JP2002198703A

JP2002198703A - 積層型誘電体フィルタ

Info

Publication number: JP2002198703A
Application number: JP2000396632A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Tateishi; 立也立石
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-12-27
Filing date: 2000-12-27
Publication date: 2002-07-12

Abstract

(57)【要約】【課題】その目的は、フィルタ特性の減衰極の周波数を
任意に可変することができ、安定的にかつ安価で製造で
きる積層型誘電体フィルタを提供する。【解決手段】誘電体ブロック１０と、誘電体ブロック１
０の主面に形成されたアース電極３と、アース電極３に
対向し、かつアース電極３に接続する複数のストリップ
ライン２と、隣接する２つストリップライン２の双方に
誘電体基板を介して対向する第1電極８（９）と、誘電
体ブロック１０の側面に形成された電極端子７に接続さ
れると共に、ストリップライン２と第1電極８（９）と
の双方が誘電体基板を介して対向する第２電極６とを有
した積層型誘電体フィルタ１において、電極端子７に第
1電極８（９）の一部と誘電体層を介して対向する対向
領域７−１を形成したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波部品として
使用される積層型誘電体フィルタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、マイクロ波を利用した携帯電話な
どの機器には、小型で高機能性をもつなどの理由で誘電
体層を積層することによる積層型誘電体フィルタが多用
されている。このような積層型誘電体フィルタは、低温
で焼成可能なセラミックグリーンシートに導電性ペース
トを用いて内部配線パターンを形成し、そのシートを積
層して、絶縁層と内部配線とを一括同時焼成し、所望の
周波数の積層型誘電体フィルタが形成される。

【０００３】このような積層型誘電体フィルタにおい
て、量産時、上述のように一括同時焼成して形成しただ
けでは、個々にバラツキが生じる。即ち、周波数を所望
の周波数に設計するのは、積層型誘電体フィルタを構成
する誘電体層の誘電率とストリップラインの寸法を適宜
設定することで所望の周波数に設計することができるの
であるが、セラミックスおよび導体材料の材料定数や電
気特性は、材料ロット間や加工工程（焼成時の条件等）
の影響を受けやすく、ストリップラインの共振周波数が
バラツクために起こる。

【０００４】従って、従来から積層型誘電体フィルタに
おいては、ばらついたフィルタ周波数を一括同時焼成し
た後に所望のフィルタ周波数に周波数調整することでバ
ラツキを無くしている。

【０００５】従来の共振周波数の調整方法について例を
挙げて説明する。図１１に従来の１／４λストリップラ
イン２０から構成された積層型誘電体フィルタ１１の一
例を示す。従来から誘電体層が積層された誘電体ブロッ
ク１００の両主面及び端面にアース電極３０が形成され
ておりストリップライン２０の一端をアース電極３０と
接続することで短絡端とし、他方を開放端とすることに
より、１／４波長の共振器を形成している。開放端は、
積層型誘電体フィルタ１０の小型化を実現するためスト
リップライン２０側に折り返した折り返し電極５０を形
成している。なお、８０はストリップライン２０同士を
容量接続させる浮遊電極であり、６０はストリップライ
ンに対面し、誘電体ブロック１００の側面に形成した入
出力電極端子７０に接続する入出力電極である。

【０００６】この折り返し電極５０の折り返し点に対向
する誘電体ブロック１００の主面側アース電極３０の領
域はレーザーまたはサンドブラスト法等によりグランド
電位から切り離すトリミング領域が形成されており、こ
れにより、ストリップライン２０とアース電極３０間で
形成される並列容量を減少させ、共振器の共振周波数を
上昇させることでフィルタ波形を所望する特性まで調整
することが可能とした周波数調整を実施していた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
高周波部品を始めとする電子部品は、市場において小型
化の要求が強まってきており、部品の小型化を実現する
ためには、積層ズレや印刷ズレ等を抑制する製造プロセ
スの精度を上げなければ特性に与える影響が増加するば
かりである。従って、フィルタに要求される規格を満足
させるためには、上述のトリミング領域の調整だけでは
不充分な場合が生じてきた。

