JP2002202746A - 波形発生器、表示装置及び電子機器 - Google Patents
波形発生器、表示装置及び電子機器Info
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- JP2002202746A JP2002202746A JP2001296483A JP2001296483A JP2002202746A JP 2002202746 A JP2002202746 A JP 2002202746A JP 2001296483 A JP2001296483 A JP 2001296483A JP 2001296483 A JP2001296483 A JP 2001296483A JP 2002202746 A JP2002202746 A JP 2002202746A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/02—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having stepped portions, e.g. staircase waveform
- H03K4/023—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having stepped portions, e.g. staircase waveform by repetitive charge or discharge of a capacitor, analogue generators
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】TFTを用いて波形発生器を実現すること。
【解決手段】波形発生器において、この波形発生器は、
第1容量の1端子に接続されている入力端子と、該第1
容量の他方の端子を第2容量の1端子に接続する第1ス
イッチと、該第2容量を作用的に放電するために接続さ
れている第2スイッチとを含み、該第2容量の前記1端
子はバッファーの入力にも接続されており、その出力は
該発生器の出力に接続されており、更に、該バッファー
の出力を作用的に該第1容量の他方の端子にフィードバ
ックするために接続されている第3スイッチを含んでい
る。該発生器はポリシリコンTFTを用いて実現される
ことができる。本発明は、表示装置と、前記の波形発生
器の少なくとも1つを含む電子機器とにも関する。
第1容量の1端子に接続されている入力端子と、該第1
容量の他方の端子を第2容量の1端子に接続する第1ス
イッチと、該第2容量を作用的に放電するために接続さ
れている第2スイッチとを含み、該第2容量の前記1端
子はバッファーの入力にも接続されており、その出力は
該発生器の出力に接続されており、更に、該バッファー
の出力を作用的に該第1容量の他方の端子にフィードバ
ックするために接続されている第3スイッチを含んでい
る。該発生器はポリシリコンTFTを用いて実現される
ことができる。本発明は、表示装置と、前記の波形発生
器の少なくとも1つを含む電子機器とにも関する。
Description
【0001】本発明は、特に鋸波形及び/又は三角波形
の発生に適する種類の波形発生器に関する。本発明は、
表示装置と電子機器とにも関する。
の発生に適する種類の波形発生器に関する。本発明は、
表示装置と電子機器とにも関する。
【0002】鋸波形信号及び三角波形信号は、例えばパ
ルス幅変調(PWM)を提供する回路を含む多くのアナ
ログ電子回路とアナログ−ディジタル変換器とに用いら
れる。
ルス幅変調(PWM)を提供する回路を含む多くのアナ
ログ電子回路とアナログ−ディジタル変換器とに用いら
れる。
【0003】本発明に従って波形発生器が提供され、そ
れは、第1容量の1端子に接続されている入力端子と、
該第1容量の他方の端子を第2容量の1端子に接続する
第1スイッチと、該第2容量を作用的に放電するために
接続されている第2スイッチとを含み、該第2容量の前
記1端子はバッファーの入力にも接続されており、その
出力は該発生器の出力に接続されており、更に、該バッ
ファーの出力を作用的に該第1容量の他方の端子にフィ
