブル配線が接続され、一方のTFTのソース/
ドレインにデータ配線が、もう一方のTFTのソース/
ドレインに画素電極が接続される。
しては、液晶表示装置の他に、有機高分子膜に印加する
電圧をアクティブ素子で操作することにより、その発光
を制御するAM−PLED(アクティブマトリクス−ポ
リマー発光ダイオード)、または、AM−OLED(ア
クティブマトリクス−有機発光ダイオード)を用いた、
自発光型ディスプレイ等がある。これらの点は、以下の
実施の形態において同様である。
る表示装置について説明する。表示装置の全体構成は実
施の形態1と同様であり、説明を省略する。図3(a)
の回路図と図3(b)の動作タイミング図を用いて説明
する。図3の場合も、イネーブル配線(E0、E1)がデ
ータ配線(Dm;m=1、2、…)と並行に走る構成で
ある。本実施形態は、TFTの接続において実施の形態
1と異なっている。各画素は、2つのTFT301(3
03)と302(304)とを有している。TFT30
2(304)のソース/ドレインに、画素電極とデータ
配線が接続されている。TFT301(303)のソー
ス/ドレインには、イネーブル配線とTFT302(3
04)のゲートが接続されている。TFT301(30
3)のゲートには、ゲート配線が接続されている。その
他の構成は、実施の形態1における構成の相当部、もし
くは同一構成部であり、説明を省略する。
する。図3(b)は、GnとGn+1の画素行における表示
動作について説明する図面である。まず、Gn行の表示
動作から説明する。t1において、ゲート配線GnがH
で、その他のゲート配線がLの論理レベルにある。ま
た、イネーブル配線E0がHで、E1がLのレベルにあ
る。この状態において、全てのデータ配線から表示信号
が送られている。画素行Gnにおいて、画素電極C0,n,m
に表示信号が送られる。これらは、画素行Gn内の半数
の画素に相当する。次に、イネーブル配線E0がLの論
理レベルにされ、続いて、ゲート配線GnがLの論理レ
ベルにされる。この後に、データ線に送られる表示信号
が次の表示信号に変化する。画素電極C0,n,mは、受信
した表示信号をほぼ1フレームの間維持し、画像表示を
行う。尚、ゲート配線Gnの論理レベルは、Lにされる
ことなく、Hを維持しておくことも可能である。この場
合、Gnの論理レベルは、t2までHのままである。又、
イネーブル配線E0がLの論理レベルにされた後、ゲー
ト配線GnがLの論理レベルにされる前に、表示信号が
次の表示信号に変化することも可能である。
がHでその他のゲート配線がLの論理レベルにあり、ま
た、イネーブル配線E0がLで、E1がHのレベルにあ
る。この状態において、全てのデータ配線から次の表示
信号が送られている。画素行G nにおいて、画素電極C
1,n,mに表示信号が送られる。これらは、画素行Gn内
の、他の半数の画素に相当する。t2の表示信号は、t1
の表示信号に対して、コモン電位について反転される。
次に、イネーブル配線E1がLの論理レベルにされ、続
いて、ゲート配線GnがLの論理レベルにされる。画素
電極C1,n,mはこの表示信号をほぼ1フレームの間維持
し、画像表示を行う。尚、表示信号は、コモン電位につ
いて反転しなくともよい。
る。図3(b)のt3においてゲート配線Gn+1がHでそ
の他のゲート配線がLの論理レベルにある。また、イネ
ーブル配線E0がHで、E1がLのレベルにある。この状
態において、全てのデータ配線から表示信号が送られて
いる。画素行Gn+1において、画素電極C0,n+1,mに表示
信号が送られる。これらは、画素行Gn+1内の半数の画
素に相当する。次に、イネーブル配線E0がLの論理レ
ベルにされ、続いて、ゲート配線Gn+1がLの論理レベ
ルにされる。この後に、データ配線に送られる表示信号
が変化する。画素電極C0,n+1,mは、受信した表示信号
をほぼ1フレームの間維持し、画像表示を行う。尚、ゲ
ート配線Gn+1の論理レベルは、Lにされることなく、
Hを維持しておくことも可能である。この場合、論理レ
ベルはt4までHのままである。