【０００８】例えば、図５の曲線aに示すように、減衰
極の周波数が設計値より低いため減衰特性の規格を外れ
ている場合や、曲線bに示すように、設計値より高いた
め通過特性の規格を外れている場合は、減衰極の周波数
の調整が必要となる。

【０００９】本発明は上述の問題を鑑みて案出されたも
のであり、その目的は、フィルタ特性の減衰極の周波数
を任意に可変することができ、安定的にかつ安価で製造
できる積層型誘電体フィルタを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明では、積層された複数の誘電体基板からなる
誘電体ブロックと、誘電体ブロックの主面に形成された
アース電極と、積層体内でアース電極に対向し、かつア
ース電極に接続するように形成された複数のストリップ
ラインと、隣接する２つのストリップラインの双方に誘
電体基板を介して対向する第1電極と、前記誘電体ブロ
ックの側面に形成された電極端子に接続されると共に、
前記ストリップラインと前記第1電極との双方が誘電体
基板を介して対向する第２電極とを有した積層型誘電体
フィルタにおいて、前記電極端子に前記第1電極の一部
と誘電体層を介して対向する対向領域を形成したことを
特徴とする積層型誘電体フィルタを提供する。

【００１１】本発明の構成によれば、図４に示す第１電
極と端子電極との間で形成される容量成分Ｃ３は減衰極
を形成するが、その容量成分Ｃ３の容量値が外部から可
変できるように電極端子に第1電極の一部と誘電体層を
介して対向する対向領域を形成したために、対向領域で
形成される容量成分Ｃ４が減衰極を形成する容量成分Ｃ
３と並列に追加され、この対向領域７−１で容易に周波
数の減衰極を変更させることができ、これにより減衰極
の周波数が容易に調整でき、その結果、周波数調整工程
における調整の自由度が増し、歩留まりの改善、周波数
が安定的でかつ安価な製品を製造できる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は第１の実施の形態である積
層型誘電体フィルタの外観斜視図、図2はその断面図、
図３はその上面図である。図において、積層型誘電体フ
ィルタ１は誘電体ブロック１０の内部に形成されたスト
リップライン２と誘電体ブロック１０に形成されたアー
ス電極３、側面に形成した入出力電極端子７とから構成
されている。

【００１３】誘電体ブロック１０は、複数の矩形状の誘
電体層１ａ〜１ｈが積層されてなる。誘電体層１ａ〜１
ｈは、誘電体セラミック材料と低温焼成化を可能とする
酸化物や低融点ガラス材料とから構成されている。具体
的には、誘電体セラミック材料とは、例えば、ＢａＯ−
ＴｉＯ₂系、Ｃａ−ＴｉＯ₂系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系等が
あり、低温焼成化するための酸化物としては、ＢｉＶＯ
₄、ＣｕＯ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃等がある。また、誘電体層
１ａ〜１ｈは、１層あたり５０〜３００μｍ程度の厚み
を有し、層を厚み方向に積層し所望の厚みにして構成さ
れる。

【００１４】ストリップライン２は、誘電体層１ｄと１
ｅ間に複数並列して形成されており、互いに等間隔を保
って延出し、誘電体ブロック１０の端面に形成したアー
ス電極３に一端が接続されている。即ち、ストリップラ
イン２の一端側がアース電極３と接続された短絡端を形
成している誘導電極２０ａ、２０ｂ、２０ｃと、それぞ
れの先端から誘電体層の積層方向の上側に誘電体層１ｃ
と１ｂ間まで形成されたビアホール導体２１ａ〜２１ｃ
と、誘電体層１ｂと１ｃ間のビアホール導体２１ａ〜２
１ｃの形成位置から誘導電極２０ａ〜２０ｃ側に折り返
す折り返し電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃとを形成してい
る。

【００１５】また、誘導電極２０ａ、２０ｂ、２０ｃの
先端から誘電体層の積層方向の下側に誘電体層１ｆと１
ｇ間まで形成されたビアホール導体２１ａ〜２１ｃと、
その誘電体層１ｆと１ｇ間のビアホール導体２１ａ〜２
１ｃの形成位置から誘導電極２０ａ〜２０ｃ側に折り返
す折り返し電極２３ａ〜２３ｃを形成している。