ードバックするために接続されている第3スイッチを含
んでいる。
れは、第1容量の1端子に接続されている入力端子と、
該第1容量の他方の端子を第2容量の1端子に接続する
第1スイッチと、該第2容量を作用的に放電するために
接続されている第2スイッチとを含み、該第2容量の前
記1端子はバッファーの入力にも接続されており、その
出力は該発生器の出力に接続されており、更に、該バッ
ファーの出力を作用的に該第1容量の他方の端子にフィ
ードバックするために接続されている第3スイッチを含
んでいる。
【0004】鋸波形及び/又は三角波形を発生させるた
めの公知回路は、単結晶MOSFET装置に基づいてお
り、TFT特性に起因する問題があるために薄膜トラン
ジスタ(TFT)を用いて実現されてはいない。本発明
の利点は、TFTを用いて波形発生器を実現できること
である。
めの公知回路は、単結晶MOSFET装置に基づいてお
り、TFT特性に起因する問題があるために薄膜トラン
ジスタ(TFT)を用いて実現されてはいない。本発明
の利点は、TFTを用いて波形発生器を実現できること
である。
【0005】TFTトランジスタに現れるいわゆるキン
ク効果と、それが良好な飽和出力特性を有していないこ
ととは波形発生回路においてTFTを使用することを従
来妨げてきた問題の特別の例である。
ク効果と、それが良好な飽和出力特性を有していないこ
ととは波形発生回路においてTFTを使用することを従
来妨げてきた問題の特別の例である。
【0006】単結晶MOSFETの出力特性(ID−V
DS)とは異なって、多結晶シリコンTFTでは飽和状
態は観察されない。その代わりに、装置がいわゆるピン
チオフ・レベルより上で動作しているとき、一般的には
VDS>VGSであるとき、ドレーンの付近に強い電場
が生じ、その結果としていわゆる衝撃イオン化が行われ
る。その結果はドレーン電流IDの増大であり、キンク
効果と称されるのはこれである。この効果は、電力消費
量を増大させ、ディジタル回路におけるスイッチング特
性を低下させ、その一方で得ることのできる最大利得と
アナログ回路における共通モード同相除去比とを低下さ
せる。
DS)とは異なって、多結晶シリコンTFTでは飽和状
態は観察されない。その代わりに、装置がいわゆるピン
チオフ・レベルより上で動作しているとき、一般的には
VDS>VGSであるとき、ドレーンの付近に強い電場
が生じ、その結果としていわゆる衝撃イオン化が行われ
る。その結果はドレーン電流IDの増大であり、キンク
効果と称されるのはこれである。この効果は、電力消費
量を増大させ、ディジタル回路におけるスイッチング特
性を低下させ、その一方で得ることのできる最大利得と
アナログ回路における共通モード同相除去比とを低下さ
せる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施態様についていっそう詳しく説明する。
の実施態様についていっそう詳しく説明する。
【0008】該波形発生器の詳しい回路を説明する前
に、該波形発生器の多くの使用方法の1つの例をあげ
る。図1はマトリクス表示装置に使用される波形発生器
を示している。図示されているように、波形発生器は、
3つの入力信号(Vscan、Vref、V
master)を受け取り、信号Vsawを出力し、そ
れはマトリクス表示装置のピクセルの行を駆動するため
に使用される。
に、該波形発生器の多くの使用方法の1つの例をあげ
る。図1はマトリクス表示装置に使用される波形発生器
を示している。図示されているように、波形発生器は、
3つの入力信号(Vscan、Vref、V
master)を受け取り、信号Vsawを出力し、そ
れはマトリクス表示装置のピクセルの行を駆動するため
に使用される。
【0009】表示パネル上でのTFT特性の空間的変化
を考慮するときには、精密なタイミング及びデータ電圧
関係が重要な問題となる。しかし、この問題は、マトリ
クス中の全ての波形発生器からの出力が同一であるが位
相が異なるようにマスター・クロックVmasterと
基準電圧源Vrefを設けることにより解決されること
ができる。
を考慮するときには、精密なタイミング及びデータ電圧
関係が重要な問題となる。しかし、この問題は、マトリ