Hでその他ゲート配線がLの論理レベルにあり、また、
イネーブル配線E0がLで、E1がHのレベルとなってい
る。この状態において、全てのデータ配線から次の表示
信号が送られている。画素行Gn+1において、画素電極
C1,n+1,mに表示信号が送られる。次に、イネーブル配
線E1がLの論理レベルにされ、続いて、ゲート配線G
n+1がLの論理レベルにされる。画素電極C1,n+1,mはこ
の表示信号をほぼ1フレームの間維持し、画像表示を行
う。以下、順次、各画素行が選択されていく。
図4の回路図に示す。これは、第1の実施形態に置ける
画素配置を換えたもので、画素電極C0,n+1,mの右隣
に、画素電極C1,n,mが配置されている等の点で上記の
実施形態と異なっている。すなわち、画素行は直線的に
配置された画素からは構成されていない。図において
は、1つの画素行の2つの画素毎に交互に直線的に配置
されている。その他の構成は実施の形態1の構成の相当
部、もしくは同一構成であり、説明を省略する。又、表
示動作についても実施の形態1と同様であるので説明を
省略する。次にまた、他の実施形態を、図5の回路図に
示す。この配置は、第2の実施形態に置ける画素配置を
換えたもので、画素電極C0,n+1,mの右隣に、画素電極
C1,n,mが配置されている等の点で上記の実施形態と異
なっている。図4における構成とは、画素内のTFTの
接続方法において異なっている。その他の構成、及び表
示動作については、実施の形態2と同様であり、説明を
省略する。
のイネーブル配線を有する表示装置の例を説明する。本
形態においては、4系統のイネーブル配線を有してい
る。一つのデータ配線は、1画素行内の4つの画素に表
示信号を送る。又、各イネーブル配線は、1画素行内の
1/4に相当する画素を選択する。回路構成を図6
(a)を参照して説明する。アレイは、4系統のイネー
ブル配線、E0、E1、E2、E3を有している。各イネー
ブル配線とデータ配線とは交互に配置されている。イネ
ーブル配線に注目すると、各イネーブル配線が順番に配
置されている。図において、E0は画素C0,*,*を選択す
る機能を有し、以下、E1、E2、E3のそれぞれは、画
素C1, *,*、C2,*,*、C3,*,*を選択する機能を有す
る。又、データ配線Dmは、画素C *,*,mに表示信号を送
る。又、データ配線Dm+1は、右側の画素C*,*,m+1に表
示信号を送る。画素内の構成、各要素の接続は、実施の
形態2の構成とほぼ同様のものであり、説明を省略す
る。
示動作を説明する。図6(b)のt1においてゲート配
線Gn+1がHでその他のゲート配線がLの論理レベルに
ある。また、イネーブル配線E0がHで、その他のイネ
ーブル配線がLのレベルにある。この状態において、全
てのデータ配線から表示信号が送られている。画素行G
n+1において、画素電極C0,n+1,*に表示信号が送られ
る。図においては、画素電極C0,n+1,mと画素電極C
0,n+1,m+1とに表示信号が送られる。画素電極C0,n+1, m
は、データ配線Dmからの表示信号を受け取り、右側の
画素電極C0,n+1,m+1は、データ配線Dm+1から表示信号
を受け取る。選択される画素は、画素行Gn+1内の1/
4の画素に相当する。次に、イネーブル配線E0がLの
論理レベルにされる。ゲート配線Gn+1は、Hの論理レ
ベルに維持される。この後に、データ配線に送られる表
示信号が変化する。画素電極C0,n+1,*は、受信した表
示信号をほぼ1フレームの間維持し、画像表示を行う。
尚、ゲート配線の論理レベルを実施の形態2のように、
一旦Lにすることも可能である。この点は、本実施の形
態の以下の動作説明において同様である。
その他のゲート配線がLの論理レベルにある。また、イ
ネーブル配線E1がHで、その他のイネーブル配線がL
のレベルにある。この状態において、全てのデータ配線
から先と独立した次の表示信号が送られている。画素行
Gn+1において、画素電極C1,n+1,*に表示信号が送られ
る。図においては、画素電極C1,n+1,mと画素電極C