【００１６】アース電極３は誘電体ブロック１０の両主
面及び端面や側面の略全体を覆って形成されている。ま
た、誘電体ブロック１０の主面には折り返し電極２２ａ
〜２２ｃに対面したアース電極３の領域にフィルタの周
波数整を行うためのトリミング領域４を有している。こ
のようにトリミング領域４を誘電体ブロック１０の主面
側に形成することで上側からトリミングしやすくなって
いる。なお、図３に示すようにトリミング領域４の長さ
が大小となっているが、各ストリップライン２の共振周
波数は各自バラバラであるためである。

【００１７】８−１，８−２は隣り合うストリップライ
ン２（誘導電極２０ａ、２０ｂ又は誘導電極２０ｂ、２
０ｃ）を電気的に接続するための浮遊電極であり、次に
説明する各入出力電極６と誘電体層を介して対向してい
る。また、浮遊電極８−１，８−２の一端側から誘電体
層１ｃ、１ｂを貫くビアホール導体８ａが接続されてお
り、ビアホール導体８ａの一端は誘電体層１ａ、１ｂ間
に形成された内部電極９に接続されている。

【００１８】入出力電極端子７は誘電体ブロック１０の
側面に形成され、ストリップライン２の右端又は左端に
配列した誘導電極２０ａ、２０ｃに対面する各入出力電
極６、６（第２電極）と接続されている。また、入出力
電極端子７の一部が誘電体ブロック１０の主面側に延出
形成され、内部電極９と誘電体層１ａを介して容量成分
を形成する対向領域７−１を形成している。なお、後述
のようにこの対向領域７−１をレーザ等でトリミングす
ることで周波数調整がなされる。従って、トリミング領
域４と同様に対向領域７−１を誘電体ブロック１０の主
面側に形成することで上側からトリミングしやすくなっ
ている。

【００１９】なお、ストリップライン２、入出力電極
６、浮遊電極８−１，８−２（第１電極）、内部電極９
等は、誘電体層１ｂ〜1ｇのグリーンシートにＡｇ、Ａ
ｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどを主成分とする所望の形状の導体材
料を印刷することにより構成されている。また、アース
電極電極3と入出力端子７は誘電体ブロック１０の両主
面及び側面にＡｇ、Ｃｕなどを主成分（Ａｇ単体または
Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合金、Ｃｕ単体また
はＣｕ合金）とする導体材料を印刷により形成される。
これらの導体材料には、前述の金属材料に、必要に応じ
てガラス成分などが含有される。

【００２０】ストリップライン２の片面を電気的に開放
端とし、残る片面を電気的に短絡端とした場合は１／４
λ共振器となる。また、上述したようにストリップライ
ン２が誘電体ブロック１０の側面で短絡させるように説
明したが、これに限定されずに短絡手段としてビアホー
ル導体を用いても良い。

【００２１】この実施の形態では、３つのストリップラ
イン２が１／４λ共振器として働き、各隣接するストリ
ップライン２を浮遊電極8で容量結合させることによ
り、帯域通過フィルタを構成している。

【００２２】このようにしてなる積層型誘電体フィルタ
の等価回路を図4に示す。図４において、Ｃ１，Ｃ９は
信号の入出力電極６とストリップライン２間で形成され
る容量成分である。また、Ｃ２，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ８は浮
遊電極８と各ストリップライン２間の容量成分であり、
Ｃ３，Ｃ７，Ｃ１０は入出力電極６と浮遊電極８間の容
量成分であり、Ｃ１２〜Ｃ１６はストリップライン２自
身が持つ容量成分である。特にＣ１２，Ｃ１４，Ｃ１６
は折り返し電極２２ａ〜２２ｃ，２３ａ〜２３ｃで形成
される容量成分である。また、Ｌ１〜Ｌ３はストリップ
ライン２自身が持つ誘導成分であり、Ｃ４，Ｃ１１は入
出力電極端子の対向領域７−１と内部電極９とで形成さ
れる容量成分であり、この対向領域７−１の領域の大き
さやトリミング領域によって減衰極の周波数を制御する
ために容量値が可変できる容量成分である。