クス中の全ての波形発生器からの出力が同一であるが位
相が異なるようにマスター・クロックVmasterと
基準電圧源Vrefを設けることにより解決されること
ができる。
【0010】信号Vsawは、一連のパルスV
pulseをピクセルの発光エレメントに加えるピクセ
ル・レベル回路に入力される。信号Vsawは、表示マ
トリクスのパルス幅変調駆動が得られるように、該パル
スの幅を制御する。
pulseをピクセルの発光エレメントに加えるピクセ
ル・レベル回路に入力される。信号Vsawは、表示マ
トリクスのパルス幅変調駆動が得られるように、該パル
スの幅を制御する。
【0011】図1から、もし波形発生器をTFTを用い
て実現することができるならば、相当の利益が得られる
ことが明らかである。例えば、波形発生器を単一の基板
上でピクセルと統合することができる。これは、製造を
容易にし、サイズを減少させ、信頼性を向上させ、コス
トを減少させることができる。その様な統合された波形
発生器を用いることにより、必要な相互接続の数を減少
させることができ、高いスイッチング速度を得ることが
できる。
て実現することができるならば、相当の利益が得られる
ことが明らかである。例えば、波形発生器を単一の基板
上でピクセルと統合することができる。これは、製造を
容易にし、サイズを減少させ、信頼性を向上させ、コス
トを減少させることができる。その様な統合された波形
発生器を用いることにより、必要な相互接続の数を減少
させることができ、高いスイッチング速度を得ることが
できる。
【0012】図2は2つの図(a)及び(b)から成っ
ており、それに波形Vscan、V saw及びV
pulseが示されている。これは、該発生器により出
力される波形の形状を変化させることにより達成され得
るいろいろな効果の例を図解している。図2(a)にお
いて、Vsawの波形は鋸であるが、図2(b)におい
てはVsawの波形は三角形である。図2(a)の鋸波
形を用いて出力パルスは常に各フレームの始まりから始
まる。対照的に、図2(b)の三角波形では、出力パル
スの中心は常にサイクル中央に現れる。
ており、それに波形Vscan、V saw及びV
pulseが示されている。これは、該発生器により出
力される波形の形状を変化させることにより達成され得
るいろいろな効果の例を図解している。図2(a)にお
いて、Vsawの波形は鋸であるが、図2(b)におい
てはVsawの波形は三角形である。図2(a)の鋸波
形を用いて出力パルスは常に各フレームの始まりから始
まる。対照的に、図2(b)の三角波形では、出力パル
スの中心は常にサイクル中央に現れる。
【0013】図3は、本発明の1実施態様に従う鋸波形
の回路図である。該回路は入力信号VCLKを受け取
り、それは容量C1の1端子に加えられる。容量C1の
他方の端子はスイッチSW1及びSW2の各々の一方の
側に接続されている。これらのスイッチSW1及びSW
2は、それぞれ、信号φ1及びφ2により制御される。
スイッチSW1の他方の側は、容量C2と、信号V
resetにより制御されるスイッチSW3とを介して
グランドに接続されている。スイッチSW1、SW3及
び容量C2は、ユニティーゲインバッファー(x1)の
入力に接続されている。スイッチSW2は、該バッファ
ーの出力Voutからのフィードバック・ループを制御
する。該バッファーの出力は、抵抗器と容量とから成る
低域フィルターL.P.に加えられる。フィルターL.
P.の出力は、発生器出力VDRVを提供する。
の回路図である。該回路は入力信号VCLKを受け取
り、それは容量C1の1端子に加えられる。容量C1の
他方の端子はスイッチSW1及びSW2の各々の一方の
側に接続されている。これらのスイッチSW1及びSW
2は、それぞれ、信号φ1及びφ2により制御される。
スイッチSW1の他方の側は、容量C2と、信号V
resetにより制御されるスイッチSW3とを介して
グランドに接続されている。スイッチSW1、SW3及
び容量C2は、ユニティーゲインバッファー(x1)の
入力に接続されている。スイッチSW2は、該バッファ
ーの出力Voutからのフィードバック・ループを制御
する。該バッファーの出力は、抵抗器と容量とから成る
低域フィルターL.P.に加えられる。フィルターL.