1,n+1,m+1とに表示信号が送られる。画素電極C1,n+1,m
は、データ配線Dmからの表示信号を受け取り、右画素
電極C1,n+1,m+1は、データ配線Dm+1から表示信号を受
け取る。選択される画素は、画素行Gn+1内の1/4の
画素に相当する。次に、イネーブル配線E1がLの論理
レベルにされる。ゲート配線Gn+1は、Hの論理レベル
に維持される。この後に、データ配線に送られる表示信
号が変化する。画素電極C1,n+1,*は、受信した表示信
号をほぼ1フレームの間維持し、画像表示を行う。
ブル配線E2が、t4においてはE3が行う。以上のよう
に、本実施の形態においては、3系統以上のイネーブル
配線を有するので、実施の形態2の奏する効果に加え、
さらにデータ配線の数、もしくは入力端子数を減らすこ
とが可能となる。
みのイネーブル配線を有する表示装置を説明する。図7
(a)は、本実施形態の回路構成を示す概略図であり、
(b)は表示動作を説明するタイミングチャートであ
る。図(a)において、各画素行は、2種類の異なる構
造を有する画素を含んでいる。一つの画素G
e,n+1,*は、2つのTFT701、702を有してい
る。この画素の構成は実施の形態2における画素構成と
同様であり、説明を省略する。もう一方の画素Gn+1,*
は、TFT703を一つしか有していない。このTFT
703のソース/ドレインには、画素電極とデータ配線
が接続され、ゲートにはゲート配線が接続されている。
すなわち、この画素はイネーブル配線とは接続されてお
らず、イネーブル配線によって選択されることはない。
この2種類の画素は、1つの画素内において交互に配置
されている。1つのデータ配線は、2つの画素にむけて
表示信号を伝送するが、これらは、上記の2種類の画素
である。実施の形態2において、イネーブル配線E1が
配置された場所にも、イネーブル配線E0が配置されて
いる。この他の構成は、実施の形態2における構成とほ
ぼ同様であり、説明を省略する。
n+1の表示動作を説明するタイミングチャートである。
以下、このチャートを参照して説明する。図7(b)の
t3においてゲート配線Gn+1がHでその他のゲート配線
がLの論理レベルにある。また、イネーブル配線EがH
のレベルにある。この状態において、全てのデータ配線
から表示信号が送られている。画素行Gn+1において、
全ての画素電極に表示信号が送られる。
にされる。ゲート配線Gn+1は、Hの論理レベルに維持
される。この後に、次の表示信号がデータ配線に送られ
る。これが、t4における状態である。この状態におい
ては、イネーブル配線EがLの論理レベルにあるので、
イネーブル配線に接続された画素Ce,n+1,*は選択され
ない状態にある。図においては、Ce,n+1,mとC
e,n+1,m+1である。従って、これらの画素電極に表示信
号は送られない。一方、イネーブル配線に接続されてい
ない画素Cn+1,*は、イネーブル配線の選択動作に影響
を受けない。従って、ゲート配線の論理レベルのみによ
って選択される。図においては、Cn+1,mとCn+1 ,m+1で
ある。今、ゲート配線Gn+1はHの論理レベルにあるの
で、これらの画素電極に次の表示信号が送られる。
極Ce,n+1,*は、t3において受信した表示信号をほぼ1
フレームの間維持し、画像表示を行う。一方、イネーブ
ル配線に接続されていない画素の画素電極Cn+1,*は、
t4において受信した表示信号をほぼ1フレームの間維
持して、画像表示を行う。イネーブル配線に接続されて
いない画素の画素電極には、一旦、本来の表示信号とは
異なる信号が送られるが、画素電極がこの信号を保持す
るのは短い時間のことであり、画像表示において問題は
ない。続いて、ゲート配線Gn+1の論理レベルがLにさ
れる。
ブル配線のみを有しているので、回路構成をより簡略に
することが可能となる。又、イネーブル配線をゲート配
線とほぼ平行に配置すること可能である。尚、TFT7
01のゲートにイネーブル配線を接続し、そのソース/
ドレインにゲート配線を接続することも可能である。
成図である。