【００２３】このように形成された積層型誘電体フィル
タ１の製造上の問題点は、その周波数調整である。一般
的にはフィルタの周波数特性を決める要素としては、各
ストリップライン２の共振周波数が支配的であるが、そ
の共振周波数は、基本的には誘電体ブロック１０に使用
されている誘電体の誘電率とストリップライン２の寸法
によって定められる。しかし、セラミックスおよび導体
材料の材料定数や電気特性は、材料ロット間や加工工程
（焼成時の条件等）の影響を受けるため、共振周波数も
ばらつくことになる。従って、これらの積層型誘電体フ
ィルタは周波数調整が必要不可欠である。

【００２４】１／４λのストリップライン２から構成さ
れる積層型誘電体フィルタ１の周波数調整としては、各
ストリップライン２による共振周波数の調整によりフィ
ルタの通過域特性や減衰特性を所望する特性に調整する
ことができる。即ち、各ストリップライン２による共振
周波数を調整するためには、図４に示す容量成分Ｃ1２
〜Ｃ１７、若しくは誘導成分Ｌ１〜Ｌ３を可変してやれ
ば良い。しかし、構造上、焼成後の最終製品でストリッ
プライン２の誘導成分Ｌ１〜Ｌ３を可変するのは困難で
ある一方、容量成分Ｃ１２〜Ｃ１４であるならば、アー
ス電極をトリミングさせることで可変が簡単にできるた
め、一般的には容量成分Ｃ１２〜Ｃ１４の容量を変化さ
せることにより調整される。

【００２５】この実施の形態では、ストリップライン2
の折り返し電極２２ａ〜２２ｃに対向するアース電極３
の領域にレーザーまたはサンドブラスト法等により、グ
ランド電位から切り離し、ストリップライン2とトリミ
ング領域４間で形成される並列容量が減少し、各ストリ
ップライン２で形成する共振周波数を連続的に上昇させ
ることができる。これにより、フィルタの特性を所望す
る特性に近づけることができる。

【００２６】しかし、上記によるストリップラインの共
振周波数の調整のみでは、製造後の製品の共振周波数が
図５の曲線ｂとなっている場合は調整できないため規格
を満足できない。また、製造後の製品の共振周波数が曲
線ａの場合はトリミング領域４を調整することで所望の
周波数の減衰極ｆｂに合わせることができるが、トリミ
ングし過ぎた場合には不良となる。そこで、本発明で
は、入出力電極端子７の一部である内部電極９と対向す
る対向領域７−１の面積をトリミングさせることで減衰
極の周波数のばらつきを吸収することができるものであ
る。以下、詳細に説明する。

【００２７】まず、減衰極の周波数の調整原理につい
て、図４と図6を用いて説明する。なお、図６は、図４
の破線部分と同等な回路である。図６（ａ）の回路を
（ｂ）のようにΔ−Ｙ変換すると、特性インピーダンス
Ｚbは、

【００２８】

【数１】

【００２９】と表される。Ｚbを1/ωＣbとし、図６
（ａ）の特性インピーダンスＺab等も図４のＣ１等に置
き換えると、容量成分Ｃbは、

【００３０】

【数２】

【００３１】と表される。つまり、図４の破線部分は、
Δ−Ｙ変換を行うことにより、図６の（ｃ）に置き換え
られる。この容量成分Ｃbと図４のＬ１の直列共振によ
り、減衰極を発生させている。したがって、減衰極の周
波数ｆｂは、

【００３２】

【数３】

【００３３】と表される。本発明では、容量成分Ｃ３と
並列に容量を任意に減少させることが可能なＣ4を備え
ている。このＣ4をある程度大きく設計して、製造後に
Ｃ４を減少させると、Ｃ３との加算容量は減少する。式
２より、Ｃ３が減少するとＣbは増加するので、減衰極
の周波数ｆｂは、式３より、Ｃbが増加すると下降す
る。つまり、Ｃ４を調整することにより、確実に減衰極
の周波数を制御できる。