P.の出力は、発生器出力VDRVを提供する。
【0014】CMOS技術でスイッチを実現すると、い
わゆる“フィードスルー”、即ち他の回路電圧との結
合、を回避することができる。一般に、例えば図5に図
解されているように、回路はポリシリコンTFT技術を
用いて実現される。
わゆる“フィードスルー”、即ち他の回路電圧との結
合、を回避することができる。一般に、例えば図5に図
解されているように、回路はポリシリコンTFT技術を
用いて実現される。
【0015】前記の様に、該回路は4つの入力信号(V
CLK、φ1、φ2及びVrese t)と、1つの出力
信号(VDRV)とを有する。これらの信号が図4に示
されている。
CLK、φ1、φ2及びVrese t)と、1つの出力
信号(VDRV)とを有する。これらの信号が図4に示
されている。
【0016】波形VCLKは、0Vと最大レベル、例え
ばh、との間で動作する。波形φ1及びφ2は重なり合
わないクロック・パルスである。Vresetがハイに
なると、スイッチSW3は閉じるので、ユニティーゲイ
ンバッファーの入力は0Vとなり、C2は放電される。
実際上、これはリセットとして作用して出力をゼロにす
る。Vresetがローになると、スイッチSW3は開
かれる。SW1が閉じられ、SW2が開かれるとき、波
形VCLK=0Vである。VCLKの0Vからhへの遷
移は、ユニティーゲインバッファーの入力電圧を高め
る。C1=C2であるならば、この増分はh/2に等し
い。VCLK=hである時には、SW1は開かれ、SW
2は閉じられる。ユニティーゲインバッファー入力電圧
はC2により記憶される。この電圧は、ユニティーゲイ
ンバッファーの出力により反映され、VCLKが0Vに
戻る間にC1に接続される。次にSW2が開かれ、その
ときSW1が閉じられ、そのときVCLKは0Vからh
へ通過する。これは、ユニティーゲインバッファーの入
力の電圧を更に高める。C1=C2であるならば、この
増分はh/2に等しく、その結果としての電圧はhとな
る。これが継続し、ユニティーゲインバッファーの出力
は階段形状を帯びる。該出力が低域フィルターL.P.
を通されると、該出力信号は滑らかなランプになる。
ばh、との間で動作する。波形φ1及びφ2は重なり合
わないクロック・パルスである。Vresetがハイに
なると、スイッチSW3は閉じるので、ユニティーゲイ
ンバッファーの入力は0Vとなり、C2は放電される。
実際上、これはリセットとして作用して出力をゼロにす
る。Vresetがローになると、スイッチSW3は開
かれる。SW1が閉じられ、SW2が開かれるとき、波
形VCLK=0Vである。VCLKの0Vからhへの遷
移は、ユニティーゲインバッファーの入力電圧を高め
る。C1=C2であるならば、この増分はh/2に等し
い。VCLK=hである時には、SW1は開かれ、SW
2は閉じられる。ユニティーゲインバッファー入力電圧
はC2により記憶される。この電圧は、ユニティーゲイ
ンバッファーの出力により反映され、VCLKが0Vに
戻る間にC1に接続される。次にSW2が開かれ、その
ときSW1が閉じられ、そのときVCLKは0Vからh
へ通過する。これは、ユニティーゲインバッファーの入
力の電圧を更に高める。C1=C2であるならば、この
増分はh/2に等しく、その結果としての電圧はhとな
る。これが継続し、ユニティーゲインバッファーの出力
は階段形状を帯びる。該出力が低域フィルターL.P.