回路を説明する図である。(a)は回路図を示し、
(b)は動作タイミング図を示す。
回路を説明する図である。(a)は回路図を示し、
(b)は動作タイミング図を示す。
回路を説明する図である。
回路を説明する図である。
回路を説明する図である。(a)は回路図を示し、
(b)は動作タイミング図を示す。
回路を説明する図である。(a)は回路図を示し、
(b)は動作タイミング図を示す。
Claims (17)
- 【請求項1】マトリックス状に配置された複数の画素を
含む表示領域を有する表示装置において、前記表示領域
内に、 各画素行を選択する複数の走査線と、 前記走査線によって選択される一つの画素行内の少なく
とも2つの画素に表示信号を送る、多重信号線と、 前記複数の走査線と別に配設された選択線と、 を有し、 前記選択線は、前記多重信号線が前記表示信号を伝送す
る前記画素行内の複数の画素の内、少なくとも一つの画
素を選択する、表示装置。 - 【請求項2】前記多重信号線が前記表示信号を伝送する
前記画素行内の複数の画素は、前記選択線と前記走査線
とに選択される第1の画素と、前記選択線に選択されず
前記走査線に選択される第2の画素と、を含む、請求項
1に記載の表示装置。 - 【請求項3】前記第1の画素は、前記選択線が前記第1
の画素を選択し、かつ、前記走査線が前記第1の画素と
前記第2の画素とを選択したときに前記多重信号線から
入力された前記表示信号を維持し、 前記第2の画素は、前記選択線が前記第1の画素を選択
せず、かつ、前期走査線が第1の画素と第2の画素を選
択したときに前記多重信号線から入力された表示信号を
維持する、請求項2に記載の表示装置。 - 【請求項4】前記各画素行は、2つの画素毎に異なる多
重信号線から表示信号が送られ、 同じ多重信号線から表示信号を受けるそれぞれの2つの
画素の内、一つの画素は前記選択線とその画素が含まれ
る画素行の走査線とに選択され、もう一方の画素は、前
記走査線のみに選択される、請求項3に記載の表示装
置。 - 【請求項5】前記選択線は、前記複数の走査線とほぼ平
行に配置された、請求項2に記載の表示装置。 - 【請求項6】それぞれ異なるタイミングで選択信号を送
る、第1系統の選択線と第2系統の選択線とを有し、 前記第1の選択線と前記第2の選択線とは、前記多重信
号線が前記表示信号を伝送する前記画素行内の画素の
内、それぞれ異なる画素を選択する、請求項1に記載の
表示装置。 - 【請求項7】前記多重信号線が前記表示信号を伝送する
前記画素行内の画素は、前記第1の選択線に選択される
第1の画素と前記第2の選択線に選択される第2の画素
とを有し、 前記第1の画素は、前記第1の選択線と前記走査線とに
選択されたときに入力された表示信号を維持し、 前記第2の画素は、前記第2の選択線と前記走査線とに
選択されたときに入力された表示信号を維持する、請求
項6に記載の表示装置。 - 【請求項8】前記各画素行は、2つの画素毎に異なる多
重信号線から表示信号が送られ、 同じ多重信号線から表示信号を受けるそれぞれの2つの
画素の内、一つの画素は前記第1の選択線とその画素が
含まれる画素列の走査線とに選択され、もう一方の画素
は、前記第2の選択線と前記走査線とに選択される、請
求項7に記載の表示装置。 - 【請求項9】前記選択線と前記多重信号線とはほぼ平行
に配置され、かつ、各画素電極の間に交互に配置され、
前記画素電極の間には前記選択線と前記多重信号線との
いずれか一方のみが配置されている、請求項8に記載の
表示装置。 - 【請求項10】前記第1及び第2の選択線と異なるタイ
ミングで選択信号を伝送する、第3の選択線を有し、 前記各画素行は、3つの画素毎に異なる多重信号線から
表示信号が送られ、 同じ多重信号線から表示信号を受けるそれぞれの3つの
画素の内、一つの画素は前記第1の選択線とその画素が
含まれる画素行の走査線とに選択され、もう一つの画素
は、前記第2の選択線と前記走査線とに選択され、最後
の画素は前記第3の選択線と前記走査線とに選択さる、
請求項7に記載の表示装置。 - 【請求項11】マトリックス状に配置された複数の画素