【００３４】次に、Ｃ４の構造について図２と図７を用
いて説明する。なお、図７は、図１のＣ４に関する部分
を拡大し、導体部分のみとした図である。このＣ４は、
外部から容量を調整しなければならないため、その容量
成分を形成する電極の片側の一部分は、外部に露出して
いなければならない。そこで、入出力電極端子７の一部
を誘電体ブロック１０の主面に引出して上述の対向領域
７−１を形成する。そして、これに対向し、かつ、容量
が最大となるような誘電体層１ｂに内部電極９を設け
る。これにより容量成分Ｃ４を形成できる。このＣ４は
ビアホール導体８ａを介して浮遊電極８−１と接続され
る。このＣ４は対向領域７−１と内部電極９間に形成さ
れるため、対向領域７−１の面積をレーザーまたはサン
ドブラスト法等により、減少させることにより、外部か
ら容量を調整可能としている。対向領域７−１をカット
する長さｌと減衰極の周波数ｆｂの関係を図８（ａ）
（ｂ）に示すが、上述の原理により、カットする長さl
を増加させると、容量成分Ｃ４の容量が減少し、減衰極
の周波数ｆｂも下降する関係となる。この関係を用い
て、積層型誘電体フィルタ１の特性が規格に入るように
調整すれば良い。例えば、積層型誘電体フィルタの初期
特性が図５の曲線ａのような特性であった場合、トリミ
ング領域４をトリミングさせることで減衰極ｆｂの周波
数を上げ、製造時にトリミングし過ぎた場合には、対向
領域７−１をカットすることにより、減衰極の周波数ｆ
ｂを下降させ、通過域の規格を満足させることができ
る。

【００３５】また、積層型誘電体フィルタの初期特性が
図５の曲線bのような特性であった場合、対向領域７−
１をカットすることにより、減衰極の周波数ｆｂを下降
させ、通過域の規格を満足させることができる。

【００３６】この容量成分Ｃ４と減衰極の周波数ｆｂと
の関係は、図４のＣ１１と図５の減衰極の周波数ｆｂ´
についても同様な関係があるため、この関係を用いて、
積層型誘電体フィルタの減衰量と減衰域の帯域幅も調整
できる。

【００３７】なお、この実施の形態では周波数の減衰極
ｆｂを下降させるために、製造後の積層型誘電体フィル
タ１をトリミングする点について説明したが、本発明で
形成する対向領域７−１はトリミングさせるために限定
されず、この対向領域７−１の大きさの大小を調整する
ことでも減衰極の周波数を簡単に移動させることができ
る。即ち、設計段階においては、容量成分Ｃ４が極大と
なるように対向領域７−１を形成して、周波数の目標値
よりも大きくなるように形成しておき、対向領域７−１
をトリミングさせて目標周波数に合わせ込むことが容易
となる。

【００３８】次に、第２の実施の形態を図９に基づいて
説明する。図９（ａ）は、断面図であり、図９（ｂ）
は、入出力端子７のある面の側面図である。第１の実施
の形態では、対向領域７−１は、ビアホール導体２１ａ
を介して上面に形成し、対向する内部電極９によって容
量成分Ｃ４を実現していたが、第２の実施の形態では、
対向領域７−１は側面に形成し、また、浮遊電極８−１
が誘電体ブロック１０の側面まで延出し、側面に形成し
た電極８−２により、入出力電極端子７の対向領域７−
１と電極８−２との導体のエッジによる容量結合で図4
の容量成分Ｃ４を形成する。この場合、減衰極ｆｂの周
波数の調整方法は、間隔wを可変することにより実現す
る。なお、間隔wと減衰極の周波数との関係は、第１の
実施の形態と同様、図８に示すように反比例となる。

【００３９】図９（ｂ）は、第２の実施の形態の応用で
あり、対向領域７−１と入出力電極端子７が向かい合う
面は凹状に形成し、側面に形成した電極８−３を凸状に
形成して対向面積を大きくして導体のエッジによる容量
結合を大きくすることにより、減衰極の周波数の調整幅
を拡大できることを特徴といている。減衰極の周波数調
整は、間隔w1とw2を可変することにより実現できる。