を通されると、該出力信号は滑らかなランプになる。
【0017】図5は、TFTトランジスタを用いて実現
される図3の回路の詳細を示している。スイッチSW1
は、相補CMOSトランジスタQ10及びQ12により
実現されている。スイッチSW2は、相補CMOSトラ
ンジスタQ1及びQ2により実現されている。スイッチ
SW3は、相補CMOSトランジスタQ13及びQ14
により実現されている。これらのスイッチは相補CMO
Sトランジスタ対として実現されるので、各々の場合に
それぞれの入力信号はそれぞれのインバーターを介して
Nチャネル・トランジスタに加えられる。即ち、信号φ
1は、トランジスタQ18及びQ19から成るインバー
ター回路を介してトランジスタ10に入力される。信号
φ2は、トランジスタQ3及びQ8から成るインバータ
ー回路を介してトランジスタQ1に入力される。信号V
resetは、トランジスタQ20及びQ21から成る
インバーター回路を介してトランジスタQ14に入力さ
れる。ユニティーゲイン増幅器/バッファーは、トラン
ジスタQ4,Q5,Q6,Q9,Q11,Q15及びQ
16を用いて実現される図示されている構成の単純な増
幅回路として実現される。容量C3は、図3に示されて
いる低域フィルターの代わりに、Voutに接続されて
示されている。
される図3の回路の詳細を示している。スイッチSW1
は、相補CMOSトランジスタQ10及びQ12により
実現されている。スイッチSW2は、相補CMOSトラ
ンジスタQ1及びQ2により実現されている。スイッチ
SW3は、相補CMOSトランジスタQ13及びQ14
により実現されている。これらのスイッチは相補CMO
Sトランジスタ対として実現されるので、各々の場合に
それぞれの入力信号はそれぞれのインバーターを介して
Nチャネル・トランジスタに加えられる。即ち、信号φ
1は、トランジスタQ18及びQ19から成るインバー
ター回路を介してトランジスタ10に入力される。信号
φ2は、トランジスタQ3及びQ8から成るインバータ
ー回路を介してトランジスタQ1に入力される。信号V
resetは、トランジスタQ20及びQ21から成る
インバーター回路を介してトランジスタQ14に入力さ
れる。ユニティーゲイン増幅器/バッファーは、トラン
ジスタQ4,Q5,Q6,Q9,Q11,Q15及びQ
16を用いて実現される図示されている構成の単純な増
幅回路として実現される。容量C3は、図3に示されて
いる低域フィルターの代わりに、Voutに接続されて
示されている。
【0018】本発明は、移動電話、コンピュータ、CD
プレーヤー、DVDプレーヤー等の小型で移動可能な電
子製品に用いられることができるが、それらに限定はさ
れない。
プレーヤー、DVDプレーヤー等の小型で移動可能な電
子製品に用いられることができるが、それらに限定はさ
れない。
【0019】本発明を使用する電子機器の幾つかの例に
ついて次に説明する。
ついて次に説明する。
【0020】<1:移動コンピュータ>本発明が移動パ
ーソナルコンピュータに応用される例について次に説明
する。
ーソナルコンピュータに応用される例について次に説明
する。
【0021】図6は、このパーソナルコンピュータの構
成を図解した等大図である。図面において、パーソナル
コンピュータ1100は、キーボード1102及び表示
ユニット1106を含むボディー1104を備えてい
る。表示ユニット1106は、本発明の波形発生器を含
む表示パネルを用いて実現されている。本発明の波形発
生器は、移動コンピュータの表示装置以外のコンポーネ
ント、例えばそれに含まれているアナログ−ディジタル
変換器、に使用されることができる。
成を図解した等大図である。図面において、パーソナル
コンピュータ1100は、キーボード1102及び表示
ユニット1106を含むボディー1104を備えてい
る。表示ユニット1106は、本発明の波形発生器を含
む表示パネルを用いて実現されている。本発明の波形発
生器は、移動コンピュータの表示装置以外のコンポーネ
ント、例えばそれに含まれているアナログ−ディジタル
変換器、に使用されることができる。
【0022】<2:携帯電話>次に、本発明の波形発生
器が携帯電話の表示セクションに応用される例について
説明する。図7は、携帯電話の構成を図解した等大図で
ある。図面において、携帯電話1200は、複数の操作