を有する、表示装置において、 各画素行を選択する複数の走査線と、 一つの画素行内の少なくとも2つの画素に表示信号を送
る、多重信号線と、 前記複数の走査線と別に配設された選択線と、を有し、 前記多重信号線が表示信号を送る前記画素行内の画素の
一つは、画素電極と、第1のスイッチング素子と、第2
のスイッチング素子とを有し、 前記第2のスイッチング素子は、前記画素電極と多重信
号線とに接続され、 前記第1のスイッチング素子は、前記走査線と前記選択
線とに接続され、 前記第1のスイッチング素子は、前記第2のスイッチン
グ素子のON/OFF状態の制御を行う、表示装置。 - 【請求項12】前記多重信号線は、同じ画素行内の第1
の画素と第2の画素とに表示信号を送り、 前記第1の画素は、前記画素電極と、前記第1のスイッ
チング素子と、前記第2のスイッチング素子とを有し、 前記第2のスイッチング素子は、前記画素電極と多重信
号線とに接続され、 前記第1のスイッチング素子は、前記走査線と前記選択
線とに接続され、 前記第1のスイッチング素子は、前記第2のスイッチン
グ素子のON/OFF状態の制御を行い、 前記第2の画素は、画素電極と第3のスイッチング素子
とを有し、 前記第3のスイッチング素子は、前記第2の画素の画素
電極と、前記多重信号線と、前記走査線とに接続されて
いる、請求項11に記載の表示装置。 - 【請求項13】前記多重信号線と前記画素電極とは、前
記第2のスイッチング素子のソース/ドレイン電極に接
続され、 前記第1のスイッチング素子のソース/ドレイン電極は
前記第2のスイッチング素子のゲートに接続されてい
る、請求項11又は12に記載の表示装置。 - 【請求項14】前記第1の画素は、前記第2のスイッチ
ング素子が前記第1のスイッチング素子によってON状
態にされているときに前記多重信号線から伝送された表
示信号を維持し、 前記第2の画素は、前記第2のスイッチング素子がOF
F状態で、前記第3のスイッチング素子がON状態のと
きに前記多重信号線から伝送された表示信号を維持す
る、請求項12に記載の表示装置。 - 【請求項15】それぞれ異なるタイミングで選択信号を
送る、第1系統の選択線と第2系統の選択線とを有し、 前記多重信号線は、同じ画素行内の第1の画素と第2の
画素とに表示信号を送り、 前記第1の画素は、画素電極と、前記第1のスイッチン
グ素子と、前記第2のスイッチング素子とを有し、 前記第2のスイッチング素子は、前記第1の画素の画素
電極と多重信号線とに接続され、 前記第1のスイッチング素子は、前記走査線と前記第1
の選択線とに接続され、 前記第1のスイッチング素子は、前記第2のスイッチン
グ素子のON/OFF状態の制御を行い、 前記第2の画素は、画素電極と、第3のスイッチング素
子と、第4のスイッチング素子とを有し、 前記第4のスイッチング素子は、前記第2の画素画素電
極と多重信号線とに接続され、 前記第3のスイッチング素子は、前記走査線と第2の選
択線とに接続され、 前記第3のスイッチング素子は、前記第4のスイッチン
グ素子のON/OFF状態の制御を行う、請求項11に
記載の表示装置。 - 【請求項16】前記第2のスイッチング素子のゲート電
極は、前記第1のスイッチング素子のソース/ドレイン
電極に接続され、 前記第2のスイッチング素子のソース/ドレイン電極
は、前記第1の画素の画素電極と前記多重信号線とに、
それぞれ接続され、 前記第4のスイッチング素子のゲート電極は、前記第3
のスイッチング素子のソース/ドレイン電極に接続さ
れ、 前記第4のスイッチング素子のソース/ドレイン電極
は、前記第2の画素の画素電極と前記多重信号線とに、
それぞれ接続された、請求項15に記載の表示装置。 - 【請求項17】前記選択線と前記多重信号線とはほぼ平
行に配置され、かつ、各画素電極の間に交互に配置さ
れ、前記画素電極の間には前記選択線と前記多重信号線
とのいずれか一方のみが配置されている、請求項15に
記載の表示装置。
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