【００４０】次に、第３の実施の形態について図１０を
用いて説明する。図１０（ａ）は、一部断面図であり、
図１０（ｂ）は、入出力電極端子７が形成された面の側
面図である。この例では、入出力電極７と対向する領域
（対向領域７−１）にスルーホール導体８−４を設ける
ことにより、図4のＣ４を形成する。この場合の減衰極
の周波数調整方法は、入出力電極７の対向領域と重なる
部分の長さlを可変することにより実現する。なお、長
さlと減衰極の周波数との関係は、第１の実施の形態と
同様、図８に示すように反比例となる。

【００４１】

【発明の効果】本発明の構成によれば、浮遊電極と入出
力端子電極との間で形成される容量成分は減衰極を形成
するが、その容量成分の容量値が外部から可変できるよ
うに入出力電極端子に浮遊電極の一部と誘電体層を介し
て対向する対向領域を形成したために、対向領域で形成
される容量成分が、減衰極を形成する容量成分と並列に
追加され、対向領域で容易に周波数の減衰極を変更させ
ることができ、これにより減衰極の周波数が調整可能と
なり、その結果、周波数調整工程における調整の自由度
が増し、歩留まりの改善、周波数が安定的でかつ安価な
製品を製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態である積層型誘電体
フィルタの外観斜視図である。

【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ'線断面図であり、
（ｂ）は図１のＢ−Ｂ'線断面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態である積層型誘電体
フィルタの上面図である。

【図４】本発明の積層型誘電体フィルタの等価回路であ
る。

【図５】本発明の積層型誘電体フィルタの周波数特性を
示す図である。

【図６】本発明の積層型誘電体フィルタの等価回路の一
部を変形した回路図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態である積層型誘電体
フィルタの一部の拡大図である。

【図８】（ａ）は本発明の第１の実施の形態である積層
型誘電体フィルタの対向領域をトリミングするカット箇
所を説明する図であり、（ｂ）はカット箇所と減衰極の
周波数の変化量との関係を示す図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態を説明する図であ
り、（ａ）は図２（ａ）と同じ方向からみた一部断面図
であり、（ｂ）は（ａ）の側面図であり、（ｃ）は第２
の実施の形態の応用例を示す。

【図１０】本発明の実施の形態を説明する図であり、
（ａ）は図２（ａ）と同じ方向からみた一部断面図であ
り、（ｂ）は（ａ）の側面図である。

【図１１】従来の積層型誘電体フィルタの外観斜視図で
ある。

【符号の説明】

１ａ〜１ｈ：誘電体層２：ストリップライン３：アース電極４：トリミング領域６：入出力電極７：入出力電極端子８：浮遊電極９：内部電極１０：誘電体ブロック

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】積層された複数の誘電体基板からなる誘
電体ブロックと、誘電体ブロックの主面に形成されたア
ース電極と、積層体内でアース電極に対向し、かつアー
ス電極に接続するように形成された複数のストリップラ
インと、隣接する２つのストリップラインの双方に誘電
体基板を介して対向する第1電極と、前記誘電体ブロッ
クの側面に形成された電極端子に接続されると共に前記
ストリップラインと前記第1電極との双方が誘電体基板
を介して対向する第２電極とを有した積層型誘電体フィ
ルタにおいて、前記電極端子に前記第1電極の一部と誘電体層を介して
対向する対向領域を形成したことを特徴とする積層型誘
電体フィルタ。
【請求項２】前記対向領域はフィルタの減衰極の周波数
を調整するためのトリミング領域であることを特徴とす
る請求項1記載の積層型誘電体フィルタ。
【請求項３】前記対向領域は、前記誘電体ブロックの主
面に前記アース電極とは非接触状態で形成されているこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の積層型誘電体フィ
ルタ。
【請求項４】前記第1電極の一部は、前記任意の誘電体
基板を貫通して形成したビアホール導体であることを特
徴とする請求項１記載の積層型誘電体フィルタ。
【請求項５】前記第1電極の一部は、誘電体ブロックの
側面に形成すると共に前記誘電体ブロックの側面まで第
1電極が引き出されて接続している第3電極であることを
特徴とする請求項１又は２記載の積層型誘電体フィル
タ。
【請求項６】前記第3電極は、フィルタの減衰極の周波
数を調整するためのトリミング領域であることを特徴と
する請求項２記載の積層型誘電体フィルタ。