キー1202と、受話器口1204と、送話器口120
6と、表示パネル100とを備えている。この表示パネ
ル100は、本発明の波形発生器を含む。本発明の波形
発生器は、携帯電話の表示装置以外の、例えばそれに含
まれているアナログ−ディジタル変換器に使用されるこ
とができる。
器が携帯電話の表示セクションに応用される例について
説明する。図7は、携帯電話の構成を図解した等大図で
ある。図面において、携帯電話1200は、複数の操作
キー1202と、受話器口1204と、送話器口120
6と、表示パネル100とを備えている。この表示パネ
ル100は、本発明の波形発生器を含む。本発明の波形
発生器は、携帯電話の表示装置以外の、例えばそれに含
まれているアナログ−ディジタル変換器に使用されるこ
とができる。
【0023】<3:ディジタル・スチール・カメラ>次
に、本発明の波形発生器を含む、OEL表示装置100
を使用するディジタル・スチール・カメラについて説明
する。図8は該ディジタル・スチール・カメラの構成と
外部装置への接続とを簡単に図解した等大図である。
に、本発明の波形発生器を含む、OEL表示装置100
を使用するディジタル・スチール・カメラについて説明
する。図8は該ディジタル・スチール・カメラの構成と
外部装置への接続とを簡単に図解した等大図である。
【0024】通常のカメラは、物体からの光学像に基づ
いてフィルムを感光させるが、ディジタル・スチール・
カメラ1300は、例えば電荷結合素子(CCD)を用
いる光電変換により物体の光学像から画像信号を発生さ
せる。ディジタル・スチール・カメラ1300は、CC
Dからの画像信号に基づいて表示を行うためにケース1
302の背面にOELエレメント100を備えている。
従って、表示パネル100は該物体を表示するためのフ
ァインダーとして機能する。光学レンズとCCDとを含
む受光ユニット1304は、ケース1302の前側(図
面では後ろ)に設けられている。
いてフィルムを感光させるが、ディジタル・スチール・
カメラ1300は、例えば電荷結合素子(CCD)を用
いる光電変換により物体の光学像から画像信号を発生さ
せる。ディジタル・スチール・カメラ1300は、CC
Dからの画像信号に基づいて表示を行うためにケース1
302の背面にOELエレメント100を備えている。
従って、表示パネル100は該物体を表示するためのフ
ァインダーとして機能する。光学レンズとCCDとを含
む受光ユニット1304は、ケース1302の前側(図
面では後ろ)に設けられている。
【0025】OELエレメント・パネルにおいて表示さ
れている物体の像をカメラマンが確かめてシャッターを
レリーズすると、CCDからの画像信号は回路基板13
08のメモリーへ送られて蓄積される。ディジタル・ス
チール・カメラ1300において、データ通信のための
ビデオ信号出力端子1312と入出力端子1314とは
ケース1302の側に設けられている。図に示されてい
るように、もし必要ならばテレビジョン・モニター14
30とパーソナルコンピュータ1440とがビデオ信号
端子1312と入出力端子1314とにそれぞれ接続さ
れる。回路基板1308のメモリーに蓄積されている画
像信号は、与えられた操作により、テレビジョン・モニ
ター1430及びパーソナルコンピュータ1440に出
力される。
れている物体の像をカメラマンが確かめてシャッターを
レリーズすると、CCDからの画像信号は回路基板13
08のメモリーへ送られて蓄積される。ディジタル・ス
チール・カメラ1300において、データ通信のための
ビデオ信号出力端子1312と入出力端子1314とは
ケース1302の側に設けられている。図に示されてい
るように、もし必要ならばテレビジョン・モニター14
30とパーソナルコンピュータ1440とがビデオ信号
端子1312と入出力端子1314とにそれぞれ接続さ
れる。回路基板1308のメモリーに蓄積されている画
像信号は、与えられた操作により、テレビジョン・モニ
ター1430及びパーソナルコンピュータ1440に出
力される。
【0026】本発明の波形発生器は、ディジタル・スチ
ール・カメラの、ファインダー表示装置以外の、例えば
それに含まれているアナログ−ディジタル変換器に使用
されることができる。
ール・カメラの、ファインダー表示装置以外の、例えば
それに含まれているアナログ−ディジタル変換器に使用
されることができる。
【0027】図6に示されているパーソナルコンピュー
タ、図7に示されている携帯電話、及び図8に示されて
いるディジタル・スチール・カメラ以外の電子機器の例
は、テレビジョン受信機、ビューファインダー型及び監
視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション・
システム、ページャー、電子ノートブック、携帯用計算
機、ワードプロセッサー、ワークステーション、TV電
話機、ポイント・オブ・セールス・システム(POS)
端末装置、及び、タッチパネルを備えている装置を含
む。もちろん、本発明の上記実施態様をこれらの電子機
器に応用することができる。
タ、図7に示されている携帯電話、及び図8に示されて
いるディジタル・スチール・カメラ以外の電子機器の例
は、テレビジョン受信機、ビューファインダー型及び監
視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション・
システム、ページャー、電子ノートブック、携帯用計算
機、ワードプロセッサー、ワークステーション、TV電
話機、ポイント・オブ・セールス・システム(POS)
端末装置、及び、タッチパネルを備えている装置を含
む。もちろん、本発明の上記実施態様をこれらの電子機
器に応用することができる。
【0028】本発明は、主として、TFT技術に関連し
て達成され得る利益に関して前述されているが、本発明
はそれに限定されるものではなく、本発明の波形発生器
を実現するために他の技術を使用することができる。
て達成され得る利益に関して前述されているが、本発明
はそれに限定されるものではなく、本発明の波形発生器
を実現するために他の技術を使用することができる。
【図1】統合波形発生器の使用の1例を図解したブロッ
ク回路図であり;
ク回路図であり;
【図2】(a)及び(b)は、図1に図解されている回
路に使用されるような鋸波形及び三角波形を図解してお
り;
路に使用されるような鋸波形及び三角波形を図解してお
り;
【図3】本発明の実施態様を構成する波形発生器の詳細
回路図であり;
回路図であり;
【図4】図3の回路のための入力信号及び出力信号を示
しており;
しており;
【図5】TFTトランジスタを用いて実現される図3の
回路の詳細を示しており;
回路の詳細を示しており;
【図6】本発明の波形発生器を組み込んだ移動パーソナ
ルコンピュータの略図であり;
ルコンピュータの略図であり;
【図7】本発明の波形発生器を組み込んだ移動電話の略
図であり;
図であり;
【図8】本発明の波形発生器を組み込んだディジタル・
カメラの略図である。
カメラの略図である。
Claims (7)
- 【請求項1】波形発生器において、この波形発生器は、
第1容量の1端子に接続されている入力端子と、該第1
容量の他方の端子を第2容量の1端子に接続する第1ス
イッチと、該第2容量を作用的に放電するために接続さ
れている第2スイッチとを含み、該第2容量の前記1端
子はバッファーの入力にも接続されており、その出力は
該発生器の出力に接続されており、更に、該バッファー
の出力を作用的に該第1容量の他方の端子にフィードバ
ックするために接続されている第3スイッチを含んでい
ることを特徴とする波形発生器。 - 【請求項2】該バッファーの出力と該発生器の出力端子
との間に低域フィルターが接続されていることを特徴と
する請求項1に記載の波形発生器。 - 【請求項3】該スイッチはCMOSスイッチであること
を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の波形発生
器。 - 【請求項4】該スイッチ及び該バッファーは薄膜トラン
ジスタにより実現されることを特徴とする請求項1に記
載の波形発生器。 - 【請求項5】該薄膜トランジスタはポリシリコンから形
成されることを特徴とする請求項4に記載の波形発生
器。 - 【請求項6】前記のいずれかの請求項に記載されている
少なくとも1つの波形発生器を含む表示装置。 - 【請求項7】請求項1〜5のいずれかに記載されている
少なくとも1つの波形発生器を含む電子機器。